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技術 半導体装置、LEDプリントヘッドおよび画像形成装置

出願人 株式会社沖データ株式会社沖デジタルイメージング
発明者 鷺森友彦武藤昌孝藤原博之荻原光彦
出願日 2006年8月31日 (13年10ヶ月経過) 出願番号 2006-235559
公開日 2008年3月13日 (12年3ヶ月経過) 公開番号 2008-060328
状態 特許登録済
技術分野 LED素子(パッケージ以外) 発光ダイオード 電磁気プリンタおよび光プリンタ LED素子のパッケージ
主要キーワード ポンディング 電子部品実装エリア 間隔ピッチ 有機物基板 物理的応力 薄膜チップ 半導体薄膜素子 外部部材
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この項目の情報は公開日時点(2008年3月13日)のものです。
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図面 (20)

課題

2つの導電型側オーミック電極を共に同一面に設ける場合で、LEDアレイ薄膜チップ表層電極クラック等が発生しても、接続不良等が発生しにくく、信頼性が高い電極及びコンタクト部を備えた半導体薄膜素子を提供する。

解決手段

化合物半導体薄膜から構成される、複数の発光素子の各々に略矩形状に形成される発光領域120と、発光素子120の一方側の第1導電型側電極122と、他方側の第2導電型側電極130とが、発光素子120の薄膜の同一の面側に、一方向に等間隔ピッチで少なくとも1列に配列されるように形成され、各第1導電型側電極222は、対応する発光領域120の略矩形状における少なくとも隣接する2辺の外側を連続して囲む位置に絶縁膜145を介して配置され、各第2導電型側電極130は、対応する各発光領域120の上部に配置される。

概要

背景

従来、電子写真技術を用いたプリンタ等の画像形成装置には、複数の発光ダイオードLED:Light Emitting Diode)を一列に並べて配置(配列)させたLEDアレイチップを用い、さらに多数個のそのLEDアレイチップを一列に並べて実装した光学ヘッド露光ヘッドLEDプリントヘッド)を用いたものが知られている。近年、画像を扱うプリンタ等の装置では高い解像度が要求されており、これに対応させるため、LEDプリントヘッドに用いられる発光素手数飛躍的に増加してきている。

このようなLEDプリントヘッドの中には、Si等の基板に発光ダイオードの駆動回路を予め形成しておき、これとは別にエピタキシャル成長させた化合物半導体薄膜に形成されたLEDアレイ(以下、LEDアレイフィルムという)を電気的に接続したものがある(例えば、特許文献1参照)。

上記の技術では、複数のLEDが形成されたLEDアレイフィルムの表層側にはLED毎にp型/n型の内の一方(例えばn型)の導電型側オーミック抵抗性)接触するオーミック電極が設けられ、他方(例えばp型)の導電型側のオーミック電極はLEDアレイフィルムの裏面側(駆動回路が形成された基板に面する側)に設けられていた。この構造ではLEDアレイフィルムの裏面側のオーミック電極は、隣接する複数のLEDに対して共通に接続されたものであり、これらの複数のLEDを同時に点灯させるものであった。

また、一方で多くのLEDを同時に点灯させることによる発熱量や供給電力の増大を防ぐための技術として時分割駆動を行うものがある。この技術で用いられるLEDアレイフィルムの薄膜チップでは、2つの導電型側のオーミック電極を共にLEDアレイ薄膜チップの表層側に設けたものが用いられていた。

特開2004−179641号公報

概要

2つの導電型側のオーミック電極を共に同一面に設ける場合で、LEDアレイ薄膜チップの表層電極クラック等が発生しても、接続不良等が発生しにくく、信頼性が高い電極及びコンタクト部を備えた半導体薄膜素子を提供する。化合物半導体薄膜から構成される、複数の発光素子の各々に略矩形状に形成される発光領域120と、発光素子120の一方側の第1導電型側電極122と、他方側の第2導電型側電極130とが、発光素子120の薄膜の同一の面側に、一方向に等間隔ピッチで少なくとも1列に配列されるように形成され、各第1導電型側電極222は、対応する発光領域120の略矩形状における少なくとも隣接する2辺の外側を連続して囲む位置に絶縁膜145を介して配置され、各第2導電型側電極130は、対応する各発光領域120の上部に配置される。

目的

本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであって、2つの導電型側のオーミック電極を共に同一面に設ける場合で、LEDアレイ薄膜チップの表層の電極にクラック等が発生しても、接続不良等が発生しにくく、信頼性が高い電極及びコンタクト部を備えた半導体薄膜素子を提供することを目的とする。

効果

実績

技術文献被引用数
2件
牽制数
2件

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請求項1

化合物半導体薄膜から構成される、複数の発光素子が一方向に等間隔ピッチで少なくとも1列に配列されて形成される半導体装置であって、前記複数の発光素子の各々に略矩形状に形成される発光領域と、前記発光素子の一方側と電気的に接続される電極である第1導電型側電極と、前記発光素子の他方側と電気的に接続される電極である第2導電型側電極とが、前記発光素子の薄膜の同一の面側に位置されるように形成され、前記各第1導電型側電極は、対応する前記発光領域の略矩形状における少なくとも隣接する2辺の外側を連続して囲む位置に絶縁膜を介して配置され、前記各第2導電型側電極は、対応する前記各発光領域の上部に配置されることを特徴とする半導体装置。

請求項2

前記各第1導電型側電極は、対応する前記発光領域の配列方向に隣接した領域に、少なくとも一部分が配置されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。

請求項3

前記各第1導電型側電極は、前記各発光領域の間の位置に、その両側の発光素子の少なくとも何れか一方に対応する電極の、少なくとも一部分が配置されることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。

請求項4

前記各第1導電型側電極は、前記各発光領域の略矩形状における隣接する3辺の外側を連続して囲む位置に設けられることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の半導体装置。

請求項5

前記各第1導電型側電極は、前記第2導電型側配線部が延伸されて交差する前記発光領域の辺を除く3辺の外側位置に設けられることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。

請求項6

前記各第1導電型側電極は、前記各発光領域の略矩形状における隣接する4辺の外側を連続して囲む位置に設けられることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の半導体装置。

請求項7

前記各第1導電型側電極は、前記第2導電型側の配線部を除く位置に設けられることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。

請求項8

前記各第1導電型側電極は、前記第2導電型側の配線部が延伸されて前記発光領域の辺と交差する位置の外側にも、絶縁膜を挟んで設けられることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。

請求項9

前記各第1導電型側電極は、前記各発光領域の間の1個置きの位置に、その両側の発光素子に対応する電極の少なくとも一部分が配置されることを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載の半導体装置。

請求項10

前記各第1導電型側電極は、前記各発光領域の略矩形状における、前記各発光領域の間の1個置きの電極が設けられない間側の辺を除いて、隣接する3辺の外側を連続して囲む位置に設けられ、前記第2導電型側の配線部が延伸されて前記発光領域の辺と交差する位置の外側では絶縁膜を挟んで設けられることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置。

請求項11

前記各第2導電型側電極は、前記化合物半導体の薄膜チップ内の複数の発光領域から構成されるブロック単位毎に、複数の前記電極部分が薄膜チップ長手方向に結合されて、電気的に導通した一個の電極として配置されることを特徴とする請求項1〜10の何れか1項に記載の半導体装置。

請求項12

前記各第1導電型側電極は、前記化合物半導体の薄膜チップ内の複数の発光領域から構成されるブロック単位毎に、複数の前記各発光領域の間の位置に、その両側の発光素子に共通して対応する電極の少なくとも一部分が配置されることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の半導体装置。

請求項13

前記各第1導電型側電極は、前記化合物半導体の薄膜チップ内の複数の発光領域から構成されるブロック単位毎に、複数の前記各発光領域の間の電極を除く残りの部分が薄膜チップ長手方向に結合されて、電気的に導通した一個の電極として配置されることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の半導体装置。

請求項14

前記各第1導電型側電極は、前記第2導電型側の配線部が延伸されて前記発光領域の辺と交差する位置の外側にも、絶縁膜を挟んで前記一個の電極が配置されることを特徴とする請求項13に記載の半導体装置。

請求項15

前記各第1導電型側電極は、前記各発光領域の間の電極を、前記発光領域の各辺における前記一個の電極の反対側の辺の外側まで回り込むように延伸させて形成することを特徴とする請求項13又は14に記載の半導体装置。

請求項16

前記各第1導電型側電極は、前記化合物半導体の薄膜チップ内の複数の発光領域から構成されるブロック単位毎に、配列方向に両端の前記各発光領域のブロックの配列方向外側に面した辺の外側には、前記電極の一部分が形成されないことを特徴とする請求項13又は14に記載の半導体装置。

請求項17

前記各第1導電型側電極は、前記化合物半導体の薄膜チップ内の複数の発光領域から構成されるブロック単位毎に、配列方向に両端の前記各発光領域のブロックの配列方向外側に面した辺の外側にも、前記電極の一部分が形成されることを特徴とする請求項13又は14に記載の半導体装置。

請求項18

前記各第1導電型側電極は、前記第2導電型側の配線部を除く位置に設けられることを特徴とする請求項15〜17の何れか1項に記載の半導体装置。

請求項19

前記各第1導電型側電極は、前記第2導電型側の配線部が延伸されて前記発光領域の辺と交差する位置の外側にも、絶縁膜を挟んで設けられることを特徴とする請求項15〜17の何れか1項に記載の半導体装置。

請求項20

前記化合物半導体の薄膜に形成される複数の発光素子が、予め第1導電型半導体と第2導電型半導体を積層して設けたpn接合を含む構造を、メサエッチングにより素子分離して形成することを特徴とする請求項1〜19の何れか1項に記載の半導体装置。

請求項21

前記化合物半導体の薄膜に形成される複数の発光素子が、第1導電型半導体の層内に、第2導電型半導体用の不純物を選択的に拡散させて第2導電型半導体領域を設けることで、pn接合を含む構造を形成することを特徴とする請求項1〜19の何れか1項に記載の半導体装置。

請求項22

前記発光素子の薄膜の同一の面側における、前記発光領域と前記第1導電型側電極と前記第2導電型側電極が形成されない位置に外光遮断する遮光層が形成されることを特徴とする請求項1〜21の何れか1項に記載の半導体装置。

請求項23

前記各電極は、前記化合物半導体の薄膜とオーミック接触するオーミック電極であることを特徴とする請求項1〜22の何れか1項に記載の半導体装置。

請求項24

請求項1〜23の何れか1項に記載の半導体装置と、該半導体装置の各発光素子を選択的に駆動可能である駆動回路と、これらを支持する支持体とを備え、前記発光素子が、LED(LightEmittingDiode)であることを特徴とするLEDプリントヘッド

請求項25

前記光学ヘッドにより露光させることで静電潜像が形成される感光体と、該感光体の表面を帯電させる帯電器と、帯電された感光体の表面を選択的に露光することで静電潜像を形成させる光学ヘッドと、露光された静電潜像を現像する現像器とを備え、前記光学ヘッドが、請求項24に記載のLEDプリントヘッドであることを特徴とする画像形成装置

請求項26

化合物半導体の薄膜から構成される発光素子が形成される半導体装置であって、前記発光素子に略矩形状に形成される発光領域と、前記発光素子の一方側と電気的に接続される電極である第1導電型側電極と、前記発光素子の他方側と電気的に接続される電極である第2導電型側電極とが、前記発光素子の薄膜の同一の面側に位置されるように形成され、前記第1導電型側電極は、対応する前記発光領域の略矩形状における少なくとも隣接する2辺の外側を連続して囲む位置に配置され、前記各第2導電型側電極は、対応する前記各発光領域の上部に配置されることを特徴とする半導体装置。

技術分野

0001

この発明は、化合物半導体薄膜から構成される、複数の発光素子が一方向に等間隔ピッチで配列して形成される発光素子アレイ等の半導体装置、及びその半導体装置を用いたLEDプリントヘッド、及びそのLEDプリントヘッドを用いた画像形成装置に関する。

背景技術

0002

従来、電子写真技術を用いたプリンタ等の画像形成装置には、複数の発光ダイオードLED:Light Emitting Diode)を一列に並べて配置(配列)させたLEDアレイチップを用い、さらに多数個のそのLEDアレイチップを一列に並べて実装した光学ヘッド露光ヘッド、LEDプリントヘッド)を用いたものが知られている。近年、画像を扱うプリンタ等の装置では高い解像度が要求されており、これに対応させるため、LEDプリントヘッドに用いられる発光素手数飛躍的に増加してきている。

0003

このようなLEDプリントヘッドの中には、Si等の基板に発光ダイオードの駆動回路を予め形成しておき、これとは別にエピタキシャル成長させた化合物半導体薄膜に形成されたLEDアレイ(以下、LEDアレイフィルムという)を電気的に接続したものがある(例えば、特許文献1参照)。

0004

上記の技術では、複数のLEDが形成されたLEDアレイフィルムの表層側にはLED毎にp型/n型の内の一方(例えばn型)の導電型側オーミック抵抗性)接触するオーミック電極が設けられ、他方(例えばp型)の導電型側のオーミック電極はLEDアレイフィルムの裏面側(駆動回路が形成された基板に面する側)に設けられていた。この構造ではLEDアレイフィルムの裏面側のオーミック電極は、隣接する複数のLEDに対して共通に接続されたものであり、これらの複数のLEDを同時に点灯させるものであった。

0005

また、一方で多くのLEDを同時に点灯させることによる発熱量や供給電力の増大を防ぐための技術として時分割駆動を行うものがある。この技術で用いられるLEDアレイフィルムの薄膜チップでは、2つの導電型側のオーミック電極を共にLEDアレイ薄膜チップの表層側に設けたものが用いられていた。

0006

特開2004−179641号公報

発明が解決しようとする課題

0007

しかしながら、化合物半導体基板上に直接形成されたLEDアレイチップに比べて、その薄い寸法からLEDアレイ薄膜チップ(LEDアレイフィルム)は強度的に弱くなっている。従って、LEDアレイ薄膜チップの表層(同一面)に上記した2つの導電型側のオーミック電極を共に設ける場合にはその電極にはクラック等が発生しやすい。特に電極がLEDアレイ薄膜チップの長手方向に延伸される場合には、その電極及び配線等の駆動回路との接続時に限らず製造工程における様々な処理時や、物理的応力がかかる時、温度変化等が有る時にクラックが発生しやすくなる。電極にクラックが発生すると導通不良や接続不良等が発生しやすくなるという問題があった。

0008

本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであって、2つの導電型側のオーミック電極を共に同一面に設ける場合で、LEDアレイ薄膜チップの表層の電極にクラック等が発生しても、接続不良等が発生しにくく、信頼性が高い電極及びコンタクト部を備えた半導体薄膜素子を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段

0009

上記した目的を達成するため、本発明の半導体装置は、
化合物半導体の薄膜から構成される、複数の発光素子が一方向に等間隔ピッチで少なくとも1列に配列されて形成される半導体装置であって、
前記複数の発光素子の各々に略矩形状に形成される発光領域と、前記発光素子の一方側と電気的に接続される第1導電型側電極と、前記発光素子の他方側と電気的に接続される第2導電型側電極とが、前記発光素子の薄膜の同一の面側に位置されるように形成され、
前記各第1導電型側電極は、対応する前記発光領域の略矩形状における少なくとも隣接する2辺の外側を連続して囲む位置に絶縁膜を介して配置され、
前記各第2導電型側電極は、対応する前記各発光領域の上部に配置される
ことを特徴とする。

発明の効果

0010

本発明の半導体装置では、第1導電型側の電極が、各発光領域の略矩形状における少なくとも隣接する2辺の外側を連続して囲む位置で、その発光領域の配列方向に隣接した領域に配置されるので、2つの導電型側のオーミック電極を共に同一面に設ける場合で、LEDアレイ薄膜チップの表層の電極にクラック等が発生しても、接続不良等が発生しにくく、信頼性が高い電極及びコンタクト部を備えた半導体薄膜素子及び半導体装置(発光素子アレイ)を提供することができる。

発明を実施するための最良の形態

0011

以下、本発明の実施形態を図面に従って説明する。

0012

((第1の実施形態))
本実施形態の画像形成装置は、後述するように発光素子がLED(Light Emitting Diode)の光学ヘッド(LEDプリントヘッド)により帯電された感光体の表面を選択的に露光させることで静電潜像が形成される感光体と、その感光体の表面を帯電させる帯電器と、静電潜像を形成させる光学ヘッドと、露光された静電潜像を現像する現像器とを備える。LEDプリントヘッドは、発光素子を含む半導体装置(LEDアレイ)と、その半導体装置の各発光素子を選択的に駆動可能である駆動回路と、これらを支持する支持体とを備える。

0013

以下に図を用いて説明する第1の実施形態の半導体装置は、化合物半導体の薄膜チップ内に4個(複数)の発光素子(発光領域120)が1つのブロックとして一方向に等間隔ピッチで1列に配列されて形成されており、ブロック内の4個の発光素子の内の順位1番目と順位2番目と順位3番目と順位4番目は、個々に分割駆動ができる駆動方式(配線)の場合である。(尚、順位1番目とは、例えば図1の左端から1番目であり、以下同様に順位2番目とは、例えば図1の左端から2番目とする。)しかし、図1で示した例は第1の実施形態の一例であり、発光領域120の配列形態や配列数、1プロック内の発光素子の数、1チップに備えられるブロックの数は適宜変更でき、駆動方式(配線形態)も分割駆動に限らず一斉駆動等、適宜変更することができる。

0014

又、本実施形態では、具体例として、半導体薄膜内の発光素子を構成する材料(半導体薄膜の材料)がAlGaAs系の化合物半導体材料である場合を説明する。しかし、本実施形態で示した半導体薄膜の材料は一例であり、例えば、lnP、GaAsP、GalnAsP、AlGaAsPや、GaN、AlGaN、lnGaN、等の窒化物化合物半導体を材料として形成することができる。

0015

図1は、本発明の第1の実施形態の画像形成装置のLEDプリントヘッドに用いられる半導体装置(LEDアレイ)の一部分の概略構成を示す上面図である。図2は、図1に示されたA−A断面を示す断面図である。図3は、図1に示されたB−B断面を示す断面図である。図4は、図1に示されたC−C断面を示す断面図である。以下、図1〜4を参照しながら、第1の実施形態を説明する。

0016

図1〜4において、101は集積回路を備えた基板であり、例えばSi基板である。102はSi基板内およびSi基板上に形成された集積回路領域である。103は集積回路領域(集積回路ウエハ)の最上層層間絶縁膜である。104は発光領域120からウェハの裏面方向に出射された光を上面方向に反射させるための光の反射層であり、例えば、Ti、Ti/PtAu、TiAl、Cr/Au、NiAl、AgやAgを含む合金等のAu系、Al系、Ag系の金属材料により形成される層である。105は半導体薄膜をポンディングするための平坦化層である。

0017

110と120は半導体薄膜であり、特に120は発光領域が設けられている。110a〜110cは半導体を構成するエピタキシャル半導体薄膜層で、120a〜120dは発光素子を構成するエピタキシャル半導体薄膜層で、例えば、120aと120cはいわゆるクラッド層、120bは活性層、110cはn側コンタクト層で、120dはp側コンタクト層である。

0018

さらに具体的には、例えば、半導体薄膜110は、層110a:n−GaAs、層110b:n−A1tGa1−tAs、層110c:n−GaAs、により形成することができる。

0019

半導体薄膜110は、層120a:n−AzGa1−zAs、層120b:n−AlyGa1−yAs、層120c:p−AlxGa1−xAs、層120d:p−GaAsにより形成することができる。

0020

122は半導体薄膜内に形成されたp型とn型の半導体の一方の側にオーミック接触して接続する第1導電型側電極である。ここでは、例えば第1導電型側電極をn型側電極とする。図1に示したように、第1導電型電極122は、略矩形状に形成される発光領域120の4辺に対して、発光領域120の配列方向の辺の外側を囲むように隣接する領域の電極部分122aと、その電極部分122aが設けられる辺と隣接する辺(=発光領域120の配列方向と垂直方向の辺)の外側を囲むように隣接する領域の電極部分122bのように、連続する2辺の外側を連続して囲む領域の電極部分122a及び122bが設けられる。

0021

第1導電型側電極の電極部分122a及び122bは、ここでは、GaAs層オーミックコンタクトを形成しており、例えば、AuGe/Ni/Auを材料として形成することができる。

0022

130は半導体薄膜内に設けられた発光領域120の表面とオーミック接触して接続する第2導電型側電極である。第2導電型側電極130は、ここではGaAs層とオーミックコンタクトを形成しており、例えば、Ti/Pt/Auを材料として形成することができる。

0023

132、134は第1導電型側配線部で、特に132は第1導電型側電極122上の領域の配線部である。132は、例えば、T1/Pt/Auで形成することができる。

0024

136は半導体薄膜内に形成されたp型とn型の他方である第2導電型側配線部である。ここでは、例えばp型側電極とする。140は各ブロック内の同一順位の第1導電型側配線部132、134を連結するための共通配線部である。

0025

145は層間絶縁膜である。150は第2導電型側配線部136と駆動回路等の集積回路とを接続する接続パッドである。152は第1導電型側配線部132、134と共通配線部140を接続するために層間絶縁膜145に設けられた共通配線接続開口部である。160は第1導電型側配線部132、134と駆動回路等の集積回路とを接続する接続パッドである。162は接続パッド160上に形成される配線部との接続領域で、ここでは配線材料で全体を被覆して接続している。

0026

このように本実施形態の半導体装置は、化合物半導体の薄膜から構成される、複数の発光素子が一方向に等間隔ピッチで少なくとも1列に配列されて形成されており、複数の発光素子の各々には略矩形状に発光領域120が形成されている。又、その発光素子の一方(例えばn型)側と電気的に接続されるオーミック(抵抗性)電極である第1導電型側電極と、その発光素子の他方(例えばp型)側と電気的に接続されるオーミック電極である第2導電型側電極とが、その発光素子の薄膜の同一の面側に位置されるように形成される。又、各第1導電型側電極は、対応する発光領域120の略矩形状における少なくとも隣接する2辺の外側を連続して囲む位置に層間絶縁膜145を介して配置され、各第2導電型側電極は、対応する各発光領域120の上部に配置される。

0027

従って、各第1導電型側電極は、対応する発光領域120の配列方向に隣接した領域に、少なくとも一部分が配置される。 又、各第1導電型側電極は、各発光領域120の間の位置に、その両側の発光素子の少なくとも何れか一方に対応する電極の、少なくとも一部分が配置される。

0028

又、本実施形態の半導体装置では、化合物半導体の薄膜に形成される複数の発光素子が、予め第1導電型半導体と第2導電型半導体を積層して設けたpn接合を含む構造を、メサエッチングにより素子分離して形成している。

0029

このように本実施形態の半導体装置(発光素子アレイ)によれば、発光領域120に対し2辺で第1導電型側電極を形成するようにしたので、例えば、発光領域120の配列の垂直方向に設けた第1導電型側電極と発光領域120の間の半導体薄膜にクラック等の欠損が発生しても、発光領域120の配列方向に設けた第1導電型側電極と発光領域120の半導体薄膜が良好な状態を維持でき、発光素子として正常な動作をすることができる効果を得ることができる。これにより半導体装置(発光素子アレイ)の信頼性を高めることができる。

0030

図5は、本実施形態の半導体装置を用いたLEDプリントヘッドの一例の概略構成を示す断面図である。図6は、図5のLEDプリントヘッド内の一例のLEDユニットの概略構成の配置を示す上面図である。

0031

図5に示すように、ベース部材201上には、LEDユニット202が搭載されている。このLEDユニット202は、上記した半導体装置が実装基板上に搭載されたものである。

0032

図6の実装基板202e上には、複数の発光領域120のブロックと駆動部が複合された半導体装置が、発光領域120ユニット202aとして長手方向に沿って複数配設されている。実装基板202e上には、その他に、電子部品が配置されて配線部が形成されている電子部品実装エリア202b、202c、及び外部から制御信号電源等を供給するためのコネクタ202d等が設けられている。

0033

発光領域120ユニット202aの発光領域120の上方には、発光部から出射された光を集光する光学素子としてのロッドレンズアレイ203が配設されている。このロッドレンズアレイ203は、柱状の光学レンズを発光領域120ユニット202aの直線状に配列された発光領域120に沿って多数配列したもので、光学素子ホルダに相当するレンズホルダ204によって所定位置に保持されている。

0034

このレンズホルダ204は、図5に示すように、ベース部材201及びLEDユニット202を覆うように形成されている。そして、ベース部材201、LEDユニット202、及びレンズホルダ204は、ベース部材201及びレンズホルダ204に形成された開ロ部201a、204aを介して配設されるクランパ205によって一体的に挟持されている。従って、LEDユニット202の発光領域120ユニット202aで発生した光はロッドレンズアレイ203を通して、所定の外部部材照射される。このLEDプリントヘッド200は、例えば電子写真プリンタや電子写真コピー装置等の露光装置として用いられる。

0035

従って、本実施形態のLEDプリントヘッドには、LEDユニット202として、上記した信頼性の高い半導体装置が使用されるため、高品質で信頼性の高いLEDプリントヘッドを提供することができる。

0036

図7は、図5に示したLEDプリントヘッドを用いた画像形成装置の概略構成を示す断面図である。
図7に示すように、画像形成装置300内には、記録媒体305の搬送経路320に鉛ってその上流側から順に、イエローマゼンダシアンブラックの各色の画像を、各々に形成する4つのプロセスユニット301〜304が配置されている。これらのプロセスユニット301〜304の内部構成については共通しているため、シアンのプロセスユニット303をその代表例として、その内部構成を説明する。

0037

プロセスユニット303には、像担持体として感光ドラム303aが矢印方向に回転可能に配置され、この感光体ドラム303aの周囲にはその回転方向上流側から順に、感光ドラム303aの表面に電圧印加して帯電させる帯電装置303b、帯電された感光体ドラム303aの表面に選択的に光を照射して静電潜像を形成する露光装置303cが配設される。更に、静電潜像が形成された感光体ドラム303aの表面に、所定色(シアン)のトナーを付着させて静電潜像を顕在化(顕像を発生)させる現像装置303d、及び感光体ドラム303aの表面に残留したトナーを除去するクリーニング装置303eが配設される。尚、これら各装置に用いられているドラム又はローラは、図示しない駆動源及びギアによって回転させられる。

0038

また、画像形成装置300は、その下部に、紙等の記録媒体305を堆積した状態で収納する用紙カセット306が装着され、その上方には記録媒体305を1枚ずつ分離させて搬送するためのホッピングローラ307が配設されている。更に、記録媒体305の搬送方向における、このホッピングローラ307の下流側には、ピンチローラ308、309と共に記録媒体305を挟持することによって、記録媒体305の斜行修正し、プロセスユニット301〜304に向けて搬送するレジストローラ310、311が配設されている。これ等のホッピングローラ307及びレジストローラ310、311は、図示しない駆動源及びギアによって連動回転される。

0039

プロセスユニット301〜304の各感光体ドラムに対向する位置には、それぞれ半導電性ゴム等によって形成された転写ローラ312が配設されている。感光体ドラム301a〜304a上のトナーを記録媒体305に転写させて、記録媒体305上に付着させるために、感光体ドラム301a〜304aの表面とこれらの各転写ローラ312の表面との間には、所定の電位差が印加されるように構成されている。

0040

定着装置313は、加熱ローラバックアップローラとを有し、記録媒体305上に転写されたトナーを加圧、加熱することによって定着させる。また、排出ローラ314、315は、定着装置313から排出された記録媒体305を、排出部のピンチローラ316、317と共に挟持し、記録媒体スタッカ部318に向けて搬送する。尚、排出ローラ314、315は、図示されない駆動源及びギアによって連動回転される。ここで使用される露光装置303cとしては、上記したLEDプリントヘッド200が用いられる。

0041

次に、前記構成の画像形成装置の動作について説明する。まず、用紙カセット306に堆積した状態で収納されている記録媒体305がホッピングローラ307によって、上から1枚ずつ分離されて搬送される。統いて、この記録媒体305は、レジストローラ310、311及びピンチローラ308、309に挟持されて、プロセスユニット301の感光ドラム301a及び転写ローラ312に搬送される。その後、記録媒体305は、感光体ドラム301a及び転写ローラ312に挟持され、その記録面にトナー画像が転写されると同時に感光体ドラム301aの回転によって搬送される。

0042

記録媒体305は、同様にして、順次プロセスユニツト302〜304を通過し、その通過過程で、各露光装置301c〜304cにより形成された静電潜像が現像装置301d〜304dによって現像された各色のトナー像がその記録面に順次転写され重ね合わせられる。そして、その記録面上に各色のトナー像が重ね合わせられた後、定着装置313によってトナー像が定着された記録媒体305は、排出ローラ314、315及びピンチローラ316、317に挟持されて、画像形成装置300の外部の記録媒体スタッカ部318に排出される。以上の過程によりカラー画像が記録媒体305上に形成される。

0043

以上のように、本実施形態の画像形成装置によれば、上記した信頼性の高いLEDプリントヘッドを採用するため、高品質で、信頼性の高い画像形成装置を提供することができる。

0044

(第1の実施形態の変形例)
図8は、第1の実施形態の図1に対応する変形例を示した上面図であり、図9は第1の実施形態の図4に対応する変形例を示した断面図である。図8〜9に示した以外の部分は、第1の実施形態と同様である。又、図8〜9においても、第1の実施形態と同様な部分については同じ符号を付与して重複する説明を省略する。
この変形例では、図8図9に示したように、発光素子の薄膜の同一の面側における、発光領域120と第1導電型側電極と第2導電型側電極が形成されない位置に、外光遮断する遮光層170が発光領域120近傍を端部とするように形成されている。このように遮光層170を設けることで外光又はLEDプリントヘッド内の反射光の影響を抑制することができる。

0045

尚、上記した実施形態の説明では、Si基板上に半導体薄膜で形成された発光素子アレイと駆動回路等の集積回路を配置させた場合を説明したが、本実施形態のベース面は必ずしもSi基板である必要はなく、Si基板上に駆動集積回路と発光素子アレイとが集積化される場合に限定されるものではない。例えば、Si基板の代わりに、ガラス基板上に集積回路(例えば、ポリSiを母材とした集積回路)と発光素子アレイが集積化される形態であってもよく、その他に、セラッミク基板、金属基板有機物基板上に集積化される形態であってもよい。又、上記した実施形態では、第1導電型側電極122の材料と第1導電型側配線部132の材料を別の材料として説明をしたが、同一の材料としてもよい。さらに、上記した実施形態ではLEDを一列に配列したLEDアレイの場合について述べたが、一列でなく複数列に配列したLEDアレイであってもよい。また、複数のLEDでなくとも、1個のLEDに適用することもできる。また、複数のLEDが複数の異なる材料で構成されていてもよい。

0046

((第2の実施形態))
図10は本発明の第2の実施形態の半導体装置(LEDアレイ)における発光領域120とその周囲の電極の概略構成を拡大して示す上面図である。図11は、図10に示されたA−A断面を示す断面図である。図12は、図10に示されたB−B断面を示す断面図である。図10〜12に示した以外の部分は、第1の実施形態と同様である。又、図10〜12においても、第1の実施形態と同様な部分については同じ符号を付与して重複する説明を省略する。

0047

第2の実施形態と第1の実施形態の差異は、第2の実施形態では、第1導電型側電極122が発光領域120の3辺の外側の半導体薄膜上の領域にも形成(電極部分122a、電極部分122b、電極部分122c)されている点である。

0048

本実施形態の第1導電型側電極122は、図10に示したように、略矩形状に形成される発光領域120の4辺に対して、発光領域120の配列方向の両側の辺の外側を囲むように隣接する領域の電極部分122a及び電極部分122cと、その電極部分122a及び電極部分122cが設けられる各辺の各々と隣接する辺(=発光領域120の配列方向と垂直方向の辺)の一方の外側を囲むように隣接する領域の電極部分122bのように、連続する3辺の外側を連続して囲む領域の電極部分122a〜122cが設けられる。

0049

従って、本実施形態では、各第1導電型側電極は、各発光領域120の略矩形状における隣接する3辺の外側を連続して囲む位置で、さらに、第2導電型側の電極130及び配線部136が延伸されて交差する前記発光領域120の辺を除く3辺の外側位置に設けられていることになる。

0050

このように本実施形態では、発光領域120周囲近傍の3辺に第1導電型側電極を設けたので、第1の実施形態と比較して、より信頼性が高い発光素子とすることができる。

0051

(第2の実施形態の第1の変形例)
図13は本実施形態の図12に対応する第1の変形例を示した断面図である。図13に示した以外の部分は、第2の実施形態と同様である。又、図13においても、第2の実施形態と同様な部分については同じ符号を付与して重複する説明を省略する。
上記した図10〜12の本実施形態では、半導体薄膜の層構造に発光素子の発光領域120を形成する場合に、予め第1導電型半導体層および第2導電型半導体層を積層してpn接合を含む構造で半導体薄膜の層構造を形成しておき、その半導体薄膜をメサエッチングによって素子分離させて発光素子を形成した場合について説明した。しかし、発光素子の発光領域120は、上記した方法で形成されたものに限らず、例えば、図13に示したように、第1導電型半導体層を積層した構造体に第2導電型不純物を選択的に拡散させる形態のように、半導体薄膜の層構造に不純物を選択的にドーピング言い換えれば、半導体薄膜の層構造に不純物を選択的に拡散させることによって形成してもよい。

0052

図13において、半導体薄膜1010内の積層された層構造1011〜1015は、第1導電型半導体層であり、さらに具体的には、層1011:GaAs、層1012(クラッド層):AlzGa1−zAs、層1013(活性層);AlyGa1−yAs、層1014(クラッド層):AlxGa1−xAs、層1015:GaAsである。

0053

1016は拡散領域であり、1016a〜1016cは第1導電型各半導体層内に不純物を選択的に拡散させることによって形成された第2導電型領域である。ここで、層1013は活性層であるので、拡散領域のフロント1016aは活性層1013内に設けられる。各半導体層のA1組成x、y、zは、y<x、zの関係を満たしている。層1012、層1014はクラッド層であり、層1014内に拡散領域1016aが設けられ、その上にコンタクト層1016cが形成される。

0054

上記実施形態では、発光領域上に金属材料により第2導電型側電極130及びコンタクト部を形成したが、ITOやZnOのような透明電極の材料により形成してもよい。

0055

従って、本変形例では、化合物半導体の薄膜に形成される複数の発光素子が、第1導電型半導体の層内に、第2導電型半導体用の不純物を選択的に拡散させて第2導電型半導体領域を設けることで、pn接合を含む構造を形成している。

0056

(第2の実施形態の第2の変形例)
図14は第2の実施形態の図10に対応する第2の変形例の上面図である。図14に示した以外の部分は、第2の実施形態と同様である。又、図14においても、第1の実施形態と同様な部分については同じ符号を付与して重複する説明を省略する。
図14では、図10の第1導電型側電極122と異なり、第2導電型側電極130及び配線部136と重複しない領域で、発光領域120の第4辺の外側にも、第1導電型側電極122d及び122eを設けている。

0057

従って、本変形例では、各第1導電型側電極は、各発光領域120の略矩形状における隣接する4辺の外側を連続して囲む位置に設けられるが、第2導電型側の配線部136を除く位置に設けられる。

0058

(第2の実施形態の第3の変形例)
図15は第2の実施形態の図10に対応する第3の変形例の上面図ある。図15に示した以外の部分は、第2の実施形態と同様である。又、図15においても、第2の実施形態と同様な部分については同じ符号を付与して重複する説明を省略する。
図15では、図10及び図14の第1導電型側電極122と異なり、第2導電型側電極130及び配線部136と重複する領域も含んで、発光領域120の第4辺の外側にも、第1導電型側電極122fを設けている。

0059

従って、本変形例では、各第1導電型側電極は、各発光領域120の略矩形状における隣接する4辺の外側を連続して囲む位置に設けられ、第2導電型側の電極130及び配線部136が延伸されて発光領域120の辺と交差する位置の外側にも、層間絶縁膜145を挟んで設けられる。

0060

((第3の実施形態))
図16は、本発明の第3の実施形態の半導体装置(LEDアレイ)の薄膜チップにおける1ブロック分の複数の発光領域120とその周囲の電極及び配線部の概略構成を拡大して示す上面図である。図16に示した以外の部分は、第1の実施形態と同様である。又、図16においても、第1の実施形態と同様な部分については同じ符号を付与して重複する説明を省略する。
第3の実施形態が第1、第2の実施形態と異なる点は、発光領域120の配列方向の領域に形成されている第1導電型側電極が2つの発光領域120の間に設けられている点にある。

0061

従って、各第1導電型側電極122は、各発光領域120の間の1個置きの位置に、その両側の発光素子に対応する電極の一部分が配置される。各発光領域120には、その略矩形状において、各発光領域120の間の1個置きの電極が設けられない間側の辺ができることになる。

0062

従って、本実施形態では、図16に示したように、第1導電型側電極122および第1導電型側配線部132、134は、2つの発光領域120の間に形成されて、薄膜チップにおける各ブロックの端部には形成されていない。

0063

図17は、半導体装置(LEDアレイ)で図16ブロック構成を有する2つの薄膜チップが隣り合って実装される場合の隣接部分の実装状態を示す上面図である。図17において、図16と同様な部分については同じ符号を付与して重複する説明を省略する。

0064

図17において、160は図16のブロック構成を有する薄膜チップの端部であり、162は隣接する2つの薄膜チップ間のスペースを示している。図17では、図16にて説明したように第1導電型側電極122および第1導電型側配線部132、134が薄膜チップにおける各ブロックの2つの発光領域120の間に形成されており、すなわち薄膜チップの最端部の発光領域120に対して第1導電型側電極122が薄膜チップ端部と反対側に形成されて、薄膜チップにおける各ブロックの端部には形成されていない。

0065

このように本実施形態によれば、薄膜チップの端部の発光素子の第1導電型側電極122および第1導電型側配線部132、134が、発光素子におけるチップ端部と反対側の辺側に形成されているので、隣接する薄膜チップの最端部の発光領域120とのピッチ間隔寸法が小さい場合でも、チッブ内部の発光領域120ピッチと同等のピッチとすることができる。

0066

(第3の実施形態の変形例)
図18は第3の実施形態の変形例の半導体装置(LEDアレイ)における発光領域120とその周囲の電極の概略構成を拡大して示す上面図である。図18に示した以外の部分は、第1の実施形態と同様である。又、図18においても、第1の実施形態と同様な部分については同じ符号を付与して重複する説明を省略する。
図18に示したように、各第1導電型側電極122は、各発光領域120の略矩形状における、各発光領域120の間の1個置きの電極が設けられない間側の辺を除いて、隣接する3辺の外側を連続して囲む位置(122a、122b、122cの位置)に設けてもよい。又、各第1導電型側電極122は、第2導電型側の電極130及び配線部136が延伸されて発光領域120の辺と交差する位置の外側では層間絶縁膜145を挟んで設ければよい

0067

((第4の実施形態))
図19は本発明の第4の実施形態の半導体装置(LEDアレイ)における発光領域120とその周囲の電極の概略構成を拡大して示す上面図である。図19に示した以外の部分は、第1の実施形態と同様である。又、図19においても、第1の実施形態と同様な部分については同じ符号を付与して重複する説明を省略する。
第4の実施形態が前出の各実施形態と異なる点は、1つの連続した半導体薄膜210に複数の発光領域120が配列されて設けられ、その複数の発光領域120の配列方向の間に第1導電型側電極222の電極部分222bが設けられ、発光領域120の配列方向と垂直方向で発光領域120の外側の近傍に第1導電型側電極222の電極部分222aが設けられる点である。

0068

図19で、210は半導体薄膜で、その上に複数の発光領域220が配列されて設けられる点が第1の実施形態の半導体薄膜110とは異なるが、その他は同様である。220は第1の実施形態の発光領域120と同様な発光領域である。222は第1導電型側電極で、電極部分222aが同じブロック内の複数の発光領域220用である点が第1の実施形態の第1導電型側電極122とは異なるが、その他は同様である。230は第1の実施形態の第2導電型側電極130と同様な第2導電型側電極である。232、234は第1導電型側配線部で、同じブロック内の複数の発光領域220用の第1導電型側電極222と接続される点が第1の実施形態の第1導電型側配線部132、134とは異なるが、その他は同様である。236は第1の実施形態の第2導電型側配線部136と同様な第2導電型側配線部である。

0069

従って、各第1導電型側電極222は、化合物半導体の薄膜チップ内の複数の発光領域220から構成されるブロック単位毎に、複数の各発光領域220の間の位置に、その両側の発光素子に共通して対応する電極の一部分222bが配置され、複数の各発光領域220の間の電極を除く残りの電極部分222aが薄膜チップ長手方向に結合されて、電気的に導通した一個の電極として配置される。

0070

各第1導電型側電極222は、第2導電型側の電極230及び配線部236が延伸されて発光領域220の辺と交差する位置の外側にも、層間絶縁膜145を挟んで一個の電極として配置され、化合物半導体の薄膜チップ内の複数の発光領域220から構成されるブロック単位毎に、配列方向に両端の前記各発光領域120のブロックの配列方向外側に面した辺の外側には、前記電極の一部分が形成されない。

0071

このように本実施形態によれば、1つの連続した半導体薄膜に複数の発光領域120が設けられ、第1導電型側電極222を、その複数の発光領域120の配列方向の間と、発光領域120の配列方向と垂直方向で発光領域120の外側の近傍に設けるので、第1導電型側電極222の接触抵抗を低減させることができ、従って各発光素子の駆動電圧を低くできる。又、第1導電型側電極222を安定した状態で設けることができる。
又、半導体薄膜の底面積が広くなるので、平坦化膜とのポンディング強度を強くできるので素子の信頼性を高くすることができる。

0072

(第4の実施形態の第1の変形例)
図20は第4の実施形態の図19に対応する第1の変形例の上面図である。図20に示した以外の部分は、第4の実施形態と同様である。又、図20においても、第4の実施形態と同様な部分については同じ符号を付与して重複する説明を省略する。
図20に示したように第1導電型側電極222は、図19に示した電極部分222aとは発光領域220を挟んで反対側(図19に示した電極部分222aとは発光領域220の辺と対向する辺の外側領域)の位置に形成してもよい。その場合、第2導電型側の電極230及び配線部236が延伸されて発光領域120の辺と交差する位置の外側では、層間絶縁膜145を挟んで設けられる。

0073

(第4の実施形態の第2の変形例)
図21は第4の実施形態の図19に対応する第2の変形例の上面図である。図21に示した以外の部分は、第4の実施形態と同様である。又、図21においても、第4の実施形態と同様な部分については同じ符号を付与して重複する説明を省略する。
図21では、各第1導電型側電極222は、図19の第1導電型側電極222と異なり、発光領域120の第4辺の外側で、第2導電型側電極230及び配線部236と重複しない領域、すなわち第2導電型側の電極230及び配線部236を除く位置にも、第1導電型側電極122の電極部分220cとして、電極部分220bが延伸されて設けられる。

0074

従って、本変形例では、各第1導電型側電極220は、各発光領域120の略矩形状における隣接する4辺の外側を連続して囲む位置に設けられるが、第2導電型側の配線部を除く位置に設けられる。又、各第1導電型側電極220は、化合物半導体の薄膜チップ内の複数の発光領域120から構成されるブロック単位毎に、配列方向に両端の各発光領域120のブロックの配列方向外側に面した辺の外側には、電極部分220bを形成していない。さらに、各第1導電型側電極220は、各発光領域120の間の電極部分220bを、発光領域120の辺における前記一個の電極の反対側の辺の外側まで回り込むように延伸させて電極部分220c形成している。

0075

(第4の実施形態の第3の変形例)
図22は第4の実施形態の図19に対応する第3の変形例の上面図である。図22に示した以外の部分は、第4の実施形態と同様である。又、図22においても、第4の実施形態と同様な部分については同じ符号を付与して重複する説明を省略する。
図22では、図19及び図21の第1導電型側電極122と異なり、化合物半導体の薄膜チップ内の複数の発光領域120から構成されるブロック単位毎に、配列方向に両端の各発光領域120のブロックの配列方向外側に面した辺の外側にも、電極部分220bと同様な電極の一部分である電極部分220dが形成されている。従って、その電極部分220dにも、前記したように回り込む電極部分220cが設けられる。

0076

(第4の実施形態の第4の変形例)
図23は第4の実施形態の図19に対応する第4の変形例の上面図である。図23に示した以外の部分は、第4の実施形態と同様である。又、図23においても、第4の実施形態と同様な部分については同じ符号を付与して重複する説明を省略する。
図23では、各第1導電型側電極222は、図22の第1導電型側電極222と異なり、発光領域120の第4辺の外側で、第2導電型側電極230及び配線部236と重複する領域、すなわち第2導電型側の電極230及び配線部236と重なる位置にも、第1導電型側電極122の電極部分220eとして、電極部分220bが延伸されて設けられる。

0077

従って、本変形例では、各第1導電型側電極222は、各発光領域120の略矩形状における隣接する4辺の外側を連続して囲む位置に設けられ、第2導電型側の電極230及び配線部236が延伸されて発光領域120の辺と交差する位置の外側にも、層間絶縁膜145を挟んで設けられる。

0078

(第4の実施形態の第5の変形例)
図24は第4の実施形態の図19に対応する第5の変形例の上面図である。図24に示した以外の部分は、第4の実施形態と同様である。又、図24においても、第4の実施形態と同様な部分については同じ符号を付与して重複する説明を省略する。
図24の変形例では、発光素子の薄膜の同一の面側における、発光領域120と第1導電型側電極222と第2導電型側電極230が形成されない位置に、外光を遮断する遮光層170が発光領域120近傍を端部とするように形成されている。このように遮光層170を設けることで外光又はLEDプリントヘッド内の反射光の影響を抑制することができる。

0079

尚、上記した各実施形態では、半導体装置の半導体薄膜層に形成される半導体素子として、発光素子(LED)を形成した例について説明したが、これに限定されるものではなく、この発光素子に代えて受光素子を形成する、或いはこれ等の光素子だけでなく、その他の半導体素子を形成してもよい等、種々の態様を取り得るものである。

0080

また、前記した特許請求の範囲、及び実施形態の説明において、「上」、「下」といった言葉を使用したが、これらは便宜上であって、各装置を配置する状態における絶対的な位置関係を限定するものではない。

図面の簡単な説明

0081

本発明の第1の実施形態の画像形成装置のLEDプリントヘッドに用いられる半導体装置(LEDアレイ)の一部分の概略構成を示す上面図である。
図1に示されたA−A断面を示す断面図である。
図1に示されたB−B断面を示す断面図である。
図1に示されたC−C断面を示す断面図である。
本実施形態の半導体装置を用いたLEDプリントヘッドの一例の概略構成を示す断面図である。
図5のLEDプリントヘッド内の一例のLEDユニットの概略構成の配置を示す上面図である。
図5に示したLEDプリントヘッドを用いた画像形成装置の概略構成を示す断面図である。
第1の実施形態の図1に対応する変形例を示した上面図であり、
第1の実施形態の図4に対応する変形例を示した断面図である。
本発明の第2の実施形態の半導体装置(LEDアレイ)における発光領域120とその周囲の電極の概略構成を拡大して示す上面図である。
図10に示されたA−A断面を示す断面図である。
図10に示されたB−B断面を示す断面図である。
第2の実施形態の図12に対応する第1の変形例を示した断面図である。
第2の実施形態の図10に対応する第2の変形例の上面図である。
第2の実施形態の図10に対応する第3の変形例の上面図ある。
本発明の第3の実施形態の半導体装置(LEDアレイ)の薄膜チップにおける1ブロック分の複数の発光領域120とその周囲の電極及び配線部の概略構成を拡大して示す上面図である。
半導体装置(LEDアレイ)で図16のブロック構成を有する2つの薄膜チップが隣り合って実装される場合の隣接部分の実装状態を示す上面図である。
第3の実施形態の変形例の半導体装置(LEDアレイ)における発光領域120とその周囲の電極の概略構成を拡大して示す上面図である。
本発明の第4の実施形態の半導体装置(LEDアレイ)における発光領域120とその周囲の電極の概略構成を拡大して示す上面図である。
第4の実施形態の図19に対応する第1の変形例の上面図である。
第4の実施形態の図19に対応する第2の変形例の上面図である。
第4の実施形態の図19に対応する第3の変形例の上面図である。
第4の実施形態の図19に対応する第4の変形例の上面図である。
第4の実施形態の図19に対応する第5の変形例の上面図である。

符号の説明

0082

101集積回路を備えた基板(Si基板)、
102集積回路領域、
103層間絶縁膜、
104反射層、
105平坦化層、
110半導体薄膜、
110aエピタキシャル半導体薄膜層、
110b エピタキシャル半導体薄膜層、
110c エピタキシャル半導体薄膜層のn側コンタクト層、
120発光領域(半導体薄膜)、
120a エピタキシャル半導体薄膜層のクラッド層、
120b エピタキシャル半導体薄膜層の活性層、
120c エピタキシャル半導体薄膜層のクラッド層、
120d エピタキシャル半導体薄膜層のp側コンタクト層、
122 第1導電型側(n型側)電極、
122a電極部分(発光領域120の配列方向の辺の外側を囲むように隣接する領域)、
122b 電極部分(電極部分122aが設けられる辺と隣接する辺の外側を囲むように隣接する領域の電極部分)、
130 第2導電型側(p型側)電極、
132 第1導電型側配線部(第1導電型側電極122上の領域)、
134 第1導電型側配線部、
136 第2導電型側配線部、
140共通配線部、
145 層間絶縁膜、
150接続パッド、
152 共通配線接続開口部、
160 接続パッド、
162 接続領域。

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