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技術 スパッタリングターゲットの製造方法

出願人 石福金属興業株式会社
発明者 石井信雄長谷川浩一河瀬美香
出願日 2004年12月3日 (16年8ヶ月経過) 出願番号 2004-352030
公開日 2006年6月22日 (15年2ヶ月経過) 公開番号 2006-161082
状態 拒絶査定
技術分野 インゴット鋳造 鋳型中の金属の処理 鋳型又は中子及びその造型方法 物理蒸着
主要キーワード 採取箇所 二次溶解 一次溶解 カーボンロッド カーボン型 真空引き後 コールドクルーシブル カーボン鋳型
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図面 (4)

課題

鋳造時に起因する等の欠陥の無い均質スパッタリングターゲットを製造すること。

解決手段

一次溶解としてArガス等の不活性ガスもしくは水素炎吹付けながら高周波溶解を行い、溶湯カーボンロッドセラミックスロッドジルコニアアルミナマグネシア等)で十分攪拌ルツボ中で凝固もしくは鋳型鋳込んだインゴット、あるいはアーク溶解法により作製したインゴットを、更に二次溶解として真空もしくはアルゴンガス中での高周波溶解、中周波溶解、浮揚溶解、コールドクルーシブル真空溶解で行う。鋳造を行うにあたっては、インゴット上部に高さが50mm以上、面積が300mm2以上の湯溜り部がある鋳型を使用する。

概要

背景

従来、磁気記録媒体等に使用される磁性膜用のスパッタリングターゲット材としては、CoCr系合金、CoCrPt系合金が使用されている。
これらの合金を使用したスパッタリングターゲットの製造にあたっては、まず真空中もしくはArガス等の不活性ガス中で溶解、鋳造を行い、さらに、鋳造されたインゴット鍛造圧延加工により所定形状に整えた後、機械加工により最終形状に成形するようにしている。

現在、磁気記録媒体の記録密度の向上のため、高い磁気特性を有するPtFe系合金、特に50at%Pt近傍のPtFe系合金が検討されている。
この50at%Pt近傍のPtFe系合金は脆性が高く、鍛造、圧延加工が困難なため、焼結により製造されている場合が多い。ところが、焼結の場合、酸素含有量が1000ppm程度と高いため酸素含有量の低減が求められており、酸素含有量の低減が可能な鋳造法による製造方法が検討されている。

しかしながら、鋳造法に従ってPtFe系合金の鋳造インゴットを製造するにあたっては、以下のような課題がある。

まずPtFe系合金の鋳造インゴットの場合、の発生、特に高さ方向からの引け巣が多く発生するという課題がある。このような巣の発生はスパッタリングターゲット材の品質を低下させるため無くす必要がある。

また、PtとFeとの間には比重差があるため重量偏析が起き易く、溶解時において十分な攪拌が要求される。例えば高周波溶解等の電磁誘導攪拌程度では十分な攪拌ができない。そのため、作製したインゴットにおいて、部位により設定した組成から大きくずれる場合がある。

概要

鋳造時に起因する巣等の欠陥の無い均質なスパッタリングターゲットを製造すること。一次溶解としてArガス等の不活性ガスもしくは水素炎吹付けながら高周波溶解を行い、溶湯カーボンロッドセラミックスロッドジルコニアアルミナマグネシア等)で十分攪拌しルツボ中で凝固もしくは鋳型鋳込んだインゴット、あるいはアーク溶解法により作製したインゴットを、更に二次溶解として真空もしくはアルゴンガス中での高周波溶解、中周波溶解、浮揚溶解、コールドクルーシブル真空溶解で行う。鋳造を行うにあたっては、インゴット上部に高さが50mm以上、面積が300mm2以上の湯溜り部がある鋳型を使用する。なし

目的

そこで、上述した従来技術の問題点に鑑み、本発明の目的は、巣の発生が無く、しかも偏析の無いPtFe系合金からなるスパッタリングターゲットを製造するための方法を提供することにある。

効果

実績

技術文献被引用数
7件
牽制数
3件

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請求項1

Ptを30〜60at%含有するPtFe系合金からなるスパッタリングターゲットの製造方法であって、前記スパッタリングターゲットを成す原料を、不活性ガス雰囲気下または水素炎吹付けながら溶解する一次溶解工程と、前記一次溶解工程を経て得られたインゴットを、真空またはアルゴンガス雰囲気下で溶解する二次溶解工程と、を含むことを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。

請求項2

Ptを30〜60at%と、残部をFeと不純物よりなるスパッタリングターゲットの製造方法、もしくはPtを30〜60at%とCa,Mg,Sr,Ba,Sc,Y,希土類元素,Ti,Zr,V,Nb,Ta,Cr,Mo,W,Mn,Re,Ru,Os,Co,Rh,Ir,Ni,Pd,Ag,Au,Cu,Zn,B,Al,Ga,In,C,Si,Ge,Sn,P,Sb,Bi,Teの少なくとも一種を0.001〜20at%と残部をFeと不純物よりなるスパッタリングターゲットの製造方法であって、一次溶解として不活性ガスもしくは水素炎を吹付けながら溶解を行い、溶湯攪拌ルツボ中で凝固もしくは鋳型鋳込んだインゴット、あるいはアーク溶解法により作製したインゴットを、更に二次溶解として真空もしくはアルゴンガス中で溶解を行うことを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。

請求項3

Ptを30〜60at%と、残部をFeと不純物よりなることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法、もしくはPtを30〜60at%とCa,Mg,Sr,Ba,Sc,Y,希土類元素,Ti,Zr,V,Nb,Ta,Cr,Mo,W,Mn,Re,Ru,Os,Co,Rh,Ir,Ni,Pd,Ag,Au,Cu,Zn,B,Al,Ga,In,C,Si,Ge,Sn,P,Sb,Bi,Teの少なくとも一種を0.001〜20at%と残部をFeと不純物よりなることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法であって、前記スパッタリングターゲット用のインゴットを鋳造するに際し、当該インゴットに対応した型部分の上部に高さが50mm以上、面積が300mm2以上の湯溜り部がある鋳型を使用することを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。

請求項4

二次溶解時の鋳造に使用する鋳型が、カーボン型、もしくは金型からなることを特徴とする請求項1乃至3の何れかに記載のスパッタリングターゲットの製造方法。

請求項5

鋳型が金型の場合において、鋳型の湯溜り部に50W/m・K以下の熱伝導率を有する保温材巻き付け、溶湯を保温材に接するまで注ぎ、湯口部が最後に凝固するように凝固スピードを変化させることを特徴とする請求項1乃至3の何れかに記載のスパッタリングターゲットの製造方法。

請求項6

鋳造インゴットを800℃以上で1時間以上熱処理を行った後、機械加工により所定の形状に成形することを特徴とする請求項1乃至3の何れかに記載のスパッタリングターゲットの製造方法。

請求項7

湯溜り部から水平方向に100mm以上あるインゴットを製造する場合において、湯溜り部から水平方向に50mm以上離れた位置に、高さ方向に30mm以上、面積で30mm2以上の湯逃げ部が1箇所以上ある鋳型を使用することを特徴とする請求項1乃至3の何れかに記載のスパッタリングターゲットの製造方法。

請求項8

二次溶解時に、カルシアルツボで溶解するか、もしくは溶解中の溶湯にCa,Mg,Si,Pを目標組成からさらに10〜1000ppm添加する請求項1乃至3の何れかに記載のスパッタリングターゲットの製造方法。

技術分野

0001

開示技術は、スパッタリングターゲットの製造方法に属する。

背景技術

0002

従来、磁気記録媒体等に使用される磁性膜用のスパッタリングターゲット材としては、CoCr系合金、CoCrPt系合金が使用されている。
これらの合金を使用したスパッタリングターゲットの製造にあたっては、まず真空中もしくはArガス等の不活性ガス中で溶解、鋳造を行い、さらに、鋳造されたインゴット鍛造圧延加工により所定形状に整えた後、機械加工により最終形状に成形するようにしている。

0003

現在、磁気記録媒体の記録密度の向上のため、高い磁気特性を有するPtFe系合金、特に50at%Pt近傍のPtFe系合金が検討されている。
この50at%Pt近傍のPtFe系合金は脆性が高く、鍛造、圧延加工が困難なため、焼結により製造されている場合が多い。ところが、焼結の場合、酸素含有量が1000ppm程度と高いため酸素含有量の低減が求められており、酸素含有量の低減が可能な鋳造法による製造方法が検討されている。

0004

しかしながら、鋳造法に従ってPtFe系合金の鋳造インゴットを製造するにあたっては、以下のような課題がある。

0005

まずPtFe系合金の鋳造インゴットの場合、の発生、特に高さ方向からの引け巣が多く発生するという課題がある。このような巣の発生はスパッタリングターゲット材の品質を低下させるため無くす必要がある。

0006

また、PtとFeとの間には比重差があるため重量偏析が起き易く、溶解時において十分な攪拌が要求される。例えば高周波溶解等の電磁誘導攪拌程度では十分な攪拌ができない。そのため、作製したインゴットにおいて、部位により設定した組成から大きくずれる場合がある。

発明が解決しようとする課題

0007

そこで、上述した従来技術の問題点に鑑み、本発明の目的は、巣の発生が無く、しかも偏析の無いPtFe系合金からなるスパッタリングターゲットを製造するための方法を提供することにある。

課題を解決するための手段

0008

本発明によるスパッタリングターゲットの製造方法では、重量偏析を無くすために2回溶解を行い、一次溶解としてArガス等の不活性ガスもしくは水素炎吹付けながら溶解を行い、溶湯カーボンロッドセラミックスロッドジルコニアアルミナマグネシア等)で十分攪拌しルツボ中で凝固もしくは鋳型鋳込んだインゴット、あるいはアーク溶解法により作製したインゴットを、更に二次溶解として真空もしくはアルゴンガス中で溶解を行うものである。

0009

また、上記目的を達成するため、本発明によるスパッタリングターゲットの製造方法では、スパッタリングターゲット用のインゴットを鋳造するに際し、巣の発生を無くすため、当該インゴットに対応した型部分の上部に高さが50mm以上、面積が300mm2以上の湯溜り部がある鋳型を使用する。

0010

上述した製造方法において好ましくは、二次溶解時の鋳造に使用する鋳型としてカーボン型、もしくは金型を使用することにより、鋳型に接する部分から凝固させ、巣を湯溜り部に集中させる。鋳型に金型を使用する場合において、湯口部も金型にするときには、湯口部もしくは湯溜り部に熱伝導率が50W/m・K以下の保温材巻き付け、溶湯を保温材に接するまで注ぎ、湯口部または湯溜り部が最後に凝固するように凝固スピードを変化させるようにする。

0011

また、上述した製造方法において好ましくは、PtFe合金または他の添加元素を加えた場合に起こりやすい樹枝状晶や偏析等の問題を解決するため、800℃以上の条件で1時間以上熱処理を行い、その後の機械加工により所定の形状に成形できるようにする。

0012

さらに、上述した製造方法において湯溜り部から水平方向に100mm以上あるインゴットを製造する場合には、好ましくは、湯溜り部から水平方向に80mm以上離れた位置に、高さ方向に高さが30mm以上、面積で100mm2以上の湯逃げ部が1箇所以上ある鋳型を使用して、インゴット中に巣が残存することを防ぐようにする。

0013

さらに、上述した製造方法において好ましくは、酸素含有量を更に減らすために、二次溶解時に、カルシアルツボで溶解するか、もしくは溶解後の溶湯にCa,Mg,Si,Pを目標組成からさらに10〜1000ppm添加する。

発明の効果

0014

本発明によるスパッタリングターゲットの製造方法によれば、溶解、鋳造によりインゴットを形成するに際し、一次溶解としてArガス等の不活性ガスもしくは水素炎を吹付けながら高周波溶解を行い、溶湯をカーボンロッド、セラミックスロッド(ジルコニア、アルミナ、マグネシア等)で十分攪拌しルツボ中で凝固もしくは鋳型に鋳込んだインゴット、あるいはアーク溶解法により作製したインゴットを、更に二次溶解として真空もしくはアルゴンガス中での高周波溶解、中周波溶解、浮揚溶解、コールドクルーシブル真空溶解で行なうことにより、重量偏析を防止し、さらに/または、インゴット上部に高さが50mm以上、面積が300mm2以上の湯溜り部がある鋳型を使用することにより巣のないスパッタリングターゲットを提供することができる。

発明を実施するための最良の形態

0015

本発明に係るスパッタリングターゲットの製造方法では、スパッタリングターゲット用の鋳造インゴットを形成する際、一次溶解、二次溶解と二回溶解することにより、比重差による重量偏析を無くすことができる。また、湯溜り部をインゴット上部に高さが50mm以上、面積が300mm2以上作ることにより、湯口部からの引け巣およびインゴット内部の巣を、湯溜り部に集中させることが可能である。

0016

なお、本発明によって製造可能なスパッタリングターゲットの組成はPtを30〜60at%含有するPtFe系合金である限り特に限定されないが、製造可能な態様の一例としては、Ptを30〜60at%と、残部をFeと不純物よりなるスパッタリングターゲットを挙げることができる。

0017

また、製造可能な態様の他の例としては、Ptを30〜60at%とCa,Mg,Sr,Ba,Sc,Y,希土類元素,Ti,Zr,V,Nb,Ta,Cr,Mo,W,Mn,Re,Ru,Os,Co,Rh,Ir,Ni,Pd,Ag,Au,Cu,Zn,B,Al,Ga,In,C,Si,Ge,Sn,P,Sb,Bi,Teの少なくとも一種を0.001〜20at%と残部をFeと不純物よりなるスパッタリングターゲットを挙げることができる。

0018

以下、本発明に係るスパッタリングターゲットの製造方法について具体的に説明する。

0019

一次溶解においては、まずスパッタリングターゲットを構成する原料を、アルゴンガス等の不活性ガスもしくは水素炎を吹付けながら高周波溶解を行い、溶湯をカーボンロッド、セラミックスロッド(ジルコニア、アルミナ、マグネシア等)で十分攪拌しルツボ中で凝固しインゴットを作製する。この場合インゴットは、ルツボ中で凝固させる方法に代えて、鋳型に鋳込むことによって作製してもよく、あるいはアーク溶解法により作製してもよい。

0020

続いて、一次溶解工程を経て作製されたインゴットに対して二次溶解を行う。二次溶解工程においては、当該インゴットを、真空もしくはアルゴンガス中で溶解する。この場合の溶解方法は特に限定されないが、その例としては、たとえば高周波溶解、中周波溶解、浮揚溶解、コールドクルーシブル式真空溶解などが挙げられる。溶解後は鋳造を行う。

0021

二次溶解工程における鋳造に使用する鋳型としては、鋳造すべきインゴットに対応した型部分の上部に、高さが50mm以上、面積が300mm2以上の湯溜り部がある鋳型を使用する。この場合、カーボン型もしくは金型の鋳型を使用することが好ましい。上述した湯溜り部をもつ鋳型を使用することにより、巣の発生を無くすことができる。加えて、カーボン型もしくは金型の鋳型を使用することにより、鋳型に接する部分から凝固させ、巣を湯溜り部に集中させることができる。

0022

鋳型に金型を使用する場合において、湯口部も金型にするときには、湯口部もしくは湯溜り部に熱伝導率が50W/m・K以下の保温材を巻き付ける。そして、溶湯を当該保温材に接するまで注ぎ、湯口部または湯溜り部が最後に凝固するように凝固スピードを変化させる。これにより、インゴット中に巣が残存することをより確実に防ぐことができる。

0023

また、湯溜り部から水平方向に100mm以上あるインゴットを製造する場合には、湯溜まり部から水平方向に80mm以上離れた位置に、高さ方向に30mm以上、面積で100mm2以上の湯逃げ部が1箇所以上ある鋳型を使用する。このような鋳型を使用することにより、湯溜り部から水平方向に100mm以上あるインゴットを製造する場合であっても、インゴット中に巣が残存することを防ぐことができる。

0024

なお、二次溶解時においては、カルシアルツボで溶解するか、もしくは溶解後の溶湯にCa,Mg,Si,Pを目標組成からさらに10〜1000ppm添加することが好ましい。これにより、更なる酸素含有量の低減が可能となる。

0025

鋳造後は、好ましくは均質化処理のため熱処理を行い、湯溜り部を切除後、機械加工により所定の形状のスパッタリングターゲットが得られる。熱処理を行う場合には、800℃以上の条件で、1時間以上熱処理を行うことが好ましい。このような処理条件で熱処理を行うことにより、PtFe合金または他の添加元素を加えた場合に起こりやすい樹枝状晶や偏析等の問題を解決でき、その後の機械加工により所定の形状に成形できるようになる。

0026

上述した製造方法によれば、鋳造法に従ってインゴットを作製するにもかかわらず、重量偏析が防止され、しかも引け巣の発生が防止されるようになっている。従って、本発明は、鍛造、圧延等の加工が困難な材料を用いてスパッタリングターゲットを製造するのに好適である。

0027

以下、本発明の具体的実施例について説明する。
なお、以下に述べる実施例は実施態様の一例であって、本発明の技術的範囲を下記の実施例に係る態様に限定する趣旨ではない。

0028

[実施例1〜3および比較例1〜4の組成・材料]
目標組成:Pt50−Fe50at%(Pt77.8−Fe22.2wt%)
使用材料:Pt(99.95wt%up)、Fe(99.9wt%up)

0029

[実施例1]
所定の量に精したPtとFeを、一次溶解として、ルツボにジルコニアを使用し、水素炎を吹付けながら高周波溶解で溶かし、溶湯をセラミックスロッド(ジルコニア)で十分攪拌しルツボ中で凝固させてインゴットを作製した。

0030

次いで、作製したインゴット表面の酸化物等をブラスト等で除去した後、更に二次溶解を行った。二次溶解においては、ルツボにアルミナを使用し、7Pa以下まで真空引き後、アルゴンガスに置換し高周波溶解を行い、完全に溶けた後10分保持し溶湯を図1に示すようなインゴットとなるカーボン鋳型中(湯溜り部の直径X=40mm)に鋳造した。

0031

[比較例1]
所定の量に精秤したPtとFeをアルミナルツボ充填後、7Pa以下まで真空引きしアルゴンガスに置換後、高周波溶解を行い、完全に溶けた後10分保持し溶湯を図1に示すようなインゴットとなるカーボン鋳型中(湯溜り部の直径X=40mm)に鋳造した。

0032

[実施例1および比較例1についての分析
実施例1および比較例1の方法で製造したインゴットを、底部から15mmの箇所で水平に切断した。そして、それぞれの切断面について、図2に示す(1)〜(5)の箇所でサンプリングを行い、PtとFeの定量分析を実施した。分析結果を表1に示す。

0033

0034

表1の結果から分かるように、一次溶解を入れず電磁攪拌のみを行った比較例1の場合は、箇所により組成のバラツキが認められた。一方、二次溶解に先立って一次溶解時に十分攪拌した実施例1は、偏析がほとんど無く良好な結果となった。

0035

[実施例2]
所定の量に精秤したPtとFeを、一次溶解としてルツボにジルコニアを使用し、水素炎を吹付けながら高周波溶解で溶かし、溶湯をセラミックスロッド(ジルコニア)で十分攪拌しルツボ中で凝固させてインゴットを作製した。

0036

次いで、作製したインゴット表面の酸化物等をブラスト等で除去した後、更に二次溶解を行った。二次溶解においては、ルツボにアルミナを使用し、7Pa以下まで真空引き後、アルゴンガスに置換し高周波溶解を行い、完全に溶けた後、10分保持し溶湯を図1に示すようなインゴットとなるカーボン鋳型中(湯溜り部の直径X=20mm)に鋳造した。鋳造の際、セラミック製の漏斗を使用した。

0037

[比較例2]
所定の量に精秤したPtとFeを、一次溶解としてルツボにジルコニアを使用し、水素炎を吹付けながら高周波溶解で溶かし溶湯をセラミックスロッド(ジルコニア)で十分攪拌しルツボ中で凝固させてインゴットを作製した。

0038

次いで、作製したインゴット表面の酸化物等をブラスト等で除去した後、更に二次溶解を行った。二次溶解においては、ルツボにアルミナを使用し、7Pa以下まで真空引き後、アルゴンガスに置換し高周波溶解を行い、完全に溶けた後、10分保持し溶湯を図1に示すようなインゴットとなるカーボン鋳型中(湯溜り部の直径X=10mm)に鋳造した。鋳造の際、セラミック製の漏斗を使用した。

0039

[比較例3]
所定の量に精秤したPtとFeを、一次溶解としてルツボにジルコニアを使用し、水素炎を吹付けながら高周波溶解で溶かし、溶湯をセラミックスロッド(ジルコニア)で十分攪拌しルツボ中で凝固させてインゴットを作製した。

0040

次いで、作製したインゴット表面の酸化物等をブラスト等で除去した後、更に二次溶解を行った。二次溶解においては、ルツボにアルミナを使用し、7Pa以下まで真空引き後、アルゴンガスに置換し高周波溶解を行い、完全に溶けた後、10分保持しΦ80mm×30mmのカーボン製の平型に鋳込んだ。

0041

[実施例1,2および比較例2,3についての観察]
実施例1,2および比較例2,3を底部から15mmの箇所で水平に切断し、それぞれの切断面について巣の発生状況を確認した。また、切断した上部をさらに半割し、巣の発生状況を確認した。結果を表2に示す。

0042

0043

[実施例3]
所定の量に精秤したPtとFeを、一次溶解としてルツボにジルコニアを使用し、水素炎を吹付けながら高周波溶解で溶かし、溶湯をセラミックスロッド(ジルコニア)で十分攪拌しルツボ中で凝固させてインゴットを作製した。

0044

次いで、作製したインゴット表面の酸化物等をブラスト等で除去した後、更に二次溶解を行った。二次溶解においては、ルツボにアルミナを使用し、7Pa以下まで真空引き後、アルゴンガスに置換し高周波溶解を行い、完全に溶けた後、10分保持し溶湯を図3に示すようなインゴットとなるカーボン鋳型中(湯溜り部の直径:25mm)に、湯溜り部から湯逃げ部がインゴット上面から90mm程度までのところに達するまで注湯、鋳造を行った。鋳造の際、セラミック製の漏斗を使用した。

0045

[比較例4]
所定の量に精秤したPtとFeを、一次溶解としてルツボにジルコニアを使用し、水素炎を吹付けながら高周波溶解で溶かし、溶湯をセラミックスロッド(ジルコニア)で十分攪拌しルツボ中で凝固しインゴットを作製した。

0046

次いで、作製したインゴット表面の酸化物等をブラスト等で除去した後、更に二次溶解を行った。二次溶解においては、ルツボにアルミナを使用し、7Pa以下まで真空引き後、アルゴンガスに置換し高周波溶解を行い、完全に溶けた後、10分保持し溶湯を図4に示すようなインゴットとなるカーボン鋳型中(湯溜り部の直径:25mm)に鋳造した。鋳造の際、セラミック製の漏斗を使用した。

0047

[実施例3および比較例4についての観察]
実施例3、比較例4を底部から13mmの箇所で水平に切断し、切断面の巣の発生状況を確認した。結果を表3に示す。

0048

0049

[実施例4および比較例5の組成・材料]
目標組成:Pt30−Fe70at%(Pt59.95−Fe40.05wt%)
使用材料:Pt(99.95wt%up)、Fe(99.9wt%up)

0050

[実施例4]
所定の量に精秤したPtとFeを、一次溶解としてルツボにジルコニアを使用し、水素炎を吹付けながら高周波溶解で溶かし溶湯をセラミックスロッド(ジルコニア)で十分攪拌しルツボ中で凝固しインゴットを作製した。

0051

次いで、作製したインゴット表面の酸化物等をブラスト等で除去した後、更に二次溶解としてルツボにアルミナを使用し、7Pa以下まで真空引き後、アルゴンガスに置換し高周波溶解を行い、溶湯にPt箔に包んだ金属カルシウムを100ppm添加、完全に溶けた後、10分保持し溶湯を図1に示すようなインゴットとなるカーボン鋳型中(湯溜り部の直径X=40mm)に鋳造した。

0052

[比較例5]
所定の量に精秤したPtとFeを、一次溶解としてルツボにジルコニアを使用し、水素炎を吹付けながら高周波溶解で溶かし溶湯をセラミックスロッド(ジルコニア)で十分攪拌しルツボ中で凝固しインゴットを作製した。

0053

次いで、作製したインゴット表面の酸化物等をブラスト等で除去した後、更に二次溶解としてルツボにアルミナを使用し、7Pa以下まで真空引き後、アルゴンガスに置換し高周波溶解を行い、完全に溶けた後、10分保持し溶湯を図1に示すようなインゴットとなるカーボン鋳型中(湯溜り部の直径X=40mm)に鋳造した。

0054

[実施例4および比較例5についての分析]
実施例4、比較例5を底部から15mmの箇所で水平に切断し、図2に示す(1)の箇所からガス分析用にサンプリングを行い、ガス分析を行った。結果を表4に示す。

0055

0056

表4から分かるようにカルシウムを添加することにより、実施例4において酸素含有量を低減することが確認できた。

0057

本発明は、圧延加工が困難な材料であって、しかも引け巣の発生が顕著なスパッタリングターゲットを製造するのに好適である。

図面の簡単な説明

0058

湯溜り部をつけたインゴットの形状を示す斜視図である。
分析用サンプル採取箇所を示す図である。
湯溜り部および湯逃げ部をつけたインゴットの形状を示す斜視図である。
湯溜り部をつけたインゴットの形状を示す斜視図である。

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