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技術 記憶装置、制御方法及びプログラム

出願人 東芝ストレージデバイス株式会社
発明者 齋藤俊二鈴木敦原武
出願日 2005年10月31日 (15年1ヶ月経過) 出願番号 2005-316488
公開日 2007年5月17日 (13年7ヶ月経過) 公開番号 2007-122835
状態 特許登録済
技術分野 加速度、衝撃の測定 動的記録再生装置のキャビネット デジタル記録再生の信号処理 ディスク装置の機能制御
主要キーワード 増減比 低下変動 積分初期値 電圧変動波形 振動収束 ゲイン範囲 書込み禁止信号 出力挙動
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重要な関連分野

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図面 (12)

課題

衝撃センサ検出出力による誤動作を防止してアクセス性能を向上する。

解決手段

書込み禁止部50は、装置に加わる衝撃を検出して出力する衝撃センサ46の検出信号が得られた際に、振動収束に対応した所定時間に亘りヘッドによる媒体への書込みを禁止する。判定部52は、書込み禁止中に、衝撃による衝撃センサ46の検出出力か又は電源変動による衝撃センサの誤検出出力かを判定する。感度制御部54は、判定部52で衝撃による検出出力を判定した場合に、衝撃センサ46の検出感度を高め、判定部52で電源変動による誤検出出力を判定した場合は、衝撃センサ46の検出感度を下げると共に書込み禁止を解除する。

概要

背景

従来、磁気ディスク装置等の記憶装置にあっては、記憶装置に衝撃センサを設置し、記憶装置に外部から衝撃が加わった際の衝撃センサの検出出力が所定の閾値を超えたことを判定し、書込み動作を衝撃による衝撃が収束する所定時間のあいだ禁止し、ヘッドアクチュエータが衝撃により振れ隣接シリンダに対する書込みによりデータを破壊しないように保護している。

ところで、記憶装置に使用している衝撃センサとしては例えば圧電素子を使用しており、記憶装置の電源電圧に変動が生じた場合、衝撃センサの出力にも電源変動に応じた出力変動が発生し、衝撃を誤検出してしまう。このように衝撃センサの出力が電源変動で誤検出されると、このタイミングで書込みコマンドを実行中であった場合、書込み禁止によって書込みフォルトとなり、その後にリトライされることになる。

しかし、リトライ時にも電源変動による誤検出があると書込み禁止でリトライがフォルトとなり、エラー終了となってしまう可能性がある。そこで従来の記憶装置にあっては、特定のリトライ時に衝撃センサの検出出力を無効にする処理を実行し、衝撃センサの誤作動を無視して書込み動作を実行している。
特開平7−61320号公報
特開平7−6487号公報

概要

衝撃センサの検出出力による誤動作を防止してアクセス性能を向上する。書込み禁止部50は、装置に加わる衝撃を検出して出力する衝撃センサ46の検出信号が得られた際に、振動収束に対応した所定時間に亘りヘッドによる媒体への書込みを禁止する。判定部52は、書込み禁止中に、衝撃による衝撃センサ46の検出出力か又は電源変動による衝撃センサの誤検出出力かを判定する。感度制御部54は、判定部52で衝撃による検出出力を判定した場合に、衝撃センサ46の検出感度を高め、判定部52で電源変動による誤検出出力を判定した場合は、衝撃センサ46の検出感度を下げると共に書込み禁止を解除する。

目的

本発明は、衝撃センサの検出出力による誤動作を防止してアクセス性能を向上する記憶装置、制御方法及びプログラムを提供することを目的とする。

効果

実績

技術文献被引用数
1件
牽制数
0件

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請求項1

装置に加わる衝撃を検出して出力する衝撃センサと、前記衝撃センサの検出信号が得られた際に、衝撃収束に対応した所定時間に亘りヘッドによる媒体への書込みを禁止する書込み禁止部と、前記書込み禁止中に、衝撃による前記衝撃センサの検出出力か又は電源変動による前記衝撃センサの誤検出出力かを判定する判定部と、前記判定部で衝撃による検出出力を判定した場合に、前記衝撃センサの検出感度を高め、前記判定部で電源変動による誤検出出力を判定した場合は、前記衝撃センサの検出感度を下げると共に前記書込み禁止を解除する感度制御部と、を備えたことを特徴とする記憶装置

請求項2

請求項1記載の記憶装置に於いて、前記判定部は、前記衝撃センサの出力が衝撃による出力か又は電源変動による出力かを、前記ヘッドの位置信号から判定する第1判定部と、前記衝撃センサの出力が衝撃による出力か又は電源変動による出力かを、電源電圧定格電圧に対する低下変動監視して判定する第2判定部と、前記衝撃センサの出力が衝撃による出力か又は電源変動による出力かを前記衝撃センサの出力挙動から判定する第3判定部と、前記第1乃至第3判定部の少なくともいずれか1つが電源電圧の変動を判定した場合は電源の変動を判定結果として出力し、前記第1乃至第3判定部の全てが衝撃による出力を判定した場合に衝撃による出力を判定結果として出力する判定出力部と、を備えたことを特徴とする記憶装置。

請求項3

請求項2記載の記憶装置に於いて、前記判定部は、書込み禁止中の判定期間の間、書込み動作に相当する擬似書込み動作状態を生成するため、前記衝撃センサの検出感度を上げると共に、電源電圧を定格電圧以上の範囲で強制的に変動させることを特徴とする記憶装置。

請求項4

装置に加わる衝撃を検出して出力する衝撃センサの検出信号が得られた際に、衝撃収束に対応した所定時間に亘りヘッドによる媒体への書込みを禁止する書込み禁止ステップと、前記書込み禁止中に、衝撃による前記衝撃センサの検出出力か又は電源変動による前記衝撃センサの誤検出出力かを判定する判定ステップと、前記判定ステップで衝撃による検出出力を判定した場合に、前記衝撃センサの検出感度を高め、前記判定ステップで電源変動による誤検出力を判定した場合は、前記衝撃センサの検出感度を下げると共に前記書込み禁止を解除する感度制御ステップと、を備えたことを特徴とする記憶装置の制御方法

請求項5

記憶装置のコンピュータに、装置に加わる衝撃を検出して出力する衝撃センサの検出信号が得られた際に、衝撃収束に対応した所定時間に亘りヘッドによる媒体への書込みを禁止する書込み禁止ステップと、前記書込み禁止中に、衝撃による前記衝撃センサの検出出力か又は電源変動による前記衝撃センサの誤検出出力かを判定する判定ステップと、前記判定ステップで衝撃による検出出力を判定した場合に、前記衝撃センサの検出感度を高め、前記判定ステップで電源変動による誤検出出力を判定した場合は、前記衝撃センサの検出感度を下げると共に前記書込み禁止を解除する感度制御ステップと、を実行させることを特徴とするプログラム

技術分野

0001

本発明は、衝撃センサを搭載した磁気ディスク装置等の記憶装置制御方法及びプログラムに関し、特に、衝撃を検出して書込みを禁止することにより媒体に記録している情報を保護する記憶装置、制御方法及びプログラムに関する。

背景技術

0002

従来、磁気ディスク装置等の記憶装置にあっては、記憶装置に衝撃センサを設置し、記憶装置に外部から衝撃が加わった際の衝撃センサの検出出力が所定の閾値を超えたことを判定し、書込み動作を衝撃による衝撃が収束する所定時間のあいだ禁止し、ヘッドアクチュエータが衝撃により振れ隣接シリンダに対する書込みによりデータを破壊しないように保護している。

0003

ところで、記憶装置に使用している衝撃センサとしては例えば圧電素子を使用しており、記憶装置の電源電圧に変動が生じた場合、衝撃センサの出力にも電源変動に応じた出力変動が発生し、衝撃を誤検出してしまう。このように衝撃センサの出力が電源変動で誤検出されると、このタイミングで書込みコマンドを実行中であった場合、書込み禁止によって書込みフォルトとなり、その後にリトライされることになる。

0004

しかし、リトライ時にも電源変動による誤検出があると書込み禁止でリトライがフォルトとなり、エラー終了となってしまう可能性がある。そこで従来の記憶装置にあっては、特定のリトライ時に衝撃センサの検出出力を無効にする処理を実行し、衝撃センサの誤作動を無視して書込み動作を実行している。
特開平7−61320号公報
特開平7−6487号公報

発明が解決しようとする課題

0005

しかしながら、特定の書込みリトライ時に衝撃センサの検出出力を無効にして書込み動作している従来の記憶装置にあっては、衝撃センサの検出出力を無効にしている時に本当に衝撃が印加されていた場合には、その衝撃を検出できずに、衝撃が加わった状態で書込み動作を実行し、隣接するシリンダのデータを破壊してしまう問題がある。

0006

また、電源電圧の変動による衝撃センサの誤検出時には、特定のリトライが行われるまで書込みが禁止され、書込み性能が悪化する問題点がある。

0007

本発明は、衝撃センサの検出出力による誤動作を防止してアクセス性能を向上する記憶装置、制御方法及びプログラムを提供することを目的とする。

課題を解決するための手段

0008

本発明は記憶装置を提供する。本発明の記憶装置は、
装置に加わる衝撃を検出して出力する衝撃センサと、
衝撃センサの検出信号が得られた際に、衝撃収束に対応した所定時間に亘りヘッドによる媒体への書込みを禁止する書込み禁止部と、
書込み禁止中に、衝撃による衝撃センサの検出出力か又は電源変動による衝撃センサの誤検出出力かを判定する判定部と、
判定部で衝撃による検出出力を判定した場合に、衝撃センサの検出感度を高め、判定部で電源変動による誤検出出力を判定した場合は、衝撃センサの検出感度を下げると共に書込み禁止を解除する感度制御部と、
を備えたことを特徴とする。

0009

ここで、判定部は、
衝撃センサの出力が衝撃による出力か又は電源変動による出力かを、ヘッドの位置信号から判定する第1判定部と、
衝撃センサの出力が衝撃による出力か又は電源変動による出力かを、電源電圧の定格電圧に対する低下変動監視して判定する第2判定部と、
衝撃センサの出力が衝撃による出力か又は電源変動による出力かを衝撃センサの出力挙動から判定する第3判定部と、
第1乃至第3判定部の少なくともいずれか1つが電源電圧の変動を判定した場合は電源の変動を判定結果として出力し、第1乃至第3判定部の全てが衝撃による出力を判定した場合に衝撃による出力を判定結果として出力する判定出力部と、
を備える。

0010

判定部は、書込み禁止中の判定期間の間、書込み動作中に相当する擬似書込み動作状態を生成するため、衝撃センサの検出感度を上げると共に、電源電圧を定格電圧以上の範囲で強制的に変動させる。

0011

第3判定部は、規定期間に亘り衝撃センサの出力信号を積分し、積分値が直線的に変化する場合は電源変動による出力と判定し、積分値が非直線的に変化する場合は衝撃による出力と判定する。

0012

また第3判定部は、規定期間に亘り衝撃センサの出力信号を積分し、積分初期値と積分終了値を結ぶ直線に対する積分値との差分の絶対値の総和を算出し、差分総和又は所定値以下の場合は電源変動による出力と判定し、差分総和が所定値を超えた場合は衝撃による出力と判定する。

0013

感度制御部は、衝撃センサの検出信号を増幅するアンプゲインをデフォルトゲインに初期設定し、検出感度アップの指示を受けた際に、アンプのゲインを最大ゲインに達するまで所定ゲインずつ増加させ、検出感度アップの指示を受けた際に、アンプのゲインを最低ゲインに達するまで所定ゲインずつ低下させる。

0014

書込み禁止部は、書込みコマンドの実行に伴う書込みフォルトを検出した際にも所定時間に亘り書込みを禁止し、判定部は書込み禁止部の書込みフォルトに伴う書込み禁止に連動して判定動作を開始し、電源変動による出力を判定した場合は、直ぐに書込み禁止を解除後して書込みフォルトに対するリトライを実行させる。

0015

本発明は記憶装置の制御方法を提供する。本発明による記憶装置の制御方法は、
装置に加わる衝撃を検出して出力する衝撃センサの検出信号が得られた際に、衝撃収束に対応した所定時間に亘りヘッドによる媒体への書込みを禁止する書込み禁止ステップと、
書込み禁止中に、衝撃による衝撃センサの検出出力か又は電源変動による衝撃センサの誤検出出力かを判定する判定ステップと、
判定ステップで衝撃による検出出力を判定した場合に、衝撃センサの検出感度を高め、判定ステップで電源変動による誤検出出力を判定した場合は、衝撃センサの検出感度を下げると共に書込み禁止を解除する感度制御ステップと、
を備えたことを特徴とする。

0016

本発明は記憶装置のコンピュータにより実行されるプログラムを提供する。本発明のプログラムは、記憶装置のコンピュータに、
装置に加わる衝撃を検出して出力する衝撃センサの検出信号が得られた際に、衝撃収束に対応した所定時間に亘りヘッドによる媒体への書込みを禁止する書込み禁止ステップと、
書込み禁止中に、衝撃による衝撃センサの検出出力か又は電源変動による衝撃センサの誤検出出力かを判定する判定ステップと、
判定ステップで衝撃による検出出力を判定した場合に、衝撃センサの検出感度を高め、判定ステップで電源変動による誤検出出力を判定した場合は、衝撃センサの検出感度を下げると共に書込み禁止を解除する感度制御ステップと、
を実行させることを特徴とする。

発明の効果

0017

本発明によれば、衝撃センサの検出出力が得られた際に、電源電圧の変動による検出出力か又は衝撃による検出出力かを判定し、判定結果に応じた最適な衝撃センサ感度を設定することで、衝撃センサの誤検出出力による書込み性能悪化の防止と衝撃による隣接トラック書込みによるデータ破壊の防止を両立させることができる。

0018

また、衝撃センサの検出出力を書込み禁止状態として判定している間に、衝撃センサの検出感度を上げることで、衝撃センサの個体的なばらつきによる依存性を低減して正確に判定する。同時に、電源電圧の変動は書込み動作中に大きくなることから、書込み動作を禁止した判定中に、擬似的に書込み動作に相当する擬似書込み動作状態を生成して判定することで、電源変動に対する誤検出を正確に判定することができる。

0019

更にライトフォルトに対し予め設けられていた書込み禁止機能を利用して衝撃センサの検出出力による書込み禁止を行っている場合、通常のライトコマンドの実行に伴うライトフォルトによる書込み禁止の際にも、衝撃センサの検出出力の場合と同様に判定処理が所定時間に行われるが、途中で電源電圧の変動を判定した場合は、その時点で書込み禁止を解除することで、ライトフォルトに対するリトライを一定の判定時間の経過を待つことなく実行することができ、無駄な回転待ちによる書込み性能悪化を防ぐことができる。

発明を実施するための最良の形態

0020

図1は本発明による記憶装置の一実施形態としての磁気ディスク装置のブロック図である。

0021

図1において、ハードディスクドライブ(HDD)として知られた磁気ディスク装置10は、ディスクエンクロージャ12と制御ボード14で構成される。ディスクエンクロージャ12にはスピンドルモータ16が設けられ、スピンドルモータ16の回転軸ディスク媒体記憶媒体)20−1,20−2を装着し、一定速度で回転させる。

0022

ディスクエンクロージャ12にはボイスコイルモータ18が設けられ、ボイスコイルモータ18はヘッドアクチュエータのアーム先端にヘッド22−1〜22−4を搭載しており、ディスク媒体20−1,20−2の記録面に対するヘッドの位置決めを行う。なお、ヘッド22−1〜22−4にはライトヘッドリードヘッド一体化されて搭載されている。

0023

ヘッド22−1〜22−4はヘッドIC24に対し信号線接続されており、ヘッドIC24は上位装置となるホスト11からのライトコマンドまたはリードコマンドに基づくヘッドセレクト信号で1つのヘッドを選択して書込みまたは読出しを行う。またヘッドIC24には、ライト系についてはライトアンプが設けられ、リード系についてはプリアンプが設けられている。

0024

制御ボード14にはMPU26が設けられ、MPU26のバス28に対し、RAMを用いた制御プログラム及び制御データを格納するメモリ30、FROM等を用いた制御プログラムを格納する不揮発メモリ32が設けられている。

0025

またMPU26のバス28には、ホストインタフェース制御部34、バッファメモリ38を制御するバッファメモリ制御部36、ハードディスクコントローラとして機能するフォーマット制御部40、ライト変調部及びリード復調部として機能するリードチャネル42、ボイスコイルモータ18及びスピンドルモータ16を制御するサーボ制御部44が設けられている。

0026

磁気ディスク装置10は、ホスト11からの入出力コマンドに基づき書込処理及び読出処理を行う。ここで、磁気ディスク装置における通常の動作を説明すると次のようになる。

0027

ホスト11からのライトコマンドとライトデータをホストインタフェース制御部34で受けると、ライトコマンドをMPU26で解読し、受信したライトデータを必要に応じてバッファメモリ38に格納した後、フォーマット制御部40で所定のデータ形式に変換すると共にECC処理によりECC符号を付加し、リードチャネル42におけるライト変調系スクランブルRLL符号変換、更に書込補償を行った後、ライトドライバからヘッドIC24を介して選択した例えばヘッド22−1のライトヘッドからディスク媒体20−1に書き込む。

0028

このときMPU26からDSPなどを用いたサーボ制御部44にヘッド位置決め信号が与えられており、ボイスコイルモータ18によりヘッドをコマンドで指示された目標トラックシークした後にオントラックしてトラック追従制御を行っている。

0029

一方、ホスト11からのリードコマンドをホストインタフェース制御部34で受けると、リードコマンドをMPU26で解読し、ヘッドIC24のヘッドセレクトで選択されたリードヘッドから読み出された読出信号リードアンプで増幅した後に、リードチャネル42のリード復調系に入力し、パーシャルレスポンス最尤検出(PRML)などによりリードデータを復調し、フォーマット制御部40でECC処理を行ってエラーを検出訂正した後、バッフメモリ38にバッファリングし、ホストインタフェース制御部34からリードデータをホスト11に転送する。

0030

このような磁気ディスク装置10の構成に加え、本発明にあっては、更に、制御ボード14側に衝撃センサ46を設けている。衝撃センサ46としては例えば圧電素子などが使用されており、磁気ディスク装置10を組み込んでいるホスト11に衝撃が加わると、この衝撃に応じた衝撃センサ信号E1を出力する。

0031

衝撃センサ46の出力はアンプ48に入力され、アンプ48に設定しているゲインにより増幅された後、衝撃センサ信号E2としてMPU26に読み込まれる。アンプ48はMPU26からの制御によりゲインを変化させることができ、アンプ48のゲインを変化させることで衝撃センサ46の検出感度を変えることができる。なお衝撃センサ46は、ヘッド22−1〜22−4を先端に支持しているヘッドアクチュエータのアームに直交する方向の振動を検出するように配置されている。

0032

衝撃センサ46を設けたことに伴い、MPU26には、書込み禁止部50、判定部52及び感度制御部54が設けられている。書込み禁止部50は、衝撃センサ46の出力に基づく衝撃センサ信号E2がアンプ48を介して得られた際に、振動収束に対応した所定時間Tに亘りヘッドによるディスク媒体への書込みを禁止する。

0033

本実施形態にあっては、衝撃センサ46による衝撃センサ信号E2を判別して書込み禁止部50の禁止動作を行わせると同時に、通常のホスト11からのライトコマンドの実行中にライトフォルトとなった際にも、書込み禁止部50により衝撃検出時と同じ所定時間Tに亘り書込み禁止を行うようにしている。

0034

このように書込み禁止部50の機能を衝撃検出と通常の書込みコマンドのライトフォルトにつき共通化することで、MPU26における書込み禁止部50の機能を実現するプログラムもしくはファームウェアの構成を簡略化することができる。

0035

判定部52は衝撃センサ信号E2による書込み禁止部50の書込み禁止動作中に、衝撃による衝撃センサ46の検出出力か又は電源変動による衝撃センサ46の誤検出出力かを判定する。即ち、磁気ディスク装置10に設けている衝撃センサ46は、衝撃が加わった際にアンプ48より衝撃センサ信号E2を出力すると同時に、磁気ディスク装置10に供給している電源電圧Vcc例えばVcc=5ボルトが、例えば装置の書込み動作などの際に変動すると、この電源変動に伴って衝撃センサ46の衝撃センサ出力も変動し、アンプ48で増幅した衝撃センサ信号E2が衝撃を判定する閾値レベルEthを超えることで電源変動を衝撃と誤検出する場合がある。

0036

そこで本発明にあっては、判定部52において衝撃センサ46の衝撃検出信号に基づいて書込み禁止部50で書込み禁止を行った際に、判定部52において衝撃による衝撃センサ46の検出出力か又は電源変動による衝撃センサ46の検出出力かを判定している。

0037

判定部52における判定処理は次の3つの判定を行う。
(1)衝撃センサ46の出力が衝撃による出力か又は電源変動による出力かをヘッドの位置信号から判定する第1判定処理。
(2)衝撃センサ46の出力が振動による出力か又は電源変動による出力かを、電源電圧Vccの電源定格電圧Vcc=5ボルトに対する低下変動を監視して判定する第2判定処理。
(3)衝撃センサ46の出力が出力か又は電源変動による出力かを衝撃センサ46の出力挙動から判定する第3判定処理。

0038

ここで第1判定処理として行うヘッドの位置信号による判定は、衝撃が加われば位置信号が変動し、電源変動であれば位置信号は変動しないことを判定する。

0039

図2図1の磁気ディスク装置10に衝撃が加わったときの電源電圧、衝撃センサ信号、衝撃検出信号、書込み禁止信号及びヘッド位置信号タイムチャートである。図2(A)の電源電圧Vccは、衝撃が加わっているときには基本的にVcc=5ボルトとなる一定の電源電圧56であり、5ボルトの下側に設定した閾値電圧Vthを下回ることはない。

0040

図2(B)は衝撃センサ46の出力信号、具体的には図1のアンプ48からの衝撃センサ信号E2であり、この例では時間を置いて2回衝撃が加わっており、衝撃センサ信号58−1と衝撃センサ信号58−2が得られている。

0041

図2(C)は衝撃検出信号であり、図2(B)の衝撃センサ信号E2に設定した閾値電圧Ethを超えるタイミングで衝撃検出信号60−1,60−2が得られている。図2(D)の書込み禁止信号62−1,62−2は衝撃検出信号60−1,60−2の立ち上がりに同期して発生し、衝撃が収束する時間に対応して定めた所定時間Tの間、出力される。

0042

書き込み禁止期間は、製品出荷前に、衝撃が収束する時間を予め測定もしくは推定して決められたものであり、数ミリ秒程度である。

0043

図2(E)はヘッド位置信号であり、衝撃センサ信号力E2における衝撃センサ信号58−1,58−2に対応したタイミングでヘッド位置信号64−1,64−2が衝撃に応じて大きく変動している。

0044

このため、図1の判定部52における第1判定処理として、図2(E)のようなヘッド位置信号を衝撃検出信号が得られた際にチェックし、ヘッド位置信号が変動していれば衝撃と判定し、ヘッド位置信号が変動していなければ電源変動によるものと判定することができる。

0045

次に判定部52における第2判定処理としての電源電圧の監視による判定処理は、定格電源電圧Vcc=5ボルトに対し、低い電圧に設定している閾値電圧Vthを下回る電源電圧の変動を監視し、閾値電圧Vthを下回る電源電圧の変動があれば電源変動による衝撃センサ46の出力と判定し、電源電圧が閾値電圧Vthを下回らなければ衝撃による衝撃センサ46の出力と判定する。

0046

図3図1の磁気ディスク装置10において電源電圧が変動したときの衝撃センサ信号、衝撃検出信号、書込位置信号及びヘッド位置信号のタイムチャートである。図3(A)は電源電圧Vccの変動であり、例えばリップル電圧が加わった場合の変動を示している。このような電源電圧Vccの変動に対し、図3(B)のように衝撃センサ46のアンプ48を介して得られる衝撃センサ信号E2は、電源電圧56の変動に応じて変動し、衝撃検出のための閾値Ethを超えたタイミングで図3(C)の衝撃検出信号60−1,60−2,60−3が出力される。

0047

このため、図3(D)のように衝撃検出信号60−1,60−2,60−3の立ち上がりに同期して書込み禁止信号62−1,62−2,62−3が所定時間Tに亘り出力され、書込み禁止が行われることになる。この場合、衝撃が加わっていないことから、図3(E)のヘッド位置信号64は目標トラックに対するオントラック制御に伴う微小変動で安定したヘッド位置信号となっている。

0048

図1の判定部52における第2判定処理にあっては、図3(A)のような電源電圧Vccの変動を監視し、定格電圧Vcc=5ボルトに対し低めに設定した閾値電圧Vthを下回る電源変動を判定した際に、電源変動による衝撃センサ46の誤検出出力と判定し、電源電圧Vccが閾値電圧Vth以下に下がる変動がなければ、衝撃による衝撃センサ46の出力と判定する。

0049

図1の判定部52における第3判定処理は、書込み禁止中における衝撃センサ46の出力の挙動から、振動による出力か又は電源変動による出力かを判定する。この衝撃センサ46の出力の挙動の判定は、規定期間に亘り衝撃センサ46の出力信号を積分し、積分値が直線的に変化する場合は電源変動による出力と判定し、積分値が非直線的に変化する場合は衝撃による出力と判定する。

0050

図4(A)は電源電圧が変動した際の衝撃センサ46の出力の積分値の時間変化であり、図4(B)は衝撃が加わった際の衝撃センサ46の出力の積分値の時間変化を示している。図4(A)の電源変動については、時刻t1から時刻t2までの衝撃センサ出力の積分は、例えば電源電圧の変動は図3(A)に示したようにリップル電圧が重畳することによる一定周期の緩やかな変動であることから、衝撃センサ46の出力の積分値は積分特性70に示すように、時刻t1からt2の間でほぼ直線的に増加する。

0051

これに対し図4(B)の衝撃が加わった際の衝撃センサ46の出力の積分特性82は、図2(B)のように、衝撃によるセンサ出力の出力は急激且つ非周期的であるため、積分特性76は時間に対し非線形的ランダムに増加する。したがって、図4(A)のような直線的に増加する積分特性70が得られれば電源変動による衝撃センサ46の出力と判定し、図4(B)のように非直線的に変化する積分特性76が得られれば衝撃による衝撃センサ46の出力と判定することができる。

0052

具体的な積分特性70,76の判定は次のようにして行う。図4(A)の電源変動については、時刻t0の積分開始点72の初期値と時刻t2の積分終了点74の積分値とを結ぶ直線を設定し、この直線に対する積分特性70の差分の絶対値の総和ΣΔSを求め、この差分総和ΣΔSが0もしくは0に近い所定の閾値TH以下であれば、積分特性70のように直線変化しており、電源変動による誤検出出力と判定することができる。

0053

図4(B)の衝撃が加わった場合についても、時刻t1の積分開始点78の初期値と時刻t2の積分終了点80の積分値を結ぶ直線82を設定し、直線82に対する実際に算出された積分特性76の差分の絶対値の総和ΣΔSを同様に求め、差分総和ΣΔSが0もしくはそれに近い値を設定した閾値THを超えていれば衝撃による衝撃センサ46の出力と判定する。

0054

なお積分時間は衝撃が加わって収束するまでの時間をカバーするように所定の積分時間を設定すればよい。通常、衝撃が加わって収束する時間は数ミリ秒以下のごく短時間であり、このような衝撃時間は電源変動に比べるとごく短時間であり、衝撃についてはその間に急激な変動をするが、電源電圧の変動についてはほぼ一定割合で変動することとなり、その結果、図4(A)のような直線的な積分特性70の変化が現れ、一方、振動については図4(B)のような非線形の積分特性76の変化が現れることになる。

0055

なお、ここでは積分時間はディスク1回転分(1周分)の時間とし、判定時間は1周分プラス判断時間としている。

0056

更に図1の判定部52にあっては、書込み禁止に連動した判定処理中に亘り磁気ディスク装置10における書込み動作に相当する擬似書込み動作状態を生成する。この擬似書込み状態の生成は
(1)衝撃センサ46の検出感度を上げ、
(2)電源電圧を定格電圧Vcc=5ボルト以上の範囲で強制的に変動させる、
処理を実行する。

0057

このように判定中に擬似的に書込み動作状態を生成する理由は次のようになる。衝撃センサ46の衝撃検出信号が得られた際の書込み禁止に伴う判定処理中は、衝撃センサ46の出力が衝撃によるものか電源変動によるものかの判別前のため、最適な衝撃センサ46の感度を設定しておらず、したがって書込み動作は禁止しなければならない。

0058

ここで実際に書込み動作を行っているときの電源変動は、非書込時に比べ大きくなる。このため、判定処理中は書込み禁止を行っていることから、実際の書込時と比較して電源変動は少なくなっている。したがって、衝撃センサ46のばらつきにより実際の書込み動作における電源変動により衝撃センサ46の検出出力から衝撃誤検出を起こすような場合には、判定処理において正確な判断ができない場合がある。このため本発明にあっては、書込み禁止状態で行われる判定処理において実書込み状態に近い擬似書込み動作状態を生成して判定処理を行うようにしている。

0059

ここで衝撃センサ46のばらつきとは、電源変動に対するオフセット電圧増減比であるPSRR(Power Supply Rejection Ratio)であり、このPSRRのばらつきによって、実際の書込み動作時における電源変動により衝撃センサ46が誤検出を起こしたり起こさなかったりする状態が生ずる。

0060

擬似書込み動作状態を生成する際の衝撃センサ46の感度アップは、衝撃センサ46に続いて設けたアンプ48のゲインを、初期設定されているデフォルトゲインG0から予め定められた一定ゲインΔGだけアップさせる。

0061

また擬似書込み動作状態を生成するための強制的な電源変動は、実際の書込み動作時にアクティブとなる回路を周期的にオンオフさせることにより実現させることができる。例えば図1のディスクエンクロージャ12側に設けているヘッドIC24に内蔵した書込信号をヘッドに供給するプリアンプや、リードチャネル42に内蔵しているヘッドIC24のプリアンプに対しデータを送信する回路などを強制的にオン、オフさせる。

0062

図5は判定部52による判定期間T、即ち書込み禁止期間Tに亘り、擬似書込み動作状態を生成するために電源電圧を定格電圧Vcc=5ボルト以上の範囲で強制的に変動させた場合の電源電圧波形の説明図である。

0063

図5において、時刻t1までの電圧波形66−1は通常状態であり、時刻t1からt2までのT1時間に亘り、ライトヘッドに対するプリアンプやデータ送信回路を強制的にオン、オフさせて定格電圧Vcc=5ボルト以上の範囲で電圧変動波形68を生成している。

0064

このように判定中に亘り擬似書込み動作状態を衝撃センサ46の感度アップ及び電源電圧の強制変動で作り出すことで、判定部50による判定処理、より具体的には第2判定処理としての電源電圧に基づく判定処理と、第3判定処理としての衝撃センサ46の出力の積分値による強度判定を、実際の書込み動作中におけると同等の条件で行い、より正確に衝撃センサ46の出力が衝撃によるものか又は電源変動によるものかを判定することができる。

0065

再び図1を参照するに、MPU26に設けた感度制御部54は、判定部52で衝撃による衝撃センサ46の検出出力を判定した場合には衝撃センサの検出感度を高め、逆に電源変動による誤検出を判定した場合には衝撃センサ46の検出感度を下げる。更に、電源変動による衝撃センサ46の誤検出を判定した場合には、書込み禁止部50による所定時間Tに亘る書込み禁止を、電源変動による誤検出を判定した時点で強制的に解除する。

0066

感度制御部54による衝撃センサ46の検出感度の制御は、アンプ48に対するゲインをアップまたはダウンさせることで行う。アンプ48のゲイン制御初期状態でデフォルトゲインG0に設定されており、判定部52における擬似書込み動作状態を設定するための検出感度のアップで、ゲインGはデフォルトゲインG0から1ステップアップされたG=G0+ΔGとなっており、その後の判定結果に基づき感度制御部54によるアンプ48のゲイン制御が行われる。

0067

即ち、判定部52で衝撃による検出出力を判定した場合には、アンプ48の現在のゲインGをG+ΔGとする。このゲインアップは最大ゲインGmaxに達するまで行われる。一方、判定部52で電源変動による誤検出を判定した場合にはG=G−ΔGとなるゲインダウンが行われ、このゲインダウンは最小ゲインGminに達するまで判定ごとに繰り返されることになる。

0068

更に感度制御部54にあっては、判定部52で電源変動による誤検出を判定した際に衝撃センサ46の検出感度を下げると同時に、書込み禁止部50による書込み禁止を解除している。この衝撃センサ46の電源変動による誤検出を判定した際の書込み禁止の解除により、書込み禁止部50の機能を衝撃センサ46による衝撃検出と通常の書込み処理によるライトフォルトで共用した場合のリトライ性能の低下を防ぐことができる。

0069

図6は衝撃センサ46で衝撃を検出してこれが判定された場合の磁気ディスクインデックス信号、衝撃検出信号、書込み禁止信号及びライトゲート信号のタイムチャートである。図6(B)の衝撃検出信号60が得られると、その立ち上がりに同期して図6(C)の書込み禁止信号62が所定時間Tに亘り発生する。

0070

衝撃検出信号62が得られる前に図6(D)のライトゲート信号が有効となって書込み動作中であった場合、衝撃検出で書込み禁止信号が発生することで、ライトゲート信号86−1はオフとなって書込みが禁止される。

0071

ここで書込み禁止信号60は、図6(A)のインデックス信号から見て約媒体の1.5回転の時間発生しており、衝撃検出で書込み禁止となった書込みコマンドのリトライは、書込み禁止信号がなくなった後のインデックス信号84−3からの回転中のライトゲート86−3によるリトライとなる。

0072

ここで、最初のインデックス信号84−1による1回転の途中でライトゲート信号86−1がオフとなってライトフォルトが起きた場合、書込み禁止信号がなければ次のインデックス信号84−2までの回転待ちを行った後のライトゲート信号86−2のタイミングで本来、リトライが行われるが、T時間に亘る判定処理のために、リトライはライトゲート信号86−3のタイミングまで遅れることになる。

0073

この図6のような書込み禁止信号がT時間に亘り発生することによるリトライタイミングの遅れは、衝撃センサ46の検出信号によらず、通常のライトコマンドの実行中に何らかの原因によりライトフォルトとなった場合にも同様であり、書込み禁止信号がT時間に亘り発生するため、ライトフォルトに対するリトライが判定処理を行わない場合のライトゲート信号86−2のタイミングではなく、もう1回転後のライトゲート信号86−3のタイミングまで延びてしまう。

0074

そして、ライトフォルトによる書込み禁止及び判定処理については、元来、振動が加わっていないことが前提であることから電源変動が判定されるはずであり、特に本発明の判定部52による判定処理にあっては、最初にヘッド位置信号の変動から電源変動か衝撃かを判定しているため、最初のヘッド位置信号による判定処理で振動でなければ電源変動と判定され、第2判定処理及び第3判定処理はスキップすることになる。

0075

そこで本発明にあっては、判定処理中に電源変動による衝撃センサの誤検出出力と判定した場合には直ちに書込み禁止を解除する。

0076

図7は判定中に電源変動による衝撃センサ46の誤検出と判定した場合のタイムチャートである。図7(D)のように、インデックス信号84−1を基準とした1回転中にライトゲート信号86−1が発生して書込み動作を行っており、その書込み動作中にライトフォルトが何らかの原因により発生し、図7(C)の書込み禁止信号が所定時間Tに亘り発生する。

0077

同時に判定処理88が開始されており、この場合、衝撃によらずライトフォルトによるものであることから、判定処理における第1判定処理としてのヘッド位置信号の変動から、直ちに衝撃ではなく電源変動による誤検出(実際に振動が検出されている訳ではなく単なる判定結果)が判定され、この判定結果が得られた時点で書込み禁止信号を解除することで、次のインデックス信号84−2からの回転中にライトゲート信号86−2を出力して、ライトフォルトに対するリトライを実行することができる。

0078

このように本発明にあっては、衝撃センサ46による衝撃検出とライトコマンドの実行に伴うライトフォルトにつき書込み禁止部50を共用していても、衝撃センサ46が衝撃によるか電源変動によるかを判断するための判定処理の影響を受けることなく、通常の書込みコマンドの実行に伴うライトフォルトに対しては1回転待ちのタイミングでリトライを実行し、アクセス性能の低下を防ぐことができる。

0079

図8図1の実施形態による衝撃検出に伴う磁気ディスク装置10の制御処理フローチャートである。図8において、ステップS1で衝撃センサ46に対し設けているアンプ48の現在ゲインとして初期ゲインであるデフォルトゲインG0を設定する。続いてステップS2で衝撃センサ46の検出出力ありか否かチェックする。具体的には、アンプ48からの衝撃センサ信号E2を読み込んで所定の閾値Ethと比較し、閾値Eth以上であれば衝撃センサの検出出力ありと判定する。

0080

衝撃センサの検出出力を判定すると、ステップS3で所定時間Tに亘るライト禁止を開始する。続いてステップS4で、衝撃か電源変動かの判定処理を判定部52により行う。ステップS5で判定部50の判定結果から衝撃を判定した場合には、ステップS6に進み、衝撃センサ46の感度を高めるためアンプ48のゲインをアップする制御を行い、ステップS7で所定時間Tのタイムアップを判別すると、ステップS8でライト禁止を解除する。

0081

一方、ステップS5で衝撃を判定しなかった場合、即ち電源変動による誤検出を判定した場合には、ステップS10に進み、衝撃センサ46の検出感度を下げるためにアンプ48のゲインをダウンする制御を行った後、この場合には直ちにステップS8でライト禁止を解除する。このようなステップS2〜S8の処理を、ステップS9で停止指示があるまで繰り返す。

0082

図9図8のステップS4における判定処理のフローチャートである。図9において、判定処理は、まずステップS1でヘッド位置信号を読み込み、ステップS2でヘッド位置信号に衝撃による位置変動があるか否かチェックする。ヘッド位置信号に衝撃による位置変動がなければ、直ちにステップS11に進み、電源変動による誤検出を判定する。

0083

ステップS2でヘッド位置信号に衝撃による位置変動があった場合には、ステップS3に進み、衝撃センサ46に設けているアンプ48のゲインをアップした後、ステップS4で電源電圧を定格電圧を超える部分で強制的に変動させ、このステップS3,S4の処理により、判定中における擬似書込み動作状態を生成する。

0084

続いてステップS5で電源電圧を読み込み、ステップS6で電源電圧に閾値電圧Vth以下の変動があるか否か判定する。もし閾値電圧Vth以下の変動があれば、ステップS11に進み、電源変動による誤検出を判定する。

0085

ステップS6で電源電圧に閾値電圧Vth以下の変動がなければ、ステップS7で衝撃センサ46の出力を規定時間に亘り積分し、ステップS8で積分の開始点と終了点を結ぶ直線に対する積分値の誤差(絶対値)の総和ΣΔSを算出する。

0086

続いてステップS9で、算出した総和ΣΔSが予め設定した0もしくはそれに近い閾値THを超えているか否かチェックし、図4(B)に示したように閾値THを超えているような場合には、ステップS10に進み、衝撃による検出出力を判定する。一方、ステップS9で総和ΣΔSが閾値以下であれば、図4(A)のように電源変動の場合であることから、ステップS11に進み、電源変動による誤検出を判定する。

0087

図10図1の実施形態における衝撃センサのゲイン制御のフローチャートである。図10において、衝撃センサのゲイン制御は、ステップS1で現在のゲインGをデフォルトゲインG0に設定する初期設定を行った後、ステップS2でゲインアップ指示があれば、ステップS3で最大ゲインGmax未満であることを条件に、ステップS4でゲインアップを行う。

0088

またステップS5でゲインダウン指示があった場合には、ステップS6で最小ゲインGmin以下でないことを条件に、ステップS7に進み、ゲインダウンを行う。このステップS2〜S7のゲイン制御を、ステップS8で停止指示があるまで繰り返す。

0089

図11図10の衝撃センサのゲイン制御による各ゲインの一例であり、例えば図11にあってはゲイン調整範囲を14段階に分けており、各ゲインステップはΔGとなっている。デフォルトゲインG0はほぼ中間に設定されている。本発明にあっては、まず最初の衝撃検出もしくはライトフォルトに伴う判定処理の際に、擬似的な書込み動作状態を生成するためにゲインをデフォルトゲインG0からΔGだけゲインアップしており、この段階で現在ゲインGはG=G0+ΔGとなっている。

0090

また本実施形態にあっては、デフォルトゲインG0に対し1ステップ上げたゲインを最大ゲインGmaxに設定している。したがって、判定処理が1回行われるとゲインGは最大ゲインGmaxに達することになる。

0091

この状態で判定処理が行われ、もし衝撃センサ46の出力が電源変動による誤検出と判定されると、現在ゲインG=G0+G=Gmaxは1ステップΔGだけダウンされ、G=G0に戻る。一方、衝撃による検出出力と判定された場合にはゲインアップとなるが、この場合には最大ゲインGmaxに達していることから、現在ゲインGはG=Gmaxに維持される。

0092

その後、2回目の衝撃もしくはライトデフォルトに伴う判定処理で電源変動による誤検出と判定された場合には、ゲインダウンが行われて現在ゲインGはG=G0−ΔGとなり、その後、続いて電源変動による誤検出と判定されれば順次、ΔGずつダウンされ、最小値Gminでゲイン制御が停止することになる。

0093

もちろん、デフォルトゲインG0に対する最大ゲインGmax及び最小ゲインGminは必要に応じて適宜に設定することができる。

0094

また本発明は、図1の磁気ディスク装置10に設けているMPU26即ちコンピュータで実行されるプログラムを提供するものであり、このプログラムは図8図10に示したフローチャートの内容となる。

0095

また上記の実施形態は記録装置として磁気ディスク装置を例に取るものであったが、本発明はこれに限定されず、ディスク媒体とヘッドを使用した構造の記憶装置であれば適宜の記録装置につきそのまま適用することができる。

0096

また本発明は、その目的と利点を損なうことのない適宜の変形を含み、更に上記の実施形態に示した数値による限定は受けない。

0097

ここで本発明の特徴をまとめて列挙すると次の付記のようになる。

(付記1)
装置に加わる衝撃を検出して出力する衝撃センサと、
前記衝撃センサの検出信号が得られた際に、衝撃収束に対応した所定時間に亘りヘッドによる媒体への書込みを禁止する書込み禁止部と、
前記書込み禁止中に、衝撃による前記衝撃センサの検出出力か又は電源変動による前記衝撃センサの誤検出出力かを判定する判定部と、
前記判定部で衝撃による検出出力を判定した場合に、前記衝撃センサの検出感度を高め、前記判定部で電源変動による誤検出出力を判定した場合は、前記衝撃センサの検出感度を下げると共に前記書込み禁止を解除する感度制御部と、
を備えたことを特徴とする記憶装置。(1)

0098

(付記2)
付記1記載の記憶装置に於いて、前記判定部は、
前記衝撃センサの出力が衝撃による出力か又は電源変動による出力かを、前記ヘッドの位置信号から判定する第1判定部と、
前記衝撃センサの出力が衝撃による出力か又は電源変動による出力かを、電源電圧の定格電圧に対する低下変動を監視して判定する第2判定部と、
前記衝撃センサの出力が衝撃による出力か又は電源変動による出力かを前記衝撃センサの出力挙動から判定する第3判定部と、
前記第1乃至第3判定部の少なくともいずれか1つが電源電圧の変動を判定した場合は電源の変動を判定結果として出力し、前記第1乃至第3判定部の全てが衝撃による出力を判定した場合に衝撃による出力を判定結果として出力する判定出力部と、
を備えたことを特徴とする記憶装置。(2)

0099

(付記3)
付記2記載の記憶装置に於いて、前記判定部は、書込み禁止中の判定期間の間、書込み動作に相当する擬似書込み動作状態を生成するため、前記衝撃センサの検出感度を上げると共に、電源電圧を定格電圧以上の範囲で強制的に変動させることを特徴とする記憶装置。(3)

0100

(付記4)
付記2記載の記憶装置に於いて、前記第3判定部は、規定期間に亘り前記衝撃センサの出力信号を積分し、積分値が直線的に変化する場合は電源変動による出力と判定し、積分値が非直線的に変化する場合は衝撃による出力と判定することを特徴とする記憶装置。

0101

(付記5)
付記2記載の記憶装置に於いて、前記第3判定部は、規定期間に亘り前記衝撃センサの出力信号を積分し、積分初期値と積分終了値を結ぶ直線に対する積分値との差の絶対値の総和を算出し、前記差分総和が零又は所定値以下の場合は電源変動による出力と判定し、前記差分総和が前記所定値を超えた場合は衝撃による出力と判定することを特徴とする記憶装置。

0102

(付記6)
付記1記載の記憶装置に於いて、前記感度制御部は、
前記衝撃センサの検出信号を増幅するアンプのゲインをデフォルトゲインに初期設定し、
検出感度アップの指示を受けた際に、前記アンプのゲインを最大ゲインに達するまで所定量ずつ増加させ、検出感度ダウンの指示を受けた際に、前記アンプのゲインを最低ゲインに達するまで所定ゲインずつ低下させることを特徴とする記憶装置。

0103

(付記7)
付記1記載の記憶装置に於いて、
前記書込み禁止部は、書込みコマンドの実行に伴う書込みフォルトを検出した際にも前記所定時間に亘り書込みを禁止し、
前記判定部は前記書込み禁止部の書込みフォルトに伴う書込み禁止に連動して判定動作を開始し、電源変動による出力を判定した場合は、直ぐに前記書込み禁止の解除後して前記書込みフォルトに対するリトライを実行させることを特徴とする記憶装置。

0104

(付記8)
装置に加わる衝撃を検出して出力する衝撃センサの検出信号が得られた際に、衝撃収束に対応した所定時間に亘りヘッドによる媒体への書込みを禁止する書込み禁止ステップと、
前記書込み禁止中に、衝撃による前記衝撃センサの検出出力か又は電源変動による前記衝撃センサの誤検出出力かを判定する判定ステップと、
前記判定ステップで衝撃による検出出力を判定した場合に、前記衝撃センサの検出感度を高め、前記判定ステップで電源変動による誤検出出力を判定した場合は、前記衝撃センサの検出感度を下げると共に前記書込み禁止を解除する感度制御ステップと、
を備えたことを特徴とする記憶装置の制御方法。(4)

0105

(付記9)
付記8記載の記憶装置の制御方法に於いて、前記判定ステップは、
前記衝撃センサの出力が衝撃による出力か又は電源変動による出力かを、前記ヘッドの位置信号から判定する第1判定ステップと、
前記衝撃センサの出力が衝撃による出力か又は電源変動による出力かを、電源電圧の電源定格電圧に対する低下変動を監視して判定する第2判定ステップと、
前記衝撃センサの出力が衝撃による出力か又は電源変動による出力かを前記衝撃センサの出力挙動から判定する第3判定ステップと、
前記第1乃至第3判定ステップの少なくともいずれか1つが電源電圧の変動を判定した場合は電源の変動を判定結果として出力し、前記第1乃至第3判定ステップの全てが衝撃による出力を判定した場合に衝撃による出力を判定結果として出力する判定出力ステップと、
を備えたことを特徴とする記憶装置の制御方法。

0106

(付記10)
付記9記載の記憶装置の制御方法に於いて、前記判定ステップは、書込み禁止中の判定期間の間、書込み動作に相当する擬似書込み動作状態を生成するため、前記衝撃センサの検出感度を上げると共に、電源電圧を定格電圧以上の範囲で強制的に変動させることを特徴とする記憶装置の制御方法。

0107

(付記11)
付記9記載の記憶装置の制御方法に於いて、前記第3判定ステップは、規定期間に亘り前記衝撃センサの出力信号を積分し、積分値が直線的に変化する場合は電源変動による出力と判定し、積分値が非直線的に変化する場合は衝撃による出力と判定することを特徴とする記憶装置の制御方法。

0108

(付記12)
付記9記載の記憶装置の制御方法に於いて、前記第3判定ステップは、規定期間に亘り前記衝撃センサの出力信号を積分し、積分初期値と積分終了値を結ぶ直線に対する積分値との差分の絶対値の総和を算出し、前記差分総和が零又は所定値以下の場合は電源変動による出力と判定し、前記差分総和が前記所定値を超えた場合は衝撃による出力と判定することを特徴とする記憶装置の制御方法。

0109

(付記13)
付記8記載の記憶装置の制御方法に於いて、前記感度制御ステップは、
前記衝撃センサの検出信号を増幅するアンプのゲインをデフォルトゲインに初期設定し、
検出感度アップの指示を受けた際に、前記アンプのゲインを最大ゲインに達するまで所定量ずつ増加させ、検出感度ダウンの指示を受けた際に、前記アンプのゲインを最低ゲインに達するまで所定ゲインずつ低下させることを特徴とする記憶装置の制御方法。

0110

(付記14)
付記8記載の記憶装置の制御方法に於いて、
前記書込み禁止ステップは、書込みコマンドの実行に伴う書込みフォルトを検出した際にも前記所定時間に亘り書込みを禁止し、
前記判定ステップは前記書込み禁止ステップの書込みフォルトに伴う書込み禁止に連動して判定動作を開始し、電源変動による出力を判定した場合は、直ぐに前記書込み禁止の解除後して前記書込みフォルトに対するリトライを実行させることを特徴とする記憶装置の制御方法。

0111

(付記15)
記憶装置のコンピュータに、
装置に加わる衝撃を検出して出力する衝撃センサの検出信号が得られた際に、衝撃収束に対応した所定時間に亘りヘッドによる媒体への書込みを禁止する書込み禁止ステップと、
前記書込み禁止中に、衝撃による前記衝撃センサの検出出力か又は電源変動による前記衝撃センサの誤検出出力かを判定する判定ステップと、
前記判定ステップで衝撃による検出出力を判定した場合に、前記衝撃センサの検出感度を高め、前記判定ステップで電源変動による誤検出出力を判定した場合は、前記衝撃センサの検出感度を下げると共に前記書込み禁止を解除する感度制御ステップと、
を実行させることを特徴とするプログラム。(5)

0112

(付記16)
付記15記載のプログラムに於いて、前記判定ステップは、
前記衝撃センサの出力が衝撃による出力か又は電源変動による出力かを、前記ヘッドの位置信号から判定する第1判定ステップと、
前記衝撃センサの出力が衝撃による出力か又は電源変動による出力かを、電源電圧の電源定格電圧に対する低下変動を監視して判定する第2判定ステップと、
前記衝撃センサの出力が衝撃による出力か又は電源変動による出力かを前記衝撃センサの出力挙動から判定する第3判定ステップと、
前記第1乃至第3判定ステップの少なくともいずれか1つが電源電圧の変動を判定した場合は電源の変動を判定結果として出力し、前記第1乃至第3判定ステップの全てが衝撃による出力を判定した場合に衝撃による出力を判定結果として出力する判定出力ステップと、
を備えたことを特徴とするプログラム。

0113

(付記17)
付記16記載のプログラムに於いて、
前記判定ステップは、書込み禁止中の判定期間の間、書込み動作に相当する擬似書込み動作状態を生成するため、前記衝撃センサの検出感度を上げると共に、電源電圧を定格電圧以上の範囲で強制的に変動させることを特徴とするプログラム。

0114

(付記18)
付記16記載のプログラムに於いて、前記第3判定ステップは、規定期間に亘り前記衝撃センサの出力信号を積分し、積分値が直線的に変化する場合は電源変動による出力と判定し、積分値が非直線的に変化する場合は衝撃による出力と判定することを特徴とするプログラム。

0115

(付記19)
付記16記載のプログラムに於いて、前記第3判定ステップは、規定期間に亘り前記衝撃センサの出力信号を積分し、積分初期値と積分終了値を結ぶ直線に対する積分値との差分の絶対値の総和を算出し、前記差分総和が零又は所定値以下の場合は電源変動による出力と判定し、前記差分総和が前記所定値を超えた場合は衝撃による出力と判定することを特徴とするプログラム。

0116

(付記20)
付記18記載のプログラムに於いて、
前記書込み禁止ステップは、書込みコマンドの実行に伴う書込みフォルトを検出した際にも前記所定時間に亘り書込みを禁止し、
前記判定ステップは前記書込み禁止ステップの書込みフォルトに伴う書込み禁止に連動して判定動作を開始し、電源変動による出力を判定した場合は、直ぐに前記書込み禁止を解除して前記書込みフォルトに対するリトライを実行させることを特徴とするプログラム。

図面の簡単な説明

0117

本発明による記憶装置の一実施形態を示した磁気ディスク装置のブロック図
電源変動時の電源電圧、衝撃センサ出力、衝撃検出信号、書込み禁止信号及びヘッド位置信号のタイムチャート
衝撃が加わった時の電源電圧、衝撃センサ出力、衝撃検出信号、書込み禁止信号及びヘッド位置信号のタイムチャート
擬似書込み動作状態を生成するための電源変動制御の説明図
電源変動時と衝撃印加時の衝撃センサ出力の積分変化の説明図
書込み禁止と判定処理に伴うリトライタイミングの遅れを示したタイムチャート
判定中に電源変動を判定して書込み禁止を解除することによるリトライタイミングを示したタイムチャート
図1の実施形態による衝撃検出に伴う制御処理のフローチャート
図8のステップS4における判定処理のフローチャート
図1の実施形態による衝撃センサゲイン制御のフローチャート
図10により制御されるゲイン範囲の説明図

符号の説明

0118

10:磁気ディスク装置
11:ホスト
12:ディスクエンクロージャ
14:制御ボード
16:スピンドルモータ
18:ボイスコイルモータ
20−1,20−2:ディスク媒体
22−1〜22−4:ヘッド
24:ヘッドIC
26:MPU
28:バス
30:メモリ
32:不揮発メモリ
34:ホストインタフェース制御部
36:バッファメモリ制御部
38:バッファメモリ
40:フォーマット制御部
42:リードチャネル
44:サーボ制御部
46:衝撃センサ
48:アンプ
50:書込み禁止部
52:判定部
54:感度制御部

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