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課題

ノズルおよび該ノズルに接続された処理液導入部残留する処理液をガスによって押し出す際に、該処理液を安定して押し出すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。

解決手段

押出処理が停止され、薬液処理が実行される間、上流側バルブV1と下流側バルブV2は閉じられ、上流側バルブV1および下流側バルブV2とに挟まれたバルブ間領域VR大気圧P0に調整されている。そして、薬液処理後薬液押出処理を開始するために上流側バルブV1の開放に先立って下流側バルブV2が開かれる。この時点では、残留薬液にかかる圧力は大気圧P0となっているため、残留薬液が押し出されることがない。このため、いきなり元圧力P1で残留薬液が押し出されるのを防止することができる。

概要

背景

従来、この種の基板処理装置として、ノズルから基板に向けて薬液リンス液などの処理液吐出することで基板に対して所定の湿式処理(薬液による薬液処理およびリンス液によるリンス処理)を施す装置がある(特許文献1参照)。この特許文献1に記載の装置では、その一方端がノズルに接続された処理液配管(処理液導入部)を介してノズルに薬液を導入してノズルから薬液を吐出させた後、処理液配管を介してノズルにリンス液を導入してノズルからリンス液を吐出させている。そのため、薬液処理後には、処理液配管およびノズルに薬液が残留することになる(以下、処理液配管およびノズルに残留した薬液を「残留薬液」という)。そして、このような残留薬液はリンス処理時に処理液配管にリンス液が導入されることでノズルから排出されることになる。そのため、残留薬液はリンス液とともに廃棄されることとなることから、薬液の消費量が多くなっていた。

そこで、この従来装置では、薬液処理後に残留薬液を回収して再利用するため、処理液配管の他方端に設けられた流体導入部を介して処理液配管に窒素ガスを導入している。具体的には、流体導入部は、ミキシングバルブ(処理液導入部)を介して窒素ガス配管ガス配管)の一方端に接続され、窒素ガス配管の他方端は窒素ガスを供給する窒素ガス供給源が接続されている。窒素ガス配管にはバルブ下流側バルブ)が介挿され、バルブを開くことにより、窒素ガス供給源からの窒素ガスをミキシングバルブを介して処理液配管に導入している。これによって、残留薬液が窒素ガスにより押し出され、残留薬液が処理液配管およびノズルから完全に排出される。

また、この従来装置では、窒素ガス配管には、下流側バルブよりも上流側の位置にバルブ(上流側バルブ)が介挿されるとともに、下流側バルブに向けて流れる窒素ガスの圧力を制御するために上流側バルブと下流側バルブとの間にニードルバルブ調整機構)が介挿されている。

特開2005−302746号公報(第13頁、第18頁、図3)

概要

ノズルおよび該ノズルに接続された処理液導入部に残留する処理液をガスによって押し出す際に、該処理液を安定して押し出すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。押出処理が停止され、薬液処理が実行される間、上流側バルブV1と下流側バルブV2は閉じられ、上流側バルブV1および下流側バルブV2とに挟まれたバルブ間領域VR大気圧P0に調整されている。そして、薬液処理後、薬液押出処理を開始するために上流側バルブV1の開放に先立って下流側バルブV2が開かれる。この時点では、残留薬液にかかる圧力は大気圧P0となっているため、残留薬液が押し出されることがない。このため、いきなり元圧力P1で残留薬液が押し出されるのを防止することができる。

目的

この発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、ノズルおよび該ノズルに接続された処理液導入部に残留する処理液をガスによって押し出す際に、該処理液を安定して押し出すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。

効果

実績

技術文献被引用数
0件
牽制数
1件

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請求項1

ノズルから基板に向けて第1処理液吐出することで前記基板に対して前記第1処理液による湿式処理を施す基板処理装置において、前記ノズルに接続され、前記第1処理液を前記ノズルに導くことで前記第1処理液を前記ノズルから吐出させる処理液導入部と、その一方端が前記処理液導入部に接続され、その他方端から第1圧力で圧送されるガスを前記処理液導入部に導くガス配管と、前記ガス配管に介挿されて前記処理液導入部に向けてのガス導入およびガス導入停止を切り替え上流側バルブと、前記処理液導入部と前記上流側バルブとの間で前記ガス配管に介挿されて前記処理液導入部に向けてのガス導入およびガス導入停止を切り替える下流側バルブと、前記上流側バルブと前記下流側バルブとの間で前記ガス配管に介挿されて前記下流側バルブに向けて流れるガスの圧力を前記第1圧力よりも低く、かつ大気圧よりも高い第2圧力に調整する調整機構と、前記上流側および下流側バルブの開閉を制御して前記湿式処理後に前記調整機構により前記第2圧力に調整されたガスを前記処理液導入部に送り込んで前記処理液導入部および前記ノズルに残留する前記第1処理液を前記ノズルから押し出す押出処理を実行する制御手段とを備え、前記制御手段は、前記押出処理を停止している間、前記上流側および下流側バルブを閉じて前記処理液導入部へのガス供給を停止するとともに前記上流側バルブと前記下流側バルブとに挟まれたバルブ間領域の圧力を前記第1圧力よりも低い圧力に調整し、しかも、前記湿式処理後に前記下流側バルブおよび前記上流側バルブの順序で開いて前記押出処理を実行することを特徴とする基板処理装置。

請求項2

前記制御手段は、前記押出処理を停止している間、前記バルブ間領域の圧力を大気圧以上に調整する請求項1記載の基板処理装置。

請求項3

前記制御手段は、前記押出処理後に前記上流側バルブを閉じ、さらに前記バルブ間領域の圧力が大気圧になるのを待って前記下流側バルブを閉じる請求項2記載の基板処理装置。

請求項4

前記処理液導入部に前記第1処理液を供給する第1処理液供給源をさらに備え、前記第1処理液供給源から供給される前記第1処理液を所定の流量で前記ノズルに供給して前記湿式処理を実行する請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記調整機構は、前記押出処理時に前記ノズルから押し出される前記第1処理液の流量が前記湿式処理時における前記第1処理液の流量と同等になるように前記下流側バルブに流れるガス流を調整し、前記処理液導入部は前記押出処理により前記処理液導入部および前記ノズルから押し出される前記第1処理液を前記基板に向けて吐出させる基板処理装置。

請求項5

前記押出処理後に前記制御手段により前記上流側バルブおよび下流側バルブが閉じられてから、前記処理液導入部は前記第1処理液と異なる第2処理液を前記ノズルに導くことで前記第2処理液を前記ノズルから吐出させる請求項1ないし4のいずれかに記載の基板処理装置。

請求項6

前記第1処理液が薬液である請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記押出処理の実行により前記ノズルから押し出された前記第1処理液を回収する回収手段をさらに備え、前記回収手段によって回収された前記第1処理液を再利用する基板処理装置。

請求項7

ノズルと、第1処理液を前記ノズルに導くことで前記第1処理液を前記ノズルから基板に向けて吐出させる処理液導入部と、その一方端が前記処理液導入部に接続される一方その他方端から第1圧力で圧送されるガスを前記処理液導入部に導くガス配管と、前記ガス配管に介挿されて前記処理液導入部に向けてのガス導入およびガス導入停止を切り替える上流側バルブと、前記処理液導入部と前記上流側バルブとの間で前記ガス配管に介挿されて前記処理液導入部に向けてのガス導入およびガス導入停止を切り替える下流側バルブと、前記上流側バルブと前記下流側バルブとの間で前記ガス配管に介挿されて前記下流側バルブに向けて流れるガスの圧力を前記第1圧力よりも低くかつ大気圧よりも高い第2圧力に調整する調整機構とを備えた基板処理装置を用いて、前記基板に対して前記第1処理液による湿式処理工程を実行する基板処理方法であって、前記湿式処理工程後に、前記調整機構によって前記第2圧力に調整されたガスを前記処理液導入部に送り込んで前記処理液導入部および前記ノズルに残留する前記第1処理液を前記ノズルから押し出す押出処理を行う工程をさらに備え、前記押出処理工程の実行を停止している間、前記上流側および下流側バルブを閉じて前記処理液導入部へのガス供給を停止するとともに前記上流側バルブと前記下流側バルブとに挟まれたバルブ間領域の圧力を前記第1圧力よりも低い圧力に調整し、しかも、前記湿式処理工程後に前記押出処理工程を実行する際には前記下流側バルブおよび前記上流側バルブの順序で開くことを特徴とする基板処理方法。

技術分野

0001

この発明は、半導体ウエハフォトマスク用ガラス基板液晶表示用ガラス基板プラズマ表示ガラス基板、FED(Field Emission Display)用基板光ディスク用基板磁気ディスク用基板光磁気ディスク用基板などの各種基板(以下、単に「基板」という)に処理液を供給して基板に対して湿式処理を施す基板処理装置および基板処理方法に関するものである。

背景技術

0002

従来、この種の基板処理装置として、ノズルから基板に向けて薬液リンス液などの処理液を吐出することで基板に対して所定の湿式処理(薬液による薬液処理およびリンス液によるリンス処理)を施す装置がある(特許文献1参照)。この特許文献1に記載の装置では、その一方端がノズルに接続された処理液配管(処理液導入部)を介してノズルに薬液を導入してノズルから薬液を吐出させた後、処理液配管を介してノズルにリンス液を導入してノズルからリンス液を吐出させている。そのため、薬液処理後には、処理液配管およびノズルに薬液が残留することになる(以下、処理液配管およびノズルに残留した薬液を「残留薬液」という)。そして、このような残留薬液はリンス処理時に処理液配管にリンス液が導入されることでノズルから排出されることになる。そのため、残留薬液はリンス液とともに廃棄されることとなることから、薬液の消費量が多くなっていた。

0003

そこで、この従来装置では、薬液処理後に残留薬液を回収して再利用するため、処理液配管の他方端に設けられた流体導入部を介して処理液配管に窒素ガスを導入している。具体的には、流体導入部は、ミキシングバルブ(処理液導入部)を介して窒素ガス配管ガス配管)の一方端に接続され、窒素ガス配管の他方端は窒素ガスを供給する窒素ガス供給源が接続されている。窒素ガス配管にはバルブ下流側バルブ)が介挿され、バルブを開くことにより、窒素ガス供給源からの窒素ガスをミキシングバルブを介して処理液配管に導入している。これによって、残留薬液が窒素ガスにより押し出され、残留薬液が処理液配管およびノズルから完全に排出される。

0004

また、この従来装置では、窒素ガス配管には、下流側バルブよりも上流側の位置にバルブ(上流側バルブ)が介挿されるとともに、下流側バルブに向けて流れる窒素ガスの圧力を制御するために上流側バルブと下流側バルブとの間にニードルバルブ調整機構)が介挿されている。

0005

特開2005−302746号公報(第13頁、第18頁、図3

発明が解決しようとする課題

0006

ところで、窒素ガスによる残留薬液の押し出しは、窒素ガスの圧力を所定圧力に設定した状態で行われることが望ましい。すなわち、窒素ガス供給源から供給される窒素ガスの元圧力(第1圧力)は、窒素ガスを窒素ガス供給源から所望の箇所に圧送するため、比較的高圧に設定されている。そのため、窒素ガス供給源から供給される窒素ガスの圧力を制限することなく、処理液配管に導入した場合には、残留薬液が高圧の窒素ガスによって押し出される。その結果、(1)ノズルから残留薬液が飛散して、飛散した薬液が基板に付着することによってパーティクル発生原因になることがあった。また、(2)残留薬液が高圧の窒素ガスにより押し出され基板に供給されると、残留薬液による基板の処理時間が変動してしまう。具体的には、残留薬液が高圧の窒素ガスによって押し出される結果、処理液配管およびノズルを流通する薬液の流速が速くなってしまう。このため、このように流速が速くなった状態で残留薬液が基板に供給されると、押し出された残留薬液による基板の処理時間が極端に短くなることがあった。その結果、所望の処理時間で残留薬液による基板処理を実行することが困難になっていた。さらに、(3)ノズルから吐出された窒素ガスが基板に勢い良く吹き付けられることによって、基板の一部(窒素ガスの供給部位)が乾燥してしまう。その結果、乾燥した基板の表面領域にパーティクルが付着することがあった。

0007

従来装置によれば、窒素ガス配管には上流側バルブと下流側バルブとの間にニードルバルブが介挿されている。このため、ニードルバルブによって窒素ガス供給源から供給される窒素ガスの元圧力を調整して処理液配管に送り込むことが可能となっている。すなわち、上流側バルブと下流側バルブとを開き、窒素ガスを処理液配管に送り込んで残留薬液の押し出しを実行する途上では、ニードルバルブと下流側バルブとに挟まれた領域(以下「下流側領域」という)に流入する窒素ガスの圧力を元圧力よりも低い圧力に制御された制御圧(第2圧力)に調整することができる。

0008

その一方で、残留薬液を押し出す際に、上流側バルブおよび下流側バルブを開くタイミングによっては、次のような問題が発生する場合があった。すなわち、下流側バルブを閉じた状態で上流側バルブを開いた場合には、ニードルバルブを介して窒素ガス供給源から供給される窒素ガスが下流側領域に流入し、下流側領域の圧力が制御圧よりも高圧の元圧力にまで上昇してしまう。このため、下流側バルブを開いて残留薬液を押し出す際に、いきなり高圧の元圧力で残留薬液が押し出されることになる。

0009

しかしながら、従来装置では、上流側バルブおよび下流側バルブの開閉タイミングについては全く考慮されておらず、残留薬液を押し出す際に、上記したようにいきなり高圧の元圧力で残留薬液が押し出されることがあり、残留薬液を安定して押し出すことができなかった。その結果、上記(1)〜(3)の課題が発生することがあった。なお、このような課題は、処理液配管およびノズルに残留する薬液に限らず、処理液配管およびノズルに残留するリンス液等のその他の処理液全般についても発生していた。

0010

この発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、ノズルおよび該ノズルに接続された処理液導入部に残留する処理液をガスによって押し出す際に、該処理液を安定して押し出すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段

0011

この発明は、ノズルから基板に向けて第1処理液を吐出することで基板に対して第1処理液による湿式処理を施す基板処理装置であって、上記目的を達成するため、ノズルに接続され、第1処理液をノズルに導くことで第1処理液をノズルから吐出させる処理液導入部と、その一方端が処理液導入部に接続され、その他方端から第1圧力で圧送されるガスを処理液導入部に導くガス配管と、ガス配管に介挿されて処理液導入部に向けてのガス導入およびガス導入停止を切り替える上流側バルブと、処理液導入部と上流側バルブとの間でガス配管に介挿されて処理液導入部に向けてのガス導入およびガス導入停止を切り替える下流側バルブと、上流側バルブと下流側バルブとの間でガス配管に介挿されて下流側バルブに向けて流れるガスの圧力を第1圧力よりも低く、かつ大気圧よりも高い第2圧力に調整する調整機構と、上流側および下流側バルブの開閉を制御して湿式処理後に調整機構により第2圧力に調整されたガスを処理液導入部に送り込んで処理液導入部およびノズルに残留する第1処理液をノズルから押し出す押出処理を実行する制御手段とを備え、制御手段は、押出処理を停止している間、上流側および下流側バルブを閉じて処理液導入部へのガス供給を停止するとともに上流側バルブと下流側バルブとに挟まれたバルブ間領域の圧力を第1圧力よりも低い圧力に調整し、しかも、湿式処理後に下流側バルブおよび上流側バルブの順序で開いて押出処理を実行することを特徴としている。

0012

また、この発明は、ノズルと、第1処理液をノズルに導くことで第1処理液をノズルから基板に向けて吐出させる処理液導入部と、その一方端が処理液導入部に接続される一方その他方端から第1圧力で圧送されるガスを処理液導入部に導くガス配管と、ガス配管に介挿されて処理液導入部に向けてのガス導入およびガス導入停止を切り替える上流側バルブと、処理液導入部と上流側バルブとの間でガス配管に介挿されて処理液導入部に向けてのガス導入およびガス導入停止を切り替える下流側バルブと、上流側バルブと下流側バルブとの間でガス配管に介挿されて下流側バルブに向けて流れるガスの圧力を第1圧力よりも低くかつ大気圧よりも高い第2圧力に調整する調整機構とを備えた基板処理装置を用いて、基板に対して第1処理液による湿式処理工程を実行する基板処理方法であって、上記目的を達成するため、湿式処理工程後に、調整機構によって第2圧力に調整されたガスを処理液導入部に送り込んで処理液導入部およびノズルに残留する第1処理液をノズルから押し出す押出処理を行う工程をさらに備え、押出処理工程の実行を停止している間、上流側および下流側バルブを閉じて処理液導入部へのガス供給を停止するとともに上流側バルブと下流側バルブとに挟まれたバルブ間領域の圧力を第1圧力よりも低い圧力に調整し、しかも、湿式処理工程後に押出処理工程を実行する際には下流側バルブおよび上流側バルブの順序で開くことを特徴としている。

0013

このように構成された発明では、基板に対して第1処理液による湿式処理が実行された後、次のようにして処理液導入部およびノズルに残留する第1処理液(以下「残留処理液」という)をノズルから押し出す押出処理が実行される。すなわち、押出処理を停止している間は上流側バルブおよび下流側バルブは閉じられ、上流側バルブと下流側バルブとに挟まれたバルブ間領域の圧力は、ガス配管の他方端から圧送されるガスの圧力(第1圧力)よりも低い圧力に調整されている。そして、押出処理を行うために下流側バルブを開くが、この時点では残留処理液にかかる圧力は第1圧力よりも低い圧力となっている。このため、いきなり第1圧力で残留処理液が押し出されるのを確実に防止することができる。そして、下流側バルブに続いて上流側バルブが開くが、その上流側バルブを介して第1圧力で圧送されているガスは調整機構によって第1圧力よりも低く、かつ大気圧よりも高い第2圧力に調整される。その結果、安定して押出処理を行うことができる。したがって、「発明が解決しようとする課題」の項で説明したような(1)〜(3)の課題を確実に解消することができる。

0014

ここで、押出処理を停止している間、バルブ間領域の圧力を大気圧以上に調整するのが好ましい。これにより、押出処理を停止している間、バルブ間領域の圧力は大気圧以上で、かつ第1圧力よりも低い値に調整されている。その結果、残留処理液に対する圧力は大気圧であるのに対し、バルブ間領域の圧力は大気圧以上となっている。したがって、押出処理を行うために下流側バルブを開いた時点では、常にバルブ間領域の圧力が残留処理液に印加されている圧力と同じ、あるいはそれ以上となっている。このため、残留処理液がバルブ間領域に流れ込むのを確実に防止することができる。

0015

また、押出処理後に上流側バルブを閉じ、さらにバルブ間領域の圧力が大気圧になるのを待って下流側バルブを閉じるのが好ましい。これにより、バルブ間領域の圧力を常に大気圧に調整することができ、安定した押出処理を行うことができる。

0016

また、処理液導入部に第1処理液を供給する第1処理液供給源をさらに備え、第1処理液供給源から供給される第1処理液を所定の流量でノズルに供給して湿式処理を実行する基板処理装置では、次のように構成するのが好ましい。すなわち、調整機構が、押出処理時にノズルから押し出される第1処理液の流量が湿式処理時における第1処理液の流量と同等になるように下流側バルブに流れるガス流を調整し、処理液導入部が押出処理により処理液導入部およびノズルから押し出される第1処理液を基板に向けて吐出させるように構成することができる。これにより、第1処理液供給源から供給される第1処理液によって湿式処理が実行される間は上流側バルブおよび下流側バルブが閉じられる。そして、湿式処理後に下流側バルブおよび上流側バルブの順序で開かれ押出処理が実行される。このとき、押出処理では、湿式処理時にノズルから吐出される第1処理液の流量と同等の流量でノズルから残留処理液(第1処理液)が安定して押し出され基板に供給される。したがって、湿式処理とそれに続く押出処理が実行される間、実質的には基板に対して第1処理液が同流量で連続的に供給されて第1処理液による基板処理が連続的に行われる。このため、湿式処理とそれに続く押出処理において基板を第1処理液により処理する際に、該基板処理を所望の処理時間で確実に実行することができる。

0017

また、押出処理後に制御手段により上流側バルブおよび下流側バルブが閉じられてから、処理液導入部は第1処理液と異なる第2処理液をノズルに導くことで第2処理液をノズルから吐出させてもよい。押出処理後には、処理液導入部およびノズルからは第1処理液がすべて排出されている。このため、押出処理後に上流側バルブおよび下流側バルブが閉じられてから第1処理液と異なる第2処理液が処理液導入部からノズルに導入されても、第2処理液に第1処理液が混入するのを防止することができる。

0018

また、第1処理液が薬液である基板処理装置においては、押出処理の実行によりノズルから押し出された薬液には、薬液以外の液体が混入していないことから、押し出された薬液を回収して再利用することにより、薬液の消費量を低減することができる。

発明の効果

0019

この発明によれば、押出処理を停止している間におけるバルブ間領域の圧力は、ガス配管の他方端から圧送されるガスの圧力(第1圧力)よりも低い圧力に調整されている。そして、押出処理を行うために下流側バルブを開くが、この時点では残留処理液にかかる圧力は第1圧力よりも低い圧力であり、いきなり第1圧力で残留処理液が押し出されるのを確実に防止することができる。そして、下流側バルブに続いて上流側バルブが開くが、その上流側バルブを介して第1圧力で圧送されているガスは調整機構によって第1圧力よりも低く、かつ大気圧よりも高い第2圧力に調整されているので、安定して押出処理を行うことができる。

発明を実施するための最良の形態

0020

図1は本発明にかかる基板処理装置の一実施形態を示す図である。また、図2図1の基板処理装置の主要な制御構成を示すブロック図である。この基板処理装置は、半導体ウエハ等の基板Wに対してエッチング液等の薬液による薬液処理およびDIW(=deionized water)等のリンス液によるリンス処理を実行した後に、基板Wを乾燥させる乾燥処理を実行する装置である。この実施形態では、薬液処理が本発明の「湿式処理」に相当する。この装置は、処理空間をその内部に有する処理チャンバー1を備え、処理チャンバー1内に基板Wを略水平姿勢に保持して回転させるスピンチャック2と、スピンチャック2に保持された基板Wの上面に薬液を供給する薬液ノズル3と、基板Wの上面にリンス液を供給するリンスノズル4とが設けられている。また、スピンチャック2の周囲には基板Wから飛散する薬液およびリンス液を受け取るためのスプラッシュガード5が設けられている。以下、薬液およびリンス液を総称する場合は「処理液」という。

0021

スピンチャック2は、回転支軸21がモータを含むチャック回転機構22の回転軸に連結されており、チャック回転機構22の駆動により鉛直軸回りに回転可能となっている。回転支軸21の上端部には、円盤状のスピンベース23が一体的に連結されている。したがって、装置全体を制御する制御ユニット8(本発明の「制御手段」に相当)からの動作指令に応じてチャック回転機構22を駆動させることによりスピンベース23が鉛直軸回りに回転する。

0022

スピンベース23の周縁付近には、基板Wの周縁部を把持するための複数個チャックピン24が立設されている。各チャックピン24は、基板Wの外周端面を押圧する押圧状態と、基板Wの外周端面から離れる解放状態との間を切り替え可能に構成されている。そして、スピンベース23に対して基板Wが受渡しされる際には、複数個のチャックピン24を解放状態とし、基板Wに対して薬液処理、リンス処理および乾燥処理を行う際には、複数個のチャックピン24を押圧状態とする。チャックピン24を押圧状態とすることによって、基板Wが略水平姿勢に保持される。

0023

また、回転支軸21は中空軸とされ、その内部には処理液配管25が挿通されている。処理液配管25の一方端(先端)には、本発明の「ノズル」として機能する下面処理ノズル6が接続されている。また、回転支軸21の内壁面と処理液配管25の外壁面の隙間は、円筒状のガス供給路26を形成している。このガス供給路26はバルブ27を介して窒素ガスを供給するガス供給源と接続されており、基板Wの下面とスピンベース23の対向面との間に形成される空間に窒素ガスを供給することができる。このようなガス供給源は例えば基板処理装置が設置された工場に工場側ユーティリティとして設けられる。なお、この実施形態では、ガス供給源から窒素ガスを供給しているが、空気や他の不活性ガスなどを吐出するように構成してもよい。

0024

処理液配管25の他方端はミキシングユニット31のアウトレットに接続されている。ミキシングユニット31は、薬液ポート311、リンス液ポート312および窒素ガスポート313の3つの入力ポートを有している。薬液ポート311にはバルブ32を介して薬液を供給する薬液供給源が接続されており、リンス液ポート312にはバルブ33を介してリンス液を供給するリンス液供給源が接続されている。また、窒素ガスポート313には、ガス配管7の一方端が接続されている。ガス配管7の他方端はガス供給源と接続され、ガス供給源から窒素ガスがミキシングユニット31に向けて圧送される。ガス供給源から圧送されるガスの元圧力(本発明の「第1圧力」に相当)は比較的高圧(例えば3kg/cm2)に設定されている。

0025

ガス配管7には、その上流側(他方端側)でガス供給源からミキシングユニット31に向けてのガスの導入およびガス導入停止を切り替える上流側バルブV1(開閉弁)が介挿されている。また、ガス配管7には、その下流側(一方端側)でミキシングユニット31に向けてのガスの導入およびガス導入停止を切り替える下流側バルブV2(開閉弁)がミキシングユニット31と上流側バルブV1との間に介挿されている。なお、バルブ27,32および33、上流側および下流側バルブV1,V2の開閉制御は、すべて制御ユニット8によって統括的に制御される。

0026

上流側バルブV1と下流側バルブV2との間にはガス供給源から下流側バルブV2に向けて流れる窒素ガスの圧力を調整するニードルバルブNVがガス配管7に介挿されている。このニードルバルブNVの開度を調整することによって、下流側バルブV2に向けて流れる窒素ガスの圧力を元圧力よりも低く、かつ大気圧よりも高い圧力に制御された制御圧(本発明の「第2圧力」に相当)に調整することができる。さらに、ニードルバルブNVと下流側バルブV2との間には流量計71がガス配管7に介挿されており、下流側バルブV2に向けて流れる窒素ガスの流量を計測可能となっている。このように、この実施形態では、ニードルバルブNVが本発明の「調整機構」として機能する。

0027

このような構成により、基板Wの下面に薬液処理を施す際には、制御ユニット8はバルブ33,上流側および下流側バルブV1,V2を閉じ、バルブ32を開くことにより、ミキシングユニット31に薬液が導入され、処理液配管25を介して下面処理ノズル6に導かれる。これによって、下面処理ノズル6から薬液が吐出され、基板Wの下面に薬液が供給される。また、基板Wの下面にリンス処理を施す際には、制御ユニット8はバルブ32,上流側および下流側バルブV1,V2を閉じ、バルブ33を開くことにより、ミキシングユニット31にリンス液が導入され、処理液配管25を介して下面処理ノズル6に導かれる。これによって、下面処理ノズル6からリンス液が吐出され、基板Wの下面にリンス液が供給される。さらに、制御ユニット8はバルブ32,33を閉じ、上流側および下流側バルブV1,V2を開くことにより、押出処理を実行することができる。すなわち、ミキシングユニット31に窒素ガスを送り込んでミキシングユニット31、処理液配管25および下面処理ノズル6に残留する処理液(残留処理液)を窒素ガスにより下面処理ノズル6から押し出すことができる。このように、この実施形態では、処理液配管25およびミキシングユニット31が本発明の「処理液導入部」として機能する。

0028

また、スピンチャック2の上方には、スピンチャック2に保持された基板Wの上面に薬液を供給するための薬液ノズル3と、基板Wの上面にリンス液を供給するためのリンスノズル4とが配置されている。薬液ノズル3からの薬液およびリンスノズル4からのリンス液は、薬液ノズル3およびリンスノズル4がスピンチャック2に対して固定的に配置されることによって、基板Wの上面に設定された一定の供給位置(例えば基板Wの回転中心付近)に供給されてもよい。また、薬液およびリンス液は、薬液ノズル3およびリンスノズル4がスピンチャック2の上方で一定範囲内を往復移動することによって、基板Wの上面における供給位置が基板Wの回転中心から周縁部に至る範囲内を往復移動(スキャン)するように供給されてもよい。

0029

スピンチャック2の周囲には受け部材41が設けられている。受け部材41には、円筒状の仕切壁41a,41bが立設されている。仕切壁41aはスピンチャック2の周囲を取り囲むように第1排液槽42を形成している。また、仕切壁41aと仕切壁41bの間は第2排液槽43を形成している。第1排液槽42、第2排液槽43は相互に異なるドレインに接続されている。この実施形態では、第1排液槽42が廃棄ドレインに接続され、使用済のリンス液を廃棄ドレインに導く。また、第2排液槽43が廃棄ドレインに接続され、使用済の薬液を回収ドレインに導くことが可能となっている。回収ドレインに導かれた薬液は再利用される。

0030

また、各排液槽42,43の上方にはスプラッシュガード5が設けられている。スプラッシュガード5はスピンチャック2の回転軸(鉛直軸)に対して略回転対称な形状を有しており、スピンチャック2の回転軸に対して昇降自在に設けられている。スプラッシュガード5の上端部の内面には、断面く字状の案内溝5aが環状に形成されている。また、ガード5の下端部の内面には、外側下方に傾斜する傾斜面からなる傾斜案内部5bが形成されている。傾斜案内部5bの上端付近には、受け部材41の仕切壁41aを受け入れるための仕切壁収容溝5cが形成されている。

0031

スプラッシュガード5は、ガード昇降機構51と接続され、制御ユニット8からの動作指令に応じてガード昇降機構51を作動させることで、スプラッシュガード5をスピンチャック2に対して昇降させることが可能となっている。この実施形態では、薬液供給時に傾斜案内部5bがスピンチャック2に保持された基板Wの外周端面に対向する回収位置図1に示す位置)にスプラッシュガード5を位置させる。これにより、回転する基板Wから飛散する薬液が傾斜案内部5bで受け止められ、第2排液槽43に回収される。また、リンス液供給時に案内溝5aがスピンチャック2に保持された基板Wの外周端面に対向する廃棄位置にスプラッシュガード5を位置させる。これにより、回転する基板Wから飛散するリンス液が案内溝5aで受け止められ、第1排液槽42に回収される。

0032

次に、上記のように構成された基板処理装置の動作について図3ないし図5を参照しつつ詳述する。図3図1の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。この装置では、未処理の基板Wが処理チャンバー1内に搬入されると、制御ユニット8が装置各部を制御して、薬液処理、薬液押出処理、リンス処理、リンス液押出処理および乾燥処理を実行する(ステップS1)。なお、このような一連の処理を行うためのプログラムレシピ)は、制御ユニット8に設けられたメモリ(記憶手段)8a(図2)に格納されている。また、全てのバルブ27,32,33,V1,V2は閉じられている。

0033

スピンチャック2に未処理の基板Wが保持されると、制御ユニット8はガード昇降機構51を駆動してスプラッシュガード5を回収位置に配置する(ステップS2)。また、制御ユニット8はチャック回転機構22を駆動させてスピンチャック2を回転させる。そして、基板Wに対して薬液処理を実行する。先ず、制御ユニット8はバルブ32を開いて所定量の薬液を薬液供給源からミキシングユニット31に導入する。これによって、下面処理ノズル6から回転駆動する基板Wの下面に向けて薬液が吐出される。また、薬液ノズル3から基板Wの上面に向けて薬液が吐出される。吐出された薬液は、基板Wの下面および上面に供給され、基板Wの下面および上面が薬液により処理される(ステップS3;薬液処理工程)。回転駆動する基板Wから側方振り切られた薬液は、スプラッシュガード5を介して第2排液槽43に回収され、回収ドレインを経て再利用される。つまり、後述するように薬液が導入される前のミキシングユニット31、処理液配管25および下面処理ノズル6には、リンス液などの他の液体が存在していないことから、第2排液槽43に回収される薬液にリンス液などの他の液体が混入するのを防止することができる。その結果、薬液を再利用することができる。

0034

そして、所定の薬液処理時間が経過すると、バルブ32が閉じられ、ミキシングユニット31への薬液の導入が停止され、基板Wの下面への薬液の供給が停止される。また、基板Wの上面への薬液の供給が停止される。このとき、ミキシングユニット31、処理液配管25および下面処理ノズル6には薬液が残留する。ここで、このように残留した薬液(残留薬液)を下面処理ノズル6から押し出すことなく放置した場合には、薬液処理に続くリンス処理を実行する際にリンス液とともに残留薬液が下面処理ノズル6から吐出されることとなる。そして、吐出された残留薬液にはリンス液が混入しているため、再利用することができず、廃棄される。したがって、薬液の消費量が増大してしまう。このため、薬液処理後に、残留薬液を下面処理ノズル6から押し出すために薬液押出処理が実行される(ステップS4;押出処理工程)。

0035

図4は薬液押出処理のフローチャートであり、図5はガス配管内の圧力状態を示す模式図である。押出処理が停止され、薬液処理が実行されている間、上流側および下流側バルブV1,V2は閉じられ、ミキシングユニット31への窒素ガスの供給が停止されるとともに、上流側バルブV1と下流側バルブV2とに挟まれたバルブ間領域VRの圧力は大気圧P0となっている。つまり、薬液処理が実行され、薬液供給が停止された時点(タイミングT0)では、バルブ間領域VRの圧力はガス供給源から圧送されるガスの元圧力P1(高圧)よりも低い圧力に調整されている。そして、薬液押出処理を開始するために押出処理工程の開始処理が実行される。すなわち、上流側バルブV1の開放に先立ってタイミングT1で下流側バルブV2が開かれる(ステップS11)。この時点では、残留薬液にかかる圧力は大気圧P0となっているため、残留薬液が下面処理ノズル6から押し出されることがない。このため、いきなり元圧力P1で残留薬液が押し出されるのを防止することができる。

0036

次に、タイミングT2で下流側バルブV2に続いて上流側バルブV1が開かれる(ステップS12)。これにより、上流側バルブV1を介して元圧力P1で圧送され、下流側バルブV2に向かう窒素ガスはニードルバルブNVによって元圧力P1よりも低く、かつ大気圧P0よりも高い圧力に制御された制御圧P2に調整される。したがって、残留薬液は制御圧P2に調整された窒素ガスにより押し出され、安定して押出処理が実行される。

0037

これに対して、押出処理の開始時に仮に下流側バルブV2の開放に先立って上流側バルブV1が開かれた場合には次のような課題が発生してしまう。

0038

図6は押出処理の開始時に下流側バルブより上流側バルブを先に開いた場合のガス配管内の圧力状態を示す模式図である。上流側および下流側バルブV1,V2は閉じられた状態から、下流側バルブV2の開放に先立って上流側バルブV1が開かれると(図6(a))、上流側バルブV1を介して元圧力P1で圧送される窒素ガスが、ニードルバルブNVを介してニードルバルブNVと下流側バルブV2とに挟まれた領域(下流側領域)に次々に流入する。その結果、下流側領域を含むバルブ間領域VRの圧力が元圧力P1にまで上昇する(図6(b))。そして、このように下流側領域の圧力が元圧力P1にまで上昇してしまうと、ニードルバルブNVでは押出処理の開始時(下流側バルブV2の開放時)の窒素ガスの圧力を制御することができなくなってしまう。したがって、押出処理を開始するために下流側バルブV2を開いた途端に残留薬液が元圧力P1でいきなり押し出されることとなる(図6(c))。その結果、「発明が解決しようとする課題」の項で説明したような(1)〜(3)の課題が発生してしまう。

0039

図4および図5に戻って、本発明の実施形態について説明する。下流側バルブV2および上流側バルブV1の順序でバルブが開かれた後、押出処理が実行されるが、下面処理ノズル6から押し出された残留薬液は基板Wの下面に供給され、基板Wの回転に伴う遠心力を受けて側方に振り切られる。そして、スプラッシュガード5を介して第2排液槽43に回収され、回収ドレインを経て再利用される。つまり、残留薬液は窒素ガスによって押し出されるので、第2排液槽43に回収された薬液には、リンス液などの他の液体が混入していない。このため、回収した薬液を再利用することにより、薬液の消費量を低減することができる。このように、この実施形態では、第2排液槽43が本発明の「回収手段」として機能する。

0040

ここで、押し出された残留薬液は基板Wの下面を介して回収されることから、基板Wの下面は残留薬液によって処理されることとなる。つまり、基板Wの下面は薬液処理時において薬液供給源から基板Wに供給される薬液と、押出処理時において下面処理ノズル6から押し出され基板Wに供給される薬液(残留薬液)とによって処理されることとなる。したがって、基板Wの下面が薬液によって処理される処理時間としては、薬液処理時における処理時間と押出処理時における処理時間の合算となる。そこで、薬液処理とそれに続く押出処理とにおいて所望の処理時間で薬液による基板処理を実行するために、次のようにニードルバルブNVにおいて制御圧P2を設定することが好ましい。すなわち、ニードルバルブNVにおいて押出処理時に下面処理ノズル6から押し出される残留薬液の流量が薬液処理時に下面処理ノズル6から吐出される薬液の流量と同等になるように下流側バルブV2に流れるガス流を調整することが好ましい。これにより、薬液処理とそれに続く押出処理が実行される間、実質的には基板Wの下面に対して薬液が同流量で連続的に供給されて薬液による基板処理が連続的に行われる。このため、薬液処理とそれに続く押出処理において薬液による基板処理を実行する際に、該基板処理を所望の処理時間で確実に実行することができる。

0041

そして、タイミングT3で予め設定された所定の押出処理時間が経過すると(ステップS13でYES)、押出処理工程後の停止処理が実行される。このような押出処理時間はニードルバルブNVにより制御圧P2に調整された窒素ガスを用いて残留薬液を下面処理ノズル6から全て押し出すために要する時間を考慮して予めレシピ等において設定される。したがって、押出処理後では、ミキシングユニット31、処理液配管25および下面処理ノズル6には、薬液などの液体は存在していない。

0042

押出処理工程後の停止処理では、下流側バルブV2の閉止に先立ってタイミングT4で上流側バルブV1が閉じられる(ステップS14)。これによって、バルブ間領域VRへのガス配管7の他方端側(窒素ガス供給源側)からの窒素ガスの圧送が停止され、バルブ間領域VRの圧力が徐々に大気圧P0に向けて低下していく。そして、バルブ間領域VRの圧力が大気圧P0になるのを待ってからタイミングT5で上流側バルブV1に続いて下流側バルブV2が閉じられる(ステップS15)。その結果、バルブ間領域VRの圧力が大気圧P0に保たれ、一連の薬液押出処理が完了する。つまり、タイミングT0におけるバルブ間領域VRの圧力状態と同等となる。このため、後述するように、リンス処理後、次にリンス液押出処理を開始する際に下流側バルブV2および上流側バルブV1の順序でバルブを開くことにより、ミキシングユニット31、処理液配管25および下面処理ノズル6に残留するリンス液(残留リンス液)を窒素ガスにより安定して押し出すことができる。このように、薬液押出処理では、薬液が本発明の「第1処理液」に相当する。

0043

これに対して、押出処理後の停止時に仮に上流側バルブV1の閉止に先立って下流側バルブV2が閉じられた場合には次のような課題が発生してしまう。

0044

図7は押出処理後の停止時に上流側バルブより下流側バルブを先に閉じた場合のガス配管内の圧力状態を示す模式図である。上流側および下流側バルブV1,V2は開かれた状態から、上流側バルブV1の閉止に先立って下流側バルブV2が閉じられると(図7(a))、上流側バルブV1を介して元圧力P1で圧送される窒素ガスが、ニードルバルブNVを介してニードルバルブNVと下流側バルブV2とに挟まれた領域(下流側領域)に次々に流入する。その結果、下流側領域を含むバルブ間領域VRの圧力が元圧力P1にまで上昇する(図7(b))。その後、下流側バルブV2に続いて上流側バルブV1が閉じられると、バルブ間領域VRの圧力が元圧力P1に保たれてしまう(図7(c))。そして、このようにバルブ間領域VRのうち下流側領域の圧力が元圧力P1に保たれた状態では、次の押出処理の開始時(下流側バルブV2の開放時)の窒素ガスの圧力をニードルバルブNVにより制御することができなくなってしまう。したがって、次の押出処理を開始するために下流側バルブV2を開いた途端に残留処理液が元圧力P1でいきなり押し出されることとなる。その結果、「発明が解決しようとする課題」の項で説明したような(1)〜(3)の課題が発生してしまう。

0045

図4および図5に戻って、本発明の実施形態について説明する。薬液押出処理の完了後、制御ユニット8はガード昇降機構51を駆動してスプラッシュガード5を廃棄位置に配置する(ステップS5)。そして、基板Wに対してリンス処理を実行する。すなわち、制御ユニット8はバルブ33を開いてリンス液をリンス液供給源からミキシングユニット31に導入する。これによって、下面処理ノズル6から回転駆動する基板Wの下面に向けてリンス液が吐出される。また、リンスノズル4から基板Wの上面に向けてリンス液が吐出される。吐出されたリンス液は、基板Wの下面および上面に供給され、基板Wの下面および上面がリンス液により処理される(ステップS6;リンス処理工程)。回転駆動する基板Wから側方に振り切られたリンス液は、基板Wに付着していた薬液や汚染物質を含むので、スプラッシュガード5を介して第1排液槽42に回収され、廃棄ドレインを経て廃棄される。

0046

そして、所定のリンス処理時間が経過すると、バルブ33が閉じられ、ミキシングユニット31へのリンス液の導入が停止され、基板Wの下面へのリンス液の供給が停止される。また、基板Wの上面へのリンス液の供給が停止される。このとき、ミキシングユニット31、処理液配管25および下面処理ノズル6にはリンス液が残留する。このため、リンス処理後に、このように残留したリンス液(残留リンス液)を下面処理ノズル6から押し出すためにリンス液押出処理が実行される(ステップS7;押出処理工程)。なお、リンス液押出処理における上流側および下流側バルブV1,V2の開閉順序は図4に示す薬液押出処理におけるそれと同様である。このため、リンス液押出処理の開始時にいきなり元圧力P1で残留リンス液が押し出されるのを防止することができ、安定して押出処理が実行される。

0047

こうして、リンス液押出処理が完了した後では、ミキシングユニット31、処理液配管25および下面処理ノズル6には、リンス液などの液体は存在していない。したがって、例えば、次に未処理の基板Wに対して薬液処理を実行する際に薬液供給源からミキシングユニット31に薬液を導入しても、薬液にリンス液などの液体が混入するのを防止することができる。その結果、ミキシングユニット31に導入され下面処理ノズル6から吐出される薬液を全て再利用することができる。

0048

次に、制御ユニット8はチャック回転機構22のモータの回転速度を高めて基板Wを高速回転させる。これにより、基板Wの乾燥処理(スピンドライ)が実行される(ステップS8)。そして、乾燥処理後、基板Wの回転が停止され、処理チャンバー1から処理済の基板Wが搬出される(ステップS9)。

0049

以上のように、この実施形態によれば、押出処理を停止している間は上流側バルブV1および下流側バルブV2は閉じられ、バルブ間領域VRの圧力はガス配管7の他方端から圧送される窒素ガスの元圧力P1(第1圧力)よりも低い圧力に調整されている。そして、押出処理を行うために下流側バルブV2を開くが、この時点では残留処理液にかかる圧力は元圧力よりも低い圧力となっている。このため、いきなり元圧力P1で残留処理液が押し出されるのを確実に防止することができる。そして、下流側バルブV2に続いて上流側バルブV1が開くが、その上流側バルブV1を介して元圧力で圧送されている窒素ガスはニードルバルブNVによって元圧力よりも低く、かつ大気圧よりも高い制御圧P2(第2圧力)に調整される。その結果、安定して押出処理を行うことができる。

0050

したがって、「発明が解決しようとする課題」の項で説明したような(1)〜(3)の課題を確実に解消することができる。すなわち、(1)下面処理ノズル6から残留処理液が飛散するのを防止して、基板Wへのパーティクル付着を防止することができる。また、(2)残留処理液が高圧(元圧力)の窒素ガスにより押し出され基板Wに供給されると、残留処理液による基板Wの処理時間が変動してしまう。これに対し、この実施形態によれば、元圧力P1よりも低い制御圧(第2圧力)に調整された窒素ガスにより残留処理液を押し出し基板Wに供給しているので、所望の処理時間で残留処理液による基板処理を実行することができる。さらに、(3)下面処理ノズル6から吐出された窒素ガスが基板Wに勢い良く吹き付けられると、基板の一部(窒素ガスの供給部位)が乾燥し、乾燥した基板Wの表面領域にパーティクルが付着することがある。これに対し、この実施形態によれば、制御圧P2に調整された窒素ガスにより残留処理液を押し出しているので、このような基板Wの乾燥によるパーティクル付着を防止することができる。

0051

また、この実施形態によれば、押出処理後に上流側バルブV1を閉じ、さらにバルブ間領域VRの圧力が大気圧P0になるのを待って下流側バルブV2を閉じるようにバルブの閉止タイミングを制御しているので、バルブ間領域VRの圧力を常に大気圧P0に調整することができ、安定した押出処理を実行することができる。

0052

また、この実施形態によれば、薬液の押出処理後に上流側バルブV1および下流側バルブV2が閉じられてから、薬液と異なる処理液であるリンス液を下面処理ノズル6に導くことでリンス液を下面処理ノズル6から吐出させている。薬液の押出処理後には、ミキシングユニット31、処理液配管25および下面処理ノズル6からは残留薬液がすべて排出されている。このため、薬液の押出処理後に上流側バルブV1および下流側バルブV2が閉じられてからリンス液がミキシングユニット31に導入されても、リンス液に残留薬液が混入するのを防止することができる。したがって、リンス液とともに薬液が廃棄されるのを回避して薬液の消費量を低減することができる。このように、薬液の押出処理後にリンス液を下面処理ノズル6に導く場合には、リンス液が本発明の「第2処理液」に相当する。

0053

なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態では、押出処理後に上流側バルブV1を閉じ、さらにバルブ間領域VRの圧力が大気圧になるのを待って下流側バルブV2を閉じることにより、押出処理を停止している間、バルブ間領域VRの圧力を大気圧としているが、押出処理を停止している間のバルブ間領域VRの圧力はこれに限定されない。例えば、上流側バルブV1を閉じてから、バルブ間領域VRの圧力が大気圧になるのを待たずに下流側バルブV2を閉じることでバルブ間領域VRの圧力を大気圧以上、かつ元圧力(第1圧力)よりも低い値に調整してもよい。これにより、残留処理液に対する圧力は大気圧であるのに対し、バルブ間領域VRの圧力は大気圧以上となっている。したがって、押出処理を行うために下流側バルブV2を開いた時点では、常にバルブ間領域VRの圧力が残留処理液に印加されている圧力と同じ、あるいはそれ以上となっている。このため、残留処理液がバルブ間領域VRに流れ込むのを確実に防止することができる。

0054

また、上記実施形態では、薬液の押出処理後に上流側バルブV1および下流側バルブV2が閉じられてから、薬液と異なる処理液としてリンス液(本発明の「第2処理液」に相当)を下面処理ノズル6に導くことでリンス液を下面処理ノズル6から吐出させているが、これに限定されない。例えば、薬液の押出処理後に上流側バルブV1および下流側バルブV2が閉じられてから、この薬液とは異なる第2の薬液を本発明の「第2処理液」として下面処理ノズル6に導くことで第2の薬液を下面処理ノズル6から吐出させてもよい。このようにしても、第2の薬液に第2の薬液以外の液体が混入するのを防止することができる。この場合、スプラッシュガード5の案内部および排液槽をさらに1つ増やして、薬液、第2の薬液およびリンス液をそれぞれ専用の排液槽に分別して回収すればよい。

0055

また、上記実施形態では、下面処理ノズル6を本発明の「ノズル」として機能させているが、基板Wの上面に向けて処理液を吐出する上面処理ノズルを本発明の「ノズル」として機能させてもよい。

0056

この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、FED(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板などを含む基板全般に対してノズルから該基板に向けて第1処理液を吐出することで処理液による湿式処理を施す基板処理装置および基板処理方法に適用することができる。

図面の簡単な説明

0057

本発明にかかる基板処理装置の一実施形態を示す図である。
図1の基板処理装置の主要な制御構成を示すブロック図である。
図1の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。
薬液押出処理のフローチャートである。
ガス配管内の圧力状態を示す模式図である。
押出処理の開始時に下流側バルブより上流側バルブを先に開いた場合のガス配管内の圧力状態を示す模式図である。
押出処理後の停止時に上流側バルブより下流側バルブを先に閉じた場合のガス配管内の圧力状態を示す模式図である。

符号の説明

0058

6…下面処理ノズル(ノズル)
7…ガス配管
8…制御ユニット(制御手段)
25…処理液配管(処理液導入部)
31…ミキシングユニット(処理液導入部)
NV…ニードルバルブ(調整機構)
V1…上流側バルブ
V2…下流側バルブ
VR…バルブ間領域
43…第2排液槽(回収手段)

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