図面 (/)

技術 配線基板の処理方法およびその方法を用いて製造される配線基板

出願人 三菱瓦斯化学株式会社菱江化学株式会社
発明者 鈴木智子田代憲史内藤幸英一郷亜加梨
出願日 2014年4月22日 (6年9ヶ月経過) 出願番号 2014-088209
公開日 2014年12月4日 (6年2ヶ月経過) 公開番号 2014-224316
状態 特許登録済
技術分野 プリント配線の製造(1) エッチングと化学研磨(つや出し) プリント配線の製造(2)
主要キーワード 検討範囲 エッチング前処理 配線銅 腐食電流密度 ICパッケージ基板 ルギン管 掃引範囲 各成分濃度
関連する未来課題
重要な関連分野

この項目の情報は公開日時点(2014年12月4日)のものです。
また、この項目は機械的に抽出しているため、正しく解析できていない場合があります

図面 (19)

課題

解決手段

セミアディティブ法において、シード層としての無電解銅と配線パターンとしての電解銅を含む基板を、塩素イオンを含むエッチング前処理液体組成物と接触させる第1の工程、続けて、前記処理済配線基板を、過酸化水素硫酸テトラゾール類、塩素イオン、銅イオンおよび水を含むエッチング用液体組成物でエッチング処理する第2の工程を含む処理を行う。

概要

背景

ICの高密度化に伴い、パッケージ基板配線ルール微細化が進んでいる。この微細化に伴い、パッケージ基板の製造には、広くセミアディティブ(以下SAPと称する場合がある)法が用いられている。このSAP法では、初めに絶縁層である基板上に無電解銅めっき法によりシード層を形成する。次に、フォトリソグラフィ法によりシード層上にレジストパターンを形成する。さらに、露出した無電解銅上に、電解銅めっき法により銅配線パターンを形成する。配線パターンを形成後、レジストを除去する(配線間のスペースとなる)。除去されたレジストパターンの下に形成されている無電解銅のシード層をエッチングにより除去することにより、配線基板が製造される。SAP法では、これまでライン/スペース(以下L/Sと称する場合がある)が12μm/13μm程度まで製造されるようになってきているが、さらに微細化された配線パターンが求められている。しかしながら、これまでのエッチング処理方法では、その要求にこたえることは困難である。

SAP法の欠点の一つとして、シード層である無電解銅をエッチングする際に配線となる電解銅も同時にエッチングするため、エッチング後に電解銅による配線が細くなることが挙げられる。そのため、配線の横方向のエッチング(以下、サイドエッチングと称する)量をあらかじめ考慮して配線パターンを形成するのが一般的である。例えば、L/Sが12μm/13μmの配線を形成する際のサイドエッチング量が片側2μmである時、あらかじめ配線パターンのL/Sを16μm/9μmとすることで、エッチング後にL/Sが12μm/13μmの配線を形成することができる。しかしながら、パターンの微細化に伴い、例えば、仕上がりのL/Sを6μm/6μmと想定した時、サイドエッチング量が前記と同様に片側2μmであると、あらかじめ配線パターンをL/S=10μm/2μmとする必要がある。このように、レジストの露光部分であるスペース幅が狭いと、レジスト内での光の散乱によって露光部分が広がり、レジストパターン形成が著しく困難になる。また、レジストの厚みや露光条件を調整してパターン化が可能であった場合でも、現像後に残存するレジストの幅が狭く、現像時や洗浄時にレジストが剥離したり倒れたりする等、その後に続く配線形成が困難になる場合がある。

このように、目的とする微細化された配線パターンをSAP法で形成する場合において、所望の配線ルールに従ってレジストパターンを形成する時の露光部分の幅を狭くするにも限界がある。従って、シード層の無電解銅をエッチングする際に、配線となる電解銅のサイドエッチング量を従来よりも大幅に抑えることが強く求められている。

サイドエッチング量を抑制するために、シード層の厚さを薄くして、シード層と配線層のエッチング量を少なくすることがこれまで検討されてきた。しかしながら、シード層を薄くすると均一なシード層を形成することが困難となり、配線そのものが形成できない等の問題もでてくる。そのため、シード層としての無電解銅メッキの厚さを薄くすることには限界があり、現状のシード層の厚さは1〜2μmである。さらに、スペース部分となるシード層は、完全に除去する必要がある。よって、ある厚さのシード層をエッチングする理論的な条件以上にエッチング時間を長くしたり、エッチング速度の速いエッチング用液体組成物を用いてエッチングするオーバーエッチングと呼ばれる条件でシード層をエッチングすることが一般的である。

例えば、シード層の厚さが平均1μmであり、1分間で1μmエッチングできるエッチング用液体組成物およびエッチング条件を採用した場合、オーバーエッチングを100%とすると、2分間エッチング処理を行うことを指す。つまり、シード層の厚さが1μmでオーバーエッチングが100%であると、現実には2μmエッチングすることになる。そのため、無電解銅と電解銅のエッチング速度が同一の場合、シード層である無電解銅メッキの厚みを薄くしても、サイドエッチング量を抑制することには限界がある。

そのため、電解銅のエッチング速度(ERE)に対する無電解銅のエッチング速度(ERN)の比(以下、選択比:ERN/ERE)が大きいエッチング液が、従来から求められている。例えば、特許文献1には、第2銅イオン源を主成分としたエッチング液が提案されている。特許文献2には、過硫酸アンモニウム水溶液が提案されている。

特許文献3には過酸化水素硫酸を主成分とする水溶液が提案されている。この場合、銅を溶解させるとき、下記式1および式2に示すように、銅の溶解(アノード反応)とともに過酸化水素の還元カソード反応)が起こる。
アノード反応:Cu → Cu2++ 2e− ・・・式1
カソード反応:H2O2+ 2H+ + 2e−→ 2H2O ・・・式2
特許文献3には、アノード反応およびカソード反応を促進させることによって、言い換えれば、銅イオンを溶解するための酸または電子を供給する過酸化水素の濃度を変えることによって、エッチング速度をコントロールすることが可能であると開示されている。

また、特許文献4には、銅のエッチング速度を好適に調整するために、エッチング液中テトラゾール類トリアゾール類などのアゾール類が添加されている例が示されている。特許文献4には、アゾール類がアノードである銅表面吸着して上記式1で示されるアノード反応を抑制することで、エッチング速度が低下すると記載されている。

概要

配線パターン(電解銅)のサイドエッチングを抑制する。セミアディティブ法において、シード層としての無電解銅と配線パターンとしての電解銅を含む基板を、塩素イオンを含むエッチング前処理用液体組成物と接触させる第1の工程、続けて、前記処理済の配線基板を、過酸化水素、硫酸、テトラゾール類、塩素イオン、銅イオンおよび水を含むエッチング用液体組成物でエッチング処理する第2の工程を含む処理を行う。A

目的

本発明は、配線パターン(電解銅)のサイドエッチングを抑制することのできる配線基板の処理方法およびその方法を用いて製造される高密度な配線基板を提供する

効果

実績

技術文献被引用数
0件
牽制数
1件

この技術が所属する分野

(分野番号表示ON)※整理標準化データをもとに当社作成

ライセンス契約や譲渡などの可能性がある特許掲載中! 開放特許随時追加・更新中 詳しくはこちら

請求項1

セミアディティブ法において、シード層としての無電解銅配線パターンとしての電解銅を含む配線基板を、(a)塩素イオンと(b)水を含むエッチング前処理液体組成物と接触させる第1の工程、ならびに続けて、前記処理済の配線基板を、(c)過酸化水素、(d)硫酸、(e)テトラゾール類、(f)塩素イオン、(g)銅イオンおよび(h)水を含むエッチング用液体組成物でエッチング処理する第2の工程、を含む配線基板の処理方法

請求項2

前記第1の工程と前記第2の工程との間に、洗浄および/または乾燥工程を行わない請求項1に記載の配線基板の処理方法。

請求項3

前記エッチング前処理用液体組成物中の(a)塩素イオン濃度が、1〜10ppmである請求項1または2に記載の配線基板の処理方法。

請求項4

前記(a)塩素イオンが、塩化ナトリウム塩化アンモニウム塩化カリウムまたは塩酸から選ばれる少なくとも1種類の化合物から生成される塩素イオンである請求項1〜3のいずれか1項に記載の配線基板の処理方法。

請求項5

前記第2の工程においてエッチング用液体組成物で配線基板を処理した際の、無電解銅のエッチング速度(ERN)と電解銅のエッチング速度(ERE)の比(ERN/ERE)が2.1〜50である請求項1〜4のいずれか1項に記載の配線基板の処理方法。

請求項6

シード層としての無電解銅と配線パターンとしての電解銅との混成電位差が10〜200mVである、請求項1〜5のいずれか1項に記載の配線基板の処理方法。

請求項7

前記(e)テトラゾール類が、1−メチルテトラゾール、5−エチル−1−メチルテトラゾール、1−エチル−5−メチルテトラゾール、1,5−ジエチルテトラゾール、1−イソプロピル−5−メチルテトラゾール、および1,5−ジメチルテトラゾールから選ばれる少なくとも1種類の化合物である、請求項1〜6のいずれか1項に記載の配線基板の処理方法。

請求項8

セミアディティブ法において、シード層としての無電解銅と配線パターンとしての電解銅とを含む配線基板を、(i)塩素イオン、(j)硫酸および(k)水を含むエッチング前処理用液体組成物と接触させる第1の工程、ならびに続けて、前記処理済の配線基板を、(l)過酸化水素、(m)硫酸、(n)テトラゾール類、(p)塩素イオン、(q)銅イオンおよび(r)水を含むエッチング用液体組成物でエッチングする第2の工程、を含む配線基板の処理方法。

請求項9

前記第1の工程と前記第2の工程との間に、洗浄および/または乾燥工程を行わない請求項8に記載の配線基板の処理方法。

請求項10

前記エッチング前処理用液体組成物中の(i)塩素イオン濃度が0.01〜3ppmであり、(m)硫酸濃度が1〜20質量%である、請求項8または9に記載の配線基板の処理方法。

請求項11

前記(i)塩素イオンが、塩化ナトリウム、塩化アンモニウム、塩化カリウムまたは塩酸から選ばれる少なくとも1種類の化合物から生成される塩素イオンである請求項8〜10のいずれか1項に記載の配線基板の処理方法。

請求項12

前記第2の工程においてエッチング用液体組成物で配線基板を処理した際の、無電解銅のエッチング速度(ERN)と電解銅のエッチング速度(ERE)の比(ERN/ERE)が2.1〜50である請求項8〜11のいずれか1項に記載の配線基板の処理方法。

請求項13

シード層としての無電解銅と配線パターンとしての電解銅との混成電位差が10〜200mVである、請求項8〜12のいずれか1項に記載の配線基板の処理方法。

請求項14

前記(n)テトラゾール類が、1−メチルテトラゾール、5−エチル−1−メチルテトラゾール、1−エチル−5−メチルテトラゾール、1、5−ジエチルテトラゾール、1−イソプロピル−5−メチルテトラゾール、および1、5−ジメチルテトラゾールから選ばれる少なくとも1種類の化合物である、請求項8〜13のいずれか1項に記載の配線基板の処理方法。

請求項15

請求項1〜7のいずれか1項に記載の配線基板の処理方法を含む、配線基板の製造方法。

請求項16

請求項8〜14のいずれか1項に記載の配線基板の処理方法を含む、配線基板の製造方法。

請求項17

請求項15に記載の配線基板の製造方法により製造された配線基板。

請求項18

請求項16に記載の配線基板の製造方法により製造された配線基板。

技術分野

0001

本発明は、セミアディティブ法を用いた配線基板、特にICパッケージ基板を製造する際、エッチング前処理液体組成物を用いて配線基板を前処理し、続いてエッチング処理用液体組成物を用いてエッチングを行う配線基板の処理方法に関する。また、本発明は、該配線基板の処理方法を用いて製造される配線基板にも関する。

背景技術

0002

ICの高密度化に伴い、パッケージ基板配線ルール微細化が進んでいる。この微細化に伴い、パッケージ基板の製造には、広くセミアディティブ(以下SAPと称する場合がある)法が用いられている。このSAP法では、初めに絶縁層である基板上に無電解銅めっき法によりシード層を形成する。次に、フォトリソグラフィ法によりシード層上にレジストパターンを形成する。さらに、露出した無電解銅上に、電解銅めっき法により銅配線パターンを形成する。配線パターンを形成後、レジストを除去する(配線間のスペースとなる)。除去されたレジストパターンの下に形成されている無電解銅のシード層をエッチングにより除去することにより、配線基板が製造される。SAP法では、これまでライン/スペース(以下L/Sと称する場合がある)が12μm/13μm程度まで製造されるようになってきているが、さらに微細化された配線パターンが求められている。しかしながら、これまでのエッチング処理方法では、その要求にこたえることは困難である。

0003

SAP法の欠点の一つとして、シード層である無電解銅をエッチングする際に配線となる電解銅も同時にエッチングするため、エッチング後に電解銅による配線が細くなることが挙げられる。そのため、配線の横方向のエッチング(以下、サイドエッチングと称する)量をあらかじめ考慮して配線パターンを形成するのが一般的である。例えば、L/Sが12μm/13μmの配線を形成する際のサイドエッチング量が片側2μmである時、あらかじめ配線パターンのL/Sを16μm/9μmとすることで、エッチング後にL/Sが12μm/13μmの配線を形成することができる。しかしながら、パターンの微細化に伴い、例えば、仕上がりのL/Sを6μm/6μmと想定した時、サイドエッチング量が前記と同様に片側2μmであると、あらかじめ配線パターンをL/S=10μm/2μmとする必要がある。このように、レジストの露光部分であるスペース幅が狭いと、レジスト内での光の散乱によって露光部分が広がり、レジストパターン形成が著しく困難になる。また、レジストの厚みや露光条件を調整してパターン化が可能であった場合でも、現像後に残存するレジストの幅が狭く、現像時や洗浄時にレジストが剥離したり倒れたりする等、その後に続く配線形成が困難になる場合がある。

0004

このように、目的とする微細化された配線パターンをSAP法で形成する場合において、所望の配線ルールに従ってレジストパターンを形成する時の露光部分の幅を狭くするにも限界がある。従って、シード層の無電解銅をエッチングする際に、配線となる電解銅のサイドエッチング量を従来よりも大幅に抑えることが強く求められている。

0005

サイドエッチング量を抑制するために、シード層の厚さを薄くして、シード層と配線層のエッチング量を少なくすることがこれまで検討されてきた。しかしながら、シード層を薄くすると均一なシード層を形成することが困難となり、配線そのものが形成できない等の問題もでてくる。そのため、シード層としての無電解銅メッキの厚さを薄くすることには限界があり、現状のシード層の厚さは1〜2μmである。さらに、スペース部分となるシード層は、完全に除去する必要がある。よって、ある厚さのシード層をエッチングする理論的な条件以上にエッチング時間を長くしたり、エッチング速度の速いエッチング用液体組成物を用いてエッチングするオーバーエッチングと呼ばれる条件でシード層をエッチングすることが一般的である。

0006

例えば、シード層の厚さが平均1μmであり、1分間で1μmエッチングできるエッチング用液体組成物およびエッチング条件を採用した場合、オーバーエッチングを100%とすると、2分間エッチング処理を行うことを指す。つまり、シード層の厚さが1μmでオーバーエッチングが100%であると、現実には2μmエッチングすることになる。そのため、無電解銅と電解銅のエッチング速度が同一の場合、シード層である無電解銅メッキの厚みを薄くしても、サイドエッチング量を抑制することには限界がある。

0007

そのため、電解銅のエッチング速度(ERE)に対する無電解銅のエッチング速度(ERN)の比(以下、選択比:ERN/ERE)が大きいエッチング液が、従来から求められている。例えば、特許文献1には、第2銅イオン源を主成分としたエッチング液が提案されている。特許文献2には、過硫酸アンモニウム水溶液が提案されている。

0008

特許文献3には過酸化水素硫酸を主成分とする水溶液が提案されている。この場合、銅を溶解させるとき、下記式1および式2に示すように、銅の溶解(アノード反応)とともに過酸化水素の還元カソード反応)が起こる。
アノード反応:Cu → Cu2++ 2e− ・・・式1
カソード反応:H2O2+ 2H+ + 2e−→ 2H2O ・・・式2
特許文献3には、アノード反応およびカソード反応を促進させることによって、言い換えれば、銅イオンを溶解するための酸または電子を供給する過酸化水素の濃度を変えることによって、エッチング速度をコントロールすることが可能であると開示されている。

0009

また、特許文献4には、銅のエッチング速度を好適に調整するために、エッチング液中テトラゾール類トリアゾール類などのアゾール類が添加されている例が示されている。特許文献4には、アゾール類がアノードである銅表面吸着して上記式1で示されるアノード反応を抑制することで、エッチング速度が低下すると記載されている。

先行技術

0010

特開2009−221596号公報
特開平6−330358号公報
特開2009−120870号公報
特開2006−9122号公報

発明が解決しようとする課題

0011

しかしながら、特許文献1の塩化第二銅塩化第二鉄水溶液はエッチング速度が速すぎるため、配線銅のサイドエッチングを制御することが困難である。特許文献2の過硫酸ナトリウム水溶液はエッチング速度が遅く、また、選択比が小さいため、配線の微細化に伴い配線パターンのサイドエッチングの抑制が不充分となる。
特許文献3の方法では、無電解銅と電解銅の選択比を大きく改善することができず、サイドエッチングを減少させることができない。
特許文献4の方法では、アゾール類のアノード吸着特性は無電解銅表面でも作用するため、無電解銅のエッチング速度も低下する。結果的にシード層(無電解銅)を除去するためのエッチング時間が長くなるだけで、配線パターン(電解銅)のサイドエッチングを抑制することは困難であった。

0012

本発明者らは、エッチング用液体組成物と無電解銅および電解銅との間の電気化学的測定混成電位測定)を行うことにより、エッチング時の無電解銅ならびに電解銅のエッチング速度の比(ERN/ERE)を大きくする方法を探索した。さらに、さまざまな多段処理方法にまで検討範囲を広げて、エッチング時の選択比を大きくすることを検討した。本発明は、配線パターン(電解銅)のサイドエッチングを抑制することのできる配線基板の処理方法およびその方法を用いて製造される高密度な配線基板を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段

0013

[1]セミアディティブ法において、シード層としての無電解銅と配線パターンとしての電解銅を含む配線基板を、(a)塩素イオンと(b)水を含むエッチング前処理用液体組成物と接触させる第1の工程、ならびに
続けて、前記処理済の配線基板を、(c)過酸化水素、(d)硫酸、(e)テトラゾール類、(f)塩素イオン、(g)銅イオンおよび(h)水を含むエッチング用液体組成物でエッチング処理する第2の工程、
を含む配線基板の処理方法。
[2] 前記第1の工程と前記第2の工程との間に、洗浄および/または乾燥工程を行わない[1]に記載の配線基板の処理方法。
[3] 前記エッチング前処理用液体組成物中の(a)塩素イオン濃度が、1〜10ppmである[1]または[2]に記載の配線基板の処理方法。
[4] 前記(a)塩素イオンが、塩化ナトリウム塩化アンモニウム塩化カリウムまたは塩酸から選ばれる少なくとも1種類の化合物から生成される塩素イオンである[1]〜[3]のいずれかに記載の配線基板の処理方法。
[5] 前記第2の工程においてエッチング用液体組成物で配線基板を処理した際の、無電解銅のエッチング速度(ERN)と電解銅のエッチング速度(ERE)の比(ERN/ERE)が2.1以上である[1]〜[4]のいずれかに記載の配線基板の処理方法。
[5−1] 前記第2の工程においてエッチング用液体組成物で配線基板を処理した際の、無電解銅のエッチング速度(ERN)と電解銅のエッチング速度(ERE)の比(ERN/ERE)が2.1〜50である[5]に記載の配線基板の処理方法。
[6] シード層としての無電解銅と配線パターンとしての電解銅との混成電位差が10mV以上である、[1]〜[5]のいずれかに記載の配線基板の処理方法。
[6−1] シード層としての無電解銅と配線パターンとしての電解銅との混成電位差が10〜200mVである、[6]に記載の配線基板の処理方法。
[7] 前記(e)テトラゾール類が、1−メチルテトラゾール、5−エチル−1−メチルテトラゾール、1−エチル−5−メチルテトラゾール、1,5−ジエチルテトラゾール、1−イソプロピル−5−メチルテトラゾール、および1,5−ジメチルテトラゾールから選ばれる少なくとも1種類の化合物である、[1]〜[6−1]のいずれかに記載の配線基板の処理方法。
[8] セミアディティブ法において、シード層としての無電解銅と配線パターンとしての電解銅とを含む配線基板を、(i)塩素イオン、(j)硫酸および(k)水を含むエッチング前処理用液体組成物と接触させる第1の工程、ならびに
続けて、前記処理済の配線基板を、(l)過酸化水素、(m)硫酸、(n)テトラゾール類、(p)塩素イオン、(q)銅イオンおよび(r)水を含むエッチング用液体組成物でエッチングする第2の工程、
を含む配線基板の処理方法。
[9] 前記第1の工程と前記第2の工程との間に、洗浄および/または乾燥工程を行わない[8]に記載の配線基板の処理方法。
[10] 前記エッチング前処理用液体組成物中の(i)塩素イオン濃度が0.01〜3ppmであり、(m)硫酸濃度が1〜20質量%である、[8]または[9]に記載の配線基板の処理方法。
[11] 前記(i)塩素イオンが、塩化ナトリウム、塩化アンモニウム、塩化カリウムまたは塩酸から選ばれる少なくとも1種類の化合物から生成される塩素イオンである[8]〜[10]のいずれかに記載の配線基板の処理方法。
[12] 前記第2の工程においてエッチング用液体組成物で配線基板を処理した際の、無電解銅のエッチング速度(ERN)と電解銅のエッチング速度(ERE)の比(ERN/ERE)が2.1以上である[8]〜[11]のいずれかに記載の配線基板の処理方法。
[12−1] 前記第2の工程においてエッチング用液体組成物で配線基板を処理した際の、無電解銅のエッチング速度(ERN)と電解銅のエッチング速度(ERE)の比(ERN/ERE)が2.1〜50である[12]に記載の配線基板の処理方法。
[13] シード層としての無電解銅と配線パターンとしての電解銅との混成電位差が10mV以上である、[8]〜[12]のいずれかに記載の配線基板の処理方法。
[13−1] シード層としての無電解銅と配線パターンとしての電解銅との混成電位差が10〜200mVである、[13]に記載の配線基板の処理方法。
[14] 前記(n)テトラゾール類が、1−メチルテトラゾール、5−エチル−1−メチルテトラゾール、1−エチル−5−メチルテトラゾール、1、5−ジエチルテトラゾール、1−イソプロピル−5−メチルテトラゾール、および1、5−ジメチルテトラゾールから選ばれる少なくとも1種類の化合物である、[8]〜[13−1]のいずれかに記載の配線基板の処理方法。
[14−1] エッチング用液体組成物中の(e)または(n)テトラゾール類の濃度が0.001〜0.1質量%である、[1]〜[14]のいずれかに記載の配線基板の処理方法。
[14−2] 前記エッチング用液体組成物中の(c)または(l)過酸化水素の濃度が0.1〜10質量%である、[1]〜[14−1]のいずれかに記載の配線基板の処理方法。
[14−3] 前記エッチング用液体組成物中の(d)または(m)硫酸の濃度が0.1〜20質量%である、[1]〜[14−2]のいずれかに記載の配線基板の処理方法。
[14−4] 前記エッチング用液体組成物中の(f)または(i)塩素イオンの濃度が0.1〜10ppmである、[1]〜[14−3]のいずれかに記載の配線基板の処理方法。
[15] [1]〜[7]のいずれかに記載の配線基板の処理方法を含む、配線基板の製造方法。
[16] [8]〜[14]のいずれか1項に記載の配線基板の処理方法を含む、配線基板の製造方法。
[17] [15]に記載の配線基板の製造方法により製造された配線基板。
[18] [16]に記載の配線基板の製造方法により製造された配線基板。

発明の効果

0014

本発明のエッチング前処理用液体組成物、およびエッチング用液体組成物を用いた配線基板の処理方法によれば、配線パターン(電解銅)のサイドエッチングを抑制することが可能となり、高密度配線基板の製造を行うことができる。

図面の簡単な説明

0015

内部アノード電流iaおよび内部カソード電流icと電位Eとの関係を表した模式図。
エッチング前処理用液体組成物を使用しない場合の、エッチング用液体組成物と電解銅との電気化学反応を示す分極曲線
エッチング前処理用液体組成物を使用しない場合の、エッチング用液体組成物と無電解銅との電気化学反応を示す分極曲線。
エッチング前処理用液体組成物を使用しない場合の、無電解銅および電解銅の混成電位の時間変化を示す図。
第1の実施形態におけるエッチング前処理用液体組成物を使用した場合の、無電解銅および電解銅の混成電位の時間変化を示す図。
第2の実施形態におけるエッチング前処理用液体組成物を使用した場合の、無電解銅および電解銅の混成電位の時間変化を示す図。
第1の実施形態におけるエッチング前処理用液体組成物を使用した場合の、無電解銅のエッチング速度を示す等高線図
第1の実施形態におけるエッチング前処理用液体組成物を使用した場合の、電解銅のエッチング速度を示す等高線図。
図7図8を重ね合わせた等高線図。
第2の実施形態におけるエッチング前処理用液体組成物を使用した場合の、無電解銅のエッチング速度を示す等高線図。
第2の実施形態におけるエッチング前処理用液体組成物を使用した場合の、電解銅のエッチング速度を示す等高線図。
図10図11を重ね合わせた等高線図。
エッチング処理前の配線パターンのSEM像を示す図(実施例1)。
エッチング処理後の配線パターンのSEM像を示す図(実施例1)。
エッチング処理後の配線パターンのSEM像を示す図(実施例2)。
エッチング処理後の配線パターンのSEM像を示す図(比較例1)。
エッチング処理後の配線パターンのSEM像を示す図(比較例2)。
エッチング処理後の配線パターンのSEM像を示す図(比較例3)。

0016

本発明の第1の実施形態に係る配線基板の処理方法においては、特定のエッチング前処理用液体組成物で処理した後、引き続いてエッチング用液体組成物を用いて処理することにより、無電解銅表面と電解銅表面の電位の差を一定の値で推移させることができる。それによって、無電解銅と電解銅のエッチング速度を制御することができる。

0017

(第1の実施形態)
第1の実施形態に係る配線基板の処理方法は、
セミアディティブ法において、シード層としての無電解銅と配線パターンとしての電解銅を含む配線基板を、(a)塩素イオンと(b)水を含むエッチング前処理用液体組成物と接触させる第1の工程、ならびに
続けて、前記処理済の配線基板を、(c)過酸化水素、(d)硫酸、(e)テトラゾール類、(f)塩素イオン、(g)銅イオンおよび(h)水を含むエッチング用液体組成物でエッチング処理する第2の工程、
を含む。

0018

第1の実施形態において、エッチング前処理用液体組成物(硫酸が存在しない場合)中には塩素イオンが必須の成分である。塩素イオンを発生させる好適な化合物としては、塩酸、塩化ナトリウム、塩化カリウム、塩化アンモニウムが挙げられ、特に好ましくは塩酸である。
塩素イオン濃度は1〜10ppmであり、好ましくは1〜9ppmであり、さらに好ましくは2〜8ppmであり、特に好ましくは3〜7ppmである。塩素イオン濃度が1〜10ppmの範囲である時、無電解銅と電解銅のエッチング速度を好適に制御することができる。

0019

(第2の実施形態)
また、エッチング前処理用液体組成物として、一般的にエッチング処理を行う前に電解銅メッキ表面の酸化物層を除去するための硫酸洗浄工程に使用される硫酸洗浄水に、塩素イオンを共存させたものを使用することもできる。
第2の実施形態に係る配線基板の処理方法は、
セミアディティブ法において、シード層としての無電解銅と配線パターンとしての電解銅とを含む配線基板を、(i)塩素イオン、(j)硫酸および(k)水を含むエッチング前処理用液体組成物と接触させる第1の工程、ならびに
続けて、前記処理済の配線基板を、(l)過酸化水素、(m)硫酸、(n)テトラゾール類、(p)塩素イオン、(q)銅イオンおよび(r)水を含むエッチング用液体組成物でエッチングする第2の工程、
を含む。

0020

エッチング前処理用液体組成物において塩素イオンを発生させる好適な化合物としては、塩酸、塩化ナトリウム、塩化カリウム、塩化アンモニウムが挙げられ、特に好ましくは塩酸および塩化ナトリウムである。
エッチング前処理用液体組成物中の硫酸濃度は1〜20質量%であり、好ましくは2〜15質量%であり、特に好ましくは3〜10質量%である。
硫酸を含むエッチング前処理用液体組成物における塩素イオン濃度は0.01〜3ppmであり、好ましくは0.05〜2ppm、特に好ましくは0.1〜1ppmである。塩素イオン濃度が0.01〜3ppmの範囲である時、無電解銅と電解銅のエッチング速度を好適に制御することができる。

0021

以下、上記第1の実施形態および第2の実施形態について、まとめて説明する。
第1工程で、エッチング前処理用液体組成物を用いることにより、前処理用液体組成物中の塩素イオンが電解銅表面に吸着する。それによって、第2工程で行われるエッチング時に、電解銅の電位をエッチング開始時点から一定の値に維持することができる(図5および図6参照)。
この第1工程および弟2工程を経ることにより、無電解銅(シード層)のエッチング速度と電解銅(配線銅)のエッチング速度に差を設けることができ、本発明の方法は所望の効果を発揮する。

0022

本願のエッチング前処理用液体組成物による処理を行わない従来の方法では、たとえエッチング液中に塩素イオンが存在していても、塩素イオンが電解銅に十分に吸着されるまでの間に配線銅である電解銅のエッチングが進行してしまうため、サイドエッチングの抑制効果が不十分になる(図4参照)。
さらに、吸着した塩素イオンを脱離させないためには、この前処理後水洗などの塩素イオンを除去するような処理を行うことなく、続けてエッチング処理を行うことが重要である。従って、本発明の方法において、第1の工程と第2の工程との間には、洗浄および/または乾燥工程を行わないことが好ましい。

0023

第2工程で使用されるエッチング用液体組成物中の(c)および(l)過酸化水素の濃度は、0.1〜10質量%であり、好ましくは0.3〜7質量%であり、特に好ましくは0.5〜5質量%である。過酸化水素の濃度が0.1〜10質量%である時、好ましいエッチング速度を維持することができる。

0024

エッチング用液体組成物中の(d)および(m)硫酸の濃度は、0.1〜20質量%であり、好ましくは0.5〜15質量%であり、特に好ましくは1〜10質量%である。硫酸の濃度は、0.1〜20質量%である時、好ましいエッチング速度を維持することができる。

0025

(e)および(n)テトラゾール類は、エッチング用液体組成物中に塩素イオンと共に含まれることにより、電解銅のエッチング速度をさらに小さくする効果がある。
テトラゾール類としては、好適には1−メチルテトラゾール、5−エチル−1−メチルテトラゾール、1−エチル−5−メチルテトラゾール、1、5−ジエチルテトラゾール、1−イソプロピル−5−メチルテトラゾール、1、5−ジメチルテトラゾールであり、特に好ましくは1、5−ジメチルテトラゾールである。
エッチング用液体組成物中の(e)および(n)テトラゾール類の濃度は、0.001〜0.1質量%であり、好ましくは0.005〜0.05質量%であり、特に好ましくは0.008〜0.03質量%である。テトラゾール類の濃度は、0.001〜0.1質量%である時、サイドエッチング量をより小さく抑えることができる。

0026

エッチング用液体組成物中の(f)および(i)塩素イオン濃度は0.1〜10ppmであり、好ましくは0.2〜8ppmであり、特に好ましくは0.3〜7ppmである。塩素イオン濃度は0.1〜10ppmである時、サイドエッチング量をより小さく抑えることができる。

0027

エッチング用液体組成物中の(g)および(q)銅イオンの濃度は、0.1〜20質量%であり、好ましくは0.5〜18質量%であり、特に好ましくは1〜15質量%である。銅イオンの濃度は、0.1〜20質量%である時、安定的にエッチング操作を行うことができる。
エッチング用液体組成物に添加される銅イオンを生成する化合物としては、銅のほか、硫酸銅硝酸銅酢酸銅水酸化銅、塩化第二銅、臭化第二銅、フッ化第二銅、ヨウ化第二銅、硫酸アンモニウム銅、およびこれらの水和物が好適に使用されるが、特に硫酸銅、硝酸銅が好ましい。また、エッチング中には、溶解した電解銅および無電解銅からも銅イオンが生じる。前記添加した銅イオン、およびまたは溶解した銅イオンの総量を好適な範囲に維持することによって、同じ浴中にて連続的なエッチング処理が可能となる。

0028

エッチング前処理用液体組成物中の(b)および(k)水、ならびにエッチング用液体組成物中の(h)および(r)水としては、蒸留水イオン交換水超純水等が使用され、特に超純水が良く、水の濃度は上記成分を除いた残部である。
なお、上記において、各成分の濃度は、エッチング前処理用液体組成物またはエッチング用液体組成物に基づく値として表している。

0029

塩素イオンは電解銅と吸脱着を繰り返し、エッチング中に電解銅のエッチング速度を小さく維持するが、エッチングを繰り返すことにより塩素イオン濃度が減少し、エッチング速度が徐々に大きくなりサイドエッチング量が増加する。
そのため、各成分濃度を適宜調整することが必要である。調整は、通常の方法で行うことができる。

0030

以下、図面を参照しながら、本発明の配線基板の処理方法における各工程について詳細に説明する。
本発明の配線基板の処理方法は、シード層としての無電解銅および配線パターンとしての電解銅を含む配線基材に、塩素イオンを含むエッチング前処理用液体組成物を接触させる第1の工程を含むことを特徴とする。

0031

過酸化水素を含む酸性のエッチング用液体組成物はカソード反応支配であるため、電解銅のエッチング速度を低下させるためには、電解銅表面におけるカソード反応(過酸化水素の還元)を抑制する事が必要である。図1は、内部アノード電流iaおよび内部カソード電流icと電位Eとの関係を示した模式図である。混成電位Ecorrでは、電流i=0だが、アノード反応およびカソード反応はia=|ic|=icorrの速度で進行している。カソード反応支配の場合、カソード反応が抑制されると、内部カソード電流 ic はic(1)からic(2)へ減少する。そして、腐食速度を電流で表した腐食電流密度icorrもicorr(1)からicorr(2)へ減少する。また、カソード反応が抑制されることによって、混成電位EcorrはEcorr(1)からEcorr(2)に変わり、卑になる。従って、電解銅の混成電位が卑となるエッチング条件を設定することによって、エッチング速度を低減できる。

0032

先ずは、エッチング用液体組成物と接触させた場合の電解銅および無電解銅の電気化学的測定結果を用いて、本発明の各構成要素および機能を説明する。
図2は、エッチング前処理用液体組成物を使用しない場合の、エッチング用液体組成物と電解銅の電気化学反応を調べた分極曲線である。ここでは、エッチング用液体組成物として、過酸化水素、硫酸、テトラゾール類、銅イオンおよび塩素イオンを含むエッチング液、ならびに比較として、塩素イオンを含まないエッチング液を使用した。分極曲線の測定には、電工社製のHZ−5000を使用した。ポテンシオスタット系としては、銅作用電極白金対電極、およびルギン管塩橋のAg/AgCl参照電極の3電極系を用いた。測定は、混成電位に対して−400mV〜400mVの掃引範囲にて、1mV/秒の掃引速度で行った。
図2より、塩素イオンが含まれることによって、電解銅のカソード反応に伴う電流密度が減少していることがわかる。

0033

図3は、エッチング前処理用液体組成物を使用しない場合の、エッチング用液体組成物と無電解銅の電気化学反応を調べた分極曲線である。ここでは、エッチング用液体組成物として、過酸化水素、硫酸、テトラゾール類、銅イオンおよび塩素イオンを含むエッチング液(実線)、ならびに比較として、塩素イオンを含まないエッチング液(破線)を使用した。測定は、混成電位より20mV卑側から溶解するまで1mV/秒の掃引速度で測定したことを除き、上記記載と同様に行った。
図3より、無電解銅のカソード反応に伴う電流密度は塩素イオンの有無にかかわりなくほぼ同一であった。

0034

図2および図3より、エッチング用液体組成物中に含まれる塩素イオンは、特に電解銅のエッチング速度を減少させることがわかる。これは、塩素イオンが電解銅表面に対してカソード吸着特性を有し、カソード反応を抑制するためと考えられる。一方で、塩素イオンは、電解銅と比較して、無電解銅に対するカソード吸着特性を殆ど有さないため、無電解銅のエッチング速度は殆ど低下させないことが予想される。エッチング用液体組成物中に塩素イオンがあることで、無電解銅のエッチング速度を維持しつつ、電解銅のエッチング速度を低減させることができ、結果的に配線銅である電解銅のサイドエッチングを抑制することが可能となる。

0035

図4は、エッチング前処理用液体組成物を使用せずにエッチング用液体組成物に浸漬した場合の、浸漬時間による、電解銅および無電解銅の混成電位の変化を示した図である。ここでは、エッチング用液体組成物として、過酸化水素、硫酸、テトラゾール類、銅イオンおよび塩素イオンを含むエッチング液を使用した。
図4の混成電位の測定結果から、エッチング液中での電解銅表面に対する塩素イオンのカソード吸着には40秒程度の時間を要し、その後安定した電位を示すことが分かる(電位差は約50mV)。すなわちこの間(約40秒)に電解銅のエッチングが進み、配線銅のサイドエッチングが進行することになる。

0036

次に図5および図6は、無電解銅および電解銅をエッチング前処理用液体組成物に浸漬した後、続けてエッチング用液体組成物に浸漬し、同様にして混成電位を測定した結果を示す。
図5は、第1工程のエッチング前処理用液体組成物として塩素イオンと水を含む液体を使用し(具体的には塩酸水溶液を用いた)、第2工程のエッチング用液体組成物として過酸化水素、硫酸、テトラゾール類、銅イオンおよび塩素イオンを含む液体を使用した場合である。

0037

図6は、第1工程のエッチング前処理用液体組成物として塩素イオン(具体的には塩化ナトリウムを用いた)および硫酸を含む液体を使用し、第2工程のエッチング用液体組成物として過酸化水素、硫酸、テトラゾール類、銅イオンおよび塩素イオンを含む液体を使用した場合である。
図5図6の結果より、第1工程のエッチング前処理用液体組成物を用いた場合、エッチング前処理用液体組成物中の塩素イオンによって、電解銅表面にカソード反応抑制作用を付与することが出来ることが分かる。この作用によって、無電解銅と電解銅の電位差を初期状態より(浸漬ゼロ時間より)大きくする(50〜70mV)ことが可能となる。その結果、電解銅のエッチング速度は低下し、サイドエッチングを抑制することが出来る。

0038

シード層としての無電解銅と配線パターンとしての電解銅との混成電位差は、10mV以上であることが好ましく、10〜200mVであることがより好ましく、15〜200mVであることがさらに好ましく、20〜200mVであることが特に好ましい。無電解銅と電解銅の電位差が10mV以上であれば、無電解銅のエッチング速度が維持される一方で、電解銅のエッチング速度を低下させることができるため、サイドエッチングが進行しない。

0039

第1の実施形態において、第1工程のエッチング前処理用液体組成物は、第1の必須成分として塩素イオンを含む。エッチング前処理用液体組成物中における塩素イオン濃度は、電解銅および無電解銅がエッチング前処理用液体組成物に接触する時間によって変わる(図7、8、9参照)。
図7は、無電解銅を第1の実施形態におけるエッチング前処理用液体組成物中に、塩素イオン濃度(因子1)および時間(因子2)を変化させて浸漬した後、続けてエッチング用液体組成物にてエッチングを行った時のエッチング速度を等高線図で示したものである。図7のx軸はエッチング前処理用液体組成物の塩素イオン濃度を示し、y軸はエッチング前処理用液体組成物に浸漬した浸漬時間である。

0040

実線aは、回帰式(1)のエッチング速度が1.0μm/minである場合の等高線を表している。シード層の厚さが平均1μmであるとき、1分間以下でエッチングでき、さらに無電解銅を完全に除去するために1分30秒間以下(50%オーバーエッチング)でエッチング処理することが望ましい。これより長い時間だと生産性が悪いので、エッチング速度が遅いエッチング液を使用する事は一般的ではない。したがって、必要とされる無電解銅のエッチング速度は、1.0μm/min以上である。

0041

エッチング速度は、エッチング前処理工程前に無電解銅が積層された基板の質量を測定し、第1工程であるエッチング前処理をし、続けて第2工程であるエッチング処理を行った後に基板の質量を測定し、前後の基板の質量差を求めて計算した。ここでは、過酸化水素1.4質量%、硫酸4.2質量%、1,5−ジメチルテトラゾール(1,5−dMTZ)0.01質量%、塩素イオン濃度1ppm(塩化ナトリウムを使用)、銅イオン濃度25g/L(硫酸銅五水和物を使用)、および水(残部)を含むエッチング液を使用した。
無電解銅のエッチング速度(μm/min)=2.7530+(−0.4052×塩素イオン濃度(ppm))+(−0.0028×浸漬時間(s))+(0.0181×塩素イオン濃度(ppm)×塩素イオン濃度(ppm)) ・・・回帰式(1)

0042

図8は、電解銅を、第2の実施形態におけるエッチング前処理用液体組成物中に、塩素イオン濃度(因子1)および時間(因子2)を変化させて浸漬した後、続けてエッチング用液体組成物にてエッチングを行った時のエッチング速度を等高線図で示したものである。
図8のx軸はエッチング前処理用液体組成物の塩素イオン濃度を示し、y軸はエッチング前処理用液体組成物に浸漬した浸漬時間である。
破線bは、下記の回帰式(2)のエッチング速度が0.3μm/minである場合の等高線を表している。配線パターンのL/Sが6μm/6μmであるとき、許容される回路パターンのサイドエッチング量は、片側0.5μmである。従って、必要とされる電解銅のエッチング速度は0.3μm/min以下である。

0043

エッチング速度は、エッチング前処理工程前に電解銅が積層された基板の質量を測定し、第1工程であるエッチング前処理をし、続けて第2工程であるエッチング処理を行った後に基板の質量を測定し、前後の基板の質量差を求めて計算した。ここでは、過酸化水素1.4質量%、硫酸4.2質量%、1,5−ジメチルテトラゾール(1,5−dMTZ)0.01質量%、塩素イオン濃度1ppm(塩化ナトリウムを使用)、銅イオン濃度25g/L(硫酸銅五水和物を使用)、および水(残部)を含むエッチング液を使用した。
電解銅のエッチング速度(μm/min)=0.5568+(−0.0868×塩素イオン濃度(ppm))+(−0.0004×浸漬時間(s))+(0.0055×塩素イオン濃度(ppm)×塩素イオン濃度(ppm)) ・・・回帰式(2)

0044

図9は、図7の結果と図8の結果を重ね合わせた等高線図である。図9の実線aと破線bに囲まれた部分が、エッチング前処理用液体組成物中の塩素イオン濃度および浸漬時間が好適な部分である。

0045

一般に、セミアディティブ法による配線形成工程では、エッチング処理を行う前に金属銅を除去するために硫酸水溶液酸化銅を除去する工程がある。硫酸水溶液処理後に行う水洗処理代替として、第1の実施形態におけるエッチング前処理用液体組成物を利用することが可能であり、工程が増えることはない。

0046

第2の実施形態において、エッチング前処理用液体組成物は、第1の必須成分として塩素イオンを含む。エッチング前処理用液体組成物中における塩素イオンの濃度は、電解銅および無電解銅がエッチング前処理用液体組成物に接触する時間によって変わるため、図10、11および12を用いて説明する。

0047

図10は、無電解銅を第2の実施形態におけるエッチング前処理用液体組成物中に、塩素イオン濃度(因子1)および時間(因子2)を変化させて浸漬した後、続けてエッチング用液体組成物にてエッチングを行った時のエッチング速度を等高線図で示したものである。
図10のx軸はエッチング前処理用液体組成物の塩素イオン濃度を示し、y軸はエッチング前処理用液体組成物に浸漬した浸漬時間である。

0048

図中の実線cは、以下の回帰式(3)のエッチング速度が1.0μm/minである場合の等高線を表している。ここでは、過酸化水素1.4質量%、硫酸4.2質量%、1,5−ジメチルテトラゾール(1,5−dMTZ)0.01質量%、塩素イオン濃度1ppm(塩化ナトリウムを使用)、銅イオン濃度25g/L(硫酸銅五水和物を使用)、および水(残部)を含むエッチング用液体組成物を使用した。
無電解銅のエッチング速度(μm/min)=4.2218+(−7.0811×塩素イオン濃度(ppm))+(−0.0412×浸漬時間(s))+(3.9167×塩素イオン濃度(ppm)×塩素イオン濃度(ppm))+(0.0303×塩素イオン濃度(ppm)×浸漬時間(s)) ・・・回帰式(3)

0049

図11は、電解銅を第2の実施形態におけるエッチング前処理用液体組成物中に、塩素イオン濃度(因子1)および時間(因子2)を変化させて浸漬した後、続けてエッチング用液体組成物にてエッチングを行った時のエッチング速度を等高線図で示したものである。
図11のx軸はエッチング前処理用液体組成物の塩素イオン濃度を示し、y軸はエッチング前処理用液体組成物に浸漬した浸漬時間である。

0050

図中の破線dは、以下の回帰式(4)のエッチング速度が0.3μm/minである場合の等高線を表している。ここでは、過酸化水素1.4質量%、硫酸4.2質量%、1,5−ジメチルテトラゾール0.01質量%、塩素イオン濃度1ppm(塩化ナトリウムを使用)、銅イオン濃度25g/L(硫酸銅五水和物を使用)、および水(残部)を含むエッチング液を使用した。
電解銅のエッチング速度(μm/min)=0.3989+(−0.3278×塩素イオン濃度(ppm))+(−0.0032×浸漬時間(s))+(0.1704×塩素イオン濃度(ppm)×塩素イオン濃度(ppm))+(0.0034×塩素イオン濃度(ppm)×浸漬時間(s)) ・・・回帰式(4)

0051

図12は、図10の結果と図11の結果を重ね合わせた等高線図である。図12の実線cと破線dに囲まれた部分がエッチング前処理液中の塩素イオン濃度および浸漬時間が好適な部分である。

0052

先に記載のとおり、セミアディティブ法による配線形成工程では、エッチング処理を行う前に金属銅を除去するために硫酸水溶液で酸化銅を除去する工程がある。この酸化銅を除去する工程に利用される硫酸水溶液の代替として、第2の実施形態におけるエッチング前処理用液体組成物を利用することが可能であり、工程が増えることはない。

0053

電解銅のサイドエッチング量を抑制するためには、無電解銅のエッチング速度(ERN)と電解銅のエッチング速度(ERE)との比(ERN/ERE)が大きいことが好ましい。上記実施形態によると、第2の工程においてエッチング用液体組成物で配線基板を処理した際の、無電解銅のエッチング速度(ERN)と電解銅のエッチング速度(ERE)との比(ERN/ERE)を2.1以上、または2.1〜50の範囲、または2.5〜40の範囲、または3.0〜30の範囲とすることが可能である。

0054

配線基板を本発明の第1工程で使用されるエッチング前処理用液体組成物と第2工程で使用されるエッチング用液体組成物に接触させる方法としては、浸漬法スプレー法、その他一般的な方法を使用することができる。
第1工程で使用されるエッチング前処理用液体組成物および第2工程で使用されるエッチング用液体組成物と配線基板との接触温度は0℃〜80℃であり、好ましくは10℃〜70℃であり、さらに好ましくは15℃〜60℃である。80℃を超えると過酸化水素の分解が進み、0℃未満である時、エッチング速度が極端に遅くなる。

0055

また、第1工程で使用されるエッチング前処理用液体組成物および第2工程で使用されるエッチング用液体組成物と配線基板との接触時間は、通常、0.1秒〜1000秒であり、好ましくは1秒〜500秒であり、さらに好ましくは2秒〜180秒である。
すなわち、第1工程で使用されるエッチング前処理用液体組成物および第2工程で使用されるエッチング用液体組成物の組成、ならびに環境の温度等により、上記条件は適宜決定されればよい。

0056

本発明の他の実施形態によると、上記第1の実施形態および第2の実施形態に係る配線基板の処理方法を含む、配線基板の製造方法が提供される。また、本発明のさらなる実施形態によると、上記製造方法により製造された配線基板が提供される。

0057

以下、実施例を用いて本発明を具体的に説明する。なお、本発明は下記の実施例に限定して解釈されるものではない。なお、表1〜4において、「1,5−dMTZ」は、1,5−ジメチルテトラゾールを意味する。

0058

<実施例および比較例で用いた試薬
過酸化水素;三菱化学株式会社製60%
硫酸;和光純薬株式会社製特級試薬を純水により46質量%に希釈して使用した。
1,5-ジメチルテトラゾール(1,5−dMTZ);増田化学工業株式会社製試薬
塩酸;和光純薬株式会社製特級試薬
塩化ナトリウム;和光純薬株式会社製特級試薬
硫酸銅五水和物;和光純薬社製特級試薬

0059

測定方法
1.混成電位;電気化学測定装置(北斗電工株式会社、商標HZ−5000)を用いて、二電極法で測定した。無電解銅および電解銅を作用電極とし、ルギン管型塩橋付き銀/塩化銀電極(北斗電工株式会社、商標HX−RAg)を参照電極とした。測定は固定電極で行った。
2.分極曲線;電気化学測定装置(北斗電工株式会社、商標HZ−5000)を用いて、三電極法で測定した。無電解銅および電解銅を作用電極とし、白金を対電極、ルギン管型塩橋付き銀/塩化銀電極(北斗電工株式会社、商標HX−RAg)を参照電極とした。測定は固定電極で行った。
3.SEM観察;走査型電子顕微鏡(SEM:株式会社日立ハイテクノロジーズ、商標S3400)を用いて、加速電圧10kV、倍率6000倍の条件で測定した。

0060

測定例1:エッチング前処理用液体組成物での処理を行う場合
表1記載のエッチング前処理用液体組成物(A1液)およびエッチング液(B1液)を調製した。A1液は、超純水95.5gに0.01%塩酸水溶液を4.5g(塩素イオン4.5ppm)加えて、総重量が100gとなるようにした。また、B1液は、60%過酸化水素水2.33g、46%硫酸水溶液を9.13g、1,5−ジメチルテトラゾールを0.01g、0.0165%塩化ナトリウム水溶液を1.0g、硫酸銅五水和物を9.82g加え、残りを超純水で、総重量が100gとなるようにした。表1に示す各成分の配合量は、エッチング前処理用液体組成物またはエッチング用液体組成物の全質量に対する各成分の質量比率を示す。

0061

樹脂表面に無電解銅のみを積層した基板(以下、「無電解銅のみを積層した基板」とも称する)、および樹脂表面に電解銅のみを積層した基板(以下、「電解銅のみを積層した基板」とも称する)のそれぞれを5%硫酸水溶液に30秒間浸漬して銅表面の酸化銅を除去した。その後、上記二つの基板の水洗工程の代りに、A1液(エッチング前処理用液体組成物)に25℃、30秒間浸漬した。続けて、30℃に設定されたB1液(エッチング用液体組成物)を用いて、無電解銅のみを積層した基板は10秒間浸漬処理をすることによって、電解銅のみを積層した基板は90秒間浸漬処理をすることによって、それぞれエッチングを行った。そして、エッチング処理前後の基板の質量から、下記式によりエッチング量を求めた。

0062

エッチング量 (μm)=(エッチング処理前の質量(g)−エッチング処理後の質量(g))÷基板面積(cm2)÷銅の密度(8.94g/cm3)
求めたエッチング量を処理時間で割り、エッチング速度とした。無電解銅のエッチング速度(ERN)は1.21μm/minで、電解銅のエッチング速度(ERE)は0.16μm/minであった。無電解銅と電解銅とのエッチング速度比は7.6であった。

0063

また、5%硫酸水溶液に30秒間浸漬して銅表面の酸化銅の除去を行った無電解銅のみを積層した基板、および5%硫酸水溶液に30秒間浸漬して銅表面の酸化銅の除去を行った電解銅のみを積層した基板をそれぞれA1液(エッチング前処理用液体組成物)に30秒間浸漬した後、続けてB1液(エッチング用液体組成物)中での混成電位を電気化学測定装置で測定した。そして、測定開始時の無電解銅および電解銅の混成電位から下記式により混成電位差を求めた。
混成電位差 (mV)=無電解銅の混成電位 (mVvs.Ag/AgCl)−電解銅の混成電位(mVvs.Ag/AgCl)
測定開始時の無電解銅の混成電位は130mV(vs.Ag/AgCl)で、電解銅の混成電位は60mV(vs.Ag/AgCl)であった。その差は70mVであった。

0064

測定例2:エッチング前処理用液体組成物での処理を行う場合
表1記載のエッチング前処理用液体組成物(A2液)およびエッチング用液体組成物(B1液)を調製した。A2液は、5%硫酸水溶液99.8gに0.0165%塩化ナトリウム水溶液を0.2g(塩素イオン0.2ppm)加えて、総重量が100gとなるようにした。また、B1液は、60%過酸化水素水2.33g、46%硫酸水溶液を9.13g、1,5−ジメチルテトラゾールを0.01g、0.0165%塩化ナトリウム水溶液を1.0g、硫酸銅五水和物を9.82g加え、残りを超純水とし、総重量が100gとなるようにした。表1に示す各成分の配合量は、エッチング前処理用液体組成物またはエッチング用液体組成物の全質量に対する各成分の質量比率を示す。

0065

樹脂表面に無電解銅のみを積層した基板、および樹脂表面に電解銅のみを積層した基板のそれぞれをA2液(エッチング前処理用液体組成物)に、30秒間浸漬した。続けて、スプレーエッチングマシーンを用いて、スプレー圧0.1Mpa、処理温度30℃に設定されたB1液(エッチング用液体組成物)で、無電解銅のみを積層した基板は10秒間、電解銅のみを積層した基板は90秒間処理して、エッチングを行った。そして、エッチング処理前後の基板の質量から、下記式によりエッチング量を求めた。

0066

エッチング量 (μm)=(エッチング処理前の質量(g)−エッチング処理後の質量(g))÷基板面積(cm2)÷銅の密度(8.94g/cm3)
求めたエッチング量を処理時間で割り、エッチング速度とした。
無電解銅のエッチング速度は1.91μm/min、電解銅のエッチング速度は0.26μm/minであった。無電解銅のみを積層した基板と電解銅のみを積層した基板とのエッチング速度比は7.3であった。

0067

また、無電解銅のみを積層した基板および電解銅のみを積層した基板をA2液(エッチング前処理用液体組成物)に30秒間浸漬した後、続けてB1液(エッチング用液体組成物)中での混成電位を電気化学測定装置で測定した。そして、測定開始時の無電解銅および電解銅の混成電位から、下記式により混成電位差を求めた。
混成電位差(mV)=無電解銅の混成電位(mVvs.Ag/AgCl)−電解銅の混成電位(mVvs.Ag/AgCl)
測定開始時の無電解銅の混成電位は130mV(vs.Ag/AgCl)で、電解銅の混成電位は80mV(vs.Ag/AgCl)であった。その差は50mVであった。

0068

測定例3:エッチング前処理用液体組成物での処理を行う場合
表1記載のエッチング前処理用液体組成物(A3液)およびエッチング用液体組成物(B1液)を調製した。A3液は、5%硫酸水溶液99.9gに0.0165%塩化ナトリウム水溶液を0.1g(塩素イオン0.1ppm)加えて、総重量が100gとなるようにした。また、B1液は、60%過酸化水素水2.33g、46%硫酸水溶液を9.13g、1,5−ジメチルテトラゾールを0.01g、0.0165%塩化ナトリウム水溶液を1.0g、硫酸銅五水和物を9.82g加え、残りを超純水とし、総重量が100gとなるようにした。表1に示す各成分の配合量は、エッチング前処理用液体組成物またはエッチング用液体組成物の全質量に対する各成分の質量比率を示す。

0069

樹脂表面に無電解銅のみを積層した基板、および樹脂表面に電解銅のみを積層した基板のそれぞれをA3液(エッチング前処理用液体組成物)に、60秒間浸漬した。続けて、スプレーエッチングマシーンを用いて、スプレー圧0.1Mpa、処理温度30℃に設定されたB1液(エッチング用液体組成物)で、無電解銅のみを積層した基板は10秒間、電解銅のみを積層した基板は90秒間処理してエッチングを行った。そして、エッチング処理前後の基板の質量から、下記式によりエッチング量を求めた。

0070

エッチング量 (μm)=(エッチング処理前の質量(g)−エッチング処理後の質量(g))÷基板面積(cm2)÷銅の密度(8.94g/cm3)
求めたエッチング量を処理時間で割り、エッチング速度とした。
無電解銅のエッチング速度(ERN)は1.26μm/min、電解銅(ERE)のエッチング速度は0.19μm/minであった。無電解銅と電解銅とのエッチング速度比は6.6であった。

0071

また、無電解銅のみを積層した基板および電解銅のみを積層した基板をA3液(エッチング前処理用液体組成物)に60秒間浸漬した後、続けてB1液(エッチング用液体組成物)中での混成電位を電気化学測定装置で測定した。そして、測定開始時の無電解銅および電解銅の混成電位から、下記式により混成電位差を求めた。
混成電位差(mV)=無電解銅の混成電位(mVvs.Ag/AgCl)−電解銅の混成電位(mVvs.Ag/AgCl)
測定開始時の無電解銅の混成電位は130mV(vs.Ag/AgCl)で、電解銅の混成電位は70mV(vs.Ag/AgCl)であった。その差は60mVであった。

0072

測定例4:エッチング前処理用液体組成物での処理を行う場合
表1記載のエッチング前処理用液体組成物(A4液)およびエッチング用液体組成物(B1液)を調製した。A4液は、5%硫酸水溶液99.5gに0.0165%塩化ナトリウム水溶液を0.5g(塩素イオン0.5ppm)加えて、総重量が100gとなるようにした。また、B1液は、60%過酸化水素水2.33g、46%硫酸水溶液を9.13g、1,5−ジメチルテトラゾールを0.01g、0.0165%塩化ナトリウム水溶液を1.0g、硫酸銅五水和物を9.82g加え、残りを超純水とし、総重量が100gとなるようにした。表1に示す各成分の配合量は、エッチング前処理用液体組成物またはエッチング用液体組成物の全質量に対する各成分の質量比率を示す。

0073

樹脂表面に無電解銅のみを積層した基板、および樹脂表面に電解銅のみを積層した基板のそれぞれをA4液(エッチング前処理用液体組成物)に、10秒間浸漬した。続けて、スプレーエッチングマシーンを用いて、スプレー圧0.1Mpa、処理温度30℃に設定されたB1液(エッチング用液体組成物)で、無電解銅は10秒間、電解銅は90秒間処理してエッチングを行った。そして、エッチング処理前後の基板の質量から、下記式によりエッチング量を求めた。

0074

エッチング量 (μm)=(エッチング処理前の質量(g)−エッチング処理後の質量(g))÷基板面積(cm2)÷銅の密度(8.94g/cm3)
求めたエッチング量を処理時間で割り、エッチング速度とした。無電解銅のエッチング速度は1.40μm/min、電解銅のエッチング速度は0.26μm/minであった。無電解銅と電解銅とのエッチング速度比は5.4であった。

0075

また、無電解銅のみを積層した基板および電解銅のみを積層した基板をA4液(エッチング前処理用液体組成物)に10秒間浸漬した後、続けてB1液(エッチング用液体組成物)中での混成電位を電気化学測定装置で測定した。そして、測定開始時の無電解銅および電解銅の混成電位から、下記式により混成電位差を求めた。
混成電位差(mV)=無電解銅の混成電位(mVvs.Ag/AgCl)−電解銅の混成電位(mVvs.Ag/AgCl)
無電解銅の混成電位は130mV(vs.Ag/AgCl)であった。電解銅の混成電位は70mV(vs.Ag/AgCl)であった。その差は60mVであった。

0076

実施例1
表2記載のエッチング前処理用液体組成物(A5液)およびエッチング用液体組成物(B1液)を調製した。A5液は、超純水96.0gに0.01%塩酸水溶液を4.0g(塩素イオン4ppm)加えて、総重量が100gとなるようにした。また、B1液は、60%過酸化水素水2.33g、46%硫酸水溶液を9.13g、1,5−ジメチルテトラゾールを0.01g、0.0165%塩化ナトリウム水溶液を1.0g、硫酸銅五水和物を9.82g加え、残りを超純水とし、総重量が100gとなるようにした。表2に示す各成分の配合量は、エッチング前処理用液体組成物またはエッチング用液体組成物の全質量に対する各成分の質量比率を示す。

0077

樹脂表面に、無電解銅メッキによりシード層を平均膜厚1.0μm(最大1.2μm、最小0.7μm)で形成した後、電解めっきにより厚さ12μm、ライン/スペースが6.0μm/6.0μmの配線パターンを形成して、積層基板を作製した。作製された積層基板を5%硫酸水溶液に30秒間浸漬して、銅表面の酸化銅を除去した。積層基板をエッチング前処理用液体組成物(A5液)に25℃、90秒間浸漬した後、続けてエッチング用液体組成物(B1液)をスプレーエッチングマシーンにより、スプレー圧0.1Mpa、処理温度30℃、シード層がなくなった時間(60秒)の1.5倍の時間(90秒)で適用した(オーバーエッチング50%)。

0078

走査型電子顕微鏡(SEM:株式会社日立ハイテクノロジーズ、商標S3400)を用いてサイドエッチングを評価した。図13Aはエッチング処理前の無電解銅(1μm)と電解銅(6μm)の状態を示している。
図13Bは、エッチング処理後の無電解銅(1μm)と電解銅(6μm)の状態を示している。エッチング処理後には、無電解銅は完全に消失しており、電解銅は幅5.2μmを保持していた。
すなわち、本発明のエッチング前処理用液体組成物を使用することによって、電解銅のサイドエッチングを抑制することができる。サイドエッチング量は、シード層がなくなった時間(60秒)の1.5倍の時間(90秒)で、片側0.40μmであった。

0079

実施例2
表2記載のエッチング前処理用液体組成物(A4液)およびエッチング用液体組成物(B1液)を調製した。A4液は、5%硫酸水溶液99.5gに0.0165%塩化ナトリウム水溶液を0.5g(塩素イオン0.5ppm)加えて、総重量が100gとなるようにした。また、B1液は、60%過酸化水素水2.33g、46%硫酸水溶液を9.13g、1,5−ジメチルテトラゾールを0.01g、0.0165%塩化ナトリウム水溶液を1.0g、硫酸銅五水和物を9.82g加え、残りを超純水とし、総重量が100gとなるようにした。表2に示す各成分の配合量は、エッチング前処理用液体組成物またはエッチング用液体組成物の全質量に対する各成分の質量比率を示す。

0080

樹脂表面に、無電解銅メッキによりシード層を平均膜厚1.0μm(最大1.2μm、最小0.7μm)で形成した後、電解めっきにより厚さ12μm、ライン/スペースが6.0μm/6.0μmの配線パターンを形成して、積層基板を作製した。作製した積層基板をエッチング前処理用液体組成物に25℃、20秒間浸漬した後、続けてエッチング液をスプレーエッチングマシーンにより、スプレー圧0.1Mpa、処理温度30℃、シード層がなくなった時間(60秒)の1.5倍の時間(90秒)で適用した。走査型電子顕微鏡(SEM:株式会社日立ハイテクノロジーズ、商標S3400)を用いて、サイドエッチングを評価した。

0081

図14は、エッチング処理後の無電解銅(1μm)と電解銅(6μm)の状態を示している。無電解銅は完全に消失しており、電解銅は幅5.1μmを保持していた。
すなわち、本発明のエッチング前処理用液体組成物を使用することによって、電解銅のサイドエッチングを抑制することができる。サイドエッチング量は、シード層がなくなった時間(60秒)の1.5倍の時間(90秒)で、片側0.45μmであった。

0082

測定例5:エッチング前処理用液体組成物での処理を行わない場合
表3記載のエッチング用液体組成物(B1液)を調製した。B1液は、60%過酸化水素水2.33g、46%硫酸水溶液を9.13g、1,5−ジメチルテトラゾールを0.01g、0.0165%塩化ナトリウム水溶液を1.0g、硫酸銅五水和物を9.82g加え、残りを超純水とし、総重量が100gとなるようにした。表3に示す各成分の配合量は、エッチング用液体組成物の全質量に対する各成分の質量比率を示す。

0083

樹脂表面に無電解銅のみを積層した基板、および樹脂表面に電解銅のみを積層した基板のそれぞれを5%硫酸水溶液に30秒間浸漬して銅表面の酸化銅を除去し、水洗した。30℃に設定されたB1液(エッチング用液体組成物)に、無電解銅は10秒間、電解銅は90秒間浸漬することによってエッチングを行った。そして、エッチング処理前後の基板の質量から、下記式によりエッチング量を求めた。

0084

エッチング量 (μm)=(エッチング処理前の質量(g)−エッチング処理後の質量(g))÷基板面積(cm2)÷銅の密度(8.94g/cm3)
求めたエッチング量を処理時間で割り、エッチング速度とした。
無電解銅のエッチング速度は1.98μm/min、電解銅のエッチング速度は1.00μm/minであった。無電解銅と電解銅とのエッチング速度比は2.0であった。

0085

また、無電解銅のみを積層した基板、および電解銅のみを積層した基板のB1液(エッチング用液体組成物)中での混成電位を、電気化学測定装置で測定した。そして、測定開始時の無電解銅および電解銅の混成電位から、下記式により混成電位差を求めた。
混成電位差(mV)=無電解銅の混成電位(mVvs.Ag/AgCl)−電解銅の混成電位(mVvs.Ag/AgCl)
無電解銅の混成電位は130mV(vs.Ag/AgCl)であった。電解銅の混成電位は125mV(vs.Ag/AgCl)であった。その差は5mVであった。

0086

測定例6:エッチング前処理用液体組成物での処理後、水洗処理を行う場合
表3記載のエッチング前処理用液体組成物(A4液)およびエッチング用液体組成物(B1液)を調製した。A4液は、5%硫酸水溶液99.5gに0.0165%塩化ナトリウムを0.5g(塩素イオン0.5ppm)加えて、総重量が100gとなるようにした。また、B1液は、60%過酸化水素水2.33g、46%硫酸水溶液を9.13g、1,5−ジメチルテトラゾールを0.01g、0.0165%塩化ナトリウム水溶液を1.0g、硫酸銅五水和物を9.82g加え、残りを超純水とし、総重量が100gとなるようにした。表3に示す各成分の配合量は、エッチング前処理用液体組成物またはエッチング用液体組成物の全質量に対する各成分の質量比率を示す。

0087

樹脂表面に無電解銅のみを積層した基板、および樹脂表面に電解銅のみを積層した基板それぞれをA4液(エッチング前処理用液体組成物)に、20秒間浸漬した。その後、水洗および乾燥を行った。30℃に設定されたB1液(エッチング用液体組成物)に、無電解銅は10秒間、電解銅は90秒間浸漬することによってエッチングを行った。そして、エッチング処理前後の基板の質量から、下記式によりエッチング量を求めた。

0088

エッチング量 (μm)=(エッチング処理前の質量(g)−エッチング処理後の質量(g))÷基板面積(cm2)÷銅の密度(8.94g/cm3)
求めたエッチング量を処理時間で割り、エッチング速度とした。無電解銅のエッチング速度は2.12μm/min、電解銅のエッチング速度は1.14μm/minであった。無電解銅と電解銅とのエッチング速度比は1.9であった。

0089

また、無電解銅のみを積層した基板および電解銅のみを積層した基板をA4液(エッチング前処理用液体組成物)に20秒間浸漬した後、水洗および乾燥を行った。B1液(エッチング用液体組成物)中での混成電位を、電気化学測定装置で測定した。そして、測定開始時の無電解銅および電解銅の混成電位から、下記式により混成電位差を求めた。
混成電位差(mV)=無電解銅の混成電位(mVvs.Ag/AgCl)−電解銅の混成電位(mVvs.Ag/AgCl)
無電解銅の混成電位は125mV(vs.Ag/AgCl)であった。電解銅の混成電位は120mV(vs.Ag/AgCl)であった。その差は5mVであった。

0090

測定例7
表3記載のエッチング前処理用液体組成物(A4液)およびエッチング用液体組成物(B2液)を調製した。A4液は、5%硫酸水溶液99.5gに0.0165%塩化ナトリウムを0.5g(塩素イオン0.5ppm)加えて、総重量が100gとなるようにした。また、B1液は、60%過酸化水素水2.33g、46%硫酸水溶液を9.13g、1,5−ジメチルテトラゾールを0.01g、硫酸銅五水和物を9.82g加え、残りを超純水とし、総重量が100gとなるようにした。表3に示す各成分の配合量は、エッチング前処理用液体組成物またはエッチング液の全質量に対する各成分の質量比率を示す。

0091

樹脂表面に無電解銅のみを積層した基板、および樹脂表面に電解銅のみを積層した基板をA4液(エッチング前処理液)に、20秒間浸漬した。30℃に設定されたB1液(エッチング用液体組成物)に、無電解銅は10秒間、電解銅は90秒間浸漬することによってエッチングを行った。そして、エッチング処理前後の基板の質量から、下記式によりエッチング量を求めた。

0092

エッチング量 (μm)=(エッチング処理前の質量(g)−エッチング処理後の質量(g))÷基板面積(cm2)÷銅の密度(8.94g/cm3)
求めたエッチング量を処理時間で割り、エッチング速度とした。無電解銅のエッチング速度は1.44μm/min、電解銅のエッチング速度は0.86μm/minであった。無電解銅と電解銅とのエッチング速度比は1.7であった。

0093

比較例1
表4記載のエッチング用液体組成物(B1液)を調製した。B1液は、60%過酸化水素水2.33g、46%硫酸水溶液を9.13g、1,5−ジメチルテトラゾールを0.01g、0.0165%塩化ナトリウム水溶液を1.0g、硫酸銅五水和物を9.82g加え、残りを超純水とし、総重量が100gとなるようにした。表4に示す各成分の配合量は、エッチング用液体組成物の全質量に対する各成分の質量比率を示す。

0094

樹脂表面に、無電解銅メッキによりシード層を平均膜厚1.0μm(最大1.2μm、最小0.7μm)で形成した後、電解めっきにより厚さ12μm、ライン/スペースが6.0μm/6.0μmの配線パターンを形成して、積層基板を作製した。作製した積層基板に、エッチング液をスプレーエッチングマシーンにより、スプレー圧0.1Mpa、処理温度30℃、シード層がなくなった時間(30秒)の1.5倍の時間(45秒)で適用した。走査型電子顕微鏡(SEM:株式会社日立ハイテクノロジーズ、商標S3400)を用いてサイドエッチングを評価した(図15参照)。
図15に示すように、エッチング前処理用液体組成物を使用しない場合は、電解銅幅が4.4μmとなり、サイドエッチング量は、シード層がなくなった時間(30秒)の1.5倍の時間(45秒)で片側0.80μmであった。

0095

比較例2
表4記載のエッチング前処理用液体組成物(A4液)およびエッチング用液体組成物(B1液)を調製した。A4液は、5%硫酸水溶液99.5gに0.0165%塩化ナトリウムを0.5g(塩素イオン0.5ppm)加えて、総重量が100gとなるようにした。また、B1液は、60%過酸化水素水2.33g、46%硫酸水溶液を9.13g、1,5−ジメチルテトラゾールを0.01g、0.0165%塩化ナトリウム水溶液を1.0g、硫酸銅五水和物を9.82g加え、残りを超純水とし、総重量が100gとなるようにした。表4に示す各成分の配合量は、エッチング前処理用液体組成物またはエッチング用液体組成物の全質量に対する各成分の質量比率を示す。

0096

樹脂表面に、無電解銅メッキによりシード層を平均膜厚1.0μm(最大1.2μm、最小0.7μm)で形成した後、電解めっきにより厚さ12μm、ライン/スペースが6.0μm/6.0μmの配線パターンを形成して、積層基板を作製した。作製した積層基板をA4液(エッチング前処理用液体組成物)に、20秒間浸漬した。その後、水洗および乾燥を行った。エッチング液をスプレーエッチングマシーンにより、スプレー圧0.1Mpa、処理温度30℃、シード層がなくなった時間(28秒)の1.5倍の時間(42秒)で適用した。走査型電子顕微鏡(SEM:株式会社日立ハイテクノロジーズ、商標S3400)を用いてサイドエッチングを評価した(図16参照)。

0097

図16に示すように、エッチング前処理用液体組成物を使用し、その後水洗および乾燥を行った場合は、電解銅幅が4.4μmとなり、サイドエッチング量は、シード層がなくなった時間(28秒)の1.5倍の時間(42秒)で片側0.80μmであった。

0098

比較例3
表4記載のエッチング前処理用液体組成物(A4液)およびエッチング用液体組成物(B2液)を調製した。A4液は、5%硫酸水溶液99.5gに0.0165%塩化ナトリウムを0.5g(塩素イオン0.5ppm)加えて、総重量が100gとなるようにした。また、B2液は、60%過酸化水素水2.33g、46%硫酸水溶液を9.13g、1,5−ジメチルテトラゾールを0.01g、硫酸銅五水和物を9.82g加え、残りを超純水とし、総重量が100gとなるようにした。表4に示す各成分の配合量は、エッチング前処理用液体組成物またはエッチング用液体組成物の全質量に対する各成分の質量比率を示す。

0099

樹脂表面に、無電解銅メッキによりシード層を平均膜厚1.0μm(最大1.2μm、最小0.7μm)で形成した後、電解めっきにより厚さ12μm、ライン/スペースが6.0μm/6.0μmの配線パターンを形成して、積層基板を作製した。作製した積層基板をA4液(エッチング前処理用液体組成物)に、20秒間浸漬した後、続けて、エッチング用液体組成物(B2液)をスプレーエッチングマシーンにより、スプレー圧0.1Mpa、処理温度30℃、シード層が無くなった時間(42秒)の1.5倍の時間(63秒)で適用した。走査型電子顕微鏡(SEM:株式会社日立ハイテクノロジーズ、商標S3400)を用いてサイドエッチングを評価した(図17参照)。

0100

図17に示すように、エッチング前処理液を使用しても、エッチング液に塩素イオンが含まれていない場合は、電解銅幅が4.2μmとなり、サイドエッチング量は、シード層がなくなった時間(42秒)の1.5倍の時間(63秒)で片側0.90μmであった。

実施例

0101

本発明は、プリント配線板精細な配線の形成ができるため産業上重要な技術であり、ガラス基板上の配線、プラスチック基板表面の配線、半導体表面の配線などの各種配線の形成にも適用できる。

ページトップへ

この技術を出願した法人

この技術を発明した人物

ページトップへ

関連する挑戦したい社会課題

関連する公募課題

該当するデータがありません

ページトップへ

技術視点だけで見ていませんか?

この技術の活用可能性がある分野

分野別動向を把握したい方- 事業化視点で見る -

(分野番号表示ON)※整理標準化データをもとに当社作成

ページトップへ

おススメ サービス

おススメ astavisionコンテンツ

新着 最近 公開された関連が強い技術

この 技術と関連性が強い人物

関連性が強い人物一覧

この 技術と関連する社会課題

関連する挑戦したい社会課題一覧

この 技術と関連する公募課題

該当するデータがありません

astavision 新着記事

サイト情報について

本サービスは、国が公開している情報(公開特許公報、特許整理標準化データ等)を元に構成されています。出典元のデータには一部間違いやノイズがあり、情報の正確さについては保証致しかねます。また一時的に、各データの収録範囲や更新周期によって、一部の情報が正しく表示されないことがございます。当サイトの情報を元にした諸問題、不利益等について当方は何ら責任を負いかねることを予めご承知おきのほど宜しくお願い申し上げます。

主たる情報の出典

特許情報…特許整理標準化データ(XML編)、公開特許公報、特許公報、審決公報、Patent Map Guidance System データ