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図面 (16)

課題

被露光基板に対する露光処理時における露光装置内塵埃レベルを確認することができる露光描画装置プログラム及び露光描画方法を提供する。

解決手段

被露光基板を露光することにより回路パターンを描画する露光手段と、露光描画装置2内の微粒子粒子数計数する計数手段4と、露光手段による露光処理中に計数手段により計数された粒子数が、回路パターンのパターンに関するサイズに基づいて定められた閾値以上であるか否かを判定する判定手段と、判定手段により閾値以上であると判定された場合に、被露光基板に対して予め定められた情報を付加する付加手段と、を備えた。

概要

背景

従来、半導体装置の製造に際して、製造装置内で浮遊する塵埃ウエハに付着することが問題になっていた。そのため、特許文献1には、製造中にウエハに付着している塵埃数予測する半導体装置の製造装置が提案されている。この製造装置は、真空処理室に浮遊している塵埃数を計測する塵埃計測装置と、計測された塵埃数を処理室中に浮遊している塵埃数とこの処理室で処理されたウエハに付着した塵埃数との相関関係に照合することにより、処理室中で処理されるウエハに付着している塵埃数を予測するデータ処理装置とを備えている。この構成により、ユーザは、半導体装置の製造中にウエハに付着している塵埃数を予測し、予測した塵埃数が基準値以上である場合に処理室の処理を中止して点検清掃することができる。

一方、被露光基板に対して光ビーム露光することにより回路パターンを描画する露光描画装置においても同様に、従来の転写マスクを使用する方法で露光を行う場合には、製造中に転写マスクに付着していた塵埃が被露光基板に付着すると、被露光基板がロット単位ジョブ単位)で不良品となってしまうため、製造現場において塵埃の付着の有無を確認できることが望まれていた。

これに対し、転写マスクを使用しない直接描画型の方法で露光を行う場合もあり、この場合には、原理的に、転写マスクが無いため、転写マスクに付着する塵埃によるロット単位での不良品発生は無い。しかしながら、製造現場において、露光処理時の被露光基板の不良発生率を、転写マスクを使用していた時代に培われた塵埃に対する捉え方、すなわち不良品の発生率を高く見積もった状態で、さらに、描画される画像パターン高精細化に伴って不良品を発生させる塵埃の粒子サイズが小サイズ化していることへの不安感が加わり、ユーザが見えない塵埃に対して過敏になり、必要以上の塵埃対策を実施している現状がある。

概要

各被露光基板に対する露光処理時における露光装置内塵埃レベルを確認することができる露光描画装置、プログラム及び露光描画方法を提供する。被露光基板を露光することにより回路パターンを描画する露光手段と、露光描画装置2内の微粒子粒子数計数する計数手段4と、露光手段による露光処理中に計数手段により計数された粒子数が、回路パターンのパターンに関するサイズに基づいて定められた閾値以上であるか否かを判定する判定手段と、判定手段により閾値以上であると判定された場合に、被露光基板に対して予め定められた情報を付加する付加手段と、を備えた。

目的

一方、被露光基板に対して光ビームを露光することにより回路パターンを描画する露光描画装置においても同様に、従来の転写マスクを使用する方法で露光を行う場合には、製造中に転写マスクに付着していた塵埃が被露光基板に付着すると、被露光基板がロット単位(ジョブ単位)で不良品となってしまうため、製造現場において塵埃の付着の有無を確認できることが望まれていた

効果

実績

技術文献被引用数
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請求項1

被露光基板露光することにより回路パターンを描画する露光手段と、露光描画装置内の微粒子粒子数計数する計数手段と、前記露光手段による露光処理中に前記計数手段により計数された粒子数が、前記回路パターンのパターンに関するサイズに基づいて定められた閾値以上であるか否かを判定する判定手段と、前記判定手段により閾値以上であると判定された場合に、前記被露光基板に対して予め定められた情報を付加する付加手段と、を備えた露光描画装置。

請求項2

前記パターンに関するサイズは、前記回路パターンにおける隣接するパターン間のピッチ幅最小値パターン幅の最小値、及びランド径の最小値の少なくとも一つである請求項1記載の露光描画装置。

請求項3

前記計数手段は、前記粒子数を前記微粒子の粒径範囲毎に計数し、前記閾値が前記粒径範囲毎に定められ、前記判定手段は、前記粒子数が予め定められた閾値以上であるか否かを前記粒径範囲毎に判定し、1つ以上の粒径範囲の粒子数が前記粒径範囲毎に定められた閾値以上であった場合に閾値以上であったと判定する請求項1または2記載の露光描画装置。

請求項4

前記被露光基板の識別情報を取得する取得手段と、前記計数手段により計数された粒子数を前記取得手段により取得された前記識別情報に対応付けて記憶する記憶手段と、をさらに備えた請求項1乃至3の何れか1項記載の露光描画装置。

請求項5

前記判定手段は、前記計数手段により計数された粒子数が、予め定められた複数の区分のうちいずれの区分に属するかをさらに判定し、前記付加手段は、前記被露光基板に対して、前記判定手段により判定された区分を示す情報を前記予め定められた情報として付加する請求項1乃至4の何れか1項記載の露光描画装置。

請求項6

前記付加手段により前記区分を示す情報が付加された被露光基板を、当該区分毎に整列させる整列手段をさらに備えた請求項5記載の露光描画装置。

請求項7

前記判定手段により前記閾値以上であると判定された場合、その時点に行われている露光処理が完了した時点で露光処理を停止し、当該停止した後に前記判定手段により前記閾値以上でないと判定された場合、露光処理を再開する露光制御手段をさらに備えた請求項1乃至6の何れか1項記載の露光描画装置。

請求項8

許容できる塵埃による不良発生率の入力を受け付ける受付手段を備え、前記閾値は、前記パターンに関するサイズ及び前記受付手段により受け付けられた不良発生率に基づいて定められる請求項1乃至7の何れか1項記載の露光描画装置。

請求項9

浮遊している微粒子の粒子数に対する前記被露光基板に付着する微粒子の粒子数の割合の入力を受け付ける受付手段を備え、前記閾値は、前記パターンに関するサイズ及び前記受付手段により受け付けられた割合に基づいて定められる請求項1乃至8の何れか1項記載の露光描画装置。

請求項10

コンピュータを、被露光基板を露光することにより回路パターンを描画する露光手段を有する露光描画装置内の微粒子の粒子数を計数する計数手段と、前記露光手段による露光処理中に、前記計数手段により計数された粒子数が、前記回路パターンのパターンに関するサイズに基づいて定められた閾値以上であるか否かを判定する判定手段と、前記判定手段により閾値以上であると判定された場合、前記被露光基板に対して予め定められた情報を付加する付加手段と、として機能させるためのプログラム

請求項11

被露光基板を露光することにより回路パターンを描画する露光手段を有する露光描画装置内の微粒子の粒子数を計数する計数ステップと、前記露光手段による露光処理中に、前記計数ステップにより計数された粒子数が、前記回路パターンのパターンに関するサイズに基づいて定められた閾値以上であるか否かを判定する判定ステップと、前記判定ステップにより閾値以上であると判定された場合、前記被露光基板に対して予め定められた情報を付加する付加ステップと、を備えた露光描画方法。

技術分野

0001

本発明は、露光描画装置プログラム及び露光描画方法に係り、特に、被露光基板に対して光ビーム露光することにより回路パターンを描画する露光描画装置、露光描画装置により実行されるプログラム、及び、被露光基板に対して光ビームを露光することにより回路パターンを描画する露光描画方法に関する。

背景技術

0002

従来、半導体装置の製造に際して、製造装置内で浮遊する塵埃ウエハに付着することが問題になっていた。そのため、特許文献1には、製造中にウエハに付着している塵埃数予測する半導体装置の製造装置が提案されている。この製造装置は、真空処理室に浮遊している塵埃数を計測する塵埃計測装置と、計測された塵埃数を処理室中に浮遊している塵埃数とこの処理室で処理されたウエハに付着した塵埃数との相関関係に照合することにより、処理室中で処理されるウエハに付着している塵埃数を予測するデータ処理装置とを備えている。この構成により、ユーザは、半導体装置の製造中にウエハに付着している塵埃数を予測し、予測した塵埃数が基準値以上である場合に処理室の処理を中止して点検清掃することができる。

0003

一方、被露光基板に対して光ビームを露光することにより回路パターンを描画する露光描画装置においても同様に、従来の転写マスクを使用する方法で露光を行う場合には、製造中に転写マスクに付着していた塵埃が被露光基板に付着すると、被露光基板がロット単位ジョブ単位)で不良品となってしまうため、製造現場において塵埃の付着の有無を確認できることが望まれていた。

0004

これに対し、転写マスクを使用しない直接描画型の方法で露光を行う場合もあり、この場合には、原理的に、転写マスクが無いため、転写マスクに付着する塵埃によるロット単位での不良品発生は無い。しかしながら、製造現場において、露光処理時の被露光基板の不良発生率を、転写マスクを使用していた時代に培われた塵埃に対する捉え方、すなわち不良品の発生率を高く見積もった状態で、さらに、描画される画像パターン高精細化に伴って不良品を発生させる塵埃の粒子サイズが小サイズ化していることへの不安感が加わり、ユーザが見えない塵埃に対して過敏になり、必要以上の塵埃対策を実施している現状がある。

先行技術

0005

特開平8−5542号公報

発明が解決しようとする課題

0006

露光描画装置における塵埃対策として、上記特許文献1に開示されている半導体装置の製造装置における塵埃対策を、露光描画装置に適用することが考えられる。しかし、上記特許文献1の塵埃対策では、予測した塵埃数が規定値を超えている場合に処理を中止する構成であるため、各ウエハについて、製造中の塵埃数を製造後に確認することができない、という問題があった。

0007

本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、各被露光基板に対する露光処理時における露光装置内塵埃レベルを確認することができる露光描画装置、プログラム及び露光描画方法を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段

0008

上記目的を達成するために、請求項1記載の露光描画装置は、被露光基板を露光することにより回路パターンを描画する露光手段と、露光描画装置内の微粒子粒子数計数する計数手段と、前記露光手段による露光処理中に前記計数手段により計数された粒子数が、前記回路パターンのパターンに関するサイズに基づいて定められた閾値以上であるか否かを判定する判定手段と、前記判定手段により閾値以上であると判定された場合に、前記被露光基板に対して予め定められた情報を付加する付加手段と、を備えている。

0009

請求項1に記載の露光描画装置によれば、露光手段により、被露光基板を露光することにより回路パターンが描画され、計数手段により、露光描画装置内の微粒子の粒子数が計数される。

0010

ここで、本発明では、判定手段により、前記露光手段による露光処理中に前記計数手段により計数された粒子数が、前記回路パターンのパターンに関するサイズに基づいて定められた閾値以上であるか否かが判定され、付加手段により、前記判定手段により閾値以上であると判定された場合に、前記被露光基板に対して予め定められた情報が付加される。なお、「露光処理」とは、被露光基板を露光描画装置の内部に搬入して被露光面への露光を開始し当該被露光面に対する露光を完了させる一連処理動作をいう。

0011

このように、請求項1記載の露光描画装置によれば、露光処理中に装置内の微粒子の粒子数が閾値以上となった被露光基板に予め定められた情報が付加される結果、各被露光基板に対する露光処理時における露光装置内の塵埃レベルを確認することができる。

0012

なお、本発明は、請求項2に記載の発明のように、前記パターンに関するサイズは、前記回路パターンにおける隣接するパターン間のピッチ幅最小値パターン幅の最小値、及びランド径の最小値の少なくとも一つであるようにしても良い。これらにより、被露光基板に描画される回路パターンに応じて適切な閾値を決定することができる。

0013

また、本発明は、請求項3に記載の発明のように、前記計数手段は、前記粒子数を前記微粒子の粒径範囲毎に計数し、前記閾値が前記粒径範囲毎に定められ、前記判定手段は、前記粒子数が予め定められた閾値以上であるか否かを前記粒径範囲毎に判定し、1つ以上の粒径範囲の粒子数が前記粒径範囲毎に定められた閾値以上であった場合に閾値以上であったと判定するようにしても良い。これにより、微粒子の種類毎に微粒子の粒径が異なることを考慮して、微粒子の種類毎に粒子数が閾値以上であるか否かを判定することができる。

0014

また、本発明は、請求項4に記載の発明のように、前記被露光基板の識別情報を取得する取得手段と、前記計数手段により計数された粒子数を前記取得手段により取得された前記識別情報に対応付けて記憶する記憶手段とをさらに備えるようにしても良い。これにより、被露光基板の識別情報に基づいて、露光処理中に装置内に存在していた微粒子の粒子数を確認することができる。

0015

また、本発明は、請求項5に記載の発明のように、前記判定手段は、前記計数手段により計数された粒子数が、予め定められた複数の区分のうちいずれの区分に属するかをさらに判定し、前記付加手段は、前記被露光基板に対して、前記判定手段により判定された区分を示す情報を前記予め定められた情報として付加するようにしても良い。これにより、各被露光基板に対する露光処理時における露光装置内の塵埃レベルをより詳細に確認することができる。

0016

また、本発明は、請求項6に記載の発明のように、前記付加手段により前記区分を示す情報が付加された被露光基板を、当該区分毎に整列させる整列手段をさらに備えるようにしても良い。これにより、各被露光基板に対する露光処理時における露光装置内の塵埃レベルをより簡易に確認することができる。

0017

また、本発明は、請求項7に記載の発明のように、前記判定手段により前記閾値以上であると判定された場合、その時点に行われている露光処理が完了した時点で露光処理を停止し、当該停止した後に前記判定手段により前記閾値以上でないと判定された場合、露光処理を再開する露光制御手段をさらに備えるようにしても良い。これにより、露光に失敗することにより被露光基板の不良品が発生してしまうことを未然に防止することができる。

0018

また、本発明は、請求項8に記載の発明のように、許容できる塵埃による不良発生率の入力を受け付ける受付手段を備え、前記閾値は、前記パターンに関するサイズ及び前記受付手段により受け付けられた不良発生率に基づいて定められるようにしても良い。また、本発明は、請求項9に記載の発明のように、浮遊している微粒子の粒子数に対する前記被露光基板に付着する微粒子の粒子数の割合の入力を受け付ける受付手段を備え、前記閾値は、前記パターンに関するサイズ及び前記受付手段により受け付けられた割合に基づいて定められるようにしても良い。これらにより、製造環境に応じて適切な閾値を決定することができる。

0019

一方、上記目的を達成するために、請求項10に記載のプログラムは、コンピュータを、被露光基板を露光することにより回路パターンを描画する露光手段を有する露光描画装置内の微粒子の粒子数を計数する計数手段と、前記露光手段による露光処理中に、前記計数手段により計数された粒子数が、前記回路パターンのパターンに関するサイズに基づいて定められた閾値以上であるか否かを判定する判定手段と、前記判定手段により閾値以上であると判定された場合、前記被露光基板に対して予め定められた情報を描画する描画手段と、として機能させる。

0020

従って、請求項10に記載のプログラムによれば、コンピュータを請求項1に記載の発明と同様に作用させることができるので、請求項1に記載の発明と同様に、各被露光基板に対する露光処理時における露光装置内の塵埃レベルを確認することができる。

0021

一方、上記目的を達成するために、請求項11に記載の露光描画方法は、被露光基板を露光することにより回路パターンを描画する露光手段を有する露光描画装置内の微粒子の粒子数を計数する計数ステップと、前記露光手段による露光処理中に、前記計数ステップにより計数された粒子数が、前記回路パターンのパターンに関するサイズに基づいて定められた閾値以上であるか否かを判定する判定ステップと、前記判定ステップにより閾値以上であると判定された場合、前記被露光基板に対して予め定められた情報を描画する描画ステップと、を備えている。

0022

従って、請求項11に記載の露光描画方法によれば、請求項1に記載の発明と同様に作用するので、請求項1に記載の発明と同様に、各被露光基板に対する露光処理時における露光装置内の塵埃レベルを確認することができる。

発明の効果

0023

本発明によれば、各被露光基板に対する露光処理時における露光装置内の塵埃レベルを確認することができる、という効果を奏する。

図面の簡単な説明

0024

実施形態に係る露光描画システムの全体の構成を示す構成図である。
実施形態に係る露光描画装置の内部構成を示す斜視図である。
実施形態に係る露光描画装置における塵埃計測装置による空気の吸入位置を示す図である。
実施形態に係る露光描画装置の塵埃計測装置の構成を示す概略上面図である。
実施形態に係る露光描画装置の電気系統の構成を示すブロック図である。
実施形態に係る露光描画システムの制御装置の電気系統の構成を示すブロック図である。
第1実施形態に係る露光処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートである。
第1実施形態に係る露光描画装置において被露光基板に描画される画像の一例を示す部分拡大図である。
第1実施形態に係る露光描画装置によりマークが形成された被露光基板の一例を示す正面図である。
第2実施形態に係る露光処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートである。
第2実施形態に係る露光描画装置によりマークが形成された被露光基板の一例を示す正面図である。
第2実施形態に係る露光描画装置において作成される計測結果情報の一例を示す模式図である。
第3実施形態に係る露光処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートである。
第3実施形態に係る露光描画装置によりマークが形成された被露光基板の一例を示す正面図である。
第4実施形態に係る整列処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートである。

実施例

0025

〔第1実施形態〕
以下、第1実施形態に係る露光描画システムについて添付図面を用いて詳細に説明する。なお、第1実施形態では、露光描画システム1として、プリント配線基板及びフラットパネルディスプレイ用ガラス基板等の平板基板を被露光基板として、被露光基板の片面または両面に露光描画を行うシステムを例として説明する。

0026

図1は、第1実施形態に係る露光描画システム1の全体の構成を示す構成図である。図1に示すように、露光描画システム1は、被露光基板(後述する被露光基板C)に露光を行うとともに装置内の微粒子の粒子数を計測して当該粒子数が閾値以上であった場合に被露光基板Cにマーク(後述するマークM)を記録する露光描画装置2、及び、露光描画装置2による露光描画やマークMの形成を制御する制御装置3を備えている。

0027

図2は、第1実施形態に係る露光描画装置2の内部構成を示す斜視図である。なお、以下では、ステージ10が移動する方向をY方向と定め、このY方向に対して水平面内で直交する方向をX方向と定め、Y方向に鉛直面内で直交する方向をZ方向と定め、さらにZ軸を中心として時計回りの方向に回転する回転方向をθ方向と定める。

0028

図2に示すように、露光描画装置2は、被露光基板Cを固定するための平板状のステージ10を備えている。ステージ10は、上面に被露光基板Cが載置された際に、被露光基板C及びステージ10間の空気を吸入して、被露光基板Cを上面に真空吸着させる。また、ステージ10は、移動可能に構成されていて、ステージ10に固定された被露光基板Cは、ステージ10の移動に伴って露光位置まで移動し、後述する露光部16により光ビームが照射されて回路パターン等の画像が描画される。

0029

ステージ10は、卓状の基体11の上面に移動可能に設けられた平板状の基台12に支持されている。基体11の上面には、1本または複数本(本実施形態では、2本)のガイドレール14が設けられている。基台12は、ガイドレール14に沿ってY方向に自在に移動できるように支持されていて、モータ等により構成されたステージ駆動部(後述するステージ駆動部41)により移動する。そして、ステージ10は、この移動可能な基台12の上面に支持されることにより、基台12の移動に連動してガイドレール14に沿って移動する。

0030

基体11の上面には、ガイドレール14を跨ぐように門型ゲート15が立設されており、このゲート15には、ステージ10に載置された被露光基板Cの表面に対して露光する露光部16が取り付けられている。露光部16は、複数個(本実施形態では、16個)の露光ヘッド16aを含んで構成されていて、ステージ10の移動経路上に固定配置されている。露光部16には、後述する光源ユニット17から引き出された光ファイバ18と、後述する画像処理ユニット19から引き出された信号ケーブル20とがそれぞれ接続されている。

0031

各露光ヘッド16aは、反射型空間光変調素子としてのデジタルマイクロミラーデバイスDMD)を有し、画像処理ユニット19から入力される画像データに基づいてDMDを制御して光源ユニット17からの光ビームを変調する。露光描画装置2は、この変調した光ビームを被露光基板Cに照射することにより露光を行う。なお、空間光変調素子として、液晶等の透過型の空間光変調素子を用いても良い。

0032

露光ヘッド16の近辺には、被露光基板Cに対して紫外線ビームを照射する紫外線光源21が設けられている。紫外線ビームの照射時間は、被露光基板Cに塗布されている感光材料に応じて各々最適な時間が設定される。なお、紫外線光源21の設置位置は露光ヘッド16aの近辺に限定されず、被露光基板Cの一部に紫外線ビームを照射できる位置であれば良い。また、本実施形態では、紫外線光源21は固定されているが、これに限定されず、モータ等により紫外線ビームの照射対象位置に応じて移動自在に構成されていても良い。さらに、紫外線光源21は、被露光基板Cの裏側の面(ステージ10に接する側の面)に紫外線ビームを照射できるように、ステージ10の下方に設けられていても良い。この場合には、ステージ10には紫外線ビームを厚さ方向に通過させるための貫通孔が設けられる。

0033

基体11の上面には、さらにガイドレール14を跨ぐように、ゲート22が設けられている。ゲート22には、ステージ10に載置された被露光基板Cに設けられた露光基準用アライメントマーク撮影するための1個または複数個(本実施形態では、2個)の撮像部23が取り付けられている。撮影部23は、1回の発光時間が極めて短いストロボを内蔵したCCDカメラ等である。各々の撮影部23は、水平面内においてステージ10の移動方向(Y方向)に対して垂直な方向(X方向)に移動可能に設置されている。

0034

露光描画装置2は、外部から第1搬送部5に搬入された被露光基板Cをステージ10の上面に搬送するオートキャリアハンド(以下、ACハンドという。)24を備えている。ACハンド24は平板状に形成されるとともに、水平方向及び鉛直方向に移動可能に設けられている。また、ACハンド24の下面には、エアを吸引することにより被露光基板Cを真空吸着により吸着保持する吸着部25を有する吸着機構と、被露光基板Cを下方に向けて押し付け上下移動自在な押付部26を有する押付機構とが設けられている。ACハンド24は、第1搬送部5に載置された未露光の被露光基板Cを吸着機構により吸着保持することにより上方に吊り上げ、吊り上げた被露光基板Cをステージ10の上面の予め定められた位置に載置する。

0035

ACハンド24は、被露光基板Cをステージ10に載置させる際に、押付機構により被露光基板Cをステージ10に押し付けながら吸着部25による吸着を解除することにより、被露光基板Cをステージ10に真空吸着させ、被露光基板Cをステージ10に吸着固定させる。また、ACハンド24は、ステージ10の上面に載置された露光済みの被露光基板Cを吸着機構により吸着保持することにより上方に吊り上げ、吊り上げた被露光基板Cを吸着保持した状態で第2搬送部6まで移動させた上で、吸着機構による吸着を解除することにより、被露光基板Cを第2搬送部6に移動させる。第2搬送部6に搬送された被露光基板Cは、露光描画装置2の外部に排出される。

0036

ここで、露光描画装置2は、装置内の微粒子の粒子数を計測する複数(本実施形態では、3つ)の塵埃計測装置4を備えている。塵埃計測装置4は、周囲の空気を吸入し、吸入した空気に含まれる微粒子の粒子数を計測する、所謂パーティクルカウンタである。

0037

図3は、第1実施形態に係る露光描画装置2における塵埃計測装置4による空気の吸入位置を示す図である。図3に示すように、露光描画装置2の装置内部において、ステージ移動方向(Y方向)における、露光が行われる位置から被露光基板Cが載置される位置へ向かう方向に空気が流れていて、内部の空気が被露光基板Cが載置される位置において外部に排出される。

0038

露光描画装置2では、装置内部の微粒子の粒子数をより正確に計測するために、空気の流れの下流側の所定位置(本実施形態では、第1搬送部5及びステージ10の間の位置、ステージ10の載置位置より空気の流れの下流側の位置、及び、ステージ10及び第2搬送部6の間の位置)にそれぞれ塵埃計測装置4に空気を吸入するチューブ4aが配置されている。また、チューブ4aの空気の入口は、ステージ10の上面とほぼ同じ高さ(Z方向におけるほぼ同位置)に設置されている。このような構成により、塵埃計測装置4によって、ステージ10の上面近傍(すなわち被露光基板Cの近傍)の微粒子の粒子数を計測することができる。

0039

図4は、第1実施形態に係る露光描画装置2の塵埃計測装置4の構成を示す概略上面図ある。図4に示すように、塵埃計測装置4は、外部の空気(露光描画装置2の装置内部の空気)Kをチューブ4aを介して装置内部に吸入する吸入窓30と、吸入した空気Kを装置外部(露光描画装置2の装置内部)に排出する排出窓31とを備えている。露光描画装置2の装置内部においてステージ移動方向に沿って流れている空気Kは、吸入窓30を介して塵埃計測装置4の装置内部に流入した後に排出窓31を介して塵埃計測装置4の装置外部に流出する。

0040

また、塵埃計測装置4には、レーザ光Lを発生するレーザ発生装置32、発生したレーザ光Lを流入した空気Kの経路を横切るように出射する出射窓33、及び、出射したレーザ光Lが空気Kの経路上を通過した後に入射する入射窓34が設けられている。レーザ光Lが空気Kの経路上を通過する際、空気Kの内部に微粒子が含まれていると、レーザ光Lのうちの微粒子Pに衝突した一部が散乱する。塵埃計測装置4には、この散乱したレーザ光Lを集光する集光レンズ35、及び、集光レンズ35により集光されたレーザ光Lを検出する検出装置36が設けられている。塵埃計測装置4は、検出装置36による検出値に基づいて微粒子を検出して各々の微粒子の粒径を測定することで、検出された微粒子の個数を粒径毎に計数する。塵埃計測装置4は、検出された微粒子の粒子数を示す信号を制御装置3に対して送信する。

0041

図5は、第1実施形態に係る露光描画装置2の電気系統の構成を示すブロック図である。図5に示すように、露光描画装置2には、装置各部にそれぞれ電気的に接続されるシステム制御部40が設けられており、このシステム制御部40が各部を統括的に制御している。システム制御部40は、ACハンド24を制御して被露光基板Cのステージ10への搬入動作及びステージ10からの排出動作を行わせる。また、システム制御部40は、ステージ駆動部41を制御してステージ10の移動を行わせながら、後述する移動制御部43を介して撮影部23を移動させて被露光基板Cのアライメントマークの撮影を行って露光位置を調整するとともに、光源ユニット17及び画像処理ユニット19を制御して露光ヘッド16aに露光処理を行わせる。上述したように、「露光処理」とは、被露光基板Cを露光描画装置2の内部に搬入して被露光面への露光を開始し当該被露光面に対する露光を完了させる一連の処理動作をいう。システム制御部40は、制御装置3から露光開始を指示するための信号を受信したタイミングで、被露光基板Cに対する露光処理を開始するとともに、露光停止を指示するための信号を受信したタイミングで、そのとき行われている被露光基板Cに対する露光処理を完了した時点で露光処理を停止する。

0042

さらに、システム制御部40は、予め定められたタイミングで塵埃計測装置4から粒径毎の微粒子の粒子数を取得する。当該タイミングは、被露光基板Cの露光開始直前、露光中及び露光完了直後のタイミングであっても良く、予め定められた時間の経過毎のタイミングであっても良い。

0043

また、露光描画装置2は操作装置42を備えている。操作装置42は、システム制御部40の制御により情報を表示する表示部とユーザ操作により情報を入力する入力部とを有する。当該入力部は、例えば、被露光基板Cの最小パターン幅等を入力するときにユーザにより操作される。

0044

さらに、露光描画装置2は移動制御部43を備えている。移動制御部43は、システム制御部40の指示に基づいて、被露光基板Cのアライメントマークが、ステージ10の移動に際して複数の撮影部23の何れかまたは各々の撮影領域の中央を通過するように、撮影部23の移動駆動を制御している。

0045

図6は、第1実施形態に係る露光描画システム1の制御装置3の電気系統の構成を示すブロック図である。図6に示すように、露光描画システム1は、露光描画システム1における露光処理を制御する制御部50、制御部50による露光処理に必要な露光処理プログラムや各種データを記憶するROM及びHDD等を有する記憶部51、制御部50の制御に基づいてデータを表示するディスプレイ等の表示部52、ユーザ操作によりデータを入力するキーボード等の入力部53、及び、制御部50の制御に基づいて露光描画装置2に対するデータの送受信を行う通信インタフェース54を備えている。

0046

ここで、本実施形態に係る露光描画装置2は、被露光基板Cの露光処理中に装置内の微粒子の粒子数を計測し、計測された粒子数が閾値以上であった場合に、露光中の被露光基板Cに対して粒子数に関する情報を記録する機能を備えている。

0047

従来の露光描画装置では、塵埃対策として装置内の微粒子の粒子数を計測していないため、製造現場において、ユーザが被露光基板Cに塵埃が付着していることを知らないまま被露光基板Cに対して露光し、結果的に不良品を生産しているかもしれないというユーザの潜在的な不安があった。

0048

そこで、本実施形態に係る露光描画装置2では、露光処理中に装置内の微粒子の粒子数を常時計測し、計測された粒子数が閾値以上であった場合にその旨を示す予め定められたマーク(例えば図9に示すマークM)を被露光基板Cに描画する。これにより、ユーザが露光済みの被露光基板Cについて、基板毎に露光処理時の塵埃レベル(計測された粒子数が閾値以上であるか否か等)を確認することができることで、ユーザ不安を解消することができる。

0049

また、検査対象となる露光済みの被露光基板CにマークMが形成されている場合に、検査担当者は、その被露光基板Cの露光処理時における塵埃レベルが高い(すなわち計測された粒子数が大きい)ことを認識して、検査に対する意識レベルを高めることができるため、結果的に検査不良を抑制することができる。さらに、視認することが困難な塵埃に対して、ユーザが塵埃レベルと被露光基板Cの不良発生率との相関関係を把握できることにより、塵埃対策を必要最小限の対策に抑えることができるため、生産工程作業の効率化につながる。

0050

次に、第1実施形態に係る露光描画システム1による作用について説明する。

0051

図7は、第1実施形態に係る露光処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートであり、当該プログラムは制御装置3の記憶部51に備えられた記録媒体であるROMの所定領域に予め記憶されている。

0052

制御装置3の制御部50は、予め定められたタイミング(本実施形態では、予め定められた複数の被露光基板Cに対して連続的に露光を行う処理が開始されるタイミング)で、当該露光処理プログラムを実行する。

0053

まず始めに、ステップS101において、制御部50は、被露光基板Cに露光される画像(本実施形態では、回路パターン)の画像情報から最小パターンサイズを算出する。これは、被露光基板Cに露光される回路パターンが精細化するほど、被露光基板Cに付着することを許容できるか否かの閾値とする微粒子の粒径(以下、許容塵埃サイズともいう。)が小サイズ化することを考慮したものである。

0054

図8は、第1実施形態に係る露光描画装置2において被露光基板Cに描画される画像の一例を示す部分拡大図である。図8に示すように、本実施形態に係るパターンサイズは、描画される各々のパターンの幅であるパターン幅、隣接するパターン間の距離または隣接するパターン及びランド間の距離であるピッチ幅、及び各々のパターンのランド径の3種類である。また、本実施形態に係る最小パターンサイズは、パターン幅の最小値、ピッチ幅の最小値、及びランド径の最小値の中での最小値である。あるいは、ピッチ幅の最小値を最小パターンサイズとしても良い。

0055

次に、ステップS103において、制御部50は、露光描画装置2の内部に存在する各々の粒径の微粒子について、存在することが許容できるか否かの閾値とする粒子数を粒径毎に示すテーブルを作成する。このテーブルは、後述するステップS109において閾値を定める際に使用される。

0056

テーブルを作成する際には、制御部50は、まず単位体積内に含まれる微粒子の粒子数である塵埃濃度を算出する。塵埃濃度は、JIS B 9920により、下記の(1)式で定義されている。なお、(1)式における右辺第2項の0.1は定数(単位はμm)である。

0057

0058

ここで、クラス数クリーンルームクリーン度を示しており、従来、1cf(≒0.0283m3;立体フィート)中の粒径0.5μm以上の粒子個数で1〜9にクラス分けされていて、現在もこの指標で管理されることが多い。なお、ISO(国際標準化機構)では、1m3中の粒径が直径φ0.1μm以上の粒子数でクラス分けされるが、本実施形態では、従来法の単位をベースにして説明する。

0059

初期状態で設定されるテーブルは、上式を用いて作成する。例えば、粒径がφ0.5μm以上の粒径範囲の微粒子の粒子数の閾値が100個であった場合の他の粒径以上の微粒子の粒子数は、下記の表1となる。下記の表1では、0.3μm以上の粒径範囲の微粒子の粒子数の閾値が289個、0.7μm以上の粒径範囲の微粒子の粒子数の閾値が50個、1μm以上の粒径範囲の微粒子の粒子数の閾値が24個、2μm以上の粒径範囲の微粒子の粒子数の閾値が6個、5μm以上の粒径範囲の微粒子の粒子数の閾値が1個となっている。

0060

0061

また、塵埃上限濃度をφ0.5μm以上の粒径を基準にして複数レベルにレベル分けした例を下記の表2に示す。下記の表2によると、φ0.5μm以上の粒径範囲の微粒子が0個以上100個以下の場合がレベルA、φ0.5μm以上の粒径範囲の微粒子が100個より多く200個以下の場合がレベルB、φ0.5μm以上の粒径の微粒子が200個より多く300個以下の場合がレベルCとなるように、レベル分けを行っている。

0062

0063

ここで、上記表2によると、例えば許容塵埃サイズをφ0.5μmとし、露光処理時に計測されたφ0.5μm以上の粒径範囲の微粒子の粒子数が150個であった場合、粒子数が100個より多く200個以下であるため、その被露光基板CはBレベルに位置づけられる。

0064

また、ステップS101にて取得した最小パターンサイズが30μmであり、許容塵埃サイズを最小パターンサイズの所定割合(本実施形態では、10%、表中では許容サイズ割合という。)以上の3μm以上とした場合には、上記表2で最も値の近い2μmの条件を用いても良いし、下記の表3に示すように許容塵埃サイズに応じてテーブルに新たな粒径以上の粒子に関する情報を加えてもよい。

0065

0066

なお、上記最小パターンサイズの所定割合は、製造品の種類やユーザの事情によって異なるため、予め定められた割合幅(例えば、10〜30%の間)の中でユーザが自由に設定できるようになっている。ユーザは、制御装置3の入力部53を介して、上記許容塵埃サイズの所定割合を入力し、制御部50は、入力された値を、上記許容塵埃サイズの所定割合として設定する。

0067

上記表1乃至表3を使用する場合、ユーザは、製造データを基に不良発生率との相関関係を把握することで、Aレベル乃至Cレベルのうちのどのレベルまでを許容できるのかを、例えば製造経験を通じて把握することができる。ユーザは、制御装置3の入力部53を介して、Aレベル乃至Cレベルのうちのどのレベルまでを許容できるのかを許容できる不良発生率として入力し、制御部50は、入力された値を許容できるレベルとして設定する。この設定されたレベルの粒子数がステップS109において閾値として使用される。

0068

ところで、塵埃計測装置4で計測される粒子数は、露光描画装置2の内部の空間に浮遊している粒径が許容塵埃サイズ以上の微粒子の粒子数であり、実際に被露光基板Cに付着している微粒子の粒子数ではないため、付着率許容される不良発生率とを考慮してテーブルを生成するのがより現実的である。例えば、付着率を所定値(本実施形態では、1/1000)、不良発生率を所定値(本実施形態では、1%)未満で被露光基板Cの両面を露光する場合、片面を露光する際に許容される不良発生率を半分の0.5%未満とすると、許容塵埃サイズの微粒子の粒子数の許容数は、片面で許容される不良発生率×1/(付着率)=0.005×1000=5となる。この結果に基づいて、下記の表4に示すようなテーブルを生成しても良い。

0069

0070

上記表4では、Bレベルを基準とし、Aレベルの許容数をBレベルの許容数を許容数の半分、Cレベルの許容数をBレベルの許容数の2倍とした。ここで、塵埃計測装置4で計測可能な微粒子が例えば0.5μm以上の粒径範囲に限定されている場合などは、上記表3のような対比データを用いても良い。なお、付着率は、ユーザが使用する被露光基板Cの基材DFR(Dry Film Resist)素材および露光描画装置2の設置環境に浮遊する塵埃種類などによって異なるため、実際の生産データ相関を対比する等して求めた値に自由に設定できるようにしてある。ユーザは、制御装置3の入力部53を介して、付着率を入力し、制御部50は、入力された値を付着率として設定する。

0071

他のクラス分けの方法として、最小パターンサイズに応じて許容塵埃サイズを複数に区分けしても良い。例えば、最小パターンサイズが10μm、上記許容塵埃サイズの所定割合を10%、20%、30%で区分けする場合、付着率を1/1000、不良発生率を1%未満で被露光基板Cの両面を露光するとき、上記表4に相当する各割合でのテーブルは、下記に示す表5となる。

0072

0073

塵埃計測装置4が複数種類の粒径の微粒子について計測できる場合には、上記表5を用いてレベル分けをしても良いが、塵埃計測装置4が0.5μm以上の粒径範囲の微粒子を計測するような計測環境を使用するのであれば、表5に基づいて生成した下記の表6のテーブルでランク分けを行うと良い。下記の表6によると、上記許容塵埃サイズの所定割合が10%の場合がAランク、上記許容塵埃サイズの所定割合が20%の場合がBランク、上記許容塵埃サイズの所定割合が30%の場合がCランクとなる。

0074

0075

なお、これまで説明の前提とした塵埃濃度算出の上記(1)式と実際の微粒子の分布は、露光する被露光基板Cの基材や基材の状態およびDFRや装置のメンテナンス状態により異なるため、実態(生産データと不良発生率)に合わせて、各数値を自由に変更すると良い。例えば、下記の表7では、上記表2を基に、0.3μm以上の粒径範囲の微粒子が通常より少なく、2μm以上の粒径範囲の微粒子が存在しない場合を想定して設定したテーブルである。このように設定して得られたテーブルを生成しても良い。

0076

0077

このようにして作成されたテーブルを用いることで、パターン精細度に応じて、許容できる微粒子の粒子数の基準が設定されるため、従来のような最も厳しい条件に合わせて基準を設定することが回避され、中精細パターンでは問題ない粒子数であるにも関わらず処理が中止されてしまうことが防止される。

0078

ステップS105において、制御部50は、露光描画装置2に対して露光開始を指示する。制御部50は、露光描画装置2のシステム制御部40に対して露光開始を指示するための信号を送付する。当該信号を受信したシステム制御部40は、被露光基板Cの搬入を開始し、露光描画装置2の内部に搬入され、ステージ10に載置された被露光基板Cに対して露光を開始し、被露光基板Cに回路パターンを描画する。

0079

ステップS107において、制御部50は、塵埃計測装置4により計測された微粒子の粒子数を取得し、当該粒子数を表示部52に表示する。ユーザは、表示部52を視認することで、露光描画装置2の内部の微粒子の粒子数を認識することができる。

0080

そして、ステップS109において、制御部50は、ステップS107において取得した粒子数が閾値以上であるか否かを判定する。当該閾値は、ステップS103において作成されたテーブルにより決定される。すなわち、制御部50は、塵埃計測装置4により所定の粒径(例えば0.5μm)以上の微粒子の粒子数を計測し、上記表1乃至表7におけるユーザ所望のレベルの粒子数の値を閾値として用いる。また、塵埃計測装置4により複数種類の粒径の微粒子の粒子数を粒径毎に計測している場合には、各粒径以上の微粒子の粒子数の何れかが対応する閾値以上であった場合、粒子数が閾値以上であると判定する。

0081

ステップS109において粒子数が閾値以上であると判定された場合は、ステップS111において、制御部50は、紫外線光源21により発生した紫外線ビームを、ステージ10に載置された被露光基板Cに照射することにより、露光中の被露光基板Cの被露光面または被露光面と対向する面に予め定められたマークを形成して、被露光基板Cに粒子数が閾値以上であることを示す情報を付加する。

0082

図9は、第1実施形態に係る露光描画装置2によりマークが形成された被露光基板Cの一例を示す正面図である。図9に示すように、被露光基板Cの端部に、円形状のマークMを形成することによって粒子数が閾値以上であることを示す情報が付加される。なお、マークMの形状は円形状に限らず、星型や十字型等の任意形状のマークであっても、文字数字等であっても良い。また、マークMの位置及び大きさは、露光される画像と重ならない位置及び大きさであれば良く、被露光基板Cのサイズや露光される画像に応じて任意に設定できる。

0083

さらに、被露光基板Cに情報を付加する方法は、被露光基板Cに紫外線ビームを照射してマークを形成する方法に限定されず、例えば、インクを付着させることによりマークを描画する方法であっても良く、被露光基板Cの表面を物理的に削ることによりマークを描画する方法であっても良く、情報が付加されたシール等の媒体を被露光基板Cに貼付する方法であっても良い。

0084

そして、第1実施形態に係る露光描画装置2では、被露光基板Cに粒子数が閾値以上である旨を示す情報を付加する際に、被露光基板Cの被露光面にマークMを形成するが、情報を付加する面は被露光面に限定されず、被露光面の裏面であっても良い。

0085

ステップ113において、制御部50は、露光完了タイミング到来したか否かを判定する。この際、制御部50は、予め定められた複数の被露光基板Cの全てについて露光を完了した場合や、ユーザ操作により入力部43または操作装置53を介して完了タイミングを示す情報が入力された場合に、露光完了タイミングが到来したと判定する。

0086

ステップS113において露光完了タイミングが到来していないと判定された場合は、ステップS107に移行して、制御部50はステップS107乃至S113の処理を繰り返し、ステップS113において露光完了タイミングが到来したと判定された場合は、制御部50は、露光処理プログラムの実行を終了する。この際、制御部50は、露光停止を指示する信号を露光描画装置2に対して送付する。当該信号を受信した被露光描画装置2は、被露光基板Cに対する露光を停止する。

0087

このようにして、第1実施形態に係る露光描画システム1では、各々の被露光基板Cの露光処理時に装置内の微粒子の粒子数を計測し、計測した粒子数が基準とする閾値以上であった場合に、当該被露光基板Cに予め定められたマークMを形成することで閾値以上であることを示す情報を付加する。ユーザは、露光済みの被露光基板CにおいてマークMの有無を確認することで、その被露光基板Cについて露光処理時の塵埃レベルを確認することができる。

0088

なお、第1実施形態に係る露光描画装置2では、紫外線光源21が露光部16の近辺に固定されて設けられているが、これに限定されず、紫外線光源21は、ステージ10に設けられステージ10の移動と連動して移動するように構成されていても良い。この場合には、紫外線光源21は、制御装置3の制御に基づいて、ステージ10の位置に依存せずに任意の位置で被露光基板CにマークMを形成することができる。

0089

また、第1実施形態に係る露光描画システム1において、ステップS109にて計測された粒子数が閾値以上であると判定された場合、ステップS111において被露光基板CにマークMを描画しつつ、そのとき露光処理中の被露光基板Cに対する露光処理が完了した時点で露光処理を停止させ、露光処理を停止された状態で塵埃計測装置4による粒子数の計測を継続させ、計測された粒子数が閾値より小さくなった段階で、再び露光処理を開始するようにしても良い。これにより、露光描画装置2の装置内の微粒子の粒子数が閾値より小さい場合にのみ、被露光基板Cに対する露光を行うことができる。

0090

〔第2実施形態〕
以下、第2実施形態に係る露光描画システム1について添付図面を参照して詳細に説明する。なお、第2実施形態に係る露光描画システム1は、第1実施形態に係る露光描画システム1と同様に、図1乃至図6に示す構成を有しているため、当該構成に関して重複する説明を省略する。

0091

第2実施形態に係る露光描画システム1は、第1実施形態に係る露光描画システム1が有する機能に加えて、計測した微粒子の粒子数と被露光基板Cの識別情報とをそれぞれ対応付けて記憶する機能を備えている。

0092

第2実施形態に係る露光描画システム1による作用について説明する。

0093

図10は、第2実施形態に係る露光処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートであり、当該プログラムは制御装置3の記憶部51に備えられた記録媒体であるROMの所定領域に予め記憶されている。

0094

制御装置3の制御部50は、予め定められたタイミング(本実施形態では、予め定められた複数の被露光基板Cに対して連続的に露光を行う処理が開始されるタイミング)で、当該露光処理プログラムを実行する。

0095

ステップS201乃至S213において、制御部50は、上述したステップS101乃至S113と同様の処理をそれぞれ行う。なお、ステップS205においては、露光開始の指示を受けたシステム制御部50が、被露光基板Cの被露光面に回路パターンを描画する際に、または描画する前後に、さらに、被露光面における回路パターンの描画対象領域の外部に、光ビームを露光することによって、個々の被露光基板を識別するための識別情報であるシリアル番号を描画する。

0096

図11は、第2実施形態に係る露光描画装置2によりマークが形成された被露光基板Cの一例を示す正面図である。図11に示すように、被露光基板Cの表面にはシリアル番号Nが印字されているとともに、ステップS211において、当該シリアル番号Nと重ならない位置にマークMが形成される。

0097

そして、ステップS213において、制御部50は、被露光基板Cのシリアル番号等の識別情報を取得する。この際、制御部50は、露光描画装置2のシステム制御部40に、識別情報の取得を指示する信号を送信する。当該信号を受信したシステム制御部40は、上記ステップS205において被露光基板Cに描画したシリアル番号を識別情報として取得する。そして、システム制御部40は、取得した識別情報を制御装置3の制御部50に送信する。制御部50は、送信された識別情報を受信することで、被露光基板Cの識別情報を取得する。

0098

なお、識別情報を取得する方法は、上記方法に限定されず、ステージ10を、ステップ205にて描画されたシリアル番号が撮影部23の撮影対象領域に含まれる位置となるようにステージ10を移動させ、被露光基板Cのシリアル番号が撮影されている撮影画像からシリアル番号を画像処理により文字認識して、当該識別情報を取得するようにしても良い。

0099

ステップS215において、制御部50は、ステップS207において計測された粒子数と、ステップS213において取得した識別情報とをそれぞれ対応付けて得られる計測結果情報50を、記憶部51に記憶する。

0100

図12は、第2実施形態に係る露光描画装置2において作成される計測結果情報60の一例を示す模式図である。図12に示すように、計測結果情報60は、識別情報60aに対して微粒子の粒子数60bがそれぞれ対応付けられた情報である。図12に示す図12に示す計測結果情報60によると、識別情報「X0000001」の被露光基板Cに対して露光を行っている際に装置内で3個の微粒子が計測されたことがわかる。

0101

ステップ217において、制御部50は、露光完了タイミングが到来したか否かを判定する。この際、制御部50は、1グループの被露光基板Cの全てについて露光を完了した場合や、ユーザ操作により入力部43または操作装置53を介して完了タイミングを示す情報が入力された場合に、露光完了タイミングが到来したと判定する。

0102

ステップS217において露光完了タイミングが到来していないと判定された場合は、ステップS207に移行して、制御部50はステップS207乃至S217の処理を繰り返し、ステップS217において露光完了タイミングが到来したと判定された場合は、制御部50は、露光処理プログラムの実行を終了する。

0103

このようにして、第2実施形態に係る露光描画システム1では、計測結果情報60により示される被露光基板Cの識別情報と露光処理時の微粒子の粒子数との関係から、露光処理後に行われる検査工程で不良品であると判定された被露光基板Cと、露光処理時の微粒子の粒子数との相関を把握することができる。

0104

また、第2実施形態に係る露光描画システム1では、計測結果情報60において各々の被露光基板Cが露光される時刻を対応付けて記憶しておくことで、装置内の微粒子の粒子数が予め定められた閾値より少ない被露光基板Cであり、装置内の微粒子の粒子数が予め定められた閾値以上であると判定される前後に露光され、その露光の時点において当該粒子数が予め定められた閾値を超えている可能性がある被露光基板Cを特定することができる。

0105

さらに、第2実施形態に係る露光描画システム1において、被露光基板Cに対して複数層の露光を行う場合には、計測結果情報60において各々の被露光基板Cの層毎の露光処理時の微粒子の粒子数を対応付けて記憶しておくことで、多層基板となる被露光基板Cの何れの層で不良が発生する可能性があるかを判断することができる。

0106

〔第3実施形態〕
以下、第3実施形態に係る露光描画システム1について添付図面を参照して詳細に説明する。なお、第3実施形態に係る露光描画システム1は、第1実施形態及び第2実施形態に係る露光描画システム1と同様に、図1乃至図6に示す構成を有しているため、当該構成に関して重複する説明を省略する。

0107

第3実施形態に係る露光描画システム1は、第1実施形態に係る露光描画システム1が有する機能に加えて、計測した微粒子の粒子数をランク分けして、当該粒子数が属するランクを示すマークMRを被露光基板Cに形成する機能を備えている。

0108

第3実施形態に係る露光描画システム1による作用について説明する。

0109

図13は、第3実施形態に係る露光処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートであり、当該プログラムは制御装置3の記憶部51に備えられた記録媒体であるROMの所定領域に予め記憶されている。

0110

制御装置3の制御部50は、予め定められたタイミング(本実施形態では、予め定められた複数の被露光基板Cに対して連続的に露光を行う処理が開始されるタイミング)で、当該露光処理プログラムを実行する。

0111

ステップS301乃至S309において、制御部50は、上述したステップS101乃至S109と同様の処理をそれぞれ行う。

0112

そして、ステップS311において、制御部50は、ステップS307において計測された微粒子の粒子数が、複数のランクのうちの何れに属するかを判定する。この際、制御部50は、上記表6に基づいて、ステップS307において計測された粒径0.5μm以上の微粒子の粒子数が43個以下であった場合にはAランク、43個より大きく179個未満であった場合はBランク、179個より大きく410個未満であった場合はCランクと判定する。

0113

ステップS313において、制御部50は、紫外線光源21により発生した紫外線ビームを、ステージ10に載置された被露光基板Cの被露光面または被露光面と対向する面に照射することにより、露光中の被露光基板CにステップS307にて判定されたランクを示すマークMRを形成する。

0114

図14は、第3実施形態に係る露光描画装置2によりマークMRが形成された被露光基板Cの一例を示す正面図である。図14に示すように、被露光基板Cの端部に、ランク(図15に示す例では、Aランク)を示すマークMRが形成される。なお、被露光基板Cにマークを形成する方法は、紫外線ビームを照射する方法に限らず、インクを付着させることにより描画する方法であっても良く、被露光基板Cの表面を物理的に削ることにより描画する方法であっても良い。

0115

ステップ315において、制御部50は、露光完了タイミングが到来したか否かを判定する。この際、制御部50は、1グループの被露光基板Cの全てについて露光を完了した場合や、ユーザ操作により入力部43または操作装置53を介して完了タイミングを示す情報が入力された場合に、露光完了タイミングが到来したと判定する。

0116

ステップS315において露光完了タイミングが到来していないと判定された場合は、ステップS307に移行して、制御部50はステップS307乃至S315の処理を繰り返し、ステップS315において露光完了タイミングが到来したと判定された場合は、制御部50は、露光処理プログラムの実行を終了する。

0117

このようにして第3実施形態に係る露光描画システム1では、各々の被露光基板Cの露光処理時に装置内の微粒子の粒子数を計測し、計測した粒子数のランクを判定し、当該被露光基板Cにランクを示すマークMRを描画する。ユーザは、露光済みの被露光基板CにおいてマークMRを確認することで、その被露光基板Cについて露光処理時のダスト状態を確認することができる。

0118

〔第4実施形態〕
以下、第4実施形態に係る露光描画システム1について添付図面を参照して詳細に説明する。なお、第4実施形態に係る露光描画システム1は、第1実施形態乃至第3実施形態に係る露光描画システム1と同様に、図1乃至図6に示す構成を有しているため、当該構成に関して重複する説明を省略する。

0119

第4実施形態に係る露光描画システム1は、第3実施形態に係る露光描画システム1が有する機能に加えて、微粒子の粒子数のランクに応じて被露光基板Cを整列させる機能を備えている。

0120

第4実施形態に係る露光描画システム1による作用について説明する。

0121

図15は、第4実施形態に係る整列処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートであり、当該プログラムは制御装置3の記憶部51に備えられた記録媒体であるROMの所定領域に予め記憶されている。

0122

制御装置3の制御部50は、予め定められたタイミング(本実施形態では、露光処理プログラムを終了したタイミング)で、当該整列処理プログラムを実行する。

0123

ステップS401において、制御部50は、露光済みの被露光基板Cがあるか否かを判定する。この際、制御部50は、露光描画装置2により露光された被露光基板Cが搬送装置(図示省略)により搬送されてくる途中で、被露光基板Cが通過することがわかっている予め定められた箇所で、フォトセンサ(図示省略)により被露光基板Cの有無を判定し、被露光基板Cが有ると判定された場合に、露光済みの被露光基板Cがあると判定する。

0124

ステップS401において露光済みの被露光基板Cがあると判定された場合、ステップS403において、制御部50は、露光済みの被露光基板Cのランク情報を取得する。この際、制御部50は、ステップS311において、判定されたランクを示すランク情報をシステム制御部40が有する記録媒体または記憶部51に記憶させておき、ステップS403において、その記憶されたランク情報を取得する。なお、ランク情報を取得する方法はこれに限定されず、被露光基板Cに形成されたマークMRを撮影装置(図示省略)により撮影し、画像処理により文字認識することで、ランク情報を取得するようにしても良い。

0125

ステップS405において、制御部50は、露光済みの被露光基板Cを、ステップS403にて取得したランク情報に応じて整列させる。この際、制御部50は、搬送装置上における搬送方向に対して垂直な方向において、ランク毎に異なった予め決められた位置に被露光基板Cを配置した上で搬送させる。整列させる方法は、これに限定されず、ランク毎に搬送経路が異ならせる方法であっても良い。

0126

第4実施形態に係る露光描画システム1において、第3実施形態に係る露光描画システム1の処理により被露光基板Cにランクを示すマークMRが描画されていることを前提として説明したが、これに限定されない。例えば、第4実施形態に係る露光描画システム1は、第1実施形態に係る露光描画システム1が有する機能に加えて、微粒子の粒子数のランクに応じて被露光基板Cを整列させる機能を備えていても良い。この場合には、制御装置3は、ステップS403において、被露光基板CにマークMが描画されているか否かを判定し、ステップS405において、マークMの描画の有無に応じて露光済みの被露光基板Cを整列されると良い。

0127

1…露光描画システム,2…露光描画装置,3…制御装置,4…塵埃計測装置,5…第1搬送部,6…第2搬送部,10…ステージ,11…基体,12…基台,14…ガイドレール,15…ゲート,16…露光部,16a…露光ヘッド,17…光源ユニット,18…光ファイバ,19…画像処理ユニット,20…信号ケーブル,21…紫外線光源,22…ゲート,23…撮影部,24…ACハンド,25…吸着部,26…押付部,30…吸入窓,31…排出窓,32…レーザ発生装置,33…出射窓,34…入射窓,35…集光レンズ,36…検出装置,40…システム制御部,41…ステージ駆動部,42…操作装置,43…移動駆動部,50…制御部,51…記憶部,52…表示部,53…入力部,54…通信インタフェース,60…計測結果情報,61…対応情報,C…被露光基板,L…レーザ,M、MR…マーク,N…シリアル番号。

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