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技術 導電板積層材とその製造方法、および導電板積層材を用いた部品

出願人 東洋鋼鈑株式会社
発明者 西條謹二吉田一雄大澤真司南部光司
出願日 2003年6月18日 (17年8ヶ月経過) 出願番号 2003-173794
公開日 2005年1月13日 (16年1ヶ月経過) 公開番号 2005-007722
状態 特許登録済
技術分野 プリント基板への印刷部品(厚膜薄膜部品) 積層体(2)
主要キーワード アルミニウム構造 接合予定面 圧延ユニット 不活性ガス圧力 膜形成機 形成欠陥 活性化処理装置 圧接ユニット
関連する未来課題
重要な関連分野

この項目の情報は公開日時点(2005年1月13日)のものです。
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図面 (8)

課題

導電性に優れた導電板間に加工処理選択性を有する厚みの薄い導電性を有する膜を介挿した積層体に関し、導電性を有する導電膜形成欠陥矯正しうる導電板積層材と、その製造方法、および導電板積層材を用いた部品の提供。

解決手段

第1の導電板に第1の導電膜を積層してなる積層体20と第2の導電板の間に第2の導電膜を介挿してなる導電板積層材22であって、積層体の第1の導電膜側および第2の導電板の接合予定面側を活性化処理し、積層体の第1の導電膜および第2の導電板の少なくとも一方に第2の導電膜を積層した後、第1の導電膜および第2の導電膜が内側になるように当接して重ね合わせて積層接合を施すことによって、導電性を有する導電膜の形成欠陥を矯正しうる導電板積層材22を製造する。またこの導電板積層材22を用いてプリント配線板ICパッケージなどに適用される部品を製造する。

概要

背景

近年、電子機器の小型化・軽量化に伴い実装基板などの高密度化が進んでいる。このような背景の中で基板自体の多層化が進んでおり、この多層化に適した材料が提案されてきている。特許文献1には、内側1層にめっき層を介挿した3層構造の材料が開示されている。また特許文献2には、内側2層にスパッタリングなどによる膜を介挿した4層構造の材料が開示されている。しかしながらめっき膜厚が薄くなってくるなどすると、めっき膜にピンホールやめっき不良など好ましくない形成欠陥が起こってくることもある。これに対してスパッタリングなどではこのような形成欠陥は起こりづらい反面、充分な膜厚を得るためには処理時間が大幅に必要となるなどの問題がある。

概要

導電性に優れた導電板間に加工処理選択性を有する厚みの薄い導電性を有する膜を介挿した積層体に関し、導電性を有する導電膜の形成欠陥を矯正しうる導電板積層材と、その製造方法、および導電板積層材を用いた部品の提供。第1の導電板に第1の導電膜を積層してなる積層体20と第2の導電板の間に第2の導電膜を介挿してなる導電板積層材22であって、積層体の第1の導電膜側および第2の導電板の接合予定面側を活性化処理し、積層体の第1の導電膜および第2の導電板の少なくとも一方に第2の導電膜を積層した後、第1の導電膜および第2の導電膜が内側になるように当接して重ね合わせて積層接合を施すことによって、導電性を有する導電膜の形成欠陥を矯正しうる導電板積層材22を製造する。またこの導電板積層材22を用いてプリント配線板ICパッケージなどに適用される部品を製造する。

目的

本発明は、上記の問題点に鑑み、めっき膜形成欠陥を矯正しうるような導電板積層材とその製造方法、およびプリント配線板、リードフレーム、ICパッケージなどに適用できる導電板積層材を用いた部品を提供することを課題とする。

効果

実績

技術文献被引用数
0件
牽制数
0件

この技術が所属する分野

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請求項1

第1の導電板に第1の導電膜を積層してなる積層体と第2の導電板の間に第2の導電膜を介挿してなる導電板積層材であって、積層体の第1の導電膜側および第2の導電板の接合予定面側を活性化処理し、積層体の第1の導電膜および第2の導電板の少なくとも一方に第2の導電膜を積層した後、第1の導電膜および第2の導電膜が内側になるように当接して重ね合わせて積層接合してなることを特徴とする導電板積層材。

請求項2

前記第1の導電板が銅箔からなり、前記第2の導電板が銅箔からなり、前記第1の導電膜がニッケルめっき膜からなり、前記第2の導電膜がスパッタリングによるニッケル膜からなることを特徴とする請求項1に記載の導電板積層材。

請求項3

第1の導電板に第1の導電膜を積層してなる第1の積層体と、第2の導電板に第2の導電膜を積層してなる第2の積層体とを積層してなる導電板積層材であって、第1の積層体の第1の導電膜および第2の積層体の第2の導電膜を活性化処理し、第1の導電膜および第2の導電膜が内側になるように第1の積層体および第2の積層体を当接して重ね合わせて積層接合してなることを特徴とする導電板積層材。

請求項4

前記第1の導電板が銅箔からなり、前記第2の導電板が銅箔からなり、前記第1の導電膜および前記第2の導電膜がニッケルめっき膜からなることを特徴とする請求項3に記載の導電板積層材。

請求項5

請求項1〜4のいずれかに記載の導電板積層材を用いたことを特徴とする部品

請求項6

第1の導電板に第1の導電膜を積層してなる積層体と第2の導電板の間に第2の導電膜を介挿してなる導電板積層材の製造方法であって、積層体の第1の導電膜側および第2の導電板の接合予定面側を活性化処理し、積層体の第1の導電膜および第2の導電板の少なくとも一方に第2の導電膜を積層した後、第1の導電膜および第2の導電膜が内側になるように当接して重ね合わせて積層接合することを特徴とする導電板積層材の製造方法。

請求項7

第1の導電板に第1の導電膜を積層してなる第1の積層体と、第2の導電板に第2の導電膜を積層してなる第2の積層体とを積層してなる導電板積層材の製造方法であって、第1の積層体の第1の導電膜および第2の積層体の第2の導電膜を活性化処理し、第1の導電膜および第2の導電膜が内側になるように第1の積層体および第2の積層体を当接して重ね合わせて積層接合することを特徴とする導電板積層材の製造方法。

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0001

【発明が属する技術分野】
本発明は、導電性に優れた導電板間に加工処理選択性を有する厚みの薄い導電性を有する膜を介挿した積層体に関し、導電性を有する導電膜形成欠陥矯正しうる導電板積層材と、その製造方法、および導電板積層材を用いた部品に関する。

0002

近年、電子機器の小型化・軽量化に伴い実装基板などの高密度化が進んでいる。このような背景の中で基板自体の多層化が進んでおり、この多層化に適した材料が提案されてきている。特許文献1には、内側1層にめっき層を介挿した3層構造の材料が開示されている。また特許文献2には、内側2層にスパッタリングなどによる膜を介挿した4層構造の材料が開示されている。しかしながらめっき膜厚が薄くなってくるなどすると、めっき膜にピンホールやめっき不良など好ましくない形成欠陥が起こってくることもある。これに対してスパッタリングなどではこのような形成欠陥は起こりづらい反面、充分な膜厚を得るためには処理時間が大幅に必要となるなどの問題がある。

背景技術

0003

本出願に関する先行技術文献情報として次のものがある。
【特許文献1】
国際公開第00/19533号パンフレット
【特許文献2】
特開2002−127298号公報

発明が解決しようとする課題

0004

本発明は、上記の問題点に鑑み、めっき膜形成欠陥を矯正しうるような導電板積層材とその製造方法、およびプリント配線板リードフレームICパッケージなどに適用できる導電板積層材を用いた部品を提供することを課題とする。

0005

前記課題に対する第1の解決手段として本発明の導電板積層材は、第1の導電板に第1の導電膜を積層してなる積層体と第2の導電板の間に第2の導電膜を介挿してなる導電板積層材であって、積層体の第1の導電膜側および第2の導電板の接合予定面側を活性化処理し、積層体の第1の導電膜および第2の導電板の少なくとも一方に第2の導電膜を積層した後、第1の導電膜および第2の導電膜が内側になるように当接して重ね合わせて積層接合してなる構成とした。また好ましくは前記第1の導電板が銅箔からなり、前記第2の導電板が銅箔からなり、前記第1の導電膜がニッケルめっき膜からなり、前記第2の導電膜がスパッタリングによるニッケル膜からなる構成とした。

0006

前記課題に対する第2の解決手段として本発明の導電板積層材は、第1の導電板に第1の導電膜を積層してなる第1の積層体と、第2の導電板に第2の導電膜を積層してなる第2の積層体とを積層してなる導電板積層材であって、第1の積層体の第1の導電膜および第2の積層体の第2の導電膜を活性化処理し、第1の導電膜および第2の導電膜が内側になるように第1の積層体および第2の積層体を当接して重ね合わせて積層接合してなる構成とした。また好ましくは前記第1の導電板が銅箔からなり、前記第2の導電板が銅箔からなり、前記第1の導電膜および前記第2の導電膜がニッケルめっき膜からなる構成とした。

0007

前記課題に対する第3の解決手段として本発明の部品は、導電板積層材を用いた構成とした。

0008

前記課題に対する第4の解決手段として本発明の導電板積層材の製造方法は、第1の導電板に第1の導電膜を積層してなる積層体と第2の導電板の間に第2の導電膜を介挿してなる導電板積層材の製造方法であって、積層体の第1の導電膜側および第2の導電板の接合予定面側を活性化処理し、積層体の第1の導電膜および第2の導電板の少なくとも一方に第2の導電膜を積層した後、第1の導電膜および第2の導電膜が内側になるように当接して重ね合わせて積層接合する方法とした。

課題を解決するための手段

0009

前記課題に対する第5の解決手段として本発明の導電板積層材の製造方法は、第1の導電板に第1の導電膜を積層してなる第1の積層体と、第2の導電板に第2の導電膜を積層してなる第2の積層体とを積層してなる導電板積層材の製造方法であって、第1の積層体の第1の導電膜および第2の積層体の第2の導電膜を活性化処理し、第1の導電膜および第2の導電膜が内側になるように第1の積層体および第2の積層体を当接して重ね合わせて積層接合する方法とした。

0010

以下に、本発明の実施形態を説明する。図2は本発明の導電板積層材22の一実施形態を示す概略断面図であり、図1に示す第1の導電板24にめっきなどにより第1の導電膜23を積層した積層体20と、第2の導電板27との間に、第2の導電膜25を介挿して積層接合した例を示している。例えば、電解銅箔ニッケル電気めっき膜ニッケルスパッタリング膜圧延銅箔の4層構造などである。

0011

導電板24、27の材質としては、導電板積層材を製造可能な素材で導電性の優れたものであれば特にその種類は限定されず、導電板積層材の用途により適宜選択して用いることができる。例えば、常温固体である導電性の優れた金属(例えば、Al、Cu、Ag、Pt、Auなど)や、これらの金属のうち少なくとも1種類を含む導電性の優れた合金(例えば、JISに規定の合金など)などが適用できる。導電板積層材の用途がプリント配線板などであれば、導電板24、27としては、導電性に優れた金属であるCu、Alなどや、これらの金属のうち少なくとも1種類を含む導電性の優れた合金などを適用することができる。すなわち銅板アルミニウム板などを導電板24、27として適用することが可能である。銅板としては、電解銅箔や圧延銅箔などの箔材でもよく、Cuの他、JISに規定の無酸素銅タフピッチ銅リン青銅黄銅や、銅ベリリウム系合金(例えば、ベリリウム2%、残部が銅の合金など)、銅銀系合金(例えば、銀3〜5%、残部が銅の合金など)など、アルミニウム板としては、箔材でもよく、Alの他、JISに規定の1000系、3000系などのアルミニウム合金を適用することができる。さらにこれらの積層体、例えばクラッド材、めっき材、蒸着材なども適用してもよい。例えば、銅−アルミニウム構造のクラッド材などである。

0012

導電膜23、25の材質としては、導電板積層材を製造可能な素材であれば特にその種類は限定されず、導電板積層材の用途により適宜選択して用いることができる。例えば、常温で固体である金属(例えば、Niなど)や合金(例えば、ニッケル系合金やJISに規定の合金など)などが適用できる。導電板積層材の用途がプリント配線板などであれば、導電板24、27に対してエッチング選択性を有する材料を選択することができ、エッチングストップ層として機能させることが可能である。

0013

また導電板24、27や導電膜23、25の厚みは、導電板積層材を製造可能であれば特に限定はされず、導電板積層材の用途により適宜選定して用いることができる。導電板であれば、例えば1〜1000μmであることが好ましい。1μm未満では導電板としての製造が難しくなり、1000μmを超えると導電板積層材としての製造が難しくなる。より好ましくは、10〜500μmである。なお導電板は、電解箔圧延箔などの板材であってもよいし、板材にめっきや蒸着などによる膜材を予め積層したものであってもよいし、クラッド材などでもよい。導電膜の厚みは、例えば0.01〜10μmであり、導電板よりは薄いことが好ましい。0.01μm未満では導電膜としての形成が難しくなり、10μmを超えると製造時間が長くなりすぎる。より好ましくは、0.1〜5μmである。なお導電膜は、導電板積層材の用途により、CVD(Chemical Vapor Deposition)、スパッタリング、真空蒸着イオンプレーティングなどの乾式製膜手段や電気めっき、無電解めっきなどの湿式製膜手段などから適宜選択して用いることができる。

0014

図2に示す導電板積層材22の製造方法について説明する。図3に示すように、真空槽52内において、巻き戻しリール62に設置された積層体20の導電膜23の接合予定面側を、活性化処理装置70で活性化処理する。同様にして巻き戻しリール64に設置された導電板27の接合予定面側を、活性化処理装置80で活性化処理する。

0015

活性化処理は、以下のようにして実施する。すなわち、真空槽52内に装填された積層体20の導電板24側、導電板27をそれぞれアース接地された一方の電極Aと接触させ、絶縁支持された他の電極Bとの間に、10〜1×10−3Paの極低圧不活性ガス雰囲気中で、1〜50MHzの交流印加してグロー放電を行わせ、グロー放電によって生じたプラズマ中に露出される電極Aと接触した積層体20の導電膜23、導電板27のそれぞれの面積が、実効的に電極Bの面積の1/3以下となるようにスパッタエッチング処理する。不活性ガスとしては、アルゴンネオンキセノンクリプトンなどやこれらを含む混合体を適用することができる。好ましくはアルゴンである。なお不活性ガス圧力が1×10−3Pa未満では安定したグロー放電が行いにくく高速エッチングが困難であり、10Paを超えると活性化処理効率が低下する。印加する交流は、1MHz未満では安定したグロー放電を維持するのが難しく連続エッチングが困難であり、50MHzを超えると発振し易く電力の供給系が複雑となり好ましくない。また、効率よくエッチングするためには電極Aと接触した積層体20の導電膜24側、導電板27のそれぞれの面積を実効的に電極Bの面積より小さくする必要があり、1/3以下とすることにより充分な効率でエッチング可能となる。

0016

次に積層体20の導電膜23の表面に、膜形成ユニット90により導電膜25を形成する。膜形成方法として、スパッタリングを用いた場合について説明する。膜形成ユニット90では、前記活性化処理装置とは逆に導電板側の面積を大きくすることによりスパッタリング処理を行うことができる。すなわち、真空槽52内に装填された積層体20の導電板24側をアース接地された一方の電極Aと接触させ、絶縁支持された他の電極Cとの間に、10〜1×10−3Paの極低圧不活性ガス雰囲気中で、1〜50MHzの交流を印加してグロー放電を行わせ、グロー放電によって生じたプラズマ中に露出される電極Aと接触した積層体20の導電膜23側の面積が、実効的に電極Cの面積の3倍以上となるようにスパッタリング処理する。不活性ガスとしては、アルゴン、ネオン、キセノン、クリプトンなどやこれらを含む混合体を適用することができる。好ましくはアルゴンである。なお不活性ガス圧力が1×10−3Pa未満では安定したグロー放電が行いにくく、10Paを超えるとスパッタリング効率が低下する。印加する交流は、1MHz未満では安定したグロー放電を維持するのが難しく連続スパッタリングが困難であり、50MHzを超えると発振し易く電力の供給系が複雑となり好ましくない。また、効率よくスパッタリングするためには電極Aと接触した導電板22の面積を実効的に電極Cの面積より大きくする必要があり、3倍以上とすることにより充分な効率で膜形成が可能となる。

0017

スパッタリングを用いる膜形成ユニット90は、例えば図6に示すように、電気的にフローティング状態にされたターゲット電極94と、アース接地された水冷電極ロール72との組み合わせで構成される。ターゲット電極94には導電膜25を形成するターゲット92が設置され、またマグネット98を設置して磁場によりスパッタリングの効率を向上させている。さらにターゲット92の異常加熱を防止するために、ターゲット電極94を水冷できるようにしてある。ターゲット電極94−電極ロール72間に高周波電源96を印加することで、プラズマを発生させてターゲット92にイオン衝撃を与え、これにより放出されたターゲット物質を導電板22上に積層させて導電膜25を形成させ、膜積層材28を得ることができる。

0018

その後、活性化処理された導電板27、積層体20の導電膜23に導電膜25を形成させた膜積層材28とを積層接合する。積層接合は、膜積層材28、導電板26の接合予定面が対向するようにして両者を当接して重ね合わせ圧接ユニット60で冷間圧接を施すことによって達成される。この際の積層接合は低温度で可能であり、膜積層材28、導電板26ならびに接合部に組織変化合金層の形成などといった悪影響を軽減または排除することが可能である。Tを膜積層材、導電板の温度(℃)とするとき、0℃<T<300℃で良好な圧接状態が得られる。0℃以下では特別な冷却装置が必要となり、300℃以上では組織変化などの悪影響が生じてくるため好ましくない。より好ましくは、0℃<T<200℃である。さらに好ましくは、0℃<T<150℃である。また圧延率R(%)は、0.01%≦R≦30%であることが好ましい。0.01%未満では充分な接合強度が得られず、30%を超えると変形が大きくなり加工上好ましくない。より好ましくは、0.1%≦R≦3%である。さらに好ましくは、1%<R≦3%である。

0019

このように積層接合することにより、所要層厚みを有する導電板積層材22を形成することができ、巻き取りロール66に巻き取られる。さらに必要により所定の大きさに切り出して、図2に示すような導電板積層材22を製造することができる。またこのようにして製造された導電板積層材22に、必要により残留応力の除去または低減などのために問題が生じない範囲で熱処理を施してもよいし、さらに半田めっきなどの導電性膜材などを積層してもよい。なお導電板積層材22は、積層体20と導電板27とを入れ替えて、導電板27側に導電膜25を積層して膜積層材28を形成した後、積層接合を施すことにより製造してもよい。

0020

また図4に示すように導電板27側にも膜形成ユニット86を配置することにより、導電膜23、25と同種あるいは異種の導電膜や、導電板24、27と同種あるいは異種の導電膜を形成して、圧接ユニット60で積層接合することにより、多層膜を有する積層材を製造することができる。なお図4に示す装置において膜形成ユニット90または95のいずれか一方の膜形成機能を抑止することによっても上記のような3層の積層材を製造することが可能であり、膜形成ユニット90、95で同種の膜を形成する場合には必要な膜厚を得るための製造時間を短縮することが可能である。さらに図5に示すように膜形成ユニットを多数配置することにより、より多層の積層材も製造することができる。

0021

膜形成ユニットは活性化処理装置の近傍であることが好ましく、膜形成ユニットを活性化処理装置の近傍に配置することで、製造装置コンパクト化などを図ることが可能である。例えば、図3〜6に図示しているように活性化処理装置の電極ロールと膜形成ユニットの電極ロールを共用化する形態などや、さらに活性化処理装置と膜形成ユニットをそれぞれ共用の電極ロールの外周上に配置する形態などである。このような形態を採ることで一体化した処理が可能となる。なお近傍とは、活性化処理された導電板面が吸着や反応などにより再び不活性化されて膜形成に悪影響を与えない範囲のことである。

0022

さらに導電板積層材22は、導電板に導電膜を積層した2つの積層体を導電膜側を内側にして積層接合することによっても製造することができる。すなわち図3において、膜形成ユニット90を休止もしくは除去した状態で、導電板27の代わりに導電板27にめっきなどで導電膜25積層した積層体を用いることで製造することができる。

0023

なお導電板積層材の製造にはバッチ処理を用いることができる。すなわち真空槽内に予め所定の大きさに切り出された積層体や導電板を複数枚装填して活性化処理装置に搬送して垂直または水平など適切な位置に処理すべき面を対向または並置した状態などで設置または把持して固定して活性化処理や膜形成処理などを行い、さらに積層体や導電板を保持する装置が圧接装置を兼ねる場合には活性化処理後に設置または把持したまま圧接し、導電板を保持する装置が圧接装置を兼ねない場合にはプレス装置などの圧接装置に搬送して圧接を行うことにより達成される。なお活性化処理や膜形成処理は、導電板を絶縁支持された一方の電極Aとし、アース接地された他の電極Bとの間で行うことが好ましい。

0024

導電板積層材に使用される積層体の導電膜に、ピンホールやめっき不良などによる形成欠陥が生じる場合でも、スパッタリングなどによる第2の導電膜を形成させることにより前記のピンホールなどを塞ぐことなどにより形成欠陥を修復・矯正することが可能となるため、品質の向上・安定につなげることができる。まためっきによる導電膜を有する積層体同士を積層接合する場合においても、双方の形成欠陥位置や大きさなどが異なるため、欠陥確率を大幅に低減させることが可能である。従ってどうちらの方法を採るにしてもめっきによる導電膜の厚みを抑えることが可能となり、エッチングなどの加工時間の削減などにも効果がある。

0025

本発明の部品は、第1の導電板に第1の導電膜を積層した積層体と第2の導電板との間に第2の導電膜を介挿して積層接合した導電板積層材などを用いたものであり、導電板積層材にエッチング加工などの加工を施したもの、さらにこれらに樹脂などで被覆あるいは固定したものや、導電板積層材を接着剤などを用いて高分子や金属、合金などからなる基材に積層したもの、さらにエッチング加工などの加工を施したものなどである。例えば、図7に示すようなプリント配線板などの多層化を図る部品などである。この多層化部品は、例えばプリント配線板などに載置して圧接することにより、プリント配線板などの多層化に用いることができる。この場合、プリント配線板のバンプ部との圧接接合面以外に接着剤などを配してもよい。

0026

図7に示すようなプリント配線板などの多層化を図る部品は、例えば図2に示すような導電板24−導電膜23−導電膜25−導電板27の4層構造の導電板積層材22に対し、まず導電板27部分にエッチング加工を施して層間接続用のバンプ部42を形成し、さらに導電膜23、25部分を選択的にエッチング加工により除去し、エッチング加工によって除去された部分に必要によりエポキシ樹脂などで固定して樹脂部44を形成した上で、導電板24部分にエッチング加工などを施して導電配線部32などを形成することにより製造することができる。このときエッチング液や導電膜23、25材質を適切に選定することにより、この導電膜23、25をエッチングストップ層として機能させることができ、精度よくエッチング処理することが可能であるため、導電配線部32を形成することが容易となる。

0027

この4層構造の導電板積層材22は、例えば圧延銅箔24−ニッケルめっき膜23−ニッケル・スパッタリング膜25−圧延銅箔27構造などである。また銅箔24、27のエッチングに対してはアルカリエッチャント過硫酸アンモニウム硫酸過酸化水素水などをエッチング液として適宜選定して用いることにより導電膜23、25部分をエッチングストップ層として機能させてバンプ部42や導電配線部32を形成することができる。さらにニッケル膜23、25のエッチング加工に対してはニッケル剥離液など(例えば、メルテックス株式会社製N−950など)をエッチング液として用いることができる。なお導電板27にJISに規定の1050アルミニウムを用いた場合には、エッチング液として水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウムを適用することができる。

0028

また本発明の導電板積層材の導電膜にエッチング選択性を有する材質を用いる場合には、エッチングストップ層としてのピンホールなどの欠陥を低減させることが可能になるため、エッチング加工における加工不良を減少させることができ、プリント配線板(リジットプリント配線板フレキシブルプリント配線板など)などに好適であり、リードフレーム、ICカード、CSP(チップサイズパッケージまたはチップスケールパッケージ)やBGA(ボールグリッドアレイ)などのICパッケージなどにも好適に応用できる。

発明を実施するための最良の形態

0029

【実施例】
以下に、実施例を図面に基づいて説明する。導電板24として厚み18μmの銅箔を用い、導電板27として厚み100μmの銅箔を用い、導電膜23として1.0μm厚みのニッケルめっき膜を用いた。銅箔にニッケルめっき膜を積層した積層体20と銅箔を導電板積層材製造装置50にセットし、真空槽52内の活性化処理ユニット70および80でスパッタエッチング法によりそれぞれ活性化処理した。活性化処理された積層体20の導電膜23側にスパッタリングを用いた膜形成ユニット90で0.1μm厚みのニッケル・スパッタリング膜を形成させて膜積層材28とし、これに活性化処理させた導電板27を圧延ユニット60で圧接して積層接合して導電板積層材22を製造した。さらに導電板積層材22にエッチング加工を選択的に施して部品を製造した。

図面の簡単な説明

0030

以上説明したように、本発明の導電板積層材は導電板と導電膜を積層してなるものであり、本発明の部品は導電板積層材を用いたものである。このためプリント配線板などへの適用も好適である。

図1
導電板積層材に用いる積層体の一実施形態を示す概略断面図である。
図2
本発明の導電板積層材の一実施形態を示す概略断面図である。
図3
本発明の導電板積層材の製造に用いる装置の一実施形態を示す概略断面図である。
図4
本発明の導電板積層材の製造に用いる装置の他の一実施形態を示す概略断面図である。
図5
本発明の導電板積層材の製造に用いる装置のさらに他の一実施形態を示す概略断面図である。
図6
本発明の導電板積層材の製造に用いる膜形成ユニットの一実施形態を示す概略断面図である。
図7
本発明の部品の一実施形態を示す概略断面図である。
【符号の説明】
20 積層体
22 導電板積層材
23 導電膜
24 導電板
25 導電膜
27 導電板
28 膜積層材
32導電配線部
42バンプ部
44樹脂部
50 導電板積層材製造装置
52真空槽
54真空ポンプ
60圧接ユニット
62 巻き戻しリール
64 巻き戻しリール
66巻き取りロール
70活性化処理装置
72電極ロール
74電極
76 電極
78 電極
80 活性化処理装置
82 電極ロール
84 電極
86 電極
90 膜形成ユニット
91 膜形成ユニット
92ターゲット
94ターゲット電極
95 膜形成ユニット
96高周波電源
98マグネット
A 電極A
B 電極B
C 電極C

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