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課題

評価精度が高く、かつ丸め誤差が少ない露光装置評価用フォトマスクの製造方法、露光装置評価用フォトマスク、およびこの露光装置評価用フォトマスクを用いた収差評価方法を提供する。

解決手段

本発明における露光装置評価用フォトマスクの製造方法は、評価用パターン1を含む原画パターン14を設計する工程と、設計された原画パターン14をグリッド90上に位置づけられたパターンとする工程と、グリッド90上に位置づけられたパターンを透明基板11上に転写することで、マスクパターンを有するフォトマスク5を形成する工程とを備えている。評価用パターン1の直角三角形における辺10a長さをグリッドのj個(j=12)のマス目の長さとし、辺10bの長さをグリッドのk個(k=3)のマス目の長さとして、辺10cと辺10aとのなす角度が不連続な値に制限された原画パターン14をグリッド90上に位置づける。

概要

背景

従来より、半導体素子などを製造する際に、感光性基板としてのフォトレジストが塗布されたウエハ(またはガラスプレート)上にフォトマスクパターン像投影光学系を介して投影する投影露光装置が使用されている。これまで、露光装置では露光領域の大面積化が求められてきた。一度にn個のチップが露光できれば、露光工程のスループットがn倍に向上し、最終的にチップコストの削減になるからである。また、LSI(Large Scale Integrated circuit)を設計する際にはチップ面積縮小が求められてきた。1枚のウエハから製造できる製品の数を増やすことができるため、チップコストの削減になるからである。このような開発スタイルは、小品種大量生産を特徴とするメモリ製品で有効である。メモリ製品では初期投資であるフォトマスクコストよりも、維持費であるウエハコストの比率の方が圧倒的に高いので、フォトマスクコストよりもウエハコストを下げて大量生産する方が産業としては効果的だからである。

概要

評価精度が高く、かつ丸め誤差が少ない露光装置評価用フォトマスクの製造方法、露光装置評価用フォトマスク、およびこの露光装置評価用フォトマスクを用いた収差評価方法を提供する。本発明における露光装置評価用フォトマスクの製造方法は、評価用パターン1を含む原画パターン14を設計する工程と、設計された原画パターン14をグリッド90上に位置づけられたパターンとする工程と、グリッド90上に位置づけられたパターンを透明基板11上に転写することで、マスクパターンを有するフォトマスク5を形成する工程とを備えている。評価用パターン1の直角三角形における辺10a長さをグリッドのj個(j=12)のマス目の長さとし、辺10bの長さをグリッドのk個(k=3)のマス目の長さとして、辺10cと辺10aとのなす角度が不連続な値に制限された原画パターン14をグリッド90上に位置づける。

目的

本発明の目的は、評価精度が高く、かつ丸め誤差が少ない露光装置評価用フォトマスクの製造方法、露光装置評価用フォトマスク、およびこの露光装置評価用フォトマスクを用いた収差評価方法を提供する

効果

実績

技術文献被引用数
1件
牽制数
1件

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請求項1

評価用パターンを含む原画パターンを設計する工程と、設計された前記原画パターンをグリッド上に位置づけられたパターンとする工程と、前記グリッド上に位置づけられたパターンを透明基板上のマスクパターンとして転写することで、前記透明基板と前記マスクパターンとを有するフォトマスクを形成する工程とを備える露光装置評価用フォトマスクの製造方法であって、前記評価用パターンの平面形状は直角三角形の部分を含んでおり、前記直角三角形における斜辺を除く2つの辺のうち一方の辺の長さを前記グリッドのj個(jは整数)のマス目の長さとし、他方の辺の長さを前記グリッドのk個(kは整数)のマス目の長さとして、前記斜辺と前記一方の辺とのなす角度が不連続な値に制限された前記原画パターンを前記グリッド上に位置づけることを特徴とする、露光装置評価用フォトマスクの製造方法。

請求項2

前記jと前記kとは、1/3≦j/k≦3の関係を満たすことを特徴とする、請求項1に記載の露光装置評価用フォトマスクの製造方法。

請求項3

前記jと前記kとは、j=kの関係を満たすことを特徴とする、請求項2に記載の露光装置評価用フォトマスクの製造方法。

請求項4

請求項1〜3のいずれかに記載の露光装置評価用フォトマスクの製造方法を用いて製造された露光装置評価用フォトマスク。

請求項5

請求項4に記載の露光装置評価用フォトマスクを用いた収差評価方法であって、第1の評価用パターン形成領域を透過した透過光のうち0次〜i次回折光(iは0以上の整数)の結像により第1の転写パターンを形成する時のベストフォーカス位置と、前記第1の評価用パターンとパターンおよびパターン内のピッチにおいて相似関係にある第2の評価用パターン形成領域を透過した0次〜(i+1)次回折光の結像により第2の転写パターンを形成する時のベストフォーカス位置との差により投影光学系の球面収差を求めることを特徴とする、収差評価方法。

請求項6

請求項4に記載の露光装置評価用フォトマスクを用いた収差評価方法であって、一の直線上に並んで配置された第1の評価用パターン形成領域を透過した透過光の結像により第1の転写パターンを形成する時のベストフォーカス位置と、前記一の直線と垂直な方向に伸びた他の直線上に並んで配置された第2の評価用パターン形成領域を透過した透過光の結像により第2の転写パターンを形成する時のベストフォーカス位置との差により投影光学系の非点収差を求めることを特徴とする、収差評価方法。

請求項7

請求項4に記載の露光装置評価用フォトマスクを用いた収差評価方法であって、一の直線上に並んで配置された第1の評価用パターン形成領域を透過した透過光の結像により第1の転写パターンを形成する時の前記第1の転写パターンの長さと、前記第1の評価用パターン形成領域と前記一の直線に関して線対称に配置された第2の評価用パターン形成領域を透過した透過光の結像により第2の転写パターンを形成する時の前記第2の転写パターンの長さとの差により投影光学系のコマ収差を求めることを特徴とする、収差評価方法。

技術分野

0001

本発明は、露光装置評価用フォトマスクの製造方法、露光装置評価用フォトマスクおよびこの露光装置評価用フォトマスクを用いた収差評価方法に関する。

0002

従来より、半導体素子などを製造する際に、感光性基板としてのフォトレジストが塗布されたウエハ(またはガラスプレート)上にフォトマスクパターン像投影光学系を介して投影する投影露光装置が使用されている。これまで、露光装置では露光領域の大面積化が求められてきた。一度にn個のチップが露光できれば、露光工程のスループットがn倍に向上し、最終的にチップコストの削減になるからである。また、LSI(Large Scale Integrated circuit)を設計する際にはチップ面積縮小が求められてきた。1枚のウエハから製造できる製品の数を増やすことができるため、チップコストの削減になるからである。このような開発スタイルは、小品種大量生産を特徴とするメモリ製品で有効である。メモリ製品では初期投資であるフォトマスクコストよりも、維持費であるウエハコストの比率の方が圧倒的に高いので、フォトマスクコストよりもウエハコストを下げて大量生産する方が産業としては効果的だからである。

0003

しかし、多品種少量生産が特徴であるASIC(Application−Specific IntegratedCircuit)製品では状況が異なる。製品を大量に生産するわけではないので、量産効果はあまり期待できないのである。平均的なASIC製品の生涯コスト構造を見積もると、初期投資であるフォトマスクコストと維持費であるウエハコストとの比率はほぼ同等となっている。このように、初期投資であるフォトマスクコストもあながち無視できないのがASIC製品の特徴である。そこで、マスクプロセス加工精度を維持または向上させると同時に、フォトマスクコストを削減する技術が必要である。

0004

マスクプロセスのコスト構造を見ると、比較的大きな比率を占めるのは、パターンの描画工程と検査工程である。遮光膜成膜工程やレジスト膜の塗布現像工程は、フォトマスク全面を一括して処理できる。しかし、描画工程と検査工程とは微細パターンの一つ一つを描画や検査する必要がある。そして、フォトマスク上の微細パターンは、近年のLSIの高集積化に伴ない、指数関数的に増えているからである。

0005

このような投影露光装置においては、たとえば菱形直角三角形よりなるキャリブレーション用の周期的パターン評価用パターン)が形成されたフォトマスクを用いて、投影露光装置のアラインメントや、ベストフォーカスの位置の評価や、解像力の評価など、露光装置の光学的な評価が行なわれている。

0006

たとえば第39回(1992年期)応用物理学会関係連合講演会30p−NA−1「投影露光装置のベストフォーカス自動計測装置川他(非特許文献1)には、菱形の評価用パターンが形成されたフォトマスクを用いてベストフォーカスの位置を決める方法が開示されている。具体的には、菱形の評価用パターンが形成されたフォトマスクを用いて、基板の高さを段階的に変化させながら、基板上のフォトレジストにパターンの像が順次露光される。そして、基板を現像することにより、フォトレジストに凹凸の菱形のパターンが形成される。投影露光装置においては、ベストフォーカスの位置で基板が露光された場合に最もパターンの像が鮮明になる。パターンの像が鮮明になるほど、菱形の先端(鋭角)部分が鮮明になるので、菱形の長手方向の長さも長くなる。したがって、フォトレジストに転写された菱形のパターンにおいて、菱形の長手方向の長さが最も長くなっているパターンを特定し、そのパターンの像が露光された位置からベストフォーカスの位置が決められる。

0007

また、たとえば特開平5−160000号公報(特許文献1)には、直角三角形(斜辺と他の2辺のうち1辺とのなす角度θ>45°)のパターンが形成されたフォトマスクを用いて投影光学系の倍率誤差または歪曲量計測する方法が開示されている。具体的には、投影光学系の倍率が設計値通りの場合における直角三角形のパターンの明部と暗部との境界座標と、実際にフォトレジストに転写された直角三角形のパターンの明部と暗部との境界の座標とを比較し、これら2つの座標の差に基づいて投影光学系の倍率誤差が求められている。

0008

このように、投影露光装置の光学的な評価が行なわれる場合には、評価精度を高くするために、斜辺(直角に交わらない辺)を有する図形である菱形や直角三角形の評価用パターンが採用されている。すなわち、上記非特許文献1に記載された方法においては、菱形の鋭角部分鮮明度によりベストフォーカス位置を容易に評価することができる。また、上記特許文献1に記載された方法においては、直角三角形を用いることにより、投影光学系の倍率誤差を評価する際にフォトレジストに転写されたパターンの位置変化を拡大して計測できる。

0009

ところで、フォトマスクは、次に示すような方法で製造されている。すなわち、人手または計算機を用いて菱形や直角三角形の評価用パターンを含む原画パターンが設計され、その原画パターンが描画機に入力される。このとき、グリッド上に、設計された原画パターンが位置づけられ、原画パターンの頂点が占めている格子点の座標が読み取られる。そして、格子点の座標の各々がデータとして保存される。ここで、フォトマスクに形成されるパターンの大きさは、通常、露光装置の露光領域よりも大きい。したがって、実際には、任意のグリッド線により原画パターンが複数の図形のパターンに分割され、分割された図形の頂点が占めている格子点の座標が読み取られる。そして、格子点の座標の各々がデータとして保存される。次に、保存されたパターンをたとえばガラス基板上のマスクパターンとして転写することで、フォトマスクが製造される。

0010

【特許文献1】
特開平5−160000号公報

背景技術

0011

【非特許文献1】
第39回(1992年春期)応用物理学会関係連合講演会30p−NA−1「投影露光装置のベストフォーカス自動計測装置」蛭川他

0012

原画パターンを分割した図形においては、原画パターンを分割した線上に図形の頂点が新たに発生する。しかしながら、斜辺を有する図形を原画パターンする場合には、分割によって新たに発生した図形の頂点と、原画パターンが描画機に入力される際のグリッド上の格子点とは一致していない場合が多い。このように、図形の頂点とグリッド上の格子点とがずれることをオフグリッドエラーという。オフグリッドエラーの状態では、グリッド上における図形の頂点の座標は、端数小数)を含む値になっている。描画機においては、端数(小数)を含む座標は、座標の端数を切り捨てた整数の座標として読み取られ、保存される。その結果、斜辺を有する図形を原画パターンする場合には、原画パターンと、実際に形成されるフォトマスクのパターンとの間に誤差(丸め誤差)が生じるという問題があった。計測の基準となる評価用パターンにこのような丸め誤差が生じると、特に、投影光学系の倍率誤差を評価する際にフォトレジストに転写されたパターンの位置変化を拡大して計測できなくなるなどの問題が生じる。

発明が解決しようとする課題

0013

したがって、本発明の目的は、評価精度が高く、かつ丸め誤差が少ない露光装置評価用フォトマスクの製造方法、露光装置評価用フォトマスク、およびこの露光装置評価用フォトマスクを用いた収差評価方法を提供することである。

課題を解決するための手段

0014

本発明における露光装置評価用フォトマスクの製造方法は、評価用パターンを含む原画パターンを設計する工程と、設計された原画パターンをグリッド上に位置づけられたパターンとする工程と、グリッド上に位置づけられたパターンを透明基板上のマスクパターンとして転写することで、透明基板とマスクパターンとを有するフォトマスクを形成する工程とを備えている。評価用パターンの平面形状は直角三角形の部分を含んでおり、直角三角形における斜辺を除く2つの辺のうち一方の辺の長さをグリッドのj個(jは整数)のマス目の長さとし、他方の辺の長さをグリッドのk個(kは整数)のマス目の長さとして、斜辺と一方の辺とのなす角度が不連続な値に制限された原画パターンをグリッド上に位置づける。

0015

以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。

0016

(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態1における露光装置評価用フォトマスクを示す部分斜視図である。

0017

図1を参照して、本実施の形態における露光装置評価用フォトマスク5は、たとえばガラス基板のような透明基板11上にパターンが形成されたものである。露光装置評価用フォトマスク5は、直線部分6と、複数の評価用パターン1とを備えている。評価用パターン1は直角三角形であり、直線部分6に対して垂直な辺8と、斜辺9とを有している。直線部分6は、露光光波長や評価用パターン1に比べて十分に長いので、投影露光装置の光学的な評価が行なわれる際の基準となる。つまり、露光装置の基板ステージ一角に設けられたマーク(fiducial mark)に直線部分6を合わせることにより、露光装置評価用フォトマスク5を一定の位置に固定することができる。

0018

続いて、図1に示す露光装置評価用フォトマスク5の製造方法について説明する。

0019

図2は、本発明の実施の形態1における露光装置評価用フォトマスクの原画パターンを示す平面図である。また、図3は、グリッド上に位置づけられた原画パターンを示す平面図である。

0020

図2を参照して、始めに、露光装置評価用フォトマスク5の原画パターン14が人手または計算機を用いて設計される。次に、図3を参照して、設計された原画パターン14がグリッド90上に位置づけられたパターンとされる。つまり、描画機において、原画パターン14はグリッド90上に位置づけられ、原画パターン14の頂点が占めている格子点の座標が読み取られる。そして、原画パターン14の格子点の座標の各々がグリッド90上のパターンデータとして保存される。

0021

図4は、本発明の実施の形態1における評価用パターンを示す平面図である。図4を参照して、本実施の形態における露光装置評価用フォトマスク5の原画パターン14の一部である評価用パターン1が、グリッド90上に位置づけられている。以下、グリッド90において、図中の左下の頂点を原点と規定し、図中右方向をx軸、上方向をy軸と規定する。評価用パターン1の平面形状は直角三角形であり、3つの頂点1a〜1cと、3つの辺10a〜10cとを有している。辺10aはy軸上にあり、辺10bはx軸上にある。辺10aと辺10bとは互いに直角に交わっていて、辺10cが斜辺となっている。また、3つの頂点1a〜1cはグリッド90の格子点を占めている。すなわち、頂点1aの座標は(0,12)であり、頂点1bの座標は(0,0)であり、頂点1cの座標は(3,0)である。このように、頂点1a〜1cの座標が読み取られ、これらの座標の各々がグリッド90上のパターンデータとして保存される。なお、実際には、評価用パターン1は図4中x軸方向に規則的に並んでいる。

0022

図5図6は、本発明の実施の形態1における露光装置評価用フォトマスクの製造方法を工程順に示す断面図である。

0023

図5を参照して、透明基板11の上にたとえば銀よりなる薄膜12が積層され、その上にフォトレジスト13が積層される。次に、描画機に保存されたパターンに基づいてフォトレジスト13が露光される。その後にフォトレジスト13が現像されることにより、描画機に保存されたパターンがフォトレジスト13に形成される。

0024

図6を参照して、パターンが形成されたフォトレジスト13をマスクとして薄膜12がエッチングされることにより、透明基板11上の薄膜12にマスクパターンが転写される。そして、フォトレジスト13がアッシングなどにより除去される。このようにして、グリッド90上に位置づけられたパターンが透明基板11上のマスクパターンとして転写され、露光装置評価用フォトマスク5が製造される。

0025

図4を参照して、上述のように、設計された原画パターン14がグリッド90上に位置づけられる際には、任意のグリッド線により原画パターン14が複数の図形のパターンに分割され、複数の図形パターンのパターンデータが描画機に保存される。たとえば図4の評価用パターン1をx軸に平行なグリッド線で分割する場合、それぞれy=1、y=2、・・・、y=11で表わされる11本の直線(グリッド線)のうちいずれかの直線によリ、評価用パターン1が分割されることになる。

0026

本実施の形態における評価用パターン1においては、辺10aの長さがグリッド90の12(=j)個のマス目の長さとなっており、辺10bの長さがグリッド90の3個(=k)のマス目の長さとなっている。ここで、辺10aの長さは(m×d)個(m=4、d=3)と表わすことができ、辺10bの長さは(n×d)個(n=1)と表わすことができる(m、nは整数、dは2以上の整数、dがなるべく大きくなるように規定される)。したがって、辺10cがグリッド上の格子点を通るので、この格子点を通り、かつx軸(y軸でもよい)に平行な直線で評価用パターン1が複数の図形のパターンに分割される場合には、オフグリッドエラーが出現せず、丸め誤差が生じない。次に、この点について説明する。

0027

本実施の形態における評価用パターン1において、斜辺である辺10cは、頂点1a、1c以外にもグリッド90の格子点を通っている。具体的には、辺10cは(1,8)および(2,4)の2個((d−1)個)の格子点を通っている。したがって、(1,8)または(2,4)の座標を通り、かつx軸(y軸でもよい)に平行な直線で評価用パターン1が複数の図形のパターンに分割される場合には、オフグリッドエラーが出現せず、丸め誤差が生じない。つまり、評価用パターン1において、y=4およびy=8で表わされる直線がこれに相当する。

0028

図7(a)、(b)は、本発明の実施の形態1における評価用パターンをy=4で表わされる直線で分割した場合に描画機に保存されるパターンを示す平面図である。

0029

図4および図7(a)、(b)を参照して、評価用パターン1が、4つの頂点1d、1b、1c、1eを有する図形パターンと、3つの頂点1a、1d、1eを有する図形パターンとに分割されている。このとき、評価用パターン1を分割した線(y=4)上に図形の頂点1d、1eが新たに発生している。頂点1d、1eの各々はグリッド90の格子点を占めていて、頂点1dの座標は(0,4)であり、頂点1eの座標は(2,4)である。このように、評価用パターン1がy=4の直線により分割される場合には、評価用パターン1が描画機に入力される際にオフグリッドエラーが出現しないので、露光装置評価用フォトマスク5が製造される際に丸め誤差が生じない。なお、同様にy=8で表わされる直線で評価用パターン1が複数の図形のパターンに分割される場合にも、丸め誤差が生じない。

0030

一方、従来の評価用パターンの直角三角形は、θ>45°の範囲で形状が自由に設定されている。このため、オフグリッドエラーが出現し、丸め誤差が生じる可能性が高い。このことについて以下に説明する。

0031

図8は、従来の評価用パターンを示す平面図である。
図8を参照して、従来の露光装置評価用フォトマスクの原画パターンの一部である評価用パターン100がグリッド90上に配置されている。評価用パターン100の平面形状は直角三角形であり、3つの頂点100a〜100cと、3つの辺110a〜110cとを有している。辺110aはy軸上にあり、辺110bはx軸上にある。辺110aと辺110bとは直角に交わっていて、辺110cが斜辺となっている。

0032

従来の評価用パターン100においては、頂点100aと頂点100cとは、グリッド90の格子点から外れた位置を占めている。具体的には、頂点100aの座標は(0,11.・・・)であり、頂点100cの座標は(2.・・・,0)である。このため、評価用パターン100が描画機に入力される際には、頂点100a、100cの各々に起因するオフグリッドエラーが出現する。また、評価用パターン100においては、辺110aの長さをグリッド90の(m×d)個のマス目の長さとして表わすことができない。同様に、辺110bの長さをグリッド90の(n×d)個のマス目の長さとして表わすことができない。このため、さらに原画パターンを分割したグリッド線上に新たに発生した図形の頂点に起因してオフグリッドエラーが出現する。

0033

図9(a)、(b)は、従来の評価用パターンをy=4で表わされる直線で分割した場合に描画機に保存されるパターンを示す平面図である。

0034

図8および図9(a)、(b)を参照して、評価用パターン100が、4つの頂点100d、100b、100c、100eを有する図形パターンと、3つの頂点100a、100d、100eを有する図形パターンとに分割されている。このとき、評価用パターン100を分割した線(y=4)上に図形の頂点100d、100eが新たに発生している。頂点100eはグリッド90の格子点を占めていない。このため、従来の評価用パターン100には、グリッド90の格子点を占めていない3つの頂点100a、100c、100eの各々に起因するオフグリッドエラーが出現する。具体的には、3つの頂点100a、100c、100eの各々は座標の端数が切り捨てられ、それぞれ(0,11)、(2,0)、(1,4)の座標に位置する頂点100f、100g、100hのパターンデータとして描画機に保存される。その結果、実際に形成されるパターンは、4つの頂点100f、100b、100g、100hを有する図形パターンとなり、評価用パターン100との間に丸め誤差が発生してしまう。

0035

本実施の形態における露光装置評価用フォトマスク5の製造方法および露光装置評価用フォトマスク5によれば、3つの頂点1a〜1cはグリッド90の格子点を占めているので、評価用パターン1の直角三角形の辺10a、辺10bについて丸め誤差が生じなくなる。また、評価用パターン1の直角三角形の斜辺である辺10cは2個((d−1)個)のグリッドの格子点を通る。そこで、辺10cが通るグリッドの格子点を通り、かつx軸(またはy軸)に平行なグリッド線(y=4、y=8)で評価用パターン1が分割されれば、評価用パターン1が描画機に入力される際にオフグリッドエラーが出現しない。ここで、x軸に平行に評価用パターン1を分割可能である11本((j−1)本)のグリッド線のうち、分割する際にオフグリッドエラーが出現しない直線は2本((d−1)本)存在している。したがって、x軸に平行に評価用パターン1を分割可能であるグリッド線の本数に対する、オフグリッドエラーが出現しない直線の数の比は、0本/12本から2本/12本へと大きくなる。これにより、オフグリッドエラーが出現する可能性が低くなり、露光装置評価用フォトマスク5に丸め誤差が生じにくくなる。

0036

本実施の形態においては、辺10aの長さがグリッド90の12(=j)個のマス目の長さとなっており、辺10bの長さがグリッド90の3個(=k)のマス目の長さとなっている評価用パターン1について示したが、本発明はこのような場合に限定されるものではなく、直角三角形における斜辺を除く2つの辺のうち一方の辺の長さがグリッドのj個(jは整数)のマス目の長さであり、他方の辺の長さがグリッドのk個(kは整数)のマス目の長さであればよい。この条件を満たしている直角三角形において、斜辺と一方の辺とのなす角度は不連続な値に制限されている。

0037

本実施の形態においては、x軸に平行に評価用パターン1を分割する場合について示したが、このような場合のほか、たとえばy軸に平行に評価用パターン1を分割してもよい。この場合には、y軸に平行に評価用パターン1を分割可能であるグリッド線の数は2本((k−1)本)となる。

0038

(実施の形態2)
図10は、本発明の実施の形態2における評価用パターンを示す平面図である。

0039

図10を参照して、本実施の形態における露光装置評価用フォトマスクの原画パターンの一部である評価用パターン2が、グリッド90上に位置づけられている。評価用パターン2の平面形状は直角三角形であり、3つの頂点2a〜2cと、3つの辺20a〜20cとを有している。辺20aはy軸上にあり、辺20bはx軸上にある。辺20aと辺20bとは互いに直角に交わっていて、辺20cが斜辺となっている。また、3つの頂点2a〜2cはグリッド90の格子点を占めている。すなわち、頂点2aの座標は(0,9)であり、頂点2bの座標は(0,0)であり、頂点2cの座標は(3,0)である。実際には、評価用パターン2は、図10中x軸方向に規則的に並んでいる。

0040

なお、露光装置評価用フォトマスクの製造方法および露光装置評価用フォトマスクの構成については、本発明の実施の形態1に記載した内容とほぼ同じ工程により行なわれるので、説明は省略する。

0041

ここで、本実施の形態の評価用パターン2をたとえばx軸に平行なグリッド線で複数の図形のパターンに分割する場合、それぞれy=1、y=2、・・・、y=8で表わされる8本の直線(グリッド線)のうちいずれかの直線により、評価用パターン2が分割されることになる。

0042

また、本実施の形態における評価用パターン2においては、辺20aの長さがグリッド90の9(=j)個のマス目の長さとなっており、辺20bの長さがグリッド90の3(=k)個のマス目の長さとなっている。つまり、辺20aの長さは(m×d)個(m=3、d=3)と表わすことができ、辺20bの長さは(n×d)個(n=1)と表わすことができる。このように、dの値が実施の形態1の評価用パターン1(d=3)と同じであるため、x軸に平行に評価用パターン2を分割する際にオフグリッドエラーが出現しない直線の数は、評価用パターン1と同様に2本である。具体的には、評価用パターン2において、y=3およびy=6で表わされる直線がこれに相当する。

0043

以上のことから、本実施の形態における評価用パターン2においては、x軸に平行に評価用パターン2を分割可能である8本((j−1)本)のグリッド線のうち、分割する際にオフグリッドエラーが出現しない直線は2本((d−1)本)存在することになる。したがって、評価用パターン1と比較して、x軸に平行に評価用パターン1を分割可能であるグリッド線の本数に対する、オフグリッドエラーが出現しない直線の数の比は、2本/12本から2本/8本へと大きくなる。このため、オフグリッドエラーが出現する可能性が一層低くなり、その結果丸め誤差が生じにくくなる。

0044

このように、オフグリッドエラーが出現する可能性を低くするためには、dの値を大きくし、(j−1)および(k−1)の値、すなわちjおよびkの値を小さくすればよいことがわかる。jおよびkの値を均等に小さくするためには、j/kの値を1に近づければよい。なお、実施の形態1における評価用パターン1のj/kの値は1/4となっているが、本実施の形態における評価用パターン2のj/kの値は1/3となっていて、より1に近くなっている。

0045

本実施の形態における露光装置評価用フォトマスク5の製造方法および露光装置評価用フォトマスク5において、評価用パターン2におけるjとkとは、1/3≦j/k≦3の関係を満たしている。

0046

これにより、j/kの値が1に近くなっているので、評価用パターン2を分割可能であるグリッド線の本数((j−1)本または(k−1)本)が少なくなっている。このため、分割する際にオフグリッドエラーが出現しないグリッド線の本数((d−1)本)が一定である場合に、オフグリッドエラーが出現する可能性が一層減り、その結果、露光装置評価用フォトマスクに丸め誤差が一層生じにくくなる。

0047

なお、本実施の形態の評価用パターン2においては、j/kの値が1/3である場合について示したが、本発明はこのような場合に限定されるものではなく、nとmとが1/3≦j/k≦3の関係を満たしていれば、オフグリッドエラーが出現する可能性が一層減り、丸め誤差が一層生じにくくなる。

0048

(実施の形態3)
図11は、本発明の実施の形態3における評価用パターンを示す平面図である。

0049

図11を参照して、本実施の形態における露光装置評価用フォトマスクの原画パターンの一部である評価用パターン3が、グリッド90上に配置されている。評価用パターン3は直角三角形であり、3つの頂点3a〜3cと、3つの辺30a〜30cとを有している。辺30aはy軸上にあり、辺30bはx軸上にある。辺30aと辺30bとは互いに直角に交わっていて、辺30cが斜辺となっている。また、3つの頂点3a〜3cはグリッド90の格子点を占めている。すなわち、頂点3aの座標は(0,12)であり、頂点3bの座標は(0,0)であり、頂点3cの座標は(12,0)である。なお、実際には、評価用パターン3は図11中x軸方向に規則的に並んでいる。

0050

なお、露光装置評価用フォトマスクの製造方法および露光装置評価用フォトマスクの構成については、本発明の実施の形態1に記載した内容とほぼ同じ工程により行なわれるので、説明は省略する。

0051

本実施の形態における評価用パターン3においては、辺30aの長さがグリッド90の12(=j)個のマス目の長さとなっており、辺30bの長さがグリッド90の12(=k)個のマス目の長さとなっている。つまり、辺30aの長さは(m×d)個(m=1、d=12)と表わすことができ、辺30bの長さは(n×d)個(n=1)と表わすことができる。

0052

したがって、本実施の形態の評価用パターン3をたとえばx軸に平行なグリッド線で複数の図形のパターンに分割する場合、それぞれy=1、y=2、・・・、y=11で表わされる11本((j−1)本)の直線(グリッド線)のうちいずれかの直線により、評価用パターン3が分割されることになる。また、x軸に平行に評価用パターン3を分割する際にオフグリッドエラーが出現しない直線の数は、11本((d−1)本)である。具体的には、y=1、y=2、・・・、y=11で表わされる直線がこれに相当する。したがって、評価用パターン3がいずれのグリッド線により複数の図形のパターンに分割されても、オフグリッドエラーが出現しない。

0053

本実施の形態における露光装置評価用フォトマスクの製造方法および露光装置評価用フォトマスクにおいて、評価用パターン3におけるjとkとは、j/k=1の関係を満たしている。

0054

これにより、評価用パターン3を分割可能なグリッド線の本数と、評価用パターン3を分割する際にオフグリッドエラーが出現しないグリッド線の本数とが同じになるので、いずれのグリッド線により評価用パターン3が分割されても、オフグリッドエラーが出現しない。したがって、オフグリッドエラーが出現する可能性がなくなり、その結果、露光装置評価用フォトマスクに丸め誤差が生じなくなる。

0055

(実施の形態4)
図12(a)〜(c)は、本発明の実施の形態4における露光装置評価用フォトマスクを示す平面図である。

0056

図12(a)〜(c)を参照して、本実施の形態における露光装置評価用フォトマスク5a〜5cは、図11に示す実施の形態3における評価用パターン3を用いて製造されたものである。露光装置評価用フォトマスク5a〜5cの各々は、直線部分6a〜6cの各々と、評価用パターン7a〜7cの各々とを有している。評価用パターン7a〜7cの各々は相似関係にある。直線部分6a〜6cの各々は図12(a)〜(c)中y軸方向に伸びている。図12(a)においては、直線部分6aと接するように3つの評価用パターン7aがy軸方向に等間隔に並んで配置されている。図12(b)においては、直線部分6bと接するように5つの評価用パターン7bがy軸方向に等間隔に並んで配置されている。図12(c)においては、直線部分6cと接するように8つの評価用パターン7cがy軸方向に等間隔に並んで配置されている。評価用パターン7a〜7aの各々は、直線部分6a〜6cの各々に対して垂直な辺8a〜8cの各々と、斜辺9a〜9cの各々とを有している。評価用パターン7aの直角三角形において、直線部分6aと接触していない頂点同士の距離(ピッチ)は距離d1となっている。また、評価用パターン7bの直角三角形の各々において、直線部分6bと接触していない頂点同士の距離(ピッチ)は距離d2となっている。さらに、評価用パターン7cの直角三角形において、直線部分6cと接触していない頂点同士の距離(ピッチ)は距離d3となっている。距離d1、距離d2、距離d3の間には、d1:d2:d3=3:2:1の関係が成り立っている。

0057

続いて、本実施の形態における露光装置評価用フォトマスク5a〜5cを用いた収差評価方法について説明する。

0058

露光装置評価用フォトマスク5aがマスクステージ上に固定される。そして、基板の位置(高さ)を段階的に変化させながら、露光装置評価用フォトマスク5aの評価用パターン7aが基板上のフォトレジストに順次露光される。次に、フォトレジストを現像することにより、フォトレジストに凹凸の評価用パターン7aが転写される。そして、フォトレジストに転写された複数の評価用パターン7aが観察され、辺8aの長さが最も長くなっている評価用パターン7aを特定し、その評価用パターン7aが露光された基板の位置からベストフォーカス位置が計測される。続いて、露光装置評価用フォトマスク5b、5cについても、同様の方法によりベストフォーカス位置が計測される。

0059

ここで、評価用パターン7a〜7cが基板上のフォトレジストに露光される際に、露光装置評価用フォトマスク5a〜5cの評価用パターン7a〜7cが形成されている領域(パターン形成領域)を透過する透過光には回折光が含まれている。回折光は、評価用パターン7aから直進する光(0次回折光)の進行方向に対して、sinθ=λ/d(λ:露光光の波長、d:スリットの幅)を満たす角度θだけ傾いた方向に発生する。

0060

図13(a)〜(c)は、本発明の実施の形態4における露光装置評価用フォトマスクを用いて露光を行なう場合に発生する回折光を説明するための模式図である。

0061

図13(a)を参照して、透明基板11と、評価用パターン7aが形成された薄膜12とよりなる露光装置評価用フォトマスク5aと、投影レンズ24と、基板25とが示されている。基板25の上面にはフォトレジストが塗布されている。図示しない照射系から露光装置評価用フォトマスク5aへ照射された露光光は、露光装置評価用フォトマスク5aを透過し、投影レンズ24を介して基板25上で結像する。これにより、基板25上に転写パターンが形成される。

0062

露光装置評価用フォトマスク5aの距離d1で表わされる部分を露光光が透過すると、0次回折光の進行方向に対してsinθ11=λ/d1で表わされる角度θ11だけ傾いた方向に波長λの1次回折光が生じる。同様に、sinθ12=2λ/d1で表わされる角度θ12だけ傾いた方向に波長2λの2次回折光が発生する。露光装置評価用フォトマスク5aにおける評価用パターン7aにおいては、0次回折光、1次回折光および2次回折光が投影レンズ24に入射し、3次回折光以上の高次の回折光が投影レンズ24に入射しないように距離d1が設定されている。これにより、基板25上で結像する露光光は、0次回折光、1次回折光および2次回折光を含んでいる。したがって、露光装置評価用フォトマスク5aを用いて計測されたベストフォーカス位置により、0次回折光、1次回折光および2次回折光が受ける投影露光装置の投影レンズ24の球面収差が評価される。

0063

続いて、図13(b)を参照して、露光装置評価用フォトマスク5aの代わりに、露光装置評価用フォトマスク5bが示されている。露光装置評価用フォトマスク5bの距離d2で表わされる部分を露光光が通過すると、0次回折光の進行方向に対してsinθ21=λ/d2表わされる角度θ21だけ傾いた方向に波長λの1次回折光が発生する。同様に、sinθ22=2λ/d2で表わされる角度θ22だけ傾いた方向に波長2λの2次回折光が発生する。しかし、距離d2は距離d1よりも小さいので、角度θ22は角度θ12よりも大きくなる。露光装置評価用フォトマスク5bにおける評価用パターン7bにおいては、0次回折光、1次回折光が投影レンズ24に入射し、2次回折光以上の高次の回折光が投影レンズ24に入射しないように距離d2が設定されている。これにより、基板25上で結像する露光光は、2次回折光以上の高次の回折光を含んでいない。したがって、露光装置評価用フォトマスク5bを用いて計測されたベストフォーカス位置により、0次回折光および1次回折光が受ける投影露光装置の投影レンズ24の球面収差が評価される。

0064

続いて、図13(c)を参照して、露光装置評価用フォトマスク5bの代わりに、露光装置評価用フォトマスク5cが示されている。露光装置評価用フォトマスク5cの距離d3で表わされる部分を露光光が通過すると、0次回折光の進行方向に対してsinθ31=λ/d3表わされる角度θ31だけ傾いた方向に波長λの1次回折光が発生する。しかし、距離d3は距離d2よりも小さいので、角度θ31は角度θ21よりも大きくなり、1次回折光は投影レンズ24に入射しない。すなわち、0次回折光のみが投影レンズ24に入射する。これにより、基板25上で結像する露光光は、1次以上の高次の回折光を含んでいない。したがって、露光装置評価用フォトマスク5cを用いて計測されたベストフォーカス位置により、0次回折光が受ける投影露光装置の投影レンズ24の球面収差が評価される。なお、図13(a)〜(c)においては、たとえば距離d1〜d3の値がそれぞれd1=0.6μm、d2=0.4μm、d3=0.2μmである露光装置評価用フォトマスク5a〜5cが用いられ、たとえば波長λ=248nmである露光光が用いられる。

0065

上記のようにして得られた各々のベストフォーカス位置のうち、露光装置評価用フォトマスク5aを用いて計測したベストフォーカス位置と、露光装置評価用フォトマスク5bを用いて計測したベストフォーカス位置との差から、2次回折光が受ける投影レンズ24の球面収差を求めることができる。同様に、露光装置評価用フォトマスク5bを用いて計測したベストフォーカス位置と、露光装置評価用フォトマスク5cを用いて計測したベストフォーカス位置との差から、1次回折光が受ける投影レンズ24の球面収差を求めることができる。

0066

本実施の形態における収差評価方法によれば、これまで困難であった1次回折光、2次回折光などの高次の回折光が受ける露光装置の投影レンズ24の球面収差が評価可能となる。また、高次の回折光が受ける露光装置の投影レンズ24の球面収差に基づいて露光装置の投影レンズ24の位置を調整することにより、露光工程においてフォトレジストに転写されるパターンの像をより鮮明にすることができ、コントラストを改善することができる。

0067

なお、本実施の形態においては、0次回折光、1次回折光および2次回折光の結像により転写パターンを形成する露光装置評価用フォトマスク5aと、0次回折光および1次回折光の結像により転写パターンを形成する露光装置評価用フォトマスク5bとが用いられる場合について示したが、本発明はこのような場合に限定されるものではなく、評価用パターン形成領域を透過した透過光のうち0次〜i次回折光(iは1以上の整数)の結像により第1の転写パターンを形成する一の露光装置評価用フォトマスクと、評価用パターン形成領域を透過した透過光のうち0次〜(i+1)次回折光の結像により第2の転写パターンを形成する他の露光装置評価用フォトマスクとが用いられればよい。この場合には、(i+1)次回折光が受ける投影レンズの球面収差を評価することができる。

0068

(実施の形態5)
図14(a)、(b)は、本発明の実施の形態5における露光装置評価用フォトマスクを示す平面図である。

0069

図14(a)、(b)を参照して、本実施の形態における露光装置評価用フォトマスク5dは、図11に示す実施の形態3における原画パターンの一部である評価用パターン3を用いて製造されたものである。露光装置評価用フォトマスク5dは、直線部分6d(一の直線)と、評価用パターン7dとを有している。図14(a)中x軸方向に直線部分6dが伸びている。露光装置評価用フォトマスク5dにおいては、直線部分6dと接するように5つの評価用パターン7dがx軸方向に等間隔に並んで配置されている。評価用パターン7dは直角三角形であり、直線部分6dに対して垂直な辺8dと、斜辺9dとを有している。

0070

図14(b)を参照して、本実施の形態における露光装置評価用フォトマスク5eは、直線部分6e(他の直線)と、評価用パターン7eとを有している。図14(b)中y軸方向に直線部分6eが伸びている。露光装置評価用フォトマスク5eにおいては、直線部分6eと接するように5つの評価用パターン7eがy軸方向に等間隔に並んで配置されている。評価用パターン7eは直角三角形であり、直線部分6eに対して垂直な辺8eと、斜辺9eとを有している。すなわち、露光装置評価用フォトマスク5eは、露光装置評価用フォトマスク5dを時計回りに1/4回転した形状になっている。

0071

本実施の形態における収差評価方法においては、実施の形態4と同様の方法により、露光装置評価用フォトマスク5d、5eの各々を用いた場合におけるベストフォーカス位置が計測される。ここで、評価用パターン7eの辺8eはx軸方向に伸びているので、露光装置評価用フォトマスク5eを用いた場合におけるベストフォーカス位置は、投影露光装置の投影レンズにおけるx軸方向のベストフォーカス位置を示している。また、評価用パターン7dの辺8dはy軸方向に伸びているので、露光装置評価用フォトマスク5dを用いた場合におけるベストフォーカス位置は、投影露光装置の投影レンズにおけるy軸方向のベストフォーカス位置を示している。投影露光装置の投影レンズに非点収差がある場合には、x軸方向のベストフォーカス位置と、y軸方向のベストフォーカス位置とに差が生じる。そこで、露光装置評価用フォトマスク5dを用いて計測したベストフォーカス位置と、露光装置評価用フォトマスク5eを用いて計測したベストフォーカス位置との差から、投影露光装置の投影レンズの非点収差を評価することができる。

0072

本実施の形態における収差評価方法によれば、露光装置の投影レンズの非点収差が評価可能となる。また、露光装置の投影レンズの非点収差に基づいて投影露光装置の投影レンズを調整することにより、露光工程においてフォトレジストに転写されるパターンの像をより鮮明にすることができ、コントラストを改善することができる。

0073

(実施の形態6)
図15は、本発明の実施の形態6における一の露光装置評価用フォトマスクを示す平面図である。

0074

図15を参照して、本実施の形態における露光装置評価用フォトマスク5gは、図11に示す実施の形態3における原画パターンの一部である評価用パターン3を用いて製造されたものである。露光装置評価用フォトマスク5gは、直線部分6g(一の直線)と、評価用パターン7gとを有している。露光装置評価用フォトマスク5gの評価用パターン7gは、図14(b)に示す露光装置評価用フォトマスク5eの評価用パターン7eと、直線部分6eに関して線対称な形状である。評価用パターン7gは、直線部分6gに対して垂直な辺8gと、斜辺9gとを有している。

0075

本実施の形態における収差評価方法においては、実施の形態4と同様の方法により、図15の露光装置評価用フォトマスク5gと、図14(b)に示す露光装置評価用フォトマスク5eとの各々を用いた場合におけるベストフォーカス位置での転写パターンの図形の長さが計測される。ここで、評価用パターン7gの辺8gはx軸の負の方向に伸びているので、露光装置評価用フォトマスク5gを用いた場合に、ベストフォーカス位置での転写された辺8gの長さを計測すると、投影露光装置の投影レンズにおけるx軸の負の方向への寄与が得られる。また、評価用パターン7eの辺8eはx軸の正の方向に伸びているので、露光装置評価用フォトマスク5eを用いた場合に、ベストフォーカス位置での転写された辺8eの長さを計測すると、投影露光装置の投影レンズにおけるx軸の正の方向への寄与が得られる。露光装置の投影レンズにx軸方向のコマ収差がある場合には、結像時においてx軸の正方向の寄与と、x軸の負方向の寄与とに差が生じる。そこで、ベストフォーカス位置での転写された辺8eの長さと、ベストフォーカス位置での転写された辺8gの長さとの差から、投影露光装置の投影レンズのx軸方向のコマ収差を評価することができる。

0076

本実施の形態における収差評価方法によれば、露光装置の投影レンズのx軸方向のコマ収差が評価可能となる。また、露光装置の投影レンズのx軸方向のコマ収差に基づいて露光装置の投影レンズを調整することにより、露光工程においてフォトレジストに転写されるパターンの像をより鮮明にすることができ、コントラストを改善することができる。

0077

(実施の形態7)
図16は、本発明の実施の形態7における一の露光装置評価用フォトマスクを示す平面図である。

0078

図16を参照して、本実施の形態における露光装置評価用フォトマスク5hは、図11に示す実施の形態3における原画パターンの一部である評価用パターン3を用いて製造されたものである。露光装置評価用フォトマスク5hは、直線部分6h(一の直線)と、評価用パターン7hとを有している。露光装置評価用フォトマスク5hの評価用パターン7hは、図14(a)における露光装置評価用フォトマスク5dの評価用パターン7dと、直線部分6dに関して線対称な形状である。評価用パターン7hは、直線部分6hに対して垂直な辺8hと、斜辺9hとを有している。

0079

本実施の形態における収差評価方法においては、実施の形態4と同様の方法により、図16の露光装置評価用フォトマスク5hと、図14(a)に示す露光装置評価用フォトマスク5dとの各々を用いた場合におけるベストフォーカス位置での転写パターンの図形の長さが計測される。ここで、評価用パターン7hの辺8hはy軸の負の方向に伸びているので、露光装置評価用フォトマスク5hを用いた場合に、ベストフォーカス位置での転写された辺8hの長さを計測すると、投影露光装置の投影レンズにおけるy軸の負の方向への寄与が得られる。また、評価用パターン7dの辺8dはy軸の正の方向に伸びているので、露光装置評価用フォトマスク5dを用いた場合に、ベストフォーカス位置での転写された辺8dの長さを計測すると、投影露光装置の投影レンズにおけるy軸の正の方向への寄与が得られる。露光装置の投影レンズにy軸方向のコマ収差がある場合には、結像時においてy軸の正方向の寄与と、y軸の負方向の寄与とに差が生じる。そこで、ベストフォーカス位置での転写された辺8dの長さと、ベストフォーカス位置での転写された辺8hの長さとの差から、投影露光装置の投影レンズのy軸方向のコマ収差を評価することができる。

0080

本実施の形態における収差評価方法によれば、露光装置の投影レンズのy軸方向のコマ収差が評価可能となる。また、露光装置の投影レンズのy軸方向のコマ収差に基づいて露光装置の投影レンズを調整することにより、露光工程においてフォトレジストに転写されるパターンの像をより鮮明にすることができ、コントラストを改善することができる。

0081

実施の形態4〜7においては、別々の露光装置評価用フォトマスクに別々の評価用パターンが形成されている場合について示したが、本発明はこのような場合の他、1つの露光装置評価用フォトマスクに複数の形状の評価用パターンが形成されてもよい。

発明を実施するための最良の形態

0082

以上に開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考慮されるべきである。本発明の範囲は、以上の実施の形態ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての修正や変形を含むものと意図される。

図面の簡単な説明

0083

以上のように、本発明における露光装置評価用フォトマスクの製造方法によれば、評価用パターンの直角三角形の3つの頂点はグリッドの格子点を占めているので、直角三角形における斜辺を除く2つの辺について丸め誤差が生じなくなる。また、直角三角形における斜辺を除く2つの辺の長さがそれぞれ(m×d)個、(n×d)個(m、nは整数、dは2以上の整数、dがなるべく大きくなるように規定される)のマス目の長さであれば、評価用パターンの直角三角形の斜辺は(d−1)個のグリッドの格子点を通る。したがって、斜辺が通るグリッドの格子点を通るグリッド線で原画パターンが分割されれば、原画パターンがグリッド上に位置づけられたパターンとされる際にオフグリッドエラーが出現せず、フォトマスクにパターンが形成される際に丸め誤差が生じない。このような直線はグリッド線の一方の軸に平行な直線で(d−1)本存在している。したがって、オフグリッドエラーが出現する可能性が減り、丸め誤差が生じにくくなる。

図1
本発明の実施の形態1における露光装置評価用フォトマスクを示す斜視図である。
図2
本発明の実施の形態1における露光装置評価用フォトマスクの原画パターンを示す平面図である。
図3
グリッド上に位置づけられた原画パターンを示す平面図である。
図4
本発明の実施の形態1における評価用パターンを示す平面図である。
図5
本発明の実施の形態1における露光装置評価用フォトマスクの製造方法の第1工程を示す断面図である。
図6
本発明の実施の形態1における露光装置評価用フォトマスクの製造方法の第2工程を示す断面図である。
図7
(a)本発明の実施の形態1における評価用パターンをy=4で表わされる直線で分割した場合に描画機に保存されるパターンの一方を示す平面図である。(b)本発明の実施の形態1における評価用パターンをy=4で表わされる直線で分割した場合に描画機に保存されるパターンの他方を示す平面図である。
図8
従来の評価用パターンを示す平面図である。
図9
(a)従来の評価用パターンをy=4で表わされる直線で分割した場合に描画機に保存されるパターンの一方を示す平面図である。(b)従来の評価用パターンをy=4で表わされる直線で分割した場合に描画機に保存されるパターンの他方を示す平面図である。
図10
本発明の実施の形態2における評価用パターンを示す平面図である。
図11
本発明の実施の形態3における評価用パターンを示す平面図である。
図12
(a)本発明の実施の形態4における一の露光装置評価用フォトマスクを示す平面図である。(b)本発明の実施の形態4における他の露光装置評価用フォトマスクを示す平面図である。(c)本発明の実施の形態4におけるさらに他の露光装置評価用フォトマスクを示す平面図である。
図13
(a)本発明の実施の形態4における一の露光装置評価用フォトマスクを用いて露光を行なう場合に発生する回折光を説明するための模式図である。(b)本発明の実施の形態4における他の露光装置評価用フォトマスクを用いて露光を行なう場合に発生する回折光を説明するための模式図である。(c)本発明の実施の形態4におけるさらに他の露光装置評価用フォトマスクを用いて露光を行なう場合に発生する回折光を説明するための模式図である。
図14
(a)本発明の実施の形態5における一の露光装置評価用フォトマスクを示す平面図である。(b)本発明の実施の形態5における他の露光装置評価用フォトマスクを示す平面図である。
図15
本発明の実施の形態6における一の露光装置評価用フォトマスクを示す平面図である。
図16
本発明の実施の形態7における一の露光装置評価用フォトマスクを示す平面図である。
【符号の説明】
1,2,3,7a〜7e,7g,7h,100 評価用パターン、1a〜1e,2a〜2c,3a〜3c,100a〜100h 頂点、5,5a〜5e,5g,5h 露光装置評価用フォトマスク、6,6a〜6e,6g,6h 直線部分、8,8a〜8e,8g,8h,10a〜10c,20a〜20c,30a〜30c,110a〜110c 辺、9,9a〜9e,9g,9h 斜辺、11 透明基板、12薄膜、13フォトレジスト、14 原画パターン、24投影レンズ、25 基板、90 グリッド。

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