図面 (/)

技術 ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶、電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置

出願人 キヤノン株式会社
発明者 田中正人西田孟
出願日 2015年6月3日 (4年9ヶ月経過) 出願番号 2015-113433
公開日 2016年1月28日 (4年1ヶ月経過) 公開番号 2016-014136
状態 特許登録済
技術分野 染料 電子写真における感光体
主要キーワード 湿式ミリング 制限スリット 切削処理 電位プローブ インシデント クロロガリウムフタロシアニン顔料 電解複合研磨 モルホリン化合物
関連する未来課題
重要な関連分野

この項目の情報は公開日時点(2016年1月28日)のものです。
また、この項目は機械的に抽出しているため、正しく解析できていない場合があります

図面 (11)

課題

新規ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶、ならびに常温常湿環境下だけでなく、低温低湿環境下であっても、ゴースト現象による画像欠陥を抑制した電子写真感光体を提供する。

解決手段

CuKα線X線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°において7.5°、9.9°、25.2°、および28.3°にピークを有し、9.9°のピーク強度が7.5°のピーク強度よりも高いことを特徴とするヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶。

概要

背景

現在、電子写真感光体露光手段としてよく用いられている半導体レーザー発振波長は、650〜820nmと長波長であるため、これらの長波長の光に高い感度を有する電子写真感光体の開発が進められている。

フタロシアニン顔料は、こうした長波長領域までの光に高い感度を有する電荷発生物質として有効であり、電子写真感光体の感光層に用いられる。特にオキシチタニウムフタロシアニンガリウムフタロシアニンは、優れた感度特性を有しており、これまでに様々な結晶形報告されている。

中でも、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに関しては、特許文献1、特許文献2および特許文献3等に様々な結晶形が報告されている。特に、特許文献1では、CuKαのX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°が7.5°、9.9°、12.5°、16.3°、18.6°、25.1°および28.3°に強い回折ピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が優れた感度特性を有することが記載されている。また、特許文献3では、CuKαのX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°が28.1°に最も強いピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が、優れた感度特性を有することが記載されている。

概要

新規なヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶、ならびに常温常湿環境下だけでなく、低温低湿環境下であっても、ゴースト現象による画像欠陥を抑制した電子写真感光体を提供する。CuKα線のX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°において7.5°、9.9°、25.2°、および28.3°にピークを有し、9.9°のピーク強度が7.5°のピーク強度よりも高いことを特徴とするヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶。

目的

しかしながら、近年のさらなる高画質化に対しては、様々な環境下においてゴースト現象による画質欠陥の改善が望まれている

効果

実績

技術文献被引用数
0件
牽制数
0件

この技術が所属する分野

ライセンス契約や譲渡などの可能性がある特許掲載中! 開放特許随時追加・更新中 詳しくはこちら

請求項1

CuKα線X線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°において7.5°、9.9°、25.2°、および28.3°にピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶であって、該9.9°のピーク強度が該7.5°のピーク強度よりも高いことを特徴とするヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶。

請求項2

前記7.5°のピーク強度を1としたとき、前記9.9°のピーク強度が1.1以上2.0以下の範囲である請求項1に記載のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶。

請求項3

前記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が、結晶内にアミド化合物を含有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶である請求項1または2に記載のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶。

請求項4

前記アミド化合物の含有量が、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中のヒドロキシガリウムフタロシアニンに対して、0.1質量%以上3質量%以下である請求項3に記載のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶。

請求項5

前記アミド化合物が、N−メチルホルムアミドである請求項3または4に記載のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶。

請求項6

前記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が、結晶内にフェノール性化合物アミン化合物またはカルボニル化合物を含有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶である請求項1から4のいずれか1項に記載のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶。

請求項7

支持体、該支持体上に形成された感光層を有する電子写真感光体であって、該感光層が請求項1から6のいずれか1項に記載のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を含有することを特徴とする電子写真感光体。

請求項8

前記感光層が、電荷発生層、および、該電荷発生層上に形成された電荷輸送層を有する積層型感光層であり、該電荷発生層が前記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を含有する請求項7に記載の電子写真感光体。

請求項9

請求項7または8に記載の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段およびクリーニング手段からなる群より選ばれる少なくとも1つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ

請求項10

請求項7または8に記載の電子写真感光体、ならびに、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有する電子写真装置

技術分野

背景技術

0002

現在、電子写真感光体の露光手段としてよく用いられている半導体レーザー発振波長は、650〜820nmと長波長であるため、これらの長波長の光に高い感度を有する電子写真感光体の開発が進められている。

0003

フタロシアニン顔料は、こうした長波長領域までの光に高い感度を有する電荷発生物質として有効であり、電子写真感光体の感光層に用いられる。特にオキシチタニウムフタロシアニンガリウムフタロシアニンは、優れた感度特性を有しており、これまでに様々な結晶形報告されている。

0004

中でも、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに関しては、特許文献1、特許文献2および特許文献3等に様々な結晶形が報告されている。特に、特許文献1では、CuKαのX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°が7.5°、9.9°、12.5°、16.3°、18.6°、25.1°および28.3°に強い回折ピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が優れた感度特性を有することが記載されている。また、特許文献3では、CuKαのX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°が28.1°に最も強いピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が、優れた感度特性を有することが記載されている。

先行技術

0005

特開平5−263007号公報
特開平6−93203号公報
特開平10−67946号公報

発明が解決しようとする課題

0006

以上のように、電荷発生物質として、様々なヒドロキシガリウムフタロシアニンの結晶形が検討されている。

0007

しかしながら、近年のさらなる高画質化に対しては、様々な環境下においてゴースト現象による画質欠陥の改善が望まれている。本発明者らの検討の結果、特許文献1から3に記載のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を用いた電子写真感光体は、ゴースト現象の改善をより改良する余地があることがわかった。

0008

本発明の目的は、新規なヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を提供することにある。また、本発明の他の目的は、常温常湿環境下だけでなく、特に厳しい条件である低温低湿環境下であっても、ゴースト現象による画像欠陥を抑制した画像を出力可能な電子写真感光体を提供することにある。また本発明の他の目的は、上記電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供することにある。

課題を解決するための手段

0009

本発明者らは、常温常湿環境下だけでなく、特に厳しい条件である低温低湿環境下であっても、ゴースト現象による画像欠陥が抑制された画像を出力可能な電子写真感光体を得るべく鋭意検討を重ねた。その結果、CuKα線のX線回折におけるブラッグ角において、特定の位置にピークを有し、特定のピーク強度を有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を電荷発生物質として用いることによって、常温常湿環境下および低温低湿環境下でのゴースト現象による画像欠陥が抑制された画像が出力可能となることを見出した。

0010

すなわち、本発明は、CuKα線のX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°において7.5°、9.9°、25.2°、および28.3°にピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶であって、
該9.9°のピーク強度が該7.5°のピーク強度よりも高いことを特徴とするヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶である。

0011

また、本発明は、支持体、該支持体上に形成された感光層を有する電子写真感光体であって、
該感光層が上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を含有することを特徴とする電子写真感光体である。

0012

また、本発明は、上記電子写真感光体と、帯電手段、現像手段およびクリーニング手段からなる群より選ばれる少なくとも1つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジである。

0013

さらに、本発明は、上記電子写真感光体、ならびに、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有する電子写真装置である。

発明の効果

0014

本発明によれば、電荷発生物質として優れた特性を有するヒドロキシガリウムフタロシアニンを提供することができる。さらに、本発明によれば、常温常湿環境下だけでなく、特に厳しい条件である低温低湿環境下であっても、ゴースト現象による画像欠陥が抑制された画像を出力可能な電子写真感光体を提供することができる。さらに、本発明によれば、上記電子写真感光を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供することができる。

図面の簡単な説明

0015

電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを備えた電子写真装置の概略構成の一例を示す図である。
実施例1−1で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末X線回折図である。
実施例1−2で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末X線回折図である。
実施例1−3で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末X線回折図である。
実施例1−4で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末X線回折図である。
実施例1−5で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末X線回折図である。
実施例1−6で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末X線回折図である。
比較例1−1で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末X線回折図である。
比較例1−2で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末X線回折図である。
比較例1−3で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末X線回折図である。

0016

本発明のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、図2に示すようにCuKα線のX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°において7.5°、9.9°、25.2°、および28.3°にピークを有する。さらに、9.9°のピーク強度が7.5°のピーク強度よりも高いこと特徴とする。

0017

ヒドロキシガリウムフタロシアニンは、下記式(A)で示される化合物である。

0018

0019

式(A)中、X1、X2、X3、X4は、塩素原子を示す。n、m、p、およびkは、それぞれ独立に0〜4の整数である。n、m、p、およびkが0の場合は、水素原子となる。

0020

より好ましくは、n、m、p、およびkが0または1である。特に好ましくは、n+m+p+kが0または1である。

0021

特許文献1に記載されているように、これまでのヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶のCuKαのX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°の9.9°のピーク強度は、7.5°のピーク強度より低いものであった。そして、そのピーク強度の程度に関しても、9.9°のピーク強度は、7.5°のピーク強度の半分程度であった。

0022

一方、本発明のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、CuKα線のX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°の9.9°のピーク強度が7.5°のピーク強度よりも高いという新規な結晶型である。そして、本発明のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を電荷発生物質として感光層に含有させると、低温低湿環境下であっても、ゴースト現象が抑制されることが本発明者らの検討の結果、明らかとなった。

0023

ゴースト抑制の観点から、本発明のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、7.5°のピーク強度を1にしたときの9.9°のピーク強度が、1.1以上2.0以下の範囲であることが好ましい。

0024

また、本発明のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、結晶内にアミド化合物を含有していることが好ましい。ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中のアミド化合物の含有量としては、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中のヒドロキシガリウムフタロシアニンに対して0.1質量%以上3質量%以下であることが好ましい。

0025

アミド化合物としては、例えば、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルホルムアミド、N−メチルアセトアミド、N−プロピルホルムアミド、N−メチルプロピオアミドが挙げられる。好ましくは、N−メチルホルムアミドである。

0026

アミド化合物を結晶内に含有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、結晶内にアミド化合物を取込んでいることを意味する。

0027

アミド化合物を結晶内に含有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の製造方法について説明する。

0028

アミド化合物を結晶内に含有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、アミド化合物と、添加剤とをヒドロキシガリウムフタロシアニンと共にミリング処理することにより、ヒドロキシガリウムフタロシアニンの結晶変換を行う工程で得られる。添加剤としては、フェノール性化合物アミン化合物またはカルボニル化合物が挙げられる。そのため、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、結晶内にフェノール性化合物、アミン化合物またはカルボニル化合物を含有してもよい。ミリング処理時には、アミド化合物および添加剤の他に、必要に応じて溶剤を加えてもよい。

0029

ミリング処理に用いるヒドロキシガリウムフタロシアニンは、アシッドペースティング法により得られたヒドロキシガリウムフタロシアニンであることが好ましい。

0030

ミリング処理(湿式ミリング処理)とは、例えば、ガラスビーズスチールビーズアルミナボールなどの分散剤とともにサンドミルボールミルなどのミリング装置を用いて行う処理である。ミリング時間は、100〜2000時間程度が好ましい。特に好ましい方法は、10〜50時間おきにサンプルをとり、結晶のブラッグ角を確認することである。ミリング処理で用いる分散剤の量は、質量基準でヒドロキシガリウムフタロシアニンに対して10〜50倍が好ましい。

0031

また、フェノール性化合物としては、例えば、アゾ化カリックスアレーン化合物、アゾ化カリックスゾルシアレーン化合物、カリックスアレーン化合物、カリックスレゾルシアレーンが挙げられる。フェノール性化合物の使用量は、質量基準でヒドロキシガリウムフタロシアニンに対して0.01〜2倍が好ましい。

0032

アミン化合物としては、例えば、モルホリン化合物ピペリジン化合物、4−ピペリドン化合物イミダゾール化合物が挙げられる。アミン化合物の使用量は、質量基準でヒドロキシガリウムフタロシアニンに対して0.1〜2倍が好ましい。

0033

カルボニル化合物としては、例えば、ベンゾフェノン化合物アセトフェノン化合物アントラキノン化合物ウレア化合物が挙げられる。カルボニル化合物の使用量は、質量基準でヒドロキシガリウムフタロシアニンに対して0.1〜2倍が好ましい。

0034

アミド化合物としては、上述で挙げた化合物を用いることができる。中でも、N−メチルホルムアミドを用いてN−メチルホルムアミドを結晶内に含有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が特に好ましい。アミド化合物の使用量は、質量基準でヒドロキシガリウムフタロシアニンに対して10〜30倍が好ましい。

0035

溶剤としては、例えば、クロロホルムなどのハロゲン系溶剤テトラヒドロフランなどのエーテル系溶剤ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド系溶剤が挙げられる。溶剤の使用量は、質量基準でヒドロキシガリウムフタロシアニンに対して5〜20倍が好ましい。

0036

本発明のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶がアミド化合物を結晶内に含有していること、およびアミド化合物の含有量は、得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶をNMR測定し、データを解析することにより決定した。

0037

本発明のフタロシアニン結晶のX線回折およびNMRの測定は、次の条件で行ったものである。
粉末X線回折測定
使用測定機:理学電気(株)製、X線回折装置RINT−TTRII
X線管球:Cu
管電圧:50kV
管電流:300mA
スキャン方法:2θ/θスキャン
スキャン速度:4.0°/min
サンプリング間隔:0.02°
スタート角度(2θ):5.0°
ストップ角度(2θ):40.0°
アタッチメント標準試料ホルダー
フィルター:不使用
インシデントモノクロ:使用
カウンターモノクロメーター:不使用
発散スリット開放
発散制限スリット:10.00mm
散乱スリット:開放
受光スリット:開放
平板モノクロメーター:使用
カウンター:シンチレーションカウンター

0038

(NMR測定)
使用測定器:BRUKER製、AVANCEIII 500
溶媒:重硫酸(D2SO4)
積算回数:2000
本発明のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、光導電体としての機能に優れ、電子写真感光体以外にも、太陽電池センサースイッチング素子などに適用することができる。

0039

次に、本発明のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を電子写真感光体における電荷発生物質として適用する場合を説明する。

0040

本発明の電子写真感光体は、支持体、支持体上に形成された感光層を含有する。感光層は、電荷発生物質および電荷輸送物質をともに単層型感光層や、電荷発生物質を含有する電荷発生層と電荷輸送物質を含有する電荷輸送層とに分離した積層型感光層がある。中でも、電荷発生層、電荷発生層上に形成された電荷輸送層を有する積層型感光層が好ましい。

0041

(支持体)
支持体としては、導電性を有するもの(導電性支持体)が好ましい。例えば、アルミニウムアルミニウム合金、銅、亜鉛ステンレスバナジウムモリブデンクロムチタンニッケルインジウム、金および白金などの金属製、合金製の支持体が挙げられる。また、アルミニウム、アルミニウム合金、酸化インジウム酸化スズおよび酸化インジウム−酸化スズ合金真空蒸着法によって被膜形成された層を有する樹脂支持体も用いることができる。また、導電性粒子結着樹脂とともにプラスチックまたは金属、合金の上に被覆した支持体も用いることができる。導電性粒子をプラスチックや紙に含浸させた支持体や、導電性ポリマーを有するプラスチックなどを支持体として用いることができる。支持体の表面には、レーザー光散乱による干渉縞の抑制などを目的として、切削処理粗面化処理アルマイト処理電解複合研磨処理、湿式ホーニング処理、乾式ホーニング処理などを施してもよい。

0042

支持体と後述の下引き層との間には、レーザー光の散乱による干渉縞の抑制や、支持体の傷の隠蔽(被覆)などを目的として、導電層を設けてもよい。導電層は、カーボンブラック金属粒子金属酸化物粒子などの導電性粒子、結着樹脂、および、溶剤を分散処理することによって得られる導電層用塗布液を塗布して塗膜を形成し、得られた塗膜を乾燥させることによって形成することができる。

0043

導電性粒子としては、例えば、アルミニウム粒子酸化チタン粒子酸化スズ粒子酸化亜鉛粒子、カーボンブラック、銀粒子が挙げられる。結着樹脂としては、例えば、ポリエステルポリカーボネートポリビニルブチラールアクリル樹脂シリコーン樹脂エポキシ樹脂メラミン樹脂ウレタン樹脂フェノール樹脂アルキッド樹脂が挙げられる。導電層用塗布液の溶剤としては、例えば、エーテル系溶剤、アルコール系溶剤ケトン系溶剤芳香族炭化水素系溶剤が挙げられる。

0044

支持体および感光層の間には、バリア機能接着機能とを持つ下引き層(バリア層、中間層とも呼ばれる。)を設けることもできる。下引き層は、結着樹脂、および溶剤を混合することによって得られる下引き層用塗布液の塗膜を形成し、この塗膜を乾燥させることによって下引き層を形成することができる。

0045

結着樹脂としては、ポリビニルアルコールポリエチレンオキシドエチルセルロースメチルセルロースカゼインポリアミドナイロン6ナイロン66、ナイロン610、共重合ナイロンおよびN−アルコキシメチルナイロンなど)、ポリウレタンなどが挙げられる。下引き層の膜厚は0.1〜10μmであることが好ましく、より好ましくは0.5〜5μmである。下引き層用塗布液の溶剤としては、例えば、エーテル系溶剤、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤が挙げられる。

0046

(感光層)
単層型感光層を形成する場合、電荷発生物質として本発明のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶、電荷輸送物質および結着樹脂溶を溶剤に混合して、感光層用塗布液を調製する。この感光層用塗布液の塗膜を形成し、得られた塗膜を乾燥させることによって単層型感光層を形成することができる。

0047

積層型感光層を形成する場合、電荷発生層は、電荷発生物質として本発明のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶、および結着樹脂を溶剤に混合して電荷発生層用塗布液を調製する。この電荷発生層用塗布液の塗膜を形成し、得られた塗膜を乾燥させることによって形成することができる。また、蒸着によって電荷発生層を形成することもできる。

0048

単層型感光層または電荷発生層に用いられる結着樹脂としては、例えば、ポリカーボネート、ポリエステル、ブチラール樹脂ポリビニルアセタール、アクリル樹脂、酢酸ビニル樹脂尿素樹脂などが挙げられる。これらの中でも、ブチラール樹脂が好ましい。また、これらの結着樹脂は、1種のみを使用してもよく、混合または共重合体として2種以上を併用してもよい。

0049

単層型感光層用塗布液、または電荷発生層用塗布液に用いられる溶剤としては、例えば、スルホキシド系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤または芳香族炭化水素系溶剤などが挙げられる。

0050

感光層が単層型である場合、膜厚は、5〜40μmであることが好ましく、10〜30μmであることがより好ましい。

0051

感光層が単層型である場合、電荷発生物質の含有量は、感光層の全質量に対して3〜30質量%であることが好ましい。また、電荷輸送物質の含有量は、感光層の全質量に対して30〜70質量%であることが好ましい。単層型感光層の膜厚は、4〜40μmであることが好ましく、5〜25μmであることがより好ましい。

0052

感光層が積層型である場合、電荷発生物質の含有量は、電荷発生層の全質量に対して20〜90質量%であることが好ましく、50〜80質量%であることがより好ましい。

0053

電荷発生層の膜厚は、0.01〜10μmであることが好ましく、0.1〜3μmであることがより好ましい。

0054

(電荷輸送層)
電荷輸送層は、電荷輸送物質および結着樹脂を溶剤に溶解させて得られた電荷輸送層用塗布液を塗布して塗膜を形成し、得られた塗膜を乾燥させることによって形成することができる。

0056

電荷輸送層に用いる結着樹脂としては、例えば、ポリエステル、アクリル樹脂、ポリビニルカルバゾールフェノキシ樹脂、ポリカーボネート、ポリビニルブチラール、ポリスチレンポリビニルアセテートポリサルホンポリアリレートポリ塩化ビニリデンアクリロニトリル共重合体ポリビニルベンザールなどの樹脂が用いられる。

0057

電荷輸送物質の含有量は、電荷輸送層の全質量に対して20〜80質量%であることが好ましく、30〜70質量%であることがより好ましい。また、電荷輸送層の膜厚は、5〜40μmであることが好ましく、10〜30μmであることがより好ましい。

0058

感光層の塗布方法としては、ディッピング法スプレーコーティング法スピンナーコーティング法ビードコーティング法、ブレードコーティング法、ビームコーティング法などの塗布方法を用いることができる。

0059

本発明のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を電荷発生物質として用いるが、他の電荷発生物質と混合して用いることも可能である。この場合、本発明のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の含有率は、全電荷発生物質に対して50質量%以上が好ましい。

0060

感光層上には、必要に応じて保護層を設けてもよい。保護層は、樹脂を溶剤に溶解させて得られた保護層用塗布液の塗膜を形成し、この塗膜を乾燥させることによって形成することができる。樹脂としては、ポリビニルブチラール、ポリエステル、ポリカーボネート(ポリカーボネートZ、変性ポリカーボネートなど)、ナイロン、ポリイミド、ポリアリレート、ポリウレタン、スチレンブタジエンコポリマー、スチレン−アクリル酸コポリマー、スチレン−アクリロニトリルコポリマーなどが挙げられる。

0061

また、保護層に電荷輸送能を持たせるために、電荷輸送能(正孔輸送能)を有するモノマーを種々の重合反応架橋反応を用いて硬化させることによって保護層を形成してもよい。具体的には、連鎖重合性官能基を有する電荷輸送性化合物正孔輸送性化合物)を重合または架橋させ、硬化させることによって保護層を形成することが好ましい。

0062

保護層の膜厚は、0.05〜20μmであることが好ましい。保護層には、導電性粒子や紫外線吸収剤などを含有させてもよい。導電性粒子としては、例えば、酸化スズ粒子などの金属酸化物粒子が挙げられる。

0063

図1は、本発明の電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを備えた電子写真装置の概略構成の一例を示す図である。

0064

1は円筒状(ドラム状)の電子写真感光体であり、軸2を中心に矢印方向に所定の周速度(プロセススピード)をもって回転駆動される。電子写真感光体1の表面は、回転過程において、帯電手段3により、正または負の所定電位に帯電される。次いで、帯電された電子写真感光体1の表面には、像露光手段(不図示)から像露光光4が照射され、目的の画像情報に対応した静電潜像が形成されていく。像露光光4は、例えば、スリット露光レーザービーム走査露光などの像露光手段から出力される、目的の画像情報の時系列電気デジタル画像信号に対応して強度変調された光である。

0065

電子写真感光体1の表面に形成された静電潜像は、現像手段5内に収容された現像剤(トナー)で現像(正規現像または反転現像)され、電子写真感光体1の表面にはトナー像が形成される。電子写真感光体1の表面に形成されたトナー像は、転写手段6により、転写材7に転写されていく。このとき、転写手段6には、バイアス電源(不図示)からトナーの保有電荷とは逆極性バイアス電圧印加される。また、転写材7は転写材供給手段(不図示)から電子写真感光体1の回転と同期して取り出されて、電子写真感光体1と転写手段6との間に給送される。

0066

トナー像が転写された転写材7は、電子写真感光体1の表面から分離されて、定着手段8へ搬送されて、トナー像の定着処理を受け、画像形成物プリントコピー)として電子写真装置の外へプリントアウトされる。

0067

トナー像が転写材7に転写された後の電子写真感光体1の表面は、クリーニング手段9により、トナー(転写残りトナー)などの付着物の除去を受けて清浄される。近年、クリーナレスシステムも開発され、転写残りトナーを直接、現像器などで除去することもできる。さらに、電子写真感光体1の表面は、前露光手段(不図示)からの前露光光10により除電処理された後、繰り返し画像形成に使用される。なお、帯電手段3が帯電ローラーなどを用いた接触帯電手段である場合は、前露光手段は必ずしも必要ではない。

0068

本発明においては、上述の電子写真感光体1、帯電手段3、現像手段5およびクリーニング手段9などの構成要素のうち、複数の構成要素を容器に納めて一体に支持してプロセスカートリッジを形成することができる。このプロセスカートリッジを電子写真装置本体に対して着脱自在に構成することができる。例えば、帯電手段3、現像手段5およびクリーニング手段9から選択される少なくとも1つを電子写真感光体1とともに一体に支持してカートリッジ化する。そして、電子写真装置本体のレールなどの案内手段12を用いて電子写真装置本体に着脱自在なプロセスカートリッジ11とすることができる。

0069

像露光光4は、電子写真装置が複写機プリンターである場合には、原稿からの反射光透過光であってもよい。または、センサーで原稿を読み取り、信号化し、この信号に従って行われるレーザービームの走査LEDアレイの駆動もしくは液晶シャッターアレイの駆動などにより放射される光であってもよい。

0070

本発明の電子写真感光体1は、レーザービームプリンター、CRTプリンター、LEDプリンター、FAX液晶プリンターおよびレーザー製版などの電子写真応用分野にも幅広く適用することができる。

0071

以下に、具体的な実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。ただし、本発明は、これらに限定されるものではない。以下に示す「部」は、「質量部」を意味する。なお、実施例および比較例の電子写真感光体の各層の膜厚は、渦電流式膜厚計(Fischerscope、フィッシャーインスツルメント社製)で求め、または、単位面積当たりの質量から比重換算で求めた。また、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中のアミド化合物の含有量は、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中のヒドロキシガリウムフタロシアニンに対するものである。

0072

〔実施例1−1〕
特開2011−94101号公報に記載の(合成例1)および(実施例1−1)と同様の製造方法にて、以下のようにヒドロキシガリウムフタロシアニンを製造した。

0073

窒素フロー雰囲気下、フタロニトリル5.46部およびα−クロロナフタレン45部を反応釜投入した後、加熱し、温度30℃まで昇温させた後、この温度を維持した。次に、この温度(30℃)で三塩化ガリウム3.75部を投入した。投入時の混合液水分値は150ppmであった。その後、温度200℃まで昇温させた。次に、窒素フローの雰囲気下、温度200℃で4.5時間反応させた後、冷却し、温度150℃に達したときに生成物濾過した。得られた濾過物をN,N−ジメチルホルムアミドを用いて温度140℃で2時間分散洗浄した後、濾過した。得られた濾過物をメタノールで洗浄した後、乾燥させ、クロロガリウムフタロシアニン顔料を4.65部(収率71%)得た。次に、得られたクロロガリウムフタロシアニン顔料4.65部を、温度10℃で濃硫酸139.5部に溶解させ、攪拌下氷水620部中に滴下して再析出させて、フィルタープレスを用いて濾過した。得られたウエットケーキ(濾過物)を2%アンモニア水分散洗浄した後、フィルタープレスを用いて濾過した。次いで、得られたウエットケーキ(濾過物)をイオン交換水で分散洗浄した後、フィルタープレスを用いた濾過を3回繰り返し、その後、固形分23%のヒドロキシガリウムフタロシアニン(含水ヒドロキシガリウムフタロシアニン)を得た。得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン(含水ヒドロキシガリウムフタロシアニン)6.6kgをハイパードライ乾燥機商品名:HD−06R、周波数発振周波数):2455MHz±15MHz、日本バイオコン(株)製)を用いてマイクロ波照射を行い、ヒドロキシガリウムフタロシアニンを乾燥させた。

0074

このヒドロキシガリウムフタロシアニン0.5部、下記式(1)で示されるフェノール性化合物0.001部、および、N−メチルホルムアミド10部を、直径0.8mmのガラスビーズ20部とともにボールミルでミリング処理を室温(23℃)下で470時間行った。この際、容器は規格びん製品コード:PS−6、柏洋硝子株式会社製)を用い、容器が1分間に120回転する条件で行った。この分散液からヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶をN−メチルホルムアミドを用いて取り出し、濾過し、濾過器上をN−メチルホルムアミドで洗浄し、続いてテトラヒドロフランで十分に洗浄した。濾取物を真空乾燥させて、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を0.33部得た。得られた結晶の粉末X線回折図を図2に示す。このヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、CuKα線のX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°の7.5°、9.9°、25.2°、および28.3°にピークを有する。CuKα線のX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°における7.5°のピーク強度を1にしたとき、9.9°のピーク強度は1.54であった。

0075

また、NMR測定により、実施例1−1で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、N−メチルホルムアミドが0.60質量%含有されていることが確認された。N−メチルホルムアミドはテトラヒドロフランに溶解することから、N−メチルホルムアミドは結晶内に含有することが分かる。

0076

0077

〔実施例1−2〕
実施例1−1において、ミリング処理時間を470時間から1000時間に変更した。それ以外は、実施例1−1と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を0.45部得た。得られた結晶の粉末X線回折図を図3に示す。このヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、CuKα線のX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°の7.5°、9.9°、25.2°、および28.3°にピークを有する。CuKα線のX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°における7.5°のピーク強度を1にした場合、9.9°のピーク強度は1.68であった。

0078

また、NMR測定により、実施例1−2で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、N−メチルホルムアミドが0.84質量%含有されていることが確認された。

0079

〔実施例1−3〕
実施例1−1において、式(1)で示されるフェノール性化合物0.001部を1,3−ジメチル−1,3−ジフェニルウレア0.5部に変更した。それ以外は、実施例1−1と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を0.43部得た。得られた結晶の粉末X線回折図を図4に示す。このヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、CuKα線のX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°の7.5°、9.9°、25.2°、および28.3°にピークを有する。CuKα線のX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°における7.5°のピーク強度を1にした場合、9.9°のピーク強度は1.07あった。

0080

NMR測定により、実施例1−3で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、1,3−ジメチル−1,3−ジフェニルウレアが0.12質量%、N−メチルホルムアミドが0.68質量%含有されていることが確認された。1,3−ジメチル−1,3−ジフェニルウレアはN−メチルホルムアミドに溶解することから、1,3−ジメチル−1,3−ジフェニルウレアは結晶内に含有することが分かる。

0081

〔実施例1−4〕
実施例1−3において、ミリング処理時間を470時間から1000時間に変更した以外は、実施例1−3と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を0.45部得た。得られた結晶の粉末X線回折図を図5に示す。このヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、CuKα線のX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°の7.5°、9.9°、25.2°、および28.3°にピークを有する。CuKα線のX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°における7.5°のピーク強度を1にした場合、9.9°のピーク強度は1.45であった。

0082

また、NMR測定により結晶中に1,3−ジメチル−1,3−ジフェニルウレアが0.17質量%、N−メチルホルムアミドが0.84質量%含有されていることが確認された。

0083

〔実施例1−5〕
実施例1−1において、式(1)で示されるフェノール性化合物0.001部をビス−(4−ジエチルアミノフェニル)−メタノン1.0部に変更した。それ以外は、実施例1−1と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を0.36部得た。得られた結晶の粉末X線回折図を図6に示す。CuKα線のX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°の7.5°、9.9°、25.2°、および28.3°にピークを有する。CuKα線のX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°における7.5°のピーク強度を1にした場合、9.9°のピーク強度は1.01であった。

0084

また、NMR測定により、実施例1−5で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、ビス−(4−ジエチルアミノ−フェニル)−メタノンが0.23質量%含有されていることが確認された。さらに、N−メチルホルムアミドが0.70質量%含有されていることが確認された。ビス−(4−ジエチルアミノ−フェニル)−メタノンは、N−メチルホルムアミドに溶解することから、ビス−(4−ジエチルアミノ−フェニル)−メタノンもN−メチルホルムアミドと同様に結晶内に含有することが分かる。

0085

〔実施例1−6〕
実施例1−5において、ミリング処理時間を470時間から1000時間に変更した以外は、実施例1−5と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を0.47部得た。得られた結晶の粉末X線回折図を図7に示す。CuKα線のX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°の7.5°、9.9°、25.2°、および28.3°にピークを有する。CuKα線のX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°における7.5°のピーク強度を1にした場合、9.9°のピーク強度は1.35であった。

0086

また、NMR測定により結晶中にビス−(4−ジエチルアミノ−フェニル)−メタノンが2.32質量%、N−メチルホルムアミドが0.82質量%含有されていることが確認された。

0087

〔比較例1−1〕
実施例1−1で使用したものと同じヒドロキシガリウムフタロシアニン0.5部、および、N,N−ジメチルホルムアミド10部を、直径0.8mmのガラスビーズ20部とともにボールミルでミリング処理を室温(23℃)下で30時間行った。この分散液からガリウムフタロシアニン結晶をN,N−ジメチルホルムアミドを用いて取り出し、濾過し、濾過器上をN、N−ジメチルホルムアミドで洗浄し、続いてテトラヒドロフランで十分に洗浄した。濾取物を真空乾燥させて、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を0.45部得た。得られた結晶の粉末X線回折図を図8に示す。CuKα線のX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°の7.5°、9.9°、25.2°、および28.3°にピークを有する。CuKα線のX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°における7.5°のピーク強度を1にした場合、9.9°のピーク強度は0.33であった。

0088

〔比較例1−2〕
実施例1−1において、式(1)で示されるフェノール化合物0.001部を加えなかった以外は、実施例1−1と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を0.44部得た。得られた結晶の粉末X線回折図を図9に示す。CuKα線のX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°の7.5°、9.9°、および28.3°にピークを有する。CuKα線のX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°の7.5°のピーク強度を1にした場合、9.9°のピーク強度は0.45であった。

0089

〔比較例1−3〕
実施例1−1において、ミリング処理時間を470時間から94時間に変更した以外は、実施例1−1と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を0.40部得た。得られた結晶の粉末X線回折図を図10に示す。CuKα線のX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°の7.5°、9.9°、および28.3°にピークを有する。CuKα線のX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°の7.5°のピーク強度を1にした場合、9.9°のピーク強度は0.70であった。

0090

〔実施例2−1〕
酸化スズで被覆した硫酸バリウム粒子(商品名:パストランPC1、三井金属鉱業(株)製)60部、酸化チタン粒子(商品名:TITANIX JR、テイカ(株)製)15部、レゾール型フェノール樹脂(商品名:フェノライトJ−325、大日本インキ化学工業(株)製、固形分70質量%)43部、シリコーンオイル(商品名:SH28PA、東レシリコーン(株)製)0.015部、シリコーン樹脂(商品名:トスパール120、東シリコーン(株)製)3.6部、2−メトキシ1−プロパノール50部、メタノール50部からなる溶液を20時間、ボールミルで分散処理することによって、導電層用塗布液を調製した。

0091

この導電層用塗布液を、支持体としてのアルミニウムシリンダー(直径24mm)上に浸漬塗布し、得られた塗膜を30分間140℃で乾燥させることによって、膜厚が15μmの導電層を形成した。

0092

次に、共重合ナイロン樹脂(商品名:アミランCM8000、東レ(株)製)10部およびメトキシメチル化6ナイロン樹脂(商品名:トレジンEF−30T、帝国化学(株)製)30部を、メタノール400部/n−ブタノール200部の混合溶剤に溶解させることによって、下引き層用塗布液を調製した。

0093

この下引き層用塗布液を導電層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を乾燥させることによって、膜厚が0.5μmの下引き層を形成した。

0094

次に、実施例1−1で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶(電荷発生物質)10部、ポリビニルブチラール(商品名:エスレックBX−1、積水化学工業(株)製)5部、および、シクロヘキサノン250部を、直径1mmのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、4時間分散処理して分散液を調製した。この分散液に酢酸エチル250部を加えて希釈することによって、電荷発生層用塗布液を調製した。

0095

この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を10分間100℃で乾燥させることによって、膜厚が0.16μmの電荷発生層を形成した。

0096

次に、下記式(2)で示される化合物(電荷輸送物質)8部、および、ポリカーボネート(商品名:ユーピロンZ−200、三菱ガス化学(株)製)10部を、モノクロロベンゼン70部に溶解させることによって、電荷輸送層用塗布液を調製した。

0097

0098

この電荷輸送層用塗布液を電荷発生層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を1時間110℃で乾燥させることによって、膜厚が23μmの電荷輸送層を形成した。

0099

このようにして、円筒状(ドラム状)の実施例2−1の電子写真感光体を作製した。

0100

〔実施例2−2〕
実施例2−1において、電荷発生層用塗布液を調製する際のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例1−2で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。それ以外は、実施例2−1と同様にして実施例2−2の電子写真感光体を作製した。

0101

〔実施例2−3〕
実施例2−1において、電荷発生層用塗布液を調製する際のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例1−3で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。それ以外は、実施例2−1と同様にして実施例2−3の電子写真感光体を作製した。

0102

〔実施例2−4〕
実施例2−1において、電荷発生層用塗布液を調製する際のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例1−4で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。それ以外は、実施例2−1と同様にして実施例2−4の電子写真感光体を作製した。

0103

〔実施例2−5〕
実施例2−1において、電荷発生層用塗布液を調製する際のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例1−5で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。それ以外は、実施例2−1と同様にして実施例2−5の電子写真感光体を作製した。

0104

〔実施例2−6〕
実施例2−1において、電荷発生層用塗布液を調製する際のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例1−6で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。それ以外は、実施例2−1と同様にして実施例2−6の電子写真感光体を作製した。

0105

〔比較例2−1〕
実施例2−1において、電荷発生層用塗布液を調製する際のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を比較例1−1で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。それ以外は、実施例2−1と同様にして比較例2−1の電子写真感光体を作製した。

0106

〔比較例2−2〕
実施例2−1において、電荷発生層用塗布液を調製する際のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を比較例1−2で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。それ以外は、実施例2−1と同様にして比較例2−2の電子写真感光体を作製した。

0107

〔比較例2−3〕
実施例2−1において、電荷発生層用塗布液を調製する際のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を比較例1−3で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。それ以外は、実施例2−1と同様にして比較例2−3の電子写真感光体を作製した。

0108

〔実施例2−1〜2−6および比較例2−1〜2−3の評価〕
実施例2−1〜2−6および比較例2−1〜2−3の電子写真感光体について、ゴースト画像評価を行った。

0109

評価用の電子写真装置としては、日本ヒューレットパッカード(株)製のレーザービームプリンター(商品名:Color Laser Jet CP3525dn)を、以下に示す改造を施して用いた。すなわち、前露光は点灯せず、帯電条件像露光量可変で作動するようにした。また、シアン色用のプロセスカートリッジに作製した電子写真感光体を装着してシアンのプロセスカートリッジのステーションに取り付け、他の色用のプロセスカートリッジをプリンター本体に装着せずとも作動するようにした。

0110

画像の出力に際しては、シアン色用のプロセスカートリッジのみを本体に取り付け、シアントナーのみによる単色画像を出力した。

0111

まず、温度23℃湿度55%RHの常温常湿環境下で、初期暗部電位が−500V、明部電位が−100Vになるように帯電条件と露光量を調整した。電位設定の際の電子写真感光体の表面電位の測定は、カートリッジを改造し、現像位置に電位プローブ(商品名:model6000B−8、トレック・ジャパン(株)製)を装着した。そして、電子写真感光体の中央部の電位を表面電位計(商品名:model344、トレック・ジャパン(株)製)を使用して測定した。

0112

その後、同条件下でゴースト画像評価を行った。その後、1000枚の繰り返し通紙試験を行い、繰り返し通紙試験直後および繰り返し通紙試験15時間後でのゴースト画像評価を行った。常温常湿環境下における評価結果を表1に示す。

0113

次に、電子写真感光体を評価用の電子写真装置とともに温度15℃湿度10%RHの低温低湿環境下で3日間放置した後、ゴースト画像評価を行った。そして、同条件下で1000枚の繰り返し通紙試験を行い、繰り返し通紙試験直後および繰り返し通紙試験15時間後でのゴースト画像評価を行った。低温低湿環境下における評価結果を表1に合わせて示す。

0114

なお、繰り返し通紙試験は、印字率1%でE文字画像をA4サイズの普通紙にシアン単色で印字する条件で行った。

0115

また、ゴースト画像評価の方法は、以下のようにした。

0116

ゴースト画像評価は、1枚目ベタ白画像を出力し、その後ゴーストチャートを4種類各1枚の計4枚出力する。次に、ベタ黒画像を1枚出力した後に再度ゴーストチャートを4種類各1枚の計4枚出力する。この順番画像出力を行い、計8枚のゴースト画像で評価した。ゴーストチャートは、出力画像書き出し(紙上端10mm)位置から30mmの範囲をベタ背景に25mm四方のベタ黒の正方形を等間隔、かつ、平行に4つ並べ、出力画像書き出し位置から30mm以降はハーフトーン印字パターンを4種類出力した。4種類のゴーストチャートをもとに、ランク分けを行った。

0117

4種類のゴーストチャートとは、プリント書き出し位置から30mm以降のハーフトーンパターンのみ異なるチャートで、ハーフトーンのパターンは、以下の4種類である。
(1)横*1ドット、1スペースの印字(レーザー露光)パターン。
(2)横*2ドット、2スペースの印字(レーザー露光)パターン。
(3)横*2ドット、3スペースの印字(レーザー露光)パターン。
(4)桂馬パターンの印字(レーザー露光)パターン。(将棋の桂馬の動きのように6マスに2ドット印字するパターン)
*:横とは、電子写真感光体の表面に照射されるレーザービームの走査方向(上記レーザービームプリンターにおいて出力された用紙では、用紙の出力方向に直交する方向)を指す。

0118

ゴースト画像のランク分けは以下のように行った。なお、ランク4、5、6は、本発明の効果が十分に得られていないレベルと判断した。
ランク1:いずれのゴーストチャートでもゴーストは見えない。
ランク2:特定のゴーストチャートでゴーストがうっすら見える。
ランク3:いずれのゴーストチャートでもゴーストがうっすら見える。
ランク4:特定のゴーストチャートでゴーストが見える。
ランク5:いずれのゴーストチャートでもゴーストが見える。
ランク6:特定のゴーストチャートでゴーストがはっきり見える。

実施例

0119

0120

1電子写真感光体
2 軸
3帯電手段
4像露光光
5現像手段
6転写手段
7転写材
8 像定着手段
9クリーニング手段
10前露光光
11プロセスカートリッジ
12 案内手段

ページトップへ

この技術を出願した法人

この技術を発明した人物

ページトップへ

関連する挑戦したい社会課題

関連する公募課題

該当するデータがありません

ページトップへ

おススメ サービス

おススメ astavisionコンテンツ

新着 最近 公開された関連が強い技術

この 技術と関連性が強い技術

関連性が強い 技術一覧

この 技術と関連性が強い人物

関連性が強い人物一覧

この 技術と関連する社会課題

関連する挑戦したい社会課題一覧

この 技術と関連する公募課題

該当するデータがありません

astavision 新着記事

サイト情報について

本サービスは、国が公開している情報(公開特許公報、特許整理標準化データ等)を元に構成されています。出典元のデータには一部間違いやノイズがあり、情報の正確さについては保証致しかねます。また一時的に、各データの収録範囲や更新周期によって、一部の情報が正しく表示されないことがございます。当サイトの情報を元にした諸問題、不利益等について当方は何ら責任を負いかねることを予めご承知おきのほど宜しくお願い申し上げます。

主たる情報の出典

特許情報…特許整理標準化データ(XML編)、公開特許公報、特許公報、審決公報、Patent Map Guidance System データ