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図面 (8)

課題・解決手段

マスク12は、ハーフトーン層16および遮光層20を含む。ハーフトーン層16は、シリコンリッチ窒化珪素SiNx:Hからなる。xは、0から1、好ましくは、0.2から0.6の範囲にあればよく、それによって、光バンドギャップは、2.1eVから2.5eVの範囲にある。マスク12が使用されるとき、フォトレジストの除去は、バンドギャップに相当に依存し、厚さにはあまり依存しないことが分っており、そのために、TFTの製造をうまく制御することができる。

概要

背景

プロセスステップ数を減少させ、また、プロセスステップを簡素化することは、AMLCDおよびX線画像センサーのようなデバイス製造コストを減少させる有力な方法である。ステップ数を減少させるための1つのアプローチは、ただ1つのフォトリソグラフィーステップを用いて、2つの高さを備えたフォトレジストを規定することである。そのようなプロセスに使用されるフォトマスクは、3つの領域を有してもよい。1つの領域は、紫外線(UV)を通過させる完全に透明なものであり、第2の領域は、紫外線を通過させない不透明なものであり、そして第3の領域は、マスクのその第3の領域を透過する紫外線を減少させる回折マスク役割をなす複数のスリットを含む。これらのスリットは、マスクを通過する紫外線を回折によって発散するので、スリットの真下において、比較的に均一な光強度を得ることができる。

回折マスクの使用に関連する3つの大きな問題が存在する。第1に、マスクのコストは、最小形状寸法の関数である。より小さな形状寸法は、マスクを書き込むためのより多くの時間を必要とし、そのために、より多くのコストがかかる。回折マスクは、通常のマスクよりもはるかに小さな形状寸法、例えば、AMLCDの通常のフォトリソグラフィーに使用される5μmどころではなく、0.4μmから1.5μm程度のギャップおよびラインを必要とする。これは、マスクを、コストがかかるものにし、かつ、製造するのが難しいものにする。きわめてわずかな製造業者しか、AMLCDを製造するのに使用される大きなマスク上にそのような小さな形状寸法を形成する能力を有していない。

第2に、小さな形状寸法の場合、マスク書き込みの均一性に乏しい。回折格子領域において基板に到達する光の量は、スリット寸法に大きく依存する関数であり、そのような回折マスクを使用するプロセスは、回折格子によって露光される領域におけるフォトレジスト厚さが均一性に乏しいものになりやすい。

第3に、回折効果によって、必然的に、光強度分布は、勾配のあるエッジを有することになる。光強度分布の勾配のあるエッジは、フォトレジストの勾配のあるエッジに変換される。第2のフォトレジストパターンを規定するために、そのフォトレジストは、酸素プラズマ中において部分的にエッチングされなければならない。大きな基板の場合、酸素プラズマエッチング、フォトレジスト回転塗布、およびUV露光は、十分に均一なものではなく、これは、基板上の様々な位置においてエッチングされるべき様々な厚さを有するフォトレジストをもたらし、これが形状寸法を不正確なものにする。

図1は、この効果を説明する図である。フォトレジストが、厚さd1だけ部分的にエッチングされると、ギャップの大きさはL1となるが、エッチングされた厚さがd2であれば、ギャップの長さはL2となる。このように、厚さの小さな変動は、形状寸法の大きな変動をもたらす。この変動は、例えば、AMLCDの薄膜トランジスタ(TFT)チャンネル長を規定する場合のような、形状寸法の制御が重要な用途においては問題となる。

概要

マスク12は、ハーフトーン層16および遮光層20を含む。ハーフトーン層16は、シリコンリッチ窒化珪素SiNx:Hからなる。xは、0から1、好ましくは、0.2から0.6の範囲にあればよく、それによって、光バンドギャップは、2.1eVから2.5eVの範囲にある。マスク12が使用されるとき、フォトレジストの除去は、バンドギャップに相当に依存し、厚さにはあまり依存しないことが分っており、そのために、TFTの製造をうまく制御することができる。

目的

ステップ数を減少させるための1つのアプローチは、ただ1つのフォトリソグラフィーステップを用いて、2つの高さを備えたフォトレジストを規定することである

効果

実績

技術文献被引用数
0件
牽制数
2件

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請求項1

マスクであって、マスク基板と、前記マスク基板上にパターンとして配置されたハーフトーンマスク材料からなるハーフトーン層と、前記ハーフトーン層上にパターンとして配置された遮光材料からなる遮光層と、を含み、前記ハーフトーンマスク材料が、0から1までの範囲にあるxを備えたシリコンリッチ窒化珪素SiNx:Hである、マスク。

請求項2

請求項1記載のマスクにおいて、前記シリコンリッチ窒化珪素層が、0.2から0.6までの範囲にあるxの値と、2.1eVから2.5eVまでの光バンドギャップとを有するマスク。

請求項3

請求項1または2の何れかに記載のマスクにおいて、前記シリコンリッチ窒化珪素層が、40nmから100nmまでの厚さを有するマスク。

請求項4

請求項1から3の何れかに記載のマスクの使用方法において、紫外線を前記マスクを介してフォトレジストの層上に透過させることによって、前記フォトレジストの層を露光して、前記フォトレジストが完全に取り除かれた完全除去領域と、第1の厚さを有する厚い領域と、前記ハーフトーン領域を介して露光された領域における前記第1の厚さよりも小さい厚さを有する薄い領域とを規定するステップを含むマスクの使用方法。

請求項5

予め定められた波長を有する紫外線光源とともに使用するためのマスクを製作する方法であって、マスク基板を提供するステップと、前記予め定められた波長の紫外線を部分的に吸収するための予め定められたバンドギャップを提供するように制御された0から1までの範囲にある窒素割合xを備えたシリコンリッチ窒化珪素SiNx:Hの層を成膜するステップと、紫外線遮光層を前記マスク基板上に成膜するステップと、を含む方法。

請求項6

薄膜デバイスを製造する方法であって、基板上に複数の層を成膜するステップと、マスク基板と、パターンとして前記マスク基板上に配置されたハーフトーンマスク材料からなるハーフトーン層と、パターンとして前記ハーフトーン層上に配置された遮光層とを有するマスクを提供するステップであり、前記ハーフトーン層が、0から1までの範囲にあるxを備えたシリコンリッチ窒化珪素SiNx:Hからなる、前記マスクを提供するステップと、前記基板上の前記複数の層上にフォトレジストを成膜するステップと、紫外線を前記マスクを介して前記フォトレジストの層上に透過させて、前記フォトレジストが完全に取り除かれた完全除去領域と、第1の厚さを有する厚い領域と、前記ハーフトーン領域を介して露光された領域における前記第1の厚さよりも小さい厚さを有する薄い領域とを規定するステップと、前記完全除去領域に対して第1の処理ステップを実行するステップと、前記フォトレジストを薄くして、前記薄い領域のフォトレジストを除去し、しかも前記厚い領域のフォトレジストは除去しないステップと、前記薄い領域に対して第2の処理ステップを実行するステップと、を含む方法。

請求項7

請求項6記載の方法において、前記フォトレジストを薄くする前記ステップが、酸素プラズマエッチングによって実行される方法。

請求項8

請求項6または7の何れかに記載の方法において、前記基板上に成膜された前記複数の層が、窒化珪素層と、前記窒化珪素層上に成膜されたアモルファスシリコン層と、前記アモルファスシリコン層上に成膜された金属層とを含み、前記第1の処理ステップが、前記金属層および前記アモルファスシリコン層をエッチングすることを含み、前記第2の処理ステップが、前記金属層をエッチングすることを含む、方法。

技術分野

0001

本発明は、薄膜デバイスアレイの製造において使用するのに適した製造方法に関し、限定はしないが、特にアクティブマトリックス液晶ディスプレイ(AMLCD)およびマイクロマシンMEMS)の製造において使用するのに適した製造方法に関する。また、本発明は、そのような方法において使用されるマスク、マスクの使用方法およびマスクの製造方法に関する。

背景技術

0002

プロセスステップ数を減少させ、また、プロセスステップを簡素化することは、AMLCDおよびX線画像センサーのようなデバイス製造コストを減少させる有力な方法である。ステップ数を減少させるための1つのアプローチは、ただ1つのフォトリソグラフィーステップを用いて、2つの高さを備えたフォトレジストを規定することである。そのようなプロセスに使用されるフォトマスクは、3つの領域を有してもよい。1つの領域は、紫外線(UV)を通過させる完全に透明なものであり、第2の領域は、紫外線を通過させない不透明なものであり、そして第3の領域は、マスクのその第3の領域を透過する紫外線を減少させる回折マスク役割をなす複数のスリットを含む。これらのスリットは、マスクを通過する紫外線を回折によって発散するので、スリットの真下において、比較的に均一な光強度を得ることができる。

0003

回折マスクの使用に関連する3つの大きな問題が存在する。第1に、マスクのコストは、最小形状寸法の関数である。より小さな形状寸法は、マスクを書き込むためのより多くの時間を必要とし、そのために、より多くのコストがかかる。回折マスクは、通常のマスクよりもはるかに小さな形状寸法、例えば、AMLCDの通常のフォトリソグラフィーに使用される5μmどころではなく、0.4μmから1.5μm程度のギャップおよびラインを必要とする。これは、マスクを、コストがかかるものにし、かつ、製造するのが難しいものにする。きわめてわずかな製造業者しか、AMLCDを製造するのに使用される大きなマスク上にそのような小さな形状寸法を形成する能力を有していない。

0004

第2に、小さな形状寸法の場合、マスク書き込みの均一性に乏しい。回折格子領域において基板に到達する光の量は、スリット寸法に大きく依存する関数であり、そのような回折マスクを使用するプロセスは、回折格子によって露光される領域におけるフォトレジスト厚さが均一性に乏しいものになりやすい。

0005

第3に、回折効果によって、必然的に、光強度分布は、勾配のあるエッジを有することになる。光強度分布の勾配のあるエッジは、フォトレジストの勾配のあるエッジに変換される。第2のフォトレジストパターンを規定するために、そのフォトレジストは、酸素プラズマ中において部分的にエッチングされなければならない。大きな基板の場合、酸素プラズマエッチング、フォトレジスト回転塗布、およびUV露光は、十分に均一なものではなく、これは、基板上の様々な位置においてエッチングされるべき様々な厚さを有するフォトレジストをもたらし、これが形状寸法を不正確なものにする。

0006

図1は、この効果を説明する図である。フォトレジストが、厚さd1だけ部分的にエッチングされると、ギャップの大きさはL1となるが、エッチングされた厚さがd2であれば、ギャップの長さはL2となる。このように、厚さの小さな変動は、形状寸法の大きな変動をもたらす。この変動は、例えば、AMLCDの薄膜トランジスタ(TFT)チャンネル長を規定する場合のような、形状寸法の制御が重要な用途においては問題となる。

発明が解決しようとする課題

0007

したがって、これらの不都合を解決するAMLCDおよびその他のデバイスを製造するためのプロセスが必要とされている。

課題を解決するための手段

0008

本発明によれば、マスク基板と、マスク基板上にパターンとして配置されたハーフトーンマスク材料からなるハーフトーン層と、ハーフトーン層上にパターンとして配置された遮光材料からなる遮光層と、を含み、ハーフトーンマスク材料は、0から1までの範囲にあるxを備えたシリコンリッチ窒化珪素SiNx:Hであるマスクが提供される。

0009

本発明によるマスクは、シリコンリッチ窒化珪素を使用する。本発明者らは、この材料が、特定の用途においてそれをきわめて有益なものにする特性を有することが分った。特にマスク層における窒素の割合xは、プラズマデポジションを使用し、かつ、アンモニア(NH3)およびシラン(SiH4)の量を変化させて、マスク層を製作することによって、容易に変更することができ、それによって、窒化珪素光バンドギャップを変化させることができる。本発明者らによって実施された試験は、窒化珪素マスクの光バンドギャップが、窒化珪素層の厚さのわずかな変動よりも、窒化珪素層の光透過率を決定するきわめて重要なパラメータであることを示した。したがって、シリコンリッチ窒化珪素からなるハーフトーン層における窒素の割合を正確に制御することによって、そのハーフトーン層の紫外線透過率を正確に制御することができる。

0010

さらにそれは、マスクを様々に異なる紫外線波長に適したものにすることができる。窒素の割合を変えることによって、365nmにおけるi輝線、405nmにおけるh輝線、および436nmにおけるg輝線を含む様々な紫外線波長を有する紫外線光源とともに使用するのに適したハーフトーンマスク材料層を提供することができる。

0011

好ましくは、シリコンリッチ窒化珪素層は、0.2から0.6の範囲にあるxの値、および2.1eVから2.5eVまでの、好ましくは、2.35eV未満の光バンドギャップを有する。シリコンリッチ窒化珪素層は、好ましくは、40nmから100nmまでの厚さを有する。

0012

本発明は、また、フォトレジストの層をパターン化するために上述したマスクを使用する方法に関し、紫外線をマスクを介してフォトレジストの層上に透過させることによって、フォトレジストが完全に取り除かれた完全除去領域と、第1の厚さを有する厚い領域と、ハーフトーン領域を介して露光された領域における第1の厚さよりも小さい厚さを有する薄い領域とを規定する。

0013

本発明は、また、予め定められた波長を有する紫外線光源とともに使用するためのマスクを製作する方法に関し、マスク基板を提供するステップと、予め定められた波長の紫外線を部分的に吸収するための予め定められたバンドギャップを提供するように制御された0から1までの範囲にある窒素割合xを備えたシリコンリッチ窒化珪素SiNx:Hの層を成膜するステップと、紫外線遮光層をマスク基板上に成膜するステップと、を含む。

0014

別の態様においては、本発明は、薄膜デバイスを製造する方法に関し、基板上に複数の層を成膜するステップと、マスク基板と、パターンとしてマスク基板上に配置されたハーフトーンマスク材料からなるハーフトーン層と、パターンとしてハーフトーン層上に配置された遮光層とを有するマスクを提供するステップであり、ハーフトーン層が、0から1までの範囲にあるxを備えたシリコンリッチ窒化珪素SiNx:Hからなる、前記マスクを提供するステップと、基板上の複数の層上にフォトレジストを成膜するステップと、フォトレジストをパターン化するために、紫外線をマスクを介してフォトレジストの層上に透過させて、フォトレジストが完全に取り除かれた完全除去領域と、第1の厚さを有する厚い領域と、ハーフトーン領域を介して露光された領域における第1の厚さよりも小さい厚さを有する薄い領域とを規定するステップと、完全除去領域に対して第1の処理ステップを実行するステップと、フォトレジストを薄くして、薄い領域のフォトレジストを除去し、しかも厚い領域のフォトレジストは除去しないステップと、薄い領域に対して第2の処理ステップを実行するステップと、を含む。

発明を実施するための最良の形態

0015

ここで、本発明をよりよく理解するために、添付の図面を参照して、単なる例として実施形態を説明する。

実施形態1

0016

ここで、図2を参照して、TFTアレイを製造する方法を説明する。図2aを参照すると、基板2は、窒化珪素層4、アモルファスシリコン層6、およびそのアモルファスシリコン層6上に成膜された金属層8を有する。そして、フォトレジスト層10が基板全体に成膜される。そのような層を成膜する方法は一般的なものであり、この分野においてよく知られているものである。基板は、都合のよいものであれば、例えばガラスなど、どのような材料から製造されてもよい。

0017

そして、UV透過マスク基板14、基板上にあるシリコンリッチ窒化珪素ハーフトーンマスク材料からなるパターン層16、および窒化珪素ハーフトーンマスク材料の一部分を覆うクロム遮光層18を有する、フォトマスク12が提供される。したがって、フォトマスク12は3つの領域に分割される。クロム遮光層18が存在する遮光領域20においては、紫外線はマスクによってほぼすべて吸収される。ハーフトーンマスク材料も遮光クロム層も存在しない透明領域22においては、紫外線はほとんど吸収されずにマスクを通過する。ハーフトーン領域24においては、ハーフトーンマスク材料だけが存在し、クロム遮光層は存在しない。これらの領域においては、紫外線の透過率は20%から80%の範囲にある。

0018

シリコンリッチ窒化珪素層16は、60nmの厚さ、および2.3eVのバンドギャップを有する。以下でより詳細に説明するように、これらのパラメータは紫外線特性に応じて変更されてもよい。

0019

フォトマスク12は基板に位置を合わせて配置され、予め定められた波長を有する紫外線光源30が、フォトマスク12を介してフォトレジスト10に照射され、フォトレジストをパターン化する。露光の後、フォトマスク12は取り除かれ、フォトレジスト10が現像され、2つの異なる厚さのフォトレジストを提供する。

0020

マスクの透明領域22を介して露光されたフォトレジスト層10の領域32においては、フォトレジスト10は、完全に取り除かれ、完全除去領域を形成する。マスクの遮光領域20に対応しかつそれに隣接する領域30においては、フォトレジストは、第1の厚さを備えて残されたままであり、厚い領域を形成する。ハーフトーン領域24を介して露光されたフォトレジスト層10の領域34においては、フォトレジスト10は、第1の厚さよりも小さな厚さを有するように処理されて、薄い領域34を形成する。より詳細には、小さな厚さは、好ましくは、第1の厚さの40%から60%であり、より好ましくは、約50%である。したがって、フォトレジスト10の露光および現像は、図2(b)に示されるパターンを結果としてもたらす。

0021

複数の厚さを有するようにフォトレジストを処理できる理由は、紫外線を強力に吸収しかつ大半のフォトレジストポリマー層に使用できる溶解防止剤でもある光活性添加剤をフォトレジストが含むからである。フォトレジストの露光されない領域は、フォトレジストを全く除去することなく、フォトレジスト現像液の中に長い期間浸漬されることができる。紫外線に露光されると、光子がフォトレジストの上面において吸収される。そして、光化学反応が発生し、それが光活性添加剤を変質させ、それによって光活性添加剤はもはや溶解防止剤の役割をなさなくなる。また、光活性添加剤は漂白され、そのために紫外線は露光された層をフォトレジスト層の中までより深く通過することができる。光漂白と溶解防止剤の破壊とを組み合わせた作用は、UV露光がトップダウン処理であることを意味する。フォトレジストがほんの短い時間しか露光されず、そのために、完全な層が効果的に露光されないならば、フォトレジストの上部だけが、それに続く現像ステップにおいて除去され、フォトレジストのより薄くしかも完全な層が残される。もはや有効な溶解防止剤がまったく存在しないフォトレジスト層だけが、フォトレジスト現像溶液中において、迅速に溶解する。

0022

したがって、フォトレジスト10をマスク12を介して適切な時間だけ露光し、そして現像することによって、マスクの透明領域20の下にあるフォトレジストの完全除去領域32が、完全に取り除かれ、マスクのハーフトーン領域24の下にあるフォトレジストの薄い領域34は、膜全体を露光するのに必要な光の半分しか受けず、このために、フォトレジストの厚さの約半分が、現像後にこの領域に残る。

0023

図2(c)に示されるように、次のステップは、完全除去領域32を介して、金属層8およびアモルファスシリコン層6の両方をエッチングすることである。

0024

次に、図2(d)に示されるように、フォトレジスト10が、酸素プラズマ中において、部分的にエッチングされる。これは、フォトレジストの薄い領域34を除去し、さらに、厚い領域30においては、フォトレジストの薄い層を残す。そして、この新しいフォトレジストパターンが使用され、金属層8はエッチングされるが、アモルファスシリコン層6はエッチングされない。そして、フォトレジストが除去され、図2(e)に示されるパターンが得られる。

0025

図3は、薄膜トランジスタにおけるエッチングされたソースドレイン金属層8およびアモルファスシリコン層6の平面図を示す。アモルファスシリコン層6は、金属のソースおよびドレインメタライゼーション8の領域の下全体に広がっていることに注意されたい。言い換えれば、上部パターンである金属層8は、完全にアモルファスシリコン層6の範囲内に存在する。

0026

このプロセスの最も難しい側面は、制御された厚さを備え複数の高さを備えたフォトレジストを確実に実現することである。本発明によれば、ハーフトーンマスク層としてシリコンリッチ窒化珪素を使用することによって、回折パターンハーフトーンマスクに関連する問題を回避することができる。マスクの形状寸法は、パターン化されるべき形状の寸法と一致し、回折格子によるアプローチに必要とされるような小さなものでなくてもよい。これはまた、小さな形状寸法によってもたらされるマスク書き込みの際の均一性の欠如が、本発明によるアプローチを用いて得られるより大きな形状寸法によって、減少することを意味する。さらに本発明によるアプローチは、回折格子マスクによってパターン化された形状の特徴である勾配のあるフォトレジストエッジを回避し、したがって、そのような勾配のあるフォトレジストエッジに関連する形状寸法の乏しい均一性を回避する。

0027

シリコンリッチシリコンは、シリコンリッチ窒化珪素層16の特性を、特に紫外線光源30によって放射される光の波長に応じて、正確に変化させることができるという更なる利点を提供する。

0028

シリコンリッチ窒化珪素は、プラズマデポジションを用いて、マスク上に成膜されてもよく、これは、0.001から1.4までの範囲で変化する層内における窒素の割合xを備えた窒化珪素SiNxを成膜するのを可能にする。窒素の量が増加すると、材料の光バンドギャップは、1.7eVから6.0eVまで増加する。本発明においては、窒化珪素の吸収限界は、窒化珪素を透過する光の量を制御するように管理される。典型的には、UV処理は、水銀光のg輝線、h輝線、およびi輝線を使用する。したがって、この場合、窒化珪素は、2.1eVから2.5eVにほぼ対応する400nmから500nmの範囲内に吸収限界を有する筈である。

0029

図4は、成膜されたシリコンリッチ窒化珪素のバンドギャップを、プラズマデポジションプロセスにおけるアンモニア:シラン比の関数として示す。この比を変化させることによって、様々に異なるバンドギャップが得られることが分る。

0030

図5は、厚さが60nmの窒化珪素層の場合に、光バンドギャップが変化する効果を示す。図から分るように、光透過率は、バンドギャップに大きく依存する関数である。したがって、バンドギャップを制御することによって、窒化珪素マスク層の透過率を正確に制御することは、比較的容易に解決することのできる問題となる。したがって、窒化珪素を使用することによって、正確な光透過率を得ることは、比較的簡単なことである。したがって、一般的に使用される紫外線光源30の波長、特に水銀光のi輝線、h輝線、およびg輝線に対応させるために、シリコンリッチ窒化珪素層16は、好ましくは、2.15eVから2.35eVの範囲にあるバンドギャップを有するように製作されてもよい。

0031

シリコンリッチ窒化珪素を使用するアプローチは、窒化珪素層の厚さがそれほど重要ではないという更なる利点を有する。図6は、2.3eVの光バンドギャップを備えた様々な厚さの窒化珪素の光透過率を示す。図から明らかなように、窒化珪素層の厚さのわずかな変動は、透過率の大きな変動をもたらさない。したがって、マスクの領域全体にわたってほぼ均一な透過率を備えたマスク層を確実に得ることができる。マスク層の厚さは、例えば、40nmから100nmの範囲にあればよい。

0032

アクティブマトリックス液晶ディスプレイの製造に使用されるマスクは大きく、そのために、本質的に、マスク材料の厚さはそれらのマスクの幅全体にわたって変動しやすいことが分る。好ましくは、マスク材料の厚さの変動は、多くとも20%であり、より好ましくは、10%である。

0033

本明細書を理解することによって、当業者は、その他の変形および変更を考え出すことができる。そのような変形および変更は、マスクの設計、製作、および使用においてすでに知られている等価なその他の特徴、およびここで説明された特徴に加えて、あるいは、ここで説明された特徴の代わりに使用されてもよい等価なその他の特徴を含むかもしれない。本出願において、特許請求の範囲が、特徴の特定の組み合わせについて明確に規定されているが、本発明の範囲は、さらにあらゆる新しい特徴、またはここに明示的にまたは暗黙的に開示された特徴の新しいあらゆる組み合わせ、またはそれらを普遍化したあらゆるものを、それらが同様の技術的問題の何れかまたはすべてを本発明と同じように緩和しようがしまいが、含むことを理解すべきである。これによって本出願人は、そのようなすべての特徴およびそのような特徴のすべての組み合わせの少なくとも一方について、本発明の出願手続中に、あるいは、それらから派生するすべての更なる出願において、新しい請求項が規定されてもよいことを通知する。

0034

例えば、上記例ではポジティブフォトレジストプロセスの使用を説明しているが、類似するアプローチをネガティブフォトレジストに使用することもできる。

0035

さらに、プロセスがAMLCD構造に使用することについて説明されたが、例えば、特にフォトリソグラフィックパターンニングを含むプロセスにおいて金属層、シリコン層プラスチック層、および誘電体層を使用するMEMSのような、その他の構造の製造に使用されてもよい。MEMSは、薄膜デバイスに類似する形状寸法を有してもよい。

図面の簡単な説明

0036

異なる深さのプラズマエッチングによる形状寸法の変化を示す図である。
図2(a)から図2(e)は、本発明による方法における製造ステージを示す図である。
本発明に基づいて製造されたTFTの上面図である。
光バンドギャップを窒素とシランとの比の関数として示す図である。
透過率を波長および光バンドギャップの関数として示す図である。
様々な厚さの窒化珪素の光透過率を示す図である。

符号の説明

0037

2基板
4窒化珪素
6アモルファスシリコン層
8金属層
10フォトレジスト層
12フォトマスク
14 UV透過マスク基板
16パターン層
18クロム遮光層
20遮光領域
22 透明領域
24ハーフトーン領域
28 紫外線光源

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