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技術 基板処理装置のセットアップ方法。

出願人 株式会社日立国際電気
発明者 奥野正則
出願日 2009年8月21日 (11年6ヶ月経過) 出願番号 2009-192373
公開日 2010年5月6日 (10年9ヶ月経過) 公開番号 2010-103486
状態 特許登録済
技術分野 ウエハ等の容器,移送,固着,位置決め等 半導体装置の製造処理一般 ウエハ等の容器、移送、固着、位置決め等
主要キーワード たてしま 動作報告 バルブボタン 排気機 テスト搬送 テスト端末 実施スケジュール クラスタ状
関連する未来課題
重要な関連分野

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図面 (14)

課題

処理炉を複数備える基板処理装置運用を開始させる際のセットアップ工程の所要時間を短縮させる。

解決手段

複数の処理炉制御部PMC1,PMC2を統合制御部90及び第1の操作部100からそれぞれ切り離し、擬似統合制御部及び第2の操作部を備えたテスト端末を複数の処理炉制御部にそれぞれ接続し、第2の操作部から複数の処理炉制御部へ、擬似統合制御部を介してテスト動作命令を送信させ、テスト動作命令を受信した複数の処理炉制御部により、複数の処理炉PM1,PM2の動作を並行してテストさせ、複数の処理炉制御部から第2の操作部へ、擬似統合制御部を介してテスト動作報告を送信させる。

概要

背景

DRAM等の半導体装置の製造方法の一工程を実施する従来の基板処理装置は、基板
処理する処理室を備えた複数の処理炉と、複数の処理炉にそれぞれ接続されて処理炉の動
作を個別に制御する複数の処理炉制御部と、複数の処理炉制御部にそれぞれ接続され、複
数の処理炉制御部を介して複数の処理炉の動作を統合的に制御する統合制御部と、統合制
御部及び複数の処理炉制御部にそれぞれ接続され、統合制御部を介して複数の処理炉制御
部に動作命令を送信すると共に、統合制御部を介して前記複数の処理炉制御部から動作報
告を受信する操作部と、を備えていた。

基板処理装置の運用を開始するには、基板処理装置の設置工程、電気設備配線工程、
ガス供給ライン及び排気ラインの接続工程を実施した後、I/Oチェック(基板処理装置
が備える各種入出力バルブI/Oの動作チェック)、インターロックチェック(基板処理
装置が備える各種チャンバ内や減圧室内減圧動作チェック)、ロボットティーチング
基板処理装置が備える搬送機構搬送動作チェック)等のさまざまな工程(以下、これら
を総称してセットアップ工程と呼ぶ)を、処理炉毎にそれぞれ実施する必要があった。

概要

処理炉を複数備える基板処理装置の運用を開始させる際のセットアップ工程の所要時間を短縮させる。複数の処理炉制御部PMC1,PMC2を統合制御部90及び第1の操作部100からそれぞれ切り離し、擬似統合制御部及び第2の操作部を備えたテスト端末を複数の処理炉制御部にそれぞれ接続し、第2の操作部から複数の処理炉制御部へ、擬似統合制御部を介してテスト動作命令を送信させ、テスト動作命令を受信した複数の処理炉制御部により、複数の処理炉PM1,PM2の動作を並行してテストさせ、複数の処理炉制御部から第2の操作部へ、擬似統合制御部を介してテスト動作報告を送信させる。

目的

そこで本発明は、処理炉を複数備える基板処理装置の運用を開始させる際に、セットア
ップ工程の所要時間を短縮させることが可能な基板処理装置のセットアップ方法を提供す
ることを目的とする。

効果

実績

技術文献被引用数
1件
牽制数
1件

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請求項1

基板を処理する処理室と、前記処理室にそれぞれ接続されて前記処理室の動作を個別に制御する処理制御部と、前記処理制御部にそれぞれ接続可能に構成され、前記処理制御部を介して前記処理室の動作を統合的に制御する統合制御部と、前記統合制御部及び前記処理制御部にそれぞれ接続可能に構成され、前記統合制御部を介して前記処理制御部に動作命令を送信すると共に、前記統合制御部を介して前記処理制御部から動作報告を受信する第1の操作部と、を備えた基板処理装置により実施されるセットアップ方法であって、前記処理制御部が前記統合制御部及び前記第1の操作部からそれぞれ切り離された状態で、擬似統合制御部及び第2の操作部を備えたテスト端末を前記処理制御部にそれぞれ接続し、前記第2の操作部から前記処理制御部へ、前記擬似統合制御部を介して処理炉テスト動作命令を送信し、前記処理炉テスト動作命令を受信した前記処理制御部により、前記処理室の動作を並行してテストさせ、前記処理制御部から前記第2の操作部へ、前記擬似統合制御部を介して処理炉テスト動作報告を送信させる処理炉テスト工程を有する基板処理装置のセットアップ方法。

請求項2

前記処理室に連通可能に接続された搬送室と、前記処理室と前記搬送室との間で基板を搬送する搬送機構と、を更に備え、前記統合制御部が前記搬送機構に接続されて前記搬送機構の搬送動作を制御するように構成された基板処理装置により実施されるセットアップ方法であって、前記処理テスト工程を実施した後、前記テスト端末が前記処理制御部からそれぞれ切り離された状態で、前記第1の操作部を前記統合制御部及び前記処理制御部にそれぞれ接続し、前記第1の操作部から前記統合制御部へ搬送テスト動作命令を送信させ、前記搬送テスト動作命令を受信した前記統合制御部により、前記処理室と前記搬送室とを連通させると共に前記搬送装置の動作をテストさせ、前記統合制御部から前記第1の操作部へ搬送テスト動作報告を送信させる搬送テスト工程を更に有する請求項1記載の基板処理装置のセットアップ方法。

請求項3

前記基板処理装置が備える各種入出力バルブ動作チェックを実施するI/Oチェック工程と、前記基板処理装置が備える各種室内の減圧動作チェックを実施するインターロックチェック工程と、前記基板処理装置が備える搬送機構の搬送動作チェックを実施するロボットティーチング工程のうち少なくとも一つの工程を含む請求項1または請求項2の基板処理装置のセットアップ方法。

請求項4

搬送室及び処理室の正常性チェックを行う処理炉テスト工程と、基板を前記搬送室及び各処理室に搬送する搬送テスト工程とを含む基板処理装置のセットアップ方法であって、前記搬送室の正常性チェックと前記処理室との正常性チェックを並行して実施する基板処理装置のセットアップ方法。

請求項5

基板処理装置が備える各種入出力バルブの動作チェックを実施するI/Oチェック工程と、基板処理装置が備える各種室内の減圧動作チェックを実施するインターロックチェック工程と、基板処理装置が備える搬送機構の搬送動作チェックを実施するロボットティーチング工程と、を含む基板処理装置のセットアップ方法。

技術分野

0001

本発明は、複数の処理炉を備えた基板処理装置に関し、特に基板処理装置の運用を開始
する前の準備作業に関する。

背景技術

0002

DRAM等の半導体装置の製造方法の一工程を実施する従来の基板処理装置は、基板
処理する処理室を備えた複数の処理炉と、複数の処理炉にそれぞれ接続されて処理炉の動
作を個別に制御する複数の処理炉制御部と、複数の処理炉制御部にそれぞれ接続され、複
数の処理炉制御部を介して複数の処理炉の動作を統合的に制御する統合制御部と、統合制
御部及び複数の処理炉制御部にそれぞれ接続され、統合制御部を介して複数の処理炉制御
部に動作命令を送信すると共に、統合制御部を介して前記複数の処理炉制御部から動作報
告を受信する操作部と、を備えていた。

0003

基板処理装置の運用を開始するには、基板処理装置の設置工程、電気設備配線工程、
ガス供給ライン及び排気ラインの接続工程を実施した後、I/Oチェック(基板処理装置
が備える各種入出力バルブI/Oの動作チェック)、インターロックチェック(基板処理
装置が備える各種チャンバ内や減圧室内減圧動作チェック)、ロボットティーチング
基板処理装置が備える搬送機構搬送動作チェック)等のさまざまな工程(以下、これら
を総称してセットアップ工程と呼ぶ)を、処理炉毎にそれぞれ実施する必要があった。

発明が解決しようとする課題

0004

基板処理装置の運用を迅速に開始するには、処理炉毎に実施するセットアップ工程を可
能な限り一度に並行して実施し、セットアップ工程の合計所要時間を短縮することが好ま
しい。

0005

しかしながら、セットアップ工程に投入する作業員を増員しても、セットアップ工程の
合計所要時間を短縮することは困難であった。従来の基板処理装置において、I/Oチェ
ック、インターロックチェック、ロボットティーチング等のセットアップ工程は、作業員
が操作部から動作命令を送信して行う必要があり、基板処理装置が備える操作部の台数
1台)に限りがある以上、一度に並行して実施することは困難だったのである。

0006

セットアップ工程の所要時間を短縮するには、セットアップ工程を実施させる専用のテ
トプログラムを処理炉制御部に組み込み、複数の処理炉制御部にセットアップ工程を並
行して実行させる方法も考えられる。しかしながら、運用開始後に使用される本番のプロ
グラムと、処理炉制御部に組み込むテストプログラムとは異なるプログラムであるから、
上述の方法でセットアップ工程を実施したとしても、本番のプログラムを実行したときに
問題が発生するか否かを確認することは困難であった。

0007

そこで本発明は、処理炉を複数備える基板処理装置の運用を開始させる際に、セットア
ップ工程の所要時間を短縮させることが可能な基板処理装置のセットアップ方法を提供す
ることを目的とする。

課題を解決するための手段

0008

本発明の一態様によれば、基板を処理する処理室を備えた複数の処理炉と、前記複数の
処理炉にそれぞれ接続されて前記処理炉の動作を個別に制御する複数の処理炉制御部と、
前記複数の処理炉制御部にそれぞれ接続可能に構成され、前記複数の処理炉制御部を介し
て前記複数の処理炉の動作を統合的に制御する統合制御部と、前記統合制御部及び前記複
数の処理炉制御部にそれぞれ接続可能に構成され、前記統合制御部を介して前記複数の処
理炉制御部に動作命令を送信すると共に、前記統合制御部を介して前記複数の処理炉制御
部から動作報告を受信する第1の操作部と、を備えた基板処理装置のセットアップ方法で
あって、前記複数の処理炉制御部が前記統合制御部及び前記第1の操作部からそれぞれ
切り離された状態で、擬似統合制御部及び第2の操作部を備えたテスト端末を前記複数の
処理炉制御部にそれぞれ接続し、前記第2の操作部から前記複数の処理炉制御部へ、前記
擬似統合制御部を介して処理炉テスト動作命令を送信させ、前記処理炉テスト動作命令を
受信した前記複数の処理炉制御部により、前記複数の処理炉の動作を並行してテストさせ
、前記複数の処理炉制御部から前記第2の操作部へ、前記擬似統合制御部を介して処理炉
テスト動作報告を送信させる処理炉テスト工程を有する基板処理装置のセットアップ方法
が提供される。

発明の効果

0009

本発明にかかる基板処理装置のセットアップ方法によれば、処理炉を複数備える基板
処理装置の運用を開始させる際に、セットアップ工程の所要時間を短縮させることが可能
となる。

図面の簡単な説明

0010

本発明の一実施形態にかかるクラスタ型基板処理装置の概要構成図である。
本発明の他の実施形態にかかるインライン型基板処理装置の概要構成図である。
本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の制御手段のブロック構成図である。
本発明の一実施形態にかかる基板処理装置にて実施される基板処理工程のフロー図である。
本発明の一実施形態にかかる基板処理工程における制御手段の動作を例示する概略図である。
本発明の一実施形態にかかる基板処理装置にて実施される処理炉テスト工程のフロー図である。
本発明の一実施形態にかかる処理炉テスト工程における制御手段の動作を例示する概略図である。
本発明の一実施形態にかかる基板処理装置にて実施される搬送テスト工程のフロー図である。
本発明の一実施形態にかかる搬送テスト工程における制御手段の動作を例示する概略図である。
従来の操作部用プログラムからPMC操作用プラグラムを抜き出してテストプログラムを作成する様子を示す概略構成図である。
本発明の一実施形態にかかるテスト端末用プログラムの構成を例示する概略図である。
従来のセットアップ工程の実施スケジュールを例示する表図である。
本発明の一実施形態にかかるセットアップ工程の実施スケジュールを例示する表図である。

発明を実施するための最良の形態

0011

<本発明の一実施形態>
以下に、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の構成及び動作について説明する。

0012

(1)基板処理装置の構成
まず、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の構成について、図1図3を用いて
説明する。図1は、本発明の一実施形態にかかるクラスタ型基板処理装置の概要構成図で
ある。図3は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の制御手段のブロック構成図で
ある。本実施形態にかかるクラスタ型基板処理装置は、真空側大気側とに分れている。

0013

(真空側の構成)
クラスタ型基板処理装置の真空側には、真空気密可能な真空搬送室トランスファチャ
ンバ)TMと、予備室としてのバキュームロックチャンバロードロック室)VL1,V
L2と、基板としてのウエハWを処理する処理室を備えた処理炉としてのプロセスチャン
バPM1,PM2と、ウエハWを冷却する冷却チャンバCS1,CS2と、が設けられて
いる。バキュームロックチャンバVL1,VL2、プロセスチャンバPM1,PM2、冷
却チャンバCS1,CS2は、真空搬送室TMの外周に星状クラスタ状)に配置されて
いる。

0014

真空搬送室TMは、真空状態などの大気圧未満の圧力(負圧)に耐えることが出来るロ
ードロックチャンバ構造に構成されている。なお、本発明の一実施形態においては、真空
搬送室TMの筐体は、平面視が六角形で、上下両端閉塞した箱形状に形成されている。

0015

真空搬送室TM内には、真空搬送機構としての真空ロボットVRが設けられている。真
空ロボットVRは、バキュームロックチャンバVL1,VL2、プロセスチャンバPM1
,PM2、冷却チャンバCS1,CS2との間で、ウエハWの搬送を基板載置部であるア
ームに載せることで相互に行なう。なお、真空ロボットVRは、エレベータEVによって
、真空搬送室TMの気密性を維持しつつ昇降できるようになっている。また、バキューム
ロックチャンバVL1,VL2、プロセスチャンバPM1,PM2、及び冷却チャンバC
S1,CS2の前の所定の位置(ゲートバルブ近傍)には、ウエハWの有無を検知する基
板検知手段としてのウエハ有無センサ(図示しない)が設置されている。

0016

プロセスチャンバPM1,PM2は、例えばCVD(Chemical Vapor
Deposition)法又はPVD(Physical Vapor Deposit
ion)法によりウエハW上に薄膜を形成する工程、あるいはウエハW表面に酸化膜又は
窒化膜を形成する工程、あるいはウエハW上に金属薄膜を形成する工程を実施して、ウエ
ハWに付加価値を与えるように構成されている。プロセスチャンバPM1,PM2には、
図示しないガス導入排気機構、およびプラズマ放電機構に加え、図3に示すプロセスチ
ャンバ内へ供給する処理ガスの流量を制御するマスフローコントローラMFC)11、
プロセスチャンバ内の圧力を制御するオートプレッシャコントローラAPC)12、プ
ロセスチャンバ内の温度を制御する温度調整器13、処理ガスの供給や排気用バルブのオ
ン/オフを制御するための入出力バルブI/O14、などが設けられる。ガス排気機構
よりプロセスチャンバPM1,PM2内(処理室内)を排気しつつ、ガス導入機構により
処理室内に処理ガスを供給すると共に、プラズマ放電機構に高周波電力を供給して処理室
内にプラズマを生成することで、ウエハWの表面が処理されるように構成されている。

0017

バキュームロックチャンバVL1,VL2は、真空搬送室TM内へウエハWを搬入する
ための予備室として、あるいは真空搬送室TM内からウエハWを搬出するための予備室と
して機能する。バキュームロックチャンバVL1,VL2の内部には、基板の搬入搬出
にウエハWを一時的に支持するためのバッファステージST1,ST2が、それぞれ設け
られている。

0018

バキュームロックチャンバVL1,VL2は、それぞれゲートバルブG1,G2を介し
て真空搬送室TMと連通可能に構成されており、また、それぞれゲートバルブG3,G4
を介して後述する大気搬送室LMと連通可能に構成されている。したがって、ゲートバル
ブG1,G2を閉じたまま、ゲートバルブG3,G4を開けることにより、真空搬送室T
M内の真空気密を保持したまま、バキュームロックチャンバVL1,VL2と大気搬送室
LMとの間でウエハWの搬送を行うことが可能である。

0019

また、バキュームロックチャンバVL1,VL2は、真空状態などの大気圧未満の負圧
に耐えることが出来るロードロックチャンバ構造として構成されており、その内部をそれ
ぞれ真空排気することが可能となっている。したがって、ゲートバルブG3,G4を閉じ
てバキュームロックチャンバVL1,VL2の内部を真空排気した後で、ゲートバルブG
3,G4を開けることにより、真空搬送室TM内の真空状態を保持したまま、バキューム
ロックチャンバVL1,VL2と真空搬送室TMとの間で、ウエハWの搬送を行うことが
可能となっている。

0020

冷却チャンバCS1,CS2は、ウエハWを格納して冷却させるように機能する。冷却
チャンバCS1,CS2も、その内部を真空排気することが可能となっている。なお、冷
却チャンバCS1,CS2と真空搬送室TMとの間にも、ゲートバルブがそれぞれ設けら
れている。

0021

(大気側の構成)
一方、クラスタ型基板処理装置の大気側には、バキュームロックチャンバVL1,VL
2に接続された大気搬送室としての大気搬送室LMと、この大気搬送室LMに接続された
基板収容部としてのロードポートLP1〜LP3と、が設けられる。ロードポートLP1
〜LP3上には、基板収納容器としてのポッドPD1〜PD3が載置されるようになって
いる。ポッドPD1〜PD3内には、ウエハWをそれぞれ収納する収納部としてのスロッ
トが複数設けられている。

0022

大気搬送室LMには、図示しないが、大気搬送室LM内にクリーンエアを供給するため
のクリーンエアユニットが設けられている。

0023

大気搬送室LM内には、大気搬送機構としての1台の大気ロボットARが設けられてい
る。大気ロボットARは、バキュームロックチャンバVL1,VL2とロードポートLP
1〜LP3上に載置されたポッドPD1〜PD3との間で、基板としてのウエハWの搬送
を相互に行なうようになっている。大気ロボットARも、真空ロボットVRと同様に基板
載置部であるアームを有する。また、大気搬送室LMの前の所定の位置(ゲートバルブ近
傍)にも、同様に、ウエハWの有無を検知する基板検知手段としてのウエハ有無センサ(
図示しない)が設置されている。

0024

なお、大気搬送室LM内には、基板位置補正装置として、ウエハWの結晶方位の位置合
わせ等を行うためのオリフラ(Orientation Flat)合わせ装置FA
設けられている。

0025

(制御手段の構成)
クラスタ型基板処理装置の各構成部は、制御手段CNTにより制御される。図3に、制
御手段CNTの構成例を示す。制御手段CNTは、統合制御部としての統括制御コントロ
ーラ(CC)90と、処理炉制御部としてのプロセスモジュールコントローラ(PMC1
)91と、処理炉制御部としてのプロセスモジュールコントローラ(PMC2)92と、
操作員による操作を受け付ける第1の操作部(OU)100と、を備えている。

0026

プロセスモジュールコントローラ(PMC1,PMC2)91,92は、プロセスチャ
ンバPM1,PM2にそれぞれ接続されて、プロセスチャンバPM1,PM2の動作を個
別に制御するように構成されている。具体的には、プロセスモジュールコントローラ91
,92は、プロセスチャンバPM1,PM2が備えるMFC11、APC12、温度調整
器13、入出力バルブI/O14等にそれぞれ接続されている。そして、プロセスモジュ
ルコトローラ91,92は、プロセスチャンバPM1,PM2へのガス導入・排気機
構、温度制御・プラズマ放電機構、冷却チャンバCS1,CS2の冷却機構等の各動作を
それぞれ制御するように構成されている。

0027

統括制御コントローラ(CC)90は、LAN回線80を介してプロセスモジュール
ントローラ91,92にそれぞれ接続可能に構成され、プロセスモジュールコントローラ
91,92を介してプロセスチャンバPM1,PM2の動作を統合的に制御するように構
成されている。また、統括制御コントローラ90は、真空ロボットVR、大気ロボットA
R、ゲートバルブG1〜G4、バキュームロックチャンバVL1,VL2に、それぞれ接
続されている。そして、統括制御コントローラ90は、真空ロボットVR及び大気ロボッ
トARの動作、ゲートバルブG1〜G4の開閉動作、バキュームロックチャンバVL1,
VL2内部の排気動作を制御するように構成されている。また、統括制御コントローラ9
0は、上述のウエハ有無センサ(図示しない)にそれぞれ接続されており、ウエハ有無セ
ンサからの検知信号に基づいて、基板処理装置内のウエハWの位置を示す位置情報を作成
して随時更新するように構成されている。そして、統括制御コントローラ90は、ウエハ
WをポッドPD1〜PD3の内のどのスロットに収納するかをそれぞれ指定する収納情報
と前記位置情報とに加え、ウエハWについてのプロセス処理状況、ウエハWを識別するた
めのウエハID、ウエハWに対して実施するレシピ等のデータに基づいて、搬送手段とし
ての真空ロボットVR、大気ロボットAR、ゲートバルブG1〜G4等の動作を制御する
ように構成されている。

0028

第1の操作部(OU)100は、LAN回線80を介して統括制御コントローラ90及
びプロセスモジュールコントローラ91,92にそれぞれ接続可能に構成されている。第
1の操作部100は、CPU、メモリ通信インタフェースハードディスクを備えた汎
用のコンピュータとして構成されている。第1の操作部100のハードディスクには、シ
ステム全体総括制御用プログラム、PM1操作用プログラム、PM2操作用プログラム等
が格納されている。システム全体総括制御用プログラムは、第1の操作部100のハード
ディスクからメモリに読み出され、CPUにより実行されることにより、統括制御コン
ローラ90に動作命令(メッセージ)を送信すると共に、統括制御コントローラ90から
動作報告(メッセージ)を受信する機能を第1の操作部100に実現するように構成され
ている。また、PM1操作用プログラム、PM2操作用プログラムは、第1の操作部10
0のハードディスクからメモリに読み出され、CPUにより実行されることにより、統括
制御コントローラ90を介してプロセスモジュールコントローラ91,92に動作命令(
メッセージ)を送信すると共に、統括制御コントローラ90を介してプロセスモジュール
コントローラ91,92から動作報告(メッセージ)を受信する機能を第1の操作部10
0に実現するように構成されている。その他、第1の操作部100は、モニタ表示、ロギ
ングデータ、アラーム解析パラメータ編集などの画面表示・入力受付機能を担うように
構成されている。

0029

(2)基板処理工程
続いて、本実施形態にかかる基板処理装置により実施される基板処理工程の一例につい
て、図4図5を用いて説明する。

0030

図4は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置にて実施される基板処理工程のフロ
ー図である。図5は、本発明の一実施形態にかかる基板処理工程における制御手段の動作
を例示する概略図である。なお、図5に示す破線は、基板処理装置内におけるメッセージ
送受信を示している。

0031

図4に示すように、まず、第1の操作部100から統括制御コントローラ90へ、基板
処理の開始を指示する動作命令M1を、LAN80を介して送信させる(S1)。

0032

動作命令M1を受信した統括制御コントローラ90は、ゲートバルブG1,G4を閉じ
、ゲートバルブG2,G3を開き、真空搬送室TM、プロセスチャンバPM1,PM2、
冷却チャンバCS1,CS2内を真空排気する。そして、統括制御コントローラ90は、
大気搬送室LM内が略大気圧になるように大気搬送室LM内にクリーンエアを供給する。
そして、図示しない搬送装置により、複数枚の未処理のウエハWを収納したポッドPD1
が、ロードポートLP1上に載置される(S2)。

0033

続いて、統括制御コントローラ90は、ロードポートLP1に載置されたポッドPD1
内の基板位置P1に収納されているウエハWを、大気ロボットARにより大気搬送室LM
内に搬送させ、オリフラ合わせ装置OFA上の基板位置P2に設置させ、結晶方位の位置
合わせ等を実施させる(S3)。

0034

続いて、統括制御コントローラ90は、大気ロボットARにより、基板位置P2に設置
されているウエハWをピックアップさせ、バキュームロックチャンバVL1内に搬送させ
、バッファステージST1上の基板位置P3に設置させる。そして、統括制御コントロー
ラ90は、ゲートバルブG3を閉じて、バキュームロックチャンバVL1内部を真空排気
する(S4)。

0035

バキュームロックチャンバVL1が所定の圧力まで減圧したら、統括制御コントローラ
90は、ゲートバルブG3を閉じたまま、ゲートバルブG1を開ける。そして、統括制御
コントローラ90は、真空ロボットVRにより、基板位置P3に設置されているウエハW
をピックアップさせ、プロセスチャンバPM1内に搬送させ、基板位置P4に設置させる
(S5)。

0036

プロセスチャンバPM1内にウエハWが搬入されたら、統括制御コントローラ90は、
基板処理レシピの進行開始を指示する動作命令M2を、LAN80を介してプロセスモジ
ュールコントローラ91に送信する(S6)。

0037

プロセスモジュールコントローラ91は、プロセスチャンバPM1内に処理ガスを供給
させ、ウエハWに対して所定の処理(成膜処理など)を実施する(S7)。

0038

ウエハWへの処理が完了したら、プロセスモジュールコントローラ91は、ウエハWへ
の処理が完了したことを示す動作報告M3を、LAN80を介して統括制御コントローラ
90に送信する(S8)。

0039

動作報告M3を受信した統括制御コントローラ90は、真空ロボットVRにより、基板
位置P4に設置されている処理済のウエハWをピックアップさせ、冷却チャンバCS1内
に搬送させ、基板位置P5に配置させる(S9)。

0040

冷却チャンバCS1内における冷却処理が完了したら、統括制御コントローラ90は、
真空ロボットVRにより、基板位置P5に設置されている処理済のウエハWをピックアッ
プさせ、バキュームロックチャンバVL2内に搬送させ、バッファステージST2上の基
板位置P6へ配置させる。その後、統括制御コントローラ90は、ゲートバルブG2を閉
め、バキュームロックチャンバVL2内にクリーンガスを供給してバキュームロックチャ
ンバVL2内を略大気圧に戻し、ゲートバルブG4を開ける(S10)。

0041

続いて、統括制御コントローラ90は、大気ロボットARにより、基板位置P2に設置
されている処理済みのウエハWをピックアップさせ、ロードポートLP3に載置されたポ
ッドPD3に搬送して空きスロットに収納させる(S11)。

0042

以後、上記の工程を繰り返し、全ての未処理のウエハWについて自動搬送処理を実施し
たら、統括制御コントローラ90は、処理済みウエハWを収納したポッドPD3をロード
ポートLP3から搬出する。そして、統括制御コントローラ90は、オペレータに指示さ
れた基板処理の実施が完了した旨を示す動作報告M4を、LAN80を介して第1の操作
部100に送信し、基板処理を終了する(S12)。

0043

なお、上述の工程S1〜S12において、プロセスモジュールコントローラ91,92
から発信されるモニタデータやアラーム(メッセージM5)は、統括制御コントローラ9
0を経由することなく、第1の操作部100へと直接送信される。

0044

(3)セットアップ工程
次に、上述の基板処理装置の運用開始に際して実施されるセットアップ工程について、
説明する。本実施形態にかかるセットアップ工程は、処理炉テスト工程及び搬送テスト工
程を有する。

0045

(処理炉テスト工程)
まず、処理炉テスト工程について、図6図7図11を参照しながら説明する。

0046

図6は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置にて実施される処理炉テスト工程の
フロー図である。図7は、本発明の一実施形態にかかる処理炉テスト工程における制御手
段の動作を例示する概略図である。図11は、本発明の一実施形態にかかるテスト端末用
プログラムの構成を例示する概略図である。

0047

まず、プロセスモジュールコントローラ91,92をLAN80から切り離すことによ
り、プロセスモジュールコントローラ91,92を統括制御コントローラ90及び第1の
操作部100からそれぞれ切り離す。そして、テスト端末201を、LAN81を介して
プロセスモジュールコントローラ91にそれぞれ接続すると共に、テスト端末202を、
LAN82を介してプロセスモジュールコントローラ92にそれぞれ接続する(VS1)
。なお、第1の操作部100はLAN80を介して統括制御コントローラプログラム90
に接続された状態となっている。LAN80,81,82は相互通信不可能な別のネット
ワークとして構成されている。なお、プロセスモジュールコントローラ91,92を統括
制御コントローラ90及び第1の操作部100からそれぞれ切り離す際には、プロセスチ
ャンバPM1,PM2が備えるゲートバルブや各種機構が不意に動作することないように
、ロック(インターロック)をかけておくことが好ましい。

0048

ここで、テスト端末201,202は、CPU、メモリ、通信インタフェース、ハード
ディスクを備えた汎用のコンピュータとしてそれぞれ構成されており、例えばノート型
ソコン等を好適に用いることが出来る。テスト端末201,202のハードディスクには
図11に示す第2の操作部プログラム100a及び擬似統括制御コントローラプログ
ム90aがそれぞれ格納されている。第2の操作部プログラム100a及び擬似統括制御
コントローラプログラム90aがハードディスクからメモリに読み出され、CPUにより
実行されることにより、テスト端末201,202に、第2の操作部100v及び擬似統
合制御部としての擬似統括制御コントローラ90vがそれぞれ実現されるように構成され
ている。第2の操作部100vは、システム全体総括制御用プログラム及びPM1,PM
2操作用プログラムにより第1の操作部100に実現される機能と同様の機能(上述の機
能)を備えている。また、擬似統括制御コントローラ90vは、統括制御コントローラ9
0が備える機能と同様の機能(上述の機能)を備えている。すなわち、第2の操作部10
0v及び擬似統括制御コントローラ90vは、第1の操作部100及び統括制御コントロ
ーラ90をそれぞれほぼ完全にシミュレートしており、プロセスモジュールコントローラ
91,92は、そのプログラムや設定をなんら変更することなく、第1の操作部100及
び統括制御コントローラ90にそれぞれ接続されている状態と同様の状態となるように構
成されている。ここで、第二の操作部100vと擬似統括制御コントローラ90vとプロ
セスモジュールコントローラ91との間の命令とその応答の流れについて説明する。まず、プロセスモジュールコントローラ91への命令は、擬似統括制御コントローラ90vを介して第二の操作部100vからプロセスモジュールコントローラ91へ送信され、この命令への応答は反対に、擬似統括制御コントローラ90vを介してプロセスモジュールコントローラ91から第二の操作部100vへ送信される。つまり、擬似統括制御コントローラ90vは、これら命令と、その応答でプロセスモジュールコントローラ91を管理している。一方で、第二の操作部100vは、前記命令とその応答を擬似統括制御コントローラ90vと通信し、その他のモニタデータや、ダウンロードデータなどは直接プロセスモジュールコントローラ91と通信する。そのため、テスト端末201には、第二の操作部100vに加え、擬似統括制御コントローラ90vが組み込まれている。また、このようなコントローラ構成にすることで、テスト端末201に第1の操作部100で使用するプログラム又はこのプログラムのコピーを実行させることができるため、上述したように、プロセスモジュールコントローラ91,92は、そのプログラムや設定をなんら変更することなく、第1の操作部100及び統括制御コントローラ90にそれぞれ接続されている状態と同様の状態となる。

0049

そして、テスト端末201の第2の操作部100vから、プロセスモジュールコントロ
ーラ91へ、テスト端末201の擬似統括制御コントローラ90vを介して処理炉テスト
動作命令VM1を送信させる。また、テスト端末202の第2の操作部100vから、プ
ロセスモジュールコントローラ92へ、テスト端末202の擬似統括制御コントローラ9
0vを介して処理炉テスト動作命令VM1を送信させる(VS2,VS3)。

0050

すなわち、テスト端末201の第2の操作部100vからテスト端末201の擬似統括
制御コントローラ90vへ、セットアップ工程の開始を指示する処理炉テスト動作命令V
M1を、プロセス間プログラム間)通信などの手段を用いて送信させる(VS2)。そ
して、テスト端末201の擬似統括制御コントローラ90vからプロセスモジュールコン
トローラ91へ、プロセスチャンバPM1の動作テストの開始を指示する処理炉テスト動
作命令VM2を、LAN81を介して送信させる(VS3)。また、同様に、テスト端末
202の第2の操作部100vから、テスト端末202の擬似統括制御コントローラ90
vへ、セットアップ工程の開始を指示する処理炉テスト動作命令VM1を送信させる(V
S2)。そして、テスト端末202の擬似統括制御コントローラ90vからプロセスモジ
ュールコントローラ92へ、プロセスチャンバPM2の動作テストの開始を指示する処理
炉テスト動作命令VM2を、LAN82を介して送信させる(VS3)。

0051

処理炉テスト動作命令VM2を受信したプロセスモジュールコントローラ91,92は
、プロセスチャンバPM1,PM2に対して、「入出力バルブI/Oチェック」「インタ
ーロックチェック」「チャンバ真空チェック」等を実施する(VS4)。プロセスチャン
バPM1,PM2への各種チェックは並行して行われる。ここで、「入出力バルブI/O
チェック」の作業では、まず画面上のバルブボタンを押し、該当バルブが実際に開閉されるかチェック(配線が正しいか)されると共に、また、開閉された表示が正しいかチェックされる。これらのチェックが所定の数のバルブの分だけ繰り返される。「インターロックチェック」の作業では、上記バルブにおいて、バルブインターロックが正常に働くかチェックされる。例えば、各バルブに予め設定してあるバルブインターロックを発生させて、画面上でアラームメッセージの出力を確認する。その他のハードインターロックに関しても同様にハードインターロックを擬似的に発生させて逐次確認する。「チャンバ真空チェック」は、チャンバを所定の圧力まで減圧するレシピ(リークチェックレシピ)を作成し実行して、チャンバのリークをチェックすることで、組立精度排気能力をチェックする。例えば、1.リークチェックレシピを実行することにより、指定のバルブを閉じポンプによってプロセスチャンバPM1,PM2を減圧、到達圧力をチェックする。2.到達圧力がOKならば、ポンプ−チャンバ間のバルブを閉じ、プロセスチャンバPM1,PM2を真空で封じ込める。3.指定時間放置し、リーク量がどれだけか自動算出しOK,NGを判断する。という工程を実施する。また、その他に、温度、プラズマなどのプロセスチャンバPM1,PM2固有のチェックも実施される。上記「チャンバ真空チェック」は、リーク量がNGであれば、インターロックチェックが係るため、「インターロックチェック」の一種と考えても良い場合がある。

0052

これらのチェックが完了したら、プロセスモジュールコントローラ91から、テスト端
末201の第2の操作部100vへ、テスト端末201の擬似統括制御コントローラ90
vを介して処理炉テスト動作報告VM3を送信させる。また、プロセスモジュールコント
ローラ92から、テスト端末202に実現された第2の操作部100vへ、テスト端末2
02の擬似統括制御コントローラ90vを介して処理炉テスト動作報告VM3を送信させ
、処理炉テスト工程を終了する(VS5)。

0053

すなわち、プロセスモジュールコントローラ91から、テスト端末201の擬似統括制
御コントローラ90vへ、処理炉テスト動作報告VM4を、LAN81を介して送信させ
る。そして、テスト端末201の擬似統括制御コントローラ90vから、テスト端末20
1の第2の操作部100vへ、処理炉テスト動作報告VM5を、プロセス間(プログラム
間)通信などの手段を用いて送信させる。同様に、プロセスモジュールコントローラ92
から、テスト端末202の擬似統括制御コントローラ90vへ、処理炉テスト動作報告V
M4を、LAN82を介して送信させる。そして、テスト端末202の擬似統括制御コン
トローラ90vから、テスト端末202の第2の操作部100vへ、処理炉テスト動作報
告VM5を、プロセス間(プログラム間)通信などの手段を用いて送信させる。

0054

なお、上述したとおり、第1の操作部100はLAN80を介して統括制御コントロー
ラプログラム90に接続された状態となっているため、処理炉テスト工程(VS1〜VS
5)を実施する際には、第1の操作部100から統括制御コントローラ90へテスト動作
命令を送信し、バルブチェック(ゲートバルブG1〜G4の開閉チェック)、インター
ックチェック(バキュームロックチャンバVL1,VL2の減圧チェック)、チャンバ真
空チェック(真空搬送室TM、冷却チャンバCS1,CS2等の減圧チェック)を並行し
て実施しておくことが好ましい。

0055

(搬送テスト工程)
続いて、処理炉テスト工程の後に実施される搬送テスト工程について、図8図9を参
照しながら説明する。

0056

図8は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置にて実施される搬送テスト工程のフ
ロー図である。図9は、本発明の一実施形態にかかる搬送テスト工程における制御手段の
動作を例示する概略図である。

0057

まず、テスト端末201,202をLAN81,82からそれぞれ切り離すことにより
、テスト端末201,202をプロセスモジュールコントローラ91,92からそれぞれ
切り離す。そして、プロセスモジュールコントローラ91,92をLAN80に接続する
ことにより、プロセスモジュールコントローラ91,92と第1の操作部100と統括制
御コントローラ90を相互に接続する(TS1)。

0058

そして、第1の操作部100から統括制御コントローラ90へ、テスト搬送の開始を指
示する搬送テスト動作命令TM1を、LAN80を介して送信させる(TS2)。

0059

搬送テスト動作命令TM1を受信した統括制御コントローラ90は、ゲートバルブG1
,G4を閉じ、ゲートバルブG2,G3を開き、真空搬送室TM、プロセスチャンバPM
1,PM2、冷却チャンバCS1,CS2内を真空排気する。そして、統括制御コントロ
ーラ90は、大気搬送室LM内が略大気圧になるように大気搬送室LM内にクリーンエア
を供給する。そして、統括制御コントローラ90は、複数枚の未処理のウエハWを収納し
たポッドPD1を、ロードポートLP1上に載置する(TS3)。

0060

続いて、統括制御コントローラ90は、大気ロボットARにより、ロードポートLP1
に載置されたポッドPD1内の基板位置P1に収納されているウエハWを大気搬送室LM
内に搬送させ、オリフラ合わせ装置OFA上の基板位置P2に設置させ、結晶方位の位置
合わせ等を実施させる(TS4)。

0061

続いて、統括制御コントローラ90は、大気ロボットARにより、基板位置P2に設置
されているウエハWをピックアップさせ、バキュームロックチャンバVL1内に搬送させ
、バッファステージST1上の基板位置P3に設置させる。そして、統括制御コントロー
ラ90は、ゲートバルブG3を閉じて、バキュームロックチャンバVL1内部を真空排気
する(TS5)。

0062

バキュームロックチャンバVL1が所定の圧力まで減圧したら、統括制御コントローラ
90は、ゲートバルブG3を閉じたまま、ゲートバルブG1を開ける。そして、統括制御
コントローラ90は、真空ロボットVRにより、基板位置P3に設置されているウエハW
をピックアップさせ、プロセスチャンバPM1,PM2内に搬送させ、基板位置P4に設
置させる(TS6)。

0063

プロセスチャンバPM1,PM2へのウエハWの搬送が完了したら、統括制御コントロ
ーラ90は、真空ロボットVRにより、基板位置P4に設置されているウエハWをピック
アップさせ、冷却チャンバCS1内に搬送させ、基板位置P5に配置させる(TS7)。

0064

冷却チャンバCS1へのウエハWの搬送が完了したら、統括制御コントローラ90は、
真空ロボットVRにより、基板位置P5に設置されているウエハWをピックアップさせ、
バキュームロックチャンバVL2内に搬送させ、バッファステージST2上の基板位置P
6へ配置させる。その後、統括制御コントローラ90は、ゲートバルブG2を閉め、バキ
ュームロックチャンバVL2内にクリーンガスを供給してバキュームロックチャンバVL
2内を略大気圧に戻し、ゲートバルブG4を開ける(TS8)。

0065

続いて、統括制御コントローラ90は、大気ロボットARにより、基板位置P2に設置
されているウエハWをピックアップさせ、ロードポートLP3に載置されたポッドPD3
に搬送して空きスロットに収納させる(TS9)。

0066

以後、上記の工程を繰り返し、全てのウエハWについて自動搬送処理を実施したら、統
括制御コントローラ90は、ウエハWを収納したポッドPD3をロードポートLP3から
搬出する。そして、統括制御コントローラ90は、搬送テストが完了した旨を示す搬送テ
スト動作報告(メッセージTM2)を、LAN80を介して第1の操作部100に送信し、搬送テスト工程を終了する。

0067

(具体的な実施例)
プロセスチャンバPM1を個別に切り離してセットアップを実行する際に、第2の操作部100vと擬似統括制御コントローラ90vの機能を備えたテスト端末201を準備し、プロセスモジュールコントローラ91に接続する。そして、このテスト端末201から操作をして「入出力バルブI/Oチェック」等を実施する。また、プロセスチャンバPM1内を所定の圧力に減圧するためのリークチェックレシピが実行される。まず、第2の操作部100vから擬似統括制御コントローラ90vを介して所定の実行命令がプロセスモジュールコントローラ91に送信される。プロセスモジュールコントローラ91は前記実行命令を受信すると、第2の操作部100vへレシピデータを要求する。第2の操作部100vは、前記要求を受信すると、前記実行命令を実行するのに必要な前記レシピデータをプロセスモジュールコントローラ91にダウンロードする。そして、ダウンロードが終了すると、プロセスモジュールコントローラ91は、前記レシピデータを用いてプロセスレシピを実行する。このように、リークチェックレシピを実行することにより「チャンバ真空チェック」が実施される。同様に、プロセスチャンバPM1を個別に切り離した後の真空搬送室TMには、第1の操作部100と統括制御コントローラ90が接続され、前記真空搬送室TMで、「チャンバ真空チェック」を実施するためにリークチェックレシピが実行される。まず、第1の操作部100から統括制御コントローラ90に所定の実行命令が送信される。統括制御コントローラ90は前記実行命令を受信すると、第1の操作部100へレシピデータを要求する。第1の操作部100は、前記要求を受信すると、前記実行命令を実行するのに必要な前記レシピデータを統括制御コントローラ90にダウンロードする。そして、ダウンロードが終了すると、統括制御コントローラ90は、前記レシピデータを用いてリークチェックレシピを実行する。そして、プロセスモジュールPM1におけるリークチェックレシピの実行と真空搬送室TMにおけるリークチェックレシピの実行は、それぞれ並行して実施可能である。

0068

(4)本実施形態にかかる効果
本実施形態によれば、以下に示す1つ又は複数の効果を奏する。

0069

(a)本実施形態にかかる処理炉テスト工程では、テスト端末201を、LAN81を介してプロセスモジュールコントローラ91にそれぞれ接続すると共に、テスト端末202を、LAN82を介してプロセスモジュールコントローラ92にそれぞれ接続する(VS1)。そして、テスト端末201の第2の操作部100vから、プロセスモジュールコントローラ91へ、テスト端末201の擬似統括制御コントローラ90vを介して処理炉テスト動作命令VM1を送信させる。また、テスト端末202の第2の操作部100vから、プロセスモジュールコントローラ92へ、テスト端末202の擬似統括制御コントローラ90vを介して処理炉テスト動作命令VM1を送信させる(VS2,VS3)。そして、処理炉テスト動作命令VM2を受信したプロセスモジュールコントローラ91,92は、プロセスチャンバPM1,PM2に対して、「入出力バルブI/Oチェック」「インターロックチェック」「チャンバ真空チェック」等を並行して実施する(VS4)。その結果、プロセスチャンバPM1,PM2への各種チェックは並行して行われることとなり、セットアップ工程の所要時間が短縮され、基板処理装置の運用を迅速に開始することが可能となる。

0070

図12は、従来のセットアップ工程の実施スケジュールを例示する表図である。また、図13は、本発明の一実施形態にかかるセットアップ工程の実施スケジュールを例示する表図である。図12によれば、1台の第1の操作部100を用いてプロセスチャンバPM1,PM2の正常性チェックを順番に実施する必要があり、セットアップ工程を短縮させることは困難であった。これに対し、図13によれば、テスト端末201,202を用いてプロセスチャンバPM1,PM2の正常性チェック(処理炉テスト工程)が並行して実施されるため、セットアップ工程の所要時間が短縮され、基板処理装置の運用を迅速に開始することが可能となる。図12図13におけるPFは、搬送室(真空搬送室TM、大気搬送室LMの総称)を示す。

0071

(b)本実施形態にかかる処理炉テスト工程では、第1の操作部100はLAN80を介して統括制御コントローラプログラム90に接続された状態となっているため、処理炉テスト工程(VS1〜VS5)を実施する際には、第1の操作部100から統括制御コントローラ90へテスト動作命令を送信し、バルブチェック(ゲートバルブG1〜G4の開閉チェック)、インターロックチェック(バキュームロックチャンバVL1,VL2の減圧チェック)、チャンバ真空チェック(真空搬送室TM、冷却チャンバCS1,CS2等の減圧チェック)を並行して実施しておくことが可能となる。その結果、図13に示すように、セットアップ工程の所要時間をさらに短縮させることが可能となり、基板処理装置の運用をさらに迅速に開始することが可能となる。つまり、プロセスチャンバPM1,PM2(各処理室)と真空搬送室TM(搬送室)等を切り離し、テスト端末201,202をそれぞれプロセスチャンバPM1,PM2に接続することで、各処理室と搬送室におけるレシピの実行を並行して行えるため、セットアップ工程の所要時間が更に短縮される。

0072

(c)本実施形態にかかるセットアップ工程において、プロセスモジュールコントローラ
91,92のプログラムは、セットアップ工程を実施させる専用のテストプログラムでは
なく、運用開始後に実行される本番のプログラムが用いられる。そのため、本実施形態に
かかるセットアップ工程を実施することにより、本番のプログラムを実行したときに問題
が発生するか否かを確認することが可能となる。

0073

なお、上述したように、セットアップ工程を実施させる専用のテストプログラムをプロ
セスモジュールコントローラ91,92に組み込み、プロセスモジュールコントローラ9
1,92によってセットアップ工程を並行して実行させる方法も考えられる。しかしなが
ら、運用開始後に使用される本番のプログラムとテストプログラムとは異なるプログラム
であるから、本番のプログラムを実行したときに問題が発生するか否かを確認することは
困難であった。例えば、図10に示すように、第1の操作部100が備えるプログラム1
00aのうち、例えばPM1操作用プログラム201aのみを切り出して、プロセスモジ
ュールコントローラ91に組み込み、プロセスモジュールコントローラ91にPM1操作
用プログラム201aを実行させてセットアップ工程を実行させる方法も考えられる。し
かしながら、かかる方法では、本番プログラムによる動作確認が行えないという上述の課
題に加え、PM1操作用プログラム201aのみを切り出して作成するテストプログラム
中にバグが生じてしまったり、第1の操作部100のプログラムが改版されたときにテス
トプログラムを再作成する必要が生じたてしまったりといった新たな課題が生じることと
なる。

0074

(d)本実施形態においては、第1の操作部100、プロセスモジュールコントローラ9
1,92、統括制御コントローラ90、テスト端末201,202間のLAN配線を変更
するのみで、処理炉テスト工程、搬送テスト工程、基板処理工程をそれぞれ実施すること
が可能である。すなわち、処理炉テスト工程、搬送テスト工程、基板処理工程を順次実施
する際に、LAN8配線以外の基板処理装置の構成を変更することないため、セットアッ
プ工程の所要時間をさらに短縮させることが可能となり、基板処理装置の運用をさらに迅
速に開始することが可能となる。

0075

(e)本実施形態にかかるテスト端末201,202は、CPU、メモリ、通信インタフ
ェース、ハードディスクを備えた汎用のコンピュータとしてそれぞれ構成されており、例
えばノート型パソコン等を好適に用いることが出来る。そのため、上述のセットアップ工
程の実施に加え、テスト端末201,202を用いて基板処理装置の各種データを取得し
たり、各種設定データバックアップデータを作成したり、作業の際に参照する図面デー
タを保管しておいて参照したりすることが可能となり、オペレータの利便性を高めること
が出来る。尚、本実施におけるセットアップとは、基板処理装置の運用開始前の準備作業
であって、装置搬入した際のセットアップだけでなく、保守メンテナンス)後のセット
アップである処理準備工程も含む。

0076

<本発明の他の実施形態>
続いて、本発明の他の実施形態にかかる基板処理装置の構成を図2に示す。図2は、本
発明の他の実施形態にかかるインライン型基板処理装置の概要構成図である。インライン
型基板処理装置も、真空側と大気側とに分れている。

0077

(真空側の構成)
インライン型基板処理装置の真空側には、2つの基板処理モジュールMD1,MD2が
並列に設けられる。基板処理モジュールMD1は、基板としてのウエハWを処理する処理
室を備えた処理炉としてのプロセスチャンバPM1と、この前段に設けられた予備室とし
てのバキュームロックチャンバVL1とを備えている。基板処理モジュールMD2も、M
D1と同様に、プロセスチャンバPM2と、バキュームロックチャンバVL2とを備えて
いる。

0078

プロセスチャンバPM1,PM2は、クラスタ型基板処理装置の場合と同様に、例えば
CVD法又はPVD法によりウエハW上に薄膜を形成する工程、あるいはウエハW表面に
酸化膜又は窒化膜を形成する工程、あるいはウエハW上に金属薄膜を形成する工程を実施
して、ウエハWに付加価値を与えるように構成されている。そして、プロセスチャンバP
M1,PM2には、ガス導入・排気機構、および温度制御・プラズマ放電機構、プロセス
チャンバ内へ供給する処理ガスの流量を制御するMFC11、プロセスチャンバ内の圧力
を制御するオートプレッシャコントローラAPC12、プロセスチャンバ内の温度を制御
する温度調整器13、処理ガスの供給や排気用バルブのオン/オフを制御するための入出
力バルブI/O14、などが設けられる。ガス排気機構により処理室内を排気しつつ、ガ
導入機構により処理室内に処理ガスを供給すると共に、プラズマ放電機構に高周波電力
を供給して処理室内にプラズマを生成することで、ウエハWの表面が処理されるように構
成されている。

0079

バキュームロックチャンバVL1,VL2は、それぞれ、プロセスチャンバPM1,P
M2へウエハWを搬入するための予備室として、あるいは、プロセスチャンバPM1,P
M2からウエハWを搬出するための予備室として機能する。

0080

バキュームロックチャンバVL1,VL2には、真空搬送機構としての真空ロボットV
R1,VR2がそれぞれ設けられている。真空ロボットVR1,VR2は、それぞれ、プ
ロセスチャンバPM1とバキュームロックチャンバVL1との間、及びプロセスチャンバ
PM2とバキュームロックチャンバVL2との間で、ウエハWを搬送することが可能とな
っている。また、これら真空ロボットVR1,VR2には、それぞれ基板載置部としての
アームが設けられている。

0081

なお、バキュームロックチャンバVL1,VL2には、ウエハWを保持することができ
多段ステージ、例えば上下2段のステージがそれぞれ設けられている。上段のバッフ
ァステージLS1,LS2ではウエハWを保持し、下段クーリングステージCS1,C
S2ではウエハWを冷却する機構をもっている。

0082

バキュームロックチャンバVL1,VL2は、それぞれゲートバルブG1,G2を介し
てプロセスチャンバPM1,PM2と連通しており、また、それぞれゲートバルブG3,
G4を介して後述する大気搬送室LMと連通している。したがって、ゲートバルブG3,
G4を閉じたまま、ゲートバルブG1,G2を開けることにより、プロセスモジュール
PM1,PM2内の真空気密を保持したまま、バキュームロックチャンバVL1とプロセ
スチャンバPM1との間、バキュームロックチャンバVL2とプロセスチャンバPM2
との間で、ウエハWの搬送を行うことが可能である。

0083

また、バキュームロックチャンバVL1,VL2は、真空状態などの大気圧未満の負圧
に耐えることが出来るロードロックチャンバ構造として構成されており、その内部を真空
排気することが可能となっている。したがって、ゲートバルブG3,G4を閉じてバキュ
ームロックチャンバVL1,VL2の内部にクリーンエアを供給した後に、ゲートバルブ
G3,G4を開けることにより、プロセスチャンバPM1,PM2内の真空気密を保持し
たまま、バキュームロックチャンバVL1、VL2と、大気搬送室LMとの間で、ウエハ
Wの搬送を行うことが可能である。

0084

(大気側の構成)
インライン型基板処理装置の大気側には、前述の通り、バキュームロックチャンバVL
1,VL2に接続された大気搬送室としての大気搬送室LMと、この大気搬送室LMに接
続された基板収納容器(以下ポッドPD1,PD2)を載置する基板収納部としてのロー
ドポートLP1,LP2と、が設けられる。

0085

大気搬送室LMには、大気ロボットARが設けられ、バキュームロックチャンバVL1
,VL2とロードポートLP1,LP2との間で、ウエハWを搬送することが可能になっ
ている。また、大気ロボットARには、基板載置部としてのアームが設けられている。

0086

なお、大気搬送室LMには、基板位置補正装置としてのアライナユニットAUが設けら
れ、搬送時のウエハWのずれを補正し、ウエハWのノッチを一定方向に合せるノッチ合わ
せを行なうことが可能になっている。

0087

各ロードポートLP1、LP2は、複数枚のウエハWを収納するポッドPD1,PD2
をそれぞれ載置することが出来る。

0088

(その他の構成)
制御手段を含むその他の構成、及び基板処理工程、処理炉テスト工程、搬送テスト工程
については、上述の実施形態と同様であるため、重複する説明は割愛する。

0089

<他の実施の形態>
上記では搬送機構としての大気ロボットAR、真空ロボットVRにより、プロセスチャ
ンバPM1,PM2内にウエハWを個別に(1枚ずつ)搬入することとしているが、本発
明はかかる構成に限定されない。例えば、複数枚のウエハWを水平姿勢で多段に保持した
基板保持具としてのボートをプロセスチャンバPM1,PM2内(処理室内)に搬入する
こととしても良い。そして、処理室内の温度及び圧力が所定の温度及び所定の圧力になる
よう調整し、処理室内に処理ガスを供給してボートに保持された基板を処理し、処理後の
基板を保持したボートを処理室内から搬出することによりウエハWを処理することとして
もよい。また、テスト端末201,202を複数用いることでプロセスチャンバPM1,
PM2(処理室)と真空搬送室TM(搬送室)を並行してセットアップする実施例やプロセスチャンバPM1,PM2(処理室)とバキュームロックチャンバVL1,VL2(搬送室)を並行してセットアップする実施例について詳述してきたが、本実施形態に限らない。例えば、テスト端末を一つだけ設け、複数のプロセスチャンバにそれぞれに応じたプログラムを同時に実行する構成にしても良い。また、第1の操作部100に擬似統括制御コントローラ90vの機能を更に持たせることが好ましい。そうすると、所定の台数のテスト端末をそれぞれ接続し、ダウンロード若しくはコピー等の簡単な方法で擬似統括制御コントローラ90vの機能を含む上記第1の操作部と同じ機能を有するテスト端末を設けることができる。そして、プロセスチャンバ等の切り離し作業を行い、上記テスト端末によりセットアップ作業の並列化が可能となる。また、テスト端末を使用しないでプロセスチャンバ等を切り離して並列実行させる場合、それぞれの処理室若しくは搬送室に応じたプログラムを同時に実行させる必要がある。例えば、上記操作部100により複数の処理室又は一つ以上の処理室と搬送室に対して同時にプログラムを実行させるために、複数のCPUを個別に実行させる等の工夫が必要である。

0090

上記では基板処理装置の一例として半導体製造装置を示しているが、半導体製造装置に
限らず、LCD装置のようなガラス基板を処理する装置であってもよい。また、基板処理
具体的内容は不問であり、成膜処理だけでなく、アニール処理酸化処理窒化処理
拡散処理等の処理であってもよい。また、成膜処理は、例えばCVD、PVD、酸化膜、
窒化膜を形成する処理、金属を含む膜を形成する処理であってもよい。

0091

<本発明の好ましい態様>
以下に本発明の好ましい態様について付記する。

0092

本発明の第1の態様は、
基板を処理する処理室を備えた複数の処理炉と、
前記複数の処理炉にそれぞれ接続されて前記処理炉の動作を個別に制御する複数の処理
炉制御部と、
前記複数の処理炉制御部にそれぞれ接続可能に構成され、前記複数の処理炉制御部を介
して前記複数の処理炉の動作を統合的に制御する統合制御部と、
前記統合制御部及び前記複数の処理炉制御部にそれぞれ接続可能に構成され、前記統合
制御部を介して前記複数の処理炉制御部に動作命令を送信すると共に、前記統合制御部を
介して前記複数の処理炉制御部から動作報告を受信する第1の操作部と、
を備えた基板処理装置のセットアップ方法であって、
前記複数の処理炉制御部が前記統合制御部及び前記第1の操作部からそれぞれ切り離さ
れた状態で、擬似統合制御部及び第2の操作部を備えたテスト端末を前記複数の処理炉制
御部にそれぞれ接続し、
前記第2の操作部から前記複数の処理炉制御部へ、前記擬似統合制御部を介して処理炉
テスト動作命令を送信させ、
前記処理炉テスト動作命令を受信した前記複数の処理炉制御部により、前記複数の処理
炉の動作を並行してテストさせ、
前記複数の処理炉制御部から前記第2の操作部へ、前記擬似統合制御部を介して処理炉
テスト動作報告を送信させる処理炉テスト工程を有する基板処理装置のセットアップ方法である。

0093

本発明の第2の態様は、
前記複数の処理室に連通可能に接続された搬送室と、
前記処理室と前記搬送室との間で基板を搬送する搬送機構と、をさらに備え、
前記統合制御部が前記搬送機構に接続されて前記搬送機構の搬送動作を制御するように
構成された基板処理装置により実施されるセットアップ方法であって、
前記処理炉テスト工程を実施した後、
前記テスト端末が前記複数の処理炉制御部からそれぞれ切り離された状態で、前記第1
の操作部を前記統合制御部及び前記複数の処理炉制御部にそれぞれ接続し、
前記第1の操作部から前記統合制御部へ搬送テスト動作命令を送信させ、
前記搬送テスト動作命令を受信した前記統合制御部により、前記処理室と前記搬送室と
を連通させると共に前記搬送機構の動作をテストさせ、
前記統合制御部から前記第1の操作部へ搬送テスト動作報告を送信させる搬送テスト工
程をさらに有する
第1の態様に記載の基板処理装置のセットアップ方法である。

0094

本発明の第3の態様は、
基板が搬入された前記処理室内に処理ガスを供給すると共に、高周波電力を用いて前記
処理室内にプラズマを生成して前記基板の表面を処理する基板処理工程をさらに有する
第1又は第2の態様に記載の基板処理装置により実施される半導体装置の製造方法である。

0095

本発明の第4の態様は、
複数枚の基板を水平姿勢で多段に保持した基板保持具を前記処理室内に搬入し
前記処理室内の温度及び圧力が所定の温度及び所定の圧力になるよう調整し、
前記処理室内に処理ガスを供給して前記基板を処理し、
前記処理後の基板を保持した前記基板保持具を前記処理室内から搬出する基板処理工程
をさらに有する
第1又は第2の態様に記載の基板処理装置により実施される半導体装置の製造方法である。

0096

本発明の第5の態様は、
基板を処理する処理室を備えた複数の処理炉と、
前記複数の処理室にそれぞれ連通可能に接続された真空搬送室と、
前記真空搬送室に連通可能に接続され減圧可能な予備室と、
前記予備室に連通可能に接続され、大気圧状態で基板が搬送される大気搬送室と、
前記大気搬送室に連通可能に接続され、複数枚の基板を収納する基板収納容器を保持す
る基板収納部と、
前記真空搬送室内に設けられ、前記処理室と前記予備室との間で基板を搬送する真空搬
送機構と、
前記大気搬送室内に設けられ、前記予備室と前記基板収納部との間で基板を搬送する大
気搬送機構と、
前記複数の処理炉にそれぞれ接続されて前記処理炉の動作を個別に制御する複数の処理
炉制御部と、
前記複数の処理炉制御部にそれぞれ接続可能に構成され、前記複数の処理炉制御部を介
して前記複数の処理炉の動作を統合的に制御すると共に、前記真空搬送機構及び前記大気
搬送機構にそれぞれ接続されて前記真空搬送機構及び前記大気搬送機構の搬送動作をそれ
ぞれ制御する統合制御部と、
前記統合制御部及び前記複数の処理炉制御部にそれぞれ接続可能に構成され、前記統合
制御部を介して前記複数の処理炉制御部に動作命令を送信すると共に、前記統合制御部を
介して前記複数の処理炉制御部から動作報告を受信する第1の操作部と、
を備えたクラスタ型基板処理装置により実施されるセットアップ方法であって、
前記複数の処理炉制御部が前記統合制御部及び前記第1の操作部からそれぞれ切り離さ
れた状態で、擬似統合制御部及び第2の操作部を備えたテスト端末を前記複数の処理炉制
御部にそれぞれ接続し、
前記第2の操作部から前記複数の処理炉制御部へ、前記擬似統合制御部を介して処理炉
テスト動作命令を送信させ、
前記処理炉テスト動作命令を受信した前記複数の処理炉制御部により、前記複数の処理
炉の動作を並行してテストさせ、
前記複数の処理炉制御部から前記第2の操作部へ、前記擬似統合制御部を介して処理炉
テスト動作報告を送信させる処理炉テスト工程を有する基板処理装置のセットアップ方法である。

0097

本発明の第6の態様は、
大気搬送室と、
前記大気搬送室の一側に連通可能に並列接続され、減圧可能な複数の予備室と、
前記予備室とそれぞれ連通可能に接続され、基板を処理する処理室を備える複数の処理
炉と、
前記大気搬送室の他側に連通可能に並列接続され、複数枚の基板を収納する基板収納容
器を保持する基板収納部と、
前記予備室内に設けられ、前記処理室と前記予備室との間で基板を搬送する真空搬送
構と、
前記大気搬送室内に設けられ、前記予備室と前記基板収納部との間で基板を搬送する大
気搬送機構と、
前記複数の処理炉にそれぞれ接続されて前記処理炉の動作を個別に制御する複数の処理
炉制御部と、
前記複数の処理炉制御部にそれぞれ接続可能に構成され、前記複数の処理炉制御部を介
して前記複数の処理炉の動作を統合的に制御すると共に、前記真空搬送機構及び前記大気
搬送機構にそれぞれ接続されて前記真空搬送機構及び前記大気搬送機構の搬送動作をそれ
ぞれ制御する統合制御部と、
前記統合制御部及び前記複数の処理炉制御部にそれぞれ接続可能に構成され、前記統合
制御部を介して前記複数の処理炉制御部に動作命令を送信すると共に、前記統合制御部を
介して前記複数の処理炉制御部から動作報告を受信する第1の操作部と、
を備えたインライン型基板処理装置により実施されるセットアップ方法であって、
前記複数の処理炉制御部が前記統合制御部及び前記第1の操作部からそれぞれ切り離さ
れた状態で、擬似統合制御部及び第2の操作部を備えたテスト端末を前記複数の処理炉制
御部にそれぞれ接続し、
前記第2の操作部から前記複数の処理炉制御部へ、前記擬似統合制御部を介して処理炉
テスト動作命令を送信させ、
前記処理炉テスト動作命令を受信した前記複数の処理炉制御部により、前記複数の処理
炉の動作を並行してテストさせ、
前記複数の処理炉制御部から前記第2の操作部へ、前記擬似統合制御部を介して処理炉
テスト動作報告を送信させる処理炉テスト工程を有する基板処理装置のセットアップ方法である。

0098

本発明の第7の態様は、
基板が搬入された前記処理室内に処理ガスを供給して、CVD法又はPVD法により基
板上に薄膜を形成する工程、あるいは基板表面に酸化膜又は窒化膜を形成する工程、ある
いは基板上に金属薄膜を形成する工程をさらに有する第1乃至第6の態様のいずれかに記
載の基板処理装置により実施される半導体装置の製造方法である。

0099

Wウエハ(基板)
PM1プロセスチャンバ(処理炉)
PM2 プロセスチャンバ(処理炉)
PMC1プロセスモジュールコントローラ(処理炉制御部)
PMC2 プロセスモジュールコントローラ(処理炉制御部)
90統括制御コントローラ(統合制御部)
90v 擬似統括制御コントローラ(擬似統合制御部)
100 第1の操作部
100v 第2の操作部
201テスト端末
202 テスト端末
VM1 処理炉テスト動作命令
VM2 処理炉テスト動作命令
VM3 処理炉テスト動作報告
VM4 処理炉テスト動作報告
TM1 搬送テスト動作命令
TM2 搬送テスト動作報告

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