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技術 チップ形コンデンサ及びその製造方法

出願人 サン電子工業株式会社
発明者 吉澤均竹谷豊寺司和生濱野幹治池内一智
出願日 2014年5月30日 (6年6ヶ月経過) 出願番号 2014-113037
公開日 2015年12月17日 (5年0ヶ月経過) 公開番号 2015-228405
状態 未査定
技術分野 電解コンデンサの端子・電極等 電解コンデンサ
主要キーワード JISC 形状記号 リード線端子 導出面 鉛フリーリフロー 半田付け面積 補助端子 置換メッキ法
関連する未来課題
重要な関連分野

この項目の情報は公開日時点(2015年12月17日)のものです。
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図面 (16)

課題

実装時の半田付け良否を容易に判別して耐振動性の低下を防止できるチップ形コンデンサを提供する。

解決手段

複数のリード線11、12が導出されるコンデンサ本体10と、コンデンサ本体10に装着されるとともにリード線11、12の端子部11a、12aを一面の基板実装面20aに配して回路基板30上に載置される実装部20とを備え、端子部11a、12aが回路基板30に半田付けされるチップ形コンデンサ1において、実装部20が有機金属錯体化合物を含む樹脂により形成されるとともに基板実装面20aに対して傾斜した傾斜面20dを基板実装面20aの周縁に有し、基板実装面20a及び傾斜面20d上にレーザ照射して金属を露出させた領域にメッキを施して形成される補助端子部21を設けた。

概要

背景

従来のチップ形コンデンサは特許文献1に開示される。このコンデンサは陽極及び陰極リード線導出されるコンデンサ本体と、コンデンサ本体に装着される座板とを備えている。座板は樹脂成形品により形成され、回路基板上に載置される基板実装面上に一対の溝部が凹設される。

溝部にはリード線が挿通される挿通孔が設けられ、リード線の先端を折曲した端子部が溝部内に配される。これにより、基板実装面の表面に端子部を配した面実装可能なチップ形のコンデンサが形成される。この時、溝部に配した端子部の先端は座板の周縁から突出する。また、溝部の両側方の基板実装面上には金属メッキにより形成された補助端子部が設けられる。

上記構成のコンデンサは端子部の半田付けによって回路基板に実装される。この時、補助端子部も回路基板に半田付けされる。このため、コンデンサが端子部及び補助端子部により広い面積で回路基板に固着され、コンデンサの耐振動性を向上することができる。従って、振動の大きい約5Gを越える強い耐振動性が求められる車載等の用途に適したコンデンサが得られる。

概要

実装時の半田付けの良否を容易に判別して耐振動性の低下を防止できるチップ形のコンデンサを提供する。複数のリード線11、12が導出されるコンデンサ本体10と、コンデンサ本体10に装着されるとともにリード線11、12の端子部11a、12aを一面の基板実装面20aに配して回路基板30上に載置される実装部20とを備え、端子部11a、12aが回路基板30に半田付けされるチップ形コンデンサ1において、実装部20が有機金属錯体化合物を含む樹脂により形成されるとともに基板実装面20aに対して傾斜した傾斜面20dを基板実装面20aの周縁に有し、基板実装面20a及び傾斜面20d上にレーザ照射して金属を露出させた領域にメッキを施して形成される補助端子部21を設けた。

目的

本発明は、実装時の半田付けの良否を容易に判別して耐振動性の低下を防止できるチップ形のコンデンサ及びその製造方法を提供する

効果

実績

技術文献被引用数
0件
牽制数
0件

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請求項1

複数のリード線導出されるコンデンサ本体と、前記コンデンサ本体に装着されるとともに前記リード線の端子部を一面の基板実装面に配して回路基板上に載置される実装部とを備え、前記端子部が回路基板に半田付けされるチップ形コンデンサにおいて、前記実装部が有機金属錯体化合物を含む樹脂により形成されるとともに前記基板実装面に対して傾斜した傾斜面を前記基板実装面の周縁に有し、前記基板実装面及び前記傾斜面上にレーザ照射して金属を露出させた領域にメッキを施して形成される補助端子部を設けたことを特徴とするチップ型コンデンサ

請求項2

前記基板実装面の法線に対する前記傾斜面の傾斜角度を3゜〜80゜に形成したことを特徴とする請求項1に記載のチップ形コンデンサ。

請求項3

前記基板実装面の法線に対する前記傾斜面の傾斜角度を10゜〜60゜に形成したことを特徴とする請求項1に記載のチップ形コンデンサ。

請求項4

陽極の前記リード線と陰極の前記リード線とが前記コンデンサ本体の同一の導出面から導出され、前記導出面と回路基板との間に配される座板により前記実装部を形成したことを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載のチップ形コンデンサ。

請求項5

前記座板が前記リード線を挿通する挿通孔と前記リード線の先端を折曲した前記端子部を収納する溝部とを有し、前記補助端子部が前記溝部内にも形成されることを特徴とする請求項4に記載のチップ形コンデンサ。

請求項6

前記実装部が前記コンデンサ本体の周面に配され、前記コンデンサ本体上の前記リード線の導出面に対して前記基板実装面が直交することを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載のチップ形コンデンサ。

請求項7

前記コンデンサ本体が電解コンデンサから成ることを特徴とする請求項1〜請求項6のいずれかに記載のチップ型コンデンサ。

請求項8

複数のリード線が導出されるコンデンサ本体と、前記コンデンサ本体に装着されるとともに前記リード線の端子部を一面の基板実装面に配して回路基板上に載置される実装部とを備え、前記端子部が回路基板に半田付けされるチップ形コンデンサの製造方法において、前記基板実装面に対して傾斜した傾斜面を前記基板実装面の周縁に設けた前記実装部を有機金属錯体化合物が含まれた樹脂により形成する実装部形成工程と、レーザ照射により前記傾斜面及び前記基板実装面上に金属を露出させるレーザ照射工程と、前記レーザ照射工程で金属が露出した領域にメッキを施して回路基板に半田付けされる補助端子部を形成するメッキ工程とを備えたことを特徴とするチップ形コンデンサの製造方法。

技術分野

0001

本発明は、基板面実装されるチップ形コンデンサ及びその製造方法に関する。

背景技術

0002

従来のチップ形コンデンサは特許文献1に開示される。このコンデンサは陽極及び陰極リード線導出されるコンデンサ本体と、コンデンサ本体に装着される座板とを備えている。座板は樹脂成形品により形成され、回路基板上に載置される基板実装面上に一対の溝部が凹設される。

0003

溝部にはリード線が挿通される挿通孔が設けられ、リード線の先端を折曲した端子部が溝部内に配される。これにより、基板実装面の表面に端子部を配した面実装可能なチップ形のコンデンサが形成される。この時、溝部に配した端子部の先端は座板の周縁から突出する。また、溝部の両側方の基板実装面上には金属メッキにより形成された補助端子部が設けられる。

0004

上記構成のコンデンサは端子部の半田付けによって回路基板に実装される。この時、補助端子部も回路基板に半田付けされる。このため、コンデンサが端子部及び補助端子部により広い面積で回路基板に固着され、コンデンサの耐振動性を向上することができる。従って、振動の大きい約5Gを越える強い耐振動性が求められる車載等の用途に適したコンデンサが得られる。

先行技術

0005

特開2012−138414号公報(第7頁−第12頁、第6図)
特許第3881338号公報
特表2000−503817号公報

発明が解決しようとする課題

0006

上記従来のコンデンサは回路基板に実装した際に半田付けの良否を確認する検査が行われる。この検査はコンデンサを基板実装面の反対側からカメラ等により観察し、座板から突出した端子部の先端に沿って形成される半田フィレットの有無を判別して行われる。

0007

しかしながら、上記の検査では補助端子部の半田付け状態を判別できないため、補助端子部の半田付けが正常に行われていない場合に回路基板上に実装したコンデンサの耐振動性が低くなる問題があった。

0008

本発明は、実装時の半田付けの良否を容易に判別して耐振動性の低下を防止できるチップ形のコンデンサ及びその製造方法を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段

0009

上記目的を達成するために本発明は、複数のリード線が導出されるコンデンサ本体と、前記コンデンサ本体に装着されるとともに前記リード線の端子部を一面の基板実装面に配して回路基板上に載置される実装部とを備え、前記端子部が回路基板に半田付けされるチップ形コンデンサにおいて、前記実装部が有機金属錯体化合物を含む樹脂により形成されるとともに前記基板実装面に対して傾斜した傾斜面を前記基板実装面の周縁に有し、前記基板実装面及び前記傾斜面上にレーザ照射して金属を露出させた領域にメッキを施して形成される補助端子部を設けたことを特徴としている。

0010

この構成によると、コンデンサ本体からリード線が導出され、実装部の基板実装面上に各リード線の端子部が配される。実装部は有機金属錯体化合物を含む樹脂により形成され、補助端子部は基板実装面上及び基板実装面の周縁の傾斜面上にレーザ照射して金属を露出させた領域にメッキを施して形成される。レーザ照射により有機金属錯体化合物が分解して金属が析出し、該金属が樹脂のスポンジ層に絡まって存在してメッキの下地となるためメッキの付着強度が向上する。チップ形コンデンサは端子部及び補助端子部を回路基板に半田付けして実装される。回路基板上に実装されたチップ型コンデンサは基板実装面の反対側から観察され、端子部の先端及び傾斜面に沿って形成される半田フィレットの有無により半田付けの良否が判別される。

0011

また本発明は、上記構成のチップ形コンデンサにおいて、前記基板実装面の法線に対する前記傾斜面の傾斜角度を3゜〜80゜に形成したことを特徴としている。

0012

また本発明は、上記構成のチップ形コンデンサにおいて、前記基板実装面の法線に対する前記傾斜面の傾斜角度を10゜〜60゜に形成したことを特徴としている。

0013

また本発明は、上記構成のチップ形コンデンサにおいて、陽極の前記リード線と陰極の前記リード線とが前記コンデンサ本体の同一の導出面から導出され、前記導出面と回路基板との間に配される座板により前記実装部を形成したことを特徴としている。この構成によると、コンデンサ本体の導出面から導出されるリード線が回路基板に対向する基板実装面上に導かれて端子部を形成する。

0014

また本発明は、上記構成のチップ形コンデンサにおいて、前記座板が前記リード線を挿通する挿通孔と前記リード線の先端を折曲した前記端子部を収納する溝部とを有し、前記補助端子部が前記溝部内にも形成されることを特徴としている。この構成によると、リード線が挿通孔を貫通して先端に形成される端子部が溝部内に配される。溝部内に形成される補助端子部はチップ形コンデンサの実装時に端子部と半田付けされる。

0015

また本発明は、上記構成のチップ形コンデンサにおいて、前記実装部が前記コンデンサ本体の周面に配され、前記コンデンサ本体上の前記リード線の導出面に対して前記基板実装面が直交することを特徴としている。この構成によると、コンデンサ本体の周面に実装部が配され、導出面から導出されるリード線が折曲により基板実装面上に導かれて端子部を形成する。実装部はコンデンサ本体を覆う筒状でもよく、コンデンサ本体の一周面に対向する板状でもよい。

0016

また本発明は、上記構成のチップ形コンデンサにおいて、前記コンデンサ本体が電解コンデンサにより形成されることを特徴としている。

0017

また本発明は、複数のリード線が導出されるコンデンサ本体と、前記コンデンサ本体に装着されるとともに前記リード線の端子部を一面の基板実装面に配して回路基板上に載置される実装部とを備え、前記端子部が回路基板に半田付けされるチップ形コンデンサの製造方法において、前記基板実装面に対して傾斜した傾斜面を前記基板実装面の周縁に設けた前記実装部を有機金属錯体化合物が含まれた樹脂により形成する実装部形成工程と、レーザ照射により前記傾斜面及び前記基板実装面上に金属を露出させるレーザ照射工程と、前記レーザ照射工程で金属が露出した領域にメッキを施して回路基板に半田付けされる補助端子部を形成するメッキ工程とを備えたことを特徴としている。

0018

この構成によると、実装部形成工程で有機金属錯体化合物を含む樹脂の射出成形等により傾斜面を有した実装部が形成される。次に、レーザ照射工程で傾斜面及び基板実装面の所定領域にレーザ照射して有機金属錯体化合物を分解し、金属を析出して露出させる。次に、メッキ工程でレーザ照射工程による金属の露出領域にメッキが施され、傾斜面及び基板実装面上に補助端子部が形成される。コンデンサ本体のリード線は基板実装面上に端子部を形成し、端子部及び補助端子部の半田付けによりチップ形コンデンサが回路基板に実装される。

発明の効果

0019

本発明によると、実装部が有機金属錯体化合物を含む樹脂により形成され、補助端子部が基板実装面及び傾斜面上にレーザ照射して金属を露出させた領域にメッキを施して形成される。これにより、傾斜面上に容易に補助端子部を設けることができるとともに、チップ型コンデンサの実装時に端子部及び傾斜面に沿って半田フィレットが形成される。従って、半田フィレットの有無により実装時の半田付けの良否を容易に判別し、チップ形コンデンサの耐振動性の低下を防止することができる。

図面の簡単な説明

0020

本発明の第1実施形態のコンデンサを示す正面図
本発明の第1実施形態のコンデンサの座板を示す底面図
本発明の第1実施形態のコンデンサの座板を示す正面図
本発明の第1実施形態のコンデンサの座板を示す側面断面図
本発明の第1実施形態のコンデンサの製造工程を示す工程図
本発明の第1実施形態のコンデンサの実装部形成工程を示す平面図
本発明の第1実施形態のコンデンサの実装時の状態を示す上面図
図7のE−E断面図
図7のF−F断面図
本発明の第2実施形態のコンデンサの座板を示す底面図
本発明の第2実施形態のコンデンサの座板を示す正面図
本発明の第3実施形態のコンデンサの座板を示す底面図
本発明の第3実施形態のコンデンサの座板を示す正面図
本発明の第4実施形態のコンデンサを示す斜視図
本発明の第4実施形態のコンデンサを示す底面図

実施例

0021

以下に図面を参照して本発明の実施形態を説明する。図1は第1実施形態のチップ形のコンデンサの正面図を示している。コンデンサ1はコンデンサ本体10及び座板20を備えている。

0022

コンデンサ本体10は電解コンデンサから成り、有底筒状金属ケース14内にコンデンサ素子13が収納される。金属ケース14の開放端ゴム等の封口部材15により封止される。コンデンサ素子13は陽極箔及び陰極箔(いずれも不図示)を電解紙等のセパレータ(不図示)を介して巻回して形成される。陽極箔はアルミニウムタンタルニオブチタン等の弁作用金属から成り、表面に誘電体皮膜が形成される。

0023

陰極箔はセパレータを介して陽極箔に対向し、アルミニウム等により形成される。また、陽極箔の誘電体皮膜の表面と陰極箔の表面との間のセパレータを含む空間には駆動用電解液含浸導電性ポリマー層の形成によって実質的な陰極が形成される。

0024

陽極箔及び陰極箔にはそれぞれリード線11、12が取り付けられている。リード線11、12は封口部材15を貫通し、封口部材15の表面により形成される導出面10aから導出される。これにより、コンデンサ本体10はリード線11、12が同一方向に延びた所謂リード線端子同一方向形(JISC5101−1形状記号04形)に形成される。

0025

図2図3図4は座板20の底面図、正面図及び側面断面図を示している。座板20は樹脂成形品から成り、一面をコンデンサ本体10の導出面10aに接して他面に基板実装面20aを形成する。座板20の一面の四隅にはコンデンサ本体10に被嵌される支柱部24が一体に成形される。支柱部24によって座板20に対するコンデンサ本体10の揺れを抑制し、コンデンサ1の耐振動性を向上することができる。

0026

座板20の基板実装面20a上には対向する一対の溝部20cが凹設される。溝部20cの一端は座板20の周面まで延びて開放される。溝部20c内にはそれぞれリード線11、12が挿通される挿通孔20bが設けられる。

0027

また、座板20には基板実装面20aに対して傾斜した傾斜面20dが基板実装面20aの周縁に設けられる。傾斜面20dは座板20の溝部20cが開口した両端面に沿って形成される。基板実装面20aの法線に対する傾斜面20dの傾斜角度θは3゜〜80゜に形成される。

0028

挿通孔20bに挿通されたリード線11、12は先端を折曲して端子部11a、12aが形成され、溝部20c内に端子部11a、12aが収納される。この時、端子部11a、12aの先端は座板20の周面から突出する。これにより、コンデンサ1は基板実装面20aの表面に端子部11a、12aを配して面実装化されたチップ形(JISC5101−1形状記号32形)に形成される。尚、端子部11a、12aの先端を座板20の周面と同一面内に配してもよい。

0029

座板20の傾斜面20d及び基板実装面20a上には回路基板に半田付けされる金属から成る補助端子部21が設けられる。補助端子部21は後述するようにメッキ工程を含む製造工程により形成される。本実施形態では、補助端子部21が一対の溝部20cの両側方及び溝部20cの底面上の6箇所にそれぞれ配置される。

0030

コンデンサ1は端子部11a、12a及び補助端子部21に半田が塗布され、240℃〜260℃の鉛フリーリフローを通して回路基板に実装される。座板20はコンデンサ本体10と回路基板との間に配されて回路基板上に載置される実装部を構成する。補助端子部21によって半田付け面積が大きくなるためコンデンサ1の耐振動性を高く維持することができる。

0031

図5は補助端子部21を含む座板20の製造工程を示している。実装部形成工程はレーザ光活性化する有機金属錯体化合物を含む熱可塑性高分子材料から成る耐熱性樹脂によって座板20を形成する。レーザ光で活性化する有機金属錯体化合物の一例として、FerroGmbH社製の銅含有のSpinellsPK3095(特許文献2、特許文献3参照)等を用いることができる。

0032

リフロー半田付け時の温度が240℃〜260℃であるため、座板20はASTM規格D648、荷重0.455MPaで定義した熱変形温度が200℃以上の耐熱性が要求される。このような耐熱性の樹脂として、芳香族ナイロンポリフタルアミド(PPA)、ポリフェニレンサルファイド(PPS)、ポリアミドポリイミド液晶ポリマー(LCP)等を用いることができる。

0033

また、座板20はUL規格のUL94(2.0mm厚)で測定したときにV0またはV1相当の難燃性を有するとより望ましい。更に、支柱部24は最小肉厚が例えば0.4mmでコンデンサ本体10を保持する必要があり、座板20には耐衝撃性が必要である。このため、ASTM規格D4812の3.2mm幅ノッチ無しの条件のアイゾット試験による衝撃強度が50J/m以上の樹脂が望ましい。

0034

具体的には、SABIC社製UX08325(ポリフタルアミド、熱変形温度:263℃、衝撃強度:351J/m)、SABIC社製EXTC0015(芳香族ナイロン、熱変形温度:261℃)、RTP社製4099X117359D(ポリフタルアミド、熱変形温度:279℃)、RTP社製299X113399H(ポリアミド、熱変形温度:249℃)、RTP社製3499-3X113393C(LCP、熱変形温度:274℃)、BASF社製ウルトラアミドT4381LDS(ポリアミド、熱変形温度:265℃)等の市販品を用いることができる。

0035

そして、耐熱性樹脂に予め数重量%の有機金属錯体化合物を混練して樹脂ペレット顆粒)を形成し、射出成形によって傾斜面20dを有した座板20が形成される。この時、図6に示すように1ショットの成形で大量の座板20を形成することができる。このため、金属板の補助端子部21を一体にインサート成形して座板20を形成するよりも工数を削減することができる。

0036

次に、レーザ照射工程では座板20の基板実装面20a及び傾斜面20d上の補助端子部21を形成する領域にレーザ照射される。これにより、該領域の樹脂表面が活性化され、約10μmの深さでスポンジ状に生地荒れして粗面化されたスポンジ層が形成される。同時に当該領域の有機金属錯体化合物が分子破壊され、スポンジ層に銅等の金属が析出して露出する。析出した金属は樹脂のスポンジ層に絡まった形で存在し、後述するメッキのシーズとなる。

0037

この時、傾斜面20dの傾斜角度θ(図4参照)が3゜よりも小さいと、レーザ照射の効率が低下するため座板20の製造工数が大きくなる。このため、傾斜角度θを3゜以上に形成することによって座板20の製造工数を削減することができる。傾斜角度θを10゜以上に形成すると製造工数を更に削減できるためより望ましい。

0038

次に、メッキ工程では座板20を化学還元メッキ液に浸漬する。化学還元メッキ液として例えば、硫酸銅等の銅塩と、塩化銅ホスフィン酸塩等の還元剤との溶液を用いることができる。これにより、レーザ照射工程で露出した金属をシーズとして銅等の金属メッキ層を形成し、座板20の傾斜面20d及び基板実装面20a上に補助端子部21が形成される。メッキ工程を電気メッキ電解メッキ)により行って補助端子部21を形成してもよい。

0039

尚、銅等の金属メッキ層の半田付け性の改善のため、置換メッキ法により錫無電解メッキ等による表面仕上げが行われる。この時、銅のメッキ厚は数μm、錫のメッキ厚は1μm以下でよい。これにより、基板実装面20aからの補助端子部21の突出量D(図3参照)は数μmとなり、補助端子部21と基板実装面20aとの同一面性を容易に確保することができる。従って、クリーム半田の厚みが多少薄い場合でも半田付け不良を防止することができる。

0040

メッキによって補助端子部21を形成するので一度に大量の処理が可能で作業能率が高い。また、レーザが照射された領域にのみ選択的にメッキが施されるので、メッキ液を削減することができる。従って、座板20及びコンデンサ1の製造工数を削減するとともに環境負荷も少なくすることができる。

0041

図7は回路基板に実装したコンデンサ1の上面図を示している。また、図8図9はそれぞれ図7のE−E断面図及びF−F断面図を示している。コンデンサ1はリフローを通して回路基板30上に端子部11a、12a及び補助端子部21を半田31により半田付けして実装される。この時、正常に半田付けが行われると、端子部11a、12aの先端に沿って半田フィレット31aが形成され、傾斜面20dに沿って補助端子部21の部分に半田フィレット31bが形成される。

0042

半田フィレット31a、31bは上方(基板実装面20aの反対側)から見てコンデンサ1の周囲から突出する。このため、実装後のコンデンサ1を上方からカメラ等により観察し、半田フィレット31a、31bの有無によって端子部11a、12a及び補助端子部21の半田付けの良否を容易に判別できる。

0043

傾斜面20dの厚み方向の長さL(図4参照)は、半田フィレット31bが上方から視認できる程度に座板20から突出するように形成される。この時、傾斜面20dの傾斜角度θが80゜よりも大きいと、座板20の周部において板厚が小さくなるため強度が低下する。このため、傾斜面20dの傾斜角度θを80゜以下に形成し、座板20の強度を高く維持することができる。傾斜面20dの傾斜角度θを60゜以下に形成すると、座板20の強度を更に高くできるためより望ましい。

0044

また、コンデンサ1をリフローに通す際に半田がリード線11、12の端子部11a、12aを伝って溝部20c内の補助端子部21に付着する。これにより、溝部20c内の補助端子部21とリード線11、12とが固着され、コンデンサ本体10と座板20との固着強度を向上することができる。

0045

本実施形態によると、座板20(実装部)が有機金属錯体化合物を含む樹脂により形成される。また、補助端子部21が基板実装面20a及び傾斜面20d上にレーザ照射して金属を露出させた領域にメッキを施して形成される。これにより、基板実装面20aに対して傾斜した傾斜面20d上に容易に補助端子部21を設けることができる。また、コンデンサ1の実装時に端子部11a、12aの先端及び傾斜面20dに沿って半田フィレット31a、31bが形成される。従って、半田フィレット31a、31bの有無により実装時の半田付けの良否を容易に判別し、コンデンサ1の耐振動性の低下を防止することができる。

0046

また、基板実装面20a上の補助端子部21と基板実装面20aとの同一面性を容易に確保することができ、半田付け不良を低減することができる。

0047

また、基板実装面20aの法線に対する傾斜面20dの傾斜角度θを3゜〜80゜に形成したので、座板20の製造工数を削減できるとともに強度を高く維持することができる。

0048

また、基板実装面20aの法線に対する傾斜面20dの傾斜角度θを10゜〜60゜に形成すると、座板20の製造工数をより削減できるとともに強度をより高くできる。

0049

また、陽極のリード線11と陰極のリード線12とがコンデンサ本体10の同一の導出面10aから導出され、導出面10aと回路基板30との間に配される座板20に端子部11a、12a及び補助端子部21が形成される。これにより、耐振動性の高いコンデンサ1を容易に実現することができる。

0050

また、座板20がリード線11、12を挿通する挿通孔20b及び端子部11a、12aを収納する溝部20cを有し、補助端子部21が溝部20c内にも形成される。これにより、コンデンサ1の実装時に溝部20c内の補助端子部21が端子部11a、12aと半田付けされる。従って、コンデンサ本体10と座板20との固着強度を向上することができる。

0051

次に、図10図11は第2実施形態のコンデンサ1の座板20を示す底面図及び正面図である。説明の便宜上、前述の図1図9に示す第1実施形態と同様の部分には同一の符号を付している。本実施形態は基板実装面20a上、溝部20c内及び挿通孔20c内に補助端子部21が連続して形成される。その他の部分は第1実施形態と同一である。

0052

挿通孔20bは回路基板30(図8参照)側を広げる方向に周壁20eを傾斜して形成され、溝部20cは回路基板30側を広げる方向に側壁20fを傾斜して形成される。このため、レーザ照射工程で周壁20e及び側壁20fに容易にレーザを照射することができる。これにより、メッキ工程で周壁20e及び側壁20f上に金属メッキ層が形成される。

0053

従って、補助端子部21を溝部20cの両側部に加えて挿通孔20b及び溝部20c内に連続して形成することができる。尚、基板実装面20aの法線に対する周壁20e及び側壁20fの傾斜角度を80゜以下にすると確実にレーザを照射でき、60゜以下にするとより望ましい。

0054

上記構成のコンデンサ1をリフローに通す際に半田31(図8参照)が周壁20e及び側壁20fを伝って挿通孔20b及び溝部20c内の補助端子部21に付着する。これにより、補助端子部21と回路基板30との半田付け面積を大きくすることができる。

0055

この時、溝部20c及び基板実装面20aに連続する補助端子部21は半田31によって溝部20c内のリード線11、12にそれぞれ導通する。このため、陽極のリード線11に導通する部分と陰極のリード線12に導通する部分との距離B(図10参照)が1mm以上離れて形成される。これにより、陽極のリード線11と陰極のリード線12との短絡を確実に防止することができる。

0056

本実施形態によると、第1実施形態と同様の効果を得ることができる。また、溝部20cの側壁20fが傾斜し、補助端子部21を基板実装面20a上及び溝部20c内に連続して形成することができる。これにより、補助端子部21の半田付け面積が増加してコンデンサ1の耐振動性をより向上することができる。

0057

加えて、挿通孔20bの周壁20fが傾斜し、補助端子部21を基板実装面20a上、溝部20c内及び挿通孔20b内に連続して形成することができる。これにより、補助端子部21の半田付け面積をより増加させることができる。

0058

次に、図12図13は第3実施形態のコンデンサ1の座板20を示す底面図及び正面図を示している。説明の便宜上、前述の図1図9に示す第1実施形態と同様の部分には同一の符号を付している。本実施形態は第1実施形態に対して溝部20c内の補助端子部21を省いている。その他の部分は第1実施形態と同一である。

0059

座板20はレーザ照射工程で基板実装面20a及び傾斜面20d上の溝部20cの両側方にレーザが照射され、補助端子部21が形成される。これにより、コンデンサ1の実装時に端子部11a、12aの先端及び傾斜面20dに沿って半田フィレット31a、31b(図7参照)が形成される。

0060

本実施形態によると、溝部20c内の補助端子部21を省いたためコンデンサ本体10と座板20との固着強度は低下するが、傾斜面20dを設けたので第1実施形態と同様に実装時の半田付け良否を容易に判別することができる。

0061

次に、図14図15は第4実施形態のコンデンサ1を示す斜視図及び底面図を示している。説明の便宜上、前述の図1図9に示す第1実施形態と同様の部分には同一の符号を付している。本実施形態のコンデンサ1は第1実施形態と同様のコンデンサ本体10を備え、導出面10aに対して基板実装面25aが直交したJISC5101−1形状記号88形に形成される。

0062

コンデンサ本体10の周面は導出面10aに対向する開口部25bを有した筒状の外装カバー25により覆われる。外装カバー25の一周面から成る基板実装面25a上の端部には溝部25cが形成される。導出面10aから導出されるリード線11、12は外装カバー25の周面に沿って折曲され、先端の端子部11a、12aが溝部25c内に配される。従って、外装カバー25はコンデンサ本体10の周面と回路基板との間に配されて回路基板上に載置される実装部を構成する。

0063

また、外装カバー20の端子部11a、12aと反対側の端部には基板実装面25aに対して傾斜した傾斜面25dが基板実装面25aの周縁に設けられる。基板実装面25a及び傾斜面25d上には第1実施形態と同様の補助端子部21が形成される。実装部を構成する外装カバー25は座板20(図1参照)と同様に、有機金属錯体化合物を含む樹脂により形成される。また、補助端子部21はレーザ照射工程とメッキ工程により形成される。

0064

本実施形態によると、第1実施形態と同様に、基板実装面25aを有する外装カバー25(実装部)が有機金属錯体化合物を含む樹脂により形成される。また、補助端子部21が基板実装面25a及び傾斜面25d上にレーザ照射して金属を露出させた領域にメッキを施して形成される。これにより、基板実装面25aに対して傾斜した傾斜面25d上に容易に補助端子部21を設けることができる。また、コンデンサ1の実装時に端子部11a、12aの折曲部分及び傾斜面25dに沿って半田フィレット31a、31bが形成される。従って、半田フィレット31a、31bの有無により実装時の半田付けの良否を容易に判別し、コンデンサ1の耐振動性の低下を防止することができる。

0065

尚、補助端子部21の面積を大きくすると、コンデンサ1の剥離強度を大きくすることができる。また、溝部25c内にも補助端子部21を設けてもよい。この時、上記と同様に、補助端子部21の陽極のリード線11に導通する部分と陰極のリード線12に導通する部分との距離を1mm以上離すとより望ましい。

0066

本実施形態において、コンデンサ本体10を覆う筒状の外装カバー25に基板実装面25aを設けて実装部を形成しているが、板状の実装部をコンデンサ本体10の周面に配置して基板実装面25aを設けてもよい。

0067

本発明によると、基板に面実装されるチップ形コンデンサに利用することができる。

0068

1コンデンサ
10 コンデンサ本体
10a導出面
11、12リード線
11a、12a端子部
13コンデンサ素子
14金属ケース
15封口部材
20座板
20a、25a基板実装面
20b挿通孔
20c、25c 溝部
20d、25d 傾斜面
21補助端子部
25外装カバー
30回路基板
31半田
31a、31b 半田フィレット

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