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図面 (5)

課題

少量生産半導体製造生産システム基本概念を大きく変更することなく、大型の処理装置を少量生産半導体製造生産システムに組み込むことが可能な、外付け処理装置およびデバイス製造システムを提供する。

解決手段

外付け処理装置30は、極小単位のデバイスを作製するウェハWに対してそれぞれ単一のプロセスを実行する複数の小型処理装置20を含むデバイス製造装置10に対して外付けで組み込まれるものである。外付け処理装置30は、内部のクリーン度が制御された処理室31と、処理室31内に配置され、ウェハWに対して極小単位のデバイスを作製する複数のプロセスのうちの一のプロセスを実行する大型処理装置40と、処理室31にウェハを搬送する際に開閉する開閉窓34を有する受渡しユニット32とを備えている。大型処理装置40と受渡しユニット32との間で、自動でウェハWの受け渡しが行われる。

概要

背景

従来の半導体デバイス製造ラインは、広大クリーンルーム内に、複数の大型の処理装置を配置し、各処理装置内で12インチ(304.8mm)などの大口径のウェハを処理することにより、1枚のウェハから数千個の半導体チップを製造することが一般的である。しかしながら、従来の巨大半導体製造システムにおいては、個々の製造装置が巨大であり、工場内で容易に移動できるものではなかった。また、設備投資額が数千億円程度に達し、巨額であるという問題や、半導体等のデバイス製造に関する研究開発成果を実際の製造ラインで実用化することが難しいという問題等があった。

これに対して、近年、いわゆる「ミニマルファブ」とよばれる少量生産半導体製造生産システムが開発されてきている(特許文献1参照)。すなわち、「ミニマルファブ」とは、必ずしもクリーン度が制御されていない通常の処理室内に、それぞれデバイス製造プロセスの単一の処理プロセスを実行する複数の小型処理装置を配置し、各小型処理装置間でウェハを搬送しながらウェハに各種の処理プロセスを実行することにより、デバイスを製造するものである。

この場合、製造ラインを収容する大きなクリーンルームが必要ないことなどから、従来の半導体デバイスの製造ラインに比べ、製造に係るエネルギー効率を大幅に向上させることができる利点がある。また、「ミニマルファブ」においては、製造ラインを構築するための設備投資額を、従来の半導体デバイスの製造ラインと比較して大幅に抑制することができるという利点もある。

概要

少量生産半導体製造生産システムの基本概念を大きく変更することなく、大型の処理装置を少量生産半導体製造生産システムに組み込むことが可能な、外付け処理装置およびデバイス製造システムを提供する。外付け処理装置30は、極小単位のデバイスを作製するウェハWに対してそれぞれ単一のプロセスを実行する複数の小型処理装置20を含むデバイス製造装置10に対して外付けで組み込まれるものである。外付け処理装置30は、内部のクリーン度が制御された処理室31と、処理室31内に配置され、ウェハWに対して極小単位のデバイスを作製する複数のプロセスのうちの一のプロセスを実行する大型処理装置40と、処理室31にウェハを搬送する際に開閉する開閉窓34を有する受渡しユニット32とを備えている。大型処理装置40と受渡しユニット32との間で、自動でウェハWの受け渡しが行われる。

目的

本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、その目的は、少量生産半導体製造生産システムの基本概念を大きく変更することなく、大型の処理装置を少量生産半導体製造生産システムに組み込むことが可能な、外付け処理装置およびデバイス製造システムを提供する

効果

実績

技術文献被引用数
0件
牽制数
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請求項1

極小単位のデバイスを作製するウェハに対してそれぞれ単一のプロセスを実行する複数の小型処理装置を含むデバイス製造装置に対して外付けで組み込まれる、外付け処理装置であって、内部のクリーン度が制御された処理室と、前記処理室内に配置され、前記ウェハに対して前記極小単位のデバイスを作製する複数のプロセスのうちの一のプロセスを実行する大型処理装置と、前記処理室に前記ウェハを搬送する際に開閉する開閉部を有する受渡しユニットとを備え、前記大型処理装置と前記受渡しユニットとの間で、自動でウェハの受渡しが行われることを特徴とする外付け処理装置。

請求項2

前記大型処理装置は、電子線描画装置であることを特徴とする請求項1記載の外付け処理装置。

請求項3

前記外付け処理装置は、移動可能であることを特徴とする請求項1又は2記載の外付け処理装置。

請求項4

前記処理室は、長さが6.0m〜6.1m、高さが2.5m〜2.6m、幅が2.4m〜2.5mであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項記載の外付け処理装置。

請求項5

前記ウェハは円形であり、前記ウェハの直径は、0.5インチ(12.7mm)であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項記載の外付け処理装置。

請求項6

前記デバイス製造装置の各小型処理装置と前記外付け処理装置との間で前記ウェハを搬送する搬送ラインが設けられ、前記受渡しユニットは、前記搬送ラインから搬送されてきた前記ウェハを受け取ることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項記載の外付け処理装置。

請求項7

極小単位のデバイスを作製するウェハに対してそれぞれ単一のプロセスを実行する複数の小型処理装置を含むデバイス製造装置と、前記デバイス製造装置に対して外付けで組み込まれた、請求項1乃至6のいずれか一項記載の外付け処理装置とを備えたことを特徴とするデバイス製造システム

請求項8

前記大型処理装置は電子線描画装置であり、前記複数の小型処理装置の少なくとも1つは露光装置であり、前記デバイス製造装置の各小型処理装置と前記外付け処理装置との間で前記ウェハを搬送する搬送ラインが設けられ、前記搬送ラインは、前処理工程が施された前記ウェハを、前記電子線描画装置又は前記露光装置へ切換自在に搬送することを特徴とする請求項7記載のデバイス製造システム。

技術分野

0001

本発明は、極小単位のデバイスを作製するウェハに対してそれぞれ単一のプロセスを実行する複数の小型処理装置を含むデバイス製造装置に対して外付けで組み込まれる、外付け処理装置、および、デバイス製造装置と外付け処理装置とを備えたデバイス製造システムに関する。

背景技術

0002

従来の半導体デバイス製造ラインは、広大クリーンルーム内に、複数の大型の処理装置を配置し、各処理装置内で12インチ(304.8mm)などの大口径のウェハを処理することにより、1枚のウェハから数千個の半導体チップを製造することが一般的である。しかしながら、従来の巨大半導体製造システムにおいては、個々の製造装置が巨大であり、工場内で容易に移動できるものではなかった。また、設備投資額が数千億円程度に達し、巨額であるという問題や、半導体等のデバイス製造に関する研究開発成果を実際の製造ラインで実用化することが難しいという問題等があった。

0003

これに対して、近年、いわゆる「ミニマルファブ」とよばれる少量生産半導体製造生産システムが開発されてきている(特許文献1参照)。すなわち、「ミニマルファブ」とは、必ずしもクリーン度が制御されていない通常の処理室内に、それぞれデバイス製造プロセスの単一の処理プロセスを実行する複数の小型処理装置を配置し、各小型処理装置間でウェハを搬送しながらウェハに各種の処理プロセスを実行することにより、デバイスを製造するものである。

0004

この場合、製造ラインを収容する大きなクリーンルームが必要ないことなどから、従来の半導体デバイスの製造ラインに比べ、製造に係るエネルギー効率を大幅に向上させることができる利点がある。また、「ミニマルファブ」においては、製造ラインを構築するための設備投資額を、従来の半導体デバイスの製造ラインと比較して大幅に抑制することができるという利点もある。

先行技術

0005

特開2012−054414号公報

発明が解決しようとする課題

0006

ところで、このような少量生産半導体製造生産システム(ミニマルファブ)におけるリソグラフィプロセスとしては、小型レーザ露光装置を用いる技術が開発されてきている。しかしながら、小型レーザ露光装置を用いた場合、1μm以下の微細パターンを形成することは困難であると考えられる。一方、従来の電子線描画装置は、1μm以下の微細パターンを形成することは可能であるが、装置を小型化すると振動に弱くなる等の問題があることから、電子線描画装置を少量生産半導体製造生産システム(ミニマルファブ)内に組み込むことは難しいと考えられる。このため、少量生産半導体製造生産システム(ミニマルファブ)において、他の小型処理装置と同様の大きさをもつ小型化された電子線描画装置は開発されていない。

0007

本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、その目的は、少量生産半導体製造生産システムの基本概念を大きく変更することなく、大型の処理装置を少量生産半導体製造生産システムに組み込むことが可能な、外付け処理装置およびデバイス製造システムを提供することにある。

課題を解決するための手段

0008

本発明の一実施の形態による外付け処理装置は、極小単位のデバイスを作製するウェハに対してそれぞれ単一のプロセスを実行する複数の小型処理装置を含むデバイス製造装置に対して外付けで組み込まれる、外付け処理装置であって、内部のクリーン度が制御された処理室と、前記処理室内に配置され、前記ウェハに対して前記極小単位のデバイスを作製する複数のプロセスのうちの一のプロセスを実行する大型処理装置と、前記処理室に前記ウェハを搬送する際に開閉する開閉部を有する受渡しユニットとを備え、前記大型処理装置と前記受渡しユニットとの間で、自動でウェハの受け渡しが行われることを特徴とするものである。

0009

本発明の一実施の形態による外付け処理装置において、前記大型処理装置は、電子線描画装置であってもよい。

0010

本発明の一実施の形態による外付け処理装置において、前記外付け処理装置は、移動可能であってもよい。

0011

本発明の一実施の形態による外付け処理装置において、前記処理室は、長さが6.0m〜6.1m、高さが2.5m〜2.6m、幅が2.4m〜2.5mであってもよい。

0012

本発明の一実施の形態による外付け処理装置において、前記ウェハは円形であり、前記ウェハの直径は、0.5インチ(12.7mm)であってもよい。

0013

本発明の一実施の形態による外付け処理装置において、前記デバイス製造装置の各小型処理装置と前記外付け処理装置との間で前記ウェハを搬送する搬送ラインが設けられ、前記受渡しユニットは、前記搬送ラインから搬送されてきた前記ウェハを受け取ってもよい。

0014

本発明の一実施の形態によるデバイス製造システムは、極小単位のデバイスを作製するウェハに対してそれぞれ単一のプロセスを実行する複数の小型処理装置を含むデバイス製造装置と、前記デバイス製造装置に対して外付けで組み込まれた、前記外付け処理装置とを備えたことを特徴とするものである。

0015

本発明の一実施の形態によるデバイス製造システムにおいて、前記大型処理装置は電子線描画装置であり、前記複数の小型処理装置の少なくとも1つは露光装置であり、前記デバイス製造装置の各小型処理装置と前記外付け処理装置との間で前記ウェハを搬送する搬送ラインが設けられ、前記搬送ラインは、前処理工程が施された前記ウェハを、前記電子線描画装置又は前記露光装置へ切換自在に搬送してもよい。

発明の効果

0016

本発明によれば、少量生産半導体製造生産システムの基本概念を大きく変更することなく、大型処理装置を少量生産半導体製造生産システムに組み込むことができる。

図面の簡単な説明

0017

図1は、本発明の一実施形態に係る外付け処理装置と、該外付け処理装置が組み込まれるデバイス製造装置とを示す概略平面図である。
図2は、小型処理装置を示す斜視図である。
図3は、本発明の一実施形態に係る外付け処理装置を示す概略断面図である。
図4は、変形例による外付け処理装置とデバイス製造装置とを示す概略平面図である。

実施例

0018

以下、図面を参照しながら本発明の各実施形態について説明する。図面は例示であり、説明のために特徴部を誇張することがあり、実物とは異なる場合がある。また、技術思想を逸脱しない範囲において適宜変更して実施することが可能である。なお、以下の各図において、同一部分には同一の符号を付しており、一部詳細な説明を省略する場合がある。

0019

まず、本発明の一実施形態に係る外付け処理装置が組み込まれる、デバイス製造装置の構成について説明する。図1は、本実施形態に係る外付け処理装置と、外付け処理装置が組み込まれるデバイス製造装置とを示す概略平面図である。

0020

図1に示すデバイス製造装置10は、いわゆる「ミニマルファブ」とよばれる少量生産半導体製造生産システムであり、建屋11と、建屋11内に配置された複数の小型処理装置20とを含んでいる。建屋11の外部には、本実施形態に係る外付け処理装置30が配置されている。なお、デバイス製造装置10と、外付け処理装置30とにより、本実施形態に係るデバイス製造システム60が構成されている。

0021

建屋11は、クリーン度が制御されていない例えば通常の工場の建屋であっても良い。この建屋11には、小型処理装置20と外付け処理装置30との間でウェハWを移動させる扉12が設けられている。

0022

各小型処理装置20は、極小単位の半導体デバイスを作製するウェハWに対してそれぞれ単一のプロセスを実行するものであり、例えばコータ塗工機)、露光機エッチャーエッチング装置)、ディベロッパ現像機)、洗浄機CVD炉スパッタリング装置等を含む。

0023

この小型処理装置20は、後述するように、極小単位の半導体デバイス、本実施形態としては典型的には、円形の0.5インチ(12.7mm)サイズのウェハWから1個あるいは少数個の半導体デバイスを作製するウェハサイズ処理対象とし、それを1枚ずつ処理するものである。このような直径0.5インチのウェハからは、1cm2の半導体デバイスを1個作製することができる。つまり、本実施形態によるデバイス製造装置10は、極小単位の半導体デバイスを作製するウェハサイズのウェハを用い、そのウェハを1枚ずつ枚葉処理する処理方式を採用している。なお、本明細書において「ウェハ」は、外形が円形に限るものではなく、任意の外形形状のものを含む。

0024

この場合、ウェハWは、1枚ずつ密閉搬送容器13に収容され、この状態で各小型処理装置20間を順次搬送される。ウェハWは、小型処理装置20で密閉搬送容器13から取り出され、小型処理装置20内で半導体デバイスを作製するための各種処理が行われる。その後、ウェハWは、当該小型処理装置20で密閉搬送容器13に収容され、小型処理装置20から搬出される。

0025

各小型処理装置20は、幅約294mm×奥行き約450mm×高さ約1440mmの外形寸法に規格統一された略直方体とされ、その重量はそれぞれの小型処理装置20によって異なるが、標準的には約60キログラムとされている。このうち、プロセス処理本体部21は、縦横が約30cm、高さが約70cmに規格統一された略直方体のデスクトップサイズとされ、その重量は標準的には約30キログラムとされている。なお、本明細書において、「小型処理装置」とは、上記規格統一された外形寸法をもつ処理装置をいう。また、「大型処理装置」とは、「小型処理装置」よりも外形寸法が大きい処理装置をいい、例えば従来の形状をもつ処理装置も含まれる。

0026

図2に示すように、各小型処理装置20は、単一の処理プロセスを行うための処理空間を有するプロセス処理本体部21と、プロセス処理本体部21に対する原料供給系排気系、制御装置等を内蔵する装置下部22と、プロセス処理本体部21と装置下部22とを分離可能に接続する上下連結スペーサ23とを有している。

0027

このうちプロセス処理本体部21は、外気遮断することができる密閉型となっており、装置下部22に内包した、或いは小型処理装置20の外部に設けた局所クリーン化装置によって、内部のクリーン化が行えるようになっている。

0028

また、各小型処理装置20の一面には、1枚のウェハWを各小型処理装置20と密閉搬送容器13との間で受け渡すためのウェハ入出前室24が連結されている。ウェハ入出前室24は、規格化された外形を有しているとともに同一の構成を有しており、どの小型処理装置20に対しても所定位置に配置され、同様に機能するように構成されている。ウェハ入出前室24は、従来の半導体製造装置における処理チャンバーに設けられるロードロック室及びアンロードロック室と同様な機能を有するものであり、密閉搬送容器13との接続のためのドッキングポート25がその上部に設けられている。

0029

また、各小型処理装置20間には、ウェハWを収納する密閉搬送容器13を搬送するための搬送ライン14が設けられている。この搬送ライン14には、ベルト式メカニカル式などの半導体製造装置に通常用いられる機構を用いることができる。該搬送ライン14は、小型処理装置20のウェハ入出前室24の間で、密閉搬送容器13を搬送するように構成されている。

0030

次に、図3を参照して、本実施形態に係る外付け処理装置30の概要について説明する。

0031

図3に示すように、外付け処理装置30は、クリーンルームからなる処理室31と、処理室31内に配置された大型処理装置40と、処理室31の側面に設けられた受渡しユニット32とを備えている。外付け処理装置30は、処理室31ごと移動可能な構成を有しており、例えばフォークリフト等の搬送手段によって適宜移動することができる。

0032

処理室31には、例えば空気中の塵埃を除去する給排気システム33が設けられており、これにより処理室31内部のクリーン度を制御し、クリーン度を高めるようになっている。また処理室31には、図示しない環境制御装置により、処理室31内の温度、湿度気流、振動、交流磁場等の環境を制御可能となっている。前記環境制御装置は処理室内部に組み込まれているか、あるいは温度及び湿度等については外部から制御された空気を導入する方式でも良い。

0033

処理室31は、一般的なコンテナサイズをもつ直方体形状を有しており、その大きさ(外形)は、例えば長さが6.0m〜6.1m、高さが2.5m〜2.6m、幅が2.4m〜2.5mである。これにより、フォークリフトやコンテナトラックなど一般的なコンテナ輸送手段を用いて、外付け処理装置30を容易に搬送することできる。また、外付け処理装置30が自走式である場合、これにより、容易に移動可能となる。なお、本明細書中、処理室31の長さとは、処理室31を構成する直方体一辺のうち鉛直軸(Z軸)に直交する軸(X軸)に沿った長さをいい、処理室31の高さとは、処理室31を構成する直方体の一辺のうち鉛直軸(Z軸)に沿った長さをいい、処理室31の幅とは、処理室31を構成する直方体の一辺のうち鉛直軸(Z軸)および上記長さ方向の軸(X軸)に直交する軸(Y軸)に沿った長さをいう。

0034

受渡しユニット32は、処理室31にウェハWを搬送する際に開閉する開閉窓(開閉部)34を有している。この開閉窓34により、処理室31に対して密閉搬送容器13を搬入搬出することができる。なお、受渡しユニット32は、上述した小型処理装置20のウェハ入出前室24と同一の構成を有しており、開閉窓34は、小型処理装置20のドッキングポート25と同一の構成を有している。この場合、受渡しユニット32が、規格化されたウェハ入出前室24と同一の構成を有するので、外付け処理装置30を、様々なデバイス製造装置10に対して外付けで組み込むことが容易となる。

0035

受渡しユニット32は、上述したデバイス製造装置10の搬送ライン14に接続されている。この場合、受渡しユニット32は、搬送ライン14から搬送されてきた密閉搬送容器13に収容されたウェハWを受け取るようになっている。また、受渡しユニット32は、大型処理装置40との間で、自動でウェハWの受渡しを行うように構成されている。

0036

すなわち、受渡しユニット32は、開放された開閉窓34から密閉搬送容器13を搬入した後、開閉窓34を閉鎖する。その後、内部のクリーン度を高めた状態で密閉搬送容器13からウェハWを取り出して、ウェハWを大型処理装置40に対して受け渡す。一方、大型処理装置40でウェハWに対して処理を行った後、受渡しユニット32は、ウェハWを大型処理装置40から受け取り、密閉搬送容器13に収容する。その後、開閉窓34を開放して、密閉搬送容器13に収容されたウェハWを搬送ライン14に対して受け渡す。

0037

また、大型処理装置40は、ウェハWに対して極小単位のデバイスを作製する複数のプロセスのうちの一のプロセスを実行するものであり、例えば電子線描画装置からなっている。

0038

図3に示すように、大型処理装置(電子線描画装置)40は、例えばコータからなる小型処理装置20によって電子線レジストが塗布されたウェハWに対して電子線を照射することにより、電子線レジストに対して所定のパターン形状を描画するものである。

0039

この大型処理装置40は、たとえば、陰極41、ウェーネルト42及び陽極43から構成される電子銃44と、アライメントコイル45と、第1アパーチャ46と、縮小レンズ系47と、第2アパーチャ48と、対物レンズ49とを有している。また、電子銃44、アライメントコイル45、第1アパーチャ46、縮小レンズ系47、第2アパーチャ48および対物レンズ49は、筐体50によって取り囲まれている。また、ウェハWは、電子線が照射される際、ステージ51上に載置されており、ステージ51によって水平移動可能となっている。なお、電子線描画装置の基本構成は従来公知のものと略同様であり、ここでは詳細な説明を省略する。

0040

次に、このような構成からなる本実施の形態の作用について述べる。

0041

まず、デバイス製造装置10の小型処理装置20のうち、例えばスピンコータ等のコータからなる小型処理装置20において、ウェハWの表面全域に電子線レジストが塗布される。電子線レジスト塗布処理が完了した後、ウェハWは、密閉搬送容器13に収容された状態で、小型処理装置20(コータ)のウェハ入出前室24から取り出される。

0042

次に、ウェハWは、搬送ライン14を介してプリベーク装置からなる小型処理装置20に搬送される。続いて、ウェハWは、小型処理装置20(プリベーク装置)のウェハ入出前室24内で密閉搬送容器13から取り出され、プリベーク処理が施される。具体的には、ウェハWに塗布された電子線レジストのうち、溶剤が除去される。プリベーク処理が完了した後、ウェハWは、密閉搬送容器13に収容された状態で、小型処理装置20(プリベーク装置)のウェハ入出前室24から取り出される。

0043

続いて、ウェハWは、搬送ライン14によってデバイス製造装置10の建屋11から搬出され、外付け処理装置30に向けて搬送される。外付け処理装置30に到達した後、ウェハWは、搬送ライン14から外付け処理装置30の受渡しユニット32に受け渡される。受渡しユニット32は、開放された開閉窓34から密閉搬送容器13を搬入した後、開閉窓34を閉鎖する。その後、受渡しユニット32は、内部のクリーン度を高めるとともに、密閉搬送容器13からウェハWを取り出し、取り出したウェハWを電子線描画装置からなる大型処理装置40に自動的に受け渡す。

0044

この大型処理装置40(電子線描画装置)において、ウェハWには電子線が照射され、ウェハW上の電子線レジストに対して所定のパターン形状が描画される。この場合、大型処理装置40(電子線描画装置)の電子銃44から電子ビームが放出され、この電子ビームは、アライメントコイル45によりビーム中心光軸に調節され、第1アパーチャ46で周辺ボケ部分がカットされ、縮小レンズ系47を経てビーム径縮小され、第2アパーチャ48によりビーム成形され、対物レンズ49によりウェハW上に集束されて描画が施される。

0045

このようにして電子線描画処理が完了した後、ウェハWは、大型処理装置40(電子線描画装置)から受渡しユニット32に自動的に受け渡される。受渡しユニット32は、内部のクリーン度を高めた状態で、ウェハWを密閉搬送容器13に収容し、その後、開閉窓34を開放して、密閉搬送容器13を搬送ライン14に受け渡す。

0046

次に、ウェハWは、搬送ライン14によって外付け処理装置30からデバイス製造装置10の建屋11内に再度搬入され、現像装置からなる小型処理装置20に送られる。続いて、ウェハWは、小型処理装置20(現像装置)のウェハ入出前室24内で密閉搬送容器13から取り出され、現像処理が施される。具体的には、ウェハWに塗布された電子線レジストのうち、未感光部が現像液によって除去される。現像処理が完了した後、ウェハWは、密閉搬送容器13に収容された状態で、小型処理装置20(現像装置)のウェハ入出前室24から取り出される。

0047

その後、エッチャー等の小型処理装置20を順次経ることにより、ウェハWに対して各種プロセス処理が施され、これにより極小単位のデバイスが作製される。

0048

このように本実施の形態によれば、外付け処理装置30は、極小単位のデバイスを作製するウェハWに対してそれぞれ単一のプロセスを実行する複数の小型処理装置20によって構成されたデバイス製造装置10に対して外付けで組み込まれるようになっている。また、デバイス製造装置10は、ウェハWに対して極小単位のデバイスを作製する複数のプロセスのうちの一のプロセスを実行する大型処理装置40を有している。これにより、少量生産半導体製造生産システム(ミニマルファブ)の基本概念を大きく変更することなく、大型処理装置40を少量生産半導体製造生産システムに組み込むことができる。

0049

また本実施の形態によれば、大型処理装置40は、電子線描画装置であるので、ウェハWに対して1μm以下、とりわけ100nm以下の微細パターンを高解像かつ高精度で形成することが可能となる。とりわけ、振動に弱くなる等の問題があるため小型化が難しいと考えられている電子線描画装置を、少量生産半導体製造生産システム(ミニマルファブ)に連係させることができる。

0050

また本実施の形態によれば、外付け処理装置30は移動自在であるので、デバイス製造装置10のレイアウトを変更したり、デバイス製造装置10を移動したりする際の運搬位置決め作業等を容易に行うことができる。また、外付け処理装置30は、一般的なコンテナサイズを有しているので、フォークリフトやコンテナ用トラックなど一般的な輸送手段を用いて輸送することができる。

0051

また本実施の形態によれば、外付け処理装置30は移動自在であるので、同一の外付け処理装置30を、複数のデバイス製造ラインで必要な場合のみ使用することも可能となる。

0052

また本実施の形態によれば、デバイス製造装置10は、各小型処理装置20間でウェハWを搬送する搬送ライン14を有し、外付け処理装置30の受渡しユニット32は、搬送ラインから搬送されてきたウェハWを受け取る。これにより、外付け処理装置30および各小型処理装置20間で、ウェハWを自動で搬送することができ、作業の省力化を図ることができる。

0053

なお、これに限らず、処理の枚数が少ない場合等、外付け処理装置30と各小型処理装置20と間で、作業者手作業で密閉搬送容器13を搬送しても良い。この場合、様々な処理プロセスに対して柔軟に対応することができる。

0054

上記実施形態では、外付け処理装置30の大型処理装置40(電子線描画装置)を用いてウェハW上のレジストを感光させる場合を例にとって説明した。しかしながら、これに限らず、小型処理装置20の少なくとも1つが、小型レーザ露光装置等からなる露光装置であり、この露光装置と上記大型処理装置40(電子線描画装置)とが、選択的にウェハW上のレジストを感光させるようになっていても良い。

0055

この場合、図4に示すように、デバイス製造装置10の建屋11内に、小型処理装置20A(コータ)、小型処理装置20B(プリベーク装置)、小型処理装置20C(露光装置)、小型処理装置20D(現像装置)、小型処理装置20E(エッチャー)が配置されている。また、建屋11の外部に、大型処理装置(電子線描画装置)40を有する外付け処理装置30が配置されている。搬送ライン14は、小型処理装置20(コータ)および小型処理装置20B(プリベーク装置)によって前処理工程が施されたウェハWを、外付け処理装置30又は小型処理装置20C(露光装置)へ切換自在に搬送するようになっている。これにより、例えば単品のデバイスを生産する場合や微細パターンを形成する場合には大型処理装置(電子線描画装置)40を用い、微細なパターンを含まない多数のデバイスを生産する場合には小型処理装置20C(露光装置)を用いるなど、デバイスに応じて柔軟に処理方法切り換ることが可能となる。なお、図4において、図1乃至図3に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付してある。

0056

また、上記実施の形態では、大型処理装置40が電子線描画装置である場合を例にとって説明したが、これに限らず、大型処理装置40は、例えばCVD装置イオン注入装置等であっても良い。

0057

上記実施の形態および変形例に開示されている複数の構成要素を必要に応じて適宜組合せることも可能である。あるいは、上記実施の形態および変形例に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。

0058

10デバイス製造装置
13密閉搬送容器
14搬送ライン
20 小型処理装置
21プロセス処理本体部
22 装置下部
23 上下連結スペーサ
24ウェハ入出前室
30外付け処理装置
31処理室
32受渡しユニット
33給排気システム
34開閉窓(開閉部)
40 大型処理装置
60 デバイス製造システム

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