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課題

ナノインプリント成形によって微細パターンを好適に形成することができる転写材料を提供する。

解決手段

ナノインプリント成形に用いる転写材料において、有機ケイ素化合物周期律表の3族〜14族の金属化合物とを含有する微細パターン樹脂組成物。前記有機ケイ素化合物が、ポリシルセスキオキサン化合物である。前記金属化合物が、式M(OR)nで表される微細パターン転写材料。(式中、Mは周期律表第3族〜14族に属する金属元素、Rは炭素数1〜6のアルキル基もしくはフェニル基を示し、nは1〜5の整数を示す。)

概要

背景

半導体製造プロセスおよび垂直磁気記録方式パターンドメディア製造プロセスなどにおいて必要な微細パターンナノインプリント成形するための技術、なかでも転写材料の開発が産業界より強く求められている。

これまで、ポリ水素化シルセスキオキサンによる塗布膜基板上に形成後、該塗布面を150℃以下でプリベークした後に型押しすることにより基板上に微細パターンを室温でナノインプリント成形する技術が開示されている(特許文献1および非特許文献1,2,3参照)。さらに篭型ポリシルセスキオキサンを用いた同様の技術も開示されている(特許文献2参照)。このような技術は、半導体製造プロセスのみならず、パターンドメディアまたはディスクリートトラックメディアなどの磁気記録メディアの加工にも応用され始めている(特許文献3参照)。しかし、これまでに用いられているポリマーは、耐熱性が低く、パターン形成後の環境によってはパターン形状を維持できないという問題があった。

このような問題点を克服するため、耐熱性の高いポリイミド樹脂を用いて微細パターンを形成させる技術も開示されている(特許文献4参照)。しかし、矩形の上部が凹んだ形で転写されるなど、成形性に問題があった。
特開2003−100609号公報
特開2006−285017号公報
特開2006−302396号公報
特開2006−110956号公報
Y.Igaku et al., Jpn. J. Appli. Phys., 41, 4198 (2002)
S. Matsui et al., J. Vac. Sci. Technol. B, 21, 688 (2003)
S.Z.Chen et al., J. Vac. Sci. Technol. B, 24, 1934 (2006)

概要

ナノインプリント成形によって微細パターンを好適に形成することができる転写材料を提供する。ナノインプリント成形に用いる転写材料において、有機ケイ素化合物周期律表の3族〜14族の金属化合物とを含有する微細パターン樹脂組成物。前記有機ケイ素化合物が、ポリシルセスキオキサン化合物である。前記金属化合物が、式M(OR)nで表される微細パターン転写材料。(式中、Mは周期律表第3族〜14族に属する金属元素、Rは炭素数1〜6のアルキル基もしくはフェニル基を示し、nは1〜5の整数を示す。)

目的

本発明は、ナノインプリント成形によって微細パターンを好適に形成することができる転写材料を提供することを目的とする。

効果

実績

技術文献被引用数
3件
牽制数
1件

この技術が所属する分野

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請求項1

ナノインプリント成形に用いる転写材料において、有機ケイ素化合物周期律表の3族から14族の金属化合物とを含有することを特徴とする、微細パターン転写材料

請求項2

前記有機ケイ素化合物が、ポリシルセスキオキサン化合物であることを特徴とする、請求項1に記載の微細パターン転写材料。

請求項3

前記金属化合物が、下記式(1)で表されることを特徴とする、請求項1または2に記載の微細パターン転写材料。M(OR)n式(1)(式中、Mは周期律表第3族〜14族に属する金属元素、Rは炭素数1〜6のアルキル基もしくはフェニル基を示し、nは1〜5の整数を示す。)

請求項4

前記式(1)におけるMがNb、Ti、Ta、SbまたはHfであって、Rがメチル基エチル基プロピル基イソプロピル基n−ブチル基、sec−ブチル基またはtert−ブチル基であることを特徴とする、請求項3に記載の微細パターン転写材料。

請求項5

前記有機ケイ素化合物がポリフェニルシルセスキオキサンまたはポリスチリルシルセスキオキサンであり、前記金属化合物がテトラエトキシチタンペンタエトキシタンタルペンタn−ブトキシタンタルまたはペンタエトキシタングステンであることを特徴とする、請求項1〜4のいずれかに記載の微細パターン転写材料。

技術分野

0001

本発明は、半導体製造プロセスおよび垂直磁気記録方式パターンドメディア製造プロセスなどにおいて好適に用いられる微細パターン転写材料に関する。

背景技術

0002

半導体製造プロセスおよび垂直磁気記録方式のパターンドメディア製造プロセスなどにおいて必要な微細パターンナノインプリント成形するための技術、なかでも転写材料の開発が産業界より強く求められている。

0003

これまで、ポリ水素化シルセスキオキサンによる塗布膜基板上に形成後、該塗布面を150℃以下でプリベークした後に型押しすることにより基板上に微細なパターンを室温でナノインプリント成形する技術が開示されている(特許文献1および非特許文献1,2,3参照)。さらに篭型ポリシルセスキオキサンを用いた同様の技術も開示されている(特許文献2参照)。このような技術は、半導体製造プロセスのみならず、パターンドメディアまたはディスクリートトラックメディアなどの磁気記録メディアの加工にも応用され始めている(特許文献3参照)。しかし、これまでに用いられているポリマーは、耐熱性が低く、パターン形成後の環境によってはパターン形状を維持できないという問題があった。

0004

このような問題点を克服するため、耐熱性の高いポリイミド樹脂を用いて微細パターンを形成させる技術も開示されている(特許文献4参照)。しかし、矩形の上部が凹んだ形で転写されるなど、成形性に問題があった。
特開2003−100609号公報
特開2006−285017号公報
特開2006−302396号公報
特開2006−110956号公報
Y.Igaku et al., Jpn. J. Appli. Phys., 41, 4198 (2002)
S. Matsui et al., J. Vac. Sci. Technol. B, 21, 688 (2003)
S.Z.Chen et al., J. Vac. Sci. Technol. B, 24, 1934 (2006)

発明が解決しようとする課題

0005

本発明は、ナノインプリント成形によって微細パターンを好適に形成することができる転写材料を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段

0006

本発明者らは、上記課題に関し、鋭意検討を行った結果、有機ケイ素化合物金属化合物を混合した樹脂組成物を調製することで耐熱性を向上させた微細パターン転写材料が本発明の目的を達成できることを見出した。すなわち本発明は、以下の事項からなる。
[1]ナノインプリント成形に用いる転写材料において、有機ケイ素化合物と周期律表の3族から14族の金属化合物とを含有することを特徴とする、微細パターン転写材料。
[2]前記有機ケイ素化合物が、ポリシルセスキオキサン化合物であることを特徴とする、[1]に記載の微細パターン転写材料。
[3]前記金属化合物が、下記式(1)で表されることを特徴とする、[1]または[2]に記載の微細パターン転写材料。

0007

M(OR)n 式(1)
(式中、Mは周期律表第3族〜14族に属する金属元素、Rは炭素数1〜6のアルキル基もしくはフェニル基を示し、nは1〜5の整数を示す。)
[4]前記式(1)におけるMがNb、Ti、Ta、SbまたはHfであって、Rがメチル基エチル基プロピル基イソプロピル基n−ブチル基、sec−ブチル基またはtert−ブチル基であることを特徴とする、[3]に記載の微細パターン転写材料。
[5]前記有機ケイ素化合物がポリフェニルシルセスキオキサンまたはポリスチリルシルセスキオキサンであり、前記金属化合物がテトラエトキシチタンペンタエトキシタンタルペンタn−ブトキシタンタルまたはペンタエトキシタングステンであることを特徴とする、[1]〜[4]のいずれかに記載の微細パターン転写材料。

発明の効果

0008

本発明の微細パターン転写材料は、耐熱性に優れ、半導体製造プロセスおよび垂直磁気記録方式のパターンドメディア製造プロセスなどにおいて必要な微細なパターンを好適に形成することができる。

発明を実施するための最良の形態

0009

本発明の微細パターン転写材料について以下に具体的に説明する。
〔転写材料〕
本発明の微細パターン転写材料は、有機ケイ素化合物と金属化合物とを含有する。微細パターンは、基板上に塗布された本発明の転写材料に、あらかじめ微細パターンが刻み込まれた金型押しつけることによって転写される。

0010

<有機ケイ素化合物>
有機ケイ素化合物としては、シリコン樹脂およびポリシルセスキオキサン化合物を使用することができるが、特にポリシルセスキオキサンを使用することが好ましい。ここで、「ポリシルセスキオキサン」とは、三官能性シラン化合物加水分解することによって得られる、主鎖にシロキサン結合を有し、側鎖に水素原子または有機基を有するネットワーク型ポリマーまたは多面体クラスターのことをいう。

0011

ポリシルセスキオキサンの具体例としては、ポリ水素化シルセスキオキサン、ポリメチルシルセスキオキサン、ポリエチルシルセスキオキサンポリプピルシルセスキオキサン、ポリイイソプロピルシルセスキオキサン、ポリブチルシルセスキオキサン、ポリ−sec−ブチルシルセスキオキサン、ポリ−tert−ブチルシルセスキオキサン、ポリフェニルシルセスキオキサン、ポリナフチルシルセスキオキサン、ポリスチリルシルセスキオキサンおよびポリアダマンチルシルセスキオキサンなどが挙げられる。これらの中では、ポリ水素化シルセスキオキサン、ポリメチルシルセスキオキサン、ポリエチルシルセスキオキサン、ポリ−tert−ブチルシルセスキオキサン、ポリフェニルシルセスキオキサンおよびポリスチリルシルセスキオキサンが好ましく、ポリフェニルシルセスキオキサンおよびポリスチリルシルセスキオキサンが特に好ましい。

0012

ポリシルセスキオキサンは、たとえば、特開2002−88157号公報および特開2002−88245号公報に示されるような公知の方法により製造してもよいし、たとえば、小西化学工業(株)などにより市販されているものを使用してもよい。

0013

<金属化合物>
金属化合物としては、一般式M(OR)n(式中、Mは周期律表第3族〜14族に属す
る金属元素、Rは炭素数1〜5のアルキル基もしくはフェニル基を示し、nは1〜6の整数を示す。)で表される金属アルコキシド化合物を使用することができる。ここで、「金属元素」とは、3〜13族のすべての元素および14族のゲルマニウムおよび錫をいう。また、「周期律表」とは、IUPAC無機化学命名法改訂版(1989)による周期律表
をいう。

0014

金属化合物の具体例としては、トリメトキシアルミニウムトリエトキシアルミニウム、トリ−n−プロポキシアルミニウム、トリイソプロポキシアルミニウム、トリ−n−ブトキシアルミニウム、トリイソブトキシアルミニウム、トリ−sec−ブトキシアルミニウム、トリ−tert−ブトキシアルミニウム、トリエトキシ砒素、トリメトキシボロン、トリエトキシボロン、トリイソプロポキシボロン、トリ−n−プロポキシボロン、トリイソプロポキシビスマス、トリエトキシビスマス、トリ−tert−アミロキシビスマス、トリフェニルビスマス、ジイソプロポキシコバルト、トリイソプロポキシジスプロシウム、トリイソプロポキシエルビウム、トリイソプロポキシユーロピウム、トリエトキシ鉄、トリイソプロポキシ鉄、トリメトキシガリウム、トリイソプロポキシガリウム、トリ−n−プロポキシガリウム、トリ−n−プロポキシガドリニウムテトラメトキシゲルマニウム、テトラエトキシゲルマニウム、テトライソプロポキシゲルマニウム、テトラノルマルプロポキシゲルマニウム、テトライソブトキシゲルマニウム、テトラ−n−ブトキシゲルマニウム、テトラ−sec−ブトキシゲルマニウム、テトラ−tert−ブトキシゲルマニウム、テトラメトキシハフニウム、テトラエトキシハフニウム、テトライソイソプロポキシハフニウム、テトラ−tert−ブトキシハフニウム、トリイソプロポキシインジウム、トリエトキシランタン、トリイソプロポキシランタン、ジ−n−ブトキシマンガン、ペンタエトキシモリブデン、ペンタメトキシニオブペンタエトキシニオブ、ペンタイソプロポキシニオブ、ペンタ−n−プロポキシニオブ、ペンタイソブトキシニオブ、ペンタ−n−ブトキシニオブ、ペンタ−sec−ブトキシニオブ、トリイソプロポキシネオジム、ジイソプロポキシ鉛、トリイソプロポキシプラセオジム、トリメトキシアンチモン、トリエトキシアンチモン、トリイソプロポキシアンチモン、トリ−n−プロポキシアンチモン、トリイソブトキシアンチモン、トリ−n−ブトキシアンチモン、トリイソプロポキシスカンジウム、トリイソプロポキシサマリウム、テトラエトキシ錫、テトライソプロポキシ錫、テトラ−n−ブトキシ錫、

0015

ペンタメトキシタンタル、ペンタエトキシタンタル、ペンタイソプロポキシタンタル、ペンタn−プロポキシタンタル、ペンタイソブトキシタンタル、ペンタ−n−ブトキシタンタル、ペンタ−sec−ブトキシタンタル、ペンタ−tert−ブトキシタンタル、テトラメトキシチタン、テトラエトキシチタン、テトライソプロポキシチタン、テトラn−プロポキシチタン、テトライソブトキシチタン、テトラ−n−ブトキシチタン、テトラ−sec−ブトキシチタン、テトラ−tert−ブトキシチタン、ペンタエトキシタングステン、ペンタイソプロポキシタングステン、トリエトキシイットリウム、トリイソプロポキシイットリウム、トリイソプロポキシイッテルビウムジエトキシ亜鉛、テトラメトキシジルコニウム、テトラエトキシジルコニウム、テトライソプロポキシジルコニウム、テトラn−プロポキシジルコニウム、テトライソブトキシジルコニウム、テトラ−n−ブトキシジルコニウムおよびテトラ−sec−ブトキシジルコニウム、テトラ−tert−ブトキシジルコニウムを挙げることができる。この中でも、トリエトキシ砒素、トリメトキシボロン、トリエトキシボロン、トリイソプロポキシボロン、トリ−n−プロポキシボロン、テトラメトキシゲルマニウム、テトラエトキシゲルマニウム、テトライソプロポキシゲルマニウム、テトラ−n−プロポキシゲルマニウム、テトライソブトキシゲルマニウム、テトラ−n−ブトキシゲルマニウム、テトラ−sec−ブトキシゲルマニウム、テトラ−tert−ブトキシゲルマニウム、テトラ−tert−ブトキシハフニウム、ペンタエトキシモリブデン、ペンタエトキシニオブ、ペンタ−n−プロポキシニオブ、ペンタ−n−ブトキシニオブ、ペンタ−sec−ブトキシニオブ、トリエトキシアンチモン、トリイソプロポキシアンチモン、トリ−n−プロポキシアンチモン、トリイソブトキシアンチモン、トリ−n−ブトキシアンチモン、ペンタメトキシタンタル、ペンタエトキシタンタル、ペンタイソプロポキシタンタル、ペンタn−プロポキシタンタル、ペンタイソブトキシタンタル、ペンタ−n−ブトキシタンタル、ペンタ−sec−ブトキシタンタル、ペンタ
−tert−ブトキシタンタル、テトラメトキシチタン、テトラエトキシチタン、テトライソプロポキシチタン、テトラ−n−プロポキシチタン、テトライソブトキシチタン、テトラ−n−ブトキシチタン、テトラ−sec−ブトキシチタン、テトラ−tert−ブトキシチタン、ペンタエトキシタングステンおよびペンタイソプロポキシタングステンが好ましく、テトラ−tert−ブトキシハフニウム、ペンタエトキシニオブ、ペンタ−n−プロポキシニオブ、ペンタ−n−ブトキシニオブ、ペンタ−sec−ブトキシニオブ、トリエトキシアンチモン、トリイソプロポキシアンチモン、トリ−n−プロポキシアンチモン、トリイソブトキシアンチモン、トリ−n−ブトキシアンチモン、ペンタメトキシタンタル、ペンタエトキシタンタル、ペンタイソプロポキシタンタル、ペンタ−n−プロポキシタンタル、ペンタイソブトキシタンタル、ペンタ−n−ブトキシタンタル、ペンタ−sec−ブトキシタンタル、ペンタ−tert−ブトキシタンタル、テトラメトキシチタン、テトラエトキシチタン、テトライソプロポキシチタン、テトラ−n−プロポキシチタン、テトライソブトキシチタン、テトラ−n−ブトキシチタン、テトラ−sec−ブトキシチタン、テトラ−tert−ブトキシチタン、ペンタエトキシタングステンおよびペンタイソプロポキシタングステンが特に好ましい。

0016

調製方法
本発明の微細パターン転写材料は、ポリシルセスキオキサンおよび金属アルコキシドを含有する樹脂組成物からなる。前記樹脂組成物の調整方法としては、両者を直接混合させる方法、あるいは、ポリシルセスキオキサンおよび金属アルコキシドの溶液をあらかじめ調製した後、混合する方法が挙げられる。

0017

溶媒の具体例としては、
ベンゼントルエンおよびキシレンなどの芳香族炭化水素類
塩化メチレンおよびクロロホルムなどのハロゲン化炭化水素類;
テトラヒドロフランジエチルエーテルおよびジエチレングリコールジメチルエーテルなどのエーテル類
アセトンメチルエチルケトン、3,5,5−トリメチル−2−シクロヘキセン−1−オンおよびメチルイソブチルケトンなどのケトン類
酢酸メチル酢酸エチル酢酸イソプロピル酢酸n−プロピル酢酸ブチルエチレングリコールモノメチルエーテルアセテートプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート酢酸3−メトキシブチル、
エチレングリコールモノブチルエーテルアセテートジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートおよびジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテートなどのエステル類
ジメチルスルホキシドおよびN−メチルピロリドンなどの極性有機溶媒
メタノールエタノールおよびイソプロパノールなどのアルコール類
プロピレングリコールモノメチルエーテルエチレングリコールモノエチルエーテル、3−メトキシブタノールジエチレングリコールモノエチルエーテルおよびジエチレングリコールモノブチルエーテルなどのエーテルアルコール類を挙げることができる。これらは1種単独で用いてもよく、また2種以上を組み合わせて用いてもよい。

0018

本発明の微細パターン転写材料としては、ポリシルセスキオキサンを100重量部とすると、金属アルコキシドを対応する金属の酸化物の重量へ換算した際の重量は、好ましくは、0.1〜300重量部、好ましくは5〜200重量部、特に好ましくは10〜100重量部となるように混合して用いる。

0019

上記範囲内では形成される微細パターンが安定するため好ましい。
〔基板〕
微細パターン転写材料を塗布する基板としては、シリコン基板アルミ基板ガラス基板スパッタ法などによりメタル層または炭素層を表面に形成させた基板およびガラス基板製ハードディスクメディアの他、ポリアミド樹脂フィルムポリイミド樹脂フィルムポリエチレンテレフタレート樹脂フィルムポリエチレンテレナフタレート樹脂フィルムおよびシリコン樹脂フィルムを用いることができる。

0020

〔塗布〕
微細パターン転写材料の基板への塗布は大気中で実施してもよいし、窒素ガスヘリウムガスおよびアルゴンガスなどの不活性ガス雰囲気下で実施することもできる。その際、−10℃〜200℃の範囲の温度下で実施することができる。

0021

微細パターン転写材料の基板への塗布は太陽光の下で実施してもよいし、蛍光灯下もしくはUVカット蛍光灯下で実施してもよい。
微細パターン転写材料の基板への塗布方法としては、インクジェットプリンタなどの印刷機を用いて基板上へ印刷する方法、基板上に転写材料を直接滴下もしくは噴霧する方法、あるいは、基板を転写材料溶液に浸漬させた後、静置するか、または、浸漬後、100rpm〜10000rpmの回転速度、好ましくは100rpm〜6000rpmの回転速度で基板を回転させて基板全面に均一な転写材料の膜を塗布する方法が挙げられる。その際、回転速度は任意の段数であってよく、多段的に変化させることもできる。また、転写材料は基板両面に塗布してもよいし、必要に応じて片面にだけ塗布することもできる。

0022

塗布する膜厚は、ナノインプリント成形に用いるスタンパの形状などに応じて、0.01nmから10μmまでの任意の厚みに塗布することができる。最適な膜厚は、塗布工程の条件を検討して決定してもよいし、ナノインプリント成形時の転写材料の挙動有限要素法などのシミュレーション方法を用いて決定することもできる。ここで、「ナノインプリント成形」とは、金型に刻み込んだ凹凸線幅寸法が数十nm〜数百nmのパターンを基板上に塗布した樹脂材料に押しつけて転写する技術をいう。

0023

転写材料を塗布した後の基板は、直接ナノインプリント成形による微細パターン製造の工程へと進んでもよいし、必要に応じて、真空下、あるいは、空気、酸素ガス水素ガス、窒素ガス、ハロゲンガスハロゲン化炭化水素ガス炭化水素ガス芳香族系有機化合物ガス、ヘリウムガスまたはアルゴンガスなどのガス気流下に放置して乾燥および前処理などを行ってから、ナノインプリント成形による微細パターン製造の工程へと進んでもよい。その際、−10℃〜300℃までの任意の温度下で行うことができる。

0024

〔微細パターンの製造〕
ナノインプリント成形による微細パターンの製造は、大気中で行ってもよいし、真空下、あるいは、窒素ガス、ヘリウムガスおよびアルゴンガスなどの不活性ガス雰囲気下で行ってもよい。その際、−10℃〜300℃までの任意の温度下で行うことができる。ナノインプリント成形による微細パターンの製造は、太陽光の下で行ってもよいし、蛍光灯または紫外波長を除外した蛍光灯の下で行ってもよい。

0025

ナノインプリント成形によって形成される微細パターンの線幅は、10μm以下である。
ナノインプリント成形により微細パターンを製造した後の基板は、そのまま次の工程で用いてもよいし、必要に応じて、低圧水銀灯または高圧水銀灯照射下、紫外LED光の下で真空下、あるいは空気、酸素ガス、水素ガス、窒素ガス、ハロゲンガス、ハロゲン化炭化水素ガス、炭化水素ガス、芳香族系有機化合物ガス、ヘリウムガスまたはアルゴンガスなどのガス気流下に放置して乾燥および前処理などを行ってから、次の工程へと進んでもよい。その際、−10℃〜300℃までの任意の温度下で行うことができる。

0026

微細パターンの製造に用いられる金型(モールド)の素材としては、タンタル、ニッケル、タングステン、シリコンおよびガラス製のものが挙げられる。基板に塗布された転写材料に金型を押しつける際の圧力は、50MPa〜250MPa、好ましくは100MPa〜200MPaである。

0027

〔実施例〕
以下、実施例を用いて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。

0028

ポリフェニルシルセスキオキサン(商品名:PPSQ−T、小西化学工業(株)社製)0.5gをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート9.5gに溶解させた。その溶液5gに室温下、窒素ボックス内で、ペンタエトキシタンタル0.32gを滴下し、容器を震盪させて混合した。その容器を窒素ボックス内に48時間放置した後、得られた無色透明の溶液を細孔径0.2μmのフィルター濾過すると樹脂組成物(以下、「微細パターン転写材料(a)」という。)溶液が得られた。その溶液0.5mlをスピンコーター内にセットされたガラス基板製ハードディスクメディア上に滴下し、500rpmで10秒間回転させ、次いで3000rpmで2秒間、さらに5000rpmで20秒間回転させることによって、ハードディスクメディアの片面に微細パターン転写材料(a)の薄膜を形成させた。形成された薄膜をプレス機を使ってNi製金型に押しつけることによって(118MPa)、ハードディスクメディア上に微細パターン転写材料(a)による微細パターンを形成させた。ハードディスクメディアを破断し、断面を電界放射型電子顕微鏡を用いて観測したところ、図1に示したように微細パターン転写材料(a)による微細パターンが形成されていることが分かった。また、微細パターン転写材料(a)による微細パターンが形成されたハードディスクメディアを250℃で1時間熱処理した後、断面を観察したところ、図2に示したように形成された微細パターンがそのまま残っていることが分かった。

0029

なお、図はライン幅120nmおよびスペース幅60nmの金型を用いた場合の写真である。「ライン幅」とは、転写されてできた凹凸の凸部の線幅、「スペース幅」とは、転写されてできた凹凸の凹部の線幅をいう。

0030

実施例1と同様の方法で、ハードディスクメディア上に微細パターン転写材料(a)の薄膜を形成させた。そのハードディスクメディアを160℃で1時間熱処理した後、室温下、薄膜をプレス機を使ってNi製金型に押しつけることによって(118MPa)、ハードディスクメディア上に微細パターン転写材料(a)による微細パターンを形成させた。ハードディスクメディアを破断し、断面を観察したところ、図3に示したように微細パターンが形成されていることが分かった。また、微細パターン転写材料(a)による微細パターンが形成されたハードディスクメディアをさらに250℃で1時間熱処理した後、断面を観察したところ、図4に示したように形成された微細パターンは高温の熱処理後もそのまま残っていることが分かった。

0031

ペンタエトキシタンタル0.14gを用いた以外は、実施例1および実施例2と同様にして、微細パターン転写材料(b)の溶液を調製し、微細パターンの形成および観察を行った。結果を表1に示す。

0032

ペンタエトキシタンタル0.23gを用いた以外は、実施例1および実施例2と同様にして、微細パターン転写材料(c)の溶液を調製し、微細パターンの形成および観察を行った。結果を表1に示す。

0033

ペンタエトキシタンタル0.46gを用いた以外は、実施例1および実施例2と同様にして、微細パターン転写材料(d)の溶液を調製し、微細パターンの形成および観察を行った。結果を表1に示す。

0034

ペンタn−ブトキシタンタル0.12gを用いた以外は、実施例1および実施例2と同様にして、微細パターン転写材料(e)の溶液を調製し、微細パターンの形成および観察を行った。結果を表1に示す。

0035

ペンタエトキシタングステン0.09gを用いた以外は、実施例1および実施例2と同様にして、微細パターン転写材料(f)の溶液を調製し、微細パターンの形成および観察を行った。結果を表1に示す。

0036

ペンタエトキシタングステン0.15gを用いた以外は、実施例1および実施例2と同様にして、微細パターン転写材料(g)の溶液を調製し、微細パターンの形成および観察を行った。結果を表1に示す。

0037

ペンタエトキシタングステン0.20gを用いた以外は、実施例1および実施例2と同様にして、微細パターン転写材料(h)の溶液を調製し、微細パターンの形成および観察を行った。結果を表1に示す。

0038

[比較例1]
ポリフェニルシルセスキオキサン(商品名:PPSQ−T、小西化学工業(株)社製)0.5gをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート9.5gに溶解させた。その溶液(以下、「微細パターン転写材料(i)」という。)0.5mlをスピンコーター内にセットされたガラス基板製ハードディスクメディア上に滴下し、その後500rpmで10秒間回転、次いで3000rpmで2秒間、さらに5000rpmで20秒間回転させることによって、ハードディスクメディア上に樹脂組成物(i)の薄膜を形成させた。形成された薄膜をプレス機を使ってNi製金型に押しつけることによって(118MPa)、ハードディスクメディア上に微細パターン転写材料(i)による微細パターンを形成させた。ハードディスクメディアを破断し、断面を電界放射型電子顕微鏡を用いて観測したところ、微細パターン転写材料(i)による微細パターンが形成されていることが分かった。しかし、250℃で1時間熱処理した後、断面を観察したところ、形成された微細パターンは熱処理によって消失していた。結果を表1に示す。

0039

[比較例2]
比較例1と同様にして、ハードディスクメディア上に微細パターン転写材料(i)の薄膜を形成させた。そのハードディスクメディアを160℃で1時間熱処理した後に、室温
下、形成された薄膜をプレス機を使ってNi製金型に押しつけることによって(118MPa)、ハードディスクメディア上に微細パターンを形成させた。断面を電界放射型電子顕微鏡を用いて観測したところ、微細パターンが形成されていることが分かった。しかし、250℃で1時間熱処理した後に同様にして断面を観察したところ、形成された微細パ
ターンは熱処理によって消失していた。結果を表1に示す。

0040

0041

○微細パターンの形成が確認された
× 形成された微細パターンが消失していた

0042

本発明の微細パターン転写材料は、耐熱性が大幅に向上しており、ナノインプリント成形される基板上の微細パターン形状を安定に保つことができることから、半導体製造プロセスおよび垂直磁気記録方式のパターンドメディア製造プロセスなどに幅広く利用できる。

図面の簡単な説明

0043

実施例1の微細パターン転写材料(a)で形成された微細パターンを示す写真である。
実施例1の微細パターン転写材料(a)で形成された微細パターンをさらに熱処理した後の写真である。
実施例2の熱処理した微細パターン転写材料(a)で形成された微細パターンを示す写真である。
実施例2の熱処理した微細パターン転写材料(a)で形成された微細パターンをさらに熱処理した後の写真である。

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