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技術 アレイ状ラテラル効果位置検出ディテクタ用のシステム及び方法

出願人 ザ・ボーイング・カンパニー
発明者 ダニエルヤップランドールホワイトダニエルエス・マティック
出願日 2015年8月4日 (4年7ヶ月経過) 出願番号 2015-154153
公開日 2016年3月31日 (3年11ヶ月経過) 公開番号 2016-042082
状態 特許登録済
技術分野 測光及び光パルスの特性測定 光学的手段による測長装置
主要キーワード 電圧オフセット値 周波数応答帯域 飽和出力値 位置波形 各直交軸 閾値検出回路 オフセットパルス 光検出エリア
関連する未来課題
重要な関連分野

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図面 (17)

課題

低いノイズ及び速い応答性を維持する、アレイ状位置検出ディテクタを含むシステムを提供する。

解決手段

アレイ状位置検出ディテクタ605を含み、アレイ状位置検出ディテクタ605は、ラテラル効果位置検出ディテクタエレメント1001〜100N及び加算増幅器を含む。ラテラル効果位置検出ディテクタエレメント1001〜100Nは、スイッチ624を介して加算増幅器に送信される出力を生成する、システム及び方法。

概要

背景

到来角(AOAセンサーは、通常、物体から散乱して跳ね返ってきたレーザー照準器又はレーザー照射器からの光などの入射光を集めるアパーチャを有している。アパーチャは、照射されたスポットを4象限ディテクタ(4-quadrant detector)に投射する。照射されたスポットの大きさは、ディテクタの1つの象限よりもわずかに大きいため、少なくとも2つの象限が照射される。ディテクタの象限のそれぞれが電流を出力する。次に、4つの出力電流値を処理することによって、照射スポットの中心又は図心の位置を特定し、これによって、アパーチャ及びディテクタの共通軸に対する入射光の到来角を測定する。

概要

低いノイズ及び速い応答性を維持する、アレイ状位置検出ディテクタを含むシステムを提供する。アレイ状位置検出ディテクタ605を含み、アレイ状位置検出ディテクタ605は、ラテラル効果位置検出ディテクタエレメント1001〜100N及び加算増幅器を含む。ラテラル効果位置検出ディテクタエレメント1001〜100Nは、スイッチ624を介して加算増幅器に送信される出力を生成する、システム及び方法。

目的

システム及び方法は、アレイ状ラテラル効果位置検出ディテクタ(ALEPSD)用の電子信号合成モジュールを提供する

効果

実績

技術文献被引用数
0件
牽制数
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請求項1

アレイ状位置検出ディテクタを含むシステムであって、前記アレイ状位置検出ディテクタは、ラテラル効果位置検出ディテクタエレメント及び加算増幅器を含んでおり、前記ラテラル効果位置検出ディテクタエレメントは、スイッチを介して前記加算増幅器に送信される出力を生成する、システム。

請求項2

前記ラテラル効果位置検出ディテクタエレメントは電子回路に接続されており、前記電子回路は、前記ラテラル効果位置検出ディテクタエレメントを照射する光のスポットの位置を特定するように構成されている、請求項1に記載のシステム。

請求項3

前記ラテラル効果位置検出ディテクタエレメントは、電圧オフセット生成器に接続されており、前記電圧オフセット生成器は、前記ラテラル効果位置検出ディテクタエレメントを特定するオフセット電圧を生成するように構成されている、請求項1又は2に記載のシステム。

請求項4

前記オフセット電圧は、複数のラテラル効果位置検出ディテクタエレメントのアレイ内における前記ラテラル効果位置検出ディテクタエレメントの相対位置を示す、請求項3に記載のシステム。

請求項5

前記ラテラル効果位置検出ディテクタエレメントは、閾値検出回路に接続されており、前記閾値検出回路は、前記ラテラル効果位置検出ディテクタエレメントで生成された光電流設定閾値を超えているかどうかを判断するように構成されている、請求項1〜3のいずれかに記載のシステム。

請求項6

前記ラテラル効果位置検出ディテクタエレメント用の前記閾値検出回路の出力は、前記ラテラル効果位置検出ディテクタエレメント用の前記スイッチに接続されており、当該スイッチの状態を制御する、請求項5に記載のシステム。

請求項7

複数のより小さい領域に分割されているエリアを照射する光のスポットの位置を特定することと、前記複数のより小さい領域をラテラル効果位置検出ディテクタによって検出することと、前記ラテラル効果位置検出ディテクタに接続された1組のスイッチによって前記ラテラル効果位置検出ディテクタからの出力を選択することと、選択された出力同士を合成すること、とを含む、方法。

請求項8

記エリア上の光のスポットの照射による光電流を閾値と比較することによって制御信号を生成することをさらに含み、前記制御信号は、前記スイッチの組のうちのスイッチの状態を選択する、請求項7に記載の方法。

請求項9

前記制御信号を用いることによって、前記光のスポットによって照射された少なくとも1つのラテラル効果位置検出ディテクタの相対位置を示すオフセット値を決定することをさらに含む、請求項8に記載の方法。

請求項10

前記制御信号を用いることによって、増幅器ゲインを確立することをさらに含む、請求項8又は9のいずれかに記載の方法。

技術分野

0001

本システム及び方法は、アレイ状ラテラル効果位置検出ディテクタ(array lateral effect position sensing detector)に関する。

背景技術

0002

到来角(AOAセンサーは、通常、物体から散乱して跳ね返ってきたレーザー照準器又はレーザー照射器からの光などの入射光を集めるアパーチャを有している。アパーチャは、照射されたスポットを4象限ディテクタ(4-quadrant detector)に投射する。照射されたスポットの大きさは、ディテクタの1つの象限よりもわずかに大きいため、少なくとも2つの象限が照射される。ディテクタの象限のそれぞれが電流を出力する。次に、4つの出力電流値を処理することによって、照射スポットの中心又は図心の位置を特定し、これによって、アパーチャ及びディテクタの共通軸に対する入射光の到来角を測定する。

0003

一態様によれば、システム及び方法は、エリアを照射している光のスポットの位置を特定することを可能にする。当該エリアは、複数のより小さい領域に分割することができ、これら複数のより小さい領域のラテラル効果位置検出ディテクタによって検出することができる。ラテラル効果位置検出ディテクタに接続された一組のスイッチによって、ラテラル効果位置検出ディテクタから出力が選択される。

0004

別の態様は、アレイ状位置検出ディテクタ用のシステム及び方法を含む。アレイ状位置検出ディテクタは、ラテラル効果位置検出ディテクタエレメント及び加算増幅器を含む。ラテラル効果位置検出ディテクタエレメントは、スイッチを介して加算増幅器に送信される出力を生成する。他の多くの実施形態が可能であり、実施形態は当概要によって限定されるべきではない。

0005

他のシステム、方法、特徴、及び利点が、以下の図面及び詳細な説明を検討することによって、より明らかになるであろう。それら追加のシステム、方法、特徴、及び利点は、本記載に包含され且つ添付の特許請求の範囲によって保護されることが意図されている。

図面の簡単な説明

0006

例示的な二軸ラテラル効果位置検出ディテクタ(LEPSD)のブロック図である。
LEPSDのためのプリアンプ及び位置判定を含む例示的な電子回路回路図である。
出力がフレーム単位で与えられるLEPSDエレメントの例示的なアレイの回路図である。
複数のLEPSDエレメントからの出力が複数のアナログ‐デジタル変換器に送信されるLEPSDアレイを含む回路図である。
各LEPSDの位置特定電流が電流加算増幅器によって合成される例示的なLEPSDアレイの回路図である。
複数のアレイエレメントからの切替え出力を含む信号合成モジュールを有する、例示的なアレイ状LEPSD(ALEPSD)の回路図である。
複数のLEPSDアレイエレメントからの出力を合成するための例示的な電圧加算回路の回路図である。
LEPSD特定オフセット値がどのようにして決定されるかを示すいくつかの例示的な例である。
オフセット電圧が、LEPSDチャンネルの位置判定回路(PDC)によって生成される照射スポット位置電圧にどのように関連しているかの一例を示す図である。
オフセットパルスを決定するための例示的な回路の回路図である
オフセットがオフセット電圧として与えられる、例示的なLEPSDエレメントの回路図である。
オフセットパルスを測定するための例示的な回路の回路図である。
光のスポットが複数の隣接するLEPSDエレメントにまたがる場合のいくつかの例示的なケースを示す図である。
関連付けられたLEPSDチャンネル用の制御信号の値に従って調整される可変ゲインコントロールを備えた電圧加算増幅器を含む例示的な回路図である。
隣接する複数のサブセットが、重なったLEPSDエレメントをいくつか有する場合の例を示す図である。
複数段の加算増幅器をカスケード接続するための例示的な回路の回路図である。

実施例

0007

以下の詳細な説明に関連して添付の図面を参照するが、これらの図面において、同じ要素は異なる図面においても同様の数字で示している。

0008

システム及び方法は、アレイ状ラテラル効果位置検出ディテクタ(ALEPSD)用の電子信号合成モジュールを提供する。当該システム及び方法によれば、複数のより小さい面積のラテラル効果位置検出ディテクタ(LEPSD)エレメントのアレイによって、より大きい面積のLEPSDの位置判定能力を実現することができ、到来角センサーによって達成される広い視野角は、大きな検出エリアを包含することができる。当該システム及び方法は、より小さい面積のLEPSDエレメントによる高速で大きな周波数帯域応答性を確保することもできる。当該システム及び方法は、電子回路を含んでおり、当該電子回路は、アレイの複数のLEPSDエレメントからの位置特定出力波形‐2つの直交軸のそれぞれに対して1つの出力が与えられている‐を合成することによって、2つの新たな出力波形を生成するものであり、これらの出力波形は、大面積アレイの一部を照射している1つ又は複数の光のスポットの2つの直交軸のそれぞれに沿う位置を表すものである。入射光によって照射されたこれらのLEPSDエレメントからのスポット位置信号は、一組のスイッチを介して合成(combiner)回路又は合成モジュールに送信される。アレイの各LEPSDエレメントに対して、スイッチのセットが設けられている。

0009

図1は、例示的な二軸ラテラル効果位置検出ディテクタ(LEPSD)100のブロック図である。LEPSD100は、集束された、又は略集束された光の小さなスポットの位置を検出することができる。LEPSDでは、光のスポットの最大許容偏位、ひいては到来角センサーによって検出される最大の角度偏差は、光検出エリアのサイズによって制限される。LEPSD100は、当該装置の光検出エリアの中心を起点とするx軸及びy軸に沿う、光の入射スポットの位置を特定することができる。一例において、LEPSD100は、正方形の装置の四辺に位置する4つの電極を有する。1組の2つの電極は、装置の上面近くに位置しており、もう一組の2つの電極は装置の下面近くに位置している。これらの2組は、互いに直交するように配置されている。一方の組の電極を用いて、光のスポットのx位置を測定し、他方の組の電極を用いてy位置を測定することができる。

0010

二軸LEPSD100は、2つのラテラル抵抗層(laterally resistive layers)の間に位置する、吸光及び光電流生成層を有する。1組の2つの電極に対する光の入射スポットの相対位置によって、これら2つの電極から出力される2つの電力の相対量が決まる。基本的に、光電流抵抗分割器(resistive divider)を通って流れるが、当該抵抗分割器の抵抗値は、一組の2つの電極に対する照射スポットの位置に依存する。照射スポットが装置の中心に位置する場合、これらの電極からの2つの電流出力値は等しい。これら2つの電流を減算した結果はゼロとなる。照射スポットが1つの電極の非常に近くに位置する場合、当該電極からの電流出力値は、反対側の電極からの電流出力値よりはるかに大きい。

0011

例えば、y軸に沿って配置された2つの電極を考えると、光のスポットが正のy値に位置する電極(すなわち電極Y2)の近くであった場合、電流IY2は、電流IY1よりはるかに大きくなる。その差は(IY2−IY1)は、正の値となる。y位置の測定値が光の実際の強度及び全体の光電流の影響を受けないようにするため、この電流差を2つの電流値の和で割る(例えば、(IY2−IY1)/(IY2+IY1)。同様に、x位置の測定値は、X1電極及びX2電極の2つの出力電流から得られる。x位置は、アナログ演算(IX2−IX1)/(IX2+IX1)によって特定される。シリコンディテクタ材料によって製造された二軸LEPSD100並びにその信号処理回路は、例えば、Thorlabs,OSIOptoelectronics, Pacific Silicon Sensor, Inc., and On-Trak Photonics, Inc.などの様々な商業的サプライヤーから入手可能である。

0012

図2は、LEPSD100のためのプリアンプ及び位置判定手段を含む例示的な電子回路の回路図である。回路200は、電子トランスインピーダンスプリアンプ回路210、アナログ差分回路220、加算回路(electronic transimpedance preamplifier circuits)230、及び、除算回路240が接続されたLEPSD100を含んでおり、例えばOSIOptoelectronicsによって製造されたものと同様である。これらのアナログ差分、加算、除算回路は、LEPSD100の位置判定回路(PDC)を構成している。単一のLEPSDによって、当該LEPSDの面積の一部を照射する光のスポットの位置特定、ひいては入射光の到来角の測定を高分解能で行うことができるが、その到来角センサーの全体視野は、単一のLEPSD100の比較的小さい面積によって制限される。LEPSD100の面積を大きくすると、その静電容量が増加し、従って、周波数応答性が低下し、ノイズが増加する。

0013

図3は、出力がフレーム単位で(frame-by-frame basis)で与えられるLEPSDエレメントの例示的なアレイの回路図300である。全体の光検出面積を大きくする1つの方法は、LEPSDエレメントのアレイを用いることである。二次元アレイにおいて、各LEPSD100は、四辺形の装置であり、1つのラテラル電流導電層と、吸収層と同じ側に位置し且つラテラル電流導電層に接続されている4つの接点とを有する。複数のLEPSDエレメントからのアナログ出力は、一組の共有出力ラインを用いるものの、撮像素子アレイからの出力と同様に時間多重(time-multiplexed)方式で供給される。LEPSDエレメントのための連続時間出力信号(continuous-time output signals)を供給するのではなく、このような複数のアレイエレメントの時間多重出力は、時間サンプリングでフレーム単位で供給される。その結果、各LEPSDエレメント及びそのプリアンプ回路210の応答帯域幅は大きくできるが、この従来のアレイのリアルタイム出力レートは、LEPSD出力電流のフレーム単位サンプリングに限定される可能性がある。従って、このアレイは、フレーム単位の多重読み出し最大レートが約100kHzであるため、入射光のうちかなり広いパルスのみの一時的形状(temporal shape)に関する情報しか与えることができない。図3の手法においては、複数のLEPSDチャンネルからの出力は、サンプリング及び保持され、次に、合計するのではなく時間多重されてから、アナログ‐デジタル変換器に供給される。

0014

図4は、複数のLEPSDエレメントからの出力が、複数のアナログ‐デジタル変換器(ADC)410に送信されるLEPSDアレイを含む回路図400である。このデュオ・ラテラル(duo-lateral)PSDエレメント又は二軸LEPSDエレメントのアレイでは、異なる各LEPSDエレメントからの照射スポット位置信号は、異なるADC410に供給される。次いで、これらのADC410からのデジタル信号は、プロセッサ420にて一緒に処理される。このLEPSDアレイでは、短いパルス又は間隔の狭いパルスを検知及び識別するのに適した大きな応答帯域幅を実現するためには、各ADC410のサンプリング・レートが十分に高くなければならないという制限がある。また、アレイ内に多くのエレメントを設けてアレイが大きなFOVを達成するようにしようとすると、個々のLEPSDエレメントが独自のADC410を有するため多くの個別のADC回路が必要となり、これらの多くのADCのコスト及び電力消費も伴う。

0015

図5は、例示的なLEPSDアレイ560の回路図であり、この例では、各LEPSDエレメント562(例えば、本明細書に記載したLEPSD100)の位置特定電流が、電流加算増幅器によって合成される。背景技術の一例は、本願の譲受人に譲渡された、2013年12月21出願の米国特許出願第14/138,037号「OPTICAL ANGLE OF ARRIVAL SENSORS AND METHODS FOR DETERMINING AN ANGLE OF ARRIVAL OF INCIDENTLIGHT」に記載されており、その開示内容は参照により本明細書に取り込むものである。位置判定回路540において、アレイ560のLEPSDエレメント562は、4つのトランスインピーダンスアンプ(TIA)回路542に接続されており、4つの接点594、596が、互いに異なるTIA回路542に接続されている。各TIA回路542の出力は、ノイズを帯域制限するフィルター544に接続されている。一態様において、各アレイエレメント562に1つの信号チャンネルが関連付けられた状態で、複数の信号チャンネルからの出力が合成される。各信号チャンネルは、2つの出力を有する。一方の出力は、関連するLEPSDエレメント452の照射スポットのx軸に沿った変位を示し、他方の出力は、その照射スポットのy軸に沿った変位を示す。これらの出力は、本明細書で説明したように、差分増幅器及び加算増幅器を用いて生成することができる。アレイ560及び対応するインターフェイスエレクトロニクスの各LEPSDチャンネルからの2つの出力信号は、LEPSDエレメント562の中心からの照射スポットのX変位及びY変位を示すものであり、これらの信号が一対の回路546に送信され、これらの回路が各出力信号に所定のオフセット電流注入する。このオフセット電流は、アレイ全体560内における、そのチャンネルのLEPSDエレメント562の相対位置を示すものである。

0016

各LEPSDエレメント562用の位置判定インターフェイス回路540は、エレメント562で生成された光電流の総計閾値(例えば所定値)を超えるかどうかを判定する閾値検出回路(図示せず)をさらに有する。閾値検出回路を用いることによって、LEPSDエレメント562又は対応するTIA回路542のノイズに起因する入力パルスの誤検出を防ぐことができる。アレイ560の各LEPSDエレメント562に対して1つの回路が対応する複数の位置判定インターフェイス回路540からの出力電流又は電圧は、一対の電子加算増幅器552を含む電子信号合成回路550によって合算される。ここで、一方の加算増幅器552aは、X変位に関連付けられており、他方の加算増幅器552bはY変位に関連付けられている。

0017

従って、アレイ560の各LEPSDエレメント562は、4つの電気出力を有し、これらが位置判定回路に送信され、当該回路が1組の2つの電流を生成する。これらの電流値はアレイ内のそのLEPSDエレメントを照射する光のスポットの2つの直交軸に沿う位置を示すものであり、ここで、当該エレメントの中心の位置は、両方の軸について0の値で表される。対応する電子回路546は、アレイ内のそのエレメント固有の位置を示す追加の量の電流、例えばオフセット電流、を注入する。あるLEPSDエレメントの位置にためのオフセット電流は、そのLEPSDエレメントを十分に高強度の光が照射している際に供給される。複数のLEPSDエレメントの位置判定回路からの出力は、そのLEPSDエレメントの照射スポット位置信号の有無にかかわらず、同じ電流加算増幅器552aの入力に接続したままにすることができる。複数のLEPSDエレメントからのスポット位置出力とオフセット電流とを合成して合成波形を生成することによって、1つのADCを、アレイの複数のLEPSDエレメント又はスポット位置チャンネルによって共有することができる。複数の合成チャンネルからの出力ノイズ電力は、電流加算増幅器の入力で合算される。そのチャンネルがスポット位置信号電流を有するかどうかにかかわらず、すべてのチャンネルが電流加算増幅器に接続されているため、高いノイズが発生する可能性がある。

0018

図6は、複数のアレイエレメントからの切替え出力を含む信号合成モジュールを有する、例示的なアレイ状LEPSD(ALEPSD)600の回路図である。AELPSD600は、複数のLEPSDエレメント1001〜100Nのアレイ605、各LEPSDエレメント100に関連付け及び接続された一組のプリアンプ及び位置判定回路610、及び、複数のアレイエレメントのサブセットのための信号合成モジュール620を含む。信号合成モジュールは、出力波形630を生成し、当該出力波形は、入射光のパルス又はフラッシュの一時的発生と、AELPSD600に投射された入射光スポットの空間的位置の両方を示すものである。例えば、1つのパルスレーザー源からの光は、2つの異なる物体によって反射されて光センサーのアパーチャに入射し、一方の物体が、より広角度で反射されたパルスを有する。また、この例示的な場合において、異なるパルス繰り返し率を有する第2のパルスレーザー源からの光が、さらに別の物体によって反射されて光センサーのアパーチャに入射する。従って、光センサーによって集光される光のパルスには、パルス662(パルスA)、664(パルスB)、666(パルスC)に相当する3つの異なる入射角が存在する。光センサーは十分に速い(且つ帯域幅の大きい)応答性を有するため、光センサーのアナログ出力(波形667及び668(x変位及びy変位波形を示す)として示す)は、パルスの幅を示すことができ、且つ、2つのパルスが時間的に重なる状況も示すことができる。波形667及び668(図6のアレイ605のLEPSDエレメント1001〜100Nに投射された光のパルスの検知の結果得られる)は、フレーム単位で供給される出力ではなく、連続波形である。例えば、信号波形667及び668の振幅を用いることによって、図6のアレイ605内のLEPSDエレメント1001〜100N上の光スポットの位置を特定することができる。

0019

図6において、アレイ605の各LEPSDエレメントは、4つの出力接点を有しており、これらの接点は4つのTIA回路612に接続されている。各TIA回路612の出力は、例えば、本願の譲受人に譲渡された特許出願’037号に記載されているように、ノイズを帯域制限するフィルターに接続することができる。4つのTIA回路612の出力は、位置判定回路(PDC)614に送信され、当該位置判定回路が、アナログの減算、加算、除算処理を行うことによって、LEPSDエレメントの中心に対する入射光スポットの位置の変位を計算する。2つのアナログ出力信号が、各LEPSDエレメントに関連付けられており、PDC614内の除算回路によって与えられる。2つの出力信号は、PSDアレイ用に規定された2つの直交軸に対するスポット位置信号であると考えることができ、これらはアレイの同じLEPSDチャンネルに関連付けられている。一方の出力信号は、関連するLEPSDのスポット位置のx軸に沿う変位を示す。他方の出力信号は、スポット位置のy軸に沿う変位を示す。これら2つの出力信号、すなわち、照射スポット信号が、信号合成モジュール(SCM)620に供給される。これらのスポット位置信号に加えて、LEPSDチャンネルは、さらに、そのチャンネルのPDC内の加算回路の出力をSCM620に供給する。従って、SCM620は、リアルタイム出力波形630を供給することができ、その光がいつ起こったか、及び、光の位置をリアルタイムで示すことができる。これは、フレーム単位の読み出しでは示すことができないものである。

0020

SCM620は、アレイの複数のLEPSDチャンネルに接続されている。各LEPSDチャンネルに関して、SCM620は、PDC614の加算回路の出力をコンパレーター622に送信し、当該コンパレーターは、PDC614の加算回路の出力が設定閾値を超えている場合は、出力論理値1を生成し、他の場合には論理値0を生成する。このデジタル制御信号を用いることによって、そのLEPSDチャンネルの2つのスポット位置信号を送信するために接続される一対のスイッチ624を制御する。制御信号が1の値を有することによって、対応するLEPSDエレメントを光のパルスが照射していることを示す場合にだけ、スイッチ624が閉じ、2つのスポット位置信号を通過させる。コンパレーター622は、LEPSDエレメントで生成された光電流の総量が、例えば0〜3ボルトの回路の場合には0.5ボルトといった、所定の閾値を超えているかどうかを判定する閾値検出回路として機能する。SCM620を用いることによって、LEPSD又はそのTIA回路612のノイズに起因する入力光パルスの誤検出を防ぐことができる。また、SCM620を用いて、ゆっくり変化するバックグラウンド光補償することができ、LEPSDに照射された短いパルス又はフラッシュのみを判断することができる。図6では、各LEPSDに対して一対のコンパレーター622を示しているが、各チャンネルに対して1つのコンパレーター622のみを設け、当該コンパレーターがそのチャンネルの両方のスイッチ624を制御する構成としても十分である。

0021

従って、各LEPSDエレメントは、2組として配置された4つの出力電流を有しており(他の数の出力電流を用いることもできる)、各組は、LEPSDエレメントの両端に位置する電極から出力された一対の出力電流を含んでいる。これら2つの出力電流は、TIA増幅器612を介して電圧信号に変換される。そのLEPSDエレメント用のPDC614において、1対の2つのTIA増幅器612からの出力が加算増幅器において合算されることによって、LEPSDエレメントを照射している光のスポットの強度に対応する正味の加算された信号が得られる。この正味の加算信号を用いることによって、そのLEPSDエレメントに関連するスイッチ624を制御し、正味の加算信号が設定閾値より大きい場合のみ、スイッチ624がPDC614の出力を合成回路又は合成モジュールに接続するようにする。いくつかの実施態様において、正味の加算信号は、例えば図8において説明するようなオフセット値を、PDC出力値に加算するかどうか、及び、いつ加算するかも、制御する。

0022

アレイLEPSD(ALEPSD)は、光検出及び光スポット位置判定のための大きな全体面積を有しており、これによって、このアレイディテクタを含む到来角センサーは、大きな視野角(FOV)を有することができる。ALEPSDは、それぞれが比較的小さい面積を有する複数のLEPSDエレメントによって構成されているため、当該到来角センサーは、応答が早くノイズが少ない。高速且つ広い周波数帯域幅の応答によって、当該センサーは、入射光のパルスのその時々の幅を識別し、且つ、時間的に接近している2つのパルスを区別することができる。ノイズ応答性が低いため、当該センサーは、入射光のより弱いパルスを検出することができる。SCM620は、LEPSDアレイのより大きな全体面積又は当該アレイのサブセットを照射する光の1つのスポット(又は光の複数のスポット)の(2つの直交軸に沿う)位置を示す一対の出力を生成する。このように、LEPSDエレメントは小さな面積を有し且つそのPDC614のノイズは低いが、SCM620によって、ALEPSDは、これよりもずっと大きな面積を有しつつ1つのLEPSDエレメントに付随する低いノイズ及び速い応答性を維持することができる。

0023

SCM620は、アレイの複数のLEPSDエレメントからの信号を合成するための、スイッチ切り替えの無い電流加算手法よりも、ノイズを少なくすることができる。これによって、より多くのアレイエレメントを組み合わせ、位置検出のためのより大きい有効面積を実現することができる。また、より多くのアレイエレメントのサブセットが、同じアナログ−デジタル変換器に送信する前に出力を合成することができるので、大きなFOVセンサーに必要なアナログ‐デジタル変換器の数を少なくすることができる。

0024

アレイLEPSDによって大きなFOVを実現することができるため、到来角センサーを、嵩高な機械式ジンバル(mechanical gimbal)に搭載しその後ジンバルによってセンサーを所望の方向に向けるといった必要はなく、ビークル(vehicle)内の本体固定構造(body-fixed configuration)に搭載することができる。このセンサーは、操縦可能な発射体ガイドするために使用することができ、典型的には当該発射体のノーズ又は先端に配置される。当該センサーは、より小さい直径とすることができ、発射体の位置に対する入射角を測定すべきレーザー光捕捉するアパーチャのために、発射体のノーズにおける利用可能な面積を、より効率的に利用することができる。到来角センサーのための従来のアプローチは、典型的には、シリコン製4象限ディテクタを使用する。各象限の大きさは大きく(>>1ミリサイズ)、このようにサイズが大きいことによってセンサーの応答速度(又は周波数帯域幅)が制限され、ノイズが増える。また、より小さい面積の4象限ディテクタは、FOVが小さい。センサーは、多くの発射体のった先端形状内(先端の直径は1インチ未満でありえる)、及び、他の発射体のより直径の小さい(<直径4インチ)形状内に嵌め込むことができる。また、シリコンディテクタを有するセンサーとは異なり、アレイLEPSDセンサーは、直接遷移型材料(direct-bandgap material)によって作られたディテクタによって作製することができ、当該材料は、将来のレーザー照準器によって出射される目に安全な波長(>1.4ミクロン)の光、ならびに、最新のレーザー照準器によって出射される1.06ミクロンの波長を検出するものである。アレイLEPSD及びSCM620によって小さい直径及び小型のサイズを実現できるため、多くの誘導型軍用品に適したものにすることができる。

0025

図7は、複数のLEPSDアレイエレメントからの出力を合成するための例示的な電圧加算回路700の回路図である。いくつかの実施形態において、LEPSDチャンネルのPDC614内のアナログ除算回路の出力は、電圧波形である。この電圧波形は、そのLEPSDチャンネルのデジタル制御信号が論理値1を有する場合、SCM620内の加算増幅器710に送信される。それ以外の場合は、そのLEPSDチャンネルは、加算増幅器710には接続されず、そのチャンネルからのノイズが加算増幅器のノイズに加えられることはない。このようにして、図7に示すように、複数のLEPSDチャンネルを、加算増幅器710に接続したり非接続にしたりすることができる。いくつかの実施形態においては、アレイのLEPSDエレメントのすべてのチャンネルを同じ加算増幅器710に接続する。他の実施形態においては、アレイの1つのサブセットのLEPSDエレメントに対する複数のチャンネルを、同じ加算増幅器710に接続し、SCM620内に複数の加算増幅器710を設けることができる。組み合わされたLEPSDエレメントの各サブセットに対して、X変位に関連付けられた加算増幅器710と、Y変位に関連付けられた別の加算増幅器710とを設けることもできる。これらの加算増幅器710、及び、いくつかの実施形態においては信号処理モジュールが、LEPSDアレイのサブセットに対して一対の出力を生成し、当該出力は、当該サブセットのLEPSDエレメントを含む1つの大面積LEPSDからの出力と同様のものである。

0026

同じ加算増幅器710に接続することができるLEPSDチャンネルの数を制約するものの1つは、要求される周波数応答帯域幅である。電圧加算増幅器710の入力に接続されたスイッチ624のそれぞれは、付随するキャパシタンスを有しており、複数のスイッチ624のキャパシタンスは並列に組み合わさっている。加算増幅器710に対する複数の入力の合成抵抗は十分に小さいため、加算増幅器710のRC周波数応答性(RC-limited frequency response)を、センサーの必要な周波数応答帯域幅よりも大きくすることができる。さらに、オペアンプの入力で仮想接地に接続されているフィードバック抵抗720は、加算増幅器710の電流駆動能力に対応できるほど十分に大きいが、一方で、加算増幅器710の電圧出力能力に対応できるほど十分に小さい。

0027

入射光がパルスである場合、SCM620によって生成される出力波形のX変位又はY変位は、パルスを有しており、このパルスの振幅(正又は負でありうる)は、光のパルスの到来角を示すものであり、この光は、センサーのアパーチャによって集められ、次にセンサーのレンズによって、LEPSDアレイを照射するスポットとして集束及び投射されたものである。いくつかの実施形態において、SCM620の出力は、図6右部分に示したように、時間変化波形である。この出力波形は、照射スポット位置波形と一組のオフセットパルスとの組み合わせから構成される。これらのオフセットパルスの振幅は、スポット位置波形を供給している特定のLEPSDエレメントのアレイ内における相対位置を示すものである。

0028

異なる方向からアパーチャに入射した複数の光のパルスが存在する場合、SCM620のX変位及びY変位波形は、入射光のパルスの異なる角度方向に応じて、振幅が異なるパルスを含む可能性がある。図6に示した波形は、1つのパルスレーザー源からの光が2つの異なる物体(A及びB)によって反射されて到来角センサーのアパーチャに入射し、一方の物体(B)がより広い反射パルスを有し、(別のパルス繰り返し率を有する)第2のパルスレーザー源からの光が、さらに別の物体(C)によって反射されて到来角センサーのアパーチャに入射する例示的なケースを示している。到来角センサーによって集められる光のパルスの3つの異なる入射角と、ALEPSDに投射される光の3つの異なるスポットとが存在する。センサーは十分に速い(且つ帯域幅の大きい)応答性を有するため、SCM620の2つの出力波形は、パルスの幅及び発生時刻を示し、且つ、2つのパルスが時間的に重なる状況も示すことが可能である。

0029

図8は、LEPSD特定オフセット値がどのようにして決定されるかを示すいくつかの例示的な例である。各LEPSDエレメントについて、そのエレメントのPDC614からの出力は、−GPSDと+GPSDとの間で変化しうる値を有する。1つの軸に沿った、その位置特定値の総変化量は、2・GPSDである。1行に(in a side)N個のエレメントからなるアレイサブセットの場合、Nが奇数とすると、当該アレイサブセットの中心にあるエレメントのオフセット値はゼロである。当該サブセットの左端のエレメントのオフセット値は、−GPSD(N−1)である。左端の次にあるエレメントのオフセット値は、−GPSD(N−3)、などとなる。当該サブセットの右端のエレメントのオフセット値は、+GPSD(N−1)である。右端の次にあるエレメントのオフセット値は、+GPSD(N−3)、などとなる。

0030

図9は、オフセット電圧が、LEPSDチャンネルのPDC614によって生成される照射スポット位置電圧にどのように関連するかの一例を示している。スポット位置電圧は、±ΔVの変化量を有しており、このサブセットの中央のエレメントのすぐ右隣のLEPSDエレメントの中心は、+2ΔVの電圧だけオフセットするようになっている。このLEPSDについて、スポット位置の値は、Δボルトと3ΔVの間の範囲となる。同様に、このサブセットの中央のエレメントのすぐ左隣のLEPSDエレメントの中心は、−2ΔVの電圧だけオフセットするようになっている。従って、このLEPSDについて、スポット位置の値は、−3Δボルトと−ΔVの間の範囲となる。

0031

これらの電圧オフセット値と組み合わせることができるLEPSDエレメント100の最大数は、加算増幅器の電圧供給限界値によって制限される。一例として、光の入射スポットからの光電流、及び、1つのLEPSDエレメントからのノイズは、そのLEPSDエレメントの幅内で、光のスポットの7個の別個の位置を特定することができるレベルを有する。60mVppの出力ノイズ電圧に関して、LEPSDエレメントの位置特定信号のノイズ制限変化量は、±420mVである。従って、電圧オフセット増分は、840mVである。5×5個のアレイエレメントのサブセットの電圧加算増幅器は、少なくとも±2.1ボルトの供給電圧を必要とする。また、±5Vの電源によって駆動される電圧加算増幅器は、アレイの11×11個のエレメントのサブセットまで、サポートすることができる。この計算は、光の1つのスポットのみが、任意の時間に、サブセットを照射すること仮定してなされている。

0032

図10は、オフセットパルスを決定するための例示的な回路1000の回路図である。位置特定すべき光のスポットによって照射されたLEPSDエレメントを特定するオフセットパルスを決定及び供給する方法は、いくつかある。一実施形態において、オフセットの値は、デジタル符号化論理回路1010によって決定される。デジタル符号化論理回路1010は、その入力として、アレイサブセット1020の複数のLEPSDチャンネルからのデジタル制御信号、例えばデジタル化コンパレーター622の出力値、を受信する。デジタル符号化論理回路1010は、次に、デジタル制御信号が論理値1を有するLEPSDチャンネルの2つの直交軸に沿う位置を示す1対の2進数を生成する。

0033

図10において、LEPSDチャンネルのそのサブセットのための電圧合成又は加算出力は、アナログ‐デジタル変換器(ADC)に接続されており、1つのADC1030がX変位出力用であり、別のADC1040がY変位出力用である。電圧合成出力は、図7に示したような電圧加算増幅器によって生成することができる。図10において、LEPSDチャンネルの各サブセットは、2つのADCの固有の1組と、そのサブセットのチャンネルによって検知される光のパルスのオフセット値を測定するための固有のデジタル符号化論理回路とを有している。次に、スポット位置プロセッサ1050が、各サブセットのADC出力とデジタル符号化論理回路1010の出力とを合成することによって、所望のデジタル波形を生成し、この波形のパルス振幅は、そのサブセットのLEPSSDエレメントを照射している光のスポットの位置を表すものである。LEPSDエレメントの複数のサブセットを、複数の光のスポットによって同時に照射することができる。このスポット位置プロセッサは、ALEPSSDを照射しうるこれらの光の複数の同時スポットの位置を与えることができる。

0034

図11は、N個のエレメントを有するアレイ605、又は、アレイ605のN個のエレメントからなるサブセットにおける、2つの例示的なLEPSDエレメント1001及び100Nを明瞭に示す回路図である。各LEPSDエレメント(例えば1001)は、アレイ又はアレイサブセット内における特定のLEPSDエレメント(例えば1001)の相対位置を示すオフセット電圧(例えばOY1,OX1)を与える一対のLEPSDエレメント特定オフセット生成器1100を有する。LEPSDエレメント特定オフセットは、電圧レベルOY1,OX1として与えることができ、これらがそのLEPSDチャンネルのPDC614によって生成されたスポット位置特定パルスに加えられ、SCM620内のスイッチ624を介して電圧加算増幅器1110に送信される。LEPSDエレメント1001のY方向におけるエレメント特定オフセットOY1は、PDC614からのY変位出力波形に加えられ、同じLEPSDエレメントのX方向におけるエレメント特定オフセットOX1は、PDC614からのX変位出力波形に加えられる。増幅段1110は、PDC614から生成された対応するパルス波形に、連続するオフセット電圧OY1又はOX1を加える。その波形内の位置特定パルスは、そのLEPSDチャンネル(例えば、LEPSDエレメント1001用のチャンネル)の制御信号が論理値1を有する場合にのみ、スイッチ624を介して送信される。LEPSDチャンネル用のスイッチ624は、そのLEPSDチャンネルのX変位及びY変位出力波形がパルスを有する場合にのみ閉じるため、結果としてスイッチ624から出力される波形は、追加の電圧値(例えばOY1,OX1)が加えられたパルスである。異なるLEPSDエレメント1001〜100NのSCM620の回路からのオフセット加算出力波形は、増幅器1120によって合成することができる。

0035

図12は、それぞれがN個のLEPSDチャンネルを含むM個のサブセット1210を含むアレイにおいてオフセットパルスを決定するための例示的な回路1200の回路図である。このサブセットアレイ1210の電圧加算増幅器(例えば、図7における加算回路700)の出力は、そのサブセット1210のX変位出力用のADC1220及びそのサブセット1210のY変位出力用のADC1230に送信することができ、これらの出力は、例えば、1つの波形が各直交軸に沿う変位を表す2つのスポット位置波形である。このサブセットにおける様々なLEPSDチャンネル用のデジタル制御信号を、論理OR回路1240によって合成することによって、そのサブセットの正味のインジケーターフラグ(indicator flag)を生成する。このインジケーターフラグは、光のスポットがそのアレイサブセットのいずれかのLEPSDエレメントに入射した場合に、論理値1を有する。アレイの各サブセットのADC出力及インジケーターフラグは、デジタル符号化論理回路1260の出力とともに、スポット位置プロセッサ1250に送られる。スポット位置プロセッサ1250は、ALEPSDを照射する複数の光のスポットの位置を特定することができ、任意のアレイサブセットにおいて一度に1つのスポットが特定可能である。

0036

光の2つのスポットが同じアレイサブセットを照射した場合、電圧加算増幅器は、いずれの照射スポットの位置にも対応しない加算出力値を生成する。加算出力電圧は、増幅器の飽和出力値に到達する可能性がある。場合によっては、アレイサブセットを、そのアレイサブセットのサイズを有する1つの大きなLEPSDのように動作させることが望ましい。そのように大きなLEPSDが2つのスポットによって同時に照射されると、その結果得られる出力は、これら2つのスポットの中間の位置を示す。これは、LEPSDの電気的接点に到達する両方の照射スポットからの光電流に起因して起こる。複数の光の同時スポットが1つのアレイサブセットの異なるLEPSDエレメントを照射する場合にこの中間又は中央位置を実現するための1つの手法を、図13及び図14に示す。

0037

図13は、光のスポットが複数の隣接するLEPSDエレメント1300にまたがる場合のいくつかの例示的なケースを示している。ケース1(1310)では、同じサブセットの2つの隣接するLEPSDエレメントにスポットがまたがっている。SCM620の2つのデジタル制御信号は、論理値1を有する。電圧加算増幅器は、1つのLEPSDエレメントの左端にスポットが位置していることを示す位置特定電圧(オフセットを含む)、及び、隣接するLEPSDエレメントの右端にスポットが位置していることを示す位置特定電圧(オフセットを含む)を加算する。スポット位置プロセッサ1250に、これら2つのスポットの照射スポット位置電圧を合計し、次に当該合計電圧を2で割る処理を行わせることによって、SCM620からの出力信号は、所望のように、これら2つのLEPSDエレメントの接合部分にスポットが位置していることを示す。

0038

ケース2(1320)では、サブセットの4つの隣接するLEPSDエレメントにスポットがまたがっている。この場合、SCM620の4つのデジタル制御信号は、制御値1を有する。さらに、4つのLEPSDチャンネルが、電圧出力(オフセットを含む)を生成し、これらがスイッチを介して電圧加算増幅器に送信される。電圧加算増幅器において、これらの電圧出力の合計を4で割る。その結果、この場合も、所望のように、SCM620からの出力信号は、これら4つのLEPSDエレメントの接合部分にスポットが位置していることを示す。

0039

ケース1(1310)及びケース2(1320)のいずれの場合においても、スポットは同じアレイサブセット内に位置している。しかし、ケース3(1330)の場合、スポットは、それぞれが異なるアレイサブセットの一部である2つのLEPSDエレメントにまたがっている。この場合、これら2つのLEPSDのチャンネルは、異なる加算増幅器に連結されている。従って、この場合、アレイ全体のスポット位置プロセッサが関係し、1つのスポットを、隣接する2つのスポットであると判定する。ALEPSDを用いてビークル又は受信機を操縦又は配向する場合などの多くの場合、このような誤った判定は不利益とはならない。

0040

図14は、電圧加算増幅器を含む例示的な回路図1400であり、当該増幅器は、当該増幅器に関連付けられたLEPSDチャンネル用の制御信号の値に従って調整される可変ゲインコントロール1410を含むものである。いくつかの実施形態において、SCM620の加算増幅器1120は、可変ゲインを有する。加算増幅器1120のゲインは、当該加算増幅器1120に関連付けられたLEPSDチャンネル1001〜100N(例えばアレイサブセット)用の様々なデジタル制御信号D1〜DNの値によって制御される。これらのデジタル制御信号のうちの1つだけが論理値1を有する場合、加算増幅器1120は最大のゲインを有し、これはそのフィードバック抵抗の値によって決まるものである。これらのデジタル制御信号のうちの2つが論理値1を有する場合、ゲインは、最大値の2分の1まで低減される。これらのデジタル制御信号のうちの3つが論理値1を有する場合、ゲインは、最大値の3分の1まで低減される。これらのデジタル制御信号のうちの4つが論理値1を有する場合、ゲインは、最大値の4分の1まで低減される。複数のLEPSDエレメントを照射する光の別個のスポットが複数ある場合、又は、光の1つのスポットが隣接する複数のLEPSDエレメントに重なる場合、複数のLEPSDチャンネルが、対応するLEPSDエレメントが光電流を生成したことを示すことができる。

0041

図15は、隣接する複数のサブセットが、重なるLEPSDエレメント1510をいくつか有する場合の例を示している。2つの隣接するLEPSDエレメントにまたがる1つの照射スポットは、これらのアレイエレメントが異なるサブセット間に分かれていても、1つのスポットであると判定することができる。このような重なる配置において、1つのサブセットの端の行(又は列)と、隣接するサブセットの端の行(又は列)は、同じLEPSDエレメント行(又は列)を含む。このような配列では、ある特定のLEPSDチャンネルを、2つ以上の加算増幅器に接続してもよい。

0042

図16は、複数段の加算増幅器をカスケード接続するための例示的な回路1600の回路図である。第1の加算段1620は、1つのLEPSDチャンネルのスポット位置信号を、DCオフセットレベルを切り替えることによって形成された、そのチャンネルのオフセット信号パルスと合成する。第2の加算段1640は、アレイサブセットの複数のチャンネルの適宜オフセットされたスポット位置波形を合成するための増幅器1120を有する。第3の加算段1660は、前で合成された複数のサブセットの出力を合成する。デジタル制御信号(例えば、D00〜D0N)に従ってスイッチ624によって切り替えられた様々な加算段に対する入力も、受動的減衰することができ、ノイズ帯域低減フィルター1650によってそのノイズを低減することができる。この多段カスケード配置を使用することによって、ALEPSDの応答帯域幅、ノイズ蓄積、及び、電圧振幅の制約に対処することができる。

0043

また、本開示は、以下の付記による実施形態を含む。

0044

付記1アレイ状位置検出ディテクタを含むシステムであって、前記アレイ状位置検出ディテクタは、ラテラル効果位置検出ディテクタエレメント及び加算増幅器を含んでおり、前記ラテラル効果位置検出ディテクタエレメントは、スイッチを介して前記加算増幅器に送信される出力を生成する、システム。

0045

付記2 前記ラテラル効果位置検出ディテクタエレメントは電子回路に接続されており、前記電子回路は、前記ラテラル効果位置検出ディテクタエレメントを照射する光のスポットの位置を特定するように構成されている、付記1に記載のシステム。

0046

付記3 前記ラテラル効果位置検出ディテクタエレメントは、電圧オフセット生成器に接続されており、前記電圧オフセット生成器は、前記ラテラル効果位置検出ディテクタエレメントを特定するオフセット電圧を生成するように構成されている、付記1に記載のシステム。

0047

付記4 前記オフセット電圧は、複数のラテラル効果位置検出ディテクタエレメントのアレイ内における前記ラテラル効果位置検出ディテクタエレメントの相対位置を示す、付記3に記載のシステム。

0048

付記5 前記ラテラル効果位置検出ディテクタエレメントは、閾値検出回路に接続されており、前記閾値検出回路は、前記ラテラル効果位置検出ディテクタエレメントで生成された光電流が設定閾値を超えているかどうかを判断するように構成されている、付記1に記載のシステム。

0049

付記6 前記ラテラル効果位置検出ディテクタエレメント用の前記閾値検出回路の出力は、前記ラテラル効果位置検出ディテクタエレメント用の前記スイッチに接続されており、且つ、当該スイッチの状態を制御する、付記5に記載のシステム。

0050

付記7 2つのラテラル効果位置検出ディテクタエレメントのそれぞれのために1つずつ設けられた計2つの閾値検出回路の出力が、前記2つのラテラル効果位置検出ディテクタエレメントの少なくとも1つの相対位置を示すオフセット値を決定する回路に送信される、付記5に記載のシステム。

0051

付記8論理OR素子をさらに含み、2つの閾値検出回路の出力に接続された前記論理OR素子が、前記加算増幅器に接続された前記スイッチの状態を制御するように構成されている、付記7に記載のシステム。

0052

付記9 前記オフセット値は、閾値検出回路の出力によって制御されて、前記加算増幅器に送信される、付記7に記載のシステム。

0053

付記10 前記加算増幅器は、前記閾値検出回路の出力によって制御されるゲインを含む、付記5に記載のシステム。

0054

付記11 前記加算増幅器は、出力を生成し、当該出力は、アナログ‐デジタル変換器に送信される、付記10に記載のシステム。

0055

付記12 前記加算増幅器の出力は、ノイズ帯域幅低減フィルターに送信される、付記10に記載のシステム。

0056

付記13 複数のより小さい領域に分割されているエリアを照射する光のスポットの位置を特定することと、前記複数のより小さい領域をラテラル効果位置検出ディテクタによって検出することと、前記ラテラル効果位置検出ディテクタに接続された1組のスイッチによって前記ラテラル効果位置検出ディテクタからの出力を選択することと、選択された出力同士を合成することとを含む、方法。

0057

付記14 前記エリア上の光のスポットの照射による光電流を閾値と比較することによって制御信号を生成することをさらに含み、前記制御信号は、前記スイッチの組のうちのスイッチの状態を選択する、付記13に記載の方法。

0058

付記15 前記制御信号を用いることによって、前記光のスポットによって照射された前記少なくとも1つのラテラル効果位置検出ディテクタの相対位置を示すオフセット値を決定することをさらに含む、付記14に記載の方法。

0059

付記16 前記制御信号を用いることによって、増幅器のゲインを確立することをさらに含む、付記14に記載の方法。

0060

付記17 前記増幅器は、電圧加算増幅器を含み、前記選択された出力同士を合成することは、前記選択された出力を前記電圧加算増幅器の入力に送信することを含む、付記16に記載の方法。

0061

付記18ラテラル効果位置検出ディテクタによってエリアを照射している光のスポットを検出することと、前記ラテラル効果位置検出ディテクタに接続されたスイッチによって前記ラテラル効果位置検出ディテクタからの出力を選択することとを含む、方法。

0062

付記19 前記エリア上の光のスポットの照射による光電流を閾値と比較することによって制御信号を生成することをさらに含み、前記制御信号が、スイッチの状態を選択する、付記18に記載の方法。

0063

付記20 前記制御信号を用いることによって、前記光のスポットによって照射された前記ラテラル効果位置検出ディテクタの相対位置を示すオフセット電圧を切り替えることをさらに含む、付記19に記載の方法。

0064

上述したシステム、方法、及び論理は、多くの異なる方法で、ハードウェアソフトウェア、又はハードウェアとソフトウェアの両方を、様々に組み合わせて実施することが可能である。例えば、システムのすべて又は一部は、コントローラ内の回路、マイクロプロセッサ、又は特定用途向け集積回路ASIC)を含んでもよく、1つの集積回路上で結合されたもの及び複数の集積回路に分散されたものも含め、ディスクリートロジックもしくはコンポーネント又は他のタイプのアナログもしくはデジタル回路で実施してもよい。上述した論理のすべて又は一部は、プロセッサ、コントローラ、又は、他のプロセッサによって実行される命令として実施してもよく、フラッシュメモリランダムアクセスメモリ(RAM)もしくはリードオンリーメモリ(ROM)などの有形もしくは非一時的な機械可読もしくはコンピュータ可読媒体消去可プログラマブル読み出し専用メモリEPROM)もしくはコンパクトディスク読み出し専用メモリCDROM)などの他の機械読み取り媒体、又は、磁気もしくは光ディスクに格納してもよい。従って、コンピュータプログラム製品などの製品は、記憶媒体と、当該媒体に格納されたコンピュータ可読命令を含む場合があり、これらの命令は、エンドポイントコンピュータシステム、又は他の装置で実行された際に、上記の説明のいずれかに従った動作をデバイスに実行させる。

0065

システムの処理能力は、複数のシステムコンポーネント間で分散させてもよく、例えば複数のプロセッサ及びメモリ間で、任意には複数の分散処理システムも含めて、分散させてもよい。パラメータデータベース、およびその他のデータ構造は、別々に格納及び管理すること、単一のメモリ又はデータベース内に組み込むこと、多くの異なる方法で論理的及び物理的に編成すること、及び、リンクされたリストハッシュテーブル、又は暗黙的ストレージメカニズムなどのデータ構造を含め、多くの方法で実現すること、が可能である。プログラムは、単一のプログラムの一部(例えばサブルーチン)であってもよいし、いくつかのメモリ及びプロセッサに分散された個別のプログラムであってもよいし、多くの異なる方法で、例えば共有ライブラリー(例えばダイナミックリンクライブラリ(DLL))などのライブラリーにおいて、実行してもよい。例えば、DLLは、上述した任意のシステム処理を実行するコードを格納してもよい。

0066

業者であれば、上記の説明及び関連図面に示された教示を受けて、本明細書の記載事項に対する様々な改変や他の実施形態を思いつくであろう。本明細書では特定的な用語を用いているが、一般的且つ説明的な意味でのみ用いており、限定を目的としたものではない。

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