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技術 塗布処理方法、その塗布処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び塗布処理装置

出願人 東京エレクトロン株式会社
発明者 吉原孝介畠山真一
出願日 2010年2月17日 (10年8ヶ月経過) 出願番号 2010-032590
公開日 2011年9月1日 (9年1ヶ月経過) 公開番号 2011-171443
状態 特許登録済
技術分野 塗布装置3(一般、その他) 半導体の露光(電子、イオン線露光を除く) 半導体の露光(電子、イオン線露光を除く)
主要キーワード 略円形形状 昇降駆動源 温調板 ポストベーク装置 チャック駆動機構 微小距離 温調装置 プリベーク装置
関連する未来課題
重要な関連分野

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図面 (15)

課題

基板の全面に各種の塗布液を塗布する際に、基板の全面を塗布液で被覆するのに必要な塗布液の液量を、削減することができる塗布処理方法を提供する。

解決手段

回転する基板の表面に塗布液を供給し、供給された塗布液を基板の外周側に拡散させることによって、基板の表面に塗布液を塗布する塗布処理方法において、回転する基板の表面に塗布液を供給する供給位置を、外周側に拡散する塗布液の移動に伴って外周側に移動させながら、塗布液を基板の表面に供給する供給工程S17を有する。

概要

背景

半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では、例えば半導体ウェハ等の基板(以下、単に「ウェハ」という。)上に、塗布処理露光処理、及び現像処理などを順次行うことによって、所定のレジストパターンが形成される。塗布処理では、レジスト液を塗布し、塗布したレジスト液を熱処理することによってレジスト膜を形成する。露光処理では、形成されたレジスト膜を所定のパターン露光する。現像処理では、露光されたレジスト膜を現像する。

上述の塗布処理では、高速回転されているウェハの表面の中心にノズルからレジスト液を供給し、遠心力によりウェハの外周側へレジスト液を拡散することによってウェハの表面にレジスト液を塗布する、いわゆるスピン塗布法が多く用いられている。スピン塗布法において、レジスト液を均一に塗布する方法として、例えばウェハを高回転数で回転させる工程と、その後ウェハの回転数を一旦低下させる工程と、その後ウェハの回転数を再び上昇させる工程とを有する方法が提案されている(特許文献1参照)。特許文献1に開示される方法では、ウェハを高回転数で回転させ、高回転数で回転するウェハの表面にレジスト液を供給する。その後、ウェハの回転数を一旦低下させることによって、ウェハの表面に供給されたレジスト液を平坦化する。その後、ウェハの回転数を再び上昇させることによって、ウェハの表面上で平坦化されたレジスト液を乾燥させる。

また、上述した方法を変更した方法も提案されている(特許文献2参照)。特許文献2に開示される方法では、ウェハの表面へのレジスト液の供給が、回転数を一旦低下させる工程の途中まで継続して行われ、そのレジスト液の供給を終了する際に、ノズルの移動によりレジスト液の供給位置がウェハの表面の中央からずらされる。

概要

基板の全面に各種の塗布液を塗布する際に、基板の全面を塗布液で被覆するのに必要な塗布液の液量を、削減することができる塗布処理方法を提供する。回転する基板の表面に塗布液を供給し、供給された塗布液を基板の外周側に拡散させることによって、基板の表面に塗布液を塗布する塗布処理方法において、回転する基板の表面に塗布液を供給する供給位置を、外周側に拡散する塗布液の移動に伴って外周側に移動させながら、塗布液を基板の表面に供給する供給工程S17を有する。

目的

本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、ウェハの全面に各種の塗布液を塗布処理する際に、ウェハの全面を塗布液で被覆するのに必要な塗布液の液量を、削減することができる塗布処理方法及び塗布処理装置を提供する

効果

実績

技術文献被引用数
1件
牽制数
0件

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請求項1

回転する基板の表面に塗布液を供給し、供給された塗布液を前記基板の外周側に拡散させることによって、前記基板の表面に塗布液を塗布する塗布処理方法において、回転する前記基板の表面に前記塗布液を供給する供給位置を、前記外周側に拡散する前記塗布液の移動に伴って前記外周側に移動させながら、前記塗布液を前記基板の表面に供給する供給工程を有する塗布処理方法。

請求項2

前記供給工程において、前記供給位置を、前記供給位置が前記基板の表面であって前記塗布液が塗布された領域に含まれるように、移動させながら、前記塗布液を供給する、請求項1に記載の塗布処理方法。

請求項3

前記供給工程において、回転する前記基板の表面の略中心に前記塗布液を供給し、供給された前記塗布液を前記外周側に拡散させ、拡散する前記塗布液が前記基板の外周に到達する前に、前記供給位置を、前記基板の表面の略中心から前記外周側に向けて移動させ始め、移動し始めた前記供給位置を、前記塗布液の移動に伴って前記外周側に移動させながら、前記塗布液を供給する、請求項1又は請求項2に記載の塗布処理方法。

請求項4

前記供給工程において、前記基板が回転する回転数を、前記供給位置の移動に伴って低下させながら、前記塗布液を供給する、請求項1から請求項3のいずれかに記載の塗布処理方法。

請求項5

前記供給工程の後、前記基板を、前記供給工程が終了する際の前記基板の前記回転数よりも低い第1の回転数で回転させる第1の回転工程と、前記第1の回転工程の後、前記基板を、前記第1の回転数よりも高い第2の回転数で回転させる第2の回転工程とを有する、請求項1から請求項4のいずれかに記載の塗布処理方法。

請求項6

コンピュータに請求項1から請求項5のいずれかに記載の塗布処理方法を実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体

請求項7

回転する基板の表面に塗布液を供給し、供給された塗布液を前記基板の外周側に拡散させることによって、前記基板の表面に塗布液を塗布する塗布処理装置において、基板を保持する基板保持部と、前記基板を保持した前記基板保持部を回転させる回転部と、前記回転部により回転する前記基板保持部に保持された前記基板の表面に前記塗布液を供給する供給部と、前記供給部を移動させる移動部と、前記移動部により、前記供給部を、前記外周側に拡散する前記塗布液の移動に伴って前記外周側に移動させながら、前記供給部により前記塗布液を供給する制御部とを有する塗布処理装置。

請求項8

前記制御部は、前記供給部を、前記供給部により前記基板の表面に前記塗布液が供給される供給位置が前記基板の表面であって前記塗布液が塗布された領域に含まれるように、移動させながら、前記塗布液を供給する、請求項7に記載の塗布処理装置。

請求項9

前記制御部は、前記基板の略中心上に移動した前記供給部により、回転する前記基板の表面の略中心に前記塗布液を供給し、供給された前記塗布液を前記外周側に拡散させ、拡散する前記塗布液が前記基板の外周に到達する前に、前記供給部を、前記基板の略中心上から前記外周側に向けて前記移動部により移動させ始め、移動し始めた前記供給部を、前記塗布液の移動に伴って前記外周側に移動させながら、前記塗布液を供給する、請求項7又は請求項8に記載の塗布処理装置。

請求項10

前記制御部は、前記回転部が前記基板を回転させる回転数を、前記供給部の移動に伴って低下させながら、前記塗布液を供給する、請求項7から請求項9のいずれかに記載の塗布処理装置。

請求項11

前記制御部は、前記塗布液を前記供給部により供給した後、前記基板を、前記供給部による供給が終了する際の前記基板の前記回転数よりも低い第1の回転数で前記回転部により回転させ、前記第1の回転数で前記基板を回転させた後、前記基板を、前記第1の回転数よりも高い第2の回転数で前記回転部により回転させる、請求項7から請求項10のいずれかに記載の塗布処理装置。

技術分野

0001

本発明は、基板塗布液塗布処理する塗布処理方法、その塗布処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び塗布処理装置に関する。

背景技術

0002

半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では、例えば半導体ウェハ等の基板(以下、単に「ウェハ」という。)上に、塗布処理、露光処理、及び現像処理などを順次行うことによって、所定のレジストパターンが形成される。塗布処理では、レジスト液を塗布し、塗布したレジスト液を熱処理することによってレジスト膜を形成する。露光処理では、形成されたレジスト膜を所定のパターン露光する。現像処理では、露光されたレジスト膜を現像する。

0003

上述の塗布処理では、高速回転されているウェハの表面の中心にノズルからレジスト液を供給し、遠心力によりウェハの外周側へレジスト液を拡散することによってウェハの表面にレジスト液を塗布する、いわゆるスピン塗布法が多く用いられている。スピン塗布法において、レジスト液を均一に塗布する方法として、例えばウェハを高回転数で回転させる工程と、その後ウェハの回転数を一旦低下させる工程と、その後ウェハの回転数を再び上昇させる工程とを有する方法が提案されている(特許文献1参照)。特許文献1に開示される方法では、ウェハを高回転数で回転させ、高回転数で回転するウェハの表面にレジスト液を供給する。その後、ウェハの回転数を一旦低下させることによって、ウェハの表面に供給されたレジスト液を平坦化する。その後、ウェハの回転数を再び上昇させることによって、ウェハの表面上で平坦化されたレジスト液を乾燥させる。

0004

また、上述した方法を変更した方法も提案されている(特許文献2参照)。特許文献2に開示される方法では、ウェハの表面へのレジスト液の供給が、回転数を一旦低下させる工程の途中まで継続して行われ、そのレジスト液の供給を終了する際に、ノズルの移動によりレジスト液の供給位置がウェハの表面の中央からずらされる。

先行技術

0005

特開2007−115936号公報
特開2009−78250号公報

発明が解決しようとする課題

0006

ところが、上述したような塗布処理によりウェハの表面にレジスト液等の塗布液を塗布する場合、次のような問題がある。

0007

回転するウェハの表面の中心にレジスト液を供給すると、供給されたレジスト液は、遠心力によりウェハの外周側に拡散する。しかし、従来の方法によれば、レジスト液がウェハの外周側に拡散するのに伴って、レジスト液の外周における単位面積当たりのレジスト液の液量が減少し、十分な遠心力が得られなくなる。十分な遠心力が得られなければ、レジスト液はウェハの表面の外周まで拡散することができない。従って、ウェハの全面をレジスト液で被覆することができない。

0008

このような塗布処理においてウェハの全面をレジスト液で被覆するには、ウェハの表面に供給する液量をより多くしなくてはならない。従って、ウェハの全面をレジスト液で被覆するのに必要なレジスト液の液量を、削減することができない。

0009

また、レジスト液のみならず、例えばレジスト液を塗布する前に塗布する溶剤、あるいは反射防止膜を形成するための塗布液等、ウェハの表面に塗布する各種の塗布液を塗布処理する場合にも、上述したのと同様の問題がある。すなわち、従来の塗布処理では、ウェハの全面を各種の塗布液で被覆するのに必要な塗布液の液量を、削減することができない。

0010

本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、ウェハの全面に各種の塗布液を塗布処理する際に、ウェハの全面を塗布液で被覆するのに必要な塗布液の液量を、削減することができる塗布処理方法及び塗布処理装置を提供する。

課題を解決するための手段

0011

上記の課題を解決するために本発明では、次に述べる手段を講じたことを特徴とするものである。

0012

本発明の一実施例によれば、回転する基板の表面に塗布液を供給し、供給された塗布液を前記基板の外周側に拡散させることによって、前記基板の表面に塗布液を塗布する塗布処理方法において、回転する前記基板の表面に前記塗布液を供給する供給位置を、前記外周側に拡散する前記塗布液の移動に伴って前記外周側に移動させながら、前記塗布液を前記基板の表面に供給する供給工程を有する塗布処理方法が提供される。

0013

また、本発明の一実施例によれば、回転する基板の表面に塗布液を供給し、供給された塗布液を前記基板の外周側に拡散させることによって、前記基板の表面に塗布液を塗布する塗布処理装置において、基板を保持する基板保持部と、前記基板を保持した前記基板保持部を回転させる回転部と、前記回転部により回転する前記基板保持部に保持された前記基板の表面に前記塗布液を供給する供給部と、前記供給部を移動させる移動部と、前記移動部により、前記供給部を、前記外周側に拡散する前記塗布液の移動に伴って前記外周側に移動させながら、前記供給部により前記塗布液を供給する制御部とを有する塗布処理装置が提供される。

発明の効果

0014

本発明によれば、ウェハの全面に各種の塗布液を塗布する際に、ウェハの全面を塗布液で被覆するのに必要な塗布液の液量を、削減することができる。

図面の簡単な説明

0015

実施の形態に係る塗布処理装置が搭載された塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面図である。
塗布現像処理システムの構成の概略を示す正面図である。
塗布現像処理システムの構成の概略を示す背面図である。
実施の形態に係るレジスト塗布装置の構成の概略を示す縦断面の説明図である。
レジスト塗布装置の構成の概略を示す横断面の説明図である。
実施の形態に係るレジスト塗布処理プロセスの主な工程を示すフローチャートである。
実施の形態に係るレジスト塗布処理プロセスの各工程におけるウェハの回転数を示すグラフである。
実施の形態に係るレジスト塗布処理プロセスの各工程におけるウェハの表面の状態を示す図である。
実施の形態に係るレジスト塗布処理プロセスの各工程におけるウェハの表面の状態を示す図である。
比較例に係るレジスト塗布処理プロセスの主な工程を示すフローチャートである。
比較例に係るレジスト塗布処理プロセスの各工程におけるウェハの表面の状態を示す図である。
実施の形態及び比較例に係る供給工程におけるウェハの表面を拡散するレジスト液の分布を模式的に示す断面図である。
実施の形態の変形例に係るレジスト塗布処理プロセスの主な工程を示すフローチャートである。
実施の形態の変形例に係るレジスト塗布処理プロセスの各工程におけるウェハの回転数を示すグラフである。

実施例

0016

次に、本発明を実施するための形態について図面と共に説明する。
(実施の形態)
始めに、図1から図12を参照し、実施の形態に係る塗布処理方法及び塗布処理装置について説明する。

0017

最初に、図1から図3を参照し、本実施の形態に係る塗布処理装置が搭載された塗布現像処理システムについて説明する。図1は、本実施の形態に係る塗布処理装置が搭載された塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面図である。図2は、塗布現像処理システムの概略を示す正面図である。図3は、塗布現像処理システムの概略を示す背面図である。

0018

塗布現像処理システム1は、図1に示すように、例えばカセットステーション2、処理ステーション3及びインターフェイスステーション4を一体に接続した構成を有している。カセットステーション2は、外部から塗布現像処理システム1に対して複数枚のウェハWをカセット単位で搬入出するためのものである。処理ステーション3は、フォトリソグラフィー工程の中で枚葉式に所定の処理を施す複数の各種処理装置を備えている。インターフェイスステーション4は、処理ステーション3に隣接しており、露光装置5との間でウェハWの受け渡しを行うものである。

0019

カセットステーション2には、カセット載置台10が設けられ、当該カセット載置台10には、複数のカセットCをX方向(図1中の上下方向)に一列に載置できる。カセットステーション2には、搬送路11上をX方向に沿って移動可能なウェハ搬送装置12が設けられている。ウェハ搬送装置12は、カセットCに収容されたウェハWの配列方向(Z方向;鉛直方向)にも移動自在であり、カセットC内の複数枚のウェハWに対して選択的にアクセスできる。またウェハ搬送装置12は、鉛直方向の軸周り(θ方向)に回転可能であり、後述する処理ステーション3の第3の処理装置群G3の各処理装置に対してアクセスしてウェハWを搬送できる。

0020

処理ステーション3は、複数の処理装置が多段に配置された、例えば5つの処理装置群G1〜G5を備えている。処理ステーション3のX方向負方向(図1中の下方向)側には、カセットステーション2側からインターフェイスステーション4側に向けて第1の処理装置群G1及び第2の処理装置群G2が順に配置されている。処理ステーション3のX方向正方向(図1中の上方向)側には、カセットステーション2側からインターフェイスステーション4側に向けて第3の処理装置群G3、第4の処理装置群G4及び第5の処理装置群G5が順に配置されている。第3の処理装置群G3と第4の処理装置群G4との間には、第1の搬送装置20が設けられている。第1の搬送装置20は、第1の処理装置群G1、第3の処理装置群G3及び第4の処理装置群G4内の各装置に対し選択的にアクセスしてウェハWを搬送できる。第4の処理装置群G4と第5の処理装置群G5との間には、第2の搬送装置21が設けられている。第2の搬送装置21は、第2の処理装置群G2、第4の処理装置群G4及び第5の処理装置群G5内の各装置に対して選択的にアクセスしてウェハWを搬送できる。

0021

図2に示すように、第1の処理装置群G1には、ウェハWに所定の液体を供給して処理を行う液処理装置、例えばレジスト塗布装置(COT)30、31、32及びボトムコーティング装置(BARC)33、34が下から順に5段に重ねられている。ボトムコーティング装置33、34は、露光処理時の光の反射を防止する反射防止膜を形成するものである。

0022

なお、レジスト塗布装置30、31、32は、本発明における塗布処理装置に相当する。

0023

第2の処理装置群G2には、液処理装置、例えば現像処理装置(DEV)40〜44が下から順に5段に重ねられている。現像処理装置40〜44は、ウェハWに現像液を供給して現像処理するものである。

0024

第1の処理装置群G1及び第2の処理装置群G2の最下段には、ケミカル室(CHM)50、51がそれぞれ設けられている。ケミカル室50、51は、各処理装置群G1、G2内の液処理装置に各種処理液を供給するものである。

0025

図3に示すように、第3の処理装置群G3には、温調装置(CPL)60、トランジション装置(TRS)61、温調装置(CPL)62〜64及び加熱処理装置(BAKE)65〜68が下から順に9段に重ねられている。温調装置60、62〜64は、ウェハWを温調板上に載置してウェハWの温度調節を行うものである。トランジション装置61は、ウェハWの受け渡しを行うものである。加熱処理装置65〜68は、ウェハWを加熱処理するものである。

0026

第4の処理装置群G4には、例えば温調装置(CPL)70、プリベーク装置(PAB)71〜74及びポストベーク装置POST)75〜79が下から順に10段に重ねられている。プリベーク装置71〜74は、レジスト塗布処理後にウェハWを加熱処理するものである。ポストベーク装置75〜79は、現像処理後にウェハWを加熱処理するものである。

0027

第5の処理装置群G5には、ウェハWを熱処理する複数の熱処理装置、例えば温調装置(CPL)80〜83及び露光後ベーク装置(PEB)84〜89が下から順に10段に重ねられている。露光後ベーク装置84〜89は、露光後にウェハWを加熱処理するものである。

0028

図1及び図3に示すように、第1の搬送装置20のX方向正方向側には、複数の処理装置、例えばアドヒージョン装置(AD)90、91が下から順に2段に重ねられている。アドヒージョン装置90、91は、ウェハWを疎水化処理するものである。また、第2の搬送装置21のX方向正方向側には、例えば周辺露光装置(WEE)92が配置されている。周辺露光装置92は、ウェハWのエッジ部のみを選択的に露光するものである。

0029

図1に示すように、インターフェイスステーション4には、例えばウェハ搬送装置101と、バッファカセット102が設けられている。ウェハ搬送装置101は、X方向に延伸する搬送路100上を移動する。また、ウェハ搬送装置101は、Z方向に移動可能でかつθ方向にも回転可能であり、インターフェイスステーション4に隣接した露光装置5と、バッファカセット102及び第5の処理装置群G5の各装置に対してアクセスしてウェハWを搬送できる。

0030

なお、本実施の形態における露光装置5は、例えば液浸露光処理を行うものであり、ウェハWの表面に液体、例えば純水の液膜滞留させた状態で、当該純水の液膜を介在してウェハWの表面のレジスト膜を露光できる。

0031

次に、図4及び図5を参照し、本実施の形態に係るレジスト塗布装置30〜32の構成について説明する。図4は、レジスト塗布装置の構成の概略を示す縦断面の説明図であり、図5は、レジスト塗布装置の構成の概略を示す横断面の説明図である。

0032

レジスト塗布装置30は、例えば図4に示すようにケーシング120を有し、そのケーシング120内の中央部には、ウェハWを保持するスピンチャック130が設けられている。スピンチャック130は、水平な上面を有し、当該上面には、例えばウェハWを吸引する吸引口(図示せず)が設けられている。この吸引口からの吸引により、ウェハWをスピンチャック130上に吸着保持できる。

0033

スピンチャック130は、例えばモータなどを備えたチャック駆動機構131を有し、そのチャック駆動機構131により所定の速度に回転できる。また、チャック駆動機構131には、シリンダなどの昇降駆動源が設けられており、スピンチャック130は上下動可能である。

0034

なお、スピンチャック130は、本発明における基板保持部に相当し、チャック駆動機構131は、本発明における回転部に相当する。

0035

また、チャック駆動機構131が駆動するスピンチャック130の回転数は、後述する制御部160により制御されている。

0036

スピンチャック130の周囲には、ウェハWから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ132が設けられている。カップ132の下面には、回収した液体を排出する排出管133と、カップ132内の雰囲気排気する排気管134が接続されている。

0037

図5に示すようにカップ132のX方向負方向(図5の下方向)側には、Y方向(図5の左右方向)に沿って延伸するレール140が形成されている。レール140は、例えばカップ132のY方向負方向(図5の左方向)側の外方からY方向正方向(図5の右方向)側の外方まで形成されている。レール140には、例えば二本のアーム141、142が取り付けられている。

0038

第1のアーム141には、図4及び図5に示すように塗布液としてのレジスト液を吐出するレジスト液ノズル143が支持されている。第1のアーム141は、図5に示すノズル駆動部144により、レール140上を移動自在である。これにより、レジスト液ノズル143は、カップ132のY方向正方向側の外方に設置された待機部145からカップ132内のウェハWの略中心上まで移動でき、さらに当該ウェハWの表面上をウェハWの径方向に移動できる。また、第1のアーム141は、ノズル駆動部144によって昇降自在であり、レジスト液ノズル143の高さを調整できる。

0039

なお、レジスト液ノズル143は、本発明における供給部に相当し、第1のアーム141とノズル駆動部144は、本発明における移動部に相当する。

0040

レジスト液ノズル143には、図4に示すように、レジスト液供給源146に連通する供給管147が接続されている。本実施の形態におけるレジスト液供給源146には、例えば薄いレジスト膜例えば150nm以下のレジスト膜を形成するための低粘度のレジスト液が貯留されている。また、供給管147には、バルブ148が設けられており、このバルブ148の開閉により、レジスト液の吐出をON・OFFできる。

0041

第2のアーム142には、レジスト液の溶剤を吐出する溶剤ノズル150が支持されている。第2のアーム142は、例えば図5に示すノズル駆動部151によってレール140上を移動自在であり、溶剤ノズル150を、カップ132のY方向負方向側の外方に設けられた待機部152からカップ132内のウェハWの略中心上まで移動させることができる。また、ノズル駆動部151によって、第2のアーム142は昇降自在であり、溶剤ノズル150の高さを調節できる。

0042

溶剤ノズル150には、図4に示すように溶剤供給源153に連通する供給管154が接続されている。なお、以上の構成では、レジスト液を吐出するレジスト液ノズル143と溶剤を吐出する溶剤ノズル150が別々のアームに支持されている。しかし、レジスト液ノズル143と溶剤ノズル150とを同じアームに支持されるように設けてもよく、そのアームの移動の制御により、レジスト液ノズル143と溶剤ノズル150の移動と吐出タイミングを制御してもよい。

0043

チャック駆動機構131によるスピンチャック130の回転動作は、制御部160により制御されている。また、ノズル駆動部144によるレジスト液ノズル143の移動動作、バルブ148によるレジスト液ノズル143のレジスト液の吐出のON・OFF動作も、制御部160により制御されている。その他、ノズル駆動部151による溶剤ノズル150の移動動作などの駆動系の動作も、制御部160により制御されている。制御部160は、例えばCPUやメモリなどを備えたコンピュータにより構成され、例えばメモリに記憶されたプログラムを実行することによって、レジスト塗布装置30におけるレジスト塗布処理を実現できる。

0044

後述するように、制御部160は、ノズル駆動部144により、レジスト液ノズル143を、ウェハWの外周側へ拡散するレジスト液の移動に伴って、ウェハWの外周側に移動させながら、レジスト液ノズル143によりレジスト液をウェハWの表面に供給するものである。

0045

なお、レジスト塗布装置30におけるレジスト塗布処理を実現するための各種プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なCDなどの記録媒体に記録されていたものであって、その記録媒体から制御部160にインストールされたものが用いられている。

0046

なお、レジスト塗布装置31、32の構成は、上述のレジスト塗布装置30と同じであるので、説明を省略する。

0047

次に、図6から図9を参照し、以上のように構成されたレジスト塗布装置30で行われるレジスト塗布処理プロセスを、塗布現像処理システム1全体で行われるウェハ処理のプロセスと共に説明する。図6は、本実施の形態に係るレジスト塗布処理プロセスの主な工程を示すフローチャートである。図7は、本実施の形態に係るレジスト塗布処理プロセスの各工程におけるウェハの回転数を示すグラフである。図8及び図9は、本実施の形態に係るレジスト塗布処理プロセスの各工程におけるウェハの表面の状態を示す図である。

0048

なお、レジスト塗布処理プロセスは、本発明における塗布処理方法に相当する。

0049

図6及び図7に示すように、本実施の形態におけるレジスト塗布処理プロセスは、溶剤ノズル移動工程(ステップS11)、溶剤供給工程(ステップS12)、レジスト液ノズル移動工程(ステップS13)、溶剤拡散工程(ステップS14)、供給工程(ステップS15〜ステップS17)、第1の回転工程(ステップS18)、第2の回転工程(ステップS19)及び回転停止工程(ステップS20)を有する。また、供給工程は、中心供給工程(ステップS15)、移動開始工程(ステップS16)及び移動供給工程(ステップS17)を有する。

0050

また、本実施の形態に係るレジスト塗布処理プロセスを行う際の、レジスト塗布装置30におけるレジスト塗布処理を実行するためのプログラムであって、制御部160が制御するレシピの例を表1に示す。

0051

表1において、左側から右側にかけての各列は、ステップ、時間、回転数、ウェハの中心を基準としたときのノズル位置、供給される塗布液を示している。

0052

先ず、図1に示すウェハ搬送装置12によって、カセット載置台10上のカセットC内から未処理のウェハWが一枚ずつ取り出され、処理ステーション3に順次搬送される。ウェハWは、処理ステーション3の第3の処理装置群G3に属する温調装置60に搬送され、所定温度に温度調節される。その後ウェハWは、第1の搬送装置20によって例えばボトムコーティング装置34に搬送されて、反射防止膜が形成される。反射防止膜が形成されたウェハWは、第1の搬送装置20によって例えば加熱処理装置65、温調装置70に順次搬送され、各処理装置において所定の処理が施される。所定の処理が施されたウェハWは、第1の搬送装置20によって例えばレジスト塗布装置30に搬送される。レジスト塗布装置30に搬送されたウェハWは、図4に示すように、スピンチャック130に吸着保持され、本実施の形態におけるレジスト塗布処理プロセスが行われる。

0053

始めに、溶剤ノズル移動工程(ステップS11)を行う。溶剤ノズル移動工程(ステップS11)では、ノズル駆動部151により溶剤ノズル150を待機部152から移動させる。そして、図8(a)に示すように、溶剤ノズル150をウェハWの中心PC上に移動させる。

0054

次に、溶剤供給工程(ステップS12)を行う。溶剤供給工程(ステップS12)では、ウェハWの表面の中心PCに、例えばシンナー等よりなる溶剤PWを供給する。図8(b)に示すように、例えばウェハWが停止している状態で、溶剤ノズル150から所定量の溶剤PWが吐出され、ウェハWの表面の中心PCに溶剤PWが供給される。

0055

なお、「中心PC」とは、スピンチャック130に保持され、チャック駆動機構131により回転駆動されるウェハWの回転中心を意味する。また、「中心PCに供給する」とは、厳密に中心PCに供給しない場合、例えば微小距離だけ中心PCより離れた点に供給する場合も含む。従って、略中心に供給すればよい。また、溶剤PWを供給する場合だけでなく、レジスト液Rを供給する場合も同様である。

0056

次に、レジスト液ノズル移動工程(ステップS13)を行う。レジスト液ノズル移動工程(ステップS13)では、ノズル駆動部151により溶剤ノズル150を待機部152に移動させるとともに、ノズル駆動部144によりレジスト液ノズル143を待機部145から移動させる。そして、図8(c)に示すように、レジスト液ノズル143をウェハWの中心PC上に移動させる。

0057

次に、溶剤拡散工程(ステップS14)を行う。溶剤拡散工程(ステップS14)では、ウェハWを回転させることにより、溶剤PWをウェハWの外周側へ拡散させる。図8(d)に示すように、スピンチャック130に保持されたウェハWを、チャック駆動機構131により、所定の時間TPの間、所定の回転数VPで回転させる。ここでは、一例として、図7及び表1に示すように、所定の時間TPを例えば0.3秒とし、所定の回転数VPを例えば2000rpmとすることができる。これにより、供給された溶剤PWは、遠心力により、ウェハWの全面に拡散する。そして、ウェハWの表面に溶剤PWが塗布される。

0058

次に、供給工程(ステップS15〜ステップS17)を行う。

0059

まず、中心供給工程(ステップS15)を行う。中心供給工程(ステップS15)では、回転するウェハWの表面の中心PCにレジスト液Rを供給し、供給されたレジスト液RをウェハWの外周側に拡散させる。

0060

スピンチャック130に保持されたウェハWを、チャック駆動機構131により、所定の回転数VS1で回転させる。ここでは、所定の回転数VS1を、例えば1500〜4000rpmとすることができ、より好ましくは、表1に示すように、例えば2000rpmとすることができる。例えば所定の回転数VP、VS1のいずれも2000rpmであるときは、溶剤拡散工程(ステップS14)と中心供給工程(ステップS15)との間で、回転数は変化しない。

0061

そして、ウェハWの中心PC上に移動したレジスト液ノズル143を静止させた状態で、バルブ148を開放することによって、レジスト液ノズル143からのレジスト液Rの吐出を開始する。これにより、図9(a)に示すように、ウェハWの中心PC上に移動したレジスト液ノズル143により、ウェハWの表面の中心PCにレジスト液Rを供給し始める。そして、供給されたレジスト液Rは、遠心力により、ウェハWの表面の中心PCから外周側へ拡散し始める。

0062

なお、本実施の形態では、レジスト液Rとして、例えば薄膜塗布用の例えば粘度が2cp以下のものを用いる。

0063

中心供給工程(ステップS15)を、所定の時間TS1の間行うことにより、供給されたレジスト液Rは、ウェハWの表面上で、ウェハWの外周に向かって途中まで拡散する。従って、拡散するレジスト液Rは、ウェハWの外周まで到達していない。ここでは、一例として、表1に示すように、所定の時間TS1を例えば1.0秒とすることができる。

0064

なお、レジスト液ノズル143は、ウェハWの中心PC上に移動していればよく、静止していなくてもよい。例えば、ウェハWの中心PC上で、微小に移動あるいは往復動等していてもよい。

0065

次に、移動開始工程(ステップS16)を行う。移動開始工程(ステップS16)では、拡散するレジスト液RがウェハWの外周まで到達する前に、レジスト液ノズル143を、ウェハWの中心PC上からウェハWの外周側に向けて移動させ始める。すなわち、拡散するレジスト液RがウェハWの外周まで到達する前に、ウェハWの表面にレジスト液Rを供給する供給位置を、ウェハWの外周側に向けて移動させ始める。

0066

図9(b)に示すように、スピンチャック130に保持されたウェハWを、チャック駆動機構131により所定の回転数VS1で回転させた状態で、ノズル駆動部144によりレジスト液ノズル143をウェハWの中心PC上から外周側に向けて移動させ始める。直前の工程である中心供給工程(ステップS15)において、拡散するレジスト液Rは、ウェハWの表面の外周までの途中まで到達しており、その状態で、移動開始工程(ステップS16)に進む。従って、移動開始工程(ステップS16)では、拡散するレジスト液RがウェハWの外周まで到達する前に、レジスト液ノズル143を移動させ始めることになる。

0067

移動開始工程(ステップS16)に引続いて、移動供給工程(ステップS17)を行う。移動供給工程(ステップS17)では、レジスト液ノズル143を、ウェハWの外周側へ拡散するレジスト液Rの移動に伴って、ウェハWの中心PC上から外周側に移動させながら、レジスト液RをウェハWの表面に供給する。

0068

図9(c)に示すように、スピンチャック130に保持されたウェハWを、チャック駆動機構131により所定の回転数VS2で回転させた状態で、ノズル駆動部144によりレジスト液ノズル143をウェハWの中心PC上から外周側の所定の位置Pに所定の時間TS2で移動させる。そして、レジスト液ノズル143を移動させながら、レジスト液Rを吐出することにより、ウェハWの表面にレジスト液Rを供給する。

0069

ここでは、所定の回転数VS2を、例えば1500〜4000rpmとすることができ、より好ましくは、表1に示すように、例えば2000rpmとすることができる。例えば所定の回転数VS1、VS2のいずれも2000rpmであるときは、中心供給工程(ステップS15)と移動供給工程(ステップS17)との間で、回転数は変化しない。

0070

また、移動供給工程(ステップS17)では、レジスト液ノズル143からウェハWの表面にレジスト液Rが供給される供給位置PSが、ウェハWの表面であってレジスト液Rが塗布された領域ARに含まれるように、供給位置PSを所定の位置Pに所定の時間TS2で移動させる。すなわち、上記した供給位置PSがウェハWの表面であってレジスト液Rが塗布された領域ARに含まれるように、ノズル駆動部144によりレジスト液ノズル143をウェハWの中心PC上から外周側に向けて移動する。

0071

なお、レジスト液ノズル143がレジスト液Rを略垂直かつ下方に吐出するものであり、レジスト液ノズル143の移動速度がそれほど大きくないときは、平面視におけるレジスト液ノズル143の位置と、供給位置PSとは略一致する。

0072

所定の回転数VS2を例えば2000rpmとしたときの一例として、図7及び表1に示すように、所定の時間TS2を例えば0.4秒とし、ウェハWの中心PCを基準、すなわち0としたときの所定の位置Pを例えば50mmとすることができる。

0073

なお、レジスト液Rが塗布された領域ARに供給位置PSが含まれるとは、供給位置PSがウェハWの表面に拡散するレジスト液Rの先端(外周)FL、すなわち最外周よりも後方、すなわち内周側にあることを意味する。換言すれば、レジスト液ノズル143が、拡散するレジスト液Rの先端(外周)FLを追い越さないことを意味する。

0074

このようにしてレジスト液ノズル143(供給位置PS)をウェハWの中心PC上から外周側の所定の位置Pに向けて移動させることにより、拡散するレジスト液RがウェハWの外周まで到達する。また、後述するように、ウェハWの全面にレジスト液Rを塗布する際に、ウェハWの全面をレジスト液Rで被覆するのに必要なレジスト液Rの液量を、削減することができる。

0075

また、図7及び表1では、供給工程(ステップS15〜ステップS17)における所定の回転数VS1、VS2は一定であって互いに等しく、かつ、溶剤拡散工程(ステップS14)における回転数VPとも等しい例について示している。しかし、供給工程(ステップS15〜ステップS17)における所定の回転数VS1、VS2は一定でなくてもよく、互いに等しくなくてもよい。また、供給工程(ステップS15〜ステップS17)における所定の回転数VS1、VS2は、溶剤拡散工程(ステップS14)における回転数VPとも等しくなくてもよい。

0076

次に、第1の回転工程(ステップS18)を行う。第1の回転工程(ステップS18)では、レジスト液ノズル143からのレジスト液Rの供給を停止した状態で、供給工程が終了する際のウェハWが回転する回転数よりも低い第1の回転数V1で所定の時間T1の間ウェハWを回転させる。第1の回転工程(ステップS18)及び第2の回転工程(ステップS19)におけるウェハWの状態を、図9(d)に示す。

0077

第1の回転工程(ステップS18)を行うことによって、ウェハW上のレジスト液Rが均される。すなわち、レジスト液Rが平坦化される。第1の回転数V1を、例えば100〜1000rpmとすることができ、より好ましくは、表1に示すように、例えば100rpmとすることができる。

0078

上述したように、一例として、供給工程(ステップS15〜ステップS17)における所定の回転数VS1、VS2が一定であって互いに等しい場合について説明しているため、供給工程が終了する際のウェハWの回転数はVS2である。従って、第1の回転数V1を100rpmとすることによって、第1の回転数V1を、供給工程が終了する際のウェハWの回転数VS2より低くすることができる。また、所定の時間T1を例えば1.0秒とすることができる。

0079

次に、第2の回転工程(ステップS19)を行う。第2の回転工程(ステップS19)では、第1の回転数V1よりも高い第2の回転数V2で所定の時間T2の間ウェハWを回転させる。これにより、ウェハW上に塗布されたレジスト液Rが乾燥される。これにより、ウェハW上に薄いレジスト膜が形成される。

0080

ここでは、第2の回転数V2を、例えば1000〜2000rpmとすることができ、より好ましくは、表1に示すように、例えば1700rpmとすることができる。また、所定の時間T2を例えば17秒とすることができる。

0081

最後に回転停止工程(ステップS20)を行う。回転停止工程(ステップS20)では、ウェハWの回転を停止する。ウェハWの乾燥終了後、ウェハWの回転が停止される。

0082

また、回転停止工程(ステップS20)の後、スピンチャック130上からウェハWが搬出される。このようにして、一連のレジスト塗布処理プロセスが終了する。

0083

レジスト塗布処理プロセスの後、ウェハWは、第1の搬送装置20によって例えばプリベーク装置71に搬送され、プリベークされる。続いてウェハWは、第2の搬送装置21によって周辺露光装置92、温調装置83に順次搬送され、各装置において所定の処理が施される。その後、ウェハWは、インターフェイスステーション4のウェハ搬送装置101によって露光装置5に搬送され、液浸露光される。その後ウェハWは、ウェハ搬送装置101によって例えば露光後ベーク装置84に搬送され、露光後ベークされ、その後第2の搬送装置21によって温調装置81に搬送され、温度調節される。その後、ウェハWは、現像処理装置40に搬送され、ウェハW上のレジスト膜が現像される。現像後、ウェハWは、第2の搬送装置21によってポストベーキング装置75に搬送され、ポストベークされる。その後ウェハWは、温調装置63に搬送され、温度調節される。そしてウェハWは、第1の搬送装置20によってトランジション装置61に搬送され、ウェハ搬送装置12によってカセットCに戻される。このようにして、一連のウェハ処理が終了する。

0084

次に、図10から図12を参照し、本実施の形態に係るレジスト塗布処理プロセスにより、ウェハWの全面をレジスト液Rで被覆するのに必要なレジスト液Rの液量を、削減できることについて、比較例と比較することによって説明する。図10は、比較例に係るレジスト塗布処理プロセスの主な工程を示すフローチャートである。図11は、比較例に係るレジスト塗布処理プロセスの各工程におけるウェハの表面の状態を示す図である。図12は、本実施の形態及び比較例に係る供給工程におけるウェハの表面を拡散するレジスト液の分布を模式的に示す断面図である。図12(a)は本実施の形態におけるレジスト液の分布を示し、図12(b)は比較例におけるレジスト液の分布を示す。また、図12においては、溶剤PWの図示を省略している。

0085

図10に示すように、比較例におけるレジスト塗布処理プロセスは、図6に示す本実施の形態に係るレジスト塗布処理プロセスの各工程のうち、溶剤ノズル移動工程(ステップS11)から中心供給工程(ステップS15)を行った後、移動開始工程(ステップS16)及び移動供給工程(ステップS17)を省略し、第1の回転工程(ステップS18)以下を行うものである。従って、比較例では、供給工程は、中心供給工程(ステップS15)のみを有する。

0086

また、比較例に係るレジスト塗布処理プロセスを行う際のレシピの例を表2に示す。

0087

表2においても、表1と同様に、左側から右側にかけての各列は、ステップ、時間、回転数、ウェハの中心を基準としたときのノズル位置、供給される塗布液を示している。

0088

表2に示すレシピでは、図7及び表1に示す移動供給工程(ステップS17)が省略されている。

0089

比較例に係るレジスト塗布処理プロセスでは、溶剤ノズル移動工程(ステップS11)から溶剤拡散工程(ステップS14)までの各工程におけるウェハWの表面の状態は、本実施の形態に係るレジスト塗布処理プロセスと同様に、図8(a)から図8(d)に示される。

0090

一方、中心供給工程(ステップS15)以降の各工程におけるウェハWの表面の状態は、図11(a)から図11(d)に示される。

0091

中心供給工程(ステップS15)では、本実施の形態と同様に、回転するウェハWの表面の中心PCにレジスト液Rを供給する。また、このときの状態は、順次図11(a)から図11(c)で示される。

0092

ウェハWの表面の中心PCに供給されたレジスト液Rは、遠心力により、ウェハWの外周側へ拡散する。そして、レジスト液RがウェハWの外周側に拡散するのに伴って、拡散するレジスト液Rの先端(外周)FLにおける単位面積当たりのレジスト液Rの液量が減少し、先端(外周)FLにおいてレジスト液Rが乾燥しやすくなる。また、先端(外周)FLにおいてレジスト液Rが乾燥すると、図12(b)において破線で囲まれた領域IIに示すように、拡散するレジスト液Rの先端(外周)FLにおける単位面積当たりのレジスト液Rの液量が更に減少する。先端(外周)FLにおける単位面積当たりのレジスト液Rの液量が減少すると、十分な遠心力が得られなくなるため、レジスト液RがウェハWの外周に到達できなくなる。その結果、図11(d)に示すように、ウェハWの全面をレジスト液Rで被覆することができない。

0093

一方、本実施の形態によれば、供給工程が、移動供給工程(ステップS17)を有する。そして、移動供給工程(ステップS17)において、レジスト液ノズル143を、供給位置PSがウェハWの表面であってレジスト液Rが塗布された領域ARに含まれるように、かつ、拡散するレジスト液Rの移動に伴って、ウェハWの中心PC上から外周側に移動させる。これにより、拡散するレジスト液Rの先端(外周)FLよりも内周側であって、かつ、先端(外周)FL付近の位置に、レジスト液Rを供給することができる。先端(外周)FL付近の位置にレジスト液Rを供給すると、合計として比較例と等しい液量を供給する場合であっても、図12(a)において破線で囲まれた領域Iに示すように、先端(外周)FLにおける単位面積当たりのレジスト液Rの液量が、比較例よりも増加する。また、先端(外周)FLにおける単位面積当たりのレジスト液Rの液量が増加すると、先端(外周)FLにおいてレジスト液Rが乾燥することによって液量が減少することも防止できる。従って、レジスト液Rの先端(外周)FLにおいても十分な遠心力を得ることができ、拡散するレジスト液RをウェハWの表面のより外周まで到達させることができる。その結果、合計として比較例と等しい液量を供給する場合であっても、図9(d)に示すように、ウェハWの全面をレジスト液Rで被覆することができる。すなわち、ウェハWの全面をレジスト液Rで被覆することができる液量を、比較例に比べて削減することができる。

0094

本実施の形態では、移動開始工程(ステップS16)において、拡散するレジスト液RがウェハWの外周に到達する前に、レジスト液ノズル143を外周側に向けて移動させ始める。これにより、中心供給工程(ステップS15)のみではウェハWの外周まで到達できない少量のレジスト液Rであっても、ウェハWの外周まで到達させることができる。従って、ウェハWの全面をレジスト液Rで被覆するのに必要なレジスト液Rの液量を、削減することができる。

0095

また、本実施の形態では、供給位置PSがウェハWの表面であってレジスト液Rが塗布された領域ARに含まれるように、レジスト液Rを供給するため、供給位置PSが、拡散するレジスト液Rの先端(外周)FLを追い越すことがない。従って、レジスト液Rが塗布された領域ARを、略円形形状に保ったまま外周側へ拡げることができ、回転方向に沿ってレジスト液Rを均一に塗布することができる。

0096

実際に、直径が300mmφのウェハを用い、レジスト液Rの液量を変えて、表1(本実施の形態)及び表2(比較例)の各レシピに基づいて、本実施の形態に係るレジスト塗布処理プロセスの効果を実証する実験を行った。その結果、比較例では、ウェハWの全面を被覆するのに必要なレジスト液Rの液量が0.3mlであったのに対し、本実施の形態では、ウェハWの全面を被覆するのに必要なレジスト液Rの液量が0.2mlであった。従って、本実施の形態の塗布処理方法によれば、従来の方法に比べ、少ない液量でレジスト液RをウェハWの全面に均一に塗布できることが確認できた。

0097

以上、本実施の形態によれば、供給工程において、拡散するレジスト液が外周に到達する前に、レジスト液を供給する供給位置を、ウェハWの表面の略中心から外周側へ移動させ始め、その後、拡散するレジスト液の移動に伴って供給位置を外周側へ移動させる。これによって、拡散するレジスト液の先端における単位面積当たりのレジスト液の液量を増加させることができるため、より少量のレジスト液を塗布した場合であっても、ウェハの外周までレジスト液を拡散させることができる。したがって、ウェハの全面にレジスト液を塗布する際に、ウェハの全面をレジスト液で被覆するのに必要なレジスト液の液量を、削減することができる。

0098

なお、本実施の形態では、供給工程において、供給位置がウェハの表面であってレジスト液が塗布された領域に含まれるように、レジスト液ノズルを移動させながら、レジスト液をウェハの表面に供給する例について説明した。しかし、供給位置が拡散するレジスト液の先端を少し追い越す程度であっても、本実施の形態と同様の効果が得られる。従って、拡散するレジスト液の移動に伴って供給位置を外周側へ移動させるのであれば、供給工程において、供給位置がウェハの表面であってレジスト液が塗布された領域に含まれないように、レジスト液ノズルを移動させる例も含まれる。
(実施の形態の変形例)
次に、図13及び図14を参照し、実施の形態の変形例に係る塗布処理方法について説明する。

0099

図13は、本変形例に係るレジスト塗布処理プロセスの主な工程を示すフローチャートである。図14は、本変形例に係るレジスト塗布処理プロセスの各工程におけるウェハの回転数を示すグラフである。

0100

本変形例に係るレジスト塗布処理プロセスでは、供給工程において、レジスト液ノズルの移動に伴って、ウェハの回転数を低下させながら、レジスト液をウェハの表面に供給する点で、実施の形態に係るレジスト塗布処理プロセスと相違する。

0101

なお、本変形例でも、レジスト塗布処理プロセスは、本発明における塗布処理方法に相当する。また、本変形例でも、実施の形態で説明した塗布現像処理システム1及びレジスト塗布装置30を用いることができる。

0102

図13及び図14に示すように、本変形例におけるレジスト塗布処理プロセスは、溶剤ノズル移動工程(ステップS31)、溶剤供給工程(ステップS32)、レジスト液ノズル移動工程(ステップS33)、溶剤拡散工程(ステップS34)、供給工程(ステップS35〜ステップS37)、第1の回転工程(ステップS38)、第2の回転工程(ステップS39)及び回転停止工程(ステップS40)を有する。また、供給工程は、中心供給工程(ステップS35)、移動開始工程(ステップS36)、移動供給工程(ステップS37)を有する。

0103

また、図13に示す溶剤ノズル移動工程(ステップS31)から移動開始工程(ステップS36)の各工程は、実施の形態において図6を用いて説明した、溶剤ノズル移動工程(ステップS11)から移動開始工程(ステップS16)の各工程と同様である。また、図13に示す第1の回転工程(ステップS38)から回転停止工程(ステップS40)の各工程は、実施の形態において図6を用いて説明した、第1の回転工程(ステップS18)から回転停止工程(ステップS20)の各工程と同様である。従って、これらの工程については、説明を省略する。

0104

一方、図13に示す移動供給工程(ステップS37)は、実施の形態において図6を用いて説明した、移動供給工程(ステップS17)と相違する。

0105

移動供給工程(ステップS37)では、外周側へ拡散するレジスト液Rの移動に伴って、ウェハWの中心PC上から外周側にレジスト液ノズル143を移動させ、ウェハWが回転する回転数を、レジスト液ノズル143の移動に伴って低下させながら、レジスト液RをウェハWの表面に供給する。

0106

スピンチャック130に保持されたウェハWを、チャック駆動機構131により所定の回転数VS2−1で回転させた状態で、ノズル駆動部144によりレジスト液ノズル143をウェハWの中心PC上から外周側の所定の位置Pに所定の時間TS2で移動させる。そして、レジスト液ノズル143の移動に伴って、図14に示すように、所定の回転数をVS2−1からVS2−2まで低下させながら、レジスト液ノズル143からウェハWの表面にレジスト液Rを供給する。

0107

ここでは、一例として、図14に示すように、所定の回転数VS2−1を例えば2000rpmとし、所定の回転数VS2−2を例えば1800rpmとすることができる。また、所定の時間TS2を例えば0.4秒とし、所定の位置Pを50mmとすることができる。すなわち、レジスト液ノズル143を0.4秒で中心PC上から50mm移動させるとともに、ウェハWの回転数を0.4秒で2000rpmから1800rpmに低下させる。

0108

なお、所定の回転数VS2−1を、中心供給工程(ステップS35)における所定の回転数VS1よりも高い回転数としてもよく、所定の回転数VS1よりも低い回転数としてもよい。

0109

また、レジスト液ノズル143を、レジスト液ノズル143からウェハWの表面にレジスト液Rが供給される供給位置PSが、ウェハWの表面であってレジスト液Rが塗布された領域ARに含まれるように、移動させることは、実施の形態と同様である。また、供給位置PSが拡散するレジスト液Rの先端(外周)FLを少し追い越す程度であれば、レジスト液ノズル143を、供給位置PSが、領域ARに含まれないように、移動させる場合も含むことも、実施の形態と同様である。

0110

実施の形態において図12(b)を用いて説明したのと同様に、ウェハWの表面の中心PCに供給されたレジスト液Rが、遠心力により、ウェハWの外周側に拡散する。そして、拡散するレジスト液Rの移動に伴って、拡散するレジスト液Rの先端(外周)FLにおける単位面積当たりのレジスト液Rの液量が減少する。

0111

また、回転するウェハWがレジスト液ノズル143の下方を通過する通過速度が、ウェハWの外周側ほど増加する。通過速度が増加すると、レジスト液ノズル143から吐出されたレジスト液Rが、ウェハWの表面に弾かれ、先端(外周)FLにおける単位面積当たりのレジスト液Rの液量が更に減少するおそれがある。

0112

本変形例でも、レジスト液Rの移動に伴ってレジスト液ノズル143を移動させるため、実施の形態において図12(a)を用いて説明したのと同様に、先端(外周)FLにおける単位面積当たりのレジスト液Rの液量を増加させることができる。これによって、より少量のレジスト液Rを塗布した場合であっても、ウェハWの外周までレジスト液Rを拡散させることができる。

0113

更に、本変形例では、移動するレジスト液ノズル143の移動に伴って、ウェハWの回転数を低下させる。これによって、ウェハWの外周側における、回転するウェハWがレジスト液ノズル143の下方を通過する通過速度を、減少させることができる。したがって、レジスト液ノズル143から吐出されたレジスト液Rが、ウェハWの表面に弾かれることを防止でき、先端(外周)FLにおける単位面積当たりのレジスト液Rの液量を増加させることができる。よって、ウェハWの全面をレジスト液Rで被覆することができる液量を、更に削減することができる。

0114

また、本変形例では、所定の回転数VS2をVS2−1からVS2−2まで一様の変化率で低下させなくてもよい。例えば、図14に示すように、変化率の絶対値が徐々に小さくなるように、所定の回転数VS2をVS2−1からVS2−2まで低下させてもよい。これにより、レジスト液Rの広がり乱れをおさえることができる。あるいは、変化率の絶対値が徐々に大きくなるように、所定の回転数VS2をVS2−1からVS2−2まで低下させてもよい。

0115

以上、本発明の好ましい実施の形態について記述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

0116

なお、実施の形態及び実施の形態の変形例では、レジスト液を塗布処理する塗布処理方法及び塗布処理装置の例について説明した。しかし、本発明に係る塗布処理方法及び塗布処理装置において、塗布液はレジスト液に限定されるものではない。従って、本発明は、溶剤、反射防止膜を形成するための薬液等各種の塗布液を塗布処理する塗布処理方法及び塗布処理装置にも適用することが可能である。

0117

また、本発明は、半導体基板ガラス基板その他の各種基板に塗布液を塗布処理する工程を含む方法及びそれらの工程を行うための装置に適用することが可能である。

0118

130スピンチャック
131チャック駆動機構
143レジスト液ノズル
144ノズル駆動部
160 制御部

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