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技術 製造検査解析システム、解析装置、解析装置制御プログラム、解析装置制御プログラムを記録した記録媒体、および製造検査解析方法

出願人 シャープ株式会社
発明者 大南信之田中優梅本武
出願日 2005年3月9日 (15年5ヶ月経過) 出願番号 2005-066336
公開日 2006年9月21日 (13年10ヶ月経過) 公開番号 2006-253331
状態 特許登録済
技術分野 半導体等の試験・測定 半導体装置の製造処理一般
主要キーワード 平面内回転 発生角度 要因項目 欠陥要因 処理時間帯 立体形 変更角度 バッチ装置
関連する未来課題
重要な関連分野

この項目の情報は公開日時点(2006年9月21日)のものです。
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図面 (20)

課題

被処理体に対して処理した処理装置の情報を付与するなどの処理を行うことなく、被処理体の製造途中において、的確に欠陥発生要因となる処理装置または処理装置群を特定することを可能とする製造検査解析システムを提供する。

解決手段

処理装置13における位置変更部32が、処理部35による処理を行う際の被処理体の載置位置を、被処理体のそれぞれに対応した所定の載置位置となるように変更する。また、複数の処理装置13…によって処理が行われた被処理体の欠陥の発生が検査装置14によって検査される。そして、解析装置12における解析処理部23が、各処理装置13における被処理体の載置位置情報と、検査装置14によって検出された欠陥情報とに基づいて、欠陥を生じさせた処理装置を特定する解析処理を行う。

概要

背景

半導体装置等の製造において、その加工プロセスで生じる異物欠陥製品不良の原因となる。そのため、異物・欠陥を定量的に検査し、製造環境に問題がないかを監視する必要がある。また、その異物・欠陥が歩留りに与える影響を把握し、歩留り向上のための異物、欠陥対策を行わねばならない。

このような異物・欠陥の検出および監視の手法としては、例えば特許文献1に示される手法がある。この手法は、図27に示すように、次のような手順で行われる。まず、製造工程途中の第1の工程において、自動外観検査装置を用いて異物・欠陥が検出され、その異物・欠陥の座標データが取得される。その後の第2の工程で同様に自動外観検査装置を用いて異物・欠陥が検出され、その異物・欠陥の座標データが取得される。そして、上記2つの工程における異物・欠陥の座標データを比較することによって、異物・欠陥が第1の工程で発生したものか第2の工程で発生したものかが区別される。

また、形状欠陥を発生させる製造装置を特定する手法としては、例えば特許文献2に示される手法がある。この手法は、図28に示すように、処理した製造装置のIDをコードパターンとしてウエハ上にパターニングすることによって形状欠陥を発生させる製造装置を特定している。

また、製品自体回路パターンが複雑になると異物・欠陥の検出が困難になることから、特許文献3には、製品自体を検査するのではなく、専用のモニターウエハを用いる手法が開示されている。この手法によれば、図29に示すように、異物・欠陥位置を高精度にモニタリングできるようにモニターウエハ上に一部ダイパターンが形成される。これにより、異物・欠陥位置座標の精度が向上し、かつ製品回路パターンによる感度不足も解消される。ウエハ上の異物・欠陥は製造装置ごとに特有分布を持つことが多いため、このモニタリング結果により装置の改善が実施される。
特開2000−200358公報(2000年7月18日公開
特開平5−41353号公報(1993年2月19日公開)
特開2000−236006公報(2000年8月29日公開)

概要

被処理体に対して処理した処理装置の情報を付与するなどの処理を行うことなく、被処理体の製造途中において、的確に欠陥の発生要因となる処理装置または処理装置群を特定することを可能とする製造検査解析システムを提供する。 処理装置13における位置変更部32が、処理部35による処理を行う際の被処理体の載置位置を、被処理体のそれぞれに対応した所定の載置位置となるように変更する。また、複数の処理装置13…によって処理が行われた被処理体の欠陥の発生が検査装置14によって検査される。そして、解析装置12における解析処理部23が、各処理装置13における被処理体の載置位置情報と、検査装置14によって検出された欠陥情報とに基づいて、欠陥を生じさせた処理装置を特定する解析処理を行う。

目的

本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、被処理体に対して処理した処理装置の情報を付与するなどの処理を行うことなく、被処理体の製造途中において、的確に処理品質分布の発生要因となる処理装置または処理装置群を特定することを可能とする製造検査解析システム、解析装置、解析装置制御プログラム、解析装置制御プログラムを記録した記録媒体、および製造検査解析方法を提供することにある。

効果

実績

技術文献被引用数
0件
牽制数
2件

この技術が所属する分野

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請求項1

被処理体に対して所定の処理を行う複数の処理装置と、前記複数の処理装置における処理が行われた後に、前記被処理体に生じている処理品質分布を検出する検査装置と、前記処理品質分布を生じさせた処理装置または処理装置群を特定する解析処理を行う解析装置とを備えた製造検査解析システムであって、上記処理装置が、上記所定の処理を行う際の被処理体の載置位置を、被処理体のそれぞれに対応した所定の載置位置となるように変更する位置変更部を備え、上記解析装置が、各処理装置における各被処理体に対する載置位置情報と、上記検査装置によって検出された処理品質分布情報とに基づいて、上記解析処理を行う解析処理部を備えていることを特徴とする製造検査解析システム。

請求項2

上記解析装置が、各処理装置における位置変更部に対して、載置位置の変更の設定を、各処理装置または各処理装置群で互いに異なるように設定する位置変更設定部をさらに備えることを特徴とする請求項1記載の製造検査解析システム。

請求項3

上記検査装置が、上記被処理体の外観検査することによって処理品質分布を検出する外観検査装置であることを特徴とする請求項1記載の製造検査解析システム。

請求項4

上記検査装置が、上記被処理体の電気的特性を検査することによって処理品質分布を検出する電気的特性評価装置であることを特徴とする請求項1記載の製造検査解析システム。

請求項5

上記位置変更部が、被処理体を回転させることによって載置位置を変更させることを特徴とする請求項1記載の製造検査解析システム。

請求項6

上記位置変更部が、被処理体を平行移動させることによって載置位置を変更させることを特徴とする請求項1記載の製造検査解析システム。

請求項7

上記被処理体が平板形状であり、上記位置変更部が、被処理体の表裏を変更することによって載置位置を変更させることを特徴とする請求項1記載の製造検査解析システム。

請求項8

上記位置変更部が、上記処理装置において実際に被処理体に処理を行う処理部の外部において被処理体の位置を変更することによって被処理体の載置位置を変更することを特徴とする請求項1記載の製造検査解析システム。

請求項9

上記位置変更部が、上記処理装置において実際に被処理体に処理を行う処理部の内部において被処理体の位置を変更することによって被処理体の載置位置を変更することを特徴とする請求項1記載の製造検査解析システム。

請求項10

上記位置変更部が、上記処理装置と、直前に処理が行われる処理装置との配置関係によって実現され、直前に処理が行われる処理装置から被処理体が搬送されることによって各被処理体の載置位置を変更することを特徴とする請求項1記載の製造検査解析システム。

請求項11

上記処理装置が、実際に被処理体に処理を行う複数の処理部と、各処理部に対して被処理体を搬送する搬送部とを備え、上記搬送部が上記処理部に対してそれぞれ異なる方向から被処理体の搬入を行うことによって、上記位置変更部が実現されることを特徴とする請求項1記載の製造検査解析システム。

請求項12

上記位置変更設定部が、複数の被処理体からなる処理グループ内の各被処理体の載置位置の組合せを、各処理装置または各処理装置群で互いに異なるように設定することを特徴とする請求項2記載の製造検査解析システム。

請求項13

上記位置変更設定部が、上記処理グループ内の各被処理体の載置位置の組合せを、時間帯に応じて変更することを特徴とする請求項12記載の製造検査解析システム。

請求項14

上記位置変更部が、上記位置変更設定部による設定に基づいて、複数の被処理体を内部に含む被処理体搬送部材に格納されている各被処理体の位置を変更することを特徴とする請求項1記載の製造検査解析システム。

請求項15

上記被処理体が、半導体ウエハとしての平面板、あるいは、ガラス板または樹脂板からなる平面板であることを特徴とする請求項1記載の製造検査解析システム。

請求項16

上記被処理体が、立体構造となっていることを特徴とする請求項1記載の製造検査解析システム。

請求項17

上記処理装置が、成膜装置熱処理装置注入装置エッチング装置研磨装置塗布装置露光装置現像装置洗浄装置切断装置張り合わせ装置接合装置膜厚測定装置線幅測長装置、およびアライメント検査装置のいずれかであることを特徴とする請求項1記載の製造検査解析システム。

請求項18

上記処理装置が、他の処理装置からの被処理体の搬入、および/または他の処理装置に対する被処理体の搬出を行う搬送装置であることを特徴とする請求項1記載の製造検査解析システム。

請求項19

請求項1ないし18のいずれか一項に記載の製造検査解析システムが備える解析装置。

請求項20

請求項19記載の解析装置が備える解析処理部が行う処理をコンピュータに実行させることを特徴とする解析装置制御プログラム

請求項21

請求項20記載の解析装置制御プログラムを記録したコンピュータ読取り可能な記録媒体

請求項22

被処理体に対して所定の処理を行う複数の処理装置と、前記複数の処理装置における処理が行われた後に、前記被処理体に生じている処理品質分布を検出する検査装置と、前記処理品質分布を生じさせた処理装置または処理装置群を特定する解析処理を行う解析装置とを備えた製造検査解析システムにおける製造検査解析方法であって、上記処理装置において、上記所定の処理を行う際の被処理体の載置位置を、被処理体のそれぞれに対応した所定の載置位置となるように変更する位置変更ステップと、上記解析装置において、各処理装置における位置変更ステップにおける載置位置の変更の設定を、各処理装置または各処理装置群で互いに異なるように設定する位置変更設定ステップと、各処理装置における各被処理体に対する載置位置情報と、上記検査装置によって検出された処理品質分布情報とに基づいて、上記解析処理を行う解析処理ステップとを有していることを特徴とする製造検査解析方法。

技術分野

0001

本発明は、製造途中または完成後の製品または部品検査を行う製造検査解析システム解析装置、解析装置制御プログラム、解析装置制御プログラムを記録した記録媒体、および製造検査解析方法に関するものである。

背景技術

0002

半導体装置等の製造において、その加工プロセスで生じる異物欠陥は製品不良の原因となる。そのため、異物・欠陥を定量的に検査し、製造環境に問題がないかを監視する必要がある。また、その異物・欠陥が歩留りに与える影響を把握し、歩留り向上のための異物、欠陥対策を行わねばならない。

0003

このような異物・欠陥の検出および監視の手法としては、例えば特許文献1に示される手法がある。この手法は、図27に示すように、次のような手順で行われる。まず、製造工程途中の第1の工程において、自動外観検査装置を用いて異物・欠陥が検出され、その異物・欠陥の座標データが取得される。その後の第2の工程で同様に自動外観検査装置を用いて異物・欠陥が検出され、その異物・欠陥の座標データが取得される。そして、上記2つの工程における異物・欠陥の座標データを比較することによって、異物・欠陥が第1の工程で発生したものか第2の工程で発生したものかが区別される。

0004

また、形状欠陥を発生させる製造装置を特定する手法としては、例えば特許文献2に示される手法がある。この手法は、図28に示すように、処理した製造装置のIDをコードパターンとしてウエハ上にパターニングすることによって形状欠陥を発生させる製造装置を特定している。

0005

また、製品自体回路パターンが複雑になると異物・欠陥の検出が困難になることから、特許文献3には、製品自体を検査するのではなく、専用のモニターウエハを用いる手法が開示されている。この手法によれば、図29に示すように、異物・欠陥位置を高精度にモニタリングできるようにモニターウエハ上に一部ダイパターンが形成される。これにより、異物・欠陥位置座標の精度が向上し、かつ製品回路パターンによる感度不足も解消される。ウエハ上の異物・欠陥は製造装置ごとに特有分布を持つことが多いため、このモニタリング結果により装置の改善が実施される。
特開2000−200358公報(2000年7月18日公開
特開平5−41353号公報(1993年2月19日公開)
特開2000−236006公報(2000年8月29日公開)

発明が解決しようとする課題

0006

しかしながら、半導体装置の微細化に伴い、製品不良の原因となる異物・欠陥も微細なものとなってきている。よって、外観検査装置等を用いても対象とする異物・欠陥のサイズが小さすぎることにより、感度不足で検出できないという問題が生じている。

0007

また、対象とする異物・欠陥が外観検査装置で検出可能な場合であっても、製品の製造工程中に外観検査を行う場合、その検査時間分だけ製造に要する時間が長くなるという問題がある。すなわち、前記した特許文献1に示される手法のように検査を各処理毎に行う場合、製造時間の長大化を招くことになる。また、この手法の場合、現実的には複数工程を経た後に検査が行われるため、発生工程・装置がどれであるのかを正確に特定することが困難となる。

0008

また、前記した特許文献2に示される手法では、処理した装置のIDをウエハ上にパターニングするため、パターニングによるダストの発生が製品不良につながる惧れがあるという問題がある。また、この手法では、処理履歴判別できるものの、不良原因の装置を特定することは困難である。

0009

さらに、前記した特許文献3で示される手法では、異物検出用の専用ウエハを作製する必要があるという問題がある。さらに異物は往々にして突発的に発生するため、モニター作製時には異物が発生しない可能性もある。

0010

本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、被処理体に対して処理した処理装置の情報を付与するなどの処理を行うことなく、被処理体の製造途中において、的確に処理品質分布発生要因となる処理装置または処理装置群を特定することを可能とする製造検査解析システム、解析装置、解析装置制御プログラム、解析装置制御プログラムを記録した記録媒体、および製造検査解析方法を提供することにある。

課題を解決するための手段

0011

本発明に係る製造検査解析システムは、上記課題を解決するために、被処理体に対して所定の処理を行う複数の処理装置と、前記複数の処理装置における処理が行われた後に、前記被処理体に生じている処理品質分布を検出する検査装置と、前記処理品質分布を生じさせた処理装置または処理装置群を特定する解析処理を行う解析装置とを備えた製造検査解析システムであって、上記処理装置が、上記所定の処理を行う際の被処理体の載置位置を、被処理体のそれぞれに対応した所定の載置位置となるように変更する位置変更部を備え、上記解析装置が、各処理装置における各被処理体に対する載置位置情報と、上記検査装置によって検出された処理品質分布情報とに基づいて、上記解析処理を行う解析処理部とを備えていることを特徴としている。

0012

被処理体に対して所定の処理を行う複数の処理装置と、前記複数の処理装置における処理が行われた後に、前記被処理体に生じている処理品質分布を検出する検査装置と、前記処理品質分布を生じさせた処理装置または処理装置群を特定する解析処理を行う解析装置とを備えた製造検査解析システムにおける製造検査解析方法であって、上記処理装置において、上記所定の処理を行う際の被処理体の載置位置を、被処理体のそれぞれに対応した所定の載置位置となるように変更する位置変更ステップと、上記解析装置において、各処理装置における位置変更ステップにおける載置位置の変更の設定を、各処理装置または各処理装置群で互いに異なるように設定する位置変更設定ステップと、各処理装置における各被処理体に対する載置位置情報と、上記検査装置によって検出された処理品質分布情報とに基づいて、上記解析処理を行う解析処理ステップとを有していることを特徴としている。

0013

上記の構成または方法では、まず処理装置において所定の処理が行われる際に、被処理体のそれぞれに対応した所定の載置位置となるように各被処理体の載置位置が変更されるようになっている。したがって、この載置位置の変更が、各処理装置または各処理装置群で互いに異なるように設定されることによって、各被処理体または各被処理体群は、各処理装置または各処理装置群で互いに異なる載置位置で処理が行われることになる。

0014

一方、処理装置において処理が行われることによって被処理体に処理品質分布が生じる場合、処理装置に原因があるならば、その処理品質分布は各処理装置で特有の分布となる可能性が高い。よって、上記の構成または方法のように、各処理装置における各被処理体に対する載置位置情報と、上記検査装置によって検出された処理品質分布の処理品質分布情報とを考慮することによって、処理品質分布を生じさせた処理装置または処理装置群を特定することが可能となる。

0015

すなわち、上記の構成または方法によれば、被処理体に対して処理した処理装置の情報を付与するなどの処理を行うことなく、被処理体の製造途中において、的確に処理品質分布の発生要因となる処理装置または処理装置群を特定することが可能となる。

0016

なお、処理品質分布とは、例えば欠陥の発生分布や、処理状態の善し悪しの分布などに相当するものである。

0017

また、本発明に係る製造検査解析システムは、上記の構成において、上記解析装置が、各処理装置における位置変更部に対して、載置位置の変更の設定を、各処理装置または各処理装置群で互いに異なるように設定する位置変更設定部をさらに備える構成としてもよい。

0018

上記の構成によれば、解析装置が備える位置変更設定部によって、載置位置の変更の設定が、各処理装置または各処理装置群で互いに異なるように設定される。よって、製造工程が変動する場合でも、解析装置側で位置変更設定処理を適宜行うことによって対応することが可能となる。

0019

また、本発明に係る製造検査解析システムは、上記の構成において、上記検査装置が、上記被処理体の外観を検査することによって処理品質分布を検出する外観検査装置である構成としてもよい。

0020

上記の構成によれば、外観検査装置によって処理品質分布の検出が行われることになる。よって、外観によって検出することが可能な処理品質分布を的確に検出することができる。

0021

また、本発明に係る製造検査解析システムは、上記の構成において、上記検査装置が、上記被処理体の電気的特性を検査することによって処理品質分布を検出する電気的特性評価装置である構成としてもよい。

0022

上記の構成によれば、電気的特性評価装置によって処理品質分布の検出が行われることになる。よって、外観では認識できないような欠陥でも的確に検出することができる。

0023

また、本発明に係る製造検査解析システムは、上記の構成において、上記位置変更部が、被処理体を回転させることによって載置位置を変更させる構成としてもよい。

0024

上記の構成によれば、載置位置は、被処理体を回転させることによって変更される。この場合、載置位置の変更に伴う被処理体の中心位置の移動を少なくした状態で、載置位置の変更のバリエーションを多くすることができる。よって、処理装置における処理が行われるステージが比較的小さい場合にでも対応することができる。

0025

また、本発明に係る製造検査解析システムは、上記の構成において、上記位置変更部が、被処理体を平行移動させることによって載置位置を変更させる構成としてもよい。

0026

上記の構成によれば、載置位置は、被処理体を平行移動させることによって変更される。よって、例えば欠陥が被処理体の中心に対して同心円状に生じる場合にも、載置位置の変更による欠陥位置の変更を的確に実現することができる。

0027

また、本発明に係る製造検査解析システムは、上記の構成において、上記被処理体が平板形状であり、上記位置変更部が、被処理体の表裏を変更することによって載置位置を変更させる構成としてもよい。

0028

上記の構成によれば、載置位置は、被処理体を表裏ひっくり返すことによって変更される。よって、載置位置の変更に伴う被処理体の中心位置の移動を少なくした状態で、載置位置の変更のバリエーションを増やすことができる。よって、処理装置における処理が行われるステージが比較的小さい場合にでも対応することができる。

0029

また、本発明に係る製造検査解析システムは、上記の構成において、上記位置変更部が、上記処理装置において実際に被処理体に処理を行う処理部の外部において被処理体の位置を変更することによって被処理体の載置位置を変更する構成としてもよい。

0030

上記の構成によれば、処理部の外部において被処理体の位置が変更されることによって被処理体の載置位置が変更されるので、処理部において被処理体の位置を変更できないような処理装置に対しても適用することが可能となる。

0031

また、本発明に係る製造検査解析システムは、上記の構成において、上記位置変更部が、上記処理装置において実際に被処理体に処理を行う処理部の内部において被処理体の位置を変更することによって被処理体の載置位置を変更する構成としてもよい。

0032

上記の構成によれば、処理部の内部において被処理体の位置が変更されることによって被処理体の載置位置が変更される。すなわち、処理部において処理のために被処理体の位置を変更する手段を備えた処理装置であれば、この手段を位置変更部として適用することが可能となる。

0033

また、本発明に係る製造検査解析システムは、上記の構成において、上記位置変更部が、上記処理装置と、直前に処理が行われる処理装置との配置関係によって実現され、直前に処理が行われる処理装置から被処理体が搬送されることによって各被処理体の載置位置を変更する構成としてもよい。

0034

上記の構成によれば、ある処理装置と、直前に処理が行われる処理装置との配置関係を工夫することによって各被処理体の載置位置が変更される。すなわち、処理装置同士の装置レイアウトを利用することによって載置位置変更処理を実現するので、被処理体の載置位置を変更する特別な構成を設ける必要をなくすことができる。

0035

また、本発明に係る製造検査解析システムは、上記の構成において、上記処理装置が、実際に被処理体に処理を行う複数の処理部と、各処理部に対して被処理体を搬送する搬送部とを備え、上記搬送部が上記処理部に対してそれぞれ異なる方向から被処理体の搬入を行うことによって、上記位置変更部が実現される構成としてもよい。

0036

上記の構成によれば、処理装置内部に複数の処理部が設けられており、各処理部に対して搬送部によって異なる方向から被処理体の搬入を行うことによって各被処理体の載置位置が変更される。すなわち、複数の処理部のレイアウトを利用することによって載置位置変更処理を実現するので、被処理体の載置位置を変更する特別な構成を設ける必要をなくすことができる。

0037

また、本発明に係る製造検査解析システムは、上記の構成において、上記位置変更設定部が、複数の被処理体からなる処理グループ内の各被処理体の載置位置の組合せを、各処理装置または各処理装置群で互いに異なるように設定する構成としてもよい。

0038

上記の構成によれば、処理グループ内の各被処理体の載置位置の組合せが、各処理装置または各処理装置群で互いに異なるように設定されるので、処理グループ内の各被処理体の載置位置によって、解析処理部による解析処理を的確に行うことが可能となり、その処理が行われた処理装置または処理装置群を特定することが可能となる。

0039

また、本発明に係る製造検査解析システムは、上記の構成において、上記位置変更設定部が、上記処理グループ内の各被処理体の載置位置の組合せを、時間帯に応じて変更する構成としてもよい。

0040

上記の構成によれば、処理グループ内の各被処理体の載置位置の組合せが、時間帯に応じて変更されるので、処理グループ内の各被処理体の載置位置によって、その処理が行われた時間帯をも特定することが可能となる。

0041

また、本発明に係る製造検査解析システムは、上記の構成において、上記位置変更部が、上記位置変更設定部による設定に基づいて、複数の被処理体を内部に含む被処理体搬送部材に格納されている各被処理体の位置を変更する構成としてもよい。

0042

上記の構成によれば、被処理体搬送部材に格納されている各被処理体の位置が変更されることによって載置位置変更処理が行われる。よって、処理装置内における処理部に、被処理体の載置位置を変更する手段が設けられていない処理装置であっても、載置位置変更処理を的確に行うことが可能となる。

0043

また、本発明に係る製造検査解析システムは、上記の構成において、上記被処理体が、半導体ウエハとしての平面板、あるいは、ガラス板または樹脂板からなる平面板である構成としてもよい。

0044

上記の構成によれば、半導体ウエハの製造や、その他平面板からなる製品の製造に適用することができる。

0045

また、本発明に係る製造検査解析システムは、上記の構成において、上記被処理体が、立体構造となっている構成としてもよい。

0046

上記の構成によれば、被処理体が、立体構造となっているので、様々な形状の被処理体の製造に適用することができる。

0047

また、本発明に係る製造検査解析システムは、上記の構成において、上記処理装置が、成膜装置熱処理装置注入装置エッチング装置研磨装置塗布装置露光装置現像装置洗浄装置切断装置張り合わせ装置接合装置膜厚測定装置線幅測長装置、およびアライメント検査装置のいずれかである構成としてもよい。

0048

上記の構成によれば、例えば半導体ウエハの製造に必要な処理装置によって処理装置が実現されるので、半導体ウエハの製造に適用することができる。

0049

また、本発明に係る製造検査解析システムは、上記の構成において、上記処理装置が、他の処理装置からの被処理体の搬入、および/または他の処理装置に対する被処理体の搬出を行う搬送装置である構成としてもよい。

0050

上記の構成によれば、搬送装置において欠陥などの処理品質分布が被処理体に生じさせられた場合にも、その搬送装置を特定することが可能となる。

0051

また、本発明に係る解析装置は、上記本発明に係る製造検査解析システムが備える解析装置であることを特徴としている。

0052

上記の構成によれば、被処理体に対して処理した処理装置の情報を付与するなどの処理を行うことなく、被処理体の製造途中において、的確に処理品質分布の発生要因となる処理装置または処理装置群を特定することを可能とする解析装置を提供することができる。

発明の効果

0053

本発明に係る製造検査解析システムは、以上のように、上記処理装置が、上記所定の処理を行う際の被処理体の載置位置を、被処理体のそれぞれに対応した所定の載置位置となるように各被処理体の載置位置を変更する位置変更部を備え、上記解析装置が、各処理装置における位置変更部に対して、載置位置の変更の設定を、各処理装置または各処理装置群で互いに異なるように設定する位置変更設定部と、各処理装置における各被処理体に対する載置位置情報と、上記検査装置によって検出された処理品質分布情報とに基づいて、上記解析処理を行う解析処理部とを備えている構成である。これにより、被処理体に対して処理した処理装置の情報を付与するなどの処理を行うことなく、被処理体の製造途中において、的確に処理品質分布の発生要因となる処理装置または処理装置群を特定することが可能となるという効果を奏する。

発明を実施するための最良の形態

0054

本発明の一実施形態について図面に基づいて説明すると以下の通りである。

0055

(製造検査解析システムの構成)
図2は、本実施形態に係る製造検査解析システムの概略構成を示すブロック図である。同図に示すように、製造検査解析システムは、ホストコンピュータ11、解析装置12、複数の処理装置13…、検査装置14、および複数の搬送装置15を備えた構成となっている。これらのホストコンピュータ11、解析装置12、複数の処理装置13…、検査装置、および複数の搬送装置15は、LAN(Local Area Network)配線Lによって互いに接続されており、通信が可能となっている。なお、LAN配線Lは、有線であってもよいし、無線であってもよい。また、LAN以外の通信形式であっても構わない。

0056

ホストコンピュータは、製造検査解析システムを統括的に制御するメインコンピュータである。解析装置12は、後述する欠陥解析処理を行う装置である。処理装置13…は、例えば半導体ウエハなどの被処理体を製造する工程を実施する装置であり、被処理体への製造工程それぞれに対応して複数設けられている。この処理装置13としては、例えば、成膜装置、熱処理装置、注入装置、エッチング装置、研磨装置、塗布装置、露光装置、現像装置、洗浄装置、切断装置、張り合わせ装置、接合装置、膜厚測定装置、線幅測長装置、およびアライメント検査装置などが挙げられる。

0057

検査装置14は、処理装置13…での処理が完了した後に、被処理体の欠陥の発生を検査する装置である。搬送装置15は、ある処理装置13から、次の工程を行う処理装置13へ被処理体を搬送する装置である。

0058

(解析装置、処理装置、検査装置の構成)
図1は、上記解析装置12、処理装置13、および検査装置14の構成をより詳細に示したブロック図である。

0059

(解析装置の構成)
解析装置12は、通信部21、相対位置記憶部22、解析処理部23、出力部24、位置変更設定部25、および入力部26を備えた構成となっている。通信部21は、LAN配線Lを介してホストコンピュータ11、処理装置13、および検査装置14と通信を行う通信インターフェースである。

0060

解析処理部23は、処理装置13…から受信した各被処理体に対する載置位置情報、および、検査装置14から受信した欠陥の発生位置情報に基づいて、欠陥が生じた処理装置13を特定する解析処理を行う。この解析処理の詳細については後述する。相対位置記憶部22は、処理装置13…から受信した各被処理体に対する載置位置情報、および、検査装置14から受信した欠陥の発生位置情報に基づいて、被処理体の欠陥の発生位置と、特定の処理における被処理体の載置位置との相対位置関係を記憶する。この記憶処理は解析処理部23によって行われる。出力部24は、解析処理部23によって解析処理された結果を出力するものであり、例えば表示手段や印刷手段などによって構成される。

0061

入力部26は、解析装置12に対するオペレータによる各種入力動作受け付けるものである。位置変更設定部25は、入力部26によって入力された、製造に用いる処理装置13…に関する情報に基づいて、どの処理装置においてどのように被処理体の載置位置を設定するかを設定するものである。

0062

なお、位置変更設定部25は、入力部26からのオペレータによる入力ではなく、例えばホストコンピュータ11から製造に用いる処理装置13…に関する情報を通信によって受信して処理するようになっていてもよい。また、各処理装置13において、予め被処理体の載置位置の設定が行われている場合には、入力部26および/または位置変更設定部25が設けられていない構成となっていてもよい。

0063

(処理装置の構成)
処理装置13は、通信部31、位置変更部32、カセット保持部33、位置記憶部34、処理部35、および搬送部36を備えた構成となっている。通信部31は、LAN配線Lを介してホストコンピュータ11、および解析装置12と通信を行う通信インターフェースである。

0064

カセット保持部33は、搬送装置15によって搬送された、被処理体を内部に複数含むカセット(被処理体搬送部材)を保持する部材である。搬送部36は、カセット保持部33に保持されているカセットから被処理体を処理部35まで搬送する部材である。処理部35は、当該処理装置13における処理を実際に被処理体に対して行うものである。

0065

位置変更部32は、カセット保持部33に保持されているカセット内の被処理体の向きを変更する処理を行う部材である。この向きの変更処理は、通信部31で受信された、解析装置12における位置変更設定部25によって設定された情報に基づいて行われる。位置記憶部34は、処理を行った被処理体のそれぞれに対して位置変更部32によって行われた載置位置情報を記憶する。この載置位置情報は、通信部31を介して解析装置12に送られる。

0066

なお、上記の例では、カセット保持部33に保持されているカセット内の被処理体の向きが位置変更部32によって変更された後に、該被処理体が処理部35に搬送される構成となっているが、処理部35内において被処理体の載置位置を変更することが可能な構成である場合には、位置変更部32は、処理部35内での載置位置変更を行う構成に相当することになる。また、被処理体がカセットに収められて搬送される構成ではなく、被処理体が1つずつ搬送される構成であってもよい。

0067

また、位置記憶部34が、処理装置13に設けられているのではなく、解析装置12側に設けられていてもよい。この場合、位置変更部32から出力される載置位置情報がLAN配線Lを介して解析装置12側の位置記憶部34に記憶されることになる。

0068

(検査装置の構成)
検査装置14は、通信部41、欠陥記憶部42、検査部43、カセット保持部44、および搬送部45を備えた構成となっている。通信部41は、LAN配線Lを介してホストコンピュータ11、および解析装置12と通信を行う通信インターフェースである。

0069

カセット保持部44は、搬送装置15によって搬送された、被処理体を複数含むカセットを保持する部材である。搬送部45は、カセット保持部44に保持されているカセットから被処理体を検査部43まで搬送する部材である。検査部43は、被処理体に生じている欠陥を検査するものである。

0070

欠陥記憶部42は、検査部43によって検査された被処理体のそれぞれに関する欠陥情報を記憶する。この欠陥情報は、通信部41を介して解析装置12に送られる。

0071

なお、欠陥記憶部42が、検査装置14に設けられているのではなく、解析装置12側に設けられていてもよい。この場合、検査部43から出力される欠陥情報がLAN配線Lを介して解析装置12側の欠陥記憶部42に記憶されることになる。

0072

(検査装置の具体例)
次に、検査装置14の具体例について説明する。図3は、検査装置14として外観検査装置を適用した場合の構成例を示している。同図に示すように、検査装置14は、コントロールBox51、および検査エリア52を備えている。コントロールBox51には、操作端末53が備えられており、オペレータはこの操作端末53を操作することによって検査処理を制御する。

0073

検査エリア52は、カセットステージとしてのカセット保持部44・44、搬送アームとしての搬送部45、および検査エリアとしての検査部43を備えている。カセット保持部44は、この例では、搬入側と搬出側とのそれぞれに1つずつ設けられている。被処理体としてのウエハ1は、カセット1Aに格納された状態で、まず搬入側のカセット保持部44に載置される。

0074

検査部43は、検査ステージ43Aと検査光源43Bとを備えている。搬送部45によって、ウエハ1が検査ステージ43A上に載置され、検査光源43Bから光が照射されることによってウエハ1上の画像が取得され、この画像情報に基づいて欠陥の検査が行われる。

0075

この外観検査装置としては、例えば、傾斜光暗視野、傾斜レーザー光垂直落照光、SEMAFMを用いた外観・形状観察または傾斜光暗視野、傾斜レーザー光、垂直落照光、SEM、AFMを用いた画像比較による異物・欠陥検査、および、二次電子X線による分析、などによって外観検査を行うものが挙げられる。

0076

図4は、検査装置14として電気的特性評価装置を適用した場合の構成例を示している。同図に示すように、検査装置14は、コントロールBox51、および検査エリア52を備えている。コントロールBox51には、操作端末53が備えられており、オペレータはこの操作端末53を操作することによって検査処理を制御する。

0077

検査エリア52は、カセットステージとしてのカセット保持部44・44、搬送アームとしての搬送部45、および検査エリアとしての検査部43を備えている。カセット保持部44は、この例では、搬入側と搬出側とのそれぞれに1つずつ設けられている。被処理体としてのウエハ1は、カセット1Aに格納された状態で、まず搬入側のカセット保持部44に載置される。

0078

検査部43は、検査ステージ43Aとプローブガード装着部43Cとを備えている。搬送部45によって、ウエハ1が検査ステージ43A上に載置され、プローブガード装着部43Cによってプローブガードがウエハ1に装着されることによってウエハ1の電気的特性が評価され、この電気的特性評価情報に基づいて欠陥の検査が行われる。

0079

(製造検査解析処理の流れ)
次に、上記製造検査解析システムにおける製造検査解析処理の流れについて、図5に示すフローチャートを参照しながら以下に説明する。

0080

まず、製造検査解析システムにおいて処理が行われるロットが選択される(ステップ31、以降、単にS31のように称する)。解析装置12では、選択されたロットを処理する上で必要とされる処理装置13…に関する情報が入力部26からオペレータによって入力され(S32)、この情報が位置変更設定部25に伝送される。位置変更設定部は、使用する処理装置13…の種類、工程順番などに基づいて、被処理体の載置位置変更処理を各処理装置13においてどのように設定するかを決定する(S33)。また、使用する処理装置13…の情報が解析装置12からホストコンピュータ11に伝送され、ホストコンピュータ11において登録される(S34)。その後、ホストコンピュータ11によって、解析装置12、処理装置13…、搬送装置15…、および検査装置14に対して、ロット生産開始指示が送られる(S35)。

0081

ロット生産が開始されると、まず位置変更設定部25において設定された、各処理装置13に対する載置位置変更処理に関する設定情報が、各処理装置13に対して通信部21によって送信される(S36)。各処理装置13では、通信部31がこの設定情報を受信すると、その情報が位置変更部32に伝送される。そして、位置変更部32は、受信した設定情報に基づいて、被処理体に対して載置位置変更処理を行う(S37)。その後、処理部35が、被処理体に対して当該処理装置13によって行われるべき処理を施すことによってロット処理が行われる(S38)。

0082

被処理体が必要とされる全ての処理装置13…における処理を順に施された後、検査装置14において欠陥検査が行われる(S39)。そして、検査装置14において検査された欠陥情報が、欠陥記憶部42に記憶されるとともに、通信部41を介して解析装置12に伝送される。解析装置12は、各処理装置13から受信した載置位置情報、および、検査装置14から受信した欠陥情報に基づいて、欠陥を発生させた処理装置13を特定するための解析を行う(S40)。その後、ロット生産の停止指示があるまで、S36からS40までの処理が繰り返し行われることになる。

0083

なお、上記のS36からS40の間の繰り返しの処理は、理想的には製造中常に行っておくことが好ましい。これにより、突発的な異常(欠陥)の発生も検出でき、被害を小さくすることができる。また、現実的には、一日に一度、各製造検査解析システムにおいて上記繰り返しの処理を実施してもよい。また、製品開発段階での実施において、試作品の全処理工程で実施することによって、開発期間を短縮することも可能である。

0084

また、処理装置13の定期メンテナンス修繕を行った際に上記繰り返しの処理を実施しておくと、立ち上げ後のモニター等では検出できなかった欠陥が顕在化されて数工程のちに検出できることもあるので有効である。

0085

(処理の実施例)
図6は、製造検査解析システムにおける処理の実施例の流れを示すフローチャートである。この実施例における処理では、ノッチが形成されている複数のウエハがカセット単位で順次製造検査解析システムへ搬入されて処理が行われるようになっている。なお、本実施例では、被処理体としてウエハを用いているが、このウエハは例えばガラス板または樹脂板などの平板形状の部材によって構成される。

0086

また、同図では、2つのウエハ(第1および第2のウエハ)についての処理の流れが示されており、また、2つの処理装置13・13(第1および第2の処理装置)によって2つの処理(第1および第2の処理)が行われ、これらの処理における検査結果に基づいて、欠陥発生の解析を行うようになっている。なお、3つ以上のウエハに対して、3つ以上の処理が行われ、これらに基づいて解析が行われるようになっていてもよい。

0087

(第1および第2の処理)
まず、図7(a)の左側に示すように、第1のウエハ1が、第1の処理(例えばCMP(chemical-mechanical polish))が行われる第1の処理装置13としてのCMP装置研磨チャンバー5に載置される。この載置が行われる前に、第1のウエハ1が格納されるカセット内において、第1の位置変更部32が該第1のウエハ1の向きを水平面内に回転させることによって変更する(S1)。そして、カセット内で向きが変更された第1のウエハ1が第1の搬送部36によって研磨チャンバー5に載置される。この際に、図7(a)の左側に示すように、第1のウエハ1におけるノッチ3が研磨チャンバー5におけるb−dの辺に最も近づくように、第1のウエハ1が載置される。

0088

そして、S2において、第1の処理が第1のウエハ1に対してCMP装置によって行われる。第1の処理が完了すると、第1のウエハ1が第1の搬送部36によってカセット内に戻される。また、第1の位置記憶部34が、S1において第1の位置変更部32によって変更された第1のウエハ1の向きを第1の位置として記憶する(S3)。これにより、第1の位置記憶部34は、第1のウエハ1に対して第1の処理が行われた際の載置位置、すなわち、研磨チャンバー5に対してどの向きで載置されたかを記憶することになる。

0089

続いて、第2のウエハ2が格納されるカセット内において、第1の位置変更部32が該第2のウエハ2の向きを水平面内に回転させることによって変更する(S11)。そして、カセット内で向きが変更された第2のウエハ2が第1の搬送部36によって研磨チャンバー5に載置される。この際に、図7(a)の右側に示すように、第2のウエハ2におけるノッチ3が研磨チャンバー5におけるc−dの辺に最も近づくように、第2のウエハ2が載置される。

0090

そして、S12において、第1の処理が第2のウエハ2に対してCMP装置によって行われる。第1の処理が完了すると、第2のウエハ2が第1の搬送部36によってカセット内に戻される。また、第1の位置記憶部34が、S11において第1の位置変更部32によって変更された第2のウエハ2の向きを第1の位置として記憶する(S13)。これにより、第1の位置記憶部32は、第2のウエハ2に対して第1の処理が行われる際の載置位置、すなわち、研磨チャンバー5に対してどの向きで載置されたかを記憶することになる。

0091

次に、図7(b)の左側に示すように、第1のウエハ1が、第2の処理(例えばドライエッチング)が行われる第2の処理装置13としてのドライエッチング装置エッチングチャンバー7に載置される。この載置が行われる前に、第1のウエハ1が格納されるカセット内において、第2の位置変更部32が該第1のウエハ1の向きを水平面内に回転させることによって変更する(S4)。そして、カセット内で向きが変更された第1のウエハ1が第2の搬送部36によってエッチングチャンバー7に載置される。この際に、図7(b)の左側に示すように、第1のウエハ1におけるノッチ3がエッチングチャンバー7におけるa’−b’の辺に最も近づくように、第1のウエハ1が載置される。

0092

そして、S5において、第2の処理が第1のウエハ1に対してドライエッチング装置によって行われる。第2の処理が完了すると、第1のウエハ1が第2の搬送部36によってカセット内に戻される。また、第2の位置記憶部34が、S4において第2の位置変更部32によって変更された第1のウエハ1の向きを第2の位置として記憶する(S6)。これにより、第2の位置記憶部34は、第1のウエハ1に対して第2の処理が行われる際の載置位置、すなわち、エッチングチャンバー7に対してどの向きで載置されたかを記憶することになる。

0093

続いて、第2のウエハ2が格納されるカセット内において、第2の位置変更部32が該第2のウエハ2の向きを水平面内に回転させることによって変更する(S14)。そして、カセット内で向きが変更された第2のウエハ2が第2の搬送部36によってエッチングチャンバー7に載置される。この際に、図7(b)の右側に示すように、第2のウエハ2は、第2のウエハ2におけるノッチ3がエッチングチャンバー7におけるa’−c’の辺に最も近づくように載置されるとともに、通常の載置位置から水平面内に所定の方向で所定の距離だけ平行移動させた位置に載置される。なお、図7(b)の右側において、破線1’は平行移動させない通常の載置位置を示している。

0094

そして、S15において、第2の処理が第2のウエハ2に対してドライエッチング装置によって行われる。第2の処理が完了すると、第2のウエハ2が第2の搬送部36によってカセット内に戻される。また、第2の位置記憶部34が、S14において第2の位置変更部32によって変更された第2のウエハ2の向き、および、第2搬送部によって平行移動された距離を第2の位置として記憶する(S16)。これにより、第2の位置記憶部34は、第2のウエハ2に対して第2の処理が行われる際の載置位置、すなわち、エッチングチャンバー7に対してどの向きでどの位置に載置されたかを記憶することになる。

0095

次に、S7およびS17において、第1のウエハ1および第2のウエハ2の欠陥検査(例えば垂直落照光を用いた画像比較による異物・欠陥検出)が検査装置14によって行われる。この欠陥検査結果の例を図7(c)に示す。なお、図7(c)の左側が第1のウエハ1の欠陥検査結果を示し、図7(c)の右側が第2のウエハ2の欠陥検査結果を示している。

0096

そして、S8およびS18において、欠陥記憶部42が、S7およびS17において行われた欠陥検査結果における欠陥の特徴を記憶する。ここでの特徴とは、欠陥に関して、ウエハ上の基準点(例えばノッチ)を基準とした位置座標、分布、形状、サイズ、組成個数密度などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。図7(c)に示す例では、スクラッチ10A・10B、および異物11A・11Bが検出されており、これらに関して上記の特徴が欠陥記憶部42に記憶される。

0097

(解析処理)
次に、S19において、第1の位置記憶部34、第2の位置記憶部34、および欠陥記憶部42に記憶されている情報に基づいて、解析処理部23が解析を行う。具体的には、まず第1のウエハ1に関して、欠陥記憶部42に記憶されている欠陥の発生位置情報としての特徴(たとえばスクラッチ10Aおよび異物11Aの分布)と、第1の処理および第2の処理において第1の位置記憶部34および第2の位置記憶部34に記憶された載置位置との相対位置関係が解析される。

0098

第1のウエハ1における欠陥の特徴と、第1の処理における第1のウエハ1の載置位置との関係は、図8(a)の左側のようになり、第1のウエハ1における欠陥の特徴と、第2の処理における第1のウエハ1の載置位置との関係は、図8(a)の右側のようになる。この結果が相対位置記憶部22に記憶される。

0099

同様に、第2のウエハ2における欠陥の特徴と、第1の処理における第2のウエハ2の載置位置との関係は、図8(b)の左側のようになり、第2のウエハ2における欠陥の特徴と、第2の処理における第2のウエハ2の載置位置との関係は、図8(b)の右側のようになる。この結果が相対位置記憶部22に記憶される。

0100

次に、この相対位置記憶部22に記憶された相対位置に関する情報に基づいて、第1の処理における第1のウエハ1の載置位置、および第2のウエハ2の載置位置が認識される。この結果を図8(c)に示す。

0101

同図において、第1のウエハ1のスクラッチ10Aは、a−bの辺側のウエハエッジからウエハ中心部にかけて生じている(ノッチはb−dの辺側)。また、第2のウエハ2のスクラッチ10Bも、a−bの辺側のウエハエッジからウエハ中心部にかけて生じている(ノッチはc−dの辺側)。

0102

一方、第1のウエハ1の異物11Aの分布は弧の字型でウエハ中心部に近い位置でa−cの辺寄りに分布している。また、第2のウエハ2の異物11Bの分布は同様に弧の字型であるがウエハ中心から遠くb−dの辺側のエッジ近くに分布している。

0103

これらの結果より、第1の処理において、第1のウエハ1および第2のウエハ2上の欠陥の中で、処理装置13に対する欠陥の相対的な位置が一致しているのはスクラッチ10Aおよび10Bであり、この欠陥は、第1の処理において生じたと断定することができる。

0104

次に、第2の処理における第1のウエハ1の載置位置、および第2のウエハ2の載置位置が認識される。この結果を図8(d)に示す。

0105

同図において、第1のウエハ1のスクラッチ10Aはa’−c’の辺側のウエハエッジからウエハ中心部にかけて生じている(ノッチはa’−b’の辺側)。また、第2のウエハ2のスクラッチ10Bはb’−d’の辺側のウエハエッジからウエハ中心部にかけて生じている(ノッチはa’−c’の辺側)。

0106

一方、第1のウエハ1の異物11Aと第2のウエハ2の異物11Bとは、エッチングチャンバー7に対して相対的に同じ位置で分布する。この結果より、異物11A,11Bは、第2の処理装置で生じたと断定することができる。

0107

以上のような解析処理部23による解析処理により、ウエハ上に生じている欠陥がどの処理で生じたものであるかを認識することが可能となる。そしてこの解析結果に基づいて、欠陥が生じたと判断された処理に対応する処理装置13に対して改善対策を施すことになる。

0108

なお、上記の例では、各処理装置13における欠陥と載置位置との関係に基づいて解析のアプローチを行ったが、各欠陥に基づいて解析のアプローチを行っても良い。例えば、スクラッチ10A,10Bについて解析を行えば次のようになる。

0109

欠陥の特徴からスクラッチ10A,10Bが同じ原因で形成されたと推定された場合、まず、第1のウエハ1のスクラッチ10Aと第2のウエハ2のスクラッチ10Bを重ね合わせる。ここで、スクラッチからウエハ中心に対する線を基準0°とすると、第1のウエハ1のノッチ3は時計回りに略270°の位置に存在する。一方、第2のウエハ2のノッチ3は時計回りに略180°の位置に存在する。第1のウエハ1および第2のウエハ2のノッチ3の位置がこの角度を持った関係になるのは第1の処理に他ならず、第2の処理ではノッチ位置の関係が成り立たないことがわかる。また、言うまでもないが、ノッチ位置を重ねて欠陥の発生角度に基づいて欠陥が生じた処理装置を特定することも可能である。

0110

以上の解析処理において、第1の処理での各ウエハ1の載置位置の組合せと第2の処理での各ウエハ1の載置位置の組合せとが同じになっている場合には、欠陥を生じさせた処理装置13の特定が困難になる。よって、各ウエハ1の載置位置の組合せは、理想的には一連の製造・作成工程内での各処理装置13間で全て互いに異なるように設定する方が好ましい。

0111

また、3つ以上のウエハ1を同様に用い、水平面内での回転角度および平行移動も細かく変更(例えば1°刻み,10°刻みでの回転、および1mm刻み,1cm刻みでの水平移動)してもよい。この場合、位置の組合せは多くできるが、基準位置に対する欠陥位置の変化がわずかとなり、欠陥要因となる処理装置13の特定は困難になる。

0112

例えば製造装置を1000台程度設置している中規模工場で上記の解析処理を行う場合、位置変更による特徴付けも1000種類必要である。処理装置13を起因とする欠陥は毎回同じ位置に正確に発生する訳ではなく、多少のずれがある。すなわち、マクロ的に観て同じような位置に欠陥が発生することになる。したがって、処理装置13毎の位置変更のずれがわずかであると、欠陥発生位置のずれに埋もれてしまい解析ができないことになる。よって、載置位置変更処理の位置変更量をある程度大きくする必要がある。そこで、単位とするウエハ1の枚数を大きくし、その位置変更の組合せを増大させる方法が考えられる。

0113

現実的には、例えば25枚のウエハ1…を1つの単位とし、そのうち3枚のウエハ1…の水平面内回転によりノッチ3の向きを基準0°に対して例えば30°,120°,255°のいずれかに設定し、他を基準0°とすれば、10000通り以上の組合せとなる。

0114

具体的に説明すると、まず、カセット内のスロット1から25にウエハ1を入れ、ノッチ3を一方向に揃える。このノッチ3の向きを基準として(0°とする)、第1の処理ではスロット1のノッチ3の向きをα°、スロット2のノッチ3の向きをβ°、スロット3のノッチ3の向きをθ°ずらす。その他のスロット4−25をずらさずに0°として処理を行う。次に第2の処理ではスロット1のノッチ3の向きをβ°スロット2のノッチ3の向きを0°、スロット3のノッチ3の向きをα°、スロット4のノッチ3の向きをθ°、スロット5以降のノッチ3の向きを0°として処理する。このように25枚のウエハ1…がスロット等で識別できる場合は、1個のα、1個のβ、1個のθ、22個の0の順列になるため、25P1×24P1×23P1×22C22=25×24×23×1=13800通りの位置変更の組合せを作ることができる。この程度の位置変更の組合せの数があれば、いわゆるメガファブと呼ばれる大規模製造システムでも充分に対応可能である。

0115

ここで、ノッチ3の向きの設定角度について説明する。図26における(a1)および(a2)は、第1の処理および第2の処理において、ノッチ3の向きを0°および180°で変更した組合せとした場合を示している。また、同図における(a3)は、検査装置14での欠陥検出の状態を示し、同図における(a4)は、欠陥の要因を解析する状態を示している。このように、ノッチ3の向きを0°および180°で変更した組合せとした場合、生じている欠陥が第1の処理で生じたのか第2の処理で生じたのかを判別することができないことが考えられる。

0116

一方、図26における(b1)は、第1の処理において、ノッチ3の向きを0°および180°で変更した組合せとし、第2の処理において、ノッチ3の向きを0°および135°で変更した組合せとした場合を示している。また、同図における(b3)は、検査装置14での欠陥検出の状態を示し、同図における(b4)は、欠陥の要因を解析する状態を示している。このように、ノッチ3の向きを設定すれば、生じている欠陥が第1の処理で生じたのか第2の処理で生じたのかを的確に判別することができる。

0117

すなわち、ノッチ3の向きの設定角度は、(1)被処理体の中心点に対して、点対称とならない角度設定を含むこと、(2)それぞれの設定角度同士がおりなす角度(差角)が、同一とならない設定角度を含むこと、(3)上記(1)(2)のどちらか、またはその組合せであること、が必要とされる。

0118

上記の実施例では、欠陥を検査する対象、すなわち被処理体として、ノッチを具備する半導体ウエハを用いる例について説明したが、これに限られたものではなく、オリフラを具備する、またはその他の基準位置(位置合わせ用に付したマークや製品の回路パターンそのものを基準とするなど)を具備する半導体ウエハであってもよい。また平面板であればシリコン化合物窒化物半導体のみならず、例えば液晶画面ディスプレーなどに使用されるようなガラス板、太陽電池・ディスプレー・照明などに使用される樹脂板などであってもよく、欠陥を検査する対象の材質、形は任意である。さらに、形状は平面板でなくとも球体などの立体的構造であってもよい。処理に対する相対的な位置の変更に関しては、カセットに載置されていたウエハを先に全て位置変更させた後に処理を行っても構わない。また、カセット単位でなくとも被処理体個々に搬送されても良く、この場合は、ある処理装置13におけるある時点での処理を第1のウエハ1、次に処理されたものを第2のウエハ2とみなしてもよい。また、各処理におけるウエハ1の載置位置を記憶する工程は、該当処理の前に行われてもよい。また、上記の例では、処理としてCMPおよびドライエッチングが行われるようになっているが、これらに限定されるものではなく、その他の製造処理工程であってもよい。

0119

(水平面内平行移動の詳細)
上記の実施例において、第2のウエハ2に対して第2の処理を行う際に、ウエハ1を回転させてノッチ3の向きを変えるだけでなく、ウエハ1の水平面内の平行移動も行われている。これは、ウエハ中心に対して同心円状(ドーナツ状)に欠陥が発生する場合にも対応することを可能とすることを目的としている。

0120

図25(a)は、処理部35としてのチャンバー8に対してノーマル位置にウエハ1が載置された場合に、同心円状の欠陥が生じた状態を示している。また、図25(b)は、チャンバー8に対してノーマル位置から90°回転させた状態でウエハ1が載置された場合に、同心円状の欠陥が生じた状態を示している。この2つの状態のウエハ1を検査し、欠陥解析を行った場合、ノッチ3位置に対する欠陥の状態が両者で変化がないことになるので、欠陥発生要因となる処理装置13を特定することができない。

0121

これに対して、図25(c)は、チャンバー8に対してノーマル位置から水平面内平行移動させた状態でウエハ1が載置された場合に、同心円状の欠陥が生じた状態を示している。この場合、例えばノーマル位置の状態と比較すれば、ノッチ3位置に対する欠陥の状態が両者で異なることになるので、欠陥発生要因となる処理装置13を特定することが可能となる。すなわち、欠陥が同心円状に発生するのか、そうでないのか不明な場合、水平面内平行移動も含めて載置位置変更処理を行うことが好ましいことになる。

0122

なお、ウエハの表・裏を変更させる相対的位置変更を行うことによって、ウエハ1中心から同心円状に異物・欠陥が発生する場合に対応してもよい。

0123

ここで、同心円状に欠陥が発生する工程について説明する。例えばホットウォールバッチ装置成膜する場合、ウエハ1の周縁部分はヒーターに近く、中心部分はヒーターから遠くなる。この距離の差でウエハ周縁温度は高く、中心温度は低くなることがある。一般に温度が高いと成膜レートが速く、温度が低いと成膜レートは遅くなるためウエハ1上の膜厚は周縁で厚く、中心で薄くなる。3−10nm程度の厚さのゲート絶縁膜を例に取ると、膜厚が薄いと絶縁破壊を起こしやすくなるため、中心部分はNGとなる可能性がある。

0124

ここで、装置に対してウエハ1が通常の位置から水平にずれた位置にあればヒーターからの距離が変わり、膜厚も変わってくることになる(なお、膜厚自体が即、OK/NGの判定材料となる場合はこの時点で解析すれば良い)。後の電気的特性の測定でNG部分が作る円に偏りが生じた場合は、位置の解析によって該当装置を推定することができる。

0125

また、枚葉式成膜装置原料ガスをウエハ上のシャワーヘッドから供給する場合において、メンテナンスの不行き届きでシャワーヘッドの一部にダスト発生源があったとする。膜の均一性を向上するためウエハ1(処理ステージ)を回転させながら成膜することがあるが、この場合は回転中心から等距離にダストが発生する。ウエハ1の位置をずらせばダストの作る円の中心がウエハ1の中心からずれることになる。この特徴から該当処理装置13を推定することができる。

0126

(ウエハの識別方法
欠陥の解析を行う際には、各処理装置13において位置記憶部34に記憶された載置位置情報、および、検査装置14において欠陥記憶部42に記憶された欠陥情報と、処理が行われた各ウエハ1との対応づけを的確にする必要がある。ウエハ1は、カセットに格納された状態で処理装置13間を移動するため、そのカセットのカセット番号(ロット番号)とカセットのスロット(溝)番号とを記録することによって、対象ウエハ1を特定することができる。例えばある処理において、151番のカセットにおける5スロット目のウエハ1を30°回転、その他1−4、6−25スロット目のウエハ1…を0°回転させたというような載置位置情報を記録すればよい。

0127

また、カセットを使用せずに、ウエハ1が一枚ずつ搬送される場合には、ウエハ1毎の認識が必要になり、ウエハ1にバーコードなどを付ける方法などが考えられる。このような場合、例えば第1の処理装置13でウエハコード1番のウエハ1を30°回転、その他のウエハ1を0°回転として処理を行い、第2の処理装置13では50番のウエハ1を30°回転、その他のウエハ1を0°回転として処理を行う、といった処理を行えばよい。このような処理の場合、欠陥が50番のウエハ1だけ30°ずれた位置に発生した場合には、第2の処理装置13が欠陥発生源と推定することができる。

0128

処理装置13が多数存在し、それぞれで解析を行う場合は、複数のウエハ1…をひとつの単位として扱う必要がある。この場合、処理装置13ごとに時系列でどのウエハ1を処理したか記憶させる必要がある。これにより、あたかも複数枚のウエハ1…が1つのカセット(ロット)に存在するように扱うことができる。

0129

また、各ウエハ1をオペレータが目視確認して対応づけを行ってもよい。

0130

各処理装置13における位置記憶部34に記憶され、解析装置12に対して送信される情報としては、カセット番号(ID)、スロット番号(ID)、処理装置番号(ID)、各処理装置13でのウエハ1の処理順序、および、各ウエハ1の各処理に対する相対的位置、などが挙げられる。また、検査装置14における欠陥記憶部42に記憶され、解析装置12に対して送信される情報としては、カセット番号(ID)、スロット番号(ID)、検査装置番号(ID)、各ウエハ1の欠陥位置、各ウエハ1の欠陥個数、各ウエハ1の欠陥分布、各ウエハ1の欠陥密度、各ウエハ1の欠陥形状、各ウエハ1の欠陥サイズ、各ウエハ1の欠陥の構成元素および組成、各ウエハ1の欠陥の色、および、各ウエハ1の欠陥が凹であるか凸であるか、などが挙げられる。

0131

(位置変更例1)
図9は、位置変更部32がウエハ1を水平面内で回転させることによってノッチ3の位置を変更し、該ウエハ1が処理部35に載置される状態を示している。この位置変更部32を用いてノッチ3の位置をウエハ1毎に任意に変更することによって、ウエハ1の処理部35における載置位置の変更が行われる。例えば、ウエハ1に対する処理が行われる前に、カセット1Aに載置されウエハ1が位置変更部32に具備されたテーブルやピンステッピングモータタイミングベルト、および歯車などの駆動手段によってウエハ1を水平面内の回転および線移動させ、同時に光学センサーなどでウエハ1の中心およびノッチ3の位置が検出される。次に、同様に駆動手段によりウエハ1を水平面内の回転および線移動させることによって、認識されたノッチ3の位置および向きを任意に変更する。その後、搬送部36によってウエハ1が処理部35へ搬送され、処理が行われる。

0132

なお、ドライエッチング時にオリフラの向きを変更する手法に関しては、例えば特開平1−44038号公報に、円錐回転体を用いてカセット内のウエハのオリフラ位置を変更する構成が開示されている(図30参照)。しかしながら、この方法ではカセット内のウエハ全てが一様に位置変更されてしまい、例えばカセット内の任意のウエハのみを任意の向きに回転させることができない。すなわち、特開平1−44038号公報に開示されている構成では、本実施形態のように、ウエハごとに載置位置を変更することによって欠陥発生処理装置を特定することは不可能である。その他、様々なノッチ・オリフラ合わせの手法が開示されているが、全て同一方向にノッチ・オリフラを揃えるものであり、本実施形態のように、カセット内の任意のウエハのみを任意の向きに回転させるという技術思想については、一切開示されていない。

0133

(位置変更例2)
生産性を考慮した場合、ウエハ1の載置位置変更に要する時間を短縮することが好ましい。この場合、図10に示すように、1つ前の処理装置13が有するノッチ合わせ機能を利用する構成としてもよい。例えば全てのウエハに対して処理が必須ではない線幅測定などの工程において、カセットに含まれるウエハ1…のうち、例えば1枚目のみに対して測定や検査が行われることがある。この場合、再度全てのウエハ1のノッチ合わせを行わない限り、1枚目のウエハ1のみノッチ3位置が変更された状態となる。このノッチ3位置を保持したまま次の処理装置に各ウエハ1が搬送されて処理が行われれば、ウエハ1の載置位置変更処理をさらに行うことなく、本実施形態における載置位置変更処理を実現することができる。

0134

例えば、膜厚測定装置は、被処理体に成膜処理(例えば酸化)を施した後、所望の膜厚が形成されたかどうかを測定する。また、膜厚測定装置は、エッチング処理を施した後、エッチングによって膜が除去されているかどうかを測定する。

0135

膜厚測定は全ウエハ1…で行われることは希であり、大抵は代表して1,2枚のウエハ1のみが測定される。これは、完成度の高い製造プロセスでは代表ウエハの測定のみで充分であるからである。自動測定の場合は予め決めておいたウエハ1上のパターンで行うため、アライメントが行われるが、測定ポイント探すために、ラフなアライメントから徐々にファインアライメントへと移行する。具体的には次のとおりである。

0136

まず、ノッチ検出器でノッチ3が検出され、またウエハ1の中心出しが行われる。次にノッチ3を所望の向きに向けて(ラフアライメント1)測定器内へウエハ1を搬送する。ここで、ウエハ1に形成されているパターンは微細なので、測定器内顕微鏡を低倍率にした状態で測定ポイントにウエハ1のアライメントを行う(ラフアライメント2)。ここで、まず座標を指定してラフに測定ポイント付近顕微鏡像を得る。測定ポイントは予め測定器に画像として覚えさせているため、覚えているパターンと一致しているかどうかを確認し、ずれがある場合は周辺を移動しながら測定ポイントを自動で探し出す。

0137

その後、顕微鏡を高倍率に変更して所望の測定ポイントに合わせ(ファインアライメント)、膜厚測定を行う。ここでも高倍率での測定パターンを画像として覚えさせているため、映し出された像が所望のパターンからずれていれば周辺を移動しながら所望のパターンを自動で探し出す。

0138

以上のような一連の処理によって測定を行ったウエハ1は、測定後に決まったノッチ向きになる。

0139

そして、測定後のノッチ3の向きが他の測定を行わないウエハ1のノッチ3の向きとずれるようにしておき、その向きを記憶させておけば、わざわざノッチ位置合わせの処理を行わずとも、製造処理工程の中で相対的な位置変更を行うことができる。ノッチ3の向きを変えるだけでも数分の時間が必要となるので、製造時間を短縮するためには、このようにアライメントを伴う工程を利用して載置位置変更処理を行うことが望ましい。

0140

なお、線幅測定装置においても、同様の流れでアライメントが行われ、所望のパターン(例えばエッチング後のライン線幅・フォト後のレジスト線幅)の測定が行われるので、上記と同様の適用が可能である。

0141

(位置変更例3)
図11は、ノッチ合わせ機能を具備した処理部35による位置変更処理の例を示している。例えばドライエッチング装置は、通常ノッチ3の向きを一方向に揃えるノッチ合わせ機能を具備している。このノッチ合わせ機能を利用することによって、本実施形態における載置位置変更処理を実現することができる。

0142

例えば、ノッチの向きを一方向に揃えた後、タイミングベルトやステッピングモーターで任意のウエハのノッチ位置を任意に変更する。この場合、装置のシステム設定処理レシピ中でウエハ毎にノッチの位置を設定できるか、解析装置からの命令でノッチの向きを任意に変更できることが望ましい。

0143

(位置変更例4)
図12は、処理部35の処理室内に備えられるウエハステージ35A自身を回転させることによって、該ウエハステージ35A上に載置されたウエハ1のノッチ3の位置を変更する処理部35の例を示している。例えばフォトレジスト塗布器などにおいて、レジスト吐出前にウエハステージ35Aを任意に回転させることによってノッチ3位置を所望の位置に変更させる。その後、レジストの吐出を開始し、膜厚調整のためにウエハステージ35Aを回転させる。この構成によれば、レジスト吐出時の異常(ダストの付着など)が生じた場合、ウエハ1のノッチ3の位置に対して、異常による欠陥の発生箇所がそれぞれ異なることになる。すなわち、このような構成によっても、本実施形態における載置位置変更処理を実現することができる。同様の手法は、フォトレジスト塗布器に限らず、ウエハステージを回転させる機能を有する処理装置であれば適用可能である。

0144

(位置変更例5)
図13は、処理装置13…同士の配置レイアウト搬送経路を工夫することによって、ノッチ合わせ機能を具備した装置を設けなくてもノッチ位置変更を意図的に行うことが可能な構成の例を示している。同図に示す例では、互いに同じ処理機能を有する処理装置13・13’が設けられており、ウエハ1は、処理装置13または処理装置13’によって処理が行われるようになっている。すなわち、処理装置13で処理が行われる際には、ウエハ1は図中の矢印1、2、3、4の順番で処理が行われ、処理装置13’で処理が行われる際には、ウエハ1は図中の矢印1、5、6、7、8の順番で処理が行われる。

0145

この場合、処理装置13ではノッチ3の位置がc方向であるのに対し、処理装置13’では、ノッチ3の位置がc方向から45°回転した位置となる。すなわち、この例では、処理装置13…同士の配置レイアウトや搬送経路によって、載置位置を変更する位置変更部32が実現されることになる。

0146

この例では、処理装置13・13’では、カセットを用いない枚葉処理が行われる場合が想定されている。しかしながら、カセットを用いる場合でも、測定処理のような全数処理でない場合や、開発段階であるウエハ1のみ特殊な処理を施す場合には、このような装置配置で相対的位置変更が可能となる。

0147

(位置変更例6)
図14は、処理装置13内でのウエハ1の受け渡し方法を工夫することによって、ノッチ合わせ機能を具備した装置を設けなくてもノッチ位置変更を意図的に行うことが可能な構成の例を示している。処理部35としての枚葉チャンバー8が複数具備された処理装置13において、各チャンバー8に対して、それぞれ異なる方向からウエハ1が搬送部36によって搬送されるようになっている。同図に示す例では、第1のチャンバー8に対しては図中c方向からウエハ1が搬送され、第2のチャンバー8に対しては図中b方向からウエハ1が搬送される。これにより、ウエハ1のノッチ3の位置が各チャンバーで相対的に変更された状態となる。

0148

仮に第1および第2のチャンバー8の構造が、a方向に欠陥DFを発生させやすいものとなっているとすると、第1のチャンバー8で処理されたウエハ1はノッチ3から時計方向に180°の位置に、第2のチャンバー8で処理されたウエハ1はノッチ3から時計方向に90°の位置に欠陥DFが発生する。この事例は、欠陥DFの発生位置とノッチ3の位置との関係がウエハ1毎に固有となるので、本実施形態における載置位置変更処理を実現することができる。すなわち、この例では、各チャンバー8の配置レイアウトおよび搬送部36による各チャンバー8への被処理体の搬入方向を適宜設定することによって、載置位置を変更する位置変更部32が実現されることになる。

0149

(位置変更例7)
図15は、被処理体としてのウエハ1に対して処理装置13自体の一部を相対的に変更することによって、ノッチ合わせ機能を具備した装置を設けなくてもノッチ位置変更を意図的に行うことが可能な構成の例を示している。

0150

この例における処理装置13は、複数のチャンバー8を備えた構成となっている。各チャンバー8において、ウエハ1が搬入・搬出される搬送口がチャンバー8における一方の辺(同図に示す例では、b−cの辺)側で固定となっている。また、各チャンバーにおいて、排気ポート9が、それぞれ異なる辺側に配置されている。同図に示す例では、第1〜第3のチャンバー8において、それぞれa−dの辺側、d−cの辺側、およびb−aの辺側に排気ポート9が設けられている。

0151

このような構成によれば、各チャンバー8に搬送されるウエハ1におけるノッチ3の排気ポート9に対する相対位置が、それぞれ互いに異なることになる。例えば排気ポート9近辺で異物が発生しやすいチャンバーで8あった場合、ウエハ1に付着した異物としての欠陥DFとノッチ3位置との位置関係がウエハ1毎に固有となるので、本実施形態における載置位置変更処理を実現することができる。すなわち、この例では、各チャンバー8自体の構成レイアウト、各チャンバー8同士の配置レイアウト、および搬送部36による各チャンバー8への被処理体の搬入方向を適宜設定することによって、載置位置を変更する位置変更部32が実現されることになる。

0152

なお、処理装置13に1つのチャンバー8しかない場合には、次のように処理を行ってもよい。まず、予め問題となりそうな要因項目ピックアップしておく。例えば、チャンバー8にはガス導入口がノッチ3に対して90°の位置にあり、排気口はノッチ3に対して180°の位置にある、などの情報をピックアップしておく。その後、検査装置14によって、ノッチ3に対して90°の位置に異物が発生したことが検出された場合、この処理装置13のガス導入口で異物発生がした可能性がある、と推定することができる。すなわち、相対的位置変更できない処理工程のみ「変更無しの群」とし、上記のような要因項目に基づいて解析処理を行うことも可能である。

0153

(位置変更例8)
図16は、枚葉装置としての複数の処理装置13を含む処理装置群61を複数設定し、各処理装置群61に対して、ウエハ1の載置位置変更処理の順番を、各処理装置群61で互いに異なるように設定する構成の例を示している。すなわち、ウエハ1…が処理される順番を所定の枚数で区切り、各区切りを1つの処理グループとみなし、各処理グループにおける各ウエハ1の載置位置の順番が、各処理装置群61で互いに異なるように設定するこれにより、欠陥が生じた処理装置群61を特定することが可能となる。なお、枚葉装置とは、ウエハ1を1枚ずつ処理するタイプの処理装置である。

0154

同図に示す例では、第1の処理装置群61においては、1枚目のウエハ1に対しては、図中下方向にノッチ3を配し、2枚目のウエハ1に対しては、図中右下方向にノッチ3を配し、3枚目のウエハ1に対しては、図中左方向にノッチ3を配し、4枚目のウエハ1に対しては、図中左下方向にノッチ3を配する。この4枚のウエハ1…が1つの処理グループを形成することになる。以降、5枚目以降も同様に繰り返し、4枚ごとに1つの処理グループを形成する。

0155

同様に、第2の処理装置群61においては、1枚目のウエハ1に対しては、図中下方向にノッチ3を配し、2枚目のウエハ1に対しては、図中左下方向にノッチ3を配し、3枚目のウエハ1に対しては、図中左方向にノッチ3を配し、4枚目のウエハ1に対しては、図中右下方向にノッチ3を配する。これにより、各処理グループにおける各ウエハ1の載置位置の順番が、第1の処理装置群61および第2の処理装置群61で互いに異なることになる。例えば、ある欠陥DFが発生した場合、各処理グループにおける欠陥DFの発生位置の変遷を考慮することによって、どの処理装置群61で発生した欠陥であるか(図の例では、第2の処理装置群61で発生した)を同定することができる。

0156

ここで、処理装置13の個々に対して固有のノッチ3位置を設定すれば、欠陥が発生した処理装置13自体を特定することができるが、この例のように、例えば同一仕様の処理装置13を処理装置群61としてまとめて、同じ載置位置の組合せで処理しても良い。

0157

欠陥の発生を処理装置群61で同定することの利点としては、全てのウエハ1…に欠陥が発生しなかった場合でも、その処理装置群61特有の欠陥は同じ処理装置群61の他の処理でその欠陥データを補うことができる点が挙げられる。詳しく説明すると、実際にウエハ1などの製造を行う際に、処理装置特有の欠陥が出たり出なかったりすることがある。例えば図16に示す例において、処理装置群61内の1つの処理装置13で3枚目に欠陥が発生しなかった場合、原因装置の推定の確度が下がることになる。また、例えば同じ処理装置群61の他の処理装置13では2枚目と4枚目で欠陥が発生しなかった場合にも推定の確度はさらに下がることになる。ここで、このような特徴が不完全に発生している欠陥を同一処理装置群で発生したと仮定し、1枚目同士、2枚目同士、3枚目同士…と欠陥の発生位置を重ねて行くことによって、あたかも1〜4枚目全てに欠陥が発生しているように見え、原因装置推定の確度を増大させることが可能となる。ここで、同一処理装置群特有の欠陥発生位置はほぼ重なるが、他の処理装置群で発生した欠陥発生位置は重ならない。したがって、欠陥発生位置が重ならなかったものは除外し、別の処理装置群による欠陥と仮定して重ねて行けばよい。なお、この手法は1つの処理装置で実施することも可能であり、その場合は同一装置の処理グループの欠陥データの1枚目同士、2枚目同士、…を重ねて推定すればよい。

0158

また、処理装置群61として欠陥の発生を認識するので、欠陥を出した処理装置13にとどまらず、同じ処理装置群61に含まれる全ての処理装置13に対して、欠陥抑制のための対策をフィードバックする意識をもたせることができるという利点もある。

0159

(位置変更例9)
図17は、枚葉装置としての処理装置13におけるウエハ1の載置位置変更処理の順番を、処理が行われる時間によって互いに異なるように設定する構成の例を示している。すなわち、ウエハ1…が処理される順番を所定の枚数で区切り、各区切りを1つの処理グループとみなし、各処理グループにおける各ウエハ1の載置位置の順番が、各時間で互いに異なるように設定する。これにより、欠陥が生じた時間帯を特定することが可能となる。

0160

同図に示す例では、第1の時間帯t1においては、1枚目のウエハ1に対しては、図中下方向にノッチ3を配し、2枚目のウエハ1に対しては、図中右下方向にノッチ3を配し、3枚目のウエハ1に対しては、図中左方向にノッチ3を配し、4枚目のウエハ1に対しては、図中左下方向にノッチ3を配する。この4枚のウエハ1…が1つの処理グループを形成することになる。以降、5枚目以降も同様に繰り返し、4枚ごとに1つの処理グループを形成する。
同様に、第2の時間帯t2においては、1枚目のウエハ1に対しては、図中左下方向にノッチ3を配し、2枚目のウエハ1に対しては、図中下方向にノッチ3を配し、3枚目のウエハ1に対しては、図中右下方向にノッチ3を配し、4枚目のウエハ1に対しては、図中左方向にノッチ3を配する。これにより、各処理グループにおける各ウエハ1の載置位置の順番が、第1の時間帯t1および第2の時間帯t2で互いに異なることになる。例えば、ある欠陥DFが発生した場合、各処理グループにおける欠陥DFの発生位置の変遷を考慮することによって、どの時間帯で発生した欠陥であるか(図の例では、第1の時間帯t1で発生した)を同定することができる。よって、その処理装置13でのメンテナンス時間、およびトラブル発生時間などのイベントと欠陥発生時間との相関を取ることが可能となる。

0161

(位置変更例10)
図18は、バッチ装置としての複数の処理装置13を含む処理装置群61を複数設定し、各処理装置群61に対して、カセット1A内におけるウエハ1の載置位置の組合せを、各処理装置群61で互いに異なるように設定する構成の例を示している。これにより、欠陥が生じた処理装置群61を特定することが可能となる。なお、バッチ装置とは、複数のウエハ1…をまとめて処理するタイプの処理装置である。

0162

同図に示す例では、第1の処理装置群61においては、1枚目のウエハ1に対しては、図中左下方向にノッチ3を配し、2枚目のウエハ1に対しては、図中下方向にノッチ3を配し、3枚目のウエハ1に対しては、図中右下方向にノッチ3を配しており、以降、Z枚目までノッチ3の向きを設定する。同様に、第2の処理装置群61においては、1枚目のウエハ1に対しては、図中下方向にノッチ3を配し、2枚目のウエハ1に対しては、図中右下方向にノッチ3を配し、3枚目のウエハ1に対しては、図中左方向にノッチ3を配しており、以降、Z枚目までノッチ3の向きを設定する。これにより、カセット1A内での各ウエハ1の載置位置の順番が、第1の処理装置群61および第2の処理装置群61で互いに異なることになる。例えば、ある欠陥DFが発生した場合、各カセット1A内での欠陥DFの発生位置の順番を考慮することによって、どの処理装置群61で発生した欠陥であるか(図の例では、第1の処理装置群61で発生した)を同定することができる。

0163

ここで、処理装置13の個々に対して固有のノッチ3位置を設定すれば、欠陥が発生した処理装置13自体を特定することができるが、この例のように、例えば同一仕様の処理装置13を処理装置群61としてまとめて、同じ載置位置の組合せで処理しても良い。

0164

欠陥の発生を処理装置群61で同定することの利点としては、位置変更例8において説明した内容と同じであるので、ここではその説明を省略する。

0165

なお、枚葉装置の場合と同様に、例えば縦型炉ではTOPから1枚目のノッチ位置をバッチ毎に変更しても良い。しかしながら、複数枚のウエハ1…が同時に処理されることを利用して、上記のように、カセット1A内の複数ウエハ1…のノッチ3位置をそれぞれ任意に変更することによって、1つのバッチで本実施形態における載置位置変更処理を実現することができる。

0166

(位置変更例11)
図19は、バッチ装置としての処理装置13において、カセット1A内におけるウエハ1の載置位置の組合せを、処理が行われる時間によって互いに異なるように設定する構成の例を示している。これにより、欠陥が生じた時間帯を特定することが可能となる。

0167

同図に示す例では、第1の時間帯t1においては、1枚目のウエハ1に対しては、図中左下方向にノッチ3を配し、2枚目のウエハ1に対しては、図中下方向にノッチ3を配し、3枚目のウエハ1に対しては、図中右下方向にノッチ3を配しており、以降、Z枚目までノッチ3の向きを設定する。
同様に、第2の時間帯t2においては、1枚目のウエハ1に対しては、図中下方向にノッチ3を配し、2枚目のウエハ1に対しては、図中右下方向にノッチ3を配し、3枚目のウエハ1に対しては、図中左方向にノッチ3を配しており、以降、Z枚目までノッチ3の向きを設定する。これにより、スロット内での各ウエハ1の載置位置の順番が、第1の時間帯t1および第2の時間帯t2で互いに異なることになる。例えば、ある欠陥DFが発生した場合、各カセット1A内での欠陥DFの発生位置の順番を考慮することによって、どの時間帯で発生した欠陥であるか(図の例では、第2の時間帯t2で発生した)を同定することができる。よって、その処理装置13でのメンテナンス時間、およびトラブル発生時間などのイベントと欠陥発生時間との相関を取ることが可能となる。

0168

(位置変更例12)
図20(a)および図20(b)は、被処理体が球体71である場合に対する適用例を示している。被処理体が球体71である場合でも、該球体71に基準位置73を設け、処理装置13毎に基準位置73を変更することによって(同図に示す例では、(a)の場合と(b)の場合)、本実施形態における載置位置変更処理を実現することができる。すなわち、被処理体が球体71である場合でも、前記した位置変更例1〜11と同様の処理によって、欠陥が生じた処理装置13、処理装置群61、または処理時間帯を同定することが可能となる。なお、この例では、被処理体が球体71であるが、その他の立体的構造、例えば直方体四面体や、より複雑な立体形状からなる被処理体であってもよい。

0169

(処理工程の特定)
以上では、欠陥が発生した処理装置13を特定する例について説明したが、被処理体を搬送する際にも欠陥が生じる可能性がある。すなわち、例えばある処理装置13から次の処理装置13へ搬送する際に、搬送装置15によって被処理体が把持されたり、受け渡しが行われたりすることによって、被処理体に対して傷が生じたり異物が付着したりなどの欠陥が生じることがある。

0170

図21は、第Yの処理が行われる処理装置13から、第Zの処理が行われる処理装置13へウエハ1が搬送される途中で欠陥が生じた場合を示している。ここで、ウエハ1の搬送中は、ウエハ1におけるノッチ3の位置は、第Yの処理が行われている時と同じ位置となっている。すなわち、解析処理部23は、ノッチ3の位置に基づいて同定される処理装置13とともに、該処理装置13から次の処理装置13への搬送処理を、欠陥発生の要因であるものとして認識すればよいことになる。

0171

なお、搬送処理を行う搬送装置15を独立した1つの処理装置とみなし、該搬送装置15においてもノッチ3の位置を変更するようにすれば、搬送装置15が欠陥発生の要因である場合には、該搬送装置15を同定することが可能となる。

0172

(欠陥の認識例)
図22(a)は、第1の処理において異物が付着することによって欠陥DFが生じ、その後の第2の処理において成膜処理が行われる状態を示している。第1の処理では、異物が付着することによって欠陥DFが生じているが、この時点では比較的小さな欠陥であり、欠陥として顕在化しない程度となっている。しかしながら、その後第2の処理において成膜処理が行われることによって欠陥DFの周囲に成膜が行われ、欠陥が顕在化している。

0173

同様に、図22(b)は、第1の処理において傷が形成されることによって欠陥DFが生じ、その後の第2の処理においてエッチング処理が行われる状態を示している。第1の処理では、傷が形成されることによって欠陥DFが生じているが、この時点では比較的小さな欠陥であり、欠陥として顕在化しない程度となっている。しかしながら、その後第2の処理においてエッチング処理が行われることによって欠陥DFが拡大し、欠陥が顕在化している。

0174

このような場合、例えば各工程において外観検査などを行い、欠陥の発生を検知するシステムの場合には、欠陥が顕在化した工程において欠陥が発生したという誤った判断がなされることになる。よって、その欠陥を顕在化させた工程を行った処理装置13の調査・改善対策で無駄な時間・費用を費やすという問題がある。

0175

これに対して、本実施形態における欠陥解析のシステムによれば、欠陥の発生位置によって該欠陥を生じさせた処理装置13を特定するようになっているので、顕在化した工程ではなく、原因となる欠陥が生じた工程を的確に特定することができる。よって、間違った判断をすることなく的確な調査・対策を講じることができる。また、クリーン度が高い製造装置ほど装置が発生させる異物は微小であるため、上記のように異物を顕在化させて検出する手法が有効になることも考えられる。

0176

また、図23は、第1の処理において異物が付着することによって欠陥DFが生じ、その後の第2の処理において注入処理が行われる状態を示している。この場合、第2の処理において物理的には欠陥自体は大きくなっていないが、第1の処理で発生した欠陥が注入阻害要因となり、欠陥が顕在化している。

0177

このような欠陥検査機での調査が困難な場合は、電気的特性を測定することで、その特性から欠陥を分類し調査しても良い。半導体装置などの場合、電気的特性の測定はウエハ状態で行うことが望ましいが、チップ単位ダイシングされた後に測定を行う場合は元のウエハ状態でどの位置に存在したチップであるかを記憶させた上で評価を行えば良い。

0178

特性評価例)
図24は、製造に適さない装置または条件を調査する実施例を示している。電気的特性の検査装置14によって検出されたウエハ1…の特性分布が、ノッチ3位置に対して相対的に異なり、かつその相対的な位置関係が、第Y番目の処理におけるウエハ1…のノッチ3位置と相関が取れたとする。この結果から、電気的特性の検査装置14による検知結果の特性分布の偏りは、第Y番目の処理装置13もしくは条件が適していないことによって生じていることがわかる。

0179

この実施例では、第Y番目の処理装置13における各チャンバー8に設置されている排気ポート9の位置と、電気的特性の検査装置14による検知結果でのウエハ1…の不良分布が一致する結果となり、排気ポート9付近のコンディション不均一性電気特性の不良につながっていることが判明している。このように、半導体ウエハの製造において、製造に適さない処理装置13および条件の調査を容易にし、改善を早急に行うことが可能となる。

0180

また逆に、ウエハ1上の良品部分または高パフォーマンスな部分を生み出す処理装置13を特定し、その処理装置13の高パフォーマンスな部分のコンディションを調査・フィードバックすることによって、製品および試作等の高性能化を行うことも可能である。

0181

(ウエハの位置変更処理の詳細)
次に、ウエハ1の載置位置を変更する際の位置変更部32による具体的な処理について説明する。まず、ウエハ1を回転させることによってノッチ3の位置を変更する場合について説明する。ノッチ3の位置の判定は、最終的なノッチ3の位置を検出するのでははなく、最初にノッチ3の位置を検出しておき、そこから更に何°回転させたかを記憶することによって行う。

0182

まず回転可能なノッチ検出ステージに、その回転中心とウエハ中心とが一致するようにウエハ1を載置する。レーザー光をウエハ1の端面に照射し、その反射光受光できる位置にセンサーを設けておく。ウエハ1を回転させると、レーザー光がノッチ位置に照射された時にのみ反射光の方向が変わることによってセンサーはレーザー光を受光しないことになる。このセンサーが受光しない位置をノッチ3の位置であると認識し、そこからステッピングモーターにより+α°あるいは−α°さらに回転させて停止させる。αは予め設定された角度で、ウエハ1毎に異なる設定とすることが可能である。このようにノッチ3の向き変更したウエハ1を処理部35へ搬送すれば「相対的な載置位置変更」が達成される。

0183

逆に、ウエハエッジ部上からレーザー光を照射し、ウエハ1を挟んで下部にセンサーを設け、ノッチ3の位置でのみレーザー光を受光し、他の位置ではウエハエッジにレーザー光が遮られるようにすることによって、ノッチ3の位置を検出するようになっていてもよい。また、処理部35におけるウエハステージ自体を任意の方向へ回転できる場合は、次のように載置位置変更を行ってもよい。まず、位置変更部32が、ノッチ3を検出した位置でノッチ検出ステージの回転を停止させ、その状態で処理部35に搬送させる。その後、処理部35におけるウエハステージにおいて+α°あるいは−α°回転させて停止させる。

0184

次に、ウエハ1を水平面内に平行移動させることによってノッチ3の位置を変更する場合について説明する。搬送部36が処理部35にウエハ1を搬送する際、搬送アームの移動距離を制御することによって、ウエハ1の載置位置を変更し、その情報を位置記憶部34に記憶する。ウエハ処理ステージの中心をノーマル位置として、そこから搬送アームを処理室の奥へαmmあるいは手前へαmmずらした位置でウエハ1を処理ステージに置くことによって、水平面内平行移動の載置位置変更を実現できる(左右、あるいはその組合せで位置変更も可能)。なお、処理ステージがウエハ1より極端に小さい場合で且つウエハ1を吸着保持しない場合は、載置位置を移動させることによってウエハ1を処理室内で落下させる危険がある。このような場合は、処理ステージ自体が水平面内に平行移動可能な構成であれば、処理ステージ自体を移動させることによって載置位置変更処理を実現できる。

0185

(位置変更できない処理装置の例)
基本的には、例えば半導体ウエハの製造においては、載置位置変更できない処理装置13はほとんどないが、載置位置変更できない例としては、フォト露光処理が挙げられる。フォト露光処理では、下地のパターンに合わせて露光を行う必要があるため、位置変更するとパターンずれが生じることになる。この場合、フォトマスクはウエハに対して載置位置変更できないが、例えば光源を回転させたり、処理ステージを回転(ウエハとマスクとの相対的な位置変更なし)させたりすることによって対応することが可能である。

0186

また、載置位置変更がどうしても不可能な場合は、その工程後(次の相対的位置変更が不可能な工程が処理されるまで)に検査・解析を必須とする対応を取るようにしてもよい。

0187

ソフトウェアによる実現)
なお、上記実施形態における解析装置12が備える解析処理部23、および位置変更設定部25は、CPUなどの演算手段が、ROM(Read Only Memory)やRAMなどの記憶手段に記憶されたプログラムを実行し、キーボードなどの入力手段、ディスプレイなどの出力手段、あるいは、インターフェース回路などの通信手段を制御することにより実現することができる。したがって、これらの手段を有するコンピュータが、上記プログラムを記録した記録媒体を読み取り、当該プログラムを実行するだけで、本実施形態の解析装置12の各種機能および各種処理を実現することができる。また、上記プログラムをリムーバブルな記録媒体に記録することにより、任意のコンピュータ上で上記の各種機能および各種処理を実現することができる。

0188

この記録媒体としては、マイクロコンピュータで処理を行うために図示しないメモリ、例えばROMのようなものがプログラムメディアであっても良いし、また、図示していないが外部記憶装置としてプログラム読取り装置が設けられ、そこに記録媒体を挿入することにより読取り可能なプログラムメディアであっても良い。

0189

また、何れの場合でも、格納されているプログラムは、マイクロプロセッサアクセスして実行される構成であることが好ましい。さらに、プログラムを読み出し、読み出されたプログラムは、マイクロコンピュータのプログラム記憶エリアダウンロードされて、そのプログラムが実行される方式であることが好ましい。なお、このダウンロード用のプログラムは予め本体装置に格納されているものとする。

0190

また、上記プログラムメディアとしては、本体と分離可能に構成される記録媒体であり、磁気テープカセットテープ等のテープ系、フレキシブルディスクハードディスク等の磁気ディスクやCD/MO/MD/DVD等のディスクのディスク系、ICカードメモリカードを含む)等のカード系、あるいはマスクROMEPROM(Erasable Programmable Read Only Memory)、EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory)、フラッシュROM等による半導体メモリを含めた固定的にプログラムを担持する記録媒体等がある。

0191

また、インターネットを含む通信ネットワーク接続可能なシステム構成であれば、通信ネットワークからプログラムをダウンロードするように流動的にプログラムを担持する記録媒体であることが好ましい。

0192

さらに、このように通信ネットワークからプログラムをダウンロードする場合には、そのダウンロード用のプログラムは予め本体装置に格納しておくか、あるいは別な記録媒体からインストールされるものであることが好ましい。

0193

(本発明のまとめ)
以上のように、本実施形態に係る製造検査解析システムは、被処理体を載置して所望の処理を行う際、所望の第一の処理を行う工程と、処理後に外観検査を行う工程と、外観検査の情報を記憶する工程とを具備してなるところの検査・解析システムにおいて、処理前に被処理体の位置を処理に対して相対的に任意に変更する工程と、その処理と相対的な位置との関係を記憶する工程と、被処理体の位置と外観検査との関係を解析する工程と、その関係を記憶する工程と、その記憶された関係と別の被処理体について記憶された同様の関係とを解析する工程とを有する構成としてもよい。

0194

また、上記製造検査解析システムは、被処理体を載置して所望の処理を行う際、所望の第一の処理を行う工程と、処理後に電気的測定を行う工程と、電気的測定の情報を記憶する工程とを具備してなるところの測定・解析システムにおいて、処理前に被処理体の位置を処理に対して相対的に任意に変更する工程と、その処理と相対的な位置との関係を記憶する工程と、被処理体の位置と電気的測定との関係を解析する工程と、その関係を記憶する工程と、その記憶された関係と別の被処理体について記憶された同様の関係とを解析する工程とを有する構成としてもよい。

0195

また、上記製造検査解析システムは、上記の構成において、検査・測定は被処理体の第一の処理の直後に行う構成としてもよい。

0196

また、上記製造検査解析システムは、上記の構成において、検査・測定は被処理体の第一の処理と検査・測定との間に別のひとつまたは複数の相対的な位置変更と、その変更された位置を記憶する工程とを伴う第二の処理を行う構成としてもよい。

0197

また、上記製造検査解析システムは、上記の構成において、製品製造過程または検討・実験・研究・モニター試料作成過程で上記の検査・測定・解析を一回行う構成としてもよい。

0198

また、上記製造検査解析システムは、上記の構成において、製品製造過程または検討・実験・研究・モニター試料作成過程で上記の検査・測定・解析のうちのどれか、またはその組合せで複数回行う構成としてもよい。

0199

また、上記製造検査解析システムは、上記の構成において、第一の処理での被処理体と別の被処理体との処理における相対的な位置は、第二の処理での被処理体と別の被処理体との処理における相対的な位置と異なる構成としてもよい。

0200

また、上記製造検査解析システムは、上記の構成において、被処理体は半導体基板のような平面板であり、オリフラ・ノッチまたはその他の基準位置を基準として水平の回転角度を任意に変更することで、その処理に対する相対的な位置を変更する構成としてもよい。

0201

また、上記製造検査解析システムは、上記の構成において、被処理体は半導体基板のような平面板であり、水平方向の回転以外の移動をもって処理に対する相対的な位置を変更する構成としてもよい。

0202

また、上記製造検査解析システムは、上記の構成において、被処理体は半導体基板のような平面板であり、平面板の表面・裏面を変更することで、その処理における相対的な位置を変更する構成としてもよい。

0203

また、上記製造検査解析システムは、上記の構成において、被処理体は半導体基板のような平面板であり、その処理における相対的な位置の変更は上記のいずれかひとつまたはその組合せで行われる構成としてもよい。

0204

また、上記製造検査解析システムは、上記の構成において、第一の処理に対する相対的な位置の変更は被処理体を処理する装置とは別に設置された位置合わせ装置を用いる構成としてもよい。

0205

また、上記製造検査解析システムは、上記の構成において、第一の処理に対する相対的な位置の変更は被処理体を処理する装置内に設置された位置合わせ装置を用いる構成としてもよい。

0206

また、上記製造検査解析システムは、上記の構成において、第一の処理に対する相対的な位置の変更は被処理体の位置合わせ装置を用いず、処理装置間の被処理体の受け渡しにて位置を変更することが可能な処理装置間レイアウトとする構成としてもよい。

0207

また、上記製造検査解析システムは、上記の構成において、第一の処理に対する相対的な位置の変更は被処理体の位置合わせ装置を用いず、処理装置内の被処理体の受け渡しにて位置を変更することが可能な処理装置内レイアウトとする構成としてもよい。

0208

また、上記製造検査解析システムは、上記の構成において、第一の処理に対する相対的な位置の変更は被処理体の位置合わせ装置を用いず、処理装置自体を被処理体に対して相対的に位置が変更されるレイアウトとする構成としてもよい。

0209

また、上記製造検査解析システムは、上記の構成において、上記に示すレイアウトである製造装置、製品製造工場または製作所、実験・検討・研究・モニターのためのライン、およびそこで製造・作成を行う構成としてもよい。

0210

また、上記製造検査解析システムは、上記の構成において、枚葉装置において第一の処理に対する相対的な位置は各装置で任意の位置に固定であるか、各装置群で任意の位置に固定であるか、その組合せである構成としてもよい。

0211

また、上記製造検査解析システムは、上記の構成において、枚葉装置において第一の処理に対する相対的な位置は各装置で経時的に任意に変更するか、各装置群で経時的に任意に変化するか、その組合せである構成としてもよい。

0212

また、上記製造検査解析システムは、上記の構成において、複数の被処理体を同時処理する装置において、第一の処理に対する相対的な位置は各装置または各装置群内の被処理体のうちのひとつまたは複数の位置を任意に変更する構成としてもよい。

0213

また、上記製造検査解析システムは、上記の構成において、複数の被処理体を同時処理する装置において、第一の処理に対する相対的な位置は各装置または各装置群内の被処理体のうちのひとつまたは複数の位置を経時的に任意に変更する構成としてもよい。

0214

また、上記製造検査解析システムは、上記の構成において、被処理体の処理と検査・測定との間に行う別のひとつまたは複数の第二の処理は異物または欠陥を物理的に大きくする処理である構成としてもよい。

0215

また、上記製造検査解析システムは、上記の構成において、被処理体の処理と検査・測定との間に行う別のひとつまたは複数の第二の処理は特に成膜処理またはエッチング処理である構成としてもよい。

0216

また、上記製造検査解析システムは、上記の構成において、上記検査・測定・解析システムを用いて製造に適さない装置または条件を調査し、フィードバックする構成としてもよい。

0217

また、上記製造検査解析システムは、上記の構成において、上記検査・測定・解析システムを用いて製造に適する装置または条件を調査し、フィードバックする構成としてもよい。

0218

本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。

0219

本発明に係る製造検査解析システムは、例えば半導体ウエハの製造を行う製造システムに対して適用することができる。

図面の簡単な説明

0220

本発明の一実施形態に係る製造検査解析システムが備える解析装置、処理装置、および検査装置の概略構成を示すブロック図である。
上記製造検査解析システムの概略構成を示すブロック図である。
検査装置として外観検査装置を適用した場合の構成例を示す図である。
検査装置として電気的特性評価装置を適用した場合の構成例を示す図である。
製造検査解析処理の流れを示すフローチャートである。
上記製造検査解析システムにおける処理の実施例の流れを示すフローチャートである。
同図(a)は、図6に示す実施例において、第1の処理が行われる際の第1および第2のウエハの載置状態を示す図であり、同図(b)は、第2の処理が行われる際の第1および第2のウエハの載置状態を示す図であり、同図(c)は、欠陥検査結果の例を示す図である。
同図(a)は、第1のウエハにおける欠陥の特徴と、第1の処理および第2の処理における第1のウエハの載置位置との関係を示す図であり、同図(b)は、第2のウエハにおける欠陥の特徴と、第1の処理および第2の処理における第2のウエハの載置位置との関係を示す図であり、同図(c)は、第1の処理における第1のウエハおよび第2のウエハの載置位置の関係を示す図であり、同図(d)は、第2の処理における第1のウエハおよび第2のウエハの載置位置の関係を示す図である。
位置変更例1の状態を示す図である。
位置変更例2の状態を示す図である。
位置変更例3の状態を示す図である。
位置変更例4の状態を示す図である。
位置変更例5の状態を示す図である。
位置変更例6の状態を示す図である。
位置変更例7の状態を示す図である。
位置変更例8の状態を示す図である。
位置変更例9の状態を示す図である。
位置変更例10の状態を示す図である。
位置変更例11の状態を示す図である。
同図(a)および同図(b)は、位置変更例12の状態を示す図である。
ウエハの搬送中に欠陥が生じる状態を示す図である。
同図(a)および同図(b)は、欠陥が生じた後に成膜処理およびエッチング処理が行われた状態を示す図である。
欠陥が生じた後に注入処理が行われた状態を示す図である。
製造に適さない装置または条件を調査する実施例を示す図である。
同図(a)は、チャンバーに対してノーマル位置にウエハが載置された場合に、同心円状の欠陥が生じた状態を示す図であり、同図(b)は、チャンバーに対してノーマル位置から90°回転させた状態でウエハが載置された場合に、同心円状の欠陥が生じた状態を示す図であり、同図(c)は、チャンバーに対してノーマル位置から水平面内平行移動させた状態でウエハが載置された場合に、同心円状の欠陥が生じた状態を示す図である。
ノッチの向きの変更角度の組合せによって、欠陥の解析が的確に行われない場合と行われる場合との例を示す図である。
従来の異物・欠陥の検出および監視の手法を示す図である。
従来の形状欠陥を発生させる製造装置を特定する手法として、処理した製造装置のIDをコードパターンとしてウエハ上にパターニングする例を示す図である。
異物・欠陥位置を高精度にモニタリングできるようにモニターウエハ上に一部ダイパターンが形成される従来例を示す図である。
円錐の回転体を用いてカセット内のウエハのオリフラ位置を変更する構成例を示す図である。

符号の説明

0221

1ウエハ
1Aカセット
2 ウエハ
3ノッチ
5研磨チャンバー
7エッチングチャンバー
8チャンバー
9排気ポート
10A・10Bスクラッチ
11ホストコンピュータ
11A・11B異物
12解析装置
13処理装置
14検査装置
15搬送装置
21通信部
22 相対位置記憶部
23解析処理部
24 出力部
25位置変更設定部
26 入力部
31 通信部
32 位置変更部
33 カセット保持部
34 位置記憶部
35 処理部
35Aウエハステージ
36 搬送部
41 通信部
42欠陥記憶部
43検査部
44 カセット保持部
45 搬送部
61処理装置群
L LAN配線

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