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技術 プローブピンとプローブピンの製造方法

出願人 東京エレクトロン株式会社マクセルホールディングス株式会社
発明者 竹腰清俵剛
出願日 2005年11月25日 (14年11ヶ月経過) 出願番号 2005-340132
公開日 2007年6月14日 (13年5ヶ月経過) 公開番号 2007-147362
状態 特許登録済
技術分野 測定用導線・探針
主要キーワード 櫛状体 電着金属 傾き角度θ 屈折角度 曲げ位置 メッキ技術 接触端子 位置決め穴
関連する未来課題
重要な関連分野

この項目の情報は公開日時点(2007年6月14日)のものです。
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図面 (20)

課題

高さのあるプローブピンの高い寸法精度と生産性を確保する。

解決手段

プローブピン10の側面に溝20を形成し,接触部21のある先端部側を溝20の部分から屈折させる。プローブピン10の先端を状に形成し,接触部21にする。プローブピン10の溝20より後端部側をコンタクタ11の接続端子11aに接合し,プローブピン10の先端部側は,溝20の部分からウェハWのある下側に折り曲げられる。プローブピン10の接触部21をウェハWに接触させて,ウェハWの電気的特性検査を行う。

概要

背景

例えば半導体ウェハ上に形成されたIC,LSIなどの電子回路電気的特性検査は,プローブ装置に装着されたプローブカードを用いて行われている。プローブカードは,通常,回路基板コンタクタを有している。ウェハに対向するコンタクタの下面には,多数のプローブピンが支持されており,この多数のプローブピンを,電子回路の各電極に接触させることにより,ウェハの電気的特性の検査を行っている。

従来のプローブピンは,通常図19に示すように直線状の梁部100と,梁部100の先端部に直角方向に突出した接触部101から構成され,略L型形状を有している。このようなプローブピンは,一般的に電鋳などのメッキ技術により一体成型されて製造されている(例えば,特許文献1参照)。

特開2001−52779号公報

概要

高さのあるプローブピンの高い寸法精度と生産性を確保する。プローブピン10の側面に溝20を形成し,接触部21のある先端部側を溝20の部分から屈折させる。プローブピン10の先端を状に形成し,接触部21にする。プローブピン10の溝20より後端部側をコンタクタ11の接続端子11aに接合し,プローブピン10の先端部側は,溝20の部分からウェハWのある下側に折り曲げられる。プローブピン10の接触部21をウェハWに接触させて,ウェハWの電気的特性の検査を行う。

目的

本発明は,かかる点に鑑みてなされたものであり,高い寸法精度と高い生産効率を維持しながら,被検査体の方向に十分に高さのあるプローブピンと,その製造方法を提供することをその目的とする。

効果

実績

技術文献被引用数
0件
牽制数
0件

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請求項1

被検査体に接触して被検査体の電気的特性検査するためのプローブピンであって,側面に溝を有し,被検査体と接触する接触部のある先端部側が前記溝の部分から屈折していることを特徴とする,プローブピン。

請求項2

前記先端部側の先端が状に形成されて前記接触部になっていることを特徴とする,請求項1に記載のプローブピン。

請求項3

前記先端部側の先端は,幅が一定の突起状に形成されて前記接触部になっていることを特徴とする,請求項1に記載のプローブピン。

請求項4

前記先端部側の屈折角は,45°〜60°に設定されていることを特徴とする,請求項1〜3のいずれかに記載のプローブピン。

請求項5

屈折した前記先端部側の側面には,前記接触部となる錐状の頂部が形成され,前記溝よりも後端部側が水平に維持されたときに鉛直線により前記頂部の内角が等分されるように,前記頂部が形成されていることを特徴とする,請求項1に記載のプローブピン。

請求項6

被検査体に接触して被検査体の電気的特性を検査するためのプローブピンを製造する方法であって,基材の直線状の端面から並列的に突出する直線状の複数のピンを形成する工程と,前記複数のピンの先端部側の側面に溝を形成する工程と,前記複数のピンの先端部側を溝の部分から折り曲げる工程と,前記複数のピンを前記基材の端面から切断する工程と,を有することを特徴とする,プローブピンの製造方法。

請求項7

前記複数のピンを形成する工程では,フォトリソグラフィー技術を用いて,母型に前記基材と前記複数のピンの型を形成し,当該母型にメッキ技術により前記基材と前記複数のピンを一体的に形成することを特徴とする,請求項6に記載のプローブピンの製造方法。

請求項8

前記母型の前記各ピンの先端部に対応する部分に,錐状の穴を形成する工程を有し,前記メッキ技術により前記母型に前記基材と前記複数のピンを一体的に形成する際に,前記各ピンの先端部側の側面に錐状の頂部が形成され,前記複数のピンの溝よりも後端部側が水平に維持され,前記複数のピンの先端部側が折り曲げられた状態のときに,鉛直線により前記頂部の内角が等分されるように,前記頂部が形成されることを特徴とする,請求項7に記載のプローブピンの製造方法。

請求項9

被検査体に接触して被検査体の電気的特性を検査するためのプローブピンを製造する方法であって,フォトリソグラフィー技術を用いて,母型に,プローブピンの溝の型を直線状の突条に形成する工程と,その後,フォトリソグラフィー技術を用いて,前記母型に,前記溝の型に対し直角方向に交差しなおかつ前記溝の型の直線方向に沿って並列的に並べられた複数のピンの型を形成する工程と,その後,メッキ技術を用いて,前記母型に,溝を有する複数のピンを成型する工程と,前記複数のピンを前記母型から取り外す工程と,前記複数のピンの先端部側を溝の部分から折り曲げる工程と,を有することを特徴とする,プローブピンの製造方法。

請求項10

前記複数のピンの型を形成する工程では,前記複数のピンが並列的に取り付けられる基材の型も形成し,前記複数のピンを成型する工程では,前記メッキ技術により,前記複数のピンと前記基材を一体的に成型し,前記複数のピンを前記母型から取り外す工程では,前記基材を前記複数のピンと共に前記母型から取り外し,複数のピンの先端部側を溝の部分から折り曲げた後に,前記複数のピンを前記基材から切断することを特徴とする,請求項9に記載のプローブピンの製造方法。

請求項11

前記基材は,直線状の端面を有し,前記複数のピンは,前記基材の端面から並列的に突出するように形成されることを特徴とする,請求項10に記載のプローブピンの製造方法。

請求項12

前記溝の型を形成する工程と前記複数のピンの型を形成する工程との間において,前記母型の表面に薄膜被覆することを特徴とする,請求項9〜11のいずれかに記載のプローブピンの製造方法。

請求項13

前記プローブピンの溝の型を形成する工程は,前記母型上にレジスト膜を形成し,その母型上のレジスト膜に直線状の溝を形成する工程と,そのレジスト膜の溝にメッキにより型材料埋設する工程と,前記母型から前記レジスト膜を除去して,前記型材料からなる前記プローブピンの溝の型を形成する工程と,を有することを特徴とする,請求項9〜12のいずれかに記載のプローブピンの製造方法。

技術分野

0001

本発明は,被検査体に接触して被検査体の電気的特性検査するためのプローブピンと,その製造方法に関する。

背景技術

0002

例えば半導体ウェハ上に形成されたIC,LSIなどの電子回路の電気的特性の検査は,プローブ装置に装着されたプローブカードを用いて行われている。プローブカードは,通常,回路基板コンタクタを有している。ウェハに対向するコンタクタの下面には,多数のプローブピンが支持されており,この多数のプローブピンを,電子回路の各電極に接触させることにより,ウェハの電気的特性の検査を行っている。

0003

従来のプローブピンは,通常図19に示すように直線状の梁部100と,梁部100の先端部に直角方向に突出した接触部101から構成され,略L型形状を有している。このようなプローブピンは,一般的に電鋳などのメッキ技術により一体成型されて製造されている(例えば,特許文献1参照)。

0004

特開2001−52779号公報

発明が解決しようとする課題

0005

しかしながら,プローブピンは,接触部101の幅を細くし,接触部101の高さを確保する必要があるため,比較的アスペクト比(接触部101の幅と高さの比)が大きい。このため,一体成型時に,例えば接触部101と梁部100が接触する角付近に空洞ができたりして,プローブピンの生産効率や寸法精度が低下する場合があった。プローブピンの寸法精度が低下すると,プローブピンとウェハとの接触が不安定となり,信頼性の高い検査を行うことができない。

0006

また,ウェハに,ウェハの欠片などの異物が付着していて,その異物が梁部100の下方の位置している場合には,検査時に異物が梁部100に接触しプローブピンを破損する可能性がある。この可能性を低くするため,プローブピンの接触部101に,より高さのあるものが要求されている。しかしながら,実際,従来のプローブピンのアスペクト比は2程度が限界であり,これ以上アスペクト比が大きくなると,生産効率や寸法精度が著しく低下する。このため,従来のプローブピンでは,接触部101を十分に高くすることができず,ウェハなどの被検査体のある方向に十分に長いプローブピンを実現することができなかった。

0007

本発明は,かかる点に鑑みてなされたものであり,高い寸法精度と高い生産効率を維持しながら,被検査体の方向に十分に高さのあるプローブピンと,その製造方法を提供することをその目的とする。

課題を解決するための手段

0008

上記目的を達成するための本発明は,被検査体に接触して被検査体の電気的特性を検査するためのプローブピンであって,側面に溝を有し,被検査体と接触する接触部のある先端部側が前記溝の部分から屈折していることを特徴とする。

0009

本発明によれば,プローブピンの側面に溝が形成され,プローブピンの先端部側がその溝の部分から屈折しているので,従来のようにアスペクト比の高い加工を行わなくても,プローブピンに十分な高さを確保される。また,アスペクト比の高い加工が必要ないので,生産性を上げることができる。プローブピンが溝の部分から折り曲げて形成されているので,接触部のある先端部側の長さや高さを一定にすることができ,プローブピンの高い寸法精度を確保できる。

0010

前記先端部側の先端が状に形成されて前記接触部になっていてもよい。また,前記先端部側の先端は,幅が一定の突起状に形成されて前記接触部になっていてもよい。

0011

前記先端部側の屈折角は,45°〜60°に設定されていてもよい。

0012

屈折した前記先端部側の側面には,前記接触部となる錐状の頂部が形成され,前記溝よりも後端部側が水平に維持されたときに鉛直線により前記頂部の内角が等分されるように,前記頂部が形成されていてもよい。

0013

別の観点による本発明は,被検査体に接触して被検査体の電気的特性を検査するためのプローブピンを製造する方法であって,基材の直線状の端面から並列的に突出する直線状の複数のピンを形成する工程と,前記複数のピンの先端部側の側面に溝を形成する工程と,前記複数のピンの先端部側を溝の部分から折り曲げる工程と,前記複数のピンを前記基材の端面から切断する工程と,を有することを特徴とする。

0014

前記複数のピンを形成する工程では,フォトリソグラフィー技術を用いて,母型に前記基材と前記複数のピンの型を形成し,当該母型にメッキ技術により前記基材と前記複数のピンを一体的に形成してもよい。

0015

前記プローブピンの製造方法は,前記母型の前記各ピンの先端部に対応する部分に,錐状の穴を形成する工程を有し,前記メッキ技術により前記母型に前記基材と前記複数のピンを一体的に形成する際に,前記各ピンの先端部側の側面に錐状の頂部が形成され,前記複数のピンの溝よりも後端部側が水平に維持され,前記複数のピンの先端部側が折り曲げられた状態のときに,鉛直線により前記頂部の内角が等分されるように,前記頂部が形成されるようにしてもよい。

0016

別の観点による本発明は,被検査体に接触して被検査体の電気的特性を検査するためのプローブピンを製造する方法であって,フォトリソグラフィー技術を用いて,母型に,プローブピンの溝の型を直線状の突条に形成する工程と,その後,フォトリソグラフィー技術を用いて,前記母型に,前記溝の型に対し直角方向に交差しなおかつ前記溝の型の直線方向に沿って並列的に並べられた複数のピンの型を形成する工程と,その後,メッキ技術を用いて,前記母型に,溝を有する複数のピンを成型する工程と,前記複数のピンを前記母型から取り外す工程と,前記複数のピンの先端部側を溝の部分から折り曲げる工程と,を有することを特徴とする。なお,ここで言う「フォトリソグラフィー技術を用いて」の内容には,他の技術と併用する場合も含まれる。

0017

本発明によれば,プローブピンの側面に溝が形成され,プローブピンの先端部側がその溝の部分から折り曲げられるので,従来のようにアスペクト比の高い加工を行わなくても,十分に高さのあるプローブピンを製造できる。また,プローブピンに位置精度と寸法精度の高い溝を形成できるので,この溝から屈折したプローブピンも高い精度で形成できる。また,共通の型から複数のプローブピンが形成されるので,同じ溝の位置のプローブピンが一度に多量に形成でき,プローブピンの製造効率を上げることができる。

0018

前記複数のピンの型を形成する工程では,前記複数のピンが並列的に接続された基材の型も形成し,前記複数のピンを成型する工程では,前記メッキ技術により,前記複数のピンと前記基材を一体的に成型し,前記複数のピンを前記母型から取り外す工程では,前記基材を前記複数のピンと共に前記母型から取り外し,複数のピンの先端部側を溝の部分から折り曲げた後に,前記複数のピンを前記基材から切断してもよい。

0019

前記基材は,直線状の端面を有し,前記複数のピンは,前記基材の端面から並列的に突出するように形成されてもよい。

0020

前記溝の型を形成する工程と前記複数のピンの型を形成する工程との間において,前記母型の表面に薄膜被覆してもよい。

0021

前記プローブピンの溝の型を形成する工程は,前記母型上にレジスト膜を形成し,その母型上のレジスト膜に直線状の溝を形成する工程と,そのレジスト膜の溝にメッキにより型材料埋設する工程と,前記母型から前記レジスト膜を除去して,前記型材料からなる前記プローブピンの溝の型を形成する工程と,を有するようにしてもよい。

発明の効果

0022

本発明によれば,十分に高さのあるプローブピンを高い寸法精度で効率よく製造することができる。

発明を実施するための最良の形態

0023

以下,本発明の好ましい実施の形態について説明する。図1は,プローブ装置1の構成の概略を示す説明図である。

0024

プローブ装置1には,例えばプローブカード2と,被検査体としてのウェハWを載置する載置台3が設けられている。

0025

プローブカード2は,例えばウェハWの電極に接触する複数のプローブピン10を下面に支持したコンタクタ11と,プローブピン10に対しコンタクタ11の本体を通じて電気信号を授受するプリント配線基板12を備えている。コンタクタ11とプリント配線基板12は,例えば略円盤状に形成され,プリント配線基板12は,コンタクタ11の上面側にコンタクタ11と通電可能に配置されている。

0026

プローブピン10は,例えばコンタクタ11の本体の下面に形成された接続端子11aに接合されている。

0027

プローブピン10は,例えばニッケル合金などの金属の導電性材料により形成されている。プローブピン10は,例えば図2に示すように細長略直方体形状に形成されている。プローブピン10の下側の側面には,溝20が形成されている。溝20は,例えばプローブピン10の中央よりも先端寄りの所定の位置に,例えば幅50μm,深さ20μm程度に形成されている。プローブピン10の溝20よりも後端部側は,水平に形成され,接続端子11aに接合されている。プローブピン10の溝20よりも先端部側は,溝20の部分から下方側に屈折されている。プローブピン10の先端部側の屈折角θは,例えば45°〜60°の範囲,より好ましくは55°に設定されている。プローブピン10の先端は,例えば図3に示すように平面から見て尖状に形成され,その先端がウェハWとの接触部21になっている。

0028

載置台3は,図1に示すように例えば左右及び上下に移動自在に構成されており,載置したウェハWを三次元移動させ,ウェハW上の所望の位置にプローブカード2のプローブピン10を接触させることができる。

0029

次に,上述したプローブピン10の製造方法について説明する。先ず,図4に示すように方形平板状の基材30と,その基材30の一端面から並列的に櫛刃状に突出する複数のピン31からなる櫛状体33が形成される。この複数のピン31は,後にプローブピン10となる部分であり,所望のプローブピン10の寸法に合わせて形成される。基材30には,後述する加工時に櫛状体33を所定の位置に固定するための位置決め穴34が形成されている。

0030

櫛状体33の形成は,例えばフォトリソグラフィ技術と電鋳技術を用いて行われる。例えば先ず,図5に示すように母型40となるステンレス製の平板上に,フィルム状のレジスト膜Rが成膜される(図5(a))。そのレジスト膜Rが所定のパターン露光され現像されて,母型40に櫛状体33の型40aが形成される(図5の(b))。その母型40の型40aにニッケル合金がメッキされて櫛状体33が成型される(図5(c))。

0031

次に,母型40が図示しない加工機に固定され,図6に示すように櫛状体33の各ピン31の先端部側に溝20が形成される。各ピン31の溝20は,例えばダイサー切削により一括して形成され,例えば図4に示すように並列的に配置された複数のピン31に対し直交する直線Lに沿って形成される。これにより,各ピン31の溝20は,先端部からの等距離の位置に形成される。なお,この溝20は,エッチング加工により形成されてもよい。溝20の形成後,櫛状体33は,母型40から取り外される。

0032

その後,図7に示すように各ピン31の溝20よりも先端部側が,溝20のある側に角度θだけ屈折される。このピン31の屈折は,例えばプレス加工により行われる。その後,各ピン31が,例えばダイサーにより基材30の端面から切断され,同じ形状の複数のプローブピン10が形成される。形成されたプローブピン10は,上述したように溝20が下側を向いて先端部側が下方に折り曲がるようにコンタクタ11の下面に接合される。

0033

ウェハW上の電子素子の電気的特性が検査される際には,ウェハWが載置台3上に載置され,ウェハWが載置台3によってコンタクタ11側に上昇される。そして,ウェハWの各電極が対応するプローブピン10の接触部21に接触される。プリント配線基板12とコンタクタ11を介し,プローブピン10を通じてウェハWとの間で電気信号が授受されて,ウェハW上の電子素子の電気的特性が検査される。

0034

以上の実施の形態によれば,プローブピン10に溝20が形成され,プローブピン10の先端部側が溝20の部分から屈折しているので,従来のようにアスペクト比の高い一体成型を行わなくても,十分に高さのある接触部21を形成できる。また,アスペクト比の高い一体成型をする必要がないので,生産性を上げることができる。溝20の位置から屈折しているので,接触部21の位置や高さが安定し,寸法精度の高いプローブピン10を形成できる。さらに,溝20の位置や屈折角度を調整することにより,接触部21の高さを容易に設定できる。

0035

また,プローブピン10の先端を尖状にして接触部21にしたので,接触部21とウェハWとの間で高い接触圧を確保することができ,プローブピン10による検査を安定させることができる。

0036

プローブピン10の屈折角度θを45°〜60°の範囲に設定したので,さらにプローブピン10とウェハWとの接触を安定させることができる。

0037

以上の実施の形態によれば,プローブピン10を製造するにあたって,基材30と複数のピン31からなる櫛状体33を形成し,その状態で一括して複数のピン31に溝20を形成し,さらに各ピン31の先端部側を溝20の部分から折り曲げるようにしたので,同じ寸法のプローブピン10を一度に多数個製造でき,高い寸法精度を有するプローブピン10を高い生産性で製造できる。

0038

また,フォトリソグラフィ技術により母型40に,櫛状体33の型40aを形成し,その型40aに電鋳技術により櫛状体33を一体成型したので,高い寸法精度の櫛状体33を比較的簡単に形成できる。

0039

櫛状体33の基材30には,位置決め穴34が形成されているので,ピン31に対する高い精度の加工を実現できる。

0040

以上の実施の形態では,プローブピン10の先端が尖状に形成されていたが,図8に示すようにプローブピン10の先端は,幅が一定の突起状に形成されて接触部21になっていてもよい。このときの突起の幅は,例えば10μm〜15μm程度に設定される。かかる場合,プローブピン10とウェハWとの多数回の接触によりプローブピン10の接触部21が磨耗しても,接触部21の幅が一定に維持されるので,プローブピン10とウェハWとの接触を安定させることができる。これにより,安定した検査を持続させることができる。

0041

以上の実施の形態では,プローブピン10の先端が接触部21になっていたが,図9に示すようにプローブピン10の先端部側の側面に,四角錐状の頂部50を形成して,その頂部50を接触部21にしてもよい。この場合,頂部50は,プローブピン10の溝20と同じ側面に形成される。図10に示すように,プローブピン10の溝20より後端部側が水平の状態でコンタクタ11の接触端子11aに接合されたときに,鉛直線Zが頂部50の内角θ1を2等分するように,頂部50が形成される。

0042

ここで,頂部50を有するプローブピン10の形成方法を説明する。図11に示すように所定角度傾けられた例えばダイアモンド製の錐60により,上述のステンレス製の母型40に,頂部50の型となる穴61が空けられる(図11の(a))。この穴61は,後にピン31の先端部側の型40aになる位置に空けられる。このときの錐60の傾き角度により,頂部50の向きが設定される。この錐60の傾き角度は,最終的なプローブピン10の屈折角度θ2(図10に示す)になり,この錐60の傾き角度θ2がθ1/2よりも大きくなると,鉛直線Zにより2等分するような頂部50の内角θ1が形成できなくなる。このため,θ2<θ1/2の条件を満たすように,錐60の傾き角度θ2が設定される。なお,頂部50の内角θ1が70°の場合,θ2は,例えば30°程度が望ましい。その後,母型40には,櫛状体33の型40aとなるレジストパターンが形成される(図11の(b))。その後電鋳により,母型40に櫛状体33が成型される(図11の(c))。櫛状体33が母型40から取り出され,頂部50のあるピン31を有する櫛状体33が形成される(図11の(d))。その後,上述したようにピン31に溝20が形成され,ピン31の先端部側が折り曲げられ,ピン31が基材30から切断されて,プローブピン10が形成される。

0043

かかる例によれば,プローブピン10の屈折した先端部に頂部50が形成され,その頂部50は,内角θ1が鉛直線Zにより2等分されるように形成されるので,プローブピン10とウェハWとの接触時に,プローブピン10からウェハWに作用する力の鉛直方向の成分が大きくなり,プローブピン10とウェハWとの接触を安定させることができる。また,母型40に錐60により穴61を空けて,電鋳により頂部50を櫛状体33と一体成型したので,頂部50を有するプローブピン10を比較的少ない工程で簡単に形成できる。

0044

なお,上記例において頂部50の形状は,四角錐に限られず,他の角錐形状であってもよく,また円錐形状であってもよい。また,図12に示すように頂部50の先端部に微小平坦面50aを形成してもよい。こうすることにより,プローブピン10とウェハWとの接触をさらに安定させ,また接触による頂部50の先端部の磨耗を抑制できる。

0045

次に,第2の実施の形態にかかるプローブピン10の製造方法について説明する。先ず,図4に示した櫛状体33は,例えばフォトリソグラフィ技術と電鋳技術を用いて形成される。例えば図13(a)に示すように先ず母型40となるステンレス製の平板上に,フィルム状のレジスト膜Rが成膜される。次に,レジスト膜Rが図13(b)に示すように所定のパターンに露光され現像されて,レジスト膜Rに,直線状で一定幅の溝R1が形成される。その後,図13(c)に示すようにレジスト膜Rの溝R1に,例えば型材料であるニッケルが電鋳によりメッキされ,溝R1がニッケルにより埋められる。その後レジスト膜Rが除去されて,図13(d)に示すように母型40に,プローブピン10の溝の型40b(バンプ)が形成される。溝の型40bは,図14に示すように所定方向(X方向)に向けた直線状の突条に形成される。その後,母型40の表面全体には,メッキ処理或いはスパッタ処理により,溝の型40bを覆うように薄膜が被覆される。これにより,溝の型40bと母型40本体との接着性が向上され,また,母型40と櫛状体33との剥離性が向上する。

0046

続いて,図15(a)に示すように母型40に,再びフィルム状のレジスト膜Rが成膜される。次に図15(b)に示すようにレジスト膜Rが所定のパターンに露光され現像されて,母型40に,基材30の型とピン31の型からなる櫛状体33の型40cが形成される。この際,図16に示すようにピン31の型40dは,溝の型40bと直交し,溝の型40bの形成方向(X方向)に並列的に並ぶように形成される。

0047

図15(c)に示すように母型40の型40cに例えばニッケル合金が電鋳によりメッキされて櫛状体33が成型される。その後,例えば洗浄処理により図17に示すように母型40からレジスト膜Rが取り除かれる。次に図18に示すように櫛状体33が母型40から取り外されて,櫛状体33が出来上がる。このとき,櫛状体33の各ピン31の溝20は,例えば図6に示したようにピン31に対し直交するX方向の直線L上に形成されている。このように各ピン31の溝20は,先端部から等距離の所定位置に形成されている。

0048

次に,上記第1の実施の形態と同様に,プレス加工により,図7に示すように各ピン31の溝20よりも先端部側が,溝20のある側に角度θだけ屈折される。その後,各ピン31が,例えばダイサーにより基材30の端面から切断され,同じ形状の複数のプローブピン10が形成される。

0049

以上の実施の形態によれば,フォトリソグラフィー技術を用いて,溝の型40bを母型40に形成し,その母型40に,フォトリソグラフィー技術により櫛状体33の型40cを形成し,さらに電鋳技術により,その母型40に櫛状体33を成型している。このように,微細加工が可能なフォトリソグラフィー技術を用いて溝の型40bを形成し,その型40bによってプローブピン10に溝20を形成しているので,位置精度と寸法精度が高い溝20をピン31に形成できる。そして,その溝20の部分から曲げてプローブピン10を形成しているので,精度の高いプローブピン10を形成できる。

0050

また,溝の型40bが直線の突条に形成され,各ピン31の型40dが溝の型40bに直交しなおかつその型40bの形成方向に沿って並列的に形成されるので,同じ溝20を有するプローブピン10を一度の大量に形成できる。これによって,プローブピン10の製造効率を向上できる。

0051

以上の実施の形態では,母型40に,複数のピン31と基材30が一体となった櫛状体33の型40cを形成し,複数のピン31と基材30を一体成型したので,複数のピン31を基材30に取り付けた状態で一括して曲げることができる。これにより,各プローブピン10の曲げ位置曲げ角度を一致させることができる。

0052

溝の型40bが形成された後に,母型40の表面全面に薄膜のメッキ処理を施したので,溝の型40bと母型40との接着性を高めることができる。この結果,櫛状体33を母型40から取り外す際に,溝の型40bがプローブピン10と共に母型40から剥離することを防止できる。

0053

以上,添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが,本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば,特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において,各種の変更例または修正例に相到し得ることは明らかであり,それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。例えば以上の実施の形態において,ピン31と共に一体成型された基材30は,方形の平板形状であったが,他の形状であってもよい。また基材30がなく,ピン31だけを成型してもよい。また,フォトリソグラフィ技術を用いて加工する際のレジストは,フィルム以外の液体のものであってもよい。母型40の材質は,ステンレス鋼に限られず,導電性のあるもの,或いは非導電性の基材の表面に導電性の素材を被覆したものであってもよい。溝の型40bやプローブピン10の材質も,ニッケルに限られず,他の電着金属であってもよい。本発明は,被検査体がウェハW以外のFPD(フラットパネルディスプレイ),フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。

0054

本発明は,高い寸法精度で高さのあるプローブピンを実現する際に有用である。

図面の簡単な説明

0055

プローブ装置の構成の概略を示す側面図である。
プローブピンの取付け部の構成を示す縦断面の説明図である。
プローブピンの平面図である。
櫛状体の平面図である。
(a)は,母型にレジスト膜を成膜した状態を示す縦断面の説明図である。(b)は,母型に櫛状体の型を形成した状態を示す縦断面の説明図である。(c)は,母型に櫛状体を形成した状態を示す縦断面の説明図である。
櫛状体の複数のピンの拡大図である。
ピンが曲げられた状態を示す斜視図である。
先端に突起が形成されたプローブピンの平面図である。
頂部を有するプローブピンの斜視図である。
頂部を有するプローブピンをコンタクタに取り付けた状態の説明図である。
(a)は,母型に錐により穴を空けた状態を示す縦断面の説明図である。(b)は,母型に頂部のある櫛状体の型を形成した状態を示す縦断面の説明図である。(c)は,母型に頂部のある櫛状体を形成した状態を示す縦断面の説明図である。(d)は,櫛状体を母型から取り外した状態を示す縦断面の説明図である。
頂部に平坦面を有するプローブピンの平面図である。
(a)は,母型にレジスト膜を成膜した状態を示す縦断面の説明図である。(b)は,母型のレジスト膜に溝を形成した状態を示す縦断面の説明図である。(c)は,レジスト膜の溝にニッケルを埋設した状態を示す縦断面の説明図である。(d)は,母型に溝の型を形成した状態を示す縦断面の説明図である。
溝の型が形成された母型の斜視図である。
(a)は,溝の型が形成された母型にレジスト膜を成膜した状態を示す縦断面の説明図である。(b)は,母型に櫛状体の型を形成した状態を示す縦断面の説明図である。(c)は,母型に櫛状体を形成した状態を示す縦断面の説明図である。
櫛状体の型が形成された状態の母型の一部の斜視図である。
レジスト膜が除去された状態の母型の一部の斜視図である。
櫛状体を母型から取り外した様子を示す斜視図である。
従来のプローブピンを示す説明図である。

符号の説明

0056

1プローブ装置
2プローブカード
10プローブピン
11コンタクタ
11a接続端子
20 溝
21 接触部
W ウェハ

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