図面 (/)

この項目の情報は公開日時点(2005年12月22日)のものです。
また、この項目は機械的に抽出しているため、正しく解析できていない場合があります

図面 (10)

課題

開口幅によって近接場光強度分布を制御するに際し、新たに近接場光の強度分布の強い場所を発生させることがなく、線幅変動の小さいパターン形成が可能となる近接場露光に用いる近接場露光に用いるマスク、該マスクを用いた近接場光の強度分布制御方法基板の製造方法および露光装置を提供する。

解決手段

波長サイズ以下の微小開口103を有する遮光膜102を被露光物密着させ、光を照射してパターン転写する近接場露光に用いるマスクであって、前記微小開口は、前記光が入射する遮光膜側から該光の出射側である被露光物側における開口形状が、一定の形状を有する領域(図1(b))と変化した形状を有する領域(図1(c))とを有し、該開口形状が変化した形状を有する領域によって被露光物に対して近接場光の到達する距離が小さくなるように構成する。

概要

背景

半導体メモリ大容量化やCPUの高速化や集積化進展とともに、光リソグラフィーのさらなる微細化は必要不可欠となっている。一般に光リソグラフィー装置における微細加工限界は、光源波長程度である。このため、光リソグラフィー装置の光源に近紫外線レーザーを用いるなど短波長化がはかられ、0.1μm程度の微細加工が可能となっている。

このように微細化が進む光リソグラフィーであるが、0.1μm以下の微細加工を行なうためには、光源のさらなる短波長化、その波長域でのレンズの開発等解決すべき課題も多い。

これを解決する一つの方法として、近接場露光法が提案されている。
例えば、特許文献1のように、表側の面に幅が100nm以下の開口からなる微小開口パターンを有し、且つ弾性体で構成されてマスク面法線方向に弾性変形可能なマスクを用いる露光方法及び露光装置が提案されている。
また、特許文献2のように、金属膜に設けた開口と周期的に変化する表面形状を有し、表面プラズモンモード相互作用して、開口を通ずる光伝送強化して、像を転写するフォトリソグラフィーマスクが提案されている。
特開平11−145051号公報
特開2000−171763号公報

概要

開口幅によって近接場光強度分布を制御するに際し、新たに近接場光の強度分布の強い場所を発生させることがなく、線幅変動の小さいパターン形成が可能となる近接場露光に用いる近接場露光に用いるマスク、該マスクを用いた近接場光の強度分布制御方法基板の製造方法および露光装置を提供する。波長サイズ以下の微小開口103を有する遮光膜102を被露光物密着させ、光を照射してパターンを転写する近接場露光に用いるマスクであって、前記微小開口は、前記光が入射する遮光膜側から該光の出射側である被露光物側における開口形状が、一定の形状を有する領域((b))と変化した形状を有する領域((c))とを有し、該開口形状が変化した形状を有する領域によって被露光物に対して近接場光の到達する距離が小さくなるように構成する。

目的

本発明は、上記課題に鑑み、開口幅によって近接場光の強度分布を制御するに際し、新たに近接場光の強度分布の強い場所を発生させることがなく、線幅変動の小さいパターン形成が可能となる近接場露光に用いる近接場露光に用いるマスク、該マスクを用いた近接場光の強度分布制御方法、基板の製造方法および露光装置を提供することを目的とするものである。

効果

実績

技術文献被引用数
0件
牽制数
0件

この技術が所属する分野

ライセンス契約や譲渡などの可能性がある特許掲載中! 開放特許随時追加・更新中 詳しくはこちら

請求項1

波長サイズ以下の微小開口を有する遮光膜被露光物密着させ、光を照射してパターン転写する近接場露光に用いるマスクであって、前記微小開口は、前記光が入射する遮光膜側から該光の出射側である被露光物側における開口形状が、一定の形状を有する領域と変化した形状を有する領域とを有し、該開口形状が変化した形状を有する領域によって被露光物に対して近接場光の到達する距離が小さくなるように構成されていることを特徴とする近接場露光に用いるマスク。

請求項2

前記開口形状が変化した形状が、前記微小開口の光の出射側の端縁を、膜厚の1/2程度の曲率半径円弧形状として形成されていることを特徴とする請求項1に記載の近接場露光に用いるマスク。

請求項3

前記開口形状が変化した形状が、前記光が入射する遮光膜側から該光の出射側である被露光物側に亙り、開口寸法が大きくなるテーパー形状として形成されていることを特徴とする請求項1に記載の近接場露光に用いるマスク。

請求項4

前記開口形状が変化する領域が、前記開口がスリット状に連続して伸びる領域中の近接場光の強度分布が強い領域に形成されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の近接場露光に用いるマスク。

請求項5

近接場光の強度分布を制御する近接場光の強度分布制御方法であって、請求項1〜4のいずれか1項に記載の近接場露光に用いるマスクを用い、開口形状が変化する領域を、開口がスリット状に連続して伸びる領域中の近接場光の強度分布が強い領域に形成し、近接場光の強度分布を補正することを特徴とする近接場光の強度分布制御方法。

請求項6

近接場露光によりパターンが形成された基板の製造方法であって、請求項1〜4のいずれか1項に記載の近接場露光に用いるマスクを、光源波長以下の膜厚を有するフォトレジスト膜を形成した被加工基板上に対向配置し、露光光源から露光用光を前記マスク裏面に所定の時間照射し、前記マスクの開口パターンをもとに、近接場光の強度分布を補正して前記フォトレジスト膜に潜像を形成し、この潜像に基づいてレジストパターンを形成し、該レジストパターンを前記基板に転写することを特徴とする基板の製造方法。

請求項7

近接場露光による露光装置であって、請求項1〜4のいずれか1項に記載の近接場露光に用いるマスクを設置するステージと、露光用光源と、光源波長以下の膜厚のフォトレジストが形成された被加工基板を設置する試料台と、該被加工基板と該マスクとの距離制御手段と、を有することを特徴とする露光装置。

技術分野

0001

本発明は、近接場露光に用いるマスク、該マスクを用いた近接場光強度分布制御方法基板の製造方法および露光装置に関するものである。

背景技術

0002

半導体メモリ大容量化やCPUの高速化や集積化進展とともに、光リソグラフィーのさらなる微細化は必要不可欠となっている。一般に光リソグラフィー装置における微細加工限界は、光源波長程度である。このため、光リソグラフィー装置の光源に近紫外線レーザーを用いるなど短波長化がはかられ、0.1μm程度の微細加工が可能となっている。

0003

このように微細化が進む光リソグラフィーであるが、0.1μm以下の微細加工を行なうためには、光源のさらなる短波長化、その波長域でのレンズの開発等解決すべき課題も多い。

0004

これを解決する一つの方法として、近接場露光法が提案されている。
例えば、特許文献1のように、表側の面に幅が100nm以下の開口からなる微小開口パターンを有し、且つ弾性体で構成されてマスク面法線方向に弾性変形可能なマスクを用いる露光方法及び露光装置が提案されている。
また、特許文献2のように、金属膜に設けた開口と周期的に変化する表面形状を有し、表面プラズモンモード相互作用して、開口を通ずる光伝送強化して、像を転写するフォトリソグラフィーマスクが提案されている。
特開平11−145051号公報
特開2000−171763号公報

発明が解決しようとする課題

0005

しかしながら、特許文献1に示されるような、幅が100nm以下の開口からなる微小開口パターンに対して、露光波長436nmのg線、波長365nmのi線を用いた場合には、その開口幅は波長の半分以下となる。
金属遮光膜上のこのように微小な開口を介して光の形成する近接場を用いて近接場露光をする場合においては、近接場光の強度分布が開口の形状と異なることが生じる。このような課題に対して、特許文献2では光を増強することが提案されているが、この特許文献2のように、単に光を増強するだけでは不十分である。

0006

さらに、これ以外に近接場光の強度分布を制御乃至は補正する方法として、従来における投影露光のマスクに用いられる光学近接補正考え方を適用して、マスクによる近接場光の分布が所望の形状と異なる場合に、マスクに形成された開口幅を異ならせて、その近接場光の強度分布を制御乃至は補正することも考えられる。しかしながら、その際にスリット幅に不連続が生じる部分では、スリット幅方向に、新たなエッジが形成されることになる。ここで、近接場光の強度分布は、このようなエッジ近傍で強められることが多い。

0007

これを更に説明すると、このようにスリットの幅方向に伸びたエッジは、短いものであっても、近接場光によるパターンを乱してしまうことが多い。これは、このようにスリットの幅方向に伸びたエッジにおける表面プラズモンが、電界ベクトルがスリットの長手方向に沿った光によって、強く励起されるためである。そこで、単純に開口幅を異ならせて新たにエッジを配置するだけでは、それまで近接場露光に寄与していなかった偏光方向の光が、新たに近接場光を強く発生させる場所を作ることにもなり、これを回避したパターンの設計・制御はきわめて複雑なものとなる。

0008

本発明は、上記課題に鑑み、開口幅によって近接場光の強度分布を制御するに際し、新たに近接場光の強度分布の強い場所を発生させることがなく、線幅変動の小さいパターン形成が可能となる近接場露光に用いる近接場露光に用いるマスク、該マスクを用いた近接場光の強度分布制御方法、基板の製造方法および露光装置を提供することを目的とするものである。

課題を解決するための手段

0009

本発明は、以下のように構成した近接場露光に用いるマスク、該マスクを用いた近接場光の強度分布制御方法、基板の製造方法および露光装置を提供するものである。
すなわち、本発明の近接場露光に用いるマスクは、波長サイズ以下の微小開口を有する遮光膜被露光物密着させ、光を照射してパターンを転写する近接場露光に用いるマスクであって、前記微小開口は、前記光が入射する遮光膜側から該光の出射側である被露光物側における開口形状が、一定の形状を有する領域と変化した形状を有する領域とを有し、該開口形状が変化した形状を有する領域によって被露光物に対して近接場光の到達する距離が小さくなるように構成されていることを特徴としている。
また、本発明の近接場光の強度分布制御方法は、上記したいずれかに記載の近接場露光に用いるマスクを用い、開口形状が変化する領域を、開口がスリット状に連続して伸びる領域中の近接場光の強度分布が強い領域に形成し、近接場光の強度分布を補正することを特徴としている。
また、本発明の基板の製造方法は、近接場露光によりパターンが形成された基板の製造方法であって、上記したいずれかに記載の近接場露光に用いるマスクを、光源波長以下の膜厚を有するフォトレジスト膜を形成した被加工基板上に対向配置し、露光光源から露光用光を前記マスク裏面に所定の時間照射し、前記マスクの開口パターンをもとに、近接場光の強度分布を補正して前記フォトレジスト膜に潜像を形成し、この潜像に基づいてレジストパターンを形成し、該レジストパターンを前記基板に転写することを特徴としている。
また、本発明の露光装置は、近接場露光による露光装置であって、上記したいずれかに記載の近接場露光に用いるマスクを設置するステージと、露光用光源と、光源波長以下の膜厚のフォトレジストが形成された被加工基板を設置する試料台と、該被加工基板と該マスクとの距離制御手段と、を有することを特徴としている。

発明の効果

0010

本発明によれば、開口幅によって近接場光の強度分布を制御するに際し、新たに近接場光の強度分布の強い場所を発生させることがなく、線幅変動の小さいパターン形成が可能となる近接場露光に用いる近接場露光に用いるマスク、該マスクを用いた近接場光の強度分布制御方法、基板の製造方法および露光装置を実現することができる。

発明を実施するための最良の形態

0011

以下に、本発明の実施の形態における近接場露光用フォトマスクについて、図を用いて説明する。
近接場露光用のフォトマスクとしては、例えば図9に示されるようなパターンが形成されたマスクを用いることができ、このマスクは光源波長に対して透明なマスク母材101上に、所定膜厚の金属遮光膜102を設け、この金属遮光膜102に波長以下のサイズの矩形形状の微小開口パターン103を配置した構成を有している。

0012

図1に、例えば図9に示されるようなパターンを有する近接場露光用のフォトマスクに、本発明発明の構成を適用した場合の、本実施の形態における光の射出側からみたスリット状開口の構成を説明するための図を示す。
図1(a)は、長いスリット状開口が連続して形成されている、例えば図9において符号Xで示されたような部分のスリット状開口を模式的に示した図である。また図1(b)は図1(a)のスリットのA−A’断面における開口形状、図1(c)は図1(a)のスリットのB−B’断面における開口形状を示す図である。

0013

マスク母材101は、0.1〜100μm厚の薄膜からなっており、支持体である基板に支持されている。後に述べるように、このマスクは、基板に塗布した薄膜レジストに密着させて、これに垂直な方向から光を照射して、パターンを露光するものである。

0014

ここでは、このようなマスクに設けた微小開口による光近接場の分布について、有限差分時間域法によって解析した。計算の前提は以下のとおりである。
マスク母材は屈折率1.9のSiN、この上に厚さ50nmのCr膜があり、ここに微小開口が形成されている。
このマスクを、Si基板上の厚さ200nmのフォトレジストに密着した状態である。光源の波長は真空中で436nmのg線とした。ここでの微小開口の形状は、開口幅40nm、開口長さ600nmである。

0015

ここで、近接場光の強度分布によるマスクパターンの制御乃至は補正として、図1(c)のB−B’断面に示すように、出射側の角を曲率半径20nm曲率半径の円弧形状とした。
このような出射側の角を円弧形状としたものに対する計算結果の評価例として、レジスト中の深さ20nmの面内での潜像の大きさを図8(a)に示す。ここでは、これまでの露光実験シミュレーション対応関係から、入射光強度1に対して、レジスト中での光強度0.43の等強度面を、レジスト中に形成される潜像の形状とみなして評価を行っている。開口幅40nm、開口長さ600nmのスリットについての評価であるが、対称性を考慮して、対称軸より上側の半分の領域のみを示している。

0016

以上の出射側の角を円弧形状としたものとの比較のために、図1(b)に示すような断面形状を変えずに、スリットの全域にわたって断面がA−A’断面となっている場合について、同様なシミュレーションをした結果の近接場露光の強度分布を、図8(b)に、示す。
これらの図から、図8(b)において顕著であった潜像幅の変動が、図8(a)に示す補正後のフォトマスクでは抑えられて、均一な幅のスリット像を形成できていることが分かる。また、ここでは、パターンの長さ方向の短縮については、考慮しておらず、いずれの場合も、マスクの開口パターンと比べて50nm程度短いパターンとなっている。

0017

このような開口形状による近接場露光の強度分布の補正の原理は、スリット近接場の以下のような特性によって、説明できる。
ここでは、説明のためのモデルとして、無限に長いスリットを想定して考える。
図2(a)は、スリットの断面形状が図1(b)のA−A’断面での形状となっている場合の近接場露光の強度分布を示したものである。また図2(b)は、スリットの断面形状が図1(c)B−B’断面での形状となっている場合の近接場露光の強度分布を示したものである。図中、下側から順に、SiN膜、遮光膜/微小開口、レジスト膜となっており、入射光は下側から上側に向けて入射される。この図から明らかなように、スリット状開口の出射側の角を円弧形状とすることで、直角の出射部形状の開口と比べて、同じ強度の近接場が到達する距離は小さくなる。また、近接場露光の強度分布の横方向への広がりは大きくなる。例えば、図2の強度0.619の等強度線を比較すると、このことは顕著である。

0018

但し、この比較は、入射強度を1として、同一の入射強度を前提とした比較である。図1に示すような有限の長さのスリットで、無補正の開口において強度分布が付くようなとき、端から略1/2波長(マスクレジスト界面のプラズモンポラリトンの波長にたいして)離れて、光強度が強くなる場所での近接場露光の強度分布を考える(図8(b))場合には、均一な入射光強度での比較ではなくなる。例えば、光強度の大きい部分での光強度がおよそ1.2倍程度の場合には、図2(b)で、強度0.516(=0.619/1.2)の等強度線(図中、ひとつ上側の破線)上での実際の近接場強度が0.516×1.2=0.619程度となる。このとき、深さ20nmでの強度0.516の等強度線で定義される像のサイズは、50nm程度であり、図2(a)で、強度0.619の等強度線で定義される像のサイズと同等のものとなる。

0019

以上の説明では、簡単化したモデルによって、スリット状開口の出射側の角を円弧形状とした場合の、近接場光の強度分布を制御乃至は補正する原理を明らかとした。
ここで、図1(b)に示したような断面形状が一定のスリットが連続していて、長いスリットとされている場合に、このような長いスリット中で近接場光の強度分布が強い部分に、図1(c)に示すような出射側の角を円弧形状とした開口形状を部分的に形成することによって、近接場露光の強度分布を制御乃至補正することが可能となる。その際、このような構成によれば、入射側の開口形状には幅の不連続を生じないために、単純に開口幅を変えた場合と相違し、新たに近接場強度分布の強い場所が生じるようなことがなく、またこのような形状制御は設計が比較的容易である。

0020

つぎに、本発明の実施例について説明する。
[実施例1]
本発明における実施例1は、上記した本発明及び本発明の実施の形態で説明した構成を適用したものであり、これらを図を用いて説明する。
図4は本実施例の近接場露光用フォトマスクの構成の概略を示す図である。
近接場露光用フォトマスクは、遮光膜401、マスク母材402、マスク支持体403で構成されている。実際に露光に用いる薄膜部404は、遮光膜401、マスク母材402からなり、これを周辺のマスク支持体403が支持している。
遮光膜401は、例えばCr、Al、Au、Taなど露光用光に対して透過率の低い材料を用いる。
マスク母材402には、例えばSiN、SiO2、SiCなど後述する露光用光に対して透過率の高い材料を用いる。薄膜部404には、微細なスリット状、孔状の開口部405が形成されている。

0021

本実施例においては、上記開口部405に本発明及び本発明の実施の形態で説明した構成を適用し、長い連続したスリット中で近接場光の強度分布が強い部分に、図1(c)に示すような出射側の角を円弧形状とした開口形状を部分的に形成して、近接場分布を弱めてその強度分布を制御乃至補正するように構成されている。このような開口パターンの形成には、収束イオンビームないし走査型プローブ加工機による直接加工、また電子ビームリソグラフィーないしX線リソグラフィーなどによってレジスト膜を加工するリソグラフィーナノインプリント法ないし近接場露光法による微細パターン作製方法を用いる。

0022

図3にフォトマスクを保持して、レジスト塗布基板パターン転写をする露光装置を示す。
図3において、301は近接場露光用フォトマスクである。近接場露光用フォトマスク301のおもて面図3では下側)は圧力調整容器305外に、裏面(図3では上側)は圧力調整容器305内に面するように配置されている。圧力調整容器305は圧力調整手段313によって、内部の圧力を調整することができるようになっている。基板306の表面にレジスト膜307を形成したものを被露光物とする。レジスト膜307/基板306をステージ308上に取り付け、ステージ308をx−y面内で駆動して、近接場露光用フォトマスク301に対して基板306のマスク面内2次元方向の相対位置合わせを行う。
つぎに、マスク面法線方向にステージ308を駆動し、フォトマスク301を基板306上のレジスト膜307に密着させる。

0023

圧力調整手段313によって圧力調整容器305内の圧力を調整して、近接場露光用フォトマスク301のおもて面と基板306上のレジスト膜307との間隔が全面にわたって100nm以下になるように両者を密着させる。
この後、露光光源309から出射される露光光310をコリメーターレンズ311で平行光にした後、ガラス窓312を通し、圧力調整容器305内に導入し、近接場露光用マスク301に対して裏面(図3では上側)から照射する。このような照明によって近接場露光用フォトマスク301おもて面の微小開口の近くに生じる近接場でレジスト膜307の露光を行う。

0024

図5に、1層のバッファ層を含む本実施例のパターン作成方法を示す。
ここでは、一般的に2層レジスト法と呼ばれる方法が適用される。
図5(a)にフォトマスク504と被露光物を示す。被露光物は、以下のような構成を有している。
Si基板501上に、ポジ型フォトレジストスピンコータで塗布する。その後、120℃で30分加熱して1層目502とする。1層目の膜厚は180nmとした。この加熱処理によって、1層目502の感光性能は失われ、バッファ層として用いることのできる層が形成される。

0025

つぎに、この上に、Si含有ネガ型フォトレジストを塗布後、プリベークしてこれを2層目503とする。2層目の膜厚は、20nmとなるようにして、2層構造のフォトレジストとした。
2層構造フォトレジストが塗布されたSi基板501とフォトマスク504を図3に示す露光装置によって近接させ、圧力を加えてレジスト層503とフォトマスク504を密着させる。フォトマスクを介して露光用光505を照射して、フォトマスク504上のパターンをフォトレジスト層503に露光する(図5(b))。その後、フォトマスクをフォトレジスト表面から離し、フォトレジストの現像ポストベークを行い、フォトマスク上のパターンをレジストパターンとして転写した。(図5(c))。

0026

ここで、レジストパターンのサイズとして、2層目503に形成された開口のボトムのサイズが最も重要となる。
1層目のレジスト502に転写されるレジストパターンのサイズは、主としてこの開口ボトムのサイズによって定まるためである。そこで、このように2層目レジスト厚さ20nmプロセスに適合した光潜像サイズの評価手法として、レジスト中の深さ20nmでの光潜像サイズを用いているのである。
ただし、光潜像サイズを定義する光強度は、露光量、現像時間などに応じて、定めるものである。この光強度の目安として、遮光膜上面への入射光強度1に対して、おおむね0.05から2の範囲内から選ばれることが多い。さらに典型的には0.1から1の間の適当な強度を持って、光潜像のサイズとしたときに、実プロセスの結果との対応がよくなることが多い。

0027

引き続いて、2層目のフォトレジスト503によるパターンをエッチングマスクとした酸素リアクティブイオンエッチングによって1層目フォトレジスト 502をエッチングする(図5(d))。ここで、酸素リアクティブイオンエッチングは、2層目フォトレジスト503に含まれているSiを酸化して、この層のエッチング耐性を増加させる作用を有する。
以上のような手順で、フォトマスク上の様々なパターンを基板501上にアスペクト比の高いレジストパターンとして転写することができる。

0028

[実施例2]
本発明の実施例2は、近接場露光の強度分布を制御するマスク形態として、実施例1とは別の形態を構成したものであり、その模式図を図6に示す。
ここでの近接場露光用フォトマスクは、実施例1同様の層構成に、微小開口パターンを形成したものである。
ここでの出射側での微小開口の形状は、開口幅40nm、開口長さ600nmである。

0029

本実施例においても、実施例1と同様に、長い連続したスリット中で近接場光の強度分布が強い部分に、開口の終端近傍では、開口の幅方向への断面形状が変化する領域が部分的に形成されていて、近接場光の強度分布を弱めて制御乃至補正するように構成されているが、その断面形状は、実施例1と相違し、図6(c)に示すように、入射側(マスク母材側)が狭く、出射側が広いものとなっている。すなわち、光が入射する遮光膜側から該光の出射側である被露光物側に亙り、開口寸法が大きくなるテーパー形状とされている。この構成では、遮光膜の入射側から出射側にかけて開口幅が大きく変化するが、出射側の開口幅を一致させることができるため、主に出射側の開口幅に支配される近接場の横方向への広がりが生じず、開口の幅方向を向いたエッジが形成されることはない。そのため、単純に開口幅を変えた場合と相違し、新たに近接場光を強く発生させる場所を作るようなことをなくすことが可能となる。

0030

このような構成での近接場光の強度分布の制御の原理を、図2で説明した際と同様の手法で、A−A’断面、B−B’断面それぞれの形状で、無限に長いスリット状の微小開口での、近接場光の強度分布を図7に示す。
同じ強度での等強度線に注目すると、図7(b)に示す補正によって近接場光の到達する深さが浅くなっていることがわかる。また、このような形態では、出射側の開口幅が一致しているために、主に出射側の開口幅に支配される近接場の横方向への広がりは、補正の前後でほとんど変わらないことがわかる。
ここに示した計算例では、図2に示した補正よりも強い作用を有しており、図7(b)で深さ20nmのところに50nmの像を作るために必要となる強度は、無補正時(図7(a))の光強度1に対して、1.5程度となっている。
このような補正によっても、スリット状の微小開口の近接場光の強度分布を補正し、線幅変動の小さなレジストパターンを形成することが可能となる。

図面の簡単な説明

0031

本発明の実施の形態における近接場露光用フォトマスクの構成を説明する図。
本発明の実施の形態を説明するためのモデルであり、(a)はスリットの断面形状が図1(b)のA−A’断面での形状となっている場合の近接場光の強度分布、(b)は図1(c)B−B’断面での形状となっている場合の近接場光の強度分布を示した図。
本発明の実施例1に用いる近接場露光装置を示す図。
本発明の実施例1における近接場露光用フォトマスクの構成の概略を示す図。
本発明の実施例1におけるレジスト膜の加工方法を説明する図。
本発明の実施例2による近接場露光に用いるマスク形状を示す図。
本発明の実施例2を説明するためのモデルであり、(a)はスリットの断面形状が図6(b)のA−A’断面が変化していない場合の近接場光の強度分布、(b)は断面形状が図6(c)のB−B’断面がテーパー状に変化している場合の近接場露光の強度分布を示した図。
本発明の実施の形態を説明する深さ20nmのレジスト中での近接場光の形状を示す図。
本発明の実施の形態を説明するための近接場露光用のフォトマスクの構成を示す図。

符号の説明

0032

101、402:マスク母材
102、401:遮光膜
103、405:微小開口
301、504:近接場露光用のフォトマスク
305:圧力調整容器
306:基板
307:フォトレジスト
308:ステージ
309:露光光源
310、505:露光用光
311:コリメーターレンズ
312:ガラス窓
313:圧力調整手段
501:基板
502:1層目のフォトレジスト(バッファ層)
503:2層目のフォトレジスト

ページトップへ

この技術を出願した法人

この技術を発明した人物

ページトップへ

関連する挑戦したい社会課題

関連する公募課題

ページトップへ

おススメ サービス

おススメ astavisionコンテンツ

新着 最近 公開された関連が強い技術

この 技術と関連性が強い人物

関連性が強い人物一覧

この 技術と関連する社会課題

関連する挑戦したい社会課題一覧

この 技術と関連する公募課題

関連する公募課題一覧

astavision 新着記事

サイト情報について

本サービスは、国が公開している情報(公開特許公報、特許整理標準化データ等)を元に構成されています。出典元のデータには一部間違いやノイズがあり、情報の正確さについては保証致しかねます。また一時的に、各データの収録範囲や更新周期によって、一部の情報が正しく表示されないことがございます。当サイトの情報を元にした諸問題、不利益等について当方は何ら責任を負いかねることを予めご承知おきのほど宜しくお願い申し上げます。

主たる情報の出典

特許情報…特許整理標準化データ(XML編)、公開特許公報、特許公報、審決公報、Patent Map Guidance System データ