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技術 弾性波デバイスおよびその製造方法

出願人 太陽誘電株式会社
発明者 畑山和重月舘均
出願日 2015年3月23日 (5年3ヶ月経過) 出願番号 2015-059950
公開日 2016年10月13日 (3年8ヶ月経過) 公開番号 2016-181758
状態 特許登録済
技術分野 弾性表面波素子とその回路網
主要キーワード ラブ波 弾性波デバイス タンタル酸リチウム基板 密着膜 弾性境界波素子 研削機 パラジウム層 受信端子
関連する未来課題
重要な関連分野

この項目の情報は公開日時点(2016年10月13日)のものです。
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図面 (13)

課題

配線強度を向上させる弾性波デバイスを提供する。

解決手段

基板10と、基板上に形成された弾性波素子74と、基板上に形成され弾性波素子に電気的に接続された第1配線と、端部が第1配線に固定され、基板上に空隙24を介し形成された第2配線32と、第1配線の端部に形成され、上方に突出し前記第2配線が固定される固定部40と、第1配線の端部に、固定部に接し、第2配線の延伸方向から見て外側に形成され、上方に突出した突出部42と、を具備する。

概要

背景

弾性波デバイスは、移動体通信用のフィルタ等に用いられている。基板上に形成された弾性波素子等の素子間または素子と外部端子とを接続する配線を空隙を介し交差させることが知られている(特許文献1から4)。

概要

配線強度を向上させる弾性波デバイスを提供する。基板10と、基板上に形成された弾性波素子74と、基板上に形成され弾性波素子に電気的に接続された第1配線と、端部が第1配線に固定され、基板上に空隙24を介し形成された第2配線32と、第1配線の端部に形成され、上方に突出し前記第2配線が固定される固定部40と、第1配線の端部に、固定部に接し、第2配線の延伸方向から見て外側に形成され、上方に突出した突出部42と、を具備する。

目的

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、配線の強度を向上させることを目的とする

効果

実績

技術文献被引用数
0件
牽制数
0件

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請求項1

基板と、前記基板上に形成された弾性波素子と、前記基板上に形成され前記弾性波素子に電気的に接続された第1配線と、端部が前記第1配線に固定され、前記基板上に空隙を介し形成された第2配線と、前記第1配線の端部に形成され、上方に突出し前記第2配線が固定される固定部と、前記第1配線の端部に、前記固定部に接し、前記第2配線の延伸方向から見て外側に形成され、上方に突出した突出部と、を具備することを特徴とする弾性波デバイス

請求項2

前記第1配線および前記第2配線は、シード層と、前記シード層上に形成されためっき層とを含み、前記突出部の側面に沿って前記シード層が上方に伸びることを特徴とする請求項1記載の弾性波デバイス。

請求項3

前記突出部は、前記第1配線の端部の一部に形成され、前記端部の残部に形成されていないことを特徴とする請求項1記載の弾性波デバイス。

請求項4

前記第1配線および前記第2配線は、シード層と、前記シード層上に形成されためっき層とを含み、前記突出部の側面に沿って前記シード層が上方に伸び、前記突出部の形成されていない前記第1配線の端部の側面においては、前記シード層は上方に伸びていないことを特徴とする請求項3記載の弾性波デバイス。

請求項5

前記基板上に形成された第3配線を具備し、前記第2配線は前記第3配線の上方に空隙を介し形成されていることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項記載の弾性波デバイス。

請求項6

前記第1配線は、基板上に形成された金属膜と、前記金属膜上に形成されたシード層と、前記シード層上に形成されためっき層とを含み、前記第2配線は、前記シード層および前記めっき層を含み、前記金属膜を含まず、前記第3配線は、前記金属膜を含み、前記シード層および前記めっき層を含まないことを特徴とする請求項5記載の弾性波デバイス。

請求項7

基板上に、弾性波素子および前記弾性波素子に電気的に接続する第1配線となる領域に金属膜を形成する工程と、前記基板上に、前記第1配線となる領域内の前記金属膜上が第1開口となり、第2配線となる領域が前記第1開口とならない第1マスク層を形成する工程と、前記第1開口内の前記金属膜に接触し、前記第1マスク層を覆うようにシード層を形成する工程と、前記第2配線となる領域の前記第2配線の延伸方向からみて両側に位置し前記第1マスク層の側面に形成された前記シード層が第2開口に露出するように、前記シード層上の前記第1配線となる領域および前記第2配線となる領域が前記第2開口となる第2マスク層を形成する工程と、前記シード層から給電することにより、前記第2開口内のシード層上にめっき層を形成する工程と、前記第1マスク層および前記第2マスク層を除去することにより、前記第1開口以外のシード層をリフトオフする工程と、を含むことを特徴とする弾性波デバイスの製造方法。

請求項8

前記第2マスク層を形成する工程は、前記第1マスク層の側面に形成された前記シード層の一部が前記第2開口に露出しないように前記第2マスク層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項7記載の弾性波デバイスの製造方法。

技術分野

0001

本発明は、弾性波デバイスおよびその製造方法に関し、例えば基板上に空隙を介し形成された配線を有する弾性波デバイスおよびその製造方法に関する。

背景技術

0002

弾性波デバイスは、移動体通信用のフィルタ等に用いられている。基板上に形成された弾性波素子等の素子間または素子と外部端子とを接続する配線を空隙を介し交差させることが知られている(特許文献1から4)。

先行技術

0003

特開1995−321425号公報
特開2005−109060号公報
特開2006−278431号公報
特開2012−9989号公報

発明が解決しようとする課題

0004

空隙を介し配線を交差させることで、配線間の寄生容量を削減できる。しかしながら、例えば基板の裏面の研削等の工程や配線のリフトオフ工程において、配線に圧力が加わると配線が破損する可能性がある。

0005

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、配線の強度を向上させることを目的とする。

課題を解決するための手段

0006

本発明は、基板と、前記基板上に形成された弾性波素子と、前記基板上に形成され前記弾性波素子に電気的に接続された第1配線と、端部が前記第1配線に固定され、前記基板上に空隙を介し形成された第2配線と、前記第1配線の端部に形成され、上方に突出し前記第2配線が固定される固定部と、前記第1配線の端部に、前記固定部に接し、前記第2配線の延伸方向から見て外側に形成され、上方に突出した突出部と、を具備することを特徴とする弾性波デバイスである。

0007

上記構成において、前記第1配線および前記第2配線は、シード層と、前記シード層上に形成されためっき層とを含み、前記突出部の側面に沿って前記シード層が上方に伸びる構成とすることができる。

0008

上記構成において、前記突出部は、前記第1配線の端部の一部に形成され、前記端部の残部に形成されていない構成とすることができる。

0009

上記構成において、前記第1配線および前記第2配線は、シード層と、前記シード層上に形成されためっき層とを含み、前記突出部の側面に沿って前記シード層が上方に伸び、前記突出部の形成されていない前記第1配線の端部の側面においては、前記シード層は上方に伸びていない構成とすることができる。

0010

上記構成において、前記基板上に形成された第3配線を具備し、前記第2配線は前記第3配線の上方に空隙を介し形成されている構成とすることができる。

0011

上記構成において、前記第1配線は、基板上に形成された金属膜と、前記金属膜上に形成されたシード層と、前記シード層上に形成されためっき層とを含み、前記第2配線は、前記シード層および前記めっき層を含み、前記金属膜を含まず、前記第3配線は、前記金属膜を含み、前記シード層および前記めっき層を含まない構成とすることができる。

0012

本発明は、基板上に、弾性波素子および前記弾性波素子に電気的に接続する第1配線となる領域に金属膜を形成する工程と、前記基板上に、前記第1配線となる領域内の前記金属膜上が第1開口となり、第2配線となる領域が前記第1開口とならない第1マスク層を形成する工程と、前記第1開口内の前記金属膜に接触し、前記第1マスク層を覆うようにシード層を形成する工程と、前記第2配線となる領域の前記第2配線の延伸方向からみて両側に位置し前記第1マスク層の側面に形成された前記シード層が第2開口に露出するように、前記シード層上の前記第1配線となる領域および前記第2配線となる領域が前記第2開口となる第2マスク層を形成する工程と、前記シード層から給電することにより、前記第2開口内のシード層上にめっき層を形成する工程と、前記第1マスク層および前記第2マスク層を除去することにより、前記第1開口以外のシード層をリフトオフする工程と、を含むことを特徴とする弾性波デバイスの製造方法である。

0013

上記構成において、前記第2マスク層を形成する工程は、前記第1マスク層の側面に形成された前記シード層の一部が前記第2開口に露出しないように前記第2マスク層を形成する工程を含む構成とすることができる。

発明の効果

0014

本発明によれば、配線の強度を向上させることができる。

図面の簡単な説明

0015

図1(a)は、実施例1の配線の平面図、図1(b)から図1(e)は、それぞれ図1(a)のA−A断面図、B−B断面図、C−C断面図およびD−D断面図である。
図2(a)は、比較例1の配線の平面図、図2(b)から図2(d)は、それぞれ図2(a)のA−A断面図、B−B断面図およびD−D断面図である。
図3(a)および図3(b)は、実施例1の変形例1および2の配線の平面図である。
図4は、実施例2に係る弾性波デバイスの平面図である。
図5は、図4の領域Aを拡大した平面図である。
図6(a)から図6(c)は、図5のA−A断面図である。
図7(a)から図7(c)は、実施例2に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図(その1)である。
図8(a)から図8(c)は、実施例2に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図(その2)である。
図9(a)から図9(c)は、実施例2に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図(その3)である。
図10(a)から図10(c)は、実施例2に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図(その4)である。
図11(a)から図11(c)は、実施例2に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図(その5)である。
図12(a)から図12(c)は、実施例2に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図(その6)である。

0016

以下、図面を参照し、本発明の実施例について説明する。

0017

図1(a)は、実施例1の配線の平面図、図1(b)から図1(e)は、それぞれ図1(a)のA−A断面図、B−B断面図、C−C断面図およびD−D断面図である。

0018

図1(a)から図1(e)に示すように、基板10上に、配線30、32および34が形成されている。配線32は、配線30同士を接続し、基板10および配線34の上方に空隙24を介し形成されている。配線30は、基板10上に形成された金属膜12、シード層16およびめっき層22を有する。めっき層22は下層18および上層20を有する。配線32は、配線30に固定されており、配線30とシード層16およびめっき層22を共有している。配線34は金属膜12を有する。配線30、32および34は、基板10上に形成された弾性波素子間、または弾性波素子とパッドとを電気的に接続する。

0019

図1(b)および図1(e)に示すように、配線30の端部のうち、配線32が固定される固定部40は上に突出する。図1(c)および図1(e)に示すように、配線30の端部のうち、上方に突出する突出部42が固定部40に接して設けられている。なおここで、上方、あるいは、上、と記載される方向は基板上から垂直に離れる方向である。突出部42、固定部40および配線32の上面はほぼ同じ高さであり連続している。配線30の間には空間26が形成される。突出部42の空間26に露出する側面においてシード層16は上に延伸している。図1(d)および図1(e)に示すように、突出部42の外側の配線30の端部の上面は、配線30の中央部の上面とほぼ同じ高さであり平坦である。図1(d)のように、配線30の側面においてシード層16がめっき層22より空間26に延伸している。

0020

次に、比較例について説明する。図2(a)は、比較例1の配線の平面図、図2(b)から図2(d)は、それぞれ図2(a)のA−A断面図、B−B断面図およびD−D断面図である。図2(a)から図2(d)に示すように、比較例1では、配線32が配線30に接続する箇所に固定部40が形成されている。しかし、固定部40の両側に突出部42は形成されていない。その他の構成は実施例1と同じであり説明を省略する。

0021

実施例1および比較例1のように、配線32は配線34上を空隙24を介して交差する。このため、配線32の上面は配線30の上面よりほぼ空隙24の分高くなる。固定部40においても配線32と同様に上面が配線30より高くなる。比較例1では、配線32に圧力が加わると、配線32が破損する可能性がある。例えば、配線32をリフトオフ法により形成する場合、リフトオフ工程の超音波または高圧ジェットにより配線32が破損する可能性がある。例えば、基板10の背面(下面)を研削または研磨する工程では、基板10の表面(上面)に保護テープを貼り付ける。基板10の裏面の研削または研磨が終了した後に保護テープを剥離する。このとき、配線32が破損する可能性がある。さらに、基板10の背面を研削機または研削機で研削または研磨するときには、基板10に上下方向に圧力が加わる。この圧力で配線32が破損する可能性がある。このように、配線32を形成した後の製造工程または実装後に配線32が破損する可能性がある。配線32が破損すると、弾性波デバイスの不良となり、歩留まり低下や、障害要因となりうる。

0022

実施例1によれば、突出部42が固定部40に接し、第2配線32の延伸方向から見て外側に形成されるように形成されている。これにより、突出部42が配線32を補強するため、比較例1で説明したような配線32の破損を抑制できる。例えば、上からの圧力に対し、突出部42が圧力を受けるため、配線32の破損を抑制できる。また、横からの圧力に対し、固定部40が受けるせん断応力を突出部42が緩和する。

0023

図3(a)および図3(b)は、実施例1の変形例1および2の配線の平面図である。図3(a)に示すように、突出部42は、配線30の端部全体に形成されていてもよい。これにより、配線32の強度を高くすることができる。実施例2で後述するように、配線32をリフトオフ法で形成する場合、突出部42が多いとリフトオフが難しくなる。このような場合、突出部42は配線30の一部に形成されることが好ましい。また、配線30のうち、配線32が固定された辺に突出部42を形成し、配線32の他の辺には突出部42を形成しないこともできる。

0024

図3(b)に示すように、配線32が配線30に接続する付け根において、配線32の幅が広い幅広部44が形成されている。幅広部44は応力が分散するように、配線30に向けてなだらかに幅が広くなっている。幅広部44により、配線32を補強することもできる。

0025

実施例2は、受信フィルタ弾性表面波素子で形成する例である。図4は、実施例2に係る弾性波デバイスの平面図である。基板10は、例えば圧電基板である。基板10上に弾性波素子70、72および74が形成されている。弾性波素子70、72および74は、例えば弾性表面波素子である。弾性波素子70は、一対端共振器であり、IDT(Interdigital Transducer)0とその両側に設けられた反射器Rを有する。弾性波素子72は、DMS(Double Mode Surface acoustic wave)フィルタであり、3つのIDT11からIDT13と反射器Rを有する。弾性波素子74はDMSフィルタであり、3つのIDT21から23と反射器Rを有する。配線30は、弾性波素子70から74間、または弾性波素子70から74とパッド36とを接続する。パッド36は、アンテナ端子NT受信端子Rxおよびグランド端子Gであり、弾性波素子70から74を基板10の外部と電気的に接続する。

0026

アンテナ端子ANTであるパッド36は弾性波素子70のIDT0の一端に配線30を介し接続されている。IDT0の他端は弾性波素子72のIDT12の一端に配線30を介し接続されている。IDT11および13の一端は弾性波素子74のIDT21および23の一端に配線30および34を介し接続されている。IDT22の一端は受信端子Rxであるパッド36に配線30を介し接続されている。グランド端子Gは、配線30(一部配線32)を介し反射器RおよびIDT11から23の他端に接続されている。実施例2はDMSが2段接続された受信フィルタである。

0027

図5は、図4の領域Aを拡大した平面図である。図5に示すように、IDT22の他端は、配線30c、配線32、配線30bおよび配線30aを介しグランド端子Gに接続されている。IDT22の一端は配線30dを介し受信端子Rxに接続されている。IDT23の一端は配線30および34を介しIDT13の一端に接続されている。

0028

図6(a)から図6(c)は、図5のA−A断面図である。図6(a)から図6(c)は、線A1からA3に沿った断面図である。図6(a)に示すように、配線32は、配線34の上方に空隙24を介し形成されている。配線30bおよび30cの端部のうち配線32が固定される箇所は上方に突出し固定部40を形成する。図6(b)に示すように、配線32の近傍では、配線32が形成されておらず、配線30bと30cとの間に空間26が形成されている。配線30bおよび30cの端部には突出部42が形成されている。図6(c)に示すように、配線32から離れると、突出部42が形成されていない。

0029

図7(a)から図12(c)は、実施例2に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。図7(a)から図8(c)は、図5のA1に相当する。図7(a)に示すように、基板10上に金属膜12を形成する。基板10は、例えばタンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板等の圧電基板である。金属膜12は、例えばアルミニウム膜である。金属膜12は、例えばスパッタリング法およびエッチング法を用い形成する。金属膜12により、IDTおよび反射器を有する弾性波素子74が形成される。金属膜12の膜厚は例えば150nmから400nmである。金属膜12は、銅膜または金膜等でもよい。金属膜12により配線34および他の配線の一部の層が形成される。弾性波素子74および配線34上に保護膜14を形成する。保護膜14は例えば膜厚が20nmの酸化シリコン膜である。保護膜14は、例えばスパッタリング法およびエッチング法を用い形成する。

0030

図7(b)に示すように、配線を形成する領域に開口52が形成されるように、基板10上にマスク層50を形成する。開口52は、配線30を形成する領域に形成する。マスク層50は、例えばフォトレジストであり、フォトリソグラフィ法を用い形成する。マスク層50の膜厚は、フォトリソグラフィ法において所望の解像度を得られるように設定し、かつ後述するシード層16のリフトオフを行なうため2μm以上が好ましい。マスク層50は、後のベークに耐えることができる程度の耐熱性を有することが好ましい。

0031

図7(c)に示すように、マスク層50を覆うように、基板10上にシード層16を全面に形成する。シード層16は、例えば基板10側から膜厚が0.2μmのチタン膜および膜厚が0.15μmの金膜である。シード層16は、例えば蒸着法を用い形成する。シード層16は、基板10側から膜厚が0.1μmのチタン膜および膜厚が0.3μmの銅膜でもよい。シード層16は、スパッタリング法を用い形成してもよいが、リフトオフ法を用いるため蒸着法を用い形成することが好ましい。シード層16の基板10側の膜は、金属膜12との密着性を向上させる密着膜である。金属膜12がアルミニウム膜のとき、密着膜は例えばチタン膜である。シード層16の上側の膜はめっきのシードとして機能し、めっき層と同じ材料であることが好ましい。

0032

図8(a)に示すように、配線を形成する領域に開口56が形成されるように、シード層16上にマスク層54を形成する。マスク層54は、例えば膜厚が7μmのフォトレジスト膜である。マスク層54は、例えばフォトレジストであり、フォトリソグラフィ法を用い形成する。マスク層54の膜厚は、シード層16の段差被覆し、かつめっき層22より厚くなるように設定する。例えば、5μmから20μmである。開口56は開口52より小さく開口56が開口52に含まれるように形成する。また、開口56は、配線32を形成するためのマスク層50が含まれるように形成する。

0033

図8(b)に示すように、開口56にめっき層22を形成する。めっき層22は、基板側から下層18、バリア層(不図示)および上層20を含む。下層18は例えば膜厚が3μmの銅層である。バリア層は、例えば膜厚が0.3μmのパラジウム層である。上層20は、例えば膜厚が1μmの金層である。めっき層22は、シード層16から電流を供給し、電解めっき法を用い形成する。下層18は、厚膜化が可能であり、電気抵抗率が低くかつ非磁性である材料が好ましい。このため、下層18は、銅層または金層が好ましい。下層18の膜厚は配線30および32の低抵抗化のため例えば1μm以上が好ましい。めっき層22上にスタッドバンプを形成する場合、上層20は金層であることが好ましい。バリア層は、下層18と上層20との加熱または経時変化にともなう相互拡散を抑制する。下層18が銅層、上層20が金層の場合、バリア層は、膜厚が0.2μm程度のパラジウム層またはニッケル層が好ましい。上層20は、無電解めっき法を用い形成することもできる。この場合、上層20の膜厚は例えば0.4μmである。また、バリア層および上層20を蒸着法を用い形成することもできる。この場合、バリア層は例えば膜厚が0.2μmのチタン層、上層20は、膜厚が0.4μmの金層である。

0034

図8(c)に示すように、マスク層50および54を例えば有機溶剤を用い除去する。このとき、マスク層50および54の間に形成されたシード層16がリフトオフされる。シード層16のリフトオフのため、有機溶剤を高圧で噴射してもよい。また、有機溶剤中で超音波洗浄してもよい。これにより、金属膜12、シード層16、めっき層22から配線30aから30cが形成される。配線34の上方に、シード層16およびめっき層22から配線32が形成される。その後、パッド36にスタッドバンプ等の端子を形成する。基板10の背面を研削又は研磨する。

0035

図9(a)から図9(c)は、図5のA2に相当する断面である。図10(a)から図10(c)は、それぞれ図9(a)から図9(c)の配線32付近の拡大図である。図9(a)および図10(a)に示すように、マスク層54の幅W2をマスク層50の幅W1と同じかやや小さくする。これにより、マスク層50の側面のシード層16が開口56に露出する。なお、合わせ精度の観点から幅W2は幅W1より小さいことが好ましい。

0036

図9(b)および図10(b)に示すように、めっき層22を形成すると、開口56に露出したシード層16からもめっき層22が形成される。これにより、めっき層22の上面が突出する。図9(c)および図10(c)に示すように、リフトオフ法により、マスク層50および54およびシード層16を除去する。これにより、配線30bおよび30cのうち空間26側の端部に突出部42が形成される。突出部42の幅W3は、めっき層22の厚さのほぼ半分となる。例えば、めっき層22の膜厚が4μmのとき、幅W3は約2μmとなる。めっき層22の膜厚と幅W3の比はめっきの条件等により適宜設定することもできる。

0037

図11(a)から図11(c)は、図5のA3に相当する断面である。図12(a)から図12(c)は、それぞれ図11(a)から図11(c)の配線32付近の拡大図である。図11(a)および図12(a)に示すように、マスク層54の幅W2をマスク層50の幅W1より大きくする。これにより、マスク層50の側面のシード層16が開口56に露出しない。シード層16の側面とマスク層54の側面の間隔L1は、例えば0.5μmから2μmである。間隔L1は、合わせずれ等によってもシード層16が露出しない範囲で小さく設定することが好ましい。

0038

図11(b)および図12(b)に示すように、めっき層22を形成すると、めっき層22は、シード層16の側面には形成されない。これにより、めっき層22の上面は平坦となる。図9(c)および図10(c)に示すように、リフトオフ法により、マスク層50および54およびシード層16を除去する。これにより、配線30bおよび30cの空間26側の端部に突出部42は形成されず、配線30bおよび30cの上面は平坦となる。

0039

実施例2によれば、図7(a)のように、基板10上に、弾性波素子74、配線30および配線34となる領域に金属膜12を形成する。図7(b)のように、配線30となる領域内の金属膜12上が開口52(第1開口)となり、配線32となる領域が開口52とならないマスク層50(第1マスク層)を形成する。図7(c)のように、開口52内の金属膜12に接触し、マスク層50を覆うようにシード層16を形成する。図8(a)、図9(a)および図11(a)のように、シード層16上に、配線30および32となる領域が開口56(第2開口)となるマスク層54(第2マスク層)を形成する。図8(b)、図9(b)および図11(b)のように、シード層16から給電することにより、開口56内のシード層16上にめっき層22を形成する。図8(c)、図9(c)および図11(c)のように、マスク層50およびマスク層54を除去することにより、開口52以外のシード層16をリフトオフする。これにより、配線30に固定され、配線34上に空隙24を介し形成された配線32を形成することができる。

0040

図9(a)および図10(a)のように、配線32となる領域の両側(配線32の延伸方向からみて)に位置しマスク層50の側面にシード層16が開口56に露出する。これにより、図9(b)および図10(b)において、露出したシード層16にめっき層22が成長する。よって、固定部40に接する突出部42を簡単な工程で形成できる。図10(c)のように、このように形成された突出部42においては、配線30bおよび30cの端部の側面に沿ってシード層16が上方に伸びる。

0041

図10(b)のように、突出部42が形成された配線30の端部では、図10(c)のリフトオフのときに、シード層16がリフトオフされずに残存したり、マスク層50に有機溶剤が浸潤し難くなったりする。そこで、図11(a)および図12(a)のように、マスク層54を形成するときに、マスク層50の側面に形成されたシード層16の一部が開口56に露出しないようにマスク層54を形成する。すなわち、突出部42は、図1(a)のように配線30の端部の一部に形成し、配線30の端部の残部に形成しない。これにより、図12(b)のように、マスク層50の側面に形成されたシード層16をマスク層54が覆う。よって、シード層16の剥離が容易となる。図12(c)のように、このようにして形成された突出部42が形成されていない配線30の端部の側面においては、シード層16は上方に伸びていない。

0042

また、配線30は、基板10上に形成された金属膜12とシード層16とめっき層22とを含み、配線32は、シード層16およびめっき層22を含み、金属膜12を含まず、配線34は、金属膜12を含み、シード層16およびめっき層22を含まない構造となる。

0043

実施例2においては、弾性波素子として、弾性表面波デバイスを例に説明したが、弾性波素子は、弾性境界波素子ラブ波素子、または圧電薄膜共振器素子でもよい。また、弾性波デバイスの例としてDMSフィルタを用いた受信フィルタを説明したが、送信フィルタ等のフィルタでもよく、ラダー型フィルタでもよい。

実施例

0044

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

0045

10基板
12金属膜
14 保護膜
16シード層
22めっき層
24 空隙
30、32、34配線
40 固定部
42 突出部
70、72、74 弾性波素子

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