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技術 温度に基づいた装置動作のための装置および方法

出願人 シーゲイトテクノロジーエルエルシー
発明者 マイケル・アレン・セイグラージョン・ウェスト・ダイクス
出願日 2012年12月4日 (8年5ヶ月経過) 出願番号 2012-265214
公開日 2013年6月13日 (7年11ヶ月経過) 公開番号 2013-117965
状態 特許登録済
技術分野 エラー時の再試行 ディスク装置の機能制御 外部記憶装置との入出力 ハードウェアの冗長性
主要キーワード 探索長 書込頻度 事前増幅 挙動修正 書込チャネル 磁気記憶ディスク 書込エラー プログラマブル論理アレイ
関連する未来課題
重要な関連分野

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図面 (6)

課題

温度に基づいた装置動作のためのシステムおよび方法を提供する。

解決手段

一例では、装置は第1のメモリ温度検出モジュールとを含んでいてもよく、温度検出モジュールは、装置の温度を測定し、温度に基づいて第1のメモリのデータ記憶挙動修正するように適合されている。装置は第2のメモリをさらに含んでいてもよく、温度検出モジュールは、温度しきい値を上回る場合、データがより少ない頻度で第1のメモリに書込まれ、より多い頻度で第2のメモリに書込まれるよう指示してもよい。温度検出モジュールはまた、温度しきい値を上回る場合、装置についての動作制限、たとえばバックグラウンド診断の実行の制限や他の動作制限の実施などを実施してもよい。いくつかの実施例では、湿度、高度、空気圧物理的衝撃、または他の要因といった他の環境要因監視されてもよく、それらの要因に基づいて装置動作が修正されてもよい。

概要

背景

概要

温度に基づいた装置動作のためのシステムおよび方法を提供する。一例では、装置は第1のメモリ温度検出モジュールとを含んでいてもよく、温度検出モジュールは、装置の温度を測定し、温度に基づいて第1のメモリのデータ記憶挙動修正するように適合されている。装置は第2のメモリをさらに含んでいてもよく、温度検出モジュールは、温度しきい値を上回る場合、データがより少ない頻度で第1のメモリに書込まれ、より多い頻度で第2のメモリに書込まれるよう指示してもよい。温度検出モジュールはまた、温度しきい値を上回る場合、装置についての動作制限、たとえばバックグラウンド診断の実行の制限や他の動作制限の実施などを実施してもよい。いくつかの実施例では、湿度、高度、空気圧物理的衝撃、または他の要因といった他の環境要因監視されてもよく、それらの要因に基づいて装置動作が修正されてもよい。

目的

具体的には、図2は、ディスクドライブデータ記憶装置(DSD)200の機能ブロック図を提供する

効果

実績

技術文献被引用数
0件
牽制数
1件

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請求項1

装置であって、第1のメモリと、温度検出モジュールとを含み、温度検出モジュールは、装置の温度を測定し、温度に基づいて第1のメモリのデータ記憶挙動修正するように適合されている、装置。

請求項2

第2のメモリをさらに含み、温度検出モジュールはさらに、温度が温度しきい値を上回る場合、第1のメモリ用に意図されたデータが第2のメモリに書込まれるよう指示するように適合されている、請求項1に記載の装置。

請求項3

インターフェイスをさらに含み、第1のメモリ用に意図されたデータはインターフェイスでホストから受信され、データに関連付けられたホストから受信された論理ブロックアドレス(LBA)が、第1のメモリの物理的位置にマッピングされる、請求項2に記載の装置。

請求項4

温度が温度しきい値を下回る場合、装置は、第2のメモリに記憶されたデータを第1のメモリに移動させる、請求項2に記載の装置。

請求項5

第2のメモリがほぼ容量一杯である場合、装置は、第2のメモリに記憶されたデータを第1のメモリに移動させる、請求項2に記載の装置。

請求項6

第1のメモリはディスクメモリであり、第2のメモリは固体メモリである、請求項2に記載の装置。

請求項7

ディスクメモリへのデータ書込補助するための熱補助磁気記録装置をさらに含む、請求項6に記載の装置。

請求項8

データ記憶挙動は、データが第1のメモリに書込まれる頻度を減少させ、データが第2のメモリに書込まれる頻度を増加させることを含む、請求項2に記載の装置。

請求項9

データ記憶挙動は、温度に基づいて装置用動作制限を実施することを含む、請求項1に記載の装置。

請求項10

動作制限は、バックグラウンド診断の実行を防止することを含む、請求項9に記載の装置。

請求項11

複数の異なる温度しきい値に基づいて、複数のデータ記憶挙動が修正される、請求項1に記載の装置。

請求項12

温度検出モジュールはさらに、装置が温度しきい値を上回って動作する時間の長さを判断し、時間の長さがしきい値時間を上回る場合、データ記憶挙動を修正するように適合されている、請求項1に記載の装置。

請求項13

温度検出モジュールはさらに、時間の長さおよび温度の記録を取るように適合されている、請求項12に記載の装置。

請求項14

装置であって、第1のメモリと、第2のメモリと、コントローラとを含み、コントローラは、データ記憶装置の温度を検出し、温度が温度しきい値を上回る場合、第1のメモリ用に意図されたデータが第2のメモリに書込まれるよう指示するように構成されている、装置。

請求項15

装置は、第2のメモリが容量しきい値に達している場合、データを第2のメモリから第1のメモリに移動させるように構成されている、請求項14に記載の装置。

請求項16

装置は、温度がしきい値を下回る場合、データを第2のメモリから第1のメモリに移動させる、請求項14に記載の装置。

請求項17

コントローラはさらに、温度がしきい値を上回る場合、データが第1のメモリに書込まれる頻度を減少させ、データが第2のメモリに書込まれる頻度を増加させるように構成されている、請求項16に記載の装置。

請求項18

データ記憶装置の温度を検出するステップと、温度に基づいて、データ記憶装置の動作を修正するステップとを含む、方法。

請求項19

時間値および対応する温度値監視するステップと、時間値および対応する温度値に基づいて、データ記憶装置の動作を修正するステップとをさらに含む、請求項18に記載の方法。

請求項20

データ記憶装置がしきい値温度を上回って動作する時間の長さを判断するステップと、時間の長さがしきい値時間を上回る場合、データを不揮発性固体メモリ書込むステップとをさらに含む、請求項19に記載の方法。

請求項21

データ記憶装置の動作は、温度値に基づいて、データが第1のメモリに書込まれる頻度を減少させ、データが第2のメモリに書込まれる頻度を増加させることによって修正される、請求項18に記載の方法。

請求項22

温度しきい値を上回り、かつ第1のメモリに書込まれたデータにおいてエラーが検出された場合、データ記憶装置の動作は、データを第2のメモリに書込むよう修正される、請求項18に記載の方法。

技術分野

0001

発明の詳細な説明
背景
データ記憶装置は、異なる温度で異なるように動作する場合がある。たとえば、より高い温度は、いくつかの記憶媒体に記憶された装置の信頼性を損なうおそれがあり、または装置の構成部品の性能または耐久性に影響を与えるおそれがある。

課題を解決するための手段

0002

概要
装置は、第1のメモリと、温度検出モジュール(temperature detection module:TDM)とを含んでいてもよい。TDMは、装置の温度を測定し、温度に基づいて第1のメモリのデータ記憶挙動修正するように適合されてもよい。

0003

別の実施例では、装置は、データ記憶装置の温度を検出し、温度がしきい値を上回る場合、データを第2のメモリに書込むように構成されたコントローラを含んでいてもよい。

0004

別の実施例は、データ記憶装置の温度を検出するステップと、温度に基づいて、データ記憶装置の動作を修正するステップとを含む、方法であってもよい。

図面の簡単な説明

0005

温度に基づいた装置動作のためのシステムの例示的な一実施例の図である。
温度に基づいた装置動作のためのシステムの別の例示的な実施例の図である。
温度に基づいた装置動作のための方法の例示的な一実施例のフローチャートである。
温度に基づいた装置動作のための方法の例示的な一実施例のフローチャートである。
温度に基づいた装置動作のための方法の例示的な一実施例のフローチャートである。

実施例

0006

詳細な説明
以下の実施例の詳細な説明では、その一部を形成し、かつ特定の実施例を例示として示す添付図面を参照する。この開示の範囲から逸脱することなく、他の実施例が利用されてもよいこと、および構造的変更を加えてもよいことが理解されるべきである。

0007

図1は、概して100で示された、温度に基づいた装置動作のためのシステムの例示的な一実施例の図を示す。システム100は、ホスト102と、データ記憶装置(data storage device:DSD)104とを含んでいてもよい。ホスト102は、ホストシステムまたはホストコンピュータとも呼ばれてもよい。ホスト102は、デスクトップコンピュータラップトップコンピュータサーバ携帯情報端末(personal digital assistant:PDA)、電話音楽プレイヤー、別の電子装置、またはそれらの任意の組合せであってもよい。同様に、DSD104は、上述の装置のいずれかであってもよく、またはデータを記憶または検索するために使用され得る任意の他の装置であってもよい。また、DSD104は、ホスト102に接続されていないスタンドアロン装置であってもよい。

0008

データ記憶装置104は、第1のメモリ106と、第2のメモリ108と、温度検出モジュール(TDM)110とを含んでいてもよい。いくつかの実施例では、第1のメモリ106はディスクデータ記憶媒体などのDSD104の不揮発性記憶媒体であってもよく、第2のメモリ108はデータバッファまたはキャッシュであってもよい。ここで、第2のメモリ108は、第1のメモリ106に比べ、温度変化の影響をあまり受けないものであってもよい。たとえば、DSD104は、ディスクデータ記憶媒体とフラッシュメモリなどの不揮発性固体メモリとのハイブリッドディスクドライブであってもよい。第1のメモリ106および第2のメモリ108は、フラッシュメモリ、ROM、RAM、DRAM、SRAM、他の固体メモリ磁気メモリ光メモリ、またはそれらの任意の組合せといった、データを記憶可能な任意の形態の揮発性または不揮発性メモリであってもよい。

0009

温度検出モジュール110は、DSD104またはDSD104の構成部品の温度を監視できる。TDM110は、温度情報感知または処理可能な、ソフトウェアプログラマブルコントローラ回路、CPU、または任意の素子の組合せであってもよい。TDM110は、DSD104の単一もしくは複数の位置または素子の温度を監視するように設計されてもよい。TDM110はまた、DSD104または構成部品が温度しきい値を上回って動作する時間の長さを判断するように設計されてもよい。

0010

TDM110は、温度しきい値を上回ったとTDM110が判断した場合、または指定された長さの時間にわたって温度しきい値を上回った場合、DSD104の挙動を修正するように構成されてもよい。たとえば、DSDが70℃というしきい値温度を2分以上にわたって上回って動作している場合、TDM110はDSD104の挙動を修正してもよい。この挙動は、動作制限、たとえばバックグラウンド診断を制限すること、処理速度を落とすこと、コマンドが実行される頻度を減少させること(ユーザコマンドを全く処理しない場合を含む)、モータ速度または探索速度を落とすこと、1つ以上の磁気記憶ディスクの回転を完全に停止させること、または省電力モードに入ることなどを、DSD104に対して課すように修正されてもよい。修正された挙動の別の例は、DSD104のメモリの或るデータゾーン内でのみコマンドを処理し、それにより探索長さおよび電力消費を制限することであってもよい。この例を実施する手段として、データは異なる分類へと分割され、分類に依存して異なるディスク位置マッピングされてもよい。

0011

TDM110は、時間および温度の記録を取るように構成されてもよい。この記録は、DSD104の或る構成部品に診断を集中させ、装置または構成部品がどれくらい長い間しきい値温度を上回って動作しているかをユーザに警告し、近々起こり得る装置または構成部品の故障予測し、しきい値温度以上での構成部品または装置の動作に関するデータを蓄積するために、もしくは他の目的またはそれらの任意の組合せのために、使用されてもよい。

0012

また、TDM110は、データ記憶挙動の頻度または宛先を変更することにより、DSD104によってデータがどのように記録または読出されるかを修正してもよい。ここで使用される「頻度」という用語は、挙動がどのくらい頻繁に行なわれるかを指す。読出または書込挙動の修正の一例として、しきい値温度を上回ると、TDM110は、データがより少ない頻度で第1のメモリ106に書込まれるよう指示してもよく、それはデータが第1のメモリ106に全く書込まれないことを含む。第1のメモリ106に書込まれなかったデータは、第2のメモリ108に書込まれてもよい。たとえば、ホスト102は第1のメモリ106の物理的位置にマッピングされた論理ブロックアドレス(Logical Block Address:LBA)を用いてデータを送信してもよいが、しきい値温度を上回ったとTDM110が検出した場合、それはデータが代わりに第2のメモリ108に書込まれるよう指示してもよい。

0013

TDM110は、データが第1のメモリ106から読出され得るものの第1のメモリに書込まれない挙動モードを実施してもよい。温度が温度しきい値(たとえば60℃)を下回った、または第2のより低い温度しきい値(たとえば55℃)を下回ったとTDM110が判断した場合、TDM110は、第2のメモリ108に書込まれたデータが第1のメモリ106に移動されるよう指示してもよい。第2のメモリ108がほぼ容量一杯であるとTDM110が判断した場合、それは同様に、第2のメモリ108に記憶されたデータが第1のメモリ106に移動されるよう指示してもよい。データは、連続書込動作によるなどの効率的な態様でデータが第1のメモリ106に移動され得るように、第2のメモリ108においてまとめられてもよい。いくつかの実施例では、このように動作するDSD104は、高温によって悪影響を受けるかもしれない動作を最小限に抑えつつ、最高のまたはほぼ最高の性能でデータを書込み得る。一例として、データ記憶媒体の中には、他のデータ記憶媒体に比べ、高温による書込エラーをより受けやすいものがあり、そのため、高温での2つの記憶媒体間切換えデータ記憶信頼性を高める場合がある。

0014

TDM110は、複数の温度しきい値について監視するように適合されてもよく、異なるしきい値は、TDM110が1つ以上の対応するしきい値に基づいてDSD104の挙動を異なるように修正することから生じる。たとえば、第1のしきい値(たとえば60℃)を超えると、TDM110はバックグラウンド診断を制限してもよく、第2の温度しきい値(たとえば70℃)を超えると、TDM110は第1のメモリ106への書込動作を制限してもよく、第3の温度しきい値(たとえば90℃)を超えると、TDM110はDSD104を完全に停止させてもよい。いくつかの実施例では、TDM110は、DSD104の1つ以上の構成部品の完全性が損なわれ得る或る高い温度しきい値(たとえば90℃)を上回ったかどうかを監視し、それに応じて装置挙動を調節してもよい。

0015

温度しきい値を上回った場合、TDM110はDSD104がどのようにデータを記憶するかを変更してもよい。TDM110は、熱補助磁気記録(heat assisted magnetic recording:HAMR)技術を用いた磁気ディスクと不揮発性固体メモリとを有するハイブリッドDSD104により実現されてもよく、その場合、TDM110は、HAMR技術のレーザ素子の温度を監視するように構成されてもよい。温度しきい値を上回ったとTDM110が検出した場合、またはオプションで特定の長さの時間にわたって温度しきい値を上回った場合、TDM110は、当初磁気ディスクに書込まれるよう意図されていたかもしれないデータが、磁気ディスクにではなく不揮発性固体メモリに記録されるよう指示してもよい。いくつかの実施例では、データは当初、ホスト102から受信された論理ブロックアドレスに基づいた特定のデータ記憶媒体用に意図されていてもよく、論理ブロックアドレスは、論理ブロックアドレスに関連付けられたデータを記憶する関連付けられた物理的位置を有し得る。論理ブロックアドレスに関連付けられたデータの物理的位置は当初、磁気ディスクなどの特定のデータ記憶媒体に関連付けられていてもよい。

0016

他の実施例では、TDM110は、データがより少ない頻度で磁気ディスクに書込まれ、より多い頻度で不揮発性固体メモリに書込まれるよう指示してもよい。温度が第2のしきい値を下回ったとTDM110が判断した場合、または不揮発性固体メモリが容量に近づいている場合、TDM110は、不揮発性固体メモリに記憶されたデータが磁気ディスクに移動されるよう指示してもよい。データを磁気ディスクに記憶しないことにより、レーザを含むHAMR技術の動作を制限することは、レーザおよびDSD104の動作寿命を長くし得る。

0017

TDM110は連続して温度を監視してもよく、もしくは、ユーザにより開始される監視、他のソフトウェアまたはハードウェア構成要素により開始される監視、30秒ごとなどの時間間隔に基づいて開始される監視、連続的または間欠データ書込周期に基づいて開始される監視、温度監視動作を引起こし得る任意の他の状況、またはそれらの任意の組合せに基づいて、温度を監視したり他の態様で動作してもよい。

0018

一例として、TDM110は、ユーザに情報を表示し、TDM110の動作のユーザ監督を可能にするように設計されてもよい。TDM110は、ディスプレイがユーザに温度または指標を見せるようにしてもよく、ユーザは手動で、TDM110がDSD104用の挙動修正を実施するかどうかを指示し、またはTDM110がどの挙動修正を実施するかを選択してもよい。いくつかの実施例では、TDM110は、DSD104を高温で動作させることはDSD104の性能または寿命に悪影響を与え得るという警告をユーザに提供してもよく、ユーザは、挙動修正を実施するか、または挙動修正なしでDSD104を動作させるかを選択してもよい。

0019

図2は、概して200で示される、温度に基づいた装置動作のためのシステムの別の例示的な実施例の図を示す。具体的には、図2は、ディスクドライブデータ記憶装置(DSD)200の機能ブロック図を提供する。DSD200は、図1に示す装置104などのデータ記憶装置であってもよい。データ記憶装置200は、(図1に示すホストシステム102などの)ホスト装置202と、ハードウェアファームウェアベースホストインターフェイス回路204を介して通信可能であり、ホストインターフェイス回路204は、DSD200がホスト202から物理的に取外されることを可能にするコネクタ(図示せず)を含んでいてもよい。バッファ212は読出および書込動作中にユーザデータを一時的に記憶することができ、また、待ち状態の複数のアクセス動作が実行を待つ間に一時的に記憶され得るコマンドキュー(CQ)203を含んでいてもよい。さらなるキャッシュまたはバッファメモリ用に、もしくはDSD200用のさらなるデータ記憶を提供するために、フラッシュメモリなどの不揮発性固体メモリ203が含まれていてもよい。

0020

DSD200は、関連付けられたメモリ208とプロセッサ210とを有するプログラマブルコントローラ206を含んでいてもよい。コントローラ206はまた、温度検出モジュール(TDM)214を含んでいてもよく、それはコントローラ206から独立していても、またはコントローラ206の一部であってもよい。TDM214は温度を直接監視してもよく、または、1つ以上の温度センサ211がTDM214またはコントローラ206に接続されてもよい。TDM214および温度センサ211は、DSD200の1つ以上の位置で温度を監視するように位置していてもよい。たとえば、ベースプレート、Eブロックなどの回路基板、読出/書込ヘッドスライダヘッド219、またはレーザ215自体の温度を監視するために、温度センサが位置していてもよい。他の機能を行なう装置または構成部品、たとえば、ディスク209の飛行高度を監視または制御する構成部品、コイル224、またはレーザ215用の電力モニタも、温度センサ211として作用するように適合されてもよい。

0021

また、図2は、DSD200が読出/書込(R/W)チャネル217を含み得ることを示しており、読出/書込チャネル217は、書込動作中にデータを符号化し、読出動作中にディスク209から検索されたユーザデータを復元することができる。前置増幅器ドライバ回路プリアンプ)218は、書込電流をヘッド219に印加可能であり、読戻し信号の事前増幅を提供する。熱補助磁気記録(HAMR)装置によって使用されるレーザなどのレーザ215は、ディスク209に対して書込動作を行なうために、ヘッド219の一部であってもよく、ヘッド219に結合されてもよく、またはヘッド219の近傍に位置して、ヘッド219によって動作可能に制御されてもよい。サーボ制御回路220はサーボデータを用いて、適切な電流をコイル224に提供し、ヘッド219およびレーザ215を位置付けてもよい。コントローラ206は、コマンドキュー213におけるさまざまな待ち状態のコマンドの実行中、ヘッド219およびレーザ215をディスク209上の所望の位置に移動させるように、プロセッサ222と通信することができる。

0022

TDM214は、TDMについてここに説明されたあらゆる機能およびプロセス、たとえば、DSD200内の温度を監視すること、温度しきい値を上回った場合、DSD200の挙動を修正することを行なうように適合されてもよい。いくつかの実施例では、ある長さの時間にわたって温度しきい値を上回った後で、挙動が修正されてもよい。動作挙動の修正は、バックグラウンド診断を減少させること、もしくはデータがディスク209または不揮発性固体メモリ203に書込まれる頻度を変更することといった、DSD200のプロセスを制限することを含んでいてもよい。たとえば、TDM214は、ディスク209へのデータ書込動作が間欠的に行なわれるかあるいは全く行なわれないよう指示してもよく、過剰データが不揮発性固体メモリ203に書込まれるよう指示してもよい。

0023

別の実施例では、TDM214は書込後読出動作を修正してもよい。たとえば、データをデータ記憶媒体に書込む際、コントローラ206は、データが書込まれたことを検証するために、書込動作の直後に読出動作を行なうよう指示してもよい。書込後読出動作は、データの完全性を高めることができる。なぜならそれは、エラーが検出された場合に書込キャッシュからのデータの再書込を可能にするからである。このため、データを読出す際にエラーが生じた場合、コントローラ206はデータを再書込し得る。しかしながら、温度しきい値を上回ったとTDM214が判断した場合、コントローラ206またはTDM214は、以前のデータ書込動作とは異なるデータ記憶媒体でデータ再書込動作が起こるよう指示してもよい。特定の一例では、第1の書込動作がディスク209で(このため、図2の例におけるHAMR技術およびレーザ215を用いて)起こり、書込後読出検証が書込まれたデータにおけるエラーを指摘し、その後のデータの書込(すなわち再書込)が不揮発性固体メモリ203に対して行なわれてもよい。

0024

図3を参照して、温度に基づいた装置動作のための方法300の例示的な一実施例のフローチャートを示す。方法300は、302で、装置の温度を監視するステップを含み得る。方法300は、304で、しきい値温度を上回ったかどうかを判断するステップを伴ってもよい。温度を上回っていない場合、方法300は、302で引続き温度を監視してもよい。しきい値温度を上回った場合、方法300は、306で、温度に基づいて装置の動作を修正するステップを伴い得る。方法300は、306で装置の動作を修正した後、302で温度の監視を再開または継続してもよい。

0025

306での装置動作に対する修正は、TDMによって実施されるあらゆる例示的な挙動または動作の修正、もしくは当業者には自明であるような任意の他の修正を含んでいてもよい。たとえば、方法300は、バックグラウンド診断を防止するなど、装置のプロセスを制限してもよい。動作の別の可能な修正では、方法300は、1つ以上のメモリにデータが書込まれる頻度を変更してもよい。別の例では、方法300は、第1の磁気ディスクメモリへの書込動作の頻度を減少させ、過剰データを第2の固体メモリに書込んでもよい。

0026

図4は、データ記憶装置(DSD)に当てはまるような、温度に基づいた装置動作のための方法400の例示的な一実施例のフローチャートを示す。方法400は、図1に示すDSD104または図2に示すDSD200といった、第1および第2の不揮発性メモリを有するデータ記憶装置に当てはめられてもよい。

0027

方法400は、402で、DSDの温度を監視するステップを伴ってもよい。方法400は、404で、しきい値温度を上回ったかどうかを判断してもよい。しきい値温度を上回っていない場合、402で温度監視が継続してもよい。温度がしきい値温度を上回った場合、方法400は、406で、DSDがデータを第2のメモリに書込むよう指示してもよい。これは、第1のメモリへのデータ書込動作の減少または完全停止を伴い得る。

0028

方法400は、408で、温度がしきい値温度を下回ったかどうかを検討してもよい。これは、404で検討された当初のしきい値温度であってもよく、または、それは第2のより低い温度しきい値であってもよい。たとえば、当初の温度しきい値が60℃で、第2のより低い温度しきい値が55℃である。408で温度がしきい値温度を下回った場合、方法400は、412で、データを第2のメモリから第1のメモリに移動させてもよい。温度がしきい値温度を下回っていない場合、方法400は引続き、408で温度を監視し、410で第2のメモリに空間が残っているかを監視してもよい。

0029

方法400は、410で、第2のメモリが容量に近づいているかどうかを検討してもよい。第2のメモリがほぼ一杯である場合、またはデータ記憶しきい値を超えている場合、方法400は、412で、データを第2のメモリから第1のメモリに移動させるステップを伴ってもよい。第2のメモリに依然として十分な空間が残っている場合、方法400は引続き、408で温度を監視し、410で第2のメモリに空間が残っているかを監視してもよい。

0030

方法400が412でデータを第2のメモリから第1のメモリに移動させるよう指示するような条件が一旦満たされると、方法は、404で、DSDの温度がしきい値を上回っているかどうかを再評価してもよい。温度が依然としてしきい値を上回る場合、406でデータは引続き第2のメモリに書込まれてもよく、その他の場合、方法400は、402で温度の監視を再開してもよい。

0031

方法400のステップは、特定の順序図2に示されている。しかしながら、さらなるステップが含まれてもよいこと、または、いくつかのステップが除外されたり、図2に示す順序とは異なる順序で行なわれたりしてもよいことは、当業者には自明であろう。たとえば、ステップ408および410は、いずれかの順序で連続して行なわれてもよく、または並行して行なわれてもよい。

0032

図5を参照すると、温度に基づいた装置動作のための方法500の例示的な一実施例のフローチャートが示されている。方法500は、バッファとして使用される第1のメモリおよび第2のメモリを有するDSDに当てはめられてもよい。方法500は、502で、DSDの温度を監視し、504で、しきい値温度を上回ったかどうかを判断してもよい。しきい値温度を上回っていない場合、502で温度監視が継続してもよい。温度がしきい値温度を上回った場合、方法500は、506で、第1のメモリへの書込の頻度を変更するよう指示してもよい。

0033

書込頻度の変更は、書込頻度を設定するためにコントローラによってチェックされるレジスタに記憶された値を修正すること、DSDファームウェアで設定された機能または命令を実施すること、データ書込用の宛先としてバッファまたは第2のメモリを指定すること、DSD用の書込モードを決めるフラグを設定すること、書込可能なデータストリーム切れ目を挿入すること、書込頻度を修正する任意の他の方法、またはそれらの任意の組合せによって達成されてもよい。書込頻度は、書込の頻度を増減させることにより、または連続書込動作の最長持続時間を設定することにより変更可能である。

0034

506での第1のメモリへのデータ書込動作の頻度の修正が、第1のメモリに書込まれていない過剰データをもたらす場合、方法500は、508で、必要であれば過剰データがバッファに書込まれるよう指示可能である。たとえば、書込頻度が制限された第1のメモリに書込可能な速度よりも速い速度でデータを受信した場合、受信データの一部またはすべてを第2のメモリに一時的にまたは永続的に書込むことができる。過剰データはキャッシュメモリまたは第2の不揮発性メモリ、たとえば不揮発性固体メモリに書込まれてもよい。たとえば、駆動動作時間の10%の間だけデータが第1のメモリに書込まれるように、書込制限が課されてもよい。残りの90%は、メモリから読出し、第2のメモリに書込み、アイドル状態に留まるために、または他の動作のために使用されてもよい。いくつかの実施例では、層状しきい値システムに基づき、複数の温度しきい値に基づいて異なる書込制限が課されてもよい。たとえば、低温では、駆動動作時間の100%、データが第1のメモリに書込まれてもよく、第1の温度しきい値では、データ書込は駆動動作時間の50%に制限されてもよく、第2のしきい値では、データ書込は時間の10%だけ第1のメモリに書込まれてもよく、第3のしきい値では、データは第1のメモリに全く書込まれず、第2のメモリにのみ書込まれてもよい。

0035

また、方法500は、510で、バッファが容量に近づいているかまたはしきい値容量を超えているかどうかを判断してもよい。十分な空間が残っている場合、508で、データは引続きバッファに書込まれ得る。バッファが容量に近づいているかまたはしきい値容量を超えている場合、方法500は、512で、データをバッファから第1のメモリなどの別のメモリ位置に移動させてもよい。次に、方法500は、504でDSDの温度がしきい値を超えているかどうかを引続き判断し、それに応じて506および508でデータが第1のメモリまたはバッファに書込まれるよう指示してもよい。

0036

上述の方法および装置は温度に基づいた装置動作に関しているが、他の環境要因も監視されてもよく、それらの要因に従って装置動作が修正されてもよい。たとえば、湿度、高度、空気圧物理的衝撃、または他の要因といった環境要因が監視されてもよく、それらの要因に従って装置動作が修正されてもよい。

0037

さまざまな実施例によれば、ここに説明された方法は、コントローラ206などのコントローラまたはコンピュータプロセッサ上で走る1つ以上のソフトウェアプログラムとして実現されてもよい。別の実施例によれば、ここに説明された方法は、ディスクドライブを使用するパーソナルコンピュータなどのコンピューティング装置上で走る1つ以上のソフトウェアプログラムとして実現されてもよい。ここに説明された方法を実現するために、特定用途向け集積回路プログラマブル論理アレイ、および他のハードウェア装置を含むもののそれらに限定されない専用のハードウェア実現例が、同様に構築可能である。また、ここに説明された方法は、実行時にプロセッサに方法を行なわせる命令を含むコンピュータ読取可能媒体として実現されてもよい。

0038

ここに説明された実施例の例示は、さまざまな実施例の構造の一般的な理解を提供するよう意図されている。例示は、ここに説明された構造または方法を利用する装置およびシステムのすべての要素および特徴の完全な説明として機能するよう意図されてはいない。この開示を検討すれば、多くの他の実施例が当業者には自明であろう。開示の範囲から逸脱することなく構造的、論理的な書換および変更を行い得るように、他の実施例がこの開示から利用され、導かれてもよい。さらに、特定の実施例がここに例示され、説明されてきたが、同様のまたは類似する目的を達成するために設計された以降の構成を、図示された特定の実施例の代わりに代用してもよい、ということが理解されるべきである。

0039

この開示は、さまざまな実施例の以降のあらゆる適合または変更を網羅するよう意図されている。説明を検討すれば、前述の実施例およびここに具体的には説明されていない他の実施例の組合せが当業者には自明であろう。加えて、例示は表現上のものにすぎず、縮尺どおりに描かれていない場合がある。例示内の或る比率誇張され、一方、他の比率は縮小されている場合がある。したがって、この開示および図面は、限定的ではなく例示的であるとみなされるべきである。

0040

104:データ記憶装置、106:第1のメモリ、108:第2のメモリ、110、214:温度検出モジュール(TDM)、206:コントローラ。

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