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技術 有機発光ダイオード装置

出願人 三星ディスプレイ株式會社
発明者 金容鐸金元鐘鄭知泳李濬九崔鎭白黄圭煥呉一洙李鐘赫
出願日 2010年10月1日 (10年4ヶ月経過) 出願番号 2010-223925
公開日 2012年1月26日 (9年0ヶ月経過) 公開番号 2012-018899
状態 特許登録済
技術分野 エレクトロルミネッセンス光源
主要キーワード 有機発光ダイオード装置 精密加工技術 有機発光部材 電子ビーム加熱法 改良形態 特定波長領域 厚さの範囲 金属酸窒化物
関連する未来課題
重要な関連分野

この項目の情報は公開日時点(2012年1月26日)のものです。
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図面 (4)

課題

高い透光性を有すると共に、抵抗が低い電極を用いた有機発光ダイオード装置を提供する。

解決手段

第1電極、前記第1電極と対向する第2電極、及び前記第1電極と前記第2電極との間に位置する発光層を含み、前記第1電極は、イッテルビウム(Yb)、サマリウム(Sm)、ランタン(La)、イットリウム(Y)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)、セシウム(Cs)、ルテニウム(Ru)、バリウム(Ba)、またはこれらの組み合わせを含み、40Å〜200Åの厚さを有する第1層、及び銀(Ag)、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、クロム(Cr)、またはこれらの組み合わせを含み、100Å〜250Åの厚さを有する第2層を含む有機発光ダイオード装置を提供する。

概要

背景

最近、モニターまたはテレビなどの軽量化及び薄形化が要求されており、このような要求によって陰極線管(cathode ray tube、CRT)が液晶表示装置(liquid crystal displayay、LCD)に代替されている。しかし、液晶表示装置は、受動的発光素子であって、別途バックライトが必要であるだけでなく、応答速度及び視野角などにおいて限界がある。最近、このような限界を克服できる表示装置として、有機発光ダイオード装置(organiclight emitting diode device、OLED device)が注目されている。有機発光ダイオード装置は、二つの電極と、その間に位置する発光層とを含み、一つの電極から注入された電子と、他の電極から注入された正孔とが発光層で結合して励起子を形成し、励起子がエネルギーを放出しながら発光する。

一方、発光層で発光した光は、二つの電極のうちの少なくとも一つを通過して外部に放出される。この場合、発光層で発光した光が電極によって失われることがある。

概要

高い透光性を有すると共に、抵抗が低い電極を用いた有機発光ダイオード装置を提供する。第1電極、前記第1電極と対向する第2電極、及び前記第1電極と前記第2電極との間に位置する発光層を含み、前記第1電極は、イッテルビウム(Yb)、サマリウム(Sm)、ランタン(La)、イットリウム(Y)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)、セシウム(Cs)、ルテニウム(Ru)、バリウム(Ba)、またはこれらの組み合わせを含み、40Å〜200Åの厚さを有する第1層、及び銀(Ag)、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、クロム(Cr)、またはこれらの組み合わせを含み、100Å〜250Åの厚さを有する第2層を含む有機発光ダイオード装置を提供する。

目的

本発明では、高い透過率を有しながらも、抵抗が低い電極を含む有機発光ダイオード装置を提供する

効果

実績

技術文献被引用数
1件
牽制数
1件

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請求項1

第1電極、前記第1電極と対向する第2電極、及び前記第1電極と前記第2電極との間に位置する発光層を含み、前記第1電極は、イッテルビウム(Yb)、サマリウム(Sm)、ランタン(La)、イットリウム(Y)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)、セシウム(Cs)、ルテニウム(Ru)、バリウム(Ba)、またはこれらの組み合わせを含み、40Å〜200Åの厚さを有する第1層、及び銀(Ag)、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、クロム(Cr)、またはこれらの組み合わせを含み、100Å〜250Åの厚さを有する第2層を含む有機発光ダイオード装置

請求項2

前記第1電極は、波長550nmにおける透過率が20%〜50%である、請求項1に記載の有機発光ダイオード装置。

請求項3

前記第1電極は、10Ω/cm2より低い面抵抗を有する、請求項1または2に記載の有機発光ダイオード装置。

請求項4

前記第1電極は、5Ω/cm2より低い面抵抗を有する、請求項3に記載の有機発光ダイオード装置。

請求項5

前記第1層はイッテルビウム(Yb)を含み、前記第2層は銀(Ag)を含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の有機発光ダイオード装置。

請求項6

前記第1電極は、金属酸化物金属窒化物、または金属酸窒化物を含む第3層をさらに含む、請求項1〜5のいずれか一項に記載の有機発光ダイオード装置。

請求項7

前記第3層は、屈折率が1.5より高い、請求項6に記載の有機発光ダイオード装置。

請求項8

前記第1電極はカソードであり、前記第2電極はアノードである、請求項1〜7のいずれか一項に記載の有機発光ダイオード装置。

技術分野

0001

本発明は、有機発光ダイオード装置に関するものである。

背景技術

0002

最近、モニターまたはテレビなどの軽量化及び薄形化が要求されており、このような要求によって陰極線管(cathode ray tube、CRT)が液晶表示装置(liquid crystal displayay、LCD)に代替されている。しかし、液晶表示装置は、受動的発光素子であって、別途バックライトが必要であるだけでなく、応答速度及び視野角などにおいて限界がある。最近、このような限界を克服できる表示装置として、有機発光ダイオード装置(organiclight emitting diode device、OLED device)が注目されている。有機発光ダイオード装置は、二つの電極と、その間に位置する発光層とを含み、一つの電極から注入された電子と、他の電極から注入された正孔とが発光層で結合して励起子を形成し、励起子がエネルギーを放出しながら発光する。

0003

一方、発光層で発光した光は、二つの電極のうちの少なくとも一つを通過して外部に放出される。この場合、発光層で発光した光が電極によって失われることがある。

発明が解決しようとする課題

0004

発光層で発光した光が電極によって失われるのを減少させるためには、光の透過率が高い電極の使用が必要である。しかし、一般に、透過率が高い電極は、抵抗が高く、大面積の有機発光ダイオード装置への適用に限界がある。

0005

そこで、本発明では、高い透過率を有しながらも、抵抗が低い電極を含む有機発光ダイオード装置を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段

0006

本発明の一実施形態に係る有機発光ダイオード装置は、第1電極、前記第1電極と対向する第2電極、及び前記第1電極と前記第2電極との間に位置する発光層を含み、前記第1電極は、イッテルビウム(Yb)、サマリウム(Sm)、ランタン(La)、イットリウム(Y)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)、セシウム(Cs)、ルテニウム(Ru)、バリウム(Ba)、またはこれらの組み合わせを含み、40Å〜200Å(4〜20nm; 1Å=0.1nm)の厚さを有する第1層、及び銀(Ag)、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、クロム(Cr)またはこれらの組み合わせを含み、100Å〜250Å(10〜25nm)の厚さを有する第2層を含む。

0007

前記第1電極は、波長550nmにおける透過率を20%〜50%とすることができる。

0008

前記第1電極は、10Ω/cm2より低い面抵抗を有することができる。面抵抗の下限値は0.1Ω/cm2である。

0009

前記第1電極は、5Ω/cm2より低い面抵抗を有することができる。面抵抗の好ましい下限値は1Ω/cm2である。

0010

前記第1層はイッテルビウム(Yb)を含むことができ、前記第2層は銀(Ag)を含むことができる。

0011

前記第1電極は、金属酸化物金属窒化物、または金属窒酸化物を含む第3層をさらに含むことができる。

0012

前記第3層は、屈折率が1.5より高くなり得る。前記第1電極はカソードであり、前記第2電極はアノードとすることができる。

発明の効果

0013

本発明によれば、透過率が高く、抵抗が低い電極を含むことによって、光効率に優れた有機発光ダイオード装置を実現することができる。

図面の簡単な説明

0014

本発明の一実施形態に係る有機発光ダイオード装置を示した断面概略図である。
実施例1〜6に係る有機発光ダイオード装置の光の波長と透過率との関係を示すグラフである。
実施例1〜6に係る有機発光ダイオード装置の光の波長と反射率との関係を示すグラフである。

0015

以下、添付した図面を参照して、本発明の実施形態について本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は種々の相異な形態に実現でき、ここで説明する実施形態に限られない。

0016

図面において、種々の層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書の全体にわたって類似する部分に対しては同一の図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上」にあるという時、これは他の部分の「すぐ上」にある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。一方、ある部分が他の部分の「すぐ上」にあるという時には、中間に他の部分がないことを意味する。

0017

それでは、図1を参照して、本発明の一実施形態に係る有機発光ダイオード装置について説明する。

0018

図1は、本発明の一実施形態に係る有機発光ダイオード装置を示した断面概略図である。図1を参照すると、本実施形態に係る有機発光装置は、基板110、前記基板110の上に形成される第1電極(下部電極)191、第1電極191の上に形成される発光部材370、及び発光部材370の上に形成される第2電極(上部電極)270を含む。第1電極はカソード、第2電極はアノードとすることができる。

0019

基板110は、ガラス基板シリコンウエハー高分子膜などで作られる。

0020

第1電極191は、透明導電体または不透明導電体で作られる。透明導電体は、例えば、透明導電性酸化物とすることができ、酸化インジウム錫(ITO)、酸化インジウム亜鉛(IZO)を例示することができる。不透明導電体は、例えば、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、モリブデン(Mo)、銀(Ag)、またはこれらの組み合わせなどの金属とすることができる。

0021

発光部材370は、少なくとも発光層を含む。好ましくは、発光層及び発光層の発光効率を改善するための付帯層(auxiliary layer)を含む多層構造とすることができる。

0022

発光層は、赤色、緑色、青色の三原色など基本色のいずれか一つの光を固有に表示する有機物質、または有機物質と無機物質との混合物で作られ、例えば、ポリフルオレン誘導体、(ポリパラフェニレンビニレン誘導体ポリフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾールポリチオフェン誘導体、Alq3(tris_8−hydroxyquinoline_aluminum)、またはこれらの高分子材料ペリレン系色素クマリン系色素ローダーミン系色素ルブレンペリレン、9,10−ジフェニルアントラセンテトラフェニルブタジエンナイルレッドクマリン、クマリン6、キナクリドンなどをドーピングした化合物が含まれ得る。好ましくは、Alq3にクマリン6をドーピングした材料を使用できる。有機発光ダイオード装置は、発光層で出す基本色の光の空間的な作用によって所望の映像を表示する。

0023

付帯層は、電子と正孔とのバランスをとるための電子輸送層及び正孔輸送層と、電子と正孔との注入を強化するための電子注入層及び正孔注入層などがあり、このうちから選択された一つ以上の層を含むことができる。

0024

電子輸送層を構成する材料は従来公知であり、例えば、ピリジン誘導体キノリン誘導体ピリミジン誘導体ピラジン誘導体フタラジン誘導体フェナントロリン誘導体トリアジン誘導体トリアゾール誘導体ニトロ置換フルオレン誘導体ジフェニルキノン誘導体チオピランジオキシド誘導体カルボジイミド誘導体フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体オキサゾール誘導体イミダゾール誘導体フルオレノン誘導体フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物フタロシアニン誘導体8−キノリノール誘導体の金属錯体、Alq3、メタルフタロシアニンベンゾオキサゾールベンゾチアゾール配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、等が挙げられる。さらに上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環酸素原子硫黄原子置換したチアジアゾール誘導体電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。好ましくは、Alq3である。

0025

正孔輸送層を構成する材料は従来公知であり、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリルアカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体フェニレンジアミン誘導体アリールアミン誘導体アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、NPB(N,N−dinaphthalene−1−yl−N,N−diphenyl−benzidine)、ヒドラゾン誘導体スチルベン誘導体シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また導電性高分子オリゴマーチオフェンオリゴマー等が挙げられる。好ましくは、NPBである。

0026

電子注入層を構成する材料は従来公知であり、例えば、ストロンチウムやアルミニウム等の金属、フッ化リチウム等のアルカリ金属化合物、フッ化マグネシウム等のアルカリ土類金属化合物酸化アルミニウム等の酸化物が挙げられる。また、上記電子輸送材料を適宜選択して使用することも可能である。

0027

正孔注入層を構成する材料は従来公知であり、例えば、ピロール誘導体カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、NPB、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、フタロシアニン系化合物ポルフィリン系化合物チオフェン誘導体有機シラン誘導体銅フタロシアニン等のフタロシアニン、酸化バナジウム等の酸化物、アモルファスカーボンポリアニリン(エメラルディン)やポリチオフェン等の導電性高分子が挙げられる。好ましくは、NPBである。

0028

第2電極270は、第1層270aと第2層270bとを含む。

0029

第1層270aは、イッテルビウム(Yb)、サマリウム(Sm)、ランタン(La)、イットリウム(Y)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)、セシウム(Cs)、ルテニウム(Ru)、バリウム(Ba)、またはこれらの組み合わせを含む。上記金属は、仕事関数が低くて、電子の注入が容易であり、可視光線領域における透過率が高い。上記金属のうち、より好ましいものはイッテルビウム(Yb)、ストロンチウム(Sr)、セシウム(Cs)であり、特に好ましいものはイッテルビウム(Yb)である。

0030

第2層270bは、銀(Ag)、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、クロム(Cr)、またはこれらの組み合わせを含む。上記金属は、抵抗が低く、上部電極270の抵抗を低くすることができる。上記金属のうち、より好ましいものは 銀(Ag)、アルミニウム(Al)であり、特に好ましいものはアルミニウム(Al)である。

0031

第1層270aは40Å〜200Åの厚さを有し、第2層270bは100Å〜250Åの厚さを有することができる。第1層270a及び第2層270bが前記範囲の厚さを有することによって、透光性可視光領域の透過率)を改善しながらも、抵抗が非常に高くなるのを防止することができる。

0032

つまり、第1層270aを形成する上述した金属は、透光性は高いが、抵抗が高く、第2層270bを形成する上述した金属は、抵抗は低いが、厚さによって透光性が変化しうる。従って、本実施形態においては、第1層270aと第2層270bとが、それぞれ40Å〜200Å(4〜20nm)及び100Å〜250Å(10〜25nm)の厚さを有することによって、透明電極として使用できる透光性及び抵抗を同時に満足することができる。具体的に、第1層270a及び第2層270bが前記厚さの範囲を有することによって、波長550nmで20%〜50%の透過率を有すると共に、10Ω/cm2より低い面抵抗を有することができる。

0033

また、第2電極を有する第1層及び第2層は、発光部材の上に第1層、第2層の順に積層することが好ましい。しかし、発光部材の上に第2層、第1層の順に積層されてもよく、第1層と第2層との間に別の層が存在してもよく、第1層および第2層の上にさらに別の層が設けられてもよい。

0034

上部電極270は、第2層270bの上に形成されている第3層(図示せず)をさらに含むことができる。第3層は、金属酸化物、金属窒化物、または金属酸窒化物で作ることができ、例えば、酸化ケイ素窒化ケイ素窒酸化ケイ素、またはこれらの組み合わせを含むことができる。

0035

第3層は、第1層、第2層、第3層の順に最も上方に積層されることが好ましい。しかし、第1層と第2層との間に積層されてもよいし、それらの層の下にあってもよい。

0036

第3層は、屈折率が1.5より高い高屈折率層とすることができる。このように高屈折率層をさらに含むことによって、光透過性を高めて表示装置の発光効率を上げられる。

0037

本発明の有機発光ダイオード装置を製造するには、従来公知の方法を適用し得る。まず、基板上に下部電極を形成する。形成方法は、例えば、印刷法、コ−ティング法、真空蒸着法スパッタリング法イオンプレ−ティング法、CVD、プラズマCVD法等の中から電極材料との適性を考慮して適宜選択すればよい。このうち、下部電極がITOの場合には、電子ビーム加熱法、スパッタリング法、抵抗加熱を利用した蒸着法、化学反応法(例えば、ゾルゲル法)、または酸化インジウムスズの分散液を塗布する方法を選択し得るが、特に蒸着法が好ましい。

0038

次に、第1電極上に発光層を形成する。発光層の形成方法は、特に制限はなく、抵抗加熱を利用した蒸着法、電子ビーム加熱法、スパッタリング法、スプレー法分子積層法スピンコーティング法流延コーティング法、浸漬コーティング法インクジェット法、印刷法、LB法などの種々の方法から適宜選択することができる。これらの方法のうち、特に蒸着法が好ましい。

0039

発光層上に付帯層を形成する。付帯層の形成方法は、特に制限はなく、抵抗加熱を利用した蒸着法、電子ビーム加熱法、スパッタリング法、スプレー法、分子積層法、スピンコーティング法、流延コーティング法、浸漬コーティング法、インクジェット法、印刷法、LB法などの種々の方法から適宜選択することができる。

0040

付帯層上に、第2電極の第1〜第3層を好ましくはこの順に積層する。第1〜第3層を形成するには、それぞれ特に制限はなく、例えば、印刷法、コーティング法、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、CVD、プラズマCVD法等の中から電極材料との適性を考慮して適宜選択すればよい。

0041

また、有機発光ダイオード装置形成の過程で、所望の微細構造を形成するために、各種精密加工技術を用いることができる。このような精密加工技術としては、例えば、精密ダイヤモンド切断加工レーザー加工エッチング加工フォトリソグラフィ反応性イオンエッチング集束イオンビームエッチング等が挙げられる。また、マスクを重ねて真空蒸着スパッタ等によりパターン形成をしてもよいし、リフトオフ法や印刷法により形成してもよい。

0042

以下、実施例を通して本発明についてさらに詳細に説明する。ただし、下記の実施例は、単に説明を目的とするものであり、本発明の範囲を制限するものではない。

0043

[有機発光ダイオード装置の製作
[実施例1]
ガラス基板上に、第1電極としてITOを積層してパターニングした。その後、その上に電子輸送層としてAlq3(tris 8−hydroxyquinoline aluminum)を蒸着し、その上に発光層としてAlq3にクマリン6を1重量%ドーピングして真空蒸着し、正孔注入層及び正孔輸送層としてNPB(N,N−dinaphthalene−1−yl−N,N−diphenyl−benzidine)を蒸着した。次に、その上にイッテルビウム(Yb)を80Å(8nm)の厚さに蒸着し、その上に銀(Ag)を180Å(18nm)の厚さに蒸着した。
[実施例2]
イッテルビウム(Yb)を80Å(8nm)の厚さに蒸着し、その上に銀(Ag)を220Å(22nm)の厚さに蒸着したことを除いては、実施例1と同様の方法によって有機発光ダイオード装置を製作した。
[実施例3]
イッテルビウム(Yb)を60Å(6nm)の厚さに蒸着し、その上に銀(Ag)を200Å(20nm)の厚さに蒸着したことを除いては、実施例1と同様の方法によって有機発光ダイオード装置を製作した。
[実施例4]
イッテルビウム(Yb)を60Å(6nm)の厚さに蒸着し、その上に銀(Ag)を220Å(22nm)の厚さに蒸着したことを除いては、実施例1と同様の方法によって有機発光ダイオード装置を製作した。
[実施例5]
イッテルビウム(Yb)を40Å(4nm)の厚さに蒸着し、その上に銀(Ag)を180Å(18nm)の厚さに蒸着したことを除いては、実施例1と同様の方法によって有機発光ダイオード装置を製作した。
[実施例6]
イッテルビウム(Yb)を40Å(4nm)の厚さに蒸着し、その上に銀(Ag)を220Å(22nm)の厚さに蒸着したことを除いては、実施例1と同様の方法によって有機発光ダイオード装置を製作した。
[実施例7]
イッテルビウム(Yb)を120Å(12nm)の厚さに蒸着し、その上に銀(Ag)を100Å(10nm)の厚さに蒸着したことを除いては、実施例1と同様の方法によって有機発光ダイオード装置を製作した。
[実施例8]
イッテルビウム(Yb)を120Å(12nm)の厚さに蒸着し、その上に銀(Ag)を150Å(15nm)の厚さに蒸着したことを除いては、実施例1と同様の方法によって有機発光ダイオード装置を製作した。
[実施例9]
イッテルビウム(Yb)を180Å(18nm)の厚さに蒸着し、その上に銀(Ag)を140Å(14nm)の厚さに蒸着したことを除いては、実施例1と同様の方法によって有機発光ダイオード装置を製作した。
[実施例10]
イッテルビウム(Yb)を200Å(20nm)の厚さに蒸着し、その上に銀(Ag)を120Å(12nm)の厚さに蒸着したことを除いては、実施例1と同様の方法によって有機発光ダイオード装置を製作した。
[比較例1]
イッテルビウム(Yb)を35Å(3.5nm)の厚さに蒸着し、その上に銀(Ag)を250Å(25nm)の厚さに蒸着したことを除いては、実施例1と同様の方法によって有機発光ダイオード装置を製作した。
[比較例2]
イッテルビウム(Yb)を30Å(3nm)の厚さに蒸着し、その上に銀(Ag)を260Å(26nm)の厚さに蒸着したことを除いては、実施例1と同様の方法によって有機発光ダイオード装置を製作した。
[比較例3]
イッテルビウム(Yb)を180Å(18nm)の厚さに蒸着し、その上に銀(Ag)を80Å(8nm)の厚さに蒸着したことを除いては、実施例1と同様の方法によって有機発光ダイオード装置を製作した。
[比較例4]
イッテルビウム(Yb)を220Å(22nm)の厚さに蒸着し、その上に銀(Ag)を120Å(12nm)の厚さに蒸着したことを除いては、実施例1と同様の方法によって有機発光ダイオード装置を製作した。
[比較例5]
マグネシウム−アルミニウム(MgAl)を単一層で300Å(30nm)の厚さに蒸着したことを除いては、実施例1と同様の方法によって有機発光ダイオード装置を製作した。
[評価]
上記実施例1〜10で製作された有機発光ダイオード装置の抵抗特性、波長550nmにおける透過率、及び反射率を評価した。ここで、抵抗は面抵抗を測定し、面抵抗は4端子測定(4 point probe)方法によって測定した。

0044

測定結果は下記表1に示し、表1と図2及び図3とを参照して説明する。

0045

図2は、実施例1〜6に係る有機発光ダイオード装置の透過率を示すグラフであり、図3は、実施例1〜6に係る有機発光ダイオード装置の反射率を示すグラフである。

0046

0047

最初に、表1を参照すると、実施例1〜実施例10の結果から、イッテルビウム(Yb)/銀(Ag)を上記厚さに形成することにより、10Ω/cm2より低い面抵抗を有すると共に、波長550nmにおける透過率が20%〜50%に維持されることが分かる。

0048

これに対して、比較例1及び比較例2の場合は、面抵抗は低いが、透過率が非常に低く、透明電極として使用するのが困難である。比較例3及び4の場合は、面抵抗が高く、電極として使用するのが困難であることが分かる。比較例5の場合は、実施例1〜実施例10と類似する厚さである場合には、面抵抗が高く透過率が低いことが分かる。

0049

このように、実施例1〜実施例10に係る有機発光ダイオード装置は、10Ω/cm2より低い面抵抗を有すると共に、550nmで20%〜50%の透過率を示すことによって、低抵抗透光性電極として使用するのに好適であることが分かる。したがって、電極の導電性を改善しつつ、光効率に優れた有機発光ダイオード装置を実現することができる。

0050

また、図2及び図3を参照すると、実施例1〜実施例6に係る有機発光ダイオード装置は、可視光線領域の短波長領域から長波長領域まで透過率及び反射率の変化が大きくないため、赤色のような特定波長領域の色を補正するための色補正が必要ないことが分かる。

実施例

0051

以上、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれらに限定されず、次の請求範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の種々の変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属するものである。

0052

110基板
191 第1電極(下部電極)
270 第2電極(上部電極)
270a 第1層
270b 第2層
370 有機発光部材

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