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技術 基板処理装置

出願人 株式会社SCREENホールディングス
発明者 平井信行池田昌秀藤田和宏佐々木光敏
出願日 2015年3月30日 (4年4ヶ月経過) 出願番号 2015-068591
公開日 2016年11月4日 (2年9ヶ月経過) 公開番号 2016-189389
状態 特許登録済
技術分野 半導体の洗浄、乾燥 半導体の露光(電子、イオン線露光を除く)
主要キーワード 補助吐出 カップユニット 本体ボックス 環状部位 製品デバイス 一繋がり 保護チューブ内 補助処理
関連する未来課題
重要な関連分野

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図面 (12)

課題

処理液をより確実に除電するとともに、基板金属汚染を防止する。

解決手段

基板処理装置では、処理液供給部により吐出部41に処理液が供給され、吐出部41の吐出口411から基板に向けて処理液が吐出される。吐出部41では、接液面45が金属を含まない材料にて形成され、接液面45のうち吐出口411を有する先端部42における先端接液面451が導電性を有する。先端接液面451は、接地部5により電気的に接地される。これにより、処理液をより確実に除電するとともに、基板の金属汚染を防止することができる。

概要

背景

基板に向けて処理液吐出する基板処理装置では、耐薬品性を有する材料、例えばフッ素樹脂にて形成された配管が利用される。このような配管の表面は、例えばマイナス電荷帯電するため、誘導帯電により当該配管を流れる処理液の電子遊離する。遊離した電荷を含む処理液、すなわち、帯電した処理液は吐出口へと移動して、基板に向けて吐出される。その結果、処理液と基板との電位差による放電により、基板上の膜や回路パターン等の破壊が発生してしまう。処理液の帯電は、処理液自体や、処理液と配管との摩擦によっても生じる。このような静電破壊の発生は、製品デバイス歩留まりを低下させるため、大きな問題となる。そこで、特許文献1では、タンクフィルタボックスマニホールド等において、処理液に接触する炭素電極を設け、炭素電極を接地することにより、処理液の帯電を防止する手法が提案されている。また、特許文献2では、処理液が流通可能な石英管を接地することにより、処理液が石英管と接液したときに、処理液に帯びている電荷を除去する手法が提案されている。

なお、特許文献3では、導電性配管アースに接続することにより、導電性配管内をポリマー除去液が流通する際の摩擦帯電による発火が防止される。また、特許文献4では、洗浄水噴射する細孔を形成するスプレーチップ材質焼結ダイヤモンドとすることにより、静電気の発生および噴射口の広がりが防止される。

概要

処理液をより確実に除電するとともに、基板の金属汚染を防止する。基板処理装置では、処理液供給部により吐出部41に処理液が供給され、吐出部41の吐出口411から基板に向けて処理液が吐出される。吐出部41では、接液面45が金属を含まない材料にて形成され、接液面45のうち吐出口411を有する先端部42における先端接液面451が導電性を有する。先端接液面451は、接地部5により電気的に接地される。これにより、処理液をより確実に除電するとともに、基板の金属汚染を防止することができる。

目的

効果

実績

技術文献被引用数
0件
牽制数
0件

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請求項1

基板処理装置であって、接液面が金属を含まない材料にて形成され、前記接液面のうち吐出口を有する先端部における先端接液面が導電性を有し、前記吐出口から処理液基板に向けて吐出する吐出部と、前記吐出部に前記処理液を供給する処理液供給部と、前記先端接液面を電気的に接地する接地部と、を備えることを特徴とする基板処理装置。

請求項2

請求項1に記載の基板処理装置であって、前記先端接液面がガラス状カーボンにて形成されることを特徴とする基板処理装置。

請求項3

請求項1または2に記載の基板処理装置であって、前記吐出部において前記先端部を含む部位が、導電性材料により一繋がりの部材として形成されており、前記接地部が有する接地線が、前記部材に直接接続されることを特徴とする基板処理装置。

請求項4

請求項3に記載の基板処理装置であって、前記吐出部を支持するアームと、前記アームに支持されるとともに、金属を含まない材料にて形成される保護チューブと、を備え、前記接地線が、前記保護チューブ内に配置されることを特徴とする基板処理装置。

請求項5

請求項1または2に記載の基板処理装置であって、前記吐出部が、外周面の少なくとも一部に長手方向に連続する導電部を有する接続チューブを備え、前記接続チューブの一端が前記先端部に接続されることにより、前記導電部が前記先端接液面に電気的に接続され、前記処理液供給部により前記接続チューブの他端に前記処理液が供給され、前記接地部が、前記先端部から離れた位置において、前記接続チューブの前記導電部を電気的に接地することを特徴とする基板処理装置。

請求項6

請求項5に記載の基板処理装置であって、前記接続チューブが筒状の前記先端部内に挿入されることにより、前記導電部が前記先端接液面に電気的に接続されることを特徴とする基板処理装置。

請求項7

請求項5または6に記載の基板処理装置であって、前記吐出部が、金属を含まない材料にて形成され、少なくとも前記先端部の近傍において前記接続チューブの前記外周面を覆う保護チューブをさらに備えることを特徴とする基板処理装置。

請求項8

請求項7に記載の基板処理装置であって、前記接続チューブの前記外周面と前記保護チューブの内周面との間に環状間隙が設けられることを特徴とする基板処理装置。

請求項9

請求項1ないし8のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記吐出部と前記処理液供給部とを接続する供給ラインと、前記供給ラインにおける回収位置に一端が接続される回収ラインと、前記回収ラインに設けられたエジェクタを有し、前記供給ラインの前記回収位置と前記吐出部との間に存在する処理液を回収する処理液回収部と、をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。

請求項10

請求項1ないし9のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記吐出部の前記吐出口が、前記基板の一の主面の上方にて前記主面に対向し、前記吐出口の周縁が、前記吐出口近傍における前記吐出部の最下点であることを特徴とする基板処理装置。

技術分野

0001

本発明は、基板処理装置に関する。

背景技術

0002

基板に向けて処理液吐出する基板処理装置では、耐薬品性を有する材料、例えばフッ素樹脂にて形成された配管が利用される。このような配管の表面は、例えばマイナス電荷帯電するため、誘導帯電により当該配管を流れる処理液の電子遊離する。遊離した電荷を含む処理液、すなわち、帯電した処理液は吐出口へと移動して、基板に向けて吐出される。その結果、処理液と基板との電位差による放電により、基板上の膜や回路パターン等の破壊が発生してしまう。処理液の帯電は、処理液自体や、処理液と配管との摩擦によっても生じる。このような静電破壊の発生は、製品デバイス歩留まりを低下させるため、大きな問題となる。そこで、特許文献1では、タンクフィルタボックスマニホールド等において、処理液に接触する炭素電極を設け、炭素電極を接地することにより、処理液の帯電を防止する手法が提案されている。また、特許文献2では、処理液が流通可能な石英管を接地することにより、処理液が石英管と接液したときに、処理液に帯びている電荷を除去する手法が提案されている。

0003

なお、特許文献3では、導電性配管アースに接続することにより、導電性配管内をポリマー除去液が流通する際の摩擦帯電による発火が防止される。また、特許文献4では、洗浄水噴射する細孔を形成するスプレーチップ材質焼結ダイヤモンドとすることにより、静電気の発生および噴射口の広がりが防止される。

先行技術

0004

特開2006−269677号公報
特開2007−234814号公報
特開2003−278972号公報
特開平10−270407号公報

発明が解決しようとする課題

0005

ところで、発泡性の処理液や気泡混入した処理液が、例えば吐出部の近傍における細い流路を流れる時には、気泡により液の連続性が無くなることがある。この場合、吐出口から離れた位置に設けられる部材により除電を行う特許文献1および2の手法では、吐出される処理液の除電が困難となる。

0006

一方、基板の処理では、基板の金属汚染を防止することが極めて重要である。導電性樹脂等を含む配管を利用する場合であっても、導電性樹脂等は微量の金属を含むため、基板の種類によっては、金属汚染が問題となる。焼結ダイヤモンドも、通常、バインダ等として微量の金属を含む。

0007

本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、処理液をより確実に除電するとともに、基板の金属汚染を防止することを目的としている。

課題を解決するための手段

0008

請求項1に記載の発明は、基板処理装置であって、接液面が金属を含まない材料にて形成され、前記接液面のうち吐出口を有する先端部における先端接液面が導電性を有し、前記吐出口から処理液を基板に向けて吐出する吐出部と、前記吐出部に前記処理液を供給する処理液供給部と、前記先端接液面を電気的に接地する接地部とを備える。

0009

請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の基板処理装置であって、前記先端接液面がガラス状カーボンにて形成される。

0010

請求項3に記載の発明は、請求項1または2に記載の基板処理装置であって、前記吐出部において前記先端部を含む部位が、導電性材料により一繋がりの部材として形成されており、前記接地部が有する接地線が、前記部材に直接接続される。

0011

請求項4に記載の発明は、請求項3に記載の基板処理装置であって、前記吐出部を支持するアームと、前記アームに支持されるとともに、金属を含まない材料にて形成される保護チューブとを備え、前記接地線が、前記保護チューブ内に配置される。

0012

請求項5に記載の発明は、請求項1または2に記載の基板処理装置であって、前記吐出部が、外周面の少なくとも一部に長手方向に連続する導電部を有する接続チューブを備え、前記接続チューブの一端が前記先端部に接続されることにより、前記導電部が前記先端接液面に電気的に接続され、前記処理液供給部により前記接続チューブの他端に前記処理液が供給され、前記接地部が、前記先端部から離れた位置において、前記接続チューブの前記導電部を電気的に接地する。

0013

請求項6に記載の発明は、請求項5に記載の基板処理装置であって、前記接続チューブが筒状の前記先端部内に挿入されることにより、前記導電部が前記先端接液面に電気的に接続される。

0014

請求項7に記載の発明は、請求項5または6に記載の基板処理装置であって、前記吐出部が、金属を含まない材料にて形成され、少なくとも前記先端部の近傍において前記接続チューブの前記外周面を覆う保護チューブをさらに備える。

0015

請求項8に記載の発明は、請求項7に記載の基板処理装置であって、前記接続チューブの前記外周面と前記保護チューブの内周面との間に環状間隙が設けられる。

0016

請求項9に記載の発明は、請求項1ないし8のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記吐出部と前記処理液供給部とを接続する供給ラインと、前記供給ラインにおける回収位置に一端が接続される回収ラインと、前記回収ラインに設けられたエジェクタを有し、前記供給ラインの前記回収位置と前記吐出部との間に存在する処理液を回収する処理液回収部とをさらに備える。

0017

請求項10に記載の発明は、請求項1ないし9のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記吐出部の前記吐出口が、前記基板の一の主面の上方にて前記主面に対向し、前記吐出口の周縁が、前記吐出口近傍における前記吐出部の最下点である。

発明の効果

0018

本発明によれば、処理液をより確実に除電するとともに、基板の金属汚染を防止することができる。

図面の簡単な説明

0019

基板処理装置の構成を示す図である。
吐出ユニットを示す正面図である。
吐出部を示す断面図である。
吐出ユニットを示す平面図である。
比較例の基板処理装置における処理液の帯電を説明するための図である。
比較例の基板処理装置における処理液の帯電を説明するための図である。
比較例の基板処理装置における処理液の帯電を説明するための図である。
比較例の基板処理装置における処理液の帯電を説明するための図である。
吐出部の他の例を示す断面図である。
吐出部のさらに他の例を示す断面図である。
吐出部のさらに他の例を示す断面図である。

実施例

0020

図1は、本発明の一の実施の形態に係る基板処理装置1の構成を示す図である。基板処理装置1は、略円板状の半導体基板9(以下、単に「基板9」という。)に処理液を供給して基板9を1枚ずつ処理する枚葉式の装置である。

0021

基板処理装置1は、処理部2と、処理液供給ユニット3とを備える。処理部2は、保持部21と、保持部回転機構22と、吐出ユニット4と、カップユニット23とを備える。保持部21は、基板9の一の主面である下面を保持する。保持部回転機構22は、基板9の主面に垂直な回転軸を中心として保持部21を回転する。吐出ユニット4は、基板9の他の主面である上面に向けて処理液を吐出する。カップユニット23は、回転する基板9の上面から飛散する処理液を受けて、処理液を回収する。本実施の形態における処理液は、酸性またはアルカリ性薬液であり、導電性を有する。後述するように、処理液は、導電性を(ほとんど)有しないものであってよい。吐出ユニット4の構造の詳細については後述する。

0022

処理液供給ユニット3は、本体ボックス31と、供給ライン32と、処理液供給部33と、回収ライン34と、処理液回収部35とを備える。処理液供給部33は、処理液を貯溜する処理液タンク330を備える。供給ライン32は、処理液タンク330と処理部2の吐出ユニット4とを接続する。処理液供給部33は、ヒータ331と、ポンプ332と、フィルタ333とをさらに備える。ヒータ331、ポンプ332およびフィルタ333は、処理液タンク330から吐出ユニット4に向かって、この順序にて供給ライン32に設けられる。ヒータ331、ポンプ332およびフィルタ333は、本体ボックス31内に配置される。ヒータ331は、供給ライン32を流れる処理液を所定の温度に加熱する。ポンプ332は、処理液タンク330内の処理液を供給ライン32を介して吐出ユニット4へと送る。フィルタ333は、供給ライン32を流れる処理液中の不要物を除去する。

0023

処理部2の近傍において、供給ライン32には、ミキシングバルブである接続部39が設けられる。回収ライン34の一端は、接続部39に接続され、他端は処理液タンク330に接続される。処理液回収部35は、エジェクタ351と、フィルタ352とを備える。エジェクタ351およびフィルタ352は、接続部39から処理液タンク330に向かって、この順序にて回収ライン34に設けられる。接続部39は、供給ライン32の処理液タンク330側の部位との接続位置に第1バルブ391を有し、供給ライン32の吐出ユニット4側の部位との接続位置に第2バルブ392を有し、回収ライン34との接続位置に第3バルブ393を有する。図1では、第1ないし第3バルブ391〜393を黒い点にて示している。

0024

第1バルブ391を閉塞し、かつ、第2および第3バルブ392,393を開放した状態で、エジェクタ351を駆動することにより、接続部39と吐出ユニット4との間に存在する処理液が、回収ライン34を介して処理液タンク330に回収される。このようなエジェクタ351の吸引による処理液の回収は、サックバックとも呼ばれる。接続部39は、供給ライン32における処理液の回収位置となる。フィルタ352では、回収ライン34を流れる処理液中の不要物が除去される。なお、回収ライン34の接続部39とは反対側の端部は、処理液タンク330とは異なる回収タンクに接続されてよい。

0025

図2は、吐出ユニット4を示す正面図である。吐出ユニット4は、処理部2において基板9の上方に配置される吐出部41を備える。吐出部41は、ノズル部410と、接続チューブ44とを備える。ノズル部410は、基板9の上面の上方にて当該上面に向かって開口する吐出口411を有する。接続チューブ44は、金属を含まない材料、例えば、PFAテトラフルオロエチレンパーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体)やPTFE(ポリテトラフルオロエチレン)等の耐薬品性を有するフッ素樹脂にて形成される。好ましくは、接続チューブ44は、当該材料のみにより構成される。接続チューブ44の一端はノズル部410に接続され、他端は、供給ライン32の吐出ユニット4側の端部に接続される(図1参照)。供給ライン32により、吐出部41と処理液供給部33とが接続され、吐出部41に処理液が供給される。基板9の処理時には、処理液が、吐出口411から基板9の上面に向かって連続的に吐出される。本実施の形態では、処理液は吐出口411から基板9の上面まで連続する柱状に吐出される。

0026

図3は、吐出口411の中心軸を含む面による吐出部41の断面を示す図である。図3では、ノズル部410近傍のみを示している。ノズル部410は、内部流路412を有する本体部420と、吐出口411が形成された先端部42と、本体部420の周囲を覆うカバー部43とを備える。カバー部43は、接続チューブ44の端部が取り付けられるチューブ取付部431を有する。接続チューブ44からの処理液は、内部流路412を介して吐出口411へと導かれる。先端部42は、カバー部43の下部よりも下方に突出する環状部位である。先端部42の周囲には、吐出部41の他の部材は配置されない。したがって、吐出口411の周縁が、吐出口411近傍における吐出部41の最下点である。

0027

ノズル部410では、本体部420および先端部42が導電性材料により一繋がりの部材として形成される。好ましくは、当該部材は、導電性材料のみにより構成される。当該導電性材料は、金属を含まず、本実施の形態では、当該導電性材料は、ガラス状カーボンである。また、カバー部43は、金属を含まない材料、例えばフッ素樹脂にて形成される。好ましくは、カバー部43は、当該材料のみにより構成される。吐出部41において処理液と接する面である接液面45は、金属を含まない材料にて形成される(ここでは、接液面45の全体が、金属を含まない材料のみにより構成される)。接液面45は、接続チューブ44の内周面、カバー部43の内面の一部、並びに、本体部420および先端部42の内面の集合である。以下の説明では、接液面45のうち先端部42における部分、すなわち、吐出口411を形成する部分を「先端接液面」と呼び、図3では、先端接液面に符号451を付している。既述のように、先端接液面451は、ガラス状カーボンにて形成される。

0028

図2に示すように、本体部420の上部には、保護チューブ52の一端が接続される。保護チューブ52は、金属を含まない材料、例えばフッ素樹脂にて形成される。好ましくは、保護チューブ52は、当該材料のみにより構成される。保護チューブ52は、連結部61a〜61cにより接続チューブ44と共に束ねられており、保護チューブ52の他端は、ノズル部410から離れた位置、例えば、カップユニット23(図1参照)の外側に配置される。保護チューブ52内には、接地部5の接地線51が配置される。接地線51の一端は、本体部420の上部に直接接続される。接地線51は、金属にて形成される。接地線51の他端は、保護チューブ52の他端の外側にて、電気的に接地される。これにより、ノズル部410の本体部420および先端部42が電気的に接地される。換言すると、図3の先端接液面451を含む接液面45の一部が接地される。

0029

図4は、吐出ユニット4を示す平面図である。図4に示すように、吐出ユニット4は、2つの補助吐出部40a,40bをさらに備える。各補助吐出部40a,40bは、吐出管401を有する。吐出管401は、例えば、ステンレス鋼等の金属チューブの内周面がフッ素樹脂等にてコーティングされ、外周面がフッ素樹脂のチューブにて覆われたものである。吐出管401は、剛性が高い棒状部材と捉えることができる。吐出管401は、ノズル部410の近傍にて下方(図4紙面に垂直な方向)に向かって湾曲し、その先端が基板9に向かって開口する。吐出管401は、純水やIPA(イソプロピルアルコール)等の補助処理液の供給源に接続される。補助吐出部40a,40bは、補助処理液を基板9に向けて吐出する。なお、図2の吐出ユニット4の正面図では、補助吐出部40a,40bの図示を省略している。

0030

保護チューブ52、および、保護チューブ52の下方に位置する接続チューブ44(図2参照)は、連結部61a〜61cにより2つの補助吐出部40a,40bに対して固定される。ノズル部410および保護チューブ52は、連結部62により2つの補助吐出部40a,40bに対して固定される。このように、2つの補助吐出部40a,40bは、吐出部41(ノズル部410および接続チューブ44)および保護チューブ52を支持するアームとして捉えられる。処理部2では、吐出部41からの処理液の吐出時、および、補助吐出部40a,40bからの補助処理液の吐出時に、補助吐出部40a,40bを揺動する図示省略の回動機構が設けられる。

0031

図1の基板処理装置1において、基板9を処理液により処理する際には、第1および第2バルブ391,392が開放され、処理液供給部33により吐出部41に処理液が供給される。これにより、吐出口411から基板9上に処理液が吐出される。処理液の吐出後には、第1バルブ391を閉塞し、かつ、第2および第3バルブ392,393を開放した状態で、エジェクタ351が駆動される。これにより、接続部39と吐出部41との間に残存する処理液が処理液タンク330に戻される。よって、接続チューブ44およびノズル部410内にて温度が低下した処理液が、次の吐出時に基板9上に吐出されることが防止されるとともに、処理液を効率よく回収することが可能となる。

0032

ここで、処理液供給部から吐出部へと至る流路において、処理液を除電する比較例の基板処理装置について述べる。図5Aに示すように、比較例の基板処理装置では、配管中に接地用電極を設けることにより、吐出部91の吐出口911から離れた位置にて処理液90(図5A中にて平行斜線を付して示す。図5Bおよび図5Cにおいて同様。)が除電される。図1の基板処理装置1と同様に、吐出部91内の処理液90を回収する(サックバックを行う)ときには、吐出部91内にて処理液90が散らばって残存する、いわゆる、液切れが生じることがある。この場合、処理液90の連続性が確保されないため、図5Bに示すように、吐出部91の帯電による誘導帯電により処理液90中の電子が遊離した状態となる。そして、次の基板9の処理の際に、図5Cに示すように、遊離した電荷を含む処理液90が吐出部91内を移動して、図5Dに示すように、吐出口911から基板9に向けて吐出される。その結果、処理液90と基板9との電位差による放電により、基板9上の膜等が破壊されてしまう。また、サックバックを行わない装置であっても、処理液が発泡性を有する場合や、処理液に気泡が混入した場合、同様に、吐出部91内の処理液の連続性が失われるため、処理液を除電することができない。

0033

これに対し、図3の吐出部41を有する基板処理装置1では、吐出部41の先端部42における先端接液面451が導電性を有し、接地部5により、先端接液面451が電気的に接地される。これにより、サックバックによる液切れが生じる場合、あるいは、処理液が発泡性を有する場合や、処理液に気泡が混入した場合等であっても、基板9上に吐出される処理液をより確実に除電することができる。その結果、基板9上の膜等の破壊の発生を防止することができる。また、吐出部41では、接液面45が金属を含まない材料にて形成されるため、基板9の金属汚染をより確実に防止することができる。さらに、基板処理装置1では、先端接液面451を接地するのみであるため、処理液の流路における複数の位置に接地用の電極を配置する場合等に比べて、基板処理装置の製造コストを削減することができる。

0034

また、吐出部41において先端部42を含む部位が、導電性材料により一繋がりの部材として形成され、接地部5が有する接地線51が、当該部材に直接接続される。これにより、先端接液面451と接地線51との間の電気抵抗を低くすることができ、先端接液面451における除電能力を向上することができる。さらに、ノズル部410の近傍において接地線51が、金属を含まない材料にて形成される保護チューブ52内に配置されることにより、接地線51に起因する基板9の金属汚染をより確実に防止することができる。補助吐出部40a,40bが、吐出部41および保護チューブ52を支持するアームを兼ねることにより、吐出ユニット4の構造を簡素化することができる。

0035

ところで、吐出口の近傍に吐出部の他の部位が設けられると、吐出口から吐出された処理液の液滴が当該部位に付着し、液滴の集塊が形成されることがある。この場合に、例えば、処理後の基板9上に集塊が落下すると、基板9の処理の均一性が低下してしまう。これに対し、基板処理装置1では、基板9の上面に対向する吐出口411の周縁が、吐出口411近傍における吐出部41の最下点となる。これにより、吐出口411の周囲にて処理液の集塊が形成されることを防止することができる(後述の図6ないし図8の吐出部41a,41bにおいて同様)。

0036

図6は、吐出部の他の例を示す断面図である。図6の吐出部41aは、筒状の先端部46と、接続チューブ47と、保護チューブ48とを備える。先端部46は、小径部461と、大径部462とを備える。小径部461は、吐出口411を含む。小径部461の内周面の直径は、大径部462の内周面の直径よりも小さい。先端部46は、導電性材料により形成される。好ましくは、先端部46は、導電性材料のみにより構成される。当該導電性材料は、金属を含まず、本実施の形態では、当該導電性材料は、ガラス状カーボンである。

0037

接続チューブ47の本体は、金属を含まない材料、例えば、耐薬品性を有するフッ素樹脂にて形成される。接続チューブ47の外周面には、接続チューブ47の長手方向に連続する導電部471(図6中にて太い実線にて示す。後述の図7および図8において同様。)が設けられる。導電部471は、周方向における全体または一部に設けられる。すなわち、導電部471は、接続チューブ47の外周面の少なくとも一部にて長手方向に連続する。導電部471は、導電性材料、例えば、導電性PFA等の導電性フッ素樹脂にて形成される。なお、導電性PFAは、微量の金属を含む。

0038

接続チューブ47の外周面の直径は、先端部46における大径部462の内周面の直径とほぼ等しく、小径部461の内周面の直径よりも大きい。接続チューブ47の先端は、大径部462内に挿入され、接続チューブ47が先端部46に接続される。接続チューブ47の外周面は、大径部462の内周面と接触し、導電部471が、先端部46と接続する。これにより、導電部471が、小径部461の内周面である先端接液面451に電気的に接続される。また、先端部46から離れた位置、例えば、カップユニット23の外側において、接地部5により導電部471が電気的に接地される。

0039

基板処理装置1では、処理液供給部33により接続チューブ47における先端部46とは反対側の端部に処理液が供給され、処理液は接続チューブ47を介して先端部46に導かれる。吐出部41aにおいて処理液と接する面である接液面45は、金属を含まない材料にて形成される(金属を含まない材料のみにより構成される)。接液面45は、接続チューブ47の内周面、および、先端部46における小径部461の内周面の集合である。

0040

保護チューブ48は、金属を含まない材料、例えばフッ素樹脂にて形成される。好ましくは、保護チューブ48は、当該材料のみにより構成される。保護チューブ48内には、接続チューブ47が挿入される。保護チューブ48の内周面は、接続チューブ47の外周面に近接または接触する。このように、先端部46の近傍において導電部471が保護チューブ48により覆われる。接続チューブ47および保護チューブ48は、例えば補助吐出部40a,40b(図4参照)に支持される。保護チューブ48は、少なくとも先端部46の近傍において接続チューブ47の外周面を覆うことが好ましい。例えば、保護チューブ48は、上下方向において基板9と重なる範囲の全体において接続チューブ47を覆う。

0041

保護チューブ48の外周面の直径は、先端部46における大径部462の外周面の直径とほぼ等しい。保護チューブ48の端部および先端部46は、筒状の固定部材432に嵌め込まれて固定される。固定部材432は、金属を含まない材料、例えばフッ素樹脂にて形成される。好ましくは、固定部材432は、当該材料のみにより構成される。

0042

図6の吐出部41aを有する基板処理装置1では、先端部46における先端接液面451が導電性を有し、接地部5により、先端接液面451が電気的に接地される。これにより、サックバックによる液切れが生じる場合、あるいは、処理液が発泡性を有する場合や、処理液に気泡が混入した場合等であっても、基板9上に吐出される処理液をより確実に除電することができる。また、吐出部41aでは、接液面45が金属を含まない材料にて形成されるため、基板9の金属汚染をより確実に防止することができる。

0043

吐出部41aでは、導電部471を有する接続チューブ47の一端が先端部46に接続されることにより、導電部471が先端接液面451に電気的に接続される。そして、接地部5により、先端部46から離れた位置において、導電部471が電気的に接地される。これにより、先端接液面451を容易に接地することができる。また、接続チューブ47が筒状の先端部46内に挿入され、接続チューブ47の外周面と先端部46の内周面とが面接触する。これにより、両者間における接触抵抗を低くしつつ導電部471を先端接液面451に電気的に接続することができ、先端接液面451をより確実に接地することができる。さらに、先端部46の近傍において接続チューブ47の外周面が保護チューブ48により覆われることにより、接続チューブ47の導電部471に起因する基板9の金属汚染を防止することができる。

0044

図7は、吐出部のさらに他の例を示す断面図である。図7の吐出部41bでは、図6の吐出部41aと比較して、保護チューブ48の内周面と接続チューブ47の外周面との間に環状間隙481を形成するスペーサ49が追加される点で相違する。他の構成は、図6の吐出部41aと同様であり、同じ構成に同じ符号を付している。

0045

スペーサ49は、筒状部材であり、一方の端部にフランジ部491を有する。スペーサ49において、フランジ部491における外周面の直径は、他の部位における外周面の直径よりも大きい。スペーサ49は、金属を含まない材料、例えばフッ素樹脂にて形成される。好ましくは、スペーサ49は、当該材料のみにより構成される。

0046

筒状の固定部材432の一端には、その中心軸側に突出する環状突出部433が形成される。吐出部41bでは、先端部46が固定部材432に挿入され、小径部461の周囲に環状突出部433が配置される。小径部461の先端は、環状突出部433よりも下側に突出する。スペーサ49は、先端部46が挿入された固定部材432に固定される。例えば、スペーサ49の外周面の下端と固定部材432の外周面の上端との溶接により、両部材の固定が行われる。溶接は、周方向の全周に亘って施されることが好ましい。固定部材432の内周面の直径、および、先端部46における大径部462の外周面の直径はほぼ等しい。接続チューブ47は、スペーサ49および大径部462に挿入される。接続チューブ47の外周面は、大径部462の内周面と接触する。例えば、接続チューブ47の外周面は、スペーサ49の上端面と溶接される。

0047

先端部46の小径部461の上端面、すなわち、小径部461の内周面と大径部462の内周面とを接続する環状面には、Oリング472が設けられる。接続チューブ47の先端面は、Oリング472を介して先端部46と当接する。Oリング472は、金属を含まない材料、例えばフッ素樹脂にて形成される。好ましくは、Oリング472は、当該材料のみにより構成される。Oリング472により、吐出部41b内を流れる処理液が、接続チューブ47の外周面と大径部462の内周面との間に浸入することが防止される。

0048

保護チューブ48は、スペーサ49のフランジ部491よりも上側の部位に嵌め込まれる。これにより、接続チューブ47の外周面と保護チューブ48の内周面との間に環状間隙481が形成される。環状間隙481は、接続チューブ47および保護チューブ48の長手方向に伸びる。例えば、保護チューブ48の外周面の下端とフランジ部491の外周面の上端との溶接により、両部材の固定が行われる。これにより、保護チューブ48とスペーサ49との接続部において、気体液体の通過が防止される。

0049

以上のように、図7の吐出部41bでは、図6の吐出部41aに対してスペーサ49が付加され、接続チューブ47の外周面と保護チューブ48の内周面との間に環状間隙481が設けられる。吐出部41bを有する基板処理装置1では、環状間隙481の存在により接続チューブ47内を流れる処理液の外気による温度変化を低減することができる。基板処理装置1では、環状間隙481に温度調整用流体を供給することにより、処理液の温度調整が行われてもよい。

0050

図8に示すように、Oリング472は、固定部材432の環状突出部433の内周面に設けられてもよい。図8の例では、仮に、接続チューブ47の外周面と大径部462の内周面との間に処理液が浸入しても、小径部461の外周面と環状突出部433の内周面との間を通って処理液が吐出口411外から落下することが防止される。

0051

上記基板処理装置1では様々な変形が可能である。

0052

基板処理装置1では、導電性を有する薬液以外に、導電性を有する他の処理液が吐出部41,41a,41bから吐出されてもよい。また、導電性を有しない処理液が吐出部41,41a,41bから吐出されてもよい。このような処理液も帯電した状態で基板9上に吐出されると、基板9上の膜等の破壊が発生するため、吐出口411から吐出される直前に、接地された先端接液面451を介して除電されることが好ましい。処理液としては、各種薬液以外に、純水、炭酸水有機溶剤等が例示される。

0053

吐出部41,41a,41bでは、接液面45のみが金属を含まない材料にて形成され、他の部位が金属を含む材料にて形成されてもよい。すなわち、少なくとも接液面45が金属を含まない材料にて形成される。また、導電性を有する先端接液面451は、ガラス状カーボン以外に、CVDSiC(化学気相蒸着法によって成膜される炭化ケイ素)等の金属を含まない導電性材料にて形成されてもよい。

0054

吐出部41,41a,41bは、処理液により基板9を処理する様々な基板処理装置において利用可能である。既述のように、サックバックにより処理液の液切れが生じやすいため、処理液をより確実に除電する上記手法は、供給ライン32の回収位置と吐出部41,41a,41bとの間に存在する処理液を回収する処理液回収部35を有する基板処理装置1に特に適しているといえる。

0055

基板処理装置1にて処理される基板は半導体基板には限定されず、ガラス基板や他の基板であってもよい。

0056

上記実施の形態および各変形例における構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わされてよい。

0057

1基板処理装置
5接地部
9基板
32供給ライン
33処理液供給部
34回収ライン
35 処理液回収部
39 接続部
40a,40b補助吐出部
41,41a,41b吐出部
42,46 先端部
44,47接続チューブ
45接液面
48,52保護チューブ
51接地線
351エジェクタ
411 吐出口
451 先端接液面
471導電部
481 環状間隙

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