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技術 外観検査装置

出願人 株式会社日立ハイテクノロジーズ
発明者 岡健次松井繁
出願日 2006年7月31日 (15年1ヶ月経過) 出願番号 2006-207780
公開日 2008年2月14日 (13年6ヶ月経過) 公開番号 2008-032600
状態 特許登録済
技術分野 光学的手段による材料の調査の特殊な応用
主要キーワード 感度カーブ 合成マップ 依存傾向 スライダスイッチ Y座標 シミュレーション領域 解析画面 方位性
関連する未来課題
重要な関連分野

この項目の情報は公開日時点(2008年2月14日)のものです。
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図面 (9)

課題

複数の検出器で得られる検出信号検出特性差異を装置上で解析し、回路ソフトウェアを変更することなく種々の検査目的に柔軟に対応できるようにすることができる外観検査装置を提供する。

解決手段

試料100を支持する試料ステージ101と、試料ステージ101上の試料100に照明光111を照射する照明光源103と、照明光源103の照明光スポットに対して互いに位置が異なるように配置され、試料100の表面から発生する散乱光112をそれぞれ検出する複数の検出器120a〜dと、検出器120a〜dからの検出信号を設定の条件に従って合成する信号合成部105と、信号合成部105による検出信号の合成条件を設定する入力操作部109と、入力操作部109により設定された条件に従って信号合成部105で合成された合成信号を基に構築された合成マップ220aを表示する情報表示部108とを備える。

概要

背景

ウェハ表面の欠陥検査する外観検査装置において、試料上の照明光スポット周り方位仰角が異なるように配置された複数の検出器を有する散乱光検出部(以下、マルチセンサと適宜記載する)を用い、検出器の仰角の相違による検出特性の違いを利用してCOP(Crystal Originated Particles)欠陥を弁別する技術がある(特許文献1等参照)。

特開平9−304289号公報

概要

複数の検出器で得られる検出信号の検出特性の差異を装置上で解析し、回路ソフトウェアを変更することなく種々の検査目的に柔軟に対応できるようにすることができる外観検査装置を提供する。試料100を支持する試料ステージ101と、試料ステージ101上の試料100に照明光111を照射する照明光源103と、照明光源103の照明光スポットに対して互いに位置が異なるように配置され、試料100の表面から発生する散乱光112をそれぞれ検出する複数の検出器120a〜dと、検出器120a〜dからの検出信号を設定の条件に従って合成する信号合成部105と、信号合成部105による検出信号の合成条件を設定する入力操作部109と、入力操作部109により設定された条件に従って信号合成部105で合成された合成信号を基に構築された合成マップ220aを表示する情報表示部108とを備える。

目的

本発明の目的は、複数の検出器で得られる検出信号の検出特性の差異を装置上で解析し、回路やソフトウェアを変更することなく種々の検査目的に柔軟に対応できるようにすることができる外観検査装置を提供することにある。

効果

実績

技術文献被引用数
4件
牽制数
3件

この技術が所属する分野

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請求項1

試料を支持する試料ステージと、この試料ステージ上の試料に照明光照射する照明光源と、この照明光源の照明光スポットに対して互いに位置が異なるように配置され、前記照明光源から照明光が照射されることで前記試料の表面から発生する散乱光をそれぞれ検出する複数の検出器と、これら複数の検出器からの検出信号を設定の条件に従って合成する信号合成部と、この信号合成部による検出信号の合成条件を設定する条件設定部と、この条件設定部により設定された条件に従って信号合成部で合成された合成信号を基に構築された合成試料像を表示する表示部とを備えたことを特徴とする外観検査装置

請求項2

請求項1の外観検査装置において、前記表示部が、前記複数の検出器の個々からの検出信号を基にそれぞれ構築された複数の個別試料像を表示することを特徴とする外観検査装置。

請求項3

請求項2の外観検査装置において、前記複数の個別試料像が、前記合成試料像と同一画面上に表示されることを特徴とする外観検査装置。

請求項4

請求項1の外観検査装置において、前記合成試料像が、前記条件設定部により検出信号の合成条件の設定が変更された場合、変更後の合成条件に従って新たに構築され、合成条件の変更が反映されることを特徴とする外観検査装置。

請求項5

請求項1の外観検査装置において、前記表示部が、前記複数の検出器による検出データの一覧を表示することを特徴とする外観検査装置。

請求項6

請求項1の外観検査装置において、前記複数の検出器の検出信号の合成条件が前記表示部の表示画面上のGUI操作により設定可能であることを特徴とする外観検査装置。

技術分野

0001

本発明は、半導体ウェハ上の微小異物欠陥を検出する外観検査装置に関する。

背景技術

0002

ウェハ表面の欠陥を検査する外観検査装置において、試料上の照明光スポット周り方位仰角が異なるように配置された複数の検出器を有する散乱光検出部(以下、マルチセンサと適宜記載する)を用い、検出器の仰角の相違による検出特性の違いを利用してCOP(Crystal Originated Particles)欠陥を弁別する技術がある(特許文献1等参照)。

0003

特開平9−304289号公報

発明が解決しようとする課題

0004

上記特許文献1の開示技術では、COP欠陥を弁別するように事前に格納されたソフトウェアに従ってマルチセンサの各検出器からの検出信号が合成され、この合成信号を基に主としてCOP欠陥をウェハマップ上に反映させたウェハの観察像構築される。しかしながら、例えばウェハ表面に付着した異物や傷等といったCPO欠陥以外の検出特性の異なる欠陥の観察像を得たい場合、各検出器からの検出信号の信号処理回路組み替えやソフトウェアの再構築の必要があった。

0005

そのためには、例えば、a:マルチセンサの検出結果を別の検査装置による同一ウェハの検査欠陥と比較してオフライン解析し、b:その解析結果を基に新たな検査対象(例えばウェハ表面の傷)の弁別に適したソフトウェアを作成し、c:作成したソフトウェアを元の外観検査装置にインストールする、といった一連の作業が必要となり、多くの労力及び時間を要する場合がある。

0006

本発明の目的は、複数の検出器で得られる検出信号の検出特性の差異を装置上で解析し、回路やソフトウェアを変更することなく種々の検査目的に柔軟に対応できるようにすることができる外観検査装置を提供することにある。

課題を解決するための手段

0007

上記目的を達成するために、第1の発明は、試料を支持する試料ステージと、この試料ステージ上の試料に照明光照射する照明光源と、この照明光源の照明光スポットに対して互いに位置が異なるように配置され、前記照明光源から照明光が照射されることで前記試料の表面から発生する散乱光をそれぞれ検出する複数の検出器と、これら複数の検出器からの検出信号を設定の条件に従って合成する信号合成部と、この信号合成部による検出信号の合成条件を設定する条件設定部と、この条件設定部により設定された条件に従って信号合成部で合成された合成信号を基に構築された合成試料像を表示する表示部とを備える。

0008

第2の発明は、第1の発明において、前記表示部が、前記複数の検出器の個々からの検出信号を基にそれぞれ構築された複数の個別試料像を表示することを特徴とする。

0009

第3の発明は、第2の発明において、前記複数の個別試料像が、前記合成試料像と同一画面上に表示されることを特徴とする。

0010

第4の発明は、第1の発明において、前記合成試料像が、前記条件設定部により検出信号の合成条件の設定が変更された場合、変更後の合成条件に従って新たに構築され、合成条件の変更が反映されることを特徴とする。

0011

第5の発明は、第1の発明において、前記表示部が、前記複数の検出器による検出データの一覧を表示することを特徴とする。

0012

第6の発明は、第1の発明において、前記複数の検出器の検出信号の合成条件が前記表示部の表示画面上のGUI操作により設定可能であることを特徴とする。

発明の効果

0013

本発明によれば、複数の検出器で得られる検出信号の検出特性の差異を装置上で解析し、回路やソフトウェアを変更することなく種々の検査目的に柔軟に対応できるようにすることができる。

発明を実施するための最良の形態

0014

以下に図面を用いて本発明の実施の形態を説明する。
図1は本発明の一実施の形態に係る外観検査装置の概念図である。
図1に示すように、試料ステージ101、ステージ駆動部102、照明光源103、散乱光検出部104、信号合成部105、全体制御部106、メカ制御部107、情報表示部108、入力操作部109、記憶部110等を備えている。

0015

試料ステージ101は、その上に載置されたウェハ等の試料100を支持し、ステージ駆動部102は、照明光源103から定点スポット)に照射される照明光111が試料100上を走査する如く試料ステージ101を駆動させる。

0016

ステージ駆動部102は、回転軸114を中心に試料ステージ101を回転させる回転駆動部115、試料ステージ101を径方向に移動させるスライド駆動部116を備えている。照明光源103によって試料ステージ101上の試料100に照明光111を照射しているときに、試料ステージ101を回転駆動部115により回転させつつスライド駆動部116によって径方向に移動させることで、相対的に照明光111が試料100上に渦巻状に走査される。

0017

散乱光検出部104は、照明光111のスポットに対する位置が異なる複数の検出器120a〜120dを有している。図1では、低角度位置に配設した検出器120a,120bと高角度位置に配設した検出器120c,120dの計4つの検出器を図示したが、検出器の数に限定はなく、それぞれ照明光スポットからの方位角及び仰角の少なくとも一方が異なるように2つ以上の検出器が配置されていれば良い。各検出器120a〜120dは、照明光源103から照明光111が照射されることで試料100の表面から発生する散乱光112をそれぞれ検出する。検出器120a〜120dの出力には、高周波成分である欠陥の検出信号(欠陥信号と適宜記載する)と低周波成分であるヘイズ信号が含まれる。

0018

また、散乱光検出部104において、各検出器120a〜120dには、それぞれ増幅器121a〜121d、A/D変換器122a〜122dが接続されている。各検出器120a〜120dからの検出信号は、増幅器121a〜121dを介してそれぞれ増幅され、A/D変換器122a〜122dを介してディジタル信号化される。

0019

信号合成部105は、ディジタル信号化された検出器120a〜120dからの検出信号を指定された演算条件プログラム)に従って合成する。後述にて例示するが、信号合成部105における合成信号の演算条件は、事前に定められた固定的な条件ではなく、入力操作部109によりオペレータにより適宜指定変更可能なものである。信号合成部105で合成された合成信号のデータは、合成信号の基になった検出信号120a〜120d毎の検出信号のデータとともに記憶部110に出力され記憶される。これらデータとしては、例えば検出した欠陥の個々の位置(XY座標)、大きさ等である。また、例えば電子顕微鏡を用いた検査装置等、他の検査装置や製造装置等にもネットワークを介してそれらのデータを出力可能な構成としても良い。

0020

全体制御部106は、作業の工程(検査条件設定結果表示、解析、演算式指定)に合わせた情報の表示・入出力に関する信号を処理し、装置の全体制御を行う。例えば入力操作部109からの操作信号や記憶部110に格納された対応のプログラムを基に、メカ制御部107に指令信号を出力したり、信号合成部105における合成信号の演算条件を変更したりする役割を果たす。メカ制御部107は全体制御部106からの指令信号を受けて回転駆動部115やスライド駆動部116等の駆動機構を制御する。その他、全体制御部106は、信号合成部105を介して入力される合成信号や各検出器120a〜120dからの検出信号を記憶部110に出力し記憶させたり、それら信号を基に情報表示部108への表示信号を生成し情報表示部108に画像を表示させたりする役割も果たす。

0021

入力操作部109は、上記のように信号合成部105による検出信号の合成条件の入力操作、各装置の動作等を指示するためのものである。

0022

情報表示部108は、入力操作部109により指定された条件に従って信号合成部105により合成された合成信号を基に構築された試料像(以下、便宜上「合成試料像」と称する)や、対応の検出器からの検出信号を基にそれぞれ構築された個々の検出器に対応する複数の試料像(以下、便宜上「個別試料像」と称する)、検出データや検出条件レシピ)等を表示する。例えば、検査終了後は検査結果を表示し、解析時は合成試料像と個別試料像を同一画面上に表示する。合成試料像と個別試料像は切り替え表示されるようにしても良い。

0023

記憶部110は、各種制御・演算処理に必要なプログラム・定数、検査結果(合成試料像・個別試料像のデータ)、入力操作部109により設定された合成条件等を格納している。個別試料像のデータは、検出器120a〜120d毎に、検出器のアドレス情報とともに記憶される。

0024

前述したように、信号合成部105による検出信号の合成は、入力操作部109にてオペレータが設定した条件に従って実行される。この設定は入力操作部109の入力操作によって随時変更可能である。

0025

図2図4に検出信号の合成条件を幾つか例示した。
図2の場合、特定方位ノイズを抑制し欠陥検出S/Nを向上させるのに有用な一例である。検出信号に方位性があるとの知見の下、複数の検出器による照明光スポットからの検出器の方位の違いから、各検出器の検出信号に乗ずる係数を任意に設定することができるようにすることで、検査目的等に応じてノイズレベルの最適化が図られる。

0026

図2の例では、低角度(仰角1)の検出器120a,120bにより検出された欠陥信号1,2を合成するにあたり、欠陥信号1を1/n1倍した信号と欠陥信号2を1/n2倍した信号を加算している。このとき、1/n1,1/n2は検査目的に応じ、検出器120a,120bの照明光スポットに対する位置を案してオペレータが入力操作部109で入力した任意の数値である。同じく、高角度(仰角2)の検出器120c,120dにより検出された欠陥信号3,4を合成するにあたり、欠陥信号3を1/n3倍した信号と欠陥信号4を1/n4倍した信号を加算している。1/n3,1/n4も検出器120c,120dの照明光スポットに対する位置を勘案してオペレータが入力操作部109で入力した任意の数値である。

0027

図3の例では、低角度(仰角1)の検出器120a,120bにより検出された欠陥信号1,2を合成するにあたり、欠陥信号1を検出器120aにより検出されたヘイズ信号1で除した信号と、欠陥信号2を検出器120bにより検出されたヘイズ信号2で除した信号を加算している。同じく、高角度(仰角2)の検出器120c,120dにより検出された欠陥信号3,4を合成するにあたり、欠陥信号3を検出器120cにより検出されたヘイズ信号3で除した信号と欠陥信号4を検出器120dにより検出されたヘイズ信号4で除した信号を加算している。このように、本実施の形態の場合、先に図2に示したような合成条件から図3のようなヘイズ信号を用いてS/N改善を図る合成条件に変更することも入力操作部109により容易に行える。

0028

図4の例は、欠陥信号の分類情報を取得する一例である。図4では、例えば照明光スポットの前方・側方後方にそれぞれ位置する仰角1の検出器からの欠陥信号1〜3を合成するにあたり、図2の例と同様に欠陥信号1〜3を任意の係数を乗じた上で加算している。この合成条件は特に限定されず、図3の条件等に代えることもできる。

0029

このとき、各信号の大小関係等、検査目的(傷・異物・COP等)により生じる各位置の検出器による検出信号の相関関係を条件に入れ、その条件により得られた結果を欠陥の分類情報(識別可能な何らかの属性信号)として得ることもできる。図4の例では、1/n1倍した欠陥信号1と1/n2倍した欠陥信号2の大小関係を見て、欠陥信号1が欠陥信号2よりも大きい場合、検出した欠陥の大きさ・位置・検出器アドレス等の情報に分類情報として0(ゼロ)で識別される属性を付与し、欠陥信号1が欠陥信号2よりも小さい場合は1で識別される属性を付与することとしている。つまり、検出欠陥情報に付随する属性情報(0又は1)により欠陥種判別される。この例では、照明光スポットの前方に配置した検出器により検出された散乱光(前方に散乱した散乱光)と照明光スポットの側方に配置した検出器により検出された散乱光(側方に散乱した散乱光)との比率で欠陥が分類される。

0030

また、このようにして欠陥を分類することで、分類後の欠陥の種類毎に正確な感度カーブを持たせることができ、欠陥寸法検出精度向上にも寄与する。

0031

図5は情報表示部108に表示された解析画面の一例を表した図である。
図5に示すように、解析画面200には、計8つの個別マップ230a〜230hの表示領域230、及び個別マップ230a〜230hのうちから選択されたものを拡大表示する拡大マップ240aの表示領域240が配置されている。図5の例では、散乱光検出部104が、4方位に配置された低角度の検出器L1〜L4と4方位に配置された高角度の検出器H1〜H4の計8つの検出器を備えているものとする。

0032

個別マップ230aには対応する低角度の検出器L1により検出された欠陥がウェハマップ上に重ねて表示された形で個別試料像が表示されている。個別マップ230b〜230hも同様に、それぞれ対応の検出器L2〜L4,H1〜H4による個別試料像が表示されている。個別マップ230a〜230hは、実際の検出器L1〜L4,H1〜H4のレイアウト相応した配置で表示するようにしても良い。

0033

拡大マップ240aには、入力操作部109による入力操作又は個別マップ230a〜230hのタッチ操作により選択された、個別マップマップ230a〜230hのいずれか1つが拡大表示される。また、解析画面200中の拡大マップ240aの下方領域には、拡大マップ240aに表示された欠陥の寸法のヒストグラムが表示される。

0034

これにより、各個別マップ230a〜230hのそれぞれについて拡大マップ240a及びヒストグラムを順次確認し、寸法別の欠陥分布の確認、ノイズレベルのレンジの差異を判断することができる。また、個別マップ230a〜230hを解析画面200上に一覧表示することにより、欠陥寸法の分布検出器方位への依存傾向も見定めることができる。

0035

図6は情報表示部108に表示されたシミュレーション画面の一例を表した図である。
図6に示したシミュレーション画面201は、解析画面200に設けられた表示切換ボタン(図示せず)のタッチ操作又は入力操作部109を用いた操作により解析画面200より表示が移行された画面である。シミュレーション画面201に解析画面200への表示切換ボタン(図示せず)を設け、この表示切換ボタンのタッチ操作又は入力操作部109を用いた操作により解析画面200に表示を移行することもできる。

0036

このシミュレーション画面201には、個別マップ230a〜230hの表示領域230の他、検出信号の合成条件(演算式)を設定する条件設定領域210、及びこの条件設定領域210で設定された合成条件に基づく合成信号による合成マップ演算結果)220aを表示するシミュレーション領域220が配置されている。この合成マップ220aは、例えば解析画面200の拡大マップ240aに表示されるようにしても良い。

0037

条件設定領域210には合成条件の表示領域211が設けられており、入力操作部109を用いた入力操作、又は条件設定領域210に設けられた各種演算子タン212a〜212e及び個別マップ230a〜230hのタッチ操作により設定された合成条件が表示される。図6の例では、低角度の検出器L1〜L4の信号の合成条件として、検出器L1の検出信号に係数0.5(=1/2)を掛けて検出器L2〜L4の検出信号に加算する場合を表示領域211に例示している。この場合、検査目的と検出器の方位を勘案し、特定の方位に位置する検出器L1の検出信号を他の検出器L2〜L4よりも弱める合成条件をオペレータが入力したことになる。

0038

このように、演算子ボタン212a〜212eに示したような、任意の2入力及び定数に対する「+(加算)」「−(減算)」「×(乗算)」「÷(除算)」「^(べき乗)」等の演算子の他、条件分岐、複数の値の合計(Σ)の演算子を適宜組み合わせ、1つ又は図2図4に示したような複数の演算レイヤを設定し、検出信号の合成条件を設定する。また、単に各検出器の検出信号に係数を掛けたものを合計する場合、個別マップ230a〜230hの付近にそれぞれスライダスイッチスクロールバー)を設け、スライダスイッチの操作により各検出信号に対する係数が変更されるようにすることも考えられる。本実施の形態では、このようにGUI操作により情報表示部108の画面上で極容易に検出信号の合成条件の設定を変更することができるようになっている。

0039

合成マップ220aには、例えば図6の表示領域211や図2図4に例示したような合成条件に従い、各検出器の検出信号を信号合成部105で合成して得られた合成信号を基に生成された欠陥画像をウェハマップ上に重ねて表示した形で合成試料像が表示されている。上記した操作により各検出器の検出信号の合成条件が変更されると、合成マップ220aには変更後の合成条件に従った合成信号により構築された合成試料像が反映され、合成条件の変更による検査装置の検出結果がシミュレーション領域220にて随時シミュレーションされる。

0040

このように検査目的と個別マップによる各検出器の検出信号を見ながらオペレータが信号の合成条件を任意に設定することで、検査装置をカスタマイズするとともに、検査結果を検査目的に応じて最適化することができる。

0041

図7は情報表示部108に表示されたデータ一覧表示画面の一例を表した図である。
このデータ一覧表示画面202では、各欠陥(No.1,2・・・)に対し、ウェハ上の座標位置(X,Y)、各検出器L1〜L4,H1〜H4による検出サイズ、設定された合成条件下での合成信号による検出サイズが一覧表形式で表示されている。また、一覧表の他、検出欠陥の寸法のヒストグラム、チャート等、視覚的にデータの分布や傾向を判別できるような態様の表示も併せてなされている。

0042

このデータ一覧表示画面202は、図示しない表示切換ボタン(画面202上のオブジェクト)や入力操作部109による操作により、前の解析画面200、シミュレーション画面201と随時表示切り替えることができる。

0043

図8は上記構成の外観検査装置を用いた検出信号の合成条件の設定手順を表すフローチャートである。
本実施の形態の外観検査装置において検出信号の合成条件を変更する場合、まず他の検査装置である程度欠陥座標や大きさ・種類が既知のウェハを試料ステージ101上にロードし、現状の合成条件(又はリセットした合成条件)の下で欠陥検査を実施する(ステップ301)。ここでは、入力操作部109により検査開始が指示されると、照明光源103からの照明光が回転する試料100上に走査され、試料100からの散乱光が各検出器により検出される。各検出器による検出信号は、メカ制御部107に指令する試料ステージ101の動作信号による試料100上の照明光スポットの位置(座標)に同期され、座標・大きさ・検出器アドレス・合成信号等の欠陥情報とともに各検出器の検出結果が記憶部110に記憶される。

0044

ステップ302では、例えば入力操作部109又は情報表示部108上で所定の操作を行い、情報表示部108に図5の解析画面200を表示させ、検査結果を解析する(例えば感度を確認する)。ここでは、入力操作部109からの操作信号を受けた全体制御部106が記憶部110に記憶された各検出器の検出信号・合成信号等を読み出し、それら情報を基に生成した表示信号が情報表示部108に出力させることで情報表示部108に解析画面200が表示される。オペレータはこの解析画面200において個別マップ230a〜230hや拡大マップ240aで現状の条件下における各検出器による検出結果を確認し、現状の検査結果を既知の欠陥情報と比較して良好な検査結果であるかどうかを解析する。

0045

ステップ303では、解析の結果、現状の信号合成条件が次の検査目的に見合うものであれば(感度最適化の場合、現状の感度が十分であれば)、特に合成条件の変更の必要がないので合成条件設定手順を終了し、現状の合成条件のままウェハの検査工程を開始する。現状の信号合成条件が検査目的に合致しないようであれば(感度最適化の場合、現状の感度が不十分であれば)、ステップ304・305の合成条件変更の手順に移行する。

0046

ステップ304では、検査目的(検査する欠陥種等)・検出器の位置(方位・仰角)・欠陥ヘイズ等を考慮しつつ、個別マップ・拡大マップ・ヒストグラム等を解析画面200上で確認する。

0047

ステップ305では、シミュレーション画面201に情報表示部108の表示を切り替え、解析画面200での評価・解析の結果、検査目的に見合った合成条件を決定し条件設定領域210にて新たに設定する。合成条件の変更結果は、合成マップ220a・個別マップ230a〜230h上に逐次反映される。ステップ305において、変更後の合成条件は、全体制御部106を介して記憶部110に出力され記憶される。記憶された新たな合成条件は、全体制御部106によって各検出器の検出信号とともに読み出され、新たな合成条件を基に合成試料像の表示データが全体制御部106によって生成され、情報表示部108に出力される。こうして合成マップ220a上に表示されるシミュレーション画像により合成条件の妥当性を評価し、妥当と判断されたら合成条件を一旦決定する。

0048

続くステップ306では、新たに設定された合成条件下で、再び同じウェハの欠陥検査を実施し、ステップ307でステップ302と同様にその結果を解析する。ステップ308では、ステップ303と同じ要領で、変更後の信号合成条件が検査目的に見合うものであれば(感度最適化の場合、変更後の感度が十分であれば)、以降の合成条件の変更の必要がないので合成条件設定手順を終了し、そのままの合成条件でウェハの検査工程を開始する。変更後の信号合成条件が依然として検査目的に合致しないようであれば(感度最適化の場合、変更後の感度が未だ不十分であれば)、ステップ304に手順を戻して再度合成条件の変更を試みる。このように、合成条件の変更と変更後の合成条件下での試し検査を繰り返し、良好な検査結果が得られたら、図8の手順を終了する。

0049

以上、本実施の形態によれば、以下のような効果を奏する。
例えば、ウェハ上のCOP・傷・異物(パーティクル)等の欠陥を検査する場合、複数の検出器(マルチセンサ)を有する外観検査装置では、各検出器の検出信号の合成条件が検出しようとする欠陥種に適したパラメータに設定されている。したがって、検査目的を変更する場合、目的の欠陥種に応じて例えば感度最適化のためにパラメータを変更する必要がある。この場合、パラメータの変更には、オフライン作業による検査結果の評価・解析、ソフトウェアの作成、作成したソフトウェアのインストールという一連の作業に多くの労力・時間を要する場合がある。

0050

それに対し、本実施の形態によれば、ウェハの欠陥検査結果を情報表示部108で確認し、その後も、検査結果の評価・解析、入力操作部109による信号合成条件の変更、変更後の合成マップのシミュレーション、条件変更後の検査結果の確認まで、本外観検査装置上で実施することができる。このように、複数の検出器で得られる検出信号の検出特性の差異を装置上で解析し、回路やソフトウェアを変更することなく最小限の労力で種々の検査目的に柔軟かつ迅速に対応できるようにすることができる。マルチセンサを搭載していることにより、欠陥種等によって散乱光の方位性に応じた検出信号の差異を判別できることで、このような大きなメリットを得ることができる。

0051

また、検出信号の合成条件が任意かつ容易に変更できるので、様々な合成条件で試し検査を繰り返して検出結果とその傾向(検出信号の方位・仰角への依存性等)を解析することにより、これまでこの種の外観検査装置では発見し難かったような欠陥の検査・分類用のパラメータ特定への応用も期待できる。

図面の簡単な説明

0052

本発明の一実施の形態に係る外観検査装置の概念図である。
検出信号の合成条件の一例を表す図である。
検出信号の合成条件の一例を表す図である。
検出信号の合成条件の一例を表す図である。
情報表示部に表示された解析画面の一例を表した図である。
情報表示部に表示されたシミュレーション画面の一例を表した図である。
情報表示部に表示されたデータ一覧表示画面の一例を表した図である。
本発明の一実施の形態に係る外観検査装置を用いた検出信号の合成条件の設定手順を表すフローチャートである。

符号の説明

0053

100試料
101試料ステージ
103照明光源
105信号合成部
108情報表示部
109入力操作部
111照明光
112散乱光
120a〜d検出器
200解析画面
201シミュレーション画面
202データ一覧表示画面
210条件設定領域
211 表示領域
212a〜e演算子ボタン
220a合成マップ
230a〜h 個別マップ
240a 拡大マップ

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