図面 (/)

技術 BiVO4粒子およびその製造方法

出願人 TOTO株式会社
発明者 徳留弘優奥中さゆり
出願日 2013年6月20日 (6年9ヶ月経過) 出願番号 2013-129216
公開日 2015年1月8日 (5年2ヶ月経過) 公開番号 2015-003840
状態 特許登録済
技術分野 重金属無機化合物(II) 水素、水、水素化物 触媒
主要キーワード 円形近似 乾式反応 モノクリニック 酸素発生能 一次粒子形状 ピーク特性 バナジウム換算 閉鎖循環
関連する未来課題
重要な関連分野

この項目の情報は公開日時点(2015年1月8日)のものです。
また、この項目は機械的に抽出しているため、正しく解析できていない場合があります

図面 (6)

課題

本発明は、高結晶性一次粒子微細化を両立させた可視光応答型光触媒を提供する。

解決手段

本発明者にかかる可視光応答型光触媒であるBiVO4は、一次粒子径が100nm以下であり、X線回折により測定される(101)面におけるブラッグ角2θ=18.7°のピークと、(011)面におけるブラッグ角2θ=19.0°のピークがそれぞれ独立して観測されることで、高い光触媒活性を有し、可視応答型光触媒の高活性化に有用である。

概要

背景

可視光応答型光触媒は、太陽光に多く含まれる可視光線利用可能な光触媒として、有機物光分解や、水の光分解による水素製造への応用に期待されている。中でも、水素製造を目指した水分解用光触媒は、再生可能エネルギーを利用した水素製造方法として注目されているが、その高活性化の要求が年々高まっている。

可視光応答性がある水分解用光触媒として、バナジン酸ビスマス(BiVO4)は、水からの酸素発生能が非常に高いことが知られており、水素発生用光触媒と組合せたZスキーム型システムにおいて、高い水分解反応におけるエネルギー変換効率が得られることが知られている(Sasakiら、J.Phys.Chem.C 17536〜17 542ページ、2009年(非特許文献1))。従来、BiVO4は、固相反応法や酸エージング法により作製されることが知られている。特開2004−24936号公報(特許文献1)には、尿素の存在下でNH4VO3とBi(NO3)3を反応させる均一沈殿法(酸エージング法)によるBiVO4の製造方法が記載されている。また、Iwaseら、J.Mater.Chem.7356ページ、2010年(非特許文献2)には、固相反応法によるBiVO4の製造方法が記載されている。

概要

本発明は、高結晶性一次粒子微細化を両立させた可視光応答型光触媒を提供する。 本発明者にかかる可視光応答型光触媒であるBiVO4は、一次粒子径が100nm以下であり、X線回折により測定される(101)面におけるブラッグ角2θ=18.7°のピークと、(011)面におけるブラッグ角2θ=19.0°のピークがそれぞれ独立して観測されることで、高い光触媒活性を有し、可視応答型光触媒の高活性化に有用である。

目的

本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、大きい比表面積、すなわち、微細な一次粒子径と、高い水分解反応活性と相関のある結晶面を有するBiVO4粒子を提供する

効果

実績

技術文献被引用数
0件
牽制数
0件

この技術が所属する分野

(分野番号表示ON)※整理標準化データをもとに当社作成

ライセンス契約や譲渡などの可能性がある特許掲載中! 開放特許随時追加・更新中 詳しくはこちら

請求項1

一次粒子径が100nm以下であり、X線構造解析により測定される結晶構造モノクリニックシーライト構造であり、かつ、(101)面におけるブラッグ角2θ=18.7°のピークと(011)面におけるブラッグ角2θ=19.0°のピークとの中間であるブラッグ角2θ=18.8°のX線強度I(2θ=18.8°)を(011)面におけるブラッグ角2θ=19.0°のX線強度I(2θ=19.0°)で割ることにより得られるX線強度比Aが下記式:A=I(2θ=18.8°)/I(2θ=19.0°)≦0.83を満たすことを特徴とする、BiVO4粒子

請求項2

一次粒子径が80nm以下であることを特徴とする、請求項1に記載のBiVO4粒子。

請求項3

請求項1又は2に記載のBiVO4粒子と水素発生光触媒からなる、水分解用光触媒

請求項4

請求項1〜3のいずれか一項に記載のBiVO4の製造方法であって、ビスマス化合物バナジウム化合物及び錯化剤を水に溶解させた水溶液を、乾燥および焼成することを特徴とする、BiVO4粒子の製造方法。

請求項5

請求項3記載のBiVO4粒子の製造方法であって、焼成温度が、450℃以上600℃以下であることを特徴とする、BiVO4粒子の製造方法。

技術分野

0001

本発明は、BiVO4粒子とその製造方法に関する。

背景技術

0002

可視光応答型光触媒は、太陽光に多く含まれる可視光線利用可能な光触媒として、有機物光分解や、水の光分解による水素製造への応用に期待されている。中でも、水素製造を目指した水分解用光触媒は、再生可能エネルギーを利用した水素製造方法として注目されているが、その高活性化の要求が年々高まっている。

0003

可視光応答性がある水分解用光触媒として、バナジン酸ビスマス(BiVO4)は、水からの酸素発生能が非常に高いことが知られており、水素発生用光触媒と組合せたZスキーム型システムにおいて、高い水分解反応におけるエネルギー変換効率が得られることが知られている(Sasakiら、J.Phys.Chem.C 17536〜17 542ページ、2009年(非特許文献1))。従来、BiVO4は、固相反応法や酸エージング法により作製されることが知られている。特開2004−24936号公報(特許文献1)には、尿素の存在下でNH4VO3とBi(NO3)3を反応させる均一沈殿法(酸エージング法)によるBiVO4の製造方法が記載されている。また、Iwaseら、J.Mater.Chem.7356ページ、2010年(非特許文献2)には、固相反応法によるBiVO4の製造方法が記載されている。

0004

特開2004−24936号公報

先行技術

0005

Sasakiら、J.Phys.Chem.C 17536〜17542ページ、2009年
Iwaseら、J.Mater.Chem.7356ページ、2010年

発明が解決しようとする課題

0006

更なる高活性化の手法として、比表面積の増大が求められているが、高い反応活性を有しつつ比表面積の大きいBiVO4粒子の開発は現状困難であり、さらに、水分解反応に対する高い反応活性を実現可能な結晶面に関する知見はほとんど得られていない。

0007

そこで、本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、大きい比表面積、すなわち、微細一次粒子径と、高い水分解反応活性と相関のある結晶面を有するBiVO4粒子を提供することにある。

課題を解決するための手段

0008

本発明のBiVO4粒子は、一次粒子径が100nm以下であり、X線回折スペクトルにより測定される結晶構造単斜晶シーライト構造であり、かつ、(101)面におけるブラッグ角2θ=18.7°のピークと(011)面におけるブラッグ角2θ=19.0°のピークの中間であるブラッグ角2θ=18.8°のX線強度I(2θ=18.8°)と、(011)面におけるブラッグ角2θ=19.0°のX線強度I(2θ=19.0°)のX線強度比A(I(2θ=18.8°)/I(2θ=19.0°))が0.83以下であることを特徴とする。

発明の効果

0009

本発明によるBiVO4粒子によれば、可視光照射下での高い光触媒活性発現が可能となる。

図面の簡単な説明

0010

BiVO4粒子のX線回折スペクトルにより測定されるブラッグ角2θ=18.8°と、(011)面におけるブラッグ角2θ=19.0°におけるX線強度の概略図である。
BiVO4粒子のX線回折スペクトルにより測定される(200)面におけるブラッグ角2θ=34.5°と、ブラッグ角2θ=34.85°におけるX線強度の概略図である。
本発明の実施例1で得られるBiVO4粒子の走査型電子顕微鏡写真である。
本発明の実施例1で得られるBiVO4粒子のX線回折スペクトルにより測定されるブラッグ角2θ=18.8°と、(011)面におけるブラッグ角2θ=19.0°におけるX線強度である。
本発明の実施例1で得られるBiVO4粒子のX線回折スペクトルにより測定される(011)面におけるブラッグ角2θ=34.5°と、ブラッグ角2θ=34.85°におけるX線強度である。

0011

BiVO4粒子のX線回折スペクトルによるピーク
本発明におけるBiVO4粒子は、微細な一次粒子径と、高い反応活性と相関のある結晶面を有するという特徴を有する。

0012

従来のBiVO4粒子では、X線構造回折において、(101)面におけるブラッグ角2θ=18.7の回折ピークと(011)面におけるブラッグ角2θ=19.0°の回折ピークがそれぞれ独立のピークではなく、単一ピークとして観測されることが知られている。また、(200)面におけるブラッグ角2θ=34.5の回折ピークと(020)面におけるブラッグ角2θ=35.2°の回折ピークも、それぞれ独立のピークではなく単一ピークとして得られる傾向であることが知られていた。また、このようなBiVO4粒子における光触媒活性に及ぼす結晶面依存性に関しても、全く知見がなかった。

0013

本発明者らは、本発明のBiVO4粒子において、微細な一次粒子径を有し、かつ、X線構造回折における(101)面におけるブラッグ角2θ=18.7°のピークと、(011)面におけるブラッグ角2θ=19.0°のピークが、単一のピークではなく、それぞれ独立して観測されることが、BiVO4粒子における高い光触媒活性の発現に必要であることを見出した。ここで、本発明において、(101)面におけるブラッグ角2θ=18.7°のピークと、(011)面におけるブラッグ角2θ=19.0°のピークがそれぞれ独立して観測されるとは、すなわち、(101)面におけるブラッグ角2θ=18.7°のピークと、(011)面におけるブラッグ角2θ=19.0°のピークの中間であるブラッグ角2θ=18.8°のX線強度I(2θ=18.8°)を(011)面におけるブラッグ角2θ=19.0°のX線強度I(2θ=19.0°)で割って得られるX線強度比Aが0.83以下であることを満たすことである。つまり、式で示すと以下のようになる。
A=I(2θ=18.8°)/I(2θ=19.0°)≦0.83

0014

X線構造回折における(101)面におけるブラッグ角2θ=18.7°のピークと、(011)面におけるブラッグ角2θ=19.0°のピークが、単一のピークではなく、それぞれ独立して観測されることが、BiVO4粒子における高い光触媒活性の発現に必要であることを見出した。

0015

本発明のBiVO4粒子のX線構造回折における(101)面におけるブラッグ角2θ=18.7°と、(011)面におけるブラッグ角2θ=19.0°におけるX線強度の概略図を図1に示す。

0016

また、本発明のBiVO4粒子においては、(200)面における2θ=34.5°のピークと、(020)面におけるブラッグ角2θ=35.2°のピークがそれぞれ独立して観測されることが好ましい。ここで、本発明において、(200)面における2θ=34.5°のピークと、(020)面におけるブラッグ角2θ=35.2°のピークがそれぞれ独立して観測されるとは、すなわち、これらのブラッグ角の中間の角度である2θ=34.85°でのX線強度I(2θ=34.85°)を(200)面におけるブラッグ角2θ=34.5°のX線強度I(2θ=34.5°)で割って得られるX線強度比Bが0.5以下であることを満たすことである。つまり、式で示すと以下のようになる。
B=I(2θ=34.85°)/I(2θ=34.5°)≦0.5

0017

本発明のX線構造回折における(200)面における2θ=34.5°と、(020)面におけるブラッグ角2θ=35.2°のX線強度の概略図を図2に示す。

0018

本発明のBiVO4粒子は、このようなX線回折特性を有することで、良好に発達した特定の結晶面を有すると考えられる。また、この発達した結晶面の表面が、光触媒による酸化還元反応イトとして機能することで、迅速に光触媒反応が進行すると考えられる。よって、本発明のBiVO4粒子では、可視光照射下での高い光触媒活性の発現が可能であると考えている。

0019

本発明のBiVO4粒子のX線回折スペクトルの測定方法としては、例えば、X線回折装置(PANalytical製)を用いて、X線管運転条件が、25℃の温度条件で、印加電圧45kV、電流200mAであり、ブラッグ角2θ=10°〜60°の範囲を、2θのスキャン速度が毎分1.0〜5.0°で、0.02〜0.1°間隔で測定することで可能となる。

0020

BiVO4の一次粒子径
本発明のBiVO4粒子は、微細な一次粒子径を有し、好ましくは、100nm以下の一次粒子径であり、さらに好ましくは80nm以下である。このように微細な一次粒子径を有することで、高い比表面積となり、分解対象物質との接触面積が増加し、光触媒活性の向上が期待できるようになる。BiVO4粒子における一次粒子径の評価手法としては、例えば、走査型電子顕微鏡(株式会社日立製作所製、“S−4100” 、以下、SEM)を用い、倍率40000倍で観察した際の結晶粒子50個の円形近似にて求めた直径の平均値で定義することが可能である。

0021

以上のように、本発明のBiVO4粒子は、上記に示すX線回折スペクトルによる(101)面におけるブラッグ角2θ=18.7°のピークと、(011)面におけるブラッグ角2θ=19.0°のピークのそれぞれ独立したピークと、SEMによる微細な一次粒子形状両立することで、高い光触媒活性の発現が可能となる。

0022

BiVO4粒子の製造方法
本発明におけるBiVO4粒子の製造方法としては、固相反応法などの乾式反応法や、酸エージング法、ゾル-ゲル法錯体重合法水熱反応法、均一沈殿法等の湿式反応法が利用可能である。例えば、固相反応法による作製方法としては、酸化ビスマス酸化バナジウム原料として混合し、600℃以上での焼成を経てBiVO4粒子を得る。また、湿式反応法の1つである酸エージング法による作製方法としては、酸化ビスマスと酸化バナジウムを原料として、酢酸または硝酸を含む水溶液に添加後、溶解させ、400℃以上の焼成により、結晶化させる方法がある。本発明のBiVO4粒子の製造方法としては、特に制限は無いが、以下の方法が好ましく利用できる。

0023

ビスマスイオンおよびバナジウムイオンを含む水溶液を用いた粒子の製造
本発明におけるBiVO4粒子の製造方法として、ビスマスイオン及びバナジウムイオンを含む水溶液を用いた熱分解法(水溶液熱分解法)を好ましく用いることが可能である。水溶液熱分解法とは、BiVO4前駆体を原料として用い、このBiVO4前駆体を含む水溶液を加熱することで、溶媒である水の蒸発に伴い、BiVO4前駆体同士の脱水重縮合反応を起こす方法である。金属アルコキシド塩化物等を用いるゾル‐ゲル法では、BiVO4前駆体同士の加水分解による金属水酸化物の生成と、これらの脱水重縮合が速やかに起こることで、結晶核が粗大化しやすい。これに対して、この水溶液熱分解法では、加水分解反応が緩やかなBiVO4前駆体を原料として用いることで、水への安定な溶解が可能となる。また、このBiVO4前駆体を含む水溶液を加熱して、溶媒である水が蒸発することに伴い、BiVO4前駆体同士の脱水重縮合反応が緩やかに起こる。これにより、熱分解時の結晶核の生成速度が遅くなり、結果的に結晶核の微細化が可能となる。

0024

本発明において、従来難水溶性であるビスマス塩バナジウム塩水溶化させる方法として、原料としてビスマスを含む化合物バナジウムを含む化合物に、錯化剤を添加することが好ましい。ビスマスイオンやバナジウムイオンに錯化剤を配位させ、水溶性ビスマス錯体及び水溶性バナジウム錯体を形成することで、水への安定な溶解が可能となり、加水分解を抑制させることが好ましい。

0025

ビスマスを含む化合物としては、水溶性であり、加熱結晶化の際に、残渣としてアニオン成分が残らないものであればよく、例えば、硝酸ビスマス酢酸ビスマス、臭化ビスマス、塩化ビスマス、よう化ビスマス、フッ化ビスマス、クエン酸ビスマス水酸化ビスマス次没食子酸ビスマス等が好ましく用いられ、より好ましくは、硝酸ビスマスが用いられる。また、バナジウムを含む化合物としては、水溶性であり、加熱結晶化の際に、残渣としてアニオン成分が残らないものであればよく、例えば、バナジン酸アンモニウム塩化バナジウム、臭化バナジウム、フッ化バナジウム、等が用いられ、より好ましくは、バナジン酸アンモニウムが用いられる。

0026

ビスマスを含む化合物に添加する錯化剤としては、ビスマスイオンに配位でき、さらに好ましくは、ビスマスイオンに対して1当量で配位できるものが好適に用いられる。例えば、分子中に2つのカルボキシ基を有する水溶性カルボン酸等の親水性錯化剤を好ましく用いることができ、より好ましくは、水溶液中で、ビスマスイオンへの配位能が極めて高いエチレンジアミン四酢酸EDTA)を用いることができる。

0027

バナジウムを含む化合物に添加する錯化剤としては、バナジウムイオンに配位でき、さらに好ましくは、1当量で配位できるものが好適に用いられる。例えば、分子中に2つ以下のカルボキシ基、および1つ以上2つ以内の親水基を有する水溶性カルボン酸等の親水性錯化剤を好ましく用いることができ、より好ましくは、水溶液中で、バナジウムイオンへの配位能が極めて高い酒石酸を用いることができる。これにより、従来極めて水に難溶のビスマスイオンやバナジウムイオンを水溶化でき、さらに、親水部であるカルボキシ基が溶媒相側に露出した場合に起こる分子間での脱水重縮合による分子間重合を抑制できるため、熱分解時の結晶核の微細化が達成でき、熱分解反応後の粒子微細化が可能となる。

0028

本発明のBiVO4粒子の製造において、水溶性バナジウム錯体を含む水溶液と水溶性ビスマス錯体を含む水溶液を混合して、BiVO4前駆体を含む水溶液を調製することが好ましい。これらの好ましい混合比率は、水100重量部に対して、水溶性バナジウム錯体は、バナジウム換算で0.0001〜0.02モルであり、水溶性ビスマスを錯体は、ビスマス換算で0.0001〜0.02モルである。また、水溶性バナジウム錯体を形成するために添加する錯化剤は、バナジウム1モルに対して1〜10倍モルであることが好ましい。また、水溶性ビスマス錯体を形成するために添加する錯化剤は、ビスマス1モルに対して1〜10倍モルであることが好ましい。この比率で混合することで、ビスマスイオンおよびバナジウムイオンが良好に水溶化し、熱分解後高結晶性化及び微細化が可能となる。この範囲以外では、加水分解反応の進行や、分子の疎水性向上による水溶性の低下が起こる恐れがある。また、BiVO4前駆体を含む水溶液のpHは、好ましくは2〜10であり、より好ましくは、4〜10である。この範囲とすることで、水溶液中での各イオンの安定性を維持し、結晶化後の微細化が可能になる。また、強酸強アルカリ雰囲気による加水分解重縮合の促進による結晶粗大化を抑制できる。

0029

BiVO4前駆体を含む水溶液から、BiVO4粒子を製造する方法として、以下の方法が好ましく用いられる。BiVO4前駆体を含む水溶液を200℃以下の低温で乾燥し、乾燥体回収する。この乾燥体を結晶化する為に焼成することで、BiVO4粒子を製造することが可能である。また、この水溶液の乾燥および焼成工程を、連続的に行っても良い。BiVO4における結晶化の際の焼成温度は、400℃を超え700℃未満であり、より好ましくは、450℃以上600℃以下である。この温度範囲とすることで、錯化剤の脱水重縮合により生成するポリマー粒子を熱分解しつつ、高純度なBiVO4粒子を高度に結晶化することが可能となる。

0030

光触媒としての利用方法
本発明のBiVO4粒子を光触媒として水の光分解に用いる場合、水素発生用光触媒とともに、水中に適当なレドックス対(Fe2+/Fe3+、[Co(bpy)3]3+/2+、[Co(phen)3]3+/2+、I−/I3−、I−/IO3−、Co2+/Co3+等)を溶解させるか、もしくは凝集や焼成などの手法により水素発生光触媒と接触させ、水を完全分解できるZスキームシステムの構成とすることで、可視光照射により、水の完全分解が達成可能となる。本発明における水素発生用光触媒として、好ましくは、ロジウムドープチタン酸ストロンチウムである。

0031

以下の実施例によって本発明をさらに詳細に説明する。なお、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

0032

BiVO4粒子の作製
(実施例1〜4)
20mLサンプル瓶に、水10gと錯化剤であるL−(+)酒石酸(和光純薬製)0.0017mol(0.2536g)を添加し、室温で撹拌しながら、メタバナジン酸アンモニウムアルドリッチ製)0.0017mol(0.20g)添加し、50℃で1時間撹拌して水溶性バナジウム錯体を含む赤色透明な水溶液を作製した。また、20mLサンプル瓶に、水10gに、親水性錯化剤であるエチレンジアミン四酢酸(和光純薬製)0.017mol(0.494g)を添加し、25%アンモニア水を1g滴下して水に溶解させた後、室温で撹拌しながら、硝酸ビスマス五水和物(和光純薬製)0.0017mol(0.82g)添加し、室温で1時間撹拌して水溶性ビスマス錯体を含む無色透明な水溶液を作製した。
次いで、上記で作製した水溶性ビスマス錯体を含む水溶液に、水溶性バナジウム錯体を含む水溶液を添加して、室温で3時間撹拌を行った。これにより、BiVO4前駆体を含む青色透明な水溶液を得た。この水溶液のpHは、およそ8であった。
以上のように作製した、BiVO4前駆体水溶液を、80℃で1時間乾燥させた後、表1に示す焼成温度および焼成時間で焼成することで、高温結晶化させ、BiVO4粒子を作製した。作製条件および特性については、表1にまとめる。

0033

(実施例5)
錯化剤として乳酸を用いた以外は、実施例1のBiVO4粒子の作製方法と同様の方法にて、BiVO4粒子を作製した。

0034

(比較例1)
比較例1として、従来の固相反応法により作製したBiVO4を作製した。固相反応法による作製方法は、以下の通りである。
酸化ビスマス(和光純薬製)、五酸化バナジウム(和光純薬製)の各粉末を、Bi:V=1:1のモル比率となるように混合し、700℃で8時間焼成し、比較例1のBiVO4粉末を作製した。作製条件および特性については、表1にまとめる。

0035

(比較例2)
焼成温度を700℃とした以外は、実施例1のBiVO4粒子の作製方法と同様の方法にて、BiVO4粒子を作製した。作製条件および特性については、表1にまとめる。

0036

(比較例3)
焼成温度を400℃とした以外は、実施例1のBiVO4粒子の作製方法と同様の方法にて、BiVO4粒子を作製した。作製条件および特性については、表1にまとめる。

0037

BiVO4粒子の結晶構造と微細構造
実施例および比較例で作製したBiVO4のX線回折測定を行った。その結果、すべてのBiVO4粒子が、単相モノクリニック−シーライト構造を有することが明らかとなった。次いで、走査型電子顕微鏡による観察からBiVO4粒子の一次粒子径を算出した。実施例の一例として、図3に500℃で2時間焼成した後の粉末のSEM像を示す。一次粒子径は、100nm以下であり、高温結晶化処理後も、微細な粒子形状を維持することが分かる。

0038

BiVO4粒子のX線構造解析によるピーク特性
実施例および比較例で作製したBiVO4のX線構造回折スペクトルを以下の方法にて測定した。具体的には、X線回折装置(PANalytical製)を用いて、X線管の運転条件が、25℃の温度条件で、印加電圧45kV、電流200mAであり、ブラッグ角2θ=10°〜60°の範囲を、2θのスキャン速度が毎分2.5°で、0.05°間隔で測定した。得られたX線強度から下記の式を用いて、X線強度比AおよびX線強度比Bを求めた。
X線強度比A=I(2θ=18.8°)/I(2θ=19.0°)
X線強度比B=I(2θ=34.85°)/I(2θ=34.5°)

0039

実施例

0040

BiVO4粒子の水分解による酸素発生活性
実施例および比較例で作製したBiVO4粒子の可視光照射による水分解活性を以下のような方法で調べた。パイレックス登録商標)製上方照射用の窓付きのガラスフラスコに、BiVO4粉末0.2gと、犠牲試薬となる硝酸銀(和光純薬製)を20mmol/L含む水溶液150mlを入れて、スターラーで撹拌しながら、反応溶液とした。そして、この反応溶液を入れたガラスフラスコを閉鎖循環装置(理化学製)に装着し、反応系内の雰囲気をアルゴン置換した。そして、UVカットフィルター(L−42、HOYA製)を装着した300Wキセノンランプ(Cermax製、PE−300BF)により、可視光をパイレックス(登録商標)窓側から照射した。そして、光照射した後3時間の、水が酸化されて生成する酸素発生量を、ガスクロマトグラフ(GLサイエンス製、GC−8A、TCD検出器、MS−5Aカラム)により経時的に調べた。

ページトップへ

この技術を出願した法人

この技術を発明した人物

ページトップへ

関連する挑戦したい社会課題

関連する公募課題

該当するデータがありません

ページトップへ

技術視点だけで見ていませんか?

この技術の活用可能性がある分野

分野別動向を把握したい方- 事業化視点で見る -

(分野番号表示ON)※整理標準化データをもとに当社作成

ページトップへ

おススメ サービス

おススメ astavisionコンテンツ

新着 最近 公開された関連が強い技術

この 技術と関連性が強い人物

関連性が強い人物一覧

この 技術と関連する社会課題

関連する挑戦したい社会課題一覧

この 技術と関連する公募課題

該当するデータがありません

astavision 新着記事

サイト情報について

本サービスは、国が公開している情報(公開特許公報、特許整理標準化データ等)を元に構成されています。出典元のデータには一部間違いやノイズがあり、情報の正確さについては保証致しかねます。また一時的に、各データの収録範囲や更新周期によって、一部の情報が正しく表示されないことがございます。当サイトの情報を元にした諸問題、不利益等について当方は何ら責任を負いかねることを予めご承知おきのほど宜しくお願い申し上げます。

主たる情報の出典

特許情報…特許整理標準化データ(XML編)、公開特許公報、特許公報、審決公報、Patent Map Guidance System データ