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図面 (9)

課題

集光ミラークリーニングすることに伴うEUV光発生装置ダウンタイムの低減を図る。

解決手段

クリーニング位置に位置されている集光ミラーのクリーニングを終了したことが判定され、かつEUV光集光位置に位置されている集光ミラーがクリーニングを必要とすることが判定された時点で、EUV光集光位置に位置され、クリーニングを必要とする集光ミラーを、クリーニング位置まで搬送するとともに、クリーニング位置に位置され、クリーニングが終了した集光ミラーをEUV光集光位置まで搬送するようにしている。

概要

背景

回路パターン半導体ウェーハ上に光転写する光リソグラフィ技術は、LSIの集積化を図る上で重要である。光リソグラフィに用いられる露光装置は、主に、ステッパと呼ばれる縮小投影露光方式によるものが使用されている。すなわち照明光源により照らされた原画レチクルパターン透過光縮小投影光学系により半導体基板上の光感光性物質投影して回路パターンを形成するというものである。この投影像分解能は、用いられる光源波長で制限される。このためパターン線幅をより微細化したいとの要求に伴って、光源の波長は紫外領域へと次第に短波長化してきている。

近年は深紫外領域の光(DUV光)を発振するKrFエキシマレーザ(波長248nm)、ArFエキシマレーザ(波長193nm)が光源として使用され、あるいは真空紫外領域の光(VUV光)を発振するF2レーザ(波長157nm)が光源として開発されている。

現在では更なる微細加工を行うべく極端紫外領域(Extreme Ultra Violet)の光(以下EUV光)を出力するEUV光源(波長13.5nm)を、光リソグラフィの光源とする試みがなされている。

EUV光を発生させる方式に、LPP(レーザ生成プラズマ)方式がある。

LPP方式のEUV光源では、短パルスレーザ光ターゲット照射してターゲットをプラズマ状態励起してEUV光を発生させこれを集光レンズ集光して外部にEUV光を出力するものである。

図1は、露光装置の光源として用いられるLPP方式によるEUV光発生装置の構成を概念的に示している。

真空チャンバ2の内部にはEUV光を集光する集光ミラー3が設けられている。集光ミラー3で集光されたEUV光は、真空チャンバ2外の図示しない露光装置に伝送される。露光装置では、EUV光を使用して半導体回路パターンが半導体ウェーハ上に形成される。

真空チャンバ2の内部は真空ポンプ等により真空引きされており、真空状態にされている。これはEUV光は波長が13.5nmと短く真空中でないと効率よく伝搬しないからである。

EUV光発生源となるターゲット1は、真空チャンバ2内の所定のEUV光発生点A、つまりレーザ光集光点に位置される。ターゲット1の材料には、錫Sn、リチウムLi、キセノンXeなどが用いられる。

レーザ発振器としてのドライバレーザ装置4では、レーザ光Lがパルス発振されて、レーザ光Lが出射される。レーザには、Nd:YAGレーザCO2レーザなどが用いられる。

レーザ光Lはレーザ集光系を介して、EUV光発生点Aに集光される。レーザ光Lは、ターゲット1がEUV光発生点Aに位置するタイミングでターゲット1に照射される。ターゲット1にレーザ光Lが照射されることによってターゲット1がプラズマ状態に励起されEUV光が発生する。

発生したEUV光はプラズマを中心に全方位発散する。集光ミラー3は、プラズマを取り囲むように配置されている。全方位に発散するEUV光は、集光ミラー3により集光され、集光したEUV光を反射する。集光ミラー3は、所望する波長13.5nmを選択的に反射する。集光ミラー3で反射されたEUV光(出力EUV光)は、露光装置に伝播される。

ターゲット1の一部は、プラズマ発生時の衝撃波等により分裂飛散し、デブリとなる。デブリは、高速イオン、プラズマにならなかったターゲット1の残滓を含む。

飛散したデブリは、真空チャンバ2内の集光ミラー3を含む光学素子、つまり集光ミラー3、レーザ集光用レンズミラー、レーザ光入射ウインドウSPF(Spectrum Purity Filter)、光学式センサ入射窓などに表面に付着する。このため光学素子の反射率透過率が減少してEUV光出力が低下したり、光学式センサの感度が低下するという問題が発生する。

そこで、この問題を解決するために、下記特許文献1では、プラズマから放出されるイオンを磁場によって閉じ込め、真空チャンバ2外に排出するようにしている。たとえば、ターゲット励起用のドライバレーザ装置4として、CO2レーザを使用し、ターゲット1として、錫Snの金属ターゲットを励起した場合には、錫Snの多くは、励起した多価のプラスSnイオン電子とが分離したプラズマ状態になる。このターゲットプラズマを含む周囲に磁場をかけると、プラスSnイオンは磁場に拘束され、磁力線に沿った方向にしから移動できなくなる。よって、磁場にプラスSnイオンを拘束させ、磁力線に沿って、集光ミラー3等の光学素子を回避する方向に移動させることで、Snイオンが集光ミラー3等の光学素子に付着することを防ぎ、Snイオンを効率的に真空チャンバ2外に排出させることができる。

しかしながら、発生した多価のプラスSnイオンは電子と再結合しやすい。このため一部の再結合したSnイオンは中性化し、磁場の拘束を受けることなく中性のデブリとして集光ミラー3等の光学素子に付着することがあった。また、ターゲット励起用のドライバレーザ装置4によって全てのターゲット1をイオン化させることは難しく、一部のターゲット1は中性の粒子として磁場の拘束を受けることなく集光ミラー3等の光学素子に付着することがあった。

そこで、下記特許文献2では、集光ミラー3に付着したデブリを反応性ガス等によって除去するようにしている。
特公表2005−529052号公報
特公表2006−529057号公報

概要

集光ミラーをクリーニングすることに伴うEUV光発生装置のダウンタイムの低減をる。クリーニング位置に位置されている集光ミラーのクリーニングを終了したことが判定され、かつEUV光集光位置に位置されている集光ミラーがクリーニングを必要とすることが判定された時点で、EUV光集光位置に位置され、クリーニングを必要とする集光ミラーを、クリーニング位置まで搬送するとともに、クリーニング位置に位置され、クリーニングが終了した集光ミラーをEUV光集光位置まで搬送するようにしている。

目的

本発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであり、集光ミラーをクリーニングすることに伴うEUV光発生装置のダウンタイムの低減を図ることを解決課題とするものである。また、本発明は、集光ミラーを交換することに伴うEUV光発生装置のダウンタイムの低減を図ることを解決課題とするものである。

効果

実績

技術文献被引用数
2件
牽制数
1件

この技術が所属する分野

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請求項1

ターゲットプラズマ状態にし、発生したEUV光集光ミラー集光するようにしたEUV光発生装置に適用され、集光ミラーに付着した汚染物質クリーニングする方法であって、集光ミラーが少なくとも2つ用意され、一方の集光ミラーを、EUV光集光位置に位置させている間に、他の集光ミラーをクリーニング位置に位置させ、クリーニング位置に位置されている集光ミラーのクリーニングを終了したことを判定するとともに、EUV光集光位置に位置されている集光ミラーがクリーニングを必要とすることを判定し、クリーニング位置に位置されている集光ミラーのクリーニングを終了したことが判定され、かつEUV光集光位置に位置されている集光ミラーがクリーニングを必要とすることが判定された時点で、EUV光集光位置に位置され、クリーニングを必要とする集光ミラーを、クリーニング位置まで搬送するとともに、クリーニング位置に位置され、クリーニングが終了した集光ミラーをEUV光集光位置まで搬送することを特徴とするEUV光発生装置における集光ミラーのクリーニング方法

請求項2

クリーニング位置に位置されている集光ミラーが寿命に達したことを判定し、寿命に達したと判定された集光ミラーを新しい集光ミラーと交換し、集光ミラーの交換を終え、かつEUV光集光位置に位置されている集光ミラーがクリーニングを必要とすることが判定された時点で、EUV光集光位置に位置され、クリーニングを必要とする集光ミラーを、クリーニング位置まで搬送するとともに、交換を終えた集光ミラーをEUV光集光位置まで搬送することを特徴とする請求項1記載のEUV光発生装置における集光ミラーのクリーニング方法。

請求項3

ターゲットをプラズマ状態にし、発生したEUV光を集光ミラーで集光するようにしたEUV光発生装置に適用され、集光ミラーに付着した汚染物質をクリーニングするEUV光発生装置における集光ミラーのクリーニング装置であって、少なくとも2つの集光ミラーと、集光ミラーをクリーニングするための少なくとも1つのクリーニングチャンバと、クリーニングチャンバとEUV光集光位置との間で集光ミラーを搬送する搬送手段と、クリーニングチャンバ内で集光ミラーのクリーニングが終了したことを判定するクリーニング終了判定手段と、EUV光集光位置に位置されている集光ミラーがクリーニングを必要とすることを判定するクリーニング必要判定手段と、クリーニングチャンバ内の集光ミラーのクリーニングを終了したことが判定され、かつEUV光集光位置に位置されている集光ミラーがクリーニングを必要とすることが判定された時点で、EUV光集光位置に位置され、クリーニングを必要とする集光ミラーを、クリーニングチャンバまで搬送するとともに、クリーニングチャンバに位置され、クリーニングが終了した集光ミラーをEUV光集光位置まで搬送するように、搬送手段を制御する制御手段とが備えられていることを特徴とするEUV光発生装置における集光ミラーのクリーニング装置。

請求項4

クリーニング位置に位置されている集光ミラーが寿命に達したことを判定する寿命判定手段と、寿命に達したと判定された集光ミラーを新しい集光ミラーと交換し、制御手段は、集光ミラーの交換を終え、かつEUV光集光位置に位置されている集光ミラーがクリーニングを必要とすることが判定された時点で、EUV光集光位置に位置され、クリーニングを必要とする集光ミラーを、クリーニング位置まで搬送するとともに、交換を終えた集光ミラーをEUV光集光位置まで搬送することを特徴とする請求項3記載のEUV光発生装置における集光ミラーのクリーニング装置。

請求項5

クリーニングチャンバは、少なくとも2つの集光ミラーそれぞれに対応して設けられ、搬送手段は、少なくとも2つの集光ミラーそれぞれに対応して設けられ、制御手段は、EUV光集光位置に位置され、クリーニングを必要とする集光ミラーを、対応する搬送手段を作動させてクリーニングチャンバまで搬送するとともに、クリーニングチャンバに位置され、クリーニングが終了した集光ミラーを、対応する搬送手段を作動させてEUV光集光位置まで搬送することを特徴とする請求項3記載のEUV光発生装置における集光ミラーのクリーニング装置。

請求項6

集光ミラーのクリーニングは、集光ミラーに付着した汚染物質と反応する反応性ガスを集光ミラーに供給することにより行われることを特徴とする請求項3記載のEUV光発生装置における集光ミラーのクリーニング装置。

請求項7

反応性ガスは、H2、Ar、N2、F2、Cl2、Br2、I2、HF、HCl、HBr、HIのいずれかのガスまたはこれらの混合ガスであることを特徴とする請求項6記載のEUV光発生装置における集光ミラーのクリーニング装置。

請求項8

反応性ガスと集光ミラーに付着した汚染物質との反応を促進させる反応促進手段が更に設けられることを特徴とする請求項6記載のEUV光発生装置における集光ミラーのクリーニング装置。

請求項9

反応促進手段は、集光ミラーまたは/および反応性ガスを加熱することにより、または/および反応性ガスをプラズマにすることにより、反応性ガスと集光ミラーに付着した汚染物質との反応を促進させるものであることを特徴とする請求項8記載のEUV光発生装置における集光ミラーのクリーニング装置。

請求項10

クリーニングチャンバには、EUV光が発生するEUVチャンバと連通させるか、またはEUVチャンバとの連通を遮断させるためのゲートバルブが設けられていることを特徴とする請求項3記載のEUV光発生装置における集光ミラーのクリーニング装置。

請求項11

クリーニングチャンバは、差動排気装置によって差動排気されることによって大気に連通していることを特徴とする請求項3記載のEUV光発生装置における集光ミラーのクリーニング装置。

請求項12

クリーニングチャンバは、ロードロック室に連通していることを特徴とする請求項4記載のEUV光発生装置における集光ミラーのクリーニング装置。

請求項13

搬送手段は、少なくとも2つの集光ミラーが同一回転面上に配置された回転体と、この回転体を回転させるための回転軸を含んで構成されており、制御手段は、回転軸を回転させて同一回転面上の各集光ミラーをクリーニングチャンバ、EUV光集光位置に位置決めすることを特徴とする請求項3記載のEUV光発生装置における集光ミラーのクリーニング装置。

請求項14

搬送手段は、2つの集光ミラーがそれぞれ各表面、裏面に配置された回転板と、この回転板を表面、裏面が互いに反転するように回転させる回転軸を含んで構成されており、制御手段は、回転軸を回転させて回転板の表面上の集光ミラー、裏面上の集光ミラーをクリーニングチャンバ、EUV光集光位置に位置決めすることを特徴とする請求項3記載のEUV光発生装置における集光ミラーのクリーニング装置

請求項15

搬送手段は、EUV光集光位置とクリーニングチャンバとの間で集光ミラーを直線状に往復移動させる直線導入機であることを特徴とする請求項5記載のEUV光発生装置における集光ミラーのクリーニング装置。

請求項16

搬送手段は、EUV光集光位置とクリーニングチャンバとの間で集光ミラーを搬送する搬送ロボットであることを特徴とする請求項5記載のEUV光発生装置における集光ミラーのクリーニング装置。

請求項17

搬送手段は、集光ミラーをステージ上に載せてEUV光集光位置とクリーニングチャンバとの間を往復移動させる移動ステージであることを特徴とする請求項5記載のEUV光発生装置における集光ミラーのクリーニング装置。

請求項18

搬送手段は、ワイヤを用いて集光ミラーをEUV光集光位置とクリーニングチャンバとの間を往復移動させるものであることを特徴とする請求項5記載のEUV光発生装置における集光ミラーのクリーニング装置。

請求項19

クリーニング終了判定手段は、水晶発振子マイクロバランス測定法または/および分光エリプソメトリー法を用いて集光ミラーの膜厚計測することにより、または/および集光ミラーの反射率を計測することにより、または/および汚染物質と反応性ガスの濃度を計測することにより、または/およびクリーニングに要した時間を計測することにより、集光ミラーのクリーニングが終了否かの判定、集光ミラーのクリーニングが必要か否かの判定を行うものであることを特徴とする請求項3記載のEUV光発生装置における集光ミラーのクリーニング装置。

請求項20

寿命判定手段は、水晶発振子マイクロバランス測定法または/および分光エリプソメトリー法を用いて集光ミラーの膜厚を計測することにより、または/および集光ミラーの反射率を計測することにより、または/および汚染物質と反応性ガスの濃度を計測することにより、または/およびクリーニングに要した時間を計測することにより、集光ミラーが寿命に達したか否かの判定を行うものであることを特徴とする請求項4記載のEUV光発生装置における集光ミラーのクリーニング装置。

技術分野

0001

本発明は、露光装置などの光源に用いられるEUV光発生装置に関し、特にEUV光を集光する集光ミラークリーニングする方法および装置に関するものである。

背景技術

0002

回路パターン半導体ウェーハ上に光転写する光リソグラフィ技術は、LSIの集積化を図る上で重要である。光リソグラフィに用いられる露光装置は、主に、ステッパと呼ばれる縮小投影露光方式によるものが使用されている。すなわち照明光源により照らされた原画レチクルパターン透過光縮小投影光学系により半導体基板上の光感光性物質投影して回路パターンを形成するというものである。この投影像分解能は、用いられる光源の波長で制限される。このためパターン線幅をより微細化したいとの要求に伴って、光源の波長は紫外領域へと次第に短波長化してきている。

0003

近年は深紫外領域の光(DUV光)を発振するKrFエキシマレーザ(波長248nm)、ArFエキシマレーザ(波長193nm)が光源として使用され、あるいは真空紫外領域の光(VUV光)を発振するF2レーザ(波長157nm)が光源として開発されている。

0004

現在では更なる微細加工を行うべく極端紫外領域(Extreme Ultra Violet)の光(以下EUV光)を出力するEUV光源(波長13.5nm)を、光リソグラフィの光源とする試みがなされている。

0005

EUV光を発生させる方式に、LPP(レーザ生成プラズマ)方式がある。

0006

LPP方式のEUV光源では、短パルスレーザ光ターゲット照射してターゲットをプラズマ状態励起してEUV光を発生させこれを集光レンズで集光して外部にEUV光を出力するものである。

0007

図1は、露光装置の光源として用いられるLPP方式によるEUV光発生装置の構成を概念的に示している。

0008

真空チャンバ2の内部にはEUV光を集光する集光ミラー3が設けられている。集光ミラー3で集光されたEUV光は、真空チャンバ2外の図示しない露光装置に伝送される。露光装置では、EUV光を使用して半導体回路パターンが半導体ウェーハ上に形成される。

0009

真空チャンバ2の内部は真空ポンプ等により真空引きされており、真空状態にされている。これはEUV光は波長が13.5nmと短く真空中でないと効率よく伝搬しないからである。

0010

EUV光発生源となるターゲット1は、真空チャンバ2内の所定のEUV光発生点A、つまりレーザ光集光点に位置される。ターゲット1の材料には、錫Sn、リチウムLi、キセノンXeなどが用いられる。

0011

レーザ発振器としてのドライバレーザ装置4では、レーザ光Lがパルス発振されて、レーザ光Lが出射される。レーザには、Nd:YAGレーザCO2レーザなどが用いられる。

0012

レーザ光Lはレーザ集光系を介して、EUV光発生点Aに集光される。レーザ光Lは、ターゲット1がEUV光発生点Aに位置するタイミングでターゲット1に照射される。ターゲット1にレーザ光Lが照射されることによってターゲット1がプラズマ状態に励起されEUV光が発生する。

0013

発生したEUV光はプラズマを中心に全方位発散する。集光ミラー3は、プラズマを取り囲むように配置されている。全方位に発散するEUV光は、集光ミラー3により集光され、集光したEUV光を反射する。集光ミラー3は、所望する波長13.5nmを選択的に反射する。集光ミラー3で反射されたEUV光(出力EUV光)は、露光装置に伝播される。

0014

ターゲット1の一部は、プラズマ発生時の衝撃波等により分裂飛散し、デブリとなる。デブリは、高速イオン、プラズマにならなかったターゲット1の残滓を含む。

0015

飛散したデブリは、真空チャンバ2内の集光ミラー3を含む光学素子、つまり集光ミラー3、レーザ集光用レンズミラー、レーザ光入射ウインドウSPF(Spectrum Purity Filter)、光学式センサ入射窓などに表面に付着する。このため光学素子の反射率透過率が減少してEUV光出力が低下したり、光学式センサの感度が低下するという問題が発生する。

0016

そこで、この問題を解決するために、下記特許文献1では、プラズマから放出されるイオンを磁場によって閉じ込め、真空チャンバ2外に排出するようにしている。たとえば、ターゲット励起用のドライバレーザ装置4として、CO2レーザを使用し、ターゲット1として、錫Snの金属ターゲットを励起した場合には、錫Snの多くは、励起した多価のプラスSnイオン電子とが分離したプラズマ状態になる。このターゲットプラズマを含む周囲に磁場をかけると、プラスSnイオンは磁場に拘束され、磁力線に沿った方向にしから移動できなくなる。よって、磁場にプラスSnイオンを拘束させ、磁力線に沿って、集光ミラー3等の光学素子を回避する方向に移動させることで、Snイオンが集光ミラー3等の光学素子に付着することを防ぎ、Snイオンを効率的に真空チャンバ2外に排出させることができる。

0017

しかしながら、発生した多価のプラスSnイオンは電子と再結合しやすい。このため一部の再結合したSnイオンは中性化し、磁場の拘束を受けることなく中性のデブリとして集光ミラー3等の光学素子に付着することがあった。また、ターゲット励起用のドライバレーザ装置4によって全てのターゲット1をイオン化させることは難しく、一部のターゲット1は中性の粒子として磁場の拘束を受けることなく集光ミラー3等の光学素子に付着することがあった。

0018

そこで、下記特許文献2では、集光ミラー3に付着したデブリを反応性ガス等によって除去するようにしている。
特公表2005−529052号公報
特公表2006−529057号公報

発明が解決しようとする課題

0019

真空チャンバ2内の光学素子のうち、集光ミラー3に最もデブリが付着し易く、クリーニングをする必要性が大きい。

0020

集光ミラー3に付着したイオンは、原理的には、特許文献2にみられるように、反応性ガス等によってクリーニングを施すことで除去することができる。そして、クリーニング後は、集光ミラー3の反射率が回復し継続して使用することができる。

0021

しかしながら、集光ミラー3をクリーニング処理中は、集光ミラー3を真空チャンバ2から隔離する必要があり、クリーニング処理中は、集光ミラー3を用いてEUV光を集光することができない。また、集光ミラー3が寿命に達し、クリーニング処理では対処しきれない場合には、集光ミラー3を新しい集光ミラーに交換する必要がある。集光ミラー交換処理中は、集光ミラー3を用いてEUV光を集光することができない。このためクリーニング処理時、集光ミラー交換時に、EUV光発生装置で多大なダウンタイムが発生する。

0022

本発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであり、集光ミラーをクリーニングすることに伴うEUV光発生装置のダウンタイムの低減を図ることを解決課題とするものである。また、本発明は、集光ミラーを交換することに伴うEUV光発生装置のダウンタイムの低減を図ることを解決課題とするものである。

課題を解決するための手段

0023

第1発明は、
ターゲットをプラズマ状態にし、発生したEUV光を集光ミラーで集光するようにしたEUV光発生装置に適用され、集光ミラーに付着した汚染物質をクリーニングする方法であって、
集光ミラーが少なくとも2つ用意され、
一方の集光ミラーを、EUV光集光位置に位置させている間に、他の集光ミラーをクリーニング位置に位置させ、
クリーニング位置に位置されている集光ミラーのクリーニングを終了したことを判定するとともに、EUV光集光位置に位置されている集光ミラーがクリーニングを必要とすることを判定し、
クリーニング位置に位置されている集光ミラーのクリーニングを終了したことが判定され、かつEUV光集光位置に位置されている集光ミラーがクリーニングを必要とすることが判定された時点で、
EUV光集光位置に位置され、クリーニングを必要とする集光ミラーを、クリーニング位置まで搬送するとともに、クリーニング位置に位置され、クリーニングが終了した集光ミラーをEUV光集光位置まで搬送すること
を特徴とする。

0024

第2発明は、第1発明において、
クリーニング位置に位置されている集光ミラーが寿命に達したことを判定し、
寿命に達したと判定された集光ミラーを新しい集光ミラーと交換し、
集光ミラーの交換を終え、かつEUV光集光位置に位置されている集光ミラーがクリーニングを必要とすることが判定された時点で、
EUV光集光位置に位置され、クリーニングを必要とする集光ミラーを、クリーニング位置まで搬送するとともに、交換を終えた集光ミラーをEUV光集光位置まで搬送すること
を特徴とする。

0025

第3発明は、
ターゲットをプラズマ状態にし、発生したEUV光を集光ミラーで集光するようにしたEUV光発生装置に適用され、集光ミラーに付着した汚染物質をクリーニングするEUV光発生装置における集光ミラーのクリーニング装置であって、
少なくとも2つの集光ミラーと、
集光ミラーをクリーニングするための少なくとも1つのクリーニングチャンバと、
クリーニングチャンバとEUV光集光位置との間で集光ミラーを搬送する搬送手段と、
クリーニングチャンバ内で集光ミラーのクリーニングが終了したことを判定するクリーニング終了判定手段と、
EUV光集光位置に位置されている集光ミラーがクリーニングを必要とすることを判定するクリーニング必要判定手段と、
クリーニングチャンバ内の集光ミラーのクリーニングを終了したことが判定され、かつEUV光集光位置に位置されている集光ミラーがクリーニングを必要とすることが判定された時点で、
EUV光集光位置に位置され、クリーニングを必要とする集光ミラーを、クリーニングチャンバまで搬送するとともに、クリーニングチャンバに位置され、クリーニングが終了した集光ミラーをEUV光集光位置まで搬送するように、搬送手段を制御する制御手段と
が備えられていること
を特徴とする。

0026

第4発明は、第3発明において、
クリーニング位置に位置されている集光ミラーが寿命に達したことを判定する寿命判定手段と、
寿命に達したと判定された集光ミラーを新しい集光ミラーと交換し、
制御手段は、
集光ミラーの交換を終え、かつEUV光集光位置に位置されている集光ミラーがクリーニングを必要とすることが判定された時点で、
EUV光集光位置に位置され、クリーニングを必要とする集光ミラーを、クリーニング位置まで搬送するとともに、交換を終えた集光ミラーをEUV光集光位置まで搬送すること
を特徴とする。

0027

第5発明は、第3発明において、
クリーニングチャンバは、少なくとも2つの集光ミラーそれぞれに対応して設けられ、
搬送手段は、少なくとも2つの集光ミラーそれぞれに対応して設けられ、
制御手段は、EUV光集光位置に位置され、クリーニングを必要とする集光ミラーを、対応する搬送手段を作動させてクリーニングチャンバまで搬送するとともに、クリーニングチャンバに位置され、クリーニングが終了した集光ミラーを、対応する搬送手段を作動させてEUV光集光位置まで搬送すること
を特徴とする。

0028

第6発明は、第3発明において、
集光ミラーのクリーニングは、集光ミラーに付着した汚染物質と反応する反応性ガスを集光ミラーに供給することにより行われること
を特徴とする。

0029

第7発明は、第6発明において、
反応性ガスは、H2、Ar、N2、F2、Cl2、Br2、I2、HF、HCl、HBr、HIのいずれかのガスまたはこれらの混合ガスであること
を特徴とする。

0030

第8発明は、第6発明において、
反応性ガスと集光ミラーに付着した汚染物質との反応を促進させる反応促進手段が更に設けられること
を特徴とする。

0031

第9発明は、第8発明において、
反応促進手段は、集光ミラーまたは/および反応性ガスを加熱することにより、または/および反応性ガスをプラズマにすることにより、反応性ガスと集光ミラーに付着した汚染物質との反応を促進させるものであること
を特徴とする。

0032

第10発明は、第3発明において、
クリーニングチャンバには、EUV光が発生するEUVチャンバと連通させるか、またはEUVチャンバとの連通を遮断させるためのゲートバルブが設けられていること
を特徴とする。

0033

第11発明は、第3発明において、
クリーニングチャンバは、差動排気装置によって差動排気されることによって大気に連通していること
を特徴とする。

0034

第12発明は、第4発明において、
クリーニングチャンバは、ロードロック室に連通していること
を特徴とする。

0035

第13発明は、第3発明において、
搬送手段は、少なくとも2つの集光ミラーが同一回転面上に配置された回転体と、この回転体を回転させるための回転軸を含んで構成されており、
制御手段は、回転軸を回転させて同一回転面上の各集光ミラーをそれぞれクリーニングチャンバ、EUV光集光位置に位置決めすること
を特徴とする。

0036

第14発明は、第3発明において、
搬送手段は、2つの集光ミラーがそれぞれ各表面、裏面に配置された回転板と、この回転板を表面、裏面が互いに反転するように回転させる回転軸を含んで構成されており、
制御手段は、回転軸を回転させて回転板の表面上の集光ミラー、裏面上の集光ミラーをそれぞれクリーニングチャンバ、EUV光集光位置に位置決めすること
を特徴とする。

0037

第15発明は、第5発明において、
搬送手段は、EUV光集光位置とクリーニングチャンバとの間で集光ミラーを直線状に往復移動させる直線導入機であること
を特徴とする。

0038

第16発明は、第5発明において、
搬送手段は、EUV光集光位置とクリーニングチャンバとの間で集光ミラーを搬送する搬送ロボットであること
を特徴とする。

0039

第17発明は、第5発明において、
搬送手段は、集光ミラーをステージ上に載せてEUV光集光位置とクリーニングチャンバとの間を往復移動させる移動ステージであること
を特徴とする。

0040

第18発明は、第5発明において、
搬送手段は、ワイヤを用いて集光ミラーをEUV光集光位置とクリーニングチャンバとの間を往復移動させるものであること
を特徴とする。

0041

第19発明は、第3発明において、
クリーニング終了判定手段、クリーニング必要判定手段は、水晶発振子マイクロバランス測定法または/および分光エリプソメトリー法を用いて集光ミラーの膜厚計測することにより、または/および集光ミラーの反射率を計測することにより、または/および汚染物質と反応性ガスの濃度を計測することにより、または/およびクリーニングに要した時間を計測することにより、集光ミラーのクリーニングが終了否かの判定、集光ミラーのクリーニングが必要か否かの判定を行うものであること
を特徴とする。

0042

第20発明は、第4発明において、
寿命判定手段は、水晶発振子マイクロバランス測定法または/および分光エリプソメトリー法を用いて集光ミラーの膜厚を計測することにより、または/および集光ミラーの反射率を計測することにより、または/および汚染物質と反応性ガスの濃度を計測することにより、または/およびクリーニングに要した時間を計測することにより、集光ミラーが寿命に達したか否かの判定を行うものであること
を特徴とする。

0043

第1発明によれば、図2に示すように、クリーニング位置C2に位置されている集光ミラー3-2のクリーニングを終了したことが判定され、かつEUV光集光位置Mに位置されている集光ミラー3-1がクリーニングを必要とすることが判定された時点で、EUV光集光位置Mに位置され、クリーニングを必要とする集光ミラー3-1を、クリーニング位置C1まで搬送するとともに、クリーニング位置C2に位置され、クリーニングが終了した集光ミラー3-2をEUV光集光位置Mまで搬送するようにしている。このため、一方の集光ミラー3-2のクリーニング処理中に他方の集光ミラー3-1を用いてEUV光を集光させることができ、EUV光の集光に使用していた集光ミラー3-1でクリーニングが必要なときに、即座に、その集光ミラー3-1をクリーニングすることができるとともに、即座にクリーニングが終了した他の集光ミラー3-2をEUV光の集光のために使用することができる。このため集光ミラー3をクリーニングすることに伴うEUV光発生装置のダウンタイムの低減を図ることができる。

0044

第2発明によれば、クリーニング位置C2に位置されている集光ミラー3-2が寿命に達したことが判定され、寿命に達したと判定された集光ミラー3-2が新しい集光ミラー3-2と交換される。集光ミラー3-2の交換を終え、かつEUV光集光位置Mに位置されている集光ミラー3-1がクリーニングを必要とすることが判定された時点で、EUV光集光位置Mに位置され、クリーニングを必要とする集光ミラー3-1を、クリーニング位置C1まで搬送するとともに、交換を終えた集光ミラー3-2をEUV光集光位置Mまで搬送するようにしている。このため、一方の集光ミラー3-2の交換作業中に他方の集光ミラー3-1を用いてEUV光を集光させることができ、EUV光の集光に使用していた集光ミラー3-1でクリーニングが必要なときに、即座に、その集光ミラー3-1をクリーニングすることができるとともに、即座に交換を終えた他の集光ミラー3-2をEUV光の集光のために使用することができる。このため集光ミラー3を交換することに伴うEUV光発生装置のダウンタイムの低減を図ることができる。

0045

第3発明は、第1発明の方法の発明に対応する装置の発明である。

0046

第4発明は、第2発明の方法の発明に対応する装置の発明である。

0047

第5発明では、図2に示すように、クリーニングチャンバ21、22が、少なくとも2つの集光ミラー3-1、3-2それぞれに対応して設けられている。また、搬送手段31、32が、少なくとも2つの集光ミラー3-1、3-2それぞれに対応して設けられている。

0048

そこで、制御手段50は、EUV光集光位置Mに位置され、クリーニングを必要とする集光ミラー3-1を、対応する搬送手段31を作動させてクリーニングチャンバ21まで搬送するとともに、クリーニングチャンバ22に位置され、クリーニングが終了した集光ミラー3-2を、対応する搬送手段32を作動させてEUV光集光位置Mまで搬送する。

0049

第6発明では、集光ミラー3のクリーニングは、集光ミラー3に付着した汚染物質と反応する反応性ガスGを集光ミラー3に供給することにより行われる。

0050

第7発明では、反応性ガスGとして、H2、Ar、N2、F2、Cl2、Br2、I2、HF、HCl、HBr、HIのいずれかのガスまたはこれらの混合ガスが用いられる。

0051

第8発明では、反応促進手段によって、反応性ガスGと集光ミラー3に付着した汚染物質との反応が促進される。これにより集光ミラー3のクリーニング時間の短縮が図られる。

0052

第9発明では、反応促進手段は、集光ミラー3または/および反応性ガスGを加熱することにより、または/および反応性ガスGをプラズマにすることにより、反応性ガスGと集光ミラー3に付着した汚染物質との反応を促進する。これにより集光ミラー3のクリーニング時間の短縮が図られる。

0053

第10発明では、図2に示すように、クリーニングチャンバ21、22には、EUV光が発生するEUVチャンバ2と連通させるか、またはEUVチャンバ2との連通を遮断させるためのゲートバルブGV1、GV2が設けられている。よって、ゲートバルブGV1、GV2により連通が遮断されることにより、集光ミラー3のクリーニング処理中およびEUV光生成中に、クリーニングチャンバ21、22内の雰囲気とEUVチャンバ2内の雰囲気とが隔離され、集光ミラー3のクリーニング処理およびEUV光の生成を良好に行うことができるとともに、ゲートバルブGV1、GV2により連通されることにより、集光ミラー3を所望する搬送位置まで搬送させることができる。

0054

第11発明では、クリーニングチャンバ21、22は、差動排気装置によって差動排気されることによって大気に連通される。

0055

第12発明では、図6に示すように、クリーニングチャンバ21、22は、ロードロック室41、42を介して大気に連通されている。よって、ロードロック室41、42にて集光ミラー3の交換を行うことができ、それにより集光ミラー交換の際にクリーニングチャンバ21、22内に大気に混入することを抑制できる。

0056

第13発明では、図7に示すように、搬送手段30は、少なくとも2つの集光ミラー3-1、3-2が同一回転面35A上に配置された回転体35と、この回転体35を回転させるための回転軸35Bを含んで構成されている。制御手段50は、回転軸35Bを回転させて同一回転面35A上の各集光ミラー3-1、3-2をクリーニングチャンバ20、EUV光集光位置Mに位置決めする。第13発明によれば、搬送手段30を1つで構成することができるとともに、クリーニングチャンバ20を1つで構成することができる。

0057

第14発明では、図8に示すように、搬送手段30は、2つの集光ミラー3-1、3-2がそれぞれ各表面36A、裏面36Bに配置された回転板36と、この回転板36を表面36A、裏面36Bが互いに反転するように回転させる回転軸36Cを含んで構成されている。制御手段50は、回転軸36Cを回転させて回転板36の表面36A上の集光ミラー3-1、裏面36B上の集光ミラー3-2をクリーニングチャンバ20、EUV光集光位置Mに位置決めする。第14発明によれば、搬送手段30を1つで構成することができるとともに、クリーニングチャンバ20を1つで構成することができる。

0058

第15発明では、図2に示すように、搬送手段30としての直線導入機31によって、集光ミラー3−1がEUV光集光位置Mとクリーニングチャンバ21との間で直線状に往復移動されるとともに、搬送手段30としての直線導入機32によって、集光ミラー3−2がEUV光集光位置Mとクリーニングチャンバ22との間で直線状に往復移動される。

0059

第16発明では、図6に示すように、搬送手段30としての搬送ロボット33によって、集光ミラー3−1がEUV光集光位置Mとクリーニングチャンバ21との間で搬送されるとともに、搬送手段30としての搬送ロボット34によって、集光ミラー3−2がEUV光集光位置Mとクリーニングチャンバ22との間で搬送される。

0060

第17発明では、搬送手段30は、移動ステージで構成され、集光ミラー3が移動ステージ上に載せられてEUV光集光位置Mとクリーニングチャンバ20との間を往復移動される。

0061

第18発明では、搬送手段30は、ワイヤで構成され、ワイヤを用いて集光ミラー30がEUV光集光位置Mとクリーニングチャンバ20との間を往復移動される。

0062

第19発明では、クリーニング終了判定手段51は、水晶発振子マイクロバランス測定法または/および分光エリプソメトリー法を用いて集光ミラーの膜厚を計測することにより、または/および集光ミラーの反射率を計測することにより、または/および汚染物質と反応性ガスの濃度を計測することにより、または/およびクリーニングに要した時間を計測することにより、集光ミラー3のクリーニングが終了否かの判定を行う。

0063

第20発明では、寿命判定手段53は、水晶発振子マイクロバランス測定法または/および分光エリプソメトリー法を用いて集光ミラーの膜厚を計測することにより、または/および集光ミラーの反射率を計測することにより、または/および汚染物質と反応性ガスの濃度を計測することにより、または/およびクリーニングに要した時間を計測することにより、集光ミラー3が寿命に達したか否かの判定を行う。

発明を実施するための最良の形態

0064

以下、図面を参照して本発明に係るEUV光発生装置における集光ミラーのクリーニング方法および装置の実施の形態について説明する。

0065

(第1実施例)
図2は、第1実施例の装置構成を示している。

0066

図2に示すEUV光発生装置100は、図1に示す装置と同様に、EUV光発生点Aに位置するターゲット1をプラズマ状態にしてEUV光を発生させて、外部に出力する装置である。なお、以下では、集光ミラー3は、EUV光発生装置100に2つ設けられているものとし、それぞれ「3−1」、「3−2」と符号を付け、区別するものとする。なお、2つの集光ミラー3−1、3−2を区別せず、総称するときは、集光ミラー3とする。クリーニングチャンバ20についても同様に、クリーニングチャンバ21、22とし、両者を区別するものとする。搬送手段30についても同様に、搬送手段31、32とし、両者を区別するものとする。

0067

このEUV光発生装置100は、露光装置110の光源として用いられるLPP方式によるEUV光発生装置である。

0068

すなわち、EUV光発生装置100の真空チャンバ2の内部にはEUV光を集光する集光ミラー3が設けられている。集光ミラー3で集光されたEUV光は、図1に示す装置と同様に真空チャンバ2外の露光装置110に伝送される。なお、露光装置110では、EUV光を使用して半導体回路パターンが半導体ウェーハ上に形成される。

0069

真空チャンバ2の内部は、真空ポンプ等により真空引きされており、真空状態にされている。真空チャンバ2内の気体は、図示しない排気装置によって外部に排気される。EUV光が発生する空間を真空状態にしているのは、EUV光は波長が13.5nmと短く真空中でないと効率よく伝搬しないからである。

0070

EUV光発生源となるターゲット1は、ドロップレット(液滴)1Aとなって、真空チャンバ2内の所定のEUV光発生点A、つまりレーザ光Lの集光点に供給される。ターゲット供給装置6は、ドロップレット1AをEUV光発生点Aに向けて射出し、真下に滴下する。

0071

ドロップレット1Aの材料は、たとえば錫Snである。ターゲット供給装置6は、固体の錫Snを加熱溶解し、固体あるいは液滴のドロップレット1AとしてEUV光発生点Aに供給する。

0072

レーザ発振器としてのドライバレーザ装置4では、レーザ光Lがパルス発振されて、レーザ光Lが出射される。レーザは、たとえばCO2レーザである。なお、他のレーザ、たとえばNd:YAGレーザを使用する実施も可能である。たとえばドライバレーザ装置4は、ターゲット1の励起のために高出力のCO2パルスレーザ(たとえば出力20kW、パルス繰返し周波数100kHz、パルス幅20nsec)光Lを発振、出力する。

0073

レーザ光Lは、真空チャンバ2のウインドウ2A、集光レンズ等で構成されたレーザ集光系9を介して、EUV光発生点Aに集光される。レーザ光Lは、ドロップレット1A中のターゲット1がEUV光発生点Aに位置するタイミングでターゲット1に照射される。ターゲット1にレーザ光Lが照射されることによってターゲット1がプラズマ状態に励起されEUV光(中心波長13.5nm)が発生する。

0074

発生したEUV光はプラズマを中心に全方位に発散する。ただし、EUV光の放射強度分布は、レーザ光入射方向に依存し、レーザ光入射方向に対向する方向に比較的強いEUV光が放射される。

0075

集光ミラー3は、プラズマを取り囲むように配置されている。集光ミラー3は、レーザ光入射方向に対向して配置されている。集光ミラー3の集光面3Aは、楕円面形状に形成されている。このため全方位には発散するが、レーザ光入射方向に対向する方向に比較的強く放射されるEUV光は、集光ミラー3により効率的に捕集され、集光したEUV光を反射する。集光ミラー3は、所望する波長13.5nmを選択的に反射する。集光ミラー3には、13.5nm付近に高い反射率を持つコーティング(たとえばMo/Si膜)が施されている。集光ミラー3で反射されたEUV光(出力EUV光)は、中間集光点IFを介して露光装置110に伝播される。なお、図示しないが、EUV露光に不要な中心波長13.5nm以外の波長の光をカットするSPF(Spectrum Purity Filter)を中間集光点IFの前後に設けてもよい。

0076

また、真空チャンバ2と露光装置110との間には、ゲートバルブGV100が設けられている。EUV光発生時には、ゲートバルブGV100が開かれ、真空チャンバ2と露光装置110とが連通する。EUV光発生装置100、露光装置110のメンテナンス時には、ゲートバルブGV100が閉じられ、真空チャンバ2と露光装置110との連通が遮断され、両者が分離される。

0077

ターゲット1は、レーザ光Lによって励起され、一部がプラズマになる。プラズマは、電子、多価のプラスSnイオンSn+、SnのラジカルSn*からなる。

0078

磁力線発生装置7は、磁力線をレーザ光Lの入射方向に対して垂直な方向に発生させる。

0079

ここで、真空チャンバ2内の光学素子、つまり集光ミラー3やウインドウ2A、SPF、光学式センサの入射窓などは、磁力線に対して直交する方向に沿って配置されている。

0080

磁力線発生装置7は、たとえば超伝導磁石を含んで構成されており、超伝導磁石により、例えば0.01〜1T程度の磁場を発生させて磁力線を生成する。

0081

プラズマからは多価のプラスSnイオンSn+が放出される。荷電粒子であるSn+は、磁場によってローレンツ力F(=qv×B;ただしqはSn+の電荷、vはSn+の速度、Bは磁場における磁束密度である)を受ける。これによりSn+は、磁力線に巻き付き、所定のラーマ半径をもって旋回しつつ磁力線の方向に沿って移動する。かかる磁場によるSn+の閉じ込めによって、Sn+は、磁力線に直交に配置された集光ミラー3やウインドウ2A、SPF、光学式センサの入射窓などの真空チャンバ2内の光学素子表面に付着することが抑制される。しかし、Sn+は、電子と再結合しやすい。このため一部の電子と再結合したSn+は、電気的に中性化し、磁場による拘束を受けることなく、中性のSnデブリとして、上記光学素子、特に集光ミラー3に付着することがある。

0082

また、ターゲット励起用のレーザ光Lによってターゲット1の全てをイオン化させることは難しい。ターゲット1の一部は、電気的に中性の粒子として磁場による拘束を受けることなく、上記光学素子、特に集光ミラー3に付着することがある。

0083

また、プラズマから放出されるSnのラジカルSn*も電気的に中性であるため、磁場による拘束を受けることなく、上記光学素子、特に集光ミラー3に付着することがある。

0084

そこで、本実施例では、集光ミラー3を、2つ設け(集光ミラー3-1、3-2)、クリーニングチャンバ21、22を、2つの集光ミラー3-1、3-2それぞれに対応して設け、搬送手段31、32を、2つの集光ミラー3-1、3-2それぞれに対応して設け、EUV光集光位置Mに位置され、クリーニングを必要とする集光ミラー3-1を、対応する直線導入機31を作動させてクリーニングチャンバ21まで搬送するとともに、クリーニングチャンバ22に位置され、クリーニングが終了した集光ミラー3-2を、対応する直線導入機32を作動させてEUV光集光位置Mまで搬送するようにしている。

0085

本第1実施例では、搬送手段31、32として、各集光ミラー3-1、3-2それぞれに対応して直線導入機31、32が設けられる。直線導入機31によって、集光ミラー3−1がEUV光集光位置Mとクリーニングチャンバ21との間で直線状に往復移動されるとともに、直線導入機32によって、集光ミラー3−2がEUV光集光位置Mとクリーニングチャンバ22との間で直線状に往復移動される。

0086

すなわち、レーザ光Lの入射方向と垂直な方向に、直線状に往復移動自在に直線導入機31、32が設けられている。直線導入機31の先端には集光ミラー3-1が接続されており、直線導入機32の先端には集光ミラー3-2が接続されている。

0087

直線導入機31は、集光ミラー3−1を、EUV光集光位置Mとクリーニングチャンバ21内のクリーニング位置C1との間で直線状に往復移動させる。

0088

同様に、直線導入機32は、集光ミラー3−2を、EUV光集光位置Mとクリーニングチャンバ22内のクリーニング位置C2との間で直線状に往復移動させる。

0089

ここで、EUV光集光位置Mとは、EUV光を集光し反射EUV光(出力EUV光)を、中間集光点IFを介して露光装置110に伝播させることができる集光ミラー3の位置のことである。

0090

また、クリーニング位置C1とは、集光ミラー3−1をクリーニングチャンバ21内でクリーニングすることができる位置のことである。同様にクリーニング位置C2とは、集光ミラー3−2をクリーニングチャンバ22内でクリーニングすることができる位置のことである。

0091

クリーニングチャンバ21には、真空チャンバ2と連通させるか、または真空チャンバ2との連通を遮断させるためのゲートバルブGV1が設けられている。ゲートバルブGV1が閉じられると、クリーニングチャンバ21と真空チャンバ2との連通が遮断され、集光ミラー3-1のクリーニング処理中およびEUV光発生中に、クリーニングチャンバ21内の雰囲気と真空チャンバ2内の雰囲気とが隔離され、集光ミラー3-1のクリーニング処理およびEUV光の発生を良好に行うことができる。また、ゲートバルブGV1が開かれると、クリーニングチャンバ21は、真空チャンバ2と連通し、集光ミラー3-1を所望する搬送位置まで搬送させることができる。

0092

同様に、クリーニングチャンバ22には、真空チャンバ2と連通させるか、または真空チャンバ2との連通を遮断させるためのゲートバルブGV2が設けられている。ゲートバルブGV2が閉じられると、クリーニングチャンバ22と真空チャンバ2との連通が遮断され、集光ミラー3-2のクリーニング処理中およびEUV光発生中に、クリーニングチャンバ22内の雰囲気とEUVチャンバ2内の雰囲気とが隔離され、集光ミラー3-2のクリーニング処理およびEUV光の発生を良好に行うことができる。また、ゲートバルブGV2が開かれると、クリーニングチャンバ22は、真空チャンバ2と連通し、集光ミラー3-2を所望する搬送位置まで搬送させることができる。

0093

集光ミラー3のクリーニングは、集光ミラー3に付着したデブリ等の汚染物質と反応する反応性ガスGを集光ミラー3の表面に供給することにより行われる。反応性ガスGは、クリーニングチャンバ21、22のガス供給口21IN、22INからそれぞれ供給され、クリーニングチャンバ21、22のガス排出口21OUT、22OUTからそれぞれ排出される。

0094

反応性ガスGとしては、H2、Ar、N2、F2、Cl2、Br2、I2、HF、HCl、HBr、HIのいずれかのガスまたはこれらの混合ガスが用いられる。

0095

反応性ガスGとデブリなどの汚染物質が反応し、反応生成物ガス排気口21OUT、22OUTから排出される。特に、H2、Cl2、Br2、HCl、HBrは、Snデブリと反応して、SnH4、SnCl4、SnBr4などの蒸気圧が低く真空チャンバ2中でガス化する反応生成物を生じる。よって、これらガス化した反応生成物を容易に真空ポンプなどを用いてガス排気口21OUT、22OUTから排出することができる。

0096

なお、反応促進手段を設けてもよい。反応促進手段によって、反応性ガスGと集光ミラー3に付着した汚染物質との反応速度が上がり反応が促進される。これにより集光ミラー3のクリーニング時間の短縮が図られる。反応促進手段としては、集光ミラー3加熱することにより、反応性ガスGと集光ミラー3に付着した汚染物質との反応を促進する手段が考えられる。また、反応性ガスGを加熱することにより、反応性ガスGと集光ミラー3に付着した汚染物質との反応を促進する手段が考えられる。また、反応性ガスGをプラズマにすることにより、反応性ガスGと集光ミラー3に付着した汚染物質との反応を促進する手段が考えられる。また、これら各手段を適宜組み合わせて実施してもよい。

0097

また、クリーニングチャンバ21、22を、差動排気装置によって差動排気させることによって大気に連通させてもよい。

0098

直線導入機31、32は、制御手段としてのコントローラ50によって制御される。

0099

コントローラ50は、クリーニング終了判定部51、クリーニング必要判定部52、寿命判定部53、搬送制御部54を備えている。

0100

クリーニング終了判定部51は、クリーニングチャンバ21、22内で集光ミラー3のクリーニングが終了したことを判定する。

0101

クリーニング必要判定部52は、EUV光集光位置Mに位置されている集光ミラー3がクリーニングを必要とすることを判定する。

0102

寿命判定部53は、クリーニングチャンバ21、22に位置されている集光ミラー3が寿命に達したことを判定する。

0103

クリーニング必要判定部52は、水晶発振子マイクロバランス測定法を用いて集光ミラー3の膜厚を計測することにより、判定を行うことができる。また、分光エリプソメトリー法を用いて集光ミラーの膜厚を計測することにより、判定を行うことができる。また、集光ミラー3の反射率を計測することにより、判定を行うことができる。

0104

クリーニング終了判定部51、寿命判定部53は、水晶発振子マイクロバランス測定法を用いて集光ミラー3の膜厚を計測することにより、各判定を行うことができる。また、分光エリプソメトリー法を用いて集光ミラーの膜厚を計測することにより、各判定を行うことができる。また、集光ミラー3の反射率を計測することにより、各判定を行うことができる。また、汚染物質と反応性ガスGの濃度を計測することにより、各判定を行うことができる。また、クリーニングに要した時間を計測することにより、各判定を行うことができる。

0105

搬送制御部54は、クリーニングチャンバ21内の集光ミラー3-1のクリーニングを終了したことが判定され、かつEUV光集光位置Mに位置されている集光ミラー3-2がクリーニングを必要とすることが判定された時点で、EUV光集光位置Mに位置され、クリーニングを必要とする集光ミラー3-2を、クリーニングチャンバ22のクリーニング位置C2まで搬送するとともに、クリーニングチャンバ21のクリーニング位置C1に位置され、クリーニングが終了した集光ミラー3-1をEUV光集光位置Mまで搬送するように、直線導入機31、32を制御する。更に同様にして、クリーニングチャンバ22内の集光ミラー3-2のクリーニングを終了したことが判定され、かつEUV光集光位置Mに位置されている集光ミラー3-1がクリーニングを必要とすることが判定された時点で、EUV光集光位置Mに位置され、クリーニングを必要とする集光ミラー3-1を、クリーニングチャンバ21のクリーニング位置C1まで搬送するとともに、クリーニングチャンバ22のクリーニング位置C2に位置され、クリーニングが終了した集光ミラー3-2をEUV光集光位置Mまで搬送するように、直線導入機31、32を制御する。

0106

また、搬送制御部54は、集光ミラー3-1の交換を終え、かつEUV光集光位置Mに位置されている集光ミラー3-2がクリーニングを必要とすることが判定された時点で、EUV光集光位置Mに位置され、クリーニングを必要とする集光ミラー3-2を、クリーニングチャンバ22のクリーニング位置C2まで搬送するとともに、交換を終えた集光ミラー3-1をEUV光集光位置Mまで搬送するように、直線導入機31、32を制御する。更に同様にして、搬送制御部54は、集光ミラー3-2の交換を終え、かつEUV光集光位置Mに位置されている集光ミラー3-1がクリーニングを必要とすることが判定された時点で、EUV光集光位置Mに位置され、クリーニングを必要とする集光ミラー3-1を、クリーニングチャンバ21のクリーニング位置C1まで搬送するとともに、交換を終えた集光ミラー3-2をEUV光集光位置Mまで搬送するように、直線導入機31、32を制御する。

0107

集光ミラー3は、ミラーアライメントステージ8の正しい位置に設置されて、EUV光を高効率に集光する。図3は、集光ミラー3をミラーアライメントステージ8上に高い位置決め精度をもって設置させるための位置決め機構60を示している。

0108

図3(a)は、台形状のオス部材メス部材の面接触ですり合わせアリ溝構造の位置決め機構60を示している。すなわち、ミラーアライメントステージ8上には、断面台形状メス穴8aが形成されている。一方、固定部材61には、メス穴8aに応じた台形状のオス部材61aが形成されており、メス穴8aに嵌装されている。固定部材61およびミラーアライメントステージ8には、集光ミラー3の冷却を行うための冷却水通路62が形成されている。

0109

集光ミラー3−1、3−2が直線導入機31、32によってEUV光集光位置Mまで搬送されると、その背面3Bが固定部材61に接触する。この結果、集光ミラー3−1、3−2がミラーアライメントステージ8上に高い位置決め精度をもって設置される。

0110

また、集光ミラー3がEUV光集光位置Mに位置されているとき、冷却水通路62に冷却水が流れる。このため集光ミラー3が冷却されEUV光の発光効率が向上する。なお、かかる冷却水による冷却装置以外の熱交換装置を設けて、集光ミラー3を冷却してもよい。また、熱交換装置を集光ミラー3の冷却のためだけではなくて、反応性ガスGと集光ミラー3に付着した汚染物質との反応を促進するために使用してもよい。すなわち、集光ミラー3を加熱することにより、反応性ガスGと集光ミラー3に付着した汚染物質との反応が促進され、クリーニング時間を短縮することができる。

0111

図3(a)では、アリ溝構造の位置決め機構60を例示したが、他の任意の構造で位置決めを行ってもよい。

0112

図3(b)は、図3(a)におけるオス部材61a、メス穴8aの代わりに、固定部材61に形成されたスチールボール61bと、ミラーアライメントステージ8に形成されたR溝8bとからなる構造の位置決め機構60を示している。なお、R溝の代わりに、V溝やすり状の穴、それらを混合した構造にしてもよい。

0113

図3(c)は、図3(a)におけるオス部材61a、メス穴8aの代わりに、固定部材61に形成された位置決めピン61cと、ミラーアライメントステージ8に形成されたピン穴8cとからなる構造の位置決め機構60を示している。

0114

なお、集光ミラー3の移動時の位置精度を確保するためにガイドレールを設置する実施も可能である。

0115

図4は、コントローラ50で行われる処理の手順を示している。図4(a)は、真空チャンバ2のEUV光集光位置Mに位置されている集光ミラー3に関する処理を示し、図4(b)は、クリーニングチャンバ21、22のクリーニング位置C1、C2に位置されている集光ミラー3に関する処理を示している。

0116

図5は、実施例の制御の流れを説明する図で、集光ミラー3-1、3-2の搬送位置の変化を時系列で示している。以下、これら図を併せ参照して説明する。

0117

いま、図2に示すごとく、時刻t=τ0で、真空チャンバ2のEUV光集光位置Mに集光ミラー3−1が位置され、クリーニングチャンバ22のクリーニング位置C2に集光ミラー3−2が位置されているものとする。

0118

真空チャンバ2内のEUV光発生点AではEUV光が発生し、発生したEUV光が集光ミラー3−1で集光され、同集光ミラー3−1で反射されたEUV光が露光装置110に導かれている(ステップ201)。

0119

集光ミラー3−1に関しては、その集光ミラー3−1がクリーニングを必要とするか否かを判定するための計測が行われる。すなわち、つぎのいずれかの計測方法あるいはそれら計測方法を任意に組み合わせて、集光ミラー3−1の膜厚や反射率の計測が行われ、それら膜厚や反射率の計測値に基づいて集光ミラー3−1に付着、堆積したデブリなどの汚染物質の量が計測される。

0120

a)水晶発振子マイクロバランス測定法を用いて集光ミラー3の膜厚を計測する。

0121

b)分光エリプソメトリー法を用いて集光ミラー3の膜厚を計測する。

0122

c)集光ミラー3の反射率を計測する。

0123

(ステップ202)
つぎに、計測した集光ミラー3−1に付着、堆積した汚染物質の量を、所定のしきい値と対比するなどして、集光ミラー3−1がクリーニングを必要としているか否かが判断される。この判断は、コントローラ50のクリーニング必要判定部52で行われる(ステップ203)。

0124

この結果、集光ミラー3−1がクリーニングを必要としていると判断された場合には(ステップ203の判断YES)、EUV光集光位置Mに位置されている集光ミラー3(集光ミラー3−1)をクリーニングチャンバ20のクリーニング位置C(クリーニングチャンバ21のクリーニング位置C1)まで搬送するととともに今現在クリーニングチャンバ20のクリーニング位置Cに位置されている集光ミラー3(クリーニングチャンバ22のクリーニング位置C2に位置されている集光ミラー3−2)をEUV光集光位置Mまで搬送するための集光ミラー搬送指令を出力する(図5の時刻τ2参照;ステップ203)。

0125

一方、クリーニングチャンバ22では、クリーニング位置C2に集光ミラー3−2が位置されており、集光ミラー3−2に付着、堆積されたデブリなどの汚染物質のクリーニングが行われている。

0126

集光ミラー3-2のクリーニング処理中およびEUV光発生中には、クリーニングチャンバ22のゲートバルブGV2が閉じられている。これによりクリーニングチャンバ22と真空チャンバ2との連通が遮断され、集光ミラー3-2のクリーニング処理中およびEUV光発生中に、クリーニングチャンバ22内の雰囲気とEUVチャンバ2内の雰囲気とが隔離され、集光ミラー3-2のクリーニング処理およびEUV光の発生を良好に行うことができる。

0127

クリーニングチャンバ22では、集光ミラー搬送指令が出力されるまでに(図5の時刻τ2までにに)、速やかにクリーニングを終了できるようにすることが望ましい。

0128

そこで、上述の反応促進手段によって、反応性ガスGと汚染物質との反応を促進して、クリーニング時間の短縮を図ることが望ましい(ステップ301)。

0129

つぎに、集光ミラー3−2に関しては、その集光ミラー3−2のクリーニングが終了したか否かを判定するための計測が行われる。すなわち、つぎのいずれかの計測方法あるいはそれら計測方法を任意に組み合わせて、集光ミラー3−2の膜厚や反射率などの計測が行われ、それら膜厚や反射率などの計測値に基づいて集光ミラー3−2のクリーニング進行状態が計測される。

0130

a)水晶発振子マイクロバランス測定法を用いて集光ミラー3の膜厚を計測する。

0131

b)分光エリプソメトリー法を用いて集光ミラー3の膜厚を計測する。

0132

c)集光ミラー3の反射率を計測する。

0133

d)汚染物質と反応性ガスGの濃度を計測する。

0134

e)クリーニングに要した時間を計測する。

0135

クリーニング進行状態の計測には、前述の汚染物質の量の計測に使用する装置を使用できる他、半導体エッチング装置などで使われるFTIRガス分析計プラズマ発光分析エンドポイントモニタなどを使用することができる(ステップ302)
つぎに、計測した集光ミラー3−2のクリーニング進行状態を、所定のしきい値と対比するなどして、集光ミラー3−2のクリーニングが終了したか否かが判断される。この判断は、コントローラ50のクリーニング終了判定部51で行われる(ステップ303)。

0136

この結果、集光ミラー3−2のクリーニングが終了していないと判断されている場合には(ステップ303の判断NO)、つぎに、集光ミラー3-2が劣化し集光ミラー3-2が寿命に達したか否かが判断される。すなわち、上述のa)〜d)のいずれかの計測方法あるいはそれら計測方法を任意に組み合わせて、集光ミラー3−2の膜厚や反射率などの計測が行われ、それら膜厚や反射率などの計測値に基づいて集光ミラー3−2が寿命が計測される。計測した集光ミラー3−2の寿命を、所定のしきい値と対比するなどして、集光ミラー3−2が寿命に達したか否かが判断される。この判断は、コントローラ50の寿命判定部53で行われる(ステップ304)。

0137

この結果、集光ミラー3−2が寿命に達したと判断された場合には(ステップ304の判断YES)、集光ミラー3-2を新しい集光ミラーと交換する際にクリーニングチャンバ22内に大気が入り込むことを抑制するために、クリーニングチャンバ22が不活性ガスによってパージされる(ステップ305)。そして、クリーニングチャンバ22で集光ミラー3-2が新しい集光ミラー3-2に交換される(ステップ306)。なお、集光ミラー3-2を新しい集光ミラーと交換する際にクリーニングチャンバ22内に大気が入り込むことを抑制しているのは、クリーニングチャンバ22内に大気が入り込むことでクリーニングチャンバ22の汚染腐食が進行することを防止するためである。

0138

集光ミラー交換後、さらにクリーニングチャンバ22がパージされる。すなわち、集光ミラー3-2の搬送に備えるために、クリーニングチャンバ22がArやN2などの不活性ガスにより数回置換される。その後、クリーニングチャンバ22が真空チャンバ2内の圧力と同圧程度になるまでクリーニングチャンバ22からガスが排気される(ステップ307)。

0139

集光ミラー3−2が寿命に達したと判断されていない場合には(ステップ304の判断NO)、ステップ301に戻り、クリーニング処理を行う。

0140

ステップ303でクリーニングが終了したと判断された場合(ステップ303の判断YES)、または集光ミラー交換後チャンバパージが終了した場合(ステップ307)には、つぎのステップ308に移行する。

0141

以上の集光ミラー3-2のクリーニングあるいは交換は、迅速に、集光ミラー搬送指令が出力される時刻τ2よりも早い時期(図5の時刻τ1(<τ2))までに行われる。

0142

つぎに、集光ミラー搬送指令が出力されているか否かが判断される(ステップ308)。

0143

この結果、集光ミラー搬送指令が出力されている場合には(ステップ308の判断YES)、集光ミラー3-1、3-2を搬送するためにクリーニングチャンバ21、22のゲートバルブGV1、GV2がそれぞれ開かれる。ゲートバルブGV1、GV2の開閉は、コントローラ50の搬送制御部54によって制御される(ステップ309)。

0144

以後、コントローラ50の搬送制御部54は、直線導入機31を制御して、EUV光集光位置Mに位置され、クリーニングを必要とする集光ミラー3-1を、クリーニングチャンバ21のクリーニング位置C1まで搬送する。また、コントローラ50の搬送制御部54は、直線導入機32を制御して、クリーニングチャンバ22のクリーニング位置C2に位置され、クリーニングが終了した集光ミラー3-2をEUV光集光位置Mまで搬送する。集光ミラー3-1、3-2の搬送は、同時に行なわれ、時間の短縮が図られる(図5の時刻τ2〜τ3参照)。

0145

このようにして、クリーニングチャンバ22内の集光ミラー3-2のクリーニングを終了したことが判定され、かつEUV光集光位置Mに位置されている集光ミラー3-1がクリーニングを必要とすることが判定された時点で、EUV光集光位置Mに位置され、クリーニングを必要とする集光ミラー3-1が、クリーニングチャンバ21まで搬送されるとともに、クリーニングチャンバ22に位置され、クリーニングが終了した集光ミラー3-2がEUV光集光位置Mまで搬送される。

0146

また、ステップ306で集光ミラー3-2が新しい集光ミラー3-2に交換された場合には、集光ミラー3-2の交換を終え、かつEUV光集光位置Mに位置されている集光ミラー3-1がクリーニングを必要とすることが判定された時点で、コントローラ50の搬送制御部54は、直線導入機31を制御して、EUV光集光位置Mに位置され、クリーニングを必要とする集光ミラー3-1を、クリーニングチャンバ21のクリーニング位置C1まで搬送する。また、コントローラ50の搬送制御部54は、直線導入機32を制御して、交換を終えた集光ミラー3-2をEUV光集光位置Mまで搬送する。集光ミラー3-1、3-2の搬送は、同時に行なわれ、時間の短縮が図られる(ステップ310;図5のτ2〜τ3参照)。

0147

集光ミラー3-1がクリーニングチャンバ21内に搬入され、集光ミラー3-2がクリーニングチャンバ22から搬出されると、クリーニングチャンバ21で集光ミラー3-1のクリーニングを行い、集光ミラー3-2を用いてEUV光集光を行うために、クリーニングチャンバ21、22のゲートバルブGV1、GV2がそれぞれ閉じられる(ステップ311)。

0148

集光ミラー3-2がEUV光集光位置Mに位置されると、位置決め機構60によって集光ミラー3-2がミラーアライメントステージ8上に高い位置決め精度をもって設置される。そして、集光ミラー3-2の光軸がミラーアライメントステージ8上で調整される(ステップ205)。集光ミラー3-2の光軸調整完了後に、EUV光の発光が開始され、露光が開始される(ステップ201)。以後、上述の「集光ミラー3-1」を「集光ミラー3-2」に互いに置き換えるとともに、「クリーニングチャンバ21(クリーニング位置C1)」を「クリーニングチャンバ22(クリーニング位置C2)」を互いに置き換えて、同様の処理が行われる(図5の時刻τ3〜τ4〜τ5)。

0149

以上のように本実施例によれば、クリーニング位置C2に位置されている集光ミラー3-2のクリーニングを終了したことが判定され、かつEUV光集光位置Mに位置されている集光ミラー3-1がクリーニングを必要とすることが判定された時点で、EUV光集光位置Mに位置され、クリーニングを必要とする集光ミラー3-1を、クリーニング位置C1まで搬送するとともに、クリーニング位置C2に位置され、クリーニングが終了した集光ミラー3-2をEUV光集光位置Mまで搬送するようにしている。このため、一方の集光ミラー3-2のクリーニング処理中に他方の集光ミラー3-1を用いてEUV光を集光させることができ、EUV光の集光に使用していた集光ミラー3-1でクリーニングが必要なときに、即座に、その集光ミラー3-1をクリーニングすることができるとともに、即座にクリーニングが終了した他の集光ミラー3-2をEUV光の集光のために使用することができる。このため集光ミラー3をクリーニングすることに伴うEUV光発生装置のダウンタイムの低減を図ることができる。

0150

また、クリーニング位置C2に位置されている集光ミラー3-2が寿命に達したことが判定され、寿命に達したと判定された集光ミラー3-2が新しい集光ミラー3-2と交換される。集光ミラー3-2の交換を終え、かつEUV光集光位置Mに位置されている集光ミラー3-1がクリーニングを必要とすることが判定された時点で、EUV光集光位置Mに位置され、クリーニングを必要とする集光ミラー3-1が、クリーニング位置C1まで搬送するとともに、交換を終えた集光ミラー3-2をEUV光集光位置Mまで搬送するようにしている。このため、一方の集光ミラー3-2の交換作業中に他方の集光ミラー3-1を用いてEUV光を発生させることができ、EUV光の集光に使用していた集光ミラー3-1でクリーニングが必要なときに、即座に、その集光ミラー3-1をクリーニングすることができるとともに、即座に交換を終えた他の集光ミラー3-2をEUV光の集光のために使用することができる。このため集光ミラー3を交換することに伴うEUV光発生装置のダウンタイムの低減を図ることができる。

0151

図6は、搬送手段30として、図2に示す直線導入機31、32の代わりに、搬送ロボット33、34が設けられた実施例の装置構成例を示している。

0152

搬送ロボット33は、回動自在の基台130と、基台130上に、伸縮自在に構成された多関節のアーム部131とから構成されている。アーム部131の先端には、集光ミラー3-1を下から支え、集光ミラー3-1を載置する構造のハンド132が設けられている。ハンド132としては、下から集光ミラー3-1を支え、載置する構造の他、集光ミラー3-1を把持したり、吸着するなどの任意の構造のものを採用することができる。

0153

搬送ロボット34についても、搬送ロボット33と同様に集光ミラー3-2を搬送できるように構成されている。

0154

また、クリーニングチャンバ21、22はそれぞれ、ロードロック室41、42に連通している。クリーニングチャンバ21とロードロック室41との間には、開閉自在のゲートバルブGV131が設けられているとともに、クリーニングチャンバ22とロードロック室42との間には、開閉自在のゲートバルブGV132が設けられている。

0155

ロードロック室41、42は、大気に開放されている。ロードロック室41、42ではそれぞれ、集光ミラー3-1、3-2が新しい集光ミラーと交換される。

0156

よっていま、図6に示すごとく、真空チャンバ2のEUV光集光位置Mに集光ミラー3−1が位置され、クリーニングチャンバ22のクリーニング位置C2に集光ミラー3−2が位置されている状態で、集光ミラー3-1のクリーニングの必要があると判定され、かつ集光ミラー3-2のクリーニングが終了したと判定されたとする。

0157

すると、コントローラ50の搬送制御部54は、搬送ロボット33を制御して、EUV光集光位置Mに位置され、クリーニングを必要とする集光ミラー3-1を、クリーニングチャンバ21のクリーニング位置C1まで搬送する。この際、搬送ロボット33のハンド131が基台130上に取り込まれるように縮退され、集光ミラー3-1がEUV光集光位置Mからクリーニングチャンバ21のクリーニング位置C1まで移動される。また、コントローラ50の搬送制御部54は、搬送ロボット34を制御して、クリーニングチャンバ22のクリーニング位置C2に位置され、クリーニングが終了した集光ミラー3-2をEUV光集光位置Mまで搬送する。この際、搬送ロボット34のハンド131が基台130上に取り込まれた状態から伸長され、集光ミラー3-2がクリーニングチャンバ22のクリーニング位置C2からEUV光集光位置Mまで移動される。

0158

集光ミラー3-2が寿命に達し、集光ミラー3-2を新しい集光ミラー3-2と交換する必要があるときには、コントローラ50の搬送制御部54は、ゲートバルブGV132を開き、クリーニングチャンバ22とロードロック室42とを連通させる。そして、搬送ロボット34を制御して、クリーニングチャンバ22のクリーニング位置C2に位置されている集光ミラー3-2を、ロードロック室42内に搬送する。この際、搬送ロボット34のハンド131が基台130上に取り込まれた状態から、EUV光集光位置Mとは逆方向のロードロック室42側に伸長され、集光ミラー3-2がクリーニングチャンバ22のクリーニング位置C2からロードロック室42内まで移動される。その後、搬送ロボット34のハンド131が基台130上に取り込まれるように縮退され、ハンド131と集光ミラー3-2が切り離される。つぎにゲートバルブGV132が閉じられ、クリーニングチャンバ22とロードロック室42との連通が遮断される。そして、ロードロック室42で集光ミラー3-2が新しい集光ミラー3-2に交換される。集光ミラー交換後、再度ゲートバルブGV132が開かれ、クリーニングチャンバ22とロードロック室42とが連通される。そして、搬送ロボット34を制御して、ロードロック室42に位置されている集光ミラー3-2を、EUV光集光位置Mまで搬送する。この際、搬送ロボット34のハンド131は、ロードロック室42とは逆方向のEUV光集光位置Mに伸長され、集光ミラー3-2がロードロック室42からEUV光集光位置Mまで移動される。

0159

以後、上述の「集光ミラー3-1」を「集光ミラー3-2」に互いに置き換えるとともに、「クリーニングチャンバ21(クリーニング位置C1)」を「クリーニングチャンバ22(クリーニング位置C2)」を互いに置き換えて、同様の処理が行われる。

0160

図6に示す実施例では、クリーニングチャンバ21、22とは完全に隔離されたロードロック室41、42にて集光ミラー3-1、3-2が新しい集光ミラーに交換される。このため集光ミラー交換時にクリーニングチャンバ21、22内に大気が入り込むことが極めて有効に抑制される。このためクリーニングチャンバ21、22内に大気が入り込むことでクリーニングチャンバ21、22の汚染や腐食が進行することを極めて効果的に防止できる。

0161

上述した各実施例では、集光ミラー3が2つ備えられ、各集光ミラー3-1、3-2に対応して個別に搬送手段が設けられている場合を想定して説明した。しかし、本発明としては、集光ミラー3を3つ以上備える場合にも適用可能である。たとえば集光ミラー3を3つ備える場合には、3つの集光ミラー3に対応した3つの搬送手段が設けられる。この場合、図2図6において、紙面に対して垂直な方向に3番目の集光ミラー3-3を搬送自在に搬送できる3番目の搬送手段30を追加すればよい。

0162

また、上述した各実施例では、搬送手段30、クリーニングチャンバ20がそれぞれ複数設けられていることを前提として説明した。しかし、搬送手段30、クリーニングチャンバ20をそれぞれ1つとする実施も可能である。

0163

図7に示す装置では、搬送手段30は、2つの集光ミラー3-1、3-2が同一回転面35A上に配置された回転体35と、この回転体35を回転させるための回転軸35Bを含んで構成されている。回転軸35Bは、アクチュエータ70によって回転作動される。制御手段50は、アクチュエータ70を制御し回転軸35Bを回転させて同一回転面35A上の各集光ミラー3-1、3-2をクリーニングチャンバ20、EUV光集光位置Mに位置決めする。よって、この実施例によれば、搬送手段30を1つで構成することができるとともに、クリーニングチャンバ20を1つで構成することができる。なお、図7に示す装置においても、集光ミラー3が3つ以上備えられている場合に適用可能である。たとえば集光ミラー3を3つ備える場合には、図7において、回転体35の回転面35A上に3番目の集光ミラー3-3を追加して設ければよい。

0164

また図8に示す装置では、搬送手段30は、2つの集光ミラー3-1、3-2がそれぞれ各表面36A、裏面36Bに配置された回転板36と、この回転板36を表面36A、裏面36Bが互いに反転するように回転させる回転軸36Cを含んで構成されている。回転軸36Cは、アクチュエータ70によって回転作動される。制御手段50は、アクチュエータ70を制御し回転軸36Cを回転させて回転板36の表面36A上の集光ミラー3-1、裏面36B上の集光ミラー3-2をクリーニングチャンバ20、EUV光集光位置Mに位置決めする。よって、この実施例によれば、搬送手段30を1つで構成することができるとともに、クリーニングチャンバ20を1つで構成することができる。

0165

以上説明した各実施例の搬送手段30の構成例はあくまで一例であり、集光ミラー3を搬送できる構造のものであれば任意の手段を採用することができる。たとえば、搬送手段30を、移動ステージで構成して、集光ミラー3を移動ステージ上に載せてEUV光集光位置Mとクリーニングチャンバ20との間で往復移動させてもよい。

0166

また、搬送手段30を、ワイヤで構成し、ワイヤを引っ張り集光ミラー30をEUV光集光位置Mとクリーニングチャンバ20との間で往復移動させてもよい。

図面の簡単な説明

0167

図1は、従来技術を説明するために用いた図で、露光装置の光源として用いられるLPP方式によるEUV光発生装置の構成を概念的に示した図である。
図2は、搬送手段に直線導入機を使用した実施例の装置の構成例を示した図である。
図3(a)、(b)、(c)は、位置決め機構を説明する断面図である。
図4(a)、(b)は、コントローラで行われる処理手順を示すフローチャートである。
図5は、集光ミラーを搬送位置を時系列で示した図である。
図6は、搬送手段に搬送ロボットを使用した実施例の装置の構成例を示した図である。
図7は、搬送手段、クリーニングチャンバを1つで構成した実施例の装置構成例を示した図である。
図8は、搬送手段、クリーニングチャンバを1つで構成した図7とは異なる実施例の装置構成例を示した図である。

符号の説明

0168

3集光ミラー、21、22クリーニングチャンバ、30 搬送手段、31、32 直線導入機、33、34搬送ロボット、35回転体、35B、36C回転軸、36回転板、41、42ロードロック室、50コントローラ(制御手段)

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