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技術 静電チャックおよびその製造方法

出願人 日本特殊陶業株式会社
発明者 青山久範土田淳鈴木裕明菅家篤
出願日 2015年1月30日 (4年9ヶ月経過) 出願番号 2015-017871
公開日 2016年8月8日 (3年3ヶ月経過) 公開番号 2016-143743
状態 特許登録済
技術分野 ウエハ等の容器、移送、固着、位置決め等 特殊な電動機、発電機
主要キーワード 外側段差 内側段差 セラミックコーティング膜 切削ドリル 二段重ね クラック発生有無 ザグリ穴 マシナブルセラミックス
関連する未来課題
重要な関連分野

この項目の情報は公開日時点(2016年8月8日)のものです。
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図面 (3)

課題

アーキングの発生を防止しながらも保持対象である基板コンタミネーションの防止を図りうる静電チャックを提供する。

解決手段

導電性基体1の上端面から下方に延在する連通孔10の側面に対して全周にわたり筒状の絶縁性マシナブルセラミックスからなる成形体2の外側面が密着している。基体1の上端面および成形体2の上端面201のそれぞれがセラミックスコーティング膜よりなる保護層4により被覆されている。成形体2のうち、静電チャックの通気経路に面する部分の少なくとも一部の表面粗さRaが0.1〜1.0[μm]の範囲に含まれるように加工されている。

概要

背景

半導体ウエハなどの基板プラズマ処理に際して、当該基板を保持するために用いられる静電チャックには、当該基板の周囲に対してヘリウムガスなどを供給するための通気経路が設けられている場合、この通気経路においてアーキング(異常放電)が発生する可能性がある。

そこで、アルミニウム等の導電性プレートの開口に嵌め込まれたアルミナ等からなる誘電体チューブと、当該チューブの一端部を覆う多孔質性のアルミナ等からなる誘電体層によりガス流路を構成することが提案されている(特許文献1参照)。チューブの一端部および誘電体層の密着性の向上のため、当該チューブとしてマシナブルセラミックスからなるチューブを採用することが提案されている(特許文献2参照)。

概要

アーキングの発生を防止しながらも保持対象である基板のコンタミネーションの防止をりうる静電チャックを提供する。導電性の基体1の上端面から下方に延在する連通孔10の側面に対して全周にわたり筒状の絶縁性マシナブルセラミックスからなる成形体2の外側面が密着している。基体1の上端面および成形体2の上端面201のそれぞれがセラミックスコーティング膜よりなる保護層4により被覆されている。成形体2のうち、静電チャックの通気経路に面する部分の少なくとも一部の表面粗さRaが0.1〜1.0[μm]の範囲に含まれるように加工されている。

目的

本発明は、アーキングの発生を防止しながらも保持対象である基板のコンタミネーションの防止を図りうる静電チャックを提供する

効果

実績

技術文献被引用数
0件
牽制数
0件

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請求項1

上端面から下方に延在する部分を有する連通孔が形成されている導電性基体と、前記連通孔のうち前記基体の上端面から下方に延在する部分の側面に対して側面が全周にわたって密着している筒状の絶縁性マシナブルセラミックスからなる成形体と、前記基体のおよび前記成形体のそれぞれの上端面を被覆し、前記成形体の中空部に連通する貫通孔を有するセラミックスコーティング膜からなる保護層と、を備え、前記成形体の中空部および前記保護層の貫通孔を含むように通気経路が構成されている静電チャックであって、前記成形体のうち、前記通気経路に面している部分の少なくとも一部の表面粗さRaが0.1〜1.0[μm]の範囲に含まれていることを特徴とする静電チャック。

請求項2

請求項1記載の静電チャックにおいて、前記成形体の内側面および下端面の環状の境界部分が面取り加工されていることを特徴とする静電チャック。

請求項3

請求項1または2記載の静電チャックにおいて、前記成形体の内側面が段差部分を有し、当該段差部分が面取り加工されていることを特徴とする静電チャック。

請求項4

請求項1〜3のうちいずれか1つに記載の静電チャックにおいて、前記成形体が、その上端面の面積が下端面の面積よりも大きくなるように形成されていることを特徴とする静電チャック。

請求項5

請求項1〜4のうちいずれか1つに記載の静電チャックにおいて、前記成形体が、前記保護層との熱膨張係数偏差が−3[ppm]〜+3[ppm]の範囲内であるマシナブルセラミックスからなることを特徴とする静電チャック。

請求項6

絶縁性のマシナブルセラミックスを筒状または柱状に成形することで成形体を作製する工程と、金属からなる基体において上端面から下方に延在する部分を有するように形成されている連通孔に対して前記成形体をその上端面が露出するように圧入し、前記連通孔のうち前記基体の上端面から下方に延在する部分の側面に対して全周にわたって前記成形体の外側面を密着させる工程と、前記基体および前記成形体のそれぞれの上端面に、溶射によりセラミックコーティング膜からなる保護層を形成する工程と、前記成形体が柱状である場合、前記成形体にその軸線方向に貫通し、前記保護層の貫通孔に連通する中空部を形成する工程と、前記保護層をその厚み方向に貫通し、前記成形体の中空部に連通する貫通孔を形成する工程と、内側面および下端面のそれぞれの少なくとも一部を、表面粗さRaが0.1〜1.0[μm]の範囲に含まれるように仕上げ加工する工程と、を含むことを特徴とする静電チャックの製造方法。

技術分野

0001

本発明は、ウエハ等の基板を保持する静電チャックに関する。

背景技術

0002

半導体ウエハなどの基板のプラズマ処理に際して、当該基板を保持するために用いられる静電チャックには、当該基板の周囲に対してヘリウムガスなどを供給するための通気経路が設けられている場合、この通気経路においてアーキング(異常放電)が発生する可能性がある。

0003

そこで、アルミニウム等の導電性プレートの開口に嵌め込まれたアルミナ等からなる誘電体チューブと、当該チューブの一端部を覆う多孔質性のアルミナ等からなる誘電体層によりガス流路を構成することが提案されている(特許文献1参照)。チューブの一端部および誘電体層の密着性の向上のため、当該チューブとしてマシナブルセラミックスからなるチューブを採用することが提案されている(特許文献2参照)。

先行技術

0004

特許第5140516号公報
特許第5449750号公報

発明が解決しようとする課題

0005

しかし、マシナブルセラミックスに含有されているナトリウム等の物質により、基板のコンタミネーション汚染)が生じる可能性がある。

0006

そこで、本発明は、アーキングの発生を防止しながらも保持対象である基板のコンタミネーションの防止を図りうる静電チャックを提供することを目的とする。

課題を解決するための手段

0007

本発明は、上端面から下方に延在する部分を有する連通孔が形成されている導電性の基体と、前記連通孔のうち前記基体の上端面から下方に延在する部分の側面に対して側面が全周にわたって密着している筒状の絶縁性のマシナブルセラミックスからなる成形体と、前記基体のおよび前記成形体のそれぞれの上端面を被覆し、前記成形体の中空部に連通する貫通孔を有するセラミックスコーティング膜からなる保護層と、を備え、前記成形体の中空部および前記保護層の貫通孔を含むように通気経路が構成されている静電チャックに関する。

0008

本発明の静電チャックは、前記成形体のうち、前記通気経路に面している部分の少なくとも一部の表面粗さRaが0.1〜1.0[μm]の範囲に含まれていることを特徴とする。

0009

本発明の静電チャックによれば、成形体の中空部およびこれに連通する保護層の貫通孔により構成される通気経路におけるアーキングの発生が、成形体によって防止または抑制されうる。成形体がマシナブルセラミックスからなるので、その上端面とセラミックスコーティング膜からなる保護層との密着性の向上が図られている。成形体において通気経路に面する部分の少なくとも一部の表面粗さRaが0.1〜1.0[μm]の範囲に含まれている。これにより、マシナブルセラミックスが含有する材料が通気経路を通じて基板の周囲に供給されることによる当該基板におけるコンタミネーションの発生が抑制されうる。

0010

前記静電チャックにおいて、前記成形体の内側面および下端面の環状の境界部分が面取り加工されていることが好ましい。前記成形体の内側面が段差部分を有し、当該段差部分が面取り加工されていることが好ましい。

0011

当該構成の静電チャックによれば、当該面取り加工がされていない場合と比較して、基板のコンタミネーションを発生させる事態がより確実に防止または抑制されうる。

0012

前記静電チャックにおいて、前記成形体が、その上端面の面積が下端面の面積よりも大きくなるように形成されていることが好ましい。

0013

当該構成の静電チャックによれば、成形体の上端面および保護層の密着性の向上が図られる。成形体において通気経路に面する部分の表面積が低減されることにより、吸着対象となる基板のコンタミネーションを発生させる事態がより確実に防止される。

0014

前記静電チャックにおいて、、前記保護層との熱膨張係数偏差が−3[ppm]〜+3[ppm]の範囲内であるマシナブルセラミックスからなることが好ましい。

0015

当該構成の静電チャックによれば、成形体および保護層の間の熱膨張の差の低減が図られるので、当該差の過大によって保護層が成形体から剥離する可能性の低減が図られるので、当該剥離に伴う基板のコンタミネーションが確実に抑制される。

0016

本発明の静電チャックの製造方法は、絶縁性のマシナブルセラミックスを筒状または柱状に成形することで成形体を作製する工程と、金属からなる基体において上端面から下方に延在する部分を有するように形成されている連通孔に対して前記成形体をその上端面が露出するように圧入し、前記連通孔のうち前記基体の上端面から下方に延在する部分の側面に対して全周にわたって前記成形体の外側面を密着させる工程と、前記基体および前記成形体のそれぞれの上端面に、溶射によりセラミックコーティング膜からなる保護層を形成する工程と、前記成形体が柱状である場合、前記成形体にその軸線方向に貫通し、前記保護層の貫通孔に連通する中空部を形成する工程と、前記保護層をその厚み方向に貫通し、前記成形体の中空部に連通する貫通孔を形成する工程と、内側面および下端面のそれぞれの少なくとも一部を、表面粗さRaが0.1〜1.0[μm]の範囲に含まれるように仕上げ加工する工程と、を含むことを特徴とする。

図面の簡単な説明

0017

本発明の第1実施形態としての静電チャックにおける通気経路の構成説明図。
本発明の第2実施形態としての静電チャックにおける通気経路の構成説明図。

実施例

0018

(構成(第1実施形態))
図1には、本発明の第1実施形態としての静電チャックのうち、当該静電チャックが有する複数の通気経路のうち一の通気経路の周辺部分のみが示されている。静電チャックは、全体的には略円板形状に形成され、複数の通気経路は当該円板と中心を同じくする同心円に沿って断続的に配置されている。静電チャックは、半導体製造装置またはフラットパネルディスプレイ製造装置などにおいて、シリコンウエハ等の基板を固定するために用いられる。静電チャックは、基体1、成形体2および保護層4を備えている。

0019

基体1は、金属(たとえば、AlもしくはTi)または金属−セラミックス複合体(たとえば、Al−SiC複合体もしくはSi−SiC複合体)などの導電性材料により形成されている。基体1には、その上端面から下端面まで下方に延在する直径2〜10[mm]程度の断面円形状の連通孔10が形成されている。連通孔10は、基体1の上端面から下方に延在する部分を有していればよく、たとえば中空構造の基体1の内部に形成された横方向に延在する中空空間から分岐する経路に連通する孔であってもよい。連通孔10の断面形状は円形のほか、楕円形矩形または三角形などの任意の形状が採用されてもよい。基体1には、連通孔10をその下部から上部にかけて徐々に拡径させる段差が設けられている。当該段差は複数あってもよいし、省略されてもよい。連通孔10がその軸線方向について断続的にではなく連続的にその径または面積が変化するような形状であってもよい。

0020

成形体2はガラス酸化物セラミックスまたは非酸化物などをマトリックスとし、雲母窒化ホウ素などをフィラーとする、マコールホトベールアルマタイトシェイパル、ホトベールII(いずれも登録商標)などの絶縁性のマシナブルセラミックスからなる。

0021

特に、成形体2および保護層4との熱膨張の差が過大になって保護層4が成形体2から剥離する可能性を低減させる観点から、保護層4に対する熱膨張係数の偏差が−3[ppm]〜+3[ppm]での範囲に含まれるようなマシナブルセラミックスにより成形体2が構成されていることが好ましい。保護層4がAl2O3、Y2O3およびZrO2のそれぞれからなる場合、その熱膨張係数は8[ppm]、7.3[ppm]および9〜10[ppm]のそれぞれである。これらの場合、成形体2は熱膨張係数9.3[ppm]のマコールまたは熱膨張係数8.5[ppm]のホトベールからなることが好ましい。

0022

成形体2は、上部が下部よりも大径である略二段円筒状であり、その上端面201の面積は、下端面202の面積よりも大きくなるように形成されている。成形体2の断面形状は、円形のほか、楕円形、矩形または三角形などであってもよい。上端面201の面積が下端面202の面積よりも大きくなるような成形体2の形状としては、たとえば、下底が上端面201を構成し、上底が下端面202を構成する略錘台状であってもよい。錘台が二段重ねされた形状であってもよい。成形体2の内側面200および下端面202の表面粗さRaが0.1〜1.0[μm]の範囲に含まれるように仕上げ加工されている。当該表面粗さRaが0.1[μm]未満になるまで成形体2の表面加工をすることは困難であり、莫大費用および時間がかかることになるため、その下限値は0.1[μm]であることが好ましい。

0023

成形体2の外側面が基体1の連通孔10の側面に対して全周にわたり、かつ、当該円筒の全長にわたり密着している。成形体2の上端面201の位置は、基体1の上端面の位置と同一であるが、当該位置が相互にずれていてもよい。成形体2は連通孔10に圧入され、その結果生じる応力で連通孔10の側面において基体1に対して密着している。接着剤を用いて、成形体2および連通孔10の側面接着させることも可能である。シリコーン接着剤などを用いることができるが、その際には保護層4との密着性も考慮して接着剤を選ぶ必要がある。

0024

成形体2には、基体1の段差に相当する位置で外径をその下部から上部にかけて徐々に拡径させる外側段差211が設けられている。成形体2には、内径(中空部20の径)を断続的に縮径させるような内側段差212が設けられている。外側段差211および内側段差212の高さ位置は同じであってもよく、外側段差211のほうが内側段差212より上に位置してもよく、内側段差212のほうが外側段差211より上に位置してもよい。外側段差211および内側段差212の少なくとも一方が複数あってもよいし、省略されてもよい。

0025

成形体2の中空部20のうち上部(細穴)の直径は、アーキング発生防止の観点から0.5[mm]以下、特に0.2[mm]以下であることが好ましい。中空部20の小径上部の直径の大小によりガス流量の多少が調節される。1つの成形体2に独立した複数の中空部が設けられることによってガス流量が調節される。中空部20の下部(太穴またはザグリ穴)の直径は2[mm]以上であることが好ましい。

0026

保護層4は、Al2O3、Y2O3もしくはZrO2またはこれらを主成分とした複合物等のセラミックスコーティング膜からなる。保護層4は、基体1の上端面および成形体2の上端面201のそれぞれを被覆する。保護層4は、溶射のほか、CVD、イオンプレーティングスパッタリング、またはエアロゾルデポジション等による乾式製膜、または、セラミックペーストを当該上端面に塗布し、乾燥後焼き付け湿式製膜の方法により形成されていてもよい。保護層4の厚みは、100〜1000[μm]であることが好ましい。保護層4には、厚み方向に貫通する、成形体2の中空部20に連通する貫通孔40が設けられている。成形体2の中空部20および保護層4の貫通孔40により静電チャックの通気経路が構成されている。

0027

(構成(第2実施形態))
図2には、本発明の第2実施形態としての静電チャックのうち、当該静電チャックが有する複数の通気経路のうち一の通気経路の周辺部分のみが示されている。本発明の第1実施形態としての静電チャック(図1参照)と共通の構成については同一符号を用いるとともに説明を省略する。第2実施形態の静電チャックは、成形体2の内側面200と下端面202との間の環状の境界部分が面取り加工(C面加工またはR面加工)されることで第1勾配部21が形成され、かつ、成形体2の内側段差212も面取り加工されることで第2勾配部22が形成されている点で第1実施形態の静電チャックと異なっている。なお、第1勾配部21および第2勾配部22のうち一方が省略されてもよい。

0028

(静電チャックの製造方法)
マシナブルセラミックスからなる外側段差211および内側段差212を有する略二段円筒状の成形体2が形成される。略円柱状のマシナブルセラミックスの上端面201の中心から軸線方向に延在する細穴と、下端面202の中心から同じく軸線方向に延在する、当該細穴より大径の太穴とが形成されることにより中空部20が形成される。成形体2の内側面200(中空部20の側面)および下端面202が、その表面粗さRaが0.1〜1.0[μm]の範囲に含まれるように電着ドリルにしたがって加工される。成形体2の上端面201の表面粗さRaが3〜6[μm]の範囲に含まれるようにブラスト加工によって仕上げられる。

0029

成形体2の内側面200(中空部20の側面)および下端面202部の加工は、通常の切削ドリル穴あけ加工される。その際、当該穴の壁面の表面面粗さRaは通常1.6[μm]程度にとどまる。そこで、さらに電着ドリルにてその表面粗さRaが0.1〜1.0[μm]の範囲に含まれるように仕上げ加工される。

0030

続いて、基体1にあらかじめ設けられている、その厚み方向に貫通する連通孔10に対して、成形体2が上側から、基体1の上端面と、成形体2の上端面201とが同一の高さになるまで圧入される。なお、成形体2の上端面が基体1の上端面より高くなるように、成形体2が連通孔10に圧入された後、成形体2の上端面および基体1の上端面の高さが同一になるように成形体2の上端部が加工されてもよい。

0031

次に、基体1の上端面および成形体2の上端面201のそれぞれにセラミックス粒子の溶射によりセラミックスコーティング膜を形成する。当該セラミックスコーティング膜の表面を所定厚さまで研削し、滑らかに仕上げ加工することで保護層4が形成される。そして、保護層4にその厚さ方向に貫通し、成形体2の中空部20に連通する貫通孔40が形成される。以上の手順により、静電チャックが作製される。

0032

なお、略二段円柱状の成形体が基体1の連通孔10に対して圧入された後、当該成形体にその軸線方向に貫通する中空部20が形成されることにより静電チャックが作製されてもよい。

0033

(実施例)
(実施例1)
本発明の第1実施形態にしたがって、実施例1の静電チャックが作製された。成形体2の材料として、マシナブルセラミックスの1つであるマコール(マトリックス:硼珪酸ガラス(SiO2:50%、Al2O3:20%、B2O3:13%、MgO:8%、R2O:9%)フィラー:ZrO2、KMg3AlSi3O10F2(フッ素金雲母))、熱膨張率:9.3ppmが採用された。成形体2は、上段外径が2.5[mm]、下段外径が2.0[mm]、上段内径が0.2[mm]、下段内径が1.0[mm]である略二段円筒状に形成された。成形体2の内側面200および下端面202のそれぞれの表面粗さRaが0.6[μm]になるように仕上げ加工された。成形体2の保護層4は、Al2O3溶射膜により作製され、その厚さが250[μm]になるように形成された。

0034

(実施例2)
成形体2の内側面200および下端面202のそれぞれの表面粗さRaが0.2[μm]になるように仕上げ加工されたほかは、実施例1と同様の条件にしたがって実施例2の静電チャックが作製された。

0035

(実施例3)
成形体2の内側面200および下端面202のそれぞれの表面粗さRaが0.3[μm]になるように仕上げ加工されたほかは、実施例1と同様の条件にしたがって実施例3の静電チャックが作製された。

0036

(実施例4)
成形体2の内側面200および下端面202のそれぞれの表面粗さRaが0.8[μm]になるように仕上げ加工されたほかは、実施例1と同様の条件にしたがって実施例4の静電チャックが作製された。

0037

(実施例5)
成形体2の内側面200および下端面202のそれぞれの表面粗さRaが0.9[μm]になるように仕上げ加工されたほかは、実施例1と同様の条件にしたがって実施例5の静電チャックが作製された。

0038

(実施例6)
成形体2の下端面202の表面粗さRaが1.6[μm]になるように穴あけ加工されたほかは、実施例3と同様の条件にしたがって実施例6の静電チャックが作製された。

0039

(実施例7)
成形体2の内側面200の表面粗さRaが1.6[μm]になるように穴あけ加工されたほかは、実施例3と同様の条件にしたがって実施例6の静電チャックが作製された。

0040

(実施例8)
本発明の第2実施形態にしたがって、成形体2の内側面200および下端面202の境界部分が全周にわたって面取り加工されることで第1勾配部21が形成され、かつ、内側段差212が全周にわたって面取り加工されることで第2勾配部22が形成されたほかは、実施例3と同様の条件にしたがって実施例8の静電チャックが作製された。

0041

(実施例9)
第2勾配部22が省略されたほかは、実施例8と同様の条件にしたがって実施例9の静電チャックが作製された。

0042

(実施例10)
第1勾配部21が省略されたほかは、実施例8と同様の条件にしたがって実施例10の静電チャックが作製された。

0043

(実施例11)
成形体2の下端面202の面積が広くなって上端面201の面積と同一になるように、成形体2の外側段差211が省略されて略円柱状に形成され、これに応じて、基体1の連通孔10における段差も省略された(細穴および太穴の別がない)ほかは、実施例1と同様の条件にしたがって実施例11の静電チャックが作製された。

0044

(実施例12)
成形体2の材料として、マシナブルセラミックスの1つであるホトベール(マトリックス:硼珪酸ガラス、フィラー:ZrO2、KMg3AlSi3O10F2(フッ素金雲母))熱膨張率8.5ppmを使用したほかは、実施例1と同様の条件にしたがって実施例12の静電チャックが作製された。

0045

(実施例13)
成形体2の材料として、ホトベールを使用したほかは、実施例3と同様の条件にしたがって実施例13の静電チャックが作製された。

0046

(実施例14)
成形体2の材料として、ホトベールを使用したほかは、実施例5と同様の条件にしたがって実施例14の静電チャックが作製された。

0047

各実施例の静電チャックにおける成形体2の材料、内側面200の表面粗さRa、下端面202の表面粗さRa、第1勾配部21の有無、第2勾配部22の有無、基板の汚染度測定結果熱サイクル試験結果が表1にまとめて示されている。

0048

成形体2の内側面200の表面粗さは、成形体2をその中心軸線を含む平面で切断して中空部20の側面を露出させたうえで、JIS B 0601−2001にしたがって測定された。表面粗さ静電チャックにより吸着保持されている基板に対して通気経路を通じてHeガスが15[min]にわたり供給された後、ICP−MS分析によって当該基板に対するNaの付着量が汚染度として測定された。熱サイクル試験は、静電チャックに対して50〜200[℃]の熱サイクルが30回繰り返された後において、保護層4における通気経路付近でのクラック発生有無観測されることにより行われた。

0049

0050

表1から次のことがわかる。実施例1〜14の静電チャックによれば、基板の汚染度が1010[atm/cm2]のオーダーであり、かつ、保護層4にクラックが発生していない。成形体2の内側面200および下端面202のそれぞれの表面粗さRaがともに0.1〜1.0[μm]の範囲に含まれている実施例1〜5および実施例8〜14の静電チャックによれば、成形体2の内側面200および下端面202のうち一方の表面粗さRaが0.1〜1.0[μm]の範囲から外れている実施例6および7の静電チャックと比較して基板の汚染度が同程度であるまたは低い。第1勾配部21および第2勾配部22のうち少なくとも一方が形成されている実施例8〜10の静電チャックによれば、第1勾配部21および第2勾配部22が形成されていない実施例1〜7および実施例11〜14の静電チャックと比較して基板の汚染度が同程度であるまたは低い。成形体2の下端面202の面積が上端面201の面積よりも小さい実施例1〜10および実施例12〜14の静電チャックによれば、成形体2の下端面202の面積が上端面201の面積と等しい実施例11の静電チャックと比較して基板の汚染度が同程度であるまたは低い。

0051

実施例12〜14によれば材質にホトベールを使用しても基材の汚染度は同等でありクラックも発生していない。

0052

(比較例)
(比較例1)
成形体2の内側面200および下端面202のそれぞれの表面粗さRaが1.6[μm]になるように穴あけ加工されたほかは、実施例1と同様の条件にしたがって比較例1の静電チャックが作製された。

0053

(比較例2)
第1勾配部21および第2勾配部22が形成されたほかは、比較例1と同様の条件にしたがって比較例2の静電チャックが作製された。

0054

(参考例1)
成形体2の上端面201の表面粗さRaが1.6[μm]に仕上げられたほかは、実施例1と同様の条件にしたがって参考例1の静電チャックが作製された。

0055

(参考例2)
成形体2の材料として、マシナブルセラミックスの1つであるホトベールII(マトリックス:窒化アルミニウムAlN、フィラー:窒化ホウ素BN、熱膨張率1.4ppmを使用したほかは、実施例1と同様の条件にしたがって参考例2の静電チャックが作製された。

0056

各比較例および各参考例の静電チャックにおける成形体2の材料、内側面200の表面粗さRa、下端面202の表面粗さRa、第1勾配部21の有無、第2勾配部22の有無、基板の汚染度の測定結果、熱サイクル試験結果が表1にまとめて示されている。

0057

0058

表2から次のことがわかる。比較例1および2の静電チャックによれば、実施例1〜14の静電チャックと比較して基板の汚染度が高く、1011[atm/cm2]よりも大きいオーダーである。参考例1の静電チャックによれば、保護層4にクラックが発生している。

0059

参考例2の静電チャックによれば熱膨張率が溶射膜からなる保護層4と比較し小さいマシナブルセラミックス(ホトベールII)により成形体2が構成されているため、保護層4にクラックが発生している。

0060

1‥基体、2‥成形体、4‥保護層、10‥連通孔、20‥成形体の中空部、40‥貫通孔。

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