図面 (/)

技術 半導体封止用樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置

出願人 京セラケミカル株式会社
発明者 善積章井東正作
出願日 2006年6月20日 (14年5ヶ月経過) 出願番号 2006-170560
公開日 2008年1月10日 (12年10ヶ月経過) 公開番号 2008-001757
状態 特許登録済
技術分野 高分子組成物 半導体又は固体装置の封緘,被覆構造と材料
主要キーワード フェライトパウダー 抗酸化処理 磁気遮蔽性 マイクロエレクトロニクスパッケージ 関係項目 連続動作試験 電送システム 加熱押出し
関連する未来課題
重要な関連分野

この項目の情報は公開日時点(2008年1月10日)のものです。
また、この項目は機械的に抽出しているため、正しく解析できていない場合があります

図面 (3)

課題

電磁波シールド性能を実現するのと同時に、半導体装置信頼性を示す関係項目である電気絶縁性能帯電防止性能、電磁波シールド性能の全てを満足させる半導体封止用樹脂組成物を提供する。

解決手段

金属系材料カーボン系材料及びフェライト系材料の少なくとも一種からなる電磁波シールド機能を有する材料粒子2を樹脂3に分散させて得られた複合材料粒子1を、電気絶縁性を有するマトリックス樹脂11に配合してなる半導体封止用樹脂組成物10。

概要

背景

情報通信分野における、大量伝送高速伝送に対する要求は日に日に厳しくなり、その要求に応えるためには、動作周波数キャリア周波数共に、高周波化せざるをえない。一方、通信機器の伝送信頼性を確保するためには、電磁波障害を防止する必要がある。例えば、各種の通信機器用制御用半導体装置は、樹脂封止によりデバイス化パッケージ化されているが、今後の展開が図られる高周波化には対応できていない。

現在、対策としては、金属被覆による電磁障害防止、電磁障害を受けにくい素子設計に加えて、電磁波シールド材料を配合した半導体封止用樹脂組成物、等が提案されており、電磁波シールド材料を配合した半導体封止用樹脂組成物の提案としては、例えば、次のような技術が提案されている。

表面が絶縁性無機材料で処理された導電性粒子又は表面が絶縁性無機材料で処理された磁性粒子を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物(例えば、特許文献1、2参照。)、シリカ粉末及び磁性体粉末を含有し、シリカ粉末の平均粒子径が磁性体粉末のそれよりも小さい半導体封止用樹脂組成物(例えば、特許文献3参照。)、磁性体粉末を含有し、それが50から3000の比透磁率を有し、全エポキシ樹脂組成物中に30から90vol%で含まれるエポキシ樹脂組成物(例えば、特許文献4参照。)、粉体体積抵抗率が103Ω・cm以上である、表面が被覆材で処理され金属系磁性粒子を必須成分とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物(例えば、特許文献5参照。)が知られている。
特開2001−192537号公報
特開2002−368480号公報
特開2002−363382号公報
特開2003−128880号公報
特開2003−261745号公報

概要

電磁波シールド性能を実現するのと同時に、半導体装置の信頼性を示す関係項目である電気絶縁性能帯電防止性能、電磁波シールド性能の全てを満足させる半導体封止用樹脂組成物を提供する。金属系材料カーボン系材料及びフェライト系材料の少なくとも一種からなる電磁波シールド機能を有する材料粒子2を樹脂3に分散させて得られた複合材料粒子1を、電気絶縁性を有するマトリックス樹脂11に配合してなる半導体封止用樹脂組成物10。

目的

このとき、通常、カーボン添加量は、全樹脂組成物に対して0.2〜0.4質量%の範囲である。この範囲に限定される理由は、カーボンの添加量が0.2質量%以下では、カーボンの添加目的である半導体素子に入る有害光の遮蔽と帯電防止性能を付与出来ない為である。一方、0.4質量%以上の添加では、電気絶縁性能が低下する。特に、0.7重量%以上ではその低下が特に大きい。そのため、デバイス封止すると、金属配線腐食短絡故障等が起こりやすくなる。

効果

実績

技術文献被引用数
1件
牽制数
0件

この技術が所属する分野

ライセンス契約や譲渡などの可能性がある特許掲載中! 開放特許随時追加・更新中 詳しくはこちら

請求項1

電磁波シールド機能を有する材料粒子樹脂に分散させてなる複合材料粒子を、電気絶縁性を有するマトリックス樹脂に配合してなることを特徴とする半導体封止用樹脂組成物

請求項2

前記電磁波シールド機能を有する材料粒子が、金属系材料フェライト系材料及びカーボン系材料の少なくとも一種からなる粒子であることを特徴とする請求項1記載の半導体封止用樹脂組成物。

請求項3

前記電磁波シールド機能を有する材料粒子を分散させる樹脂が熱可塑性樹脂であることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体封止用樹脂組成物。

請求項4

前記電磁波シールド機能を有する材料粒子を分散させる樹脂が熱硬化性樹脂であることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体封止用樹脂組成物。

請求項5

前記マトリックス樹脂が、エポキシ樹脂であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載の半導体封止用樹脂組成物。

請求項6

前記複合材料粒子中の前記電磁波シールド機能を有する材料粒子の配合量が10〜90質量%であり、前記半導体封止用樹脂組成物中の前記複合材料粒子の配合量が3〜15質量%であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載の半導体封止用樹脂組成物。

請求項7

請求項1乃至6のいずれか1項記載の半導体封止用樹脂組成物を用いて半導体素子封止してなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置

技術分野

0001

本発明は、半導体封止に用いる半導体封止用樹脂組成物及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置に関し、特に通信機器周辺で使用される半導体装置封止成形に使用される電磁波シールド機能を有する半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置に関する。

背景技術

0002

情報通信分野における、大量伝送高速伝送に対する要求は日に日に厳しくなり、その要求に応えるためには、動作周波数キャリア周波数共に、高周波化せざるをえない。一方、通信機器の伝送信頼性を確保するためには、電磁波障害を防止する必要がある。例えば、各種の通信機器用制御用半導体装置は、樹脂封止によりデバイス化パッケージ化されているが、今後の展開が図られる高周波化には対応できていない。

0003

現在、対策としては、金属被覆による電磁障害防止、電磁障害を受けにくい素子設計に加えて、電磁波シールド材料を配合した半導体封止用樹脂組成物、等が提案されており、電磁波シールド材料を配合した半導体封止用樹脂組成物の提案としては、例えば、次のような技術が提案されている。

0004

表面が絶縁性無機材料で処理された導電性粒子又は表面が絶縁性無機材料で処理された磁性粒子を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物(例えば、特許文献1、2参照。)、シリカ粉末及び磁性体粉末を含有し、シリカ粉末の平均粒子径が磁性体粉末のそれよりも小さい半導体封止用樹脂組成物(例えば、特許文献3参照。)、磁性体粉末を含有し、それが50から3000の比透磁率を有し、全エポキシ樹脂組成物中に30から90vol%で含まれるエポキシ樹脂組成物(例えば、特許文献4参照。)、粉体体積抵抗率が103Ω・cm以上である、表面が被覆材で処理され金属系磁性粒子を必須成分とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物(例えば、特許文献5参照。)が知られている。
特開2001−192537号公報
特開2002−368480号公報
特開2002−363382号公報
特開2003−128880号公報
特開2003−261745号公報

発明が解決しようとする課題

0005

半導体封止用樹脂には、内部に封止する半導体デバイスを樹脂封止した際、出来上がった樹脂封止型半導体デバイス、すなわち樹脂封止パッケージ、が半導体デバイスに要求される長期信頼性満足させる必要がある。そのためには、各種の信頼性試験パスしなければならない。

0006

すなわち、連続動作試験高温高湿バイアス試験高温保存試験低温保存試験、高温高湿保存試験はんだ耐熱試験温度サイクル試験熱衝撃試験温湿度サイクル試験、などが主要な信頼性試験である。これらの試験と最も関係の深い樹脂性能は電気絶縁性能である。また、これに加えて、帯電防止性能電磁波シールド性能等も要求される。

0007

しかしながら、従来の半導体封止用樹脂組成物は、電気絶縁性能、帯電防止性能、電磁波シールド性能の三性能を全て満足させるものではなく、これを満足させる半導体封止用樹脂組成物が求められていた。

0008

ちなみに、従来の一般的な半導体封止用樹脂には電気絶縁性能と帯電防止性能を両立させるために、次の組合組成となっている。すなわち、有機絶縁材料であるエポキシ樹脂で電気絶縁性能を確保し、一方、適量の導電性カーボンの添加で帯電防止性能を付与している。

0009

このとき、通常、カーボン添加量は、全樹脂組成物に対して0.2〜0.4質量%の範囲である。この範囲に限定される理由は、カーボンの添加量が0.2質量%以下では、カーボンの添加目的である半導体素子に入る有害光の遮蔽と帯電防止性能を付与出来ない為である。一方、0.4質量%以上の添加では、電気絶縁性能が低下する。特に、0.7重量%以上ではその低下が特に大きい。そのため、デバイスを封止すると、金属配線腐食短絡故障等が起こりやすくなる。

0010

また、上記した電磁波シールド性能の対策を検討した特許出願でも、導電性粉末を添加することが推奨されているが、長期にわたり高信頼性を維持させるためには、この電気絶縁性能、帯電防止性能、電磁波シールド性能、の三性能を鼎立させる必要となるが、これまではそのような対応や考慮はなされていない。

0011

そこで、本発明は、電磁波シールド化を目的とする材料であって、この電磁波シールド性能を実現するのと同時に、上記の装置の信頼性を示す関係項目である電気絶縁性能、帯電防止性能、電磁波シールド性能の全てを満足させる半導体封止用樹脂組成物を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段

0012

本発明の半導体封止用樹脂組成物は、電磁波シールド機能を有する材料粒子複合材料粒子用の樹脂に分散させてなる複合材料粒子を、電気絶縁性を有するマトリックス樹脂に配合してなることを特徴とするものである。

0013

ここで、電磁波シールド機能を有する材料は、金属系材料フェライト系材料カーボン系材料が挙げられ、これらを少なくとも一種含有してなる材料であり、電磁波シールド機能を有する材料粒子を分散させる複合材料粒子用の樹脂としては、熱可塑性樹脂熱硬化性樹脂等が挙げられる。また、電気絶縁性を有するマトリックス樹脂としては熱硬化性樹脂が挙げられ、特にエポキシ樹脂であることが好ましい。

0014

また、本発明の半導体装置は、本発明の半導体封止用樹脂組成物を用いて半導体を封止してなることを特徴とするものである。

0015

本発明は、高性能の樹脂封止型半導体装置に要求される上記三性能を鼎立させ得る半導体封止用樹脂組成物を提供するものであり、特に高周波設備機器、デバイス等の周辺で用いられる各種の樹脂封止された半導体デバイスの電磁障害の防止に関し、半導体素子、デバイス周辺部を、本発明の半導体封止用樹脂組成物で封止成形する事で、半導体素子に対する電波障害を防止するものである。

発明の効果

0016

本発明の半導体封止用樹脂組成物によれば、樹脂封止型半導体装置の封止に好適で、かつ、電気絶縁性能、帯電防止性能、電磁波シールド性能の三性能を満足できる半導体装置を製造することができ、これを用いた半導体装置によれば、内蔵された半導体素子、半導体部品モジュール等への高周波による外乱を防止する事ができ、今後ますます発展する高速大容量電送システムに好適な信頼性の高い半導体装置を提供することができる。

発明を実施するための最良の形態

0017

以下、本発明を図面を参照しながら、実施の形態に基づいて説明する。まず、本発明の半導体封止用樹脂組成物を構成する材料について説明し、その後、実施例を説明する。

0018

まず、本発明に用いる電磁波シールド機能を有する材料粒子としては、金属系材料、フェライト系材料及びカーボン系材料の少なくとも一種の材料からなる粒子が挙げられ、例えば、鎖状ニッケル粉末、燐片状ニッケル粉末アルミニウム粉末銀粉銀コート銅粉等の金属粉末からなる金属系材料、軟磁気特性を有するフェライト粉末ヘマタイト粉末マグネタイト粉末等のフェライト系材料、さらにカーボン粉末グラファイト粉末カーボン繊維等のカーボン系材料からなる粒子が挙げられる。

0019

この電磁波シールド機能を有する材料粒子は、金属系材料及び/又はフェライト系材料とカーボン系材料とを併用することが好ましく、これらの材料粒子を併用したときの使用割合は、10:90〜90:10であることが好ましい。なお、この併用系においては、カーボン系材料を複合材料粒子に分散させず、樹脂組成物を製造する際に他の配合成分と一緒にマトリックス樹脂と混合させるようにしてもよい。通常の半導体封止用樹脂組成物では0.1質量%から0.4質量%の添加範囲では直接カーボン粉末をマトリックス樹脂に加えているからである。

0020

ここで用いる電磁波シールド機能を有する材料粒子は、その平均粒径が10nm〜10μm程度であることが好ましく、複合材料粒子の設計形状、電磁波シールド機能を有する材料粒子の粒径、その添加量によって最適範囲は大きく変わるため、他の条件も考慮して適宜決定すればよい。その形状は、粒状、リン片状、粉状等のいずれでもよい。
なお、ここで電磁波シールド機能を有する材料粒子の平均粒径は、レーザー回折式粒度分布測定装置島津製作所製、商品名:SALD−3100)にて測定したものであり、下記の複合材料粒子の平均粒径についても同様である。

0021

次に、本発明に用いる電磁波シールド機能を有する材料粒子を分散させる樹脂としては、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、MBSメチルメタクリレートブタジエンスチレン)、シリコーン樹脂等のゴム系樹脂ポリエステルポリエチレン等の熱可塑性樹脂が挙げられる。

0022

本発明に用いる複合材料粒子は、上記電磁波シールド機能を有する材料粒子を分散させるための複合材料粒子形成用の樹脂に、上記の電磁波シールド機能を有する材料粒子を分散してなるものであり、図1の複合材料粒子の概略断面図に示したように、複合材料粒子1は、電磁波シールド機能を有する材料粒子2を樹脂3中に分散されて形成されている。

0023

この複合材料粒子の製造方法は、電磁波シールド機能を有する材料粒子と、これを分散させる樹脂を混合し、加熱混練装置練り込み、分散させた後、冷却し、粉砕して製造することができる。

0024

また、本発明に用いる複合材料粒子の他の製造方法としては、化学反応容器中で、樹脂溶液に電磁波シールド機能を有する材料粒子を加え、撹拌しながらビニルモノマー等を重合させて球状粒子を製造することもできる。

0025

ここで用いる複合材料粒子は、その平均粒径が1〜10μm程度であることが好ましく、上記の電磁波シールド機能を有する材料粒子の粒径と同様に、最適値は、他の条件も考慮して適宜決定すればよい。

0026

このとき、複合材料粒子中の電磁波シールド機能を有する材料粒子の配合量は、10〜90質量%であることが好ましく、40〜80質量%であることが特に好ましい。

0027

このようにして得られた電磁波シールド機能を有する材料粒子を分散させた樹脂粒子、すなわち、複合材料粒子は、通常の半導体封止樹脂組成物の製造方法を用いて、電気絶縁性を有するマトリックス樹脂と配合することで半導体封止用樹脂組成物とすることができる。

0028

ここで、電気絶縁性を有するマトリックス樹脂としては、熱硬化性樹脂が挙げられ、特に、エポキシ樹脂であることが好ましい。

0029

すなわち、例えば、エポキシ樹脂等からなる主剤ノボラック型フェノール樹脂等の硬化剤イミダゾール等の硬化促進剤シリカ粉等の充填剤エポキシシラン等のカップリング剤カルナバワックス等の離型剤官能基を持つシリコーンオイル等の接着助剤、さらに各種の変性剤に、複合材料粒子を配合して、二軸加熱ロール又は二軸加熱押出し混練装置で練り込み、冷却し、粉砕して製造することができる。

0030

なお、半導体封止用樹脂組成物の製法については、上記に限定されるものではなく、従来の半導体封止用樹脂組成物の製法をそのまま用いることができ、例えば、マイクロエレクトロニクスパッケージングハンドブック(R,R,Tummala(IBM)、E.J.Rymaszeski(UBM)著、日経BP社,1991年3月27日発行)の第8章“プラスチックパッケージ”(p419−520,特にp454参照)に詳細に説明されている方法を適用することができる。

0031

このとき、半導体封止用樹脂組成物中に複合材料粒子を3〜15質量%配合させることが好ましく、最終的に、半導体封止用樹脂組成物中に磁性シールド機能を有する材料粒子が1.0〜5.0質量%配合されるようにすることが好ましい。

0032

このように製造された半導体封止用樹脂組成物は、それを用いて半導体素子を封止する等したときには、図2に示したようにマトリックス樹脂11中に複合材料粒子1が分散した状態となっており、これが電磁波シールド機能等の優れた特性を奏するものである。なお、図2は、本発明の半導体封止用樹脂組成物10の断面図を示したものである。

0033

次に、本発明について実施例を参照しながら説明するが、まず、複合材料粒子の作成について説明した後で、実施例により半導体封止用樹脂の製造について説明する。

0034

[複合材料粒子Aの製造]
ニッケル粉末(平均粒径5μm)200g、グラファイト粉末(平均粒径8μm)200g、MBS粉末(株式会社カネカ製、商品名:カネエースB)600gを150℃に加熱された二軸ロール混練装置投入し、加熱混練を行った。

0035

次に、混練して得られた樹脂材料冷間ロールに投入し、薄いシート状に引き伸ばした後に、冷凍粉砕して、磁気シールド機能を有する材料粒子入りの複合材料粒子A(平均粒径20μm)を得た。

0036

[複合材料粒子Bの製造]
非酸化性銅粉末熱プラズマ抗酸化処理された銅のナノ粒子、平均粒径20〜40nm;日清エンジニアリング株式会社製)200g、カーボン粉末(三菱化学株式会社製、商品名:650B)200g、ポリエチレンワックス粉末(滴点138℃)400gを150℃に加熱された二軸ロール混練装置に投入し、加熱混練を行った。

0037

次に、混練して得られた樹脂材料を冷間ロールに投入し、薄いシート状に引き伸ばした後に、冷凍粉砕して磁気シールド粒子入りの複合材料粒子B(平均粒径1μm)を得た。

0038

[複合材料粒子Cの製造]
軟磁性粉末フェライトパウダー、平均粒径8μm)200g、ニッケル粉末(平均粒径5μm)200g、カルナバワックス(1号)100gを120℃に加熱された二軸ロール混練装置に投入し、加熱混練を行った。

0039

次に、混練して得られた樹脂材料を冷間ロールに投入し、薄いシート状に引き伸ばした後に、粉砕して磁気シールド粒子入りの、複合材料粒子C(平均粒径20μm)を得た。

0040

[複合材料粒子Dの製造]
軟磁性粉末(フェライトパウダー、平均粒径8μm)200g、カーボン粉末(三菱化学株式会社製、商品名:650B)200g、固形エポキシ樹脂ビスフェノールAタイプ、軟化点80℃;イミダゾール触媒0.1%含有)300gを120℃に加熱された二軸ロール混練装置に投入し、加熱混練を行った。

0041

次に、混練して得られた樹脂材料を冷間ロールに投入し、薄いシート状に引き伸ばした後に、冷凍粉砕して磁気シールド粒子入りの、複合材料粒子D(平均粒径15μm)を得た。

0042

[実施例1]
(組成表)
エポキシ樹脂100g(10質量%)
フェノール樹脂50g(5質量%)
イミダゾール触媒10g(1質量%)
カルナバワックス30g(3質量%)
溶融シリカ730g(73質量%)
複合材料粒子A 80g(8質量%)
(ニッケル粉末16g(1.6質量%)、グラファイト粉末16g(1.6質量%)、MBS粉末48g(4.8質量%))

樹脂組成物中のシールド材料粒子の配合量:ニッケル粉末+グラファイト粉末=3.2質量%

0043

エポキシ樹脂(クレゾールノボラックタイプ、軟化点88℃)100g、フェノールノボラック樹脂(軟化点92℃)50g、イミダゾール触媒(C17Z)10g、カルナバワックス(1号)30g、溶融シリカ(平均粒径20μm)730g、複合材料粒子A 80gをへンシェルミキサーに投入し、混合した後、110℃に加熱された二軸ロール混練装置に投入し、均一になるまで加熱混練作業を行った。

0044

次に、冷間ロールに投入し、シート状に引き伸ばした後に、粉砕して、磁気シールド粒子入りの成形材料Aを得た。

0045

この成形材料Aを厚さ2mmの板に圧縮成形し、電気絶縁性能、帯電防止性能及び電磁波シールド性能の三性能を測定した。その結果を表1に示す。

0046

[実施例2]
(組成表)
エポキシ樹脂100g(10質量%)
フェノール樹脂50g(5質量%)
イミダゾール触媒10g(1質量%)
カルナバワックス30g(3質量%)
溶融シリカ760g(76質量%)
複合材料粒子B 50g(5質量%)
(銅粉末12.5g(1.25質量%)、カーボン粉末12.5g(1.25質量%)、ポリエチレンワックス粉末25g(2.5質量%))

樹脂組成物中のシールド材料粒子の配合量:銅粉末+カーボン粉末=2.5質量%

0047

エポキシ樹脂(クレゾールノボラックタイプ軟化点88℃)100g、フェノールノボラック樹脂(軟化点92℃)50g、イミダゾール触媒(C17Z)10g、カルナバワックス(1号)30g、溶融シリカ(平均粒径20μm)760g、複合材料粒子B 50g、をヘンシェルミキサーに投入し、混合の後、110℃に加熱された二軸ロール混練装置に投入し、均一になるまで加熱混練作業を行った。

0048

次に、冷間ロールに投入し、シート状に引き伸ばした後に、粉砕して、磁気シールド粒子入りの成形材料Bを得た。この成形材料Bを厚さ2mmの板に圧縮成形し、電気絶縁性能、帯電防止性能、電磁波シールド性能、の三性能を測定した。その結果を表1に示す。

0049

[実施例3]
(組成表)
エポキシ樹脂100g(10質量%)
フェノール樹脂50g(5質量%)
イミダゾール触媒10g(1質量%)
カルナバワックス30g(3質量%)
溶融シリカ789.25g(78.925質量%)
カーボン粉末2g(0.2質量%)
複合材料粒子C 18.75g(1.875質量%)
(軟磁性粉末7.5g(0.75質量%)、ニッケル粉末7.5g(0.75質量%)、カルナバワックス 3.75g(0.375質量%))

樹脂組成物中のシールド材料粒子の配合量:軟磁性粉末+ニッケル粉末+カーボン粉末=1.70質量%

0050

エポキシ樹脂(クレゾールノボラックタイプ軟化点88℃)100g、フェノールノボラック樹脂(軟化点92℃)50g、イミダゾール触媒(C17Z)10g、カルナバワックス(1号)30g、溶融シリカ(平均粒径20μm)785g、複合材料粒子C 18.75g、をヘンシェルミキサーに投入し、混合の後、110℃に加熱された二軸ロール混練装置に投入し、均一になるまで加熱混練作業を行った。

0051

次に、冷間ロールに投入し、シート状に引き伸ばした後に、粉砕して、磁気シールド粒子入りの成形材料Cを得た。

0052

この成形材料Cを厚さ2mmの板に圧縮成形し、電気絶縁性能、帯電防止性能、電磁波シールド性能、の三性能を測定した。その結果を表1に示す。

0053

[実施例4]
(組成表)
エポキシ樹脂100g(10質量%)
フェノール樹脂50g(5質量%)
イミダゾール触媒10g(1質量%)
カルナバワックス30g(3質量%)
溶融シリカ789g(78.9質量%)
複合材料粒子D 21g(2.1質量%)
(軟磁性粉末6g(0.6質量%)、カーボン粉末6g(0.6質量%)、エポキシ粉末9g(0.9質量%))

樹脂組成物中のシールド材料粒子の配合量:軟磁性粉末+カーボン粉末=1.2質量%

0054

エポキシ樹脂(クレゾールノボラックタイプ、軟化点88℃)100g、フェノールノボラック樹脂(軟化点92℃)50g、イミダゾール触媒(C17Z)10g、カルナバワックス(1号)30g、溶融シリカ(平均粒径20μm)789g、複合材料粒子D 21g、をヘンシェルミキサーに投入し、混合の後、110℃に加熱された二軸ロール混練装置に投入し、均一になるまで加熱混練作業を行った。

0055

次に、冷間ロールに投入し、シート状に引き伸ばした後に、粉砕して、磁気シールド粒子入りの成形材料Dを得た。この成形材料Dを厚さ2mmの板に圧縮成形し、電気絶縁性能、帯電防止性能、電磁波シールド性能、の三性能を測定した。その結果を表1に示す。

0056

[比較例1]
(組成表)
エポキシ樹脂148g(14.8質量%)
フェノール樹脂50g(5質量%)
イミダゾール触媒10g(1質量%)
カルナバワックス30g(3質量%)
溶融シリカ761.9g(76.19質量%)
グラファイト粉末0.1g(0.01質量%)

樹脂組成物中のシールド材料粒子の配合量:0.01質量%

0057

上記の組成材料を、ヘンシェルミキサーに投入し、混合の後、110℃に加熱された二軸ロール混練装置に投入し、均一になるまで加熱混練作業を行った。

0058

次に、冷間ロールに投入し、シート状に引き伸ばした後に、粉砕して、成形材料Xを得た。

0059

この成形材料Xを厚さ2mmの板に圧縮成形し、電気絶縁性能、帯電防止性能、電磁波シールド性能、の三性能を測定した。その結果を表2に示す。

0060

[比較例2]
(組成表)
エポキシ樹脂100g(10質量%)
フェノール樹脂50g(5質量%)
イミダゾール触媒10g(1質量%)
カルナバワックス30g(3質量%)
溶融シリカ730g(73質量%)
ニッケル粉末16g(1.6質量%)
グラファイト粉末16g(1.6質量%)
MBS粉末48g(4.8質量%)

樹脂組成物中のシールド材料粒子の配合量:ニッケル粉末+グラファイト粉末=3.2質量%

0061

実施例1に準じた上記の組成材料について、シールド材料粒子は複合材料とせずに、ヘンシェルミキサーに投入し、混合の後、110℃に加熱された二軸ロール混練装置に投入し、均一になるまで加熱混練作業を行った。

0062

次に、冷間ロールに投入し、シート状に引き伸ばした後に、粉砕して、成形材料Eを得た。

0063

この成形材料Eを厚さ2mmの板に圧縮成形し、電気絶縁性能、帯電防止性能、電磁波シールド性能、の三性能を測定した。その結果を表2に示す。

0064

[比較例3]
(組成表)
エポキシ樹脂100g(10質量%)
フェノール樹脂50g(5質量%)
イミダゾール触媒10g(1質量%)
カルナバワックス30g(3質量%)
溶融シリカ760g(76質量%)
銅粉末12.5g(1.25質量%)
カーボン粉末12.5g(1.25質量%)
ポリエチレンワックス粉末25g(2.5質量%)

樹脂組成物中のシールド材料粒子の配合量:銅粉末+カーボン粉末=2.5質量%

0065

実施例2に準じた上記の組成材料について、シールド材料粒子は複合材料とせずに、シールド材料粒子は複合材料とせずに、へンシェルミキサーに投入し、混合の後、110℃に加熱された二軸ロール混練装置に投入し、均一になるまで加熱混練作業を行った。

0066

次に、冷間ロールに投入し、シート状に引き伸ばした後に、粉砕して、成形材料Fを得た。

0067

この成形材料Fを厚さ2mmの板に圧縮成形し、電気絶縁性能、帯電防止性能、電磁波シールド性能、の三性能を測定した。その結果を表2に示す。

0068

[比較例4]
(組成表)
エポキシ樹脂100g(10質量%)
フェノール樹脂50g(5質量%)
イミダゾール触媒10g(1質量%)
カルナバワックス30g(3質量%)
溶融シリカ789.25g(789.25質量%)
カーボン粉末2g(0.2質量%)
軟磁性粉末7.5g(0.75質量%)
ニッケル粉末7.5g(0.75質量%)
カルナバワックス 3.75g(0.375質量%)

樹脂組成物中のシールド材料粒子の配合量:軟磁性粉末+ニッケル粉末+カーボン粉末=1.70質量%

0069

実施例3に準じた上記の組成材料について、シールド材料粒子は複合材料とせずに、へンシェルミキサーに投入し、混合の後、110℃に加熱された二軸ロール混練装置に投入し、均一になるまで加熱混練作業を行った。

0070

次に、冷間ロールに投入し、シート状に引き伸ばした後に、粉砕して、成形材料Gを得た。

0071

この成形材料Gを厚さ2mmの板に圧縮成形し、電気絶縁性能、帯電防止性能、電磁波シールド性能、の三性能を測定した。その結果を表2に示す。

0072

[比較例5]
(組成表)
エポキシ樹脂100g(10質量%)
フェノール樹脂50g(5質量%)
イミダゾール触媒10g(1質量%)
カルナバワックス30g(3質量%)
溶融シリカ789g(78.9質量%)
軟磁性粉末6g(0.6質量%)
カーボン粉末6g(0.6質量%)
エポキシ粉末9g(0.9質量%)

樹脂組成物中のシールド材料粒子の配合量:軟磁性粉末+カーボン粉末=1.2質量%

0073

実施例4に準じた上記の組成材料について、シールド材料粒子は複合材料とせずに、ヘンシェルミキサーに投入し、混合の後、110℃に加熱された二軸ロール混練装置に投入し、均一になるまで加熱混練作業を行った。

0074

次に、冷間ロールに投入し、シート状に引き伸ばした後に、粉砕して、成形材料Hを得た。

0075

この成形材料Hを厚さ2mmの板に圧縮成形し、電気絶縁性能、帯電防止性能、電磁波シールド性能、の三性能を測定した。その結果を表2に示す。

0076

0077

0078

*1:JIS K−6911に準じ、150℃において測定した。
*2:帯電量測定装置京セラケミカル株式会社製、商品名:TS100)を用いて測定した。
*3:成形品送信用アンテナ受信用アンテナの間に設置し、測定周波数MHzでの磁気遮蔽性を測定した。
*4:TEG評価法により、5V×300H、85℃×85%Hの条件で測定した。

図面の簡単な説明

0079

本発明に用いる複合材料粒子の概略断面図である。
本発明の半導体封止用樹脂組成物の概略断面図である。

符号の説明

0080

1…複合材料粒子、2…複合材料粒子用の樹脂、3…電磁波シールド機能を有する材料粒子、10…半導体封止用樹脂組成物、11…マトリックス樹脂

ページトップへ

この技術を出願した法人

この技術を発明した人物

ページトップへ

関連する挑戦したい社会課題

関連する公募課題

該当するデータがありません

ページトップへ

おススメ サービス

おススメ astavisionコンテンツ

新着 最近 公開された関連が強い技術

この 技術と関連性が強い技術

関連性が強い 技術一覧

この 技術と関連性が強い人物

関連性が強い人物一覧

この 技術と関連する社会課題

関連する挑戦したい社会課題一覧

この 技術と関連する公募課題

該当するデータがありません

astavision 新着記事

サイト情報について

本サービスは、国が公開している情報(公開特許公報、特許整理標準化データ等)を元に構成されています。出典元のデータには一部間違いやノイズがあり、情報の正確さについては保証致しかねます。また一時的に、各データの収録範囲や更新周期によって、一部の情報が正しく表示されないことがございます。当サイトの情報を元にした諸問題、不利益等について当方は何ら責任を負いかねることを予めご承知おきのほど宜しくお願い申し上げます。

主たる情報の出典

特許情報…特許整理標準化データ(XML編)、公開特許公報、特許公報、審決公報、Patent Map Guidance System データ