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技術 情報層中に吸光性化合物としての色素を含有する光学データ媒体

出願人 バイエルアクチェンゲゼルシャフトソニー株式会社
発明者 ホルストベルネートフリードリヒ−カールブルーダーヴィルフリートヘーゼライナーハーゲンカーリンハセンリュックセルゲイコストロミーネペーターランデンベルガーラファエルオーザートーマスゾンマーマンヨーゼフ−ヴァルターシュターヴィッツトーマスビーリンガー佐飛裕一玉田作哉山本眞伸
出願日 2002年3月20日 (17年4ヶ月経過) 出願番号 2002-578290
公開日 2004年11月11日 (14年9ヶ月経過) 公開番号 2004-534344
状態 拒絶査定
技術分野 熱転写、熱記録一般 染料 光学的記録担体およびその製造 光記録担体の製造
主要キーワード 溶融接着層 書き込みマーク 書き込みパラメータ メタリック層 ソルバトクロミズム スピンオフ 作業波長 ソレー帯
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この項目の情報は公開日時点(2004年11月11日)のものです。
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図面 (2)

課題・解決手段

1層以上のバリヤ層で場合により既に被覆され、かつ光を用いて書き込み可能情報層、場合により1層以上のバリヤ層及びカバー層が表面上に適用されている有利には透明な基板を有する光学データ媒体であって、該データ媒体集束青色光、有利には360nm〜460nmの波長を有するレーザ光を使用してカバー層を通って情報層上で書き込み及び読み出しが可能であり、該情報層が吸光性化合物及び場合によりバインダーを含有する光学データ媒体において、少なくとも1つの色素を吸光性化合物として使用し、その際、情報層の上の接着層を含むカバー層が10μm〜177μmの全厚を有し、かつ焦点対物レンズ装置の開口数NAが0.8より大きいか又はそれに等しいことを特徴とする光学データ媒体。

概要

背景

概要

1層以上のバリヤ層で場合により既に被覆され、かつ光を用いて書き込み可能情報層、場合により1層以上のバリヤ層及びカバー層が表面上に適用されている有利には透明な基板を有する光学データ媒体であって、該データ媒体集束青色光、有利には360nm〜460nmの波長を有するレーザ光を使用してカバー層を通って情報層上で書き込み及び読み出しが可能であり、該情報層が吸光性化合物及び場合によりバインダーを含有する光学データ媒体において、少なくとも1つの色素を吸光性化合物として使用し、その際、情報層の上の接着層を含むカバー層が10μm〜177μmの全厚を有し、かつ焦点対物レンズ装置の開口数NAが0.8より大きいか又はそれに等しいことを特徴とする光学データ媒体。

目的

本発明の課題は、単一書き込み可能な光学データ媒体における情報層での使用のため、特に360〜460nmのレーザ波長範囲における高密度書き込み可能な光学データ記憶機構のための高い要求(例えば光安定性、有利な信号/雑音比基板材料への無損傷の適用など)を満たす適当な化合物を提供する

効果

実績

技術文献被引用数
0件
牽制数
2件

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請求項1

1層以上のバリヤ層で場合により既に被覆され、かつ光を用いて書き込み可能情報層、場合により1層以上のバリヤ層及びカバー層が表面上に適用されている有利には透明な基板を有する光学データ媒体であって、該データ媒体集束青色光、有利には360nm〜460nmの波長を有するレーザ光を使用してカバー層を通って情報層上で書き込み及び読み出しが可能であり、該情報層が吸光性化合物及び場合によりバインダーを含有する光学データ媒体において、少なくとも1つの色素を吸光性化合物として使用し、その際、情報層の上の接着層を含むカバー層が10μm〜177μmの全厚を有し、かつ焦点対物レンズ装置の開口数NAが0.8より大きいか又はそれに等しいことを特徴とする光学データ媒体。

請求項2

吸光性化合物として使用される色素がフタロシアニン又はナフタロシアニンであり、その際、両者の場合に芳香環複素環であってよい、請求項1記載の光学データ媒体。

請求項3

吸光性化合物として使用される色素がメロシアニン色素である、請求項1記載の光学データ媒体。

請求項4

情報層上のバリヤ層が少なくとも、1層の誘電性層を有する、請求項1記載の光学データ媒体。

請求項5

バリヤ層が誘電性層を情報層上で直接有し、かつ感圧性接着層を誘電性層上に有し、かつその上に最上層のカバー層を有する、請求項1記載の光学データ媒体。

請求項6

最上層のカバー層がポリカーボネートコポリカーボネートポリシクロオレフィン又はポリオレフィンである、請求項1記載の光学データ媒体。

請求項7

色素が式(I)MPc[R3]w[R4]x[R5]y[R6]z(I)[式中、Pcはフタロシアニン又はナフタロシアニンを表し、その際、両者の場合に芳香環は複素環であってもよく、Mは2つの無関係のH原子を表すか、二価金属原子を表すか、又は三価アキシアル一置換された式(Ia)の金属原子を表すか、又は四価のアキシアルに二置換された式(Ib)の金属原子を表すか、又は三価のアキシアルに一置換されかつアキシアルに一配位された式(Ic)の金属原子を表し、その際、荷電配位子又は置換基X1又はX2の場合において、電荷対イオンによって補償されており、かつ基R3〜R6はフタロシアニンの置換基に相当し、X1及びX2は互いに無関係にハロゲンヒドロキシル酸素シアノ、チオシアナト、シアナト、アルケニルアルキニルアリールチオジアルキルアミノアルキルアルコキシアシルオキシアルキルチオアリールアリールオキシ、−O−SO2R8、O−PR10R11、−O−P(O)R12R13、−O−SiR14R15R16、NH2、アルキルアミノ及び複素環式アミンの基を表し、R3、R4、R5及びR6は互いに無関係にハロゲン、シアノ、ニトロ、アルキル、アリール、アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アルコキシ、アルキルチオ、アリールオキシ、アリールチオ、SO3H、SO2NR1R2、CO2R9、CONR1R2、NH−COR7又は式−(B)m−D(式中、Bは直接的な結合、CH2、CO、CH(アルキル)、C(アルキル)2、NH、S、O又は−CH=CH−からなる群から選択される架橋員を示し、その際(B)mは架橋員Bの化学的に適切な順序を示し、m=1〜10であり、有利にはmは1、2、3又は4であり、Dは式のレドックス系一価の基を表すか、又はメタロセニル基又はメタロセニルカルボニル基を表し、その際、チタンマンガン、鉄、ルテニウム又はオスミウム金属中心として適当である)の基を表し、Z1及びZ2は互いに無関係にNR′R′′、OR′′又はSR′′を表し、Y1はNR′、O又はSを表し、Y2はNR′を表し、nは1〜10を表し、かつR′及びR′′は互いに無関係に水素、アルキル、シクロアルキル、アリール又はヘテロアリールを表すか、又はのC原子の1つへの直接的な結合又は架橋を形成し、w、x、y及びzは互いに無関係に0〜4を表し、かつw+x+y+z≦16を表し、R1及びR2は互いに無関係にアルキル、ヒドロキシアルキル又はアリールを表すか、又はR1及びR2はこれらを結合させるN原子と一緒になって、場合により更なるヘテロ原子、特にO、N及びSからなる群から選択されるヘテロ原子と共に複素環式の5、6又は7員環を形成し、その際、特にNR1R2はピロリジノピペリジノ又はモルホリノを表し、R7及びR16は互いに無関係にアルキル、アリール、ヘテロアリール又は水素を表す]に相当する、請求項1記載の光学データ媒体。

請求項8

式中のMが2つの無関係のH原子を表すか、又はCu、Ni、Zn、Pd、Pt、Fe、Mn、Mg、Co、Ru、Ti、Be、Ca、Ba、Cd、Hg、Pb及びSnからなる群から選択される二価の金属原子を表すか、又は式(Ia)のMeがAl、Ga、Ti、In、Fe又はMnを表す三価のアキシアルに一置換された金属原子を表すか、又は式(Ib)のMeがSi、Ge、Sn、Zn、Cr、Ti、Co又はVを表す四価の金属原子を表す、請求項7記載の光学データ媒体。

請求項9

式中のMが式(Ia)又は(Ib)のMeがAl又はSiを表す基を表し、X1及びX2がハロゲン、特に塩素、アリールオキシ、特にフェノキシ又はアルコキシ、特にメトキシを表し、かつw、x、y及びzがそれぞれ0を表す、請求項2記載の光学データ媒体。

請求項10

吸光性化合物がメロシアニンである、請求項1記載の光学データ媒体。

請求項11

吸光性化合物が式(I)[式中、Aは式の基を表し、X1はCN、CO−R1、COO−R2、CONHR3又はCONR3R4を表し、X2は水素、C1〜C6−アルキル、C6〜C10−アリール、5員又は6員の複素環式基、CN、CO−R1、COO−R2、CONHR3又はCONR3R4を表すか、又はCX1X2は式の環(前記の環はベンゼン縮合又はナフタレン縮合されていてよく、かつ/又は非イオン性基又はイオン性基によって置換されていてよく、かつアスタリスク(*)は二重結合を生じる環原子を示している)を表し、X3はN又はCHを表し、X4はO、S、N、N−R6又はCHを表し、その際、X3及びX4は同時にCHを表さず、X5はO、S又はN−R6を表し、X6はO、S、N、N−R6、CH又はCH2を表し、式(II)の環BはX4、X3及びその間に結合されるC原子と一緒に、かつ式(V)の環CはX5、X6及びその間に結合されるC原子と一緒に、互いに無関係に、1〜4個のヘテロ原子を有してよい及び/又はベンゼン縮合又はナフタレン縮合されていてよい及び/又は非イオン性又はイオン性の基によって置換されていてよい5員又は6員の芳香族の又は準芳香族の複素環を表し、Y1はN又はC−R7を表し、Y2はN又はC−R8を表し、R1〜R6は互いに無関係に、水素、C1〜C6−アルキル、C3〜C6−アルケニル、C5〜C7−シクロアルキル、C6〜C10−アリール又はC7〜C15−アラルキルを表し、R7及びR8は互いに無関係に水素、シアノ又はC1〜C6−アルキルを表し、R9及びR10は互いに無関係にC1〜C6−アルキル、C6〜C10−アリール又はC7〜C15−アラルキルを表すか、又はNR9R10は5員又は6員の飽和複素環を表す]に相当する、請求項1記載の光学データ媒体。

請求項12

請求項1記載の光学データ媒体を製造するための方法において、バリヤ層で場合により既に被覆された有利には透明な基板を色素で、場合により適当なバインダー及び添加剤及び場合により溶剤と組み合わせて被覆し、かつ場合により接着層によって適用されるバリヤ層、更なる中間層及びカバー層を提供することを特徴とする光学データ媒体の製造方法。

請求項13

色素による被覆をスピンコーティングスパッタリング又は蒸着によって実施する、請求項1記載の光学データ媒体の製造方法。

請求項14

青色光、有利にはレーザ光、特に波長360〜460nmを有するレーザ光を用いて、請求項1記載の光学データ媒体上に書き込むことによって得られる、書き込み可能な情報層を有する光学データ媒体。

--

0001

本発明は、有利には単一書き込み可能な、情報層中に吸光性化合物としての少なくとも1種の色素を含有し、かつ全て規定の厚さのカバー層を有し、かつ規定の開口数を有する焦点光学装置で書き込み及び読み出しが可能な光学データ媒体並びにその製造方法に関する。

0002

用語“単一書き込み可能な”は用語“1回書き込み可能な”と同じ意味を有する。

0003

特定の吸光性物質又はその混合物を使用する単一記録可能な光学データ媒体は、特に青色レーザダイオード、特にGaN又はSHGレーザダイオード(360〜460nm)で行う高密度書き込み可能な光学データ媒体の場合に使用するために、かつ/又は赤色(635〜660nm)又は赤外(760〜830nm)レーザダイオードで行うDVD−R又はCD−Rディスクの場合に使用するために、かつ例えばポリカーボネートコポリカーボネートポリシクロオレフィンポリオレフィンから製造されるポリマー基板スピンコーティング蒸着又はスパッタリングによって前記の色素を適用するために適当である。

0004

単一書き込み可能なコンパクトディスク(CD−R、780nm)は近年、量的に多大な成長を経験しており、かつ技術的に確立されたシステムである。

0005

最近では、次世代の光学データ記憶機構“DVD”が市場に出回っている。より短波長レーザ光線(635〜660nm)及びより高い開口数NAを使用することによって記憶密度を高めることができる。この場合では単一書き込み可能なフォーマットはDVD−Rである。

0006

高いレーザ出力を有する青色レーザダイオード(GaNベース、JP−A−08191171号又は第二高調波発生SHGに基づく、JP−A−09050629)(360nm〜460nm)を使用する光学データ記録フォーマットが今日では開発されている。書き込み可能な光学データ記憶機構は従ってこの世代でも使用される。書き込み可能な記録密度情報面におけるレーザスポット集束に依存する。該スポットサイズはレーザ波長λ/NAで評価される。NAは使用されるレンズの開口数である。出来るだけ高い記憶密度を得るために、できる限り短い波長λの使用が望まれる。現在では半導体レーザダイオードに基づいて390nmが可能である。

0007

特許文献は色素をベースとし、かつCD−R及びDVD−Rシステムのために適当な書き込み可能な光学データ記憶機構を記載している(JP−A11043481号及びJP−A10181206号)。該特許文献においては、読み出し信号の高い反射率及び高い振幅変調のため、及び書き込みの間の十分な感度のために、CD−RのIR波長780nmが色素の吸収ピーク長波長側の基底部にあり、かつDVD−Rの赤色波長635nm又は650nmもその吸収ピークの長波長側の基底部にあるという事実が使用される。この酵素うは吸収ピークの長波長側では450nmの作業波長を含むということに拡張される。

0008

前記の光学的特性の他に、吸光性有機物質を含有する書き込み可能な情報層は書き込み及び読み出しの間の雑音信号を最小化するために出来るだけ非晶質な形態を有さねばならない。この目的のために、溶液からスピンコーティングによって、スパッタリングによって又は蒸着及び/又は昇華によって前記物質を適用する間に、吸光性物質の結晶化は真空中でのメタリック層又は誘電性層での引き続いての上塗を通じて妨げられる。

0009

吸光性物質の非晶質層は有利には高い熱変形定性を有するべきである。それというのもスパッタリング又は蒸着によって吸光性情報層に適用される有機又は無機の材料の更なる層は拡散によって不明確な境界を形成し、こうして反射率に悪影響を及ぼすからである。更にポリマー性物質との境界で低すぎる熱変形安定性を有する吸光性物質は該ポリマー性物質中に拡散し、再び反射率に悪影響を及ぼしうる。

0010

吸光性物質が高すぎる蒸気圧を有する場合に、前記の物質は高真空における更なる層の前記のスパッタリング又は蒸着の間に昇華し、従って所望の層厚を低減させることがある。またこのことは反射率にも悪影響を及ぼす。

0011

できる限り高い面密度を達成する目的で対物レンズとして高いNAレンズを有すると、情報層、すなわち基板又はカバー層上に集束する場合に読み出しビームが通過する透明層の層厚はそのスキューマージンを制限する。CD及びDVDの対物レンズのNAはそれぞれ0.45及び0.60なので、それらの基板の厚さは、大量生産光学ドライブのために十分なそのスキューマージンを保証するために、それぞれ1.2mm及び0.6mmとして選択される。カバー層の厚さは大量生産のために極めて重要である。それというのも製造方法は慣用媒体とは全体的に異なり、かつ従って該媒体の書き込み/読み出し性能はかかる新規に設計された媒体について最適化されるべきでもあるからである。かかる薄いカバー層は容易に湾曲し、従って該カバー上に直接情報層をコートするのは不適切であるので、情報層及び保護層を厚い基板上に形成してからカバー層を基板上に固定する。CD−R及びDVD−Rは保護層のため及びその書き込み特性を改善するのに十分な強度で情報層をカバーするという両方の目的のためにUV樹脂ハードカバーを用いる(JP−A2834420号)。

0012

従って本発明の課題は、単一書き込み可能な光学データ媒体における情報層での使用のため、特に360〜460nmのレーザ波長範囲における高密度書き込み可能な光学データ記憶機構のための高い要求(例えば光安定性、有利な信号/雑音比基板材料への無損傷の適用など)を満たす適当な化合物を提供することである。

0013

意想外にも、NAを伴うカバー層厚の特定のパラメータと組み合わせて色素、有利にはフタロシアニン色素及びメロシアニン色素からなる群から選択される吸光性化合物が前記の要求プロフィールを特に良好に満たしうることが判明した。特にフタロシアニンレーザのために重要な360〜460nmの波長領域、すなわちB帯又はソレー帯において強い吸収を有する。メロシアニンはレーザに適合された420〜550nmの波長領域において強い吸収を有する。

0014

本発明は従って、場合により既に1つ以上のバリヤ層被覆され、その表面で、接着層によって適用される光を使用して書き込みできる情報層、場合により1つ以上のバリヤ層及びカバー層が適用されており、情報層上のカバー層を通って集束された青色光、有利には360〜460nmの光、特に380〜440nmの光、より特に有利には395〜415nmの光を用いて書き込み及び読み出し可能な有利には透明層、吸光性化合物を含有する情報層並びに場合によりバインダーを含有する光学データ媒体であって、少なくとも1種の色素が吸光性化合物として使用され、その際、情報層の上にある接着層を含むカバー層が10μm〜177μmの全体の厚さを有し、かつ焦点対物レンズ装置の開口数NAが0.8より大きいか又はそれに等しく、有利には0.80〜0.95であることを特徴とする光学データ媒体に関する。
有利には吸光性化合物としてのメロシアニンが有利であり、より有利には式

0015

【化1】
の化合物が有利であり、その際、
Aは式

0016

【化2】
の基を表し、
X1はCN、CO−R1、COO−R2、CONHR3又はCONR3R4を表し、
X2は水素、C1〜C6−アルキル、C6〜C10−アリール、五員又は六員の複素環式基、CN、CO−R1、COO−R2、CONHR3又はCONR3R4であるか、又は
CX1X2は式

0017

【化3】
の環を表し、
該環はベンゼン縮合又はナフタレン縮合され及び/又は非イオン性又はイオン性基によって置換されていてよく、かつアスタリスク(*)は二重結合を生ずる環原子を示し、
X3はN又はCHを表し、
X4はO、S、N、N−R6又はCHを表し、その際、X3及びX4は同時にCHを表さず、
X5はO、S又はN−R6を表し、
X6はO、S、N、N−R6、CH又はCH2を表し、
式(II)

0018

【化4】
の環Bは
X4、X3及びその間を結合するC原子一緒になって
かつ式(V)

0019

【化5】
の環Cは
X5、X6及びその間を結合するC原子と一緒になって、互いに無関係に1〜4個の複素原子を有してよい及び/又はベンゼン縮合又はナフタレン縮合されていてよい及び/又は非イオン性基又はイオン性基によって置換されていてよい五員又は六員の芳香族又は準芳香族の複素環式環を表し、
Y1はN又はC−R7を表し、
Y2はN又はC−R8を表し、
R1〜R6は互いに無関係に水素、C1〜C6−アルキル、C3〜C6−アルケニル、C5〜C7−シクロアルキル、C6〜C10−アリール又はC7〜C15−アラルキルを表し、
R7及びR8は互いに無関係に水素、シアノ又はC1〜C6−アルキルを表し、
R9及びR10は互いに無関係にC1〜C6−アルキル、C6〜C10−アリール又はC7〜C15−アラルキルを表すか、又は
NR9R10は五員又は六員の飽和複素環式環を表す。

0020

式(I)のオリゴマー及びポリマーの、少なくとも1つの基R1〜R10又は少なくとも1つの非イオン性基が架橋を表すメロシアニン色素も有利である。この架橋は2つ以上のメロシアニン色素が結合して、オリゴマー又はポリマーを形成しうる。しかしながら該架橋はポリマー鎖への架橋を表すこともある。この場合にメロシアニン色素は状にかかる鎖に結合される。

0021

適当な架橋は、例えば式−(CH2)n−又は−(CH2)m−Z−(CH2)p−
[式中、
n及びmは互いに無関係に1〜20の整数を表し、かつ
Zは−O−又は−C6H4−を表す]の架橋である。

0023

適当な非イオン性基は、例えばC1〜C4−アルキル、C1〜C4−アルコキシハロゲン、シアノ、ニトロ、C1〜C4−アルコキシカルボニル、C1〜C4−アルキルチオ、C1〜C4アルカノイルアミノベンゾイルアミノモノ−又はジ−C1〜C4−アルキルアミノピロリジノピペリジノピペラジノ又はモルホリノである。

0024

適当なイオン性基は、例えばアンモニウム基又はCOO−−基又はSO3−基であり、これらは直接的な結合又は−(CH2)n−を介して結合していてよく、その際、nは1〜6の整数を表す。

0025

アルキル、アルコキシ、アリール及び複素環式基は場合により他の基、例えばアルキル、ハロゲン、ニトロ、シアノ、CO−NH2、アルコキシ、トリアルキルシリルトリアルキルシロキシ又はフェニルを含んでよく、該アルキル及びアルコキシ基は直鎖状又は分枝鎖状であってよく、該アルキル基は部分的にハロゲン化又は過ハロゲン化されていてよく、該アルキル及びアルコキシ基はエトキシ化又はプロポキシ化又はシリル化されていてよく、アリール又は複素環式基上の隣接したアルキル及び/又はアルコキシ基は一緒になって三員又は四員の架橋を形成してよく、かつ該複素環式基はベンゼン縮合及び/又は第四級化されていてよい。

0026

特に有利には式(II)の環Bはフラン−2−イルチオフェン−2−イル、ピロール−2−イル、ベンゾフラン−2−イル、ベンゾチオフェン−2−イル、チアゾール−5−イル、イミダゾール−5−イル、1,3,4−チアジアゾール−2−イル、1,3,4−トリアゾール−2−イル、2−もしくは4−ピリジル、2−もしくは4−キノリルを表し、その際、個々の環はC1〜C6−アルキル、C1〜C6−アルコキシ、フッ素塩素臭素ヨウ素、シアノ、ニトロ、C1〜C6−アルコキシカルボニル、C1〜C6−アルキルチオ、C1〜C6−アシルアミノ、C6〜C10−アリール、C6〜C10−アリールオキシ、C6〜C10−アリールカルボニルアミノ、モノ−又はジ−C1〜C6−アルキルアミノ、N−C1〜C6−アルキル−N−C6〜C10−アリールアミノ、ピロリジノ、モルホリノ又はピペリジノによって置換されていてよく、かつ
式(V)の環Cはベンゾチアゾール−2−イリデンベンズオキサゾール−2−イリデン、ベンズイミダゾール−2−イリデン、チアゾール−2−イリデン、イソチアゾール−3−イリデン、イソオキサゾール−3−イリデン、イミダゾール−2−イリデン、ピラゾール−5−イリデン、1,3,4−チアジアゾール−2−イリデン、1,3,4−オキサジアゾール−2−イリデン、1,2,4−チアジアゾール−5−イリデン、1,3,4−トリアゾール−2−イリデン、3H−インドール−2−イリデン、ジヒドロピリジン−2−もしくは−4−イリデン、又はジヒドロキノリン−2−もしくは−4−イリデンを表し、その際、個々の環はC1〜C6−アルキル、C1〜C6−アルコキシ、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、シアノ、ニトロ、C1〜C6−アルコキシカルボニル、C1〜C6−アルキルチオ、C1〜C6−アシルアミノ、C6〜C10−アリール、C6〜C10−アリールオキシ、C6〜C10−アリールカルボニルアミノ、モノ−もしくはジ−C1〜C6−アルキルアミノ、N−C1〜C6−アルキル−N−C6〜C10−アリールアミノ、ピロリジノ、モルホリノ又はピペリジノによって置換されていてよい。

0027

特に有利な形においては使用されるメロシアニンは式(VI)

0028

【化6】
[式中、
X1はCN、CO−R1又はCOO−R2を表し、
X2は水素、メチルエチル、フェニル、2−もしくは4−ピリジル、チアゾール−2−イル、ベンゾチアゾール−2−イル、ベンズオキサゾール−2−イル、CN、CO−R1又はCOO−R2を表すか、又は
CX1X2は式

0029

【化7】
の環を表し、
該環は、メチル、エチル、メトキシエトキシ、フッ素、塩素、臭素、シアノ、ニトロ、メトキシカルボニルエトキシカルボニル、フェニル

0030

【化8】
からなる群から選択される3個以下の基によって置換されていてよく、
かつその際、アスタリスク(*)は二重結合を生じる環原子を示し、
An−はアニオンを表し、
M+はカチオンを表し、
X3はCHを表し、
X4はO、S又はN−R6を表し、
式(II)の環Bはフラン−2−イル、チオフェン−2−イル、ピロール−2−イル又はチアゾール−5−イルを表し、その際、前記の環はそれぞれメチル、エチル、プロピルブチル、メトキシ、エトキシ、フッ素、塩素、臭素、シアノ、ニトロ、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、メチルチオエチルチオジメチルアミノジエチルアミノジプロピルアミノジブチルアミノ、N−メチル−N−フェニルアミノ、ピロリジノ又はモルホリノによって置換されていてよく、
Y1はN又はC−R7を表し、
R1、R2、R5及びR6は互いに無関係に水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、フェニル又はベンジルを表し、かつ
R5は付加的に−(CH2)3−N(CH3)2又は−(CH2)3−N+(CH3)3An−を表し、かつ
R7は水素又はシアノを表す]のメロシアニンである。

0031

特に有利な形においては使用されるメロシアニンは式(VII)

0032

【化9】
[式中、
X1はCN、CO−R1又はCOO−R2を表し、
X2は水素、メチル、エチル、フェニル、2−もしくは4−ピリジル、チアゾール−2−イル、ベンゾチアゾール−2−イル、ベンズオキサゾール−2−イル、CN、CO−R1又はCOO−R2を表すか、又は
CX1X2は式

0033

【化10】
の環を表し、
該環は、メチル、エチル、メトキシ、エトキシ、フッ素、塩素、臭素、シアノ、ニトロ、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、フェニル

0034

【化11】
からなる群から選択される3個以下の基によって置換されていてよく、
かつその際、アスタリスク(*)は二重結合を生じる環原子を示し、
An−はアニオンを表し、
M+はカチオンを表し、
X5はN−R6を表し、
X6はS、N−R6又はCH2を表し、
式(IV)の環Cはベンゾチアゾール−2−イリデン、ベンズイミダゾール−2−イリデン、チアゾール−2−イリデン、1,3,4−チアジアゾール−2−イリデン、1,3,4−トリアゾール−2−イリデン、ジヒドロピリジン−4−イリデン、ジヒドロキノリン−4−イリデン又は3H−インドール−2−イリデンを表し、その際、前記の環はそれぞれメチル、エチル、プロピル、ブチル、メトキシ、エトキシ、フッ素、塩素、臭素、シアノ、ニトロ、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、メチルチオ、エチルチオ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ、ジブチルアミノ、N−メチル−N−フェニルアミノ、ピロリジノ又はモルホリノによって置換されていてよく、
Y2−Y1はN−N又は(C−R8)−(C−R7)を表し、
R1、R2、R5及びR6は互いに無関係に水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、フェニル又はベンジルを表し、かつ
R5は付加的に−(CH2)3−N(CH3)2又は−(CH2)3−N+(CH3)3An−を表し、かつ
R7及びR8は水素を表す]のメロシアニンである。

0035

特に有利な形においては使用されるメロシアニンは式(VIII)

0036

【化12】
[式中、
X1はCN、CO−R1又はCOO−R2を表し、
X2は水素、メチル、エチル、フェニル、2−もしくは4−ピリジル、チアゾール−2−イル、ベンゾチアゾール−2−イル、ベンゾオキサゾール−2−イル、CN、CO−R1又はCOO−R2を表すか、又は
CX1X2は式

0037

【化13】
の環を表し、
該環は、メチル、エチル、メトキシ、エトキシ、フッ素、塩素、臭素、シアノ、ニトロ、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、フェニル

0038

【化14】
からなる群から選択される3個以下の基によって置換されていてよく、
かつその際、アスタリスク(*)は二重結合を生じる環原子を示し、
An−はアニオンを表し、
M+はカチオンを表し、
NR9R10はジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ、ジブチルアミノ、N−メチル−N−フェニルアミノ、ピロリジノ又はモルホリノを表し、
Y1はN又はC−R7を表し、
R1、R2及びR5は互いに無関係に水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、フェニル又はベンジルを表し、かつ
R5は付加的に−(CH2)3−N(CH3)2又は−(CH2)3−N+(CH3)3An−を表す]のメロシアニンである。

0039

適当なアニオンAn−は全ての一価のアニオン又は多価のアニオンの1つの等価物である。有利にはアニオンは無色である。適当なアニオンは、例えばクロリドブロミドヨージドテトラフルオロボレートペルクロレートヘキサフルオロシリケート、ヘキサフルオロ−ホスフェートメトスルフェートエトスルフェート、C1〜C10−アルカンスルホネート、C1〜C10−ペルフルオロアルカンスルホネート、C1〜C10−アルカノエート(前記基は場合により塩素、ヒドロキシル又はC1〜C4−アルコキシによって置換されている)、ベンゼンスルホネート、ナフタレンスルホネート又はビフェニルスルホネート(前記基は場合によりニトロ、シアノ、ヒドロキシル、C1〜C25−アルキル、ペルフルオロ−C1〜C4−アルキル、C1〜C4−アルコキシカルボニル又は塩素によって置換されている)、ベンゼンジスルホネート、ナフタレンジスルホネート又はビフェニルジスルホネート(前記基は場合によりニトロ、シアノ、ヒドロキシル、C1〜C4−アルキル、C1〜C4−アルコキシ、C1〜C4−アルコキシカルボニル又は塩素によって置換されている)、ベンゾエート(前記基は場合によりニトロ、シアノ、C1〜C4−アルキル、C1〜C4−アルコキシ、C1〜C4−アルコキシカルボニル、ベンゾイルクロロベンゾイル又はトルオイルによって置換されている)、ナフタレンジカルボン酸のアニオン、ジフェニルエーテルジスルホネート、テトラフェニルボレート、シアノトリフェニルボレートテトラ−C1〜C20−アルコキシボレート、テトラフェノキシボレート、7,8−もしくは7,9−ジカルバニド−ウンデカボレート(1)もしくは(2)(前記基は場合によりB原子及び/又はC原子上で1つ又は2つのC1〜C12−アルキル又はフェニル基によって置換されている)、ドデカヒドロ−ジカルバドデカボレート(2)又はB−C1〜C12−アルキル−C−フェニル−ドデカヒドロ−ジカルバドデカ−ボレート(1)である。

0040

ブロミド、ヨージド、テトラフルオロボレート、ペルクロレート、メタンスルホネート、ベンゼンスルホネート、トルエンスルホネートドデシルベンゼンスルホネート及びテトラデカンスルホネートが有利である。

0041

適当なM+カチオンは全ての一価のカチオン又は多価のカチオンの1つの等価物である。有利にはカチオンは無色である。適当なカチオンは、例えばリチウムナトリウムカリウムテトラメチルアンモニウムテトラエチルアンモニウムテトラブチルアンモニウムトリメチルベンジルアンモニウム、トリメチルカプリルアンモニウム又はFe(C5H5)2+(式中、C5H5=シクロペンタジエニル)である。

0042

テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム及びテトラブチルアンモニウムが有利である。

0043

有利には単一書き込み可能な、青色レーザからの光によって書き込み及び読み出しされる本発明による光学データキャリヤーのためには、かかるメロシアニン色素が有利であり、その吸収極大λmax2は420〜550nmの範囲にあり、その際、波長λmax2の吸収極大の短波長側における吸光度がλmax2での吸光度値の半分である波長λ1/2及び波長λmax2の吸収極大の短波長側における吸光度がλmax2での吸光度値の10分の1である波長λ1/10は互いに50nmより離れていない。有利には前記のようなメロシアニン色素は波長350nm未満、特に有利には320nm未満、より特に有利には290nm未満で短波長極大λmax1を示さない。

0044

有利なメロシアニン色素は410〜530nmの吸収極大λmax2を有する色素である。

0045

特に有利なメロシアニン色素は420〜510nmの吸収極大λmax2を有する色素である。

0046

より特に有利なメロシアニン色素は430〜500nmの吸収極大λmax2を有する色素である。

0047

有利には前記のようなλ1/2及びλ1/10は前記のメロシアニンにおいて互いに40nm、特に有利には30nm、より特に有利には20nmより離れていない。

0048

該メロシアニン色素は吸収極大λmax2において>40000l/モルcm、有利には>60000l/モルcm、特に有利には>80000l/モルcm、より特に有利には>100000l/モルcmのモル吸光係数εを有する。

0049

吸光スペクトルは例えば溶液中で測定される。

0050

所望のスペクトル特性を有する適当なメロシアニンは、特に双極子モーメントにおける変化Δμ=|μg−μag|、すなわち基底状態及び第一励起状態における双極子モーメント間の正の差異が出来るだけ小さい、有利には<5D、特に有利には<2Dであるメロシアニンである。前記のような双極子モーメントにおける変化Δμを測定する一つの方法はF.Wuerthner et al., Angew. Chem. 1997, 109, 2933及びそこで引用される文献に記載されている。低いソルバトクロミズムジオキサンDMF)はまた選択のために適当な判定方法である。ソルバトクロミズムΔλ=|λDMF−λジオキサン|、すなわち溶剤ジメチルホルムアミド及びジオキサン中での吸収波長間の正の差異が<20nm、特に有利には<10nm、より特に有利には<5nmであるメロシアニンが有利である。

0051

本発明によれば、より特に有利なメロシアニンは式

0052

【化15】
[式中、
X101はO又はSを表し、
X102はN又はCR104を表し、
R101及びR102は互いに無関係にメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、ベンジル又はフェニルを表すか、又はR101は付加的に水素を表すか、又は
NR101R102はピロリジノ、ピペリジノ又はモルホリノを表し、
R103は水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、フェニル、トリルメトキシフェニルチエニル、塩素又はNR101R102を表し、かつ
R104は水素、メチル、エチル、フェニル、塩素、シアノ、ホルミル又は式

0053

【化16】
の基を表し、
その際、アルキル基、例えばプロピル、ブチル等は分枝鎖状であってよい]のメロシアニンである。

0054

オリゴマー又はポリマー構造のための架橋の結合はR101を介して行われる。

0055

また本発明により特に有利なメロシアニンは式

0056

【化17】
[式中、
X101はO又はSを表し、
X102はN又はCR104を表し、
R101及びR102は互いに無関係にメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、ベンジル又はフェニルを表し、かつR101は付加的に水素を表すか、又は
NR101R102はピロリジノ、ピペリジノ又はモルホリノを表し、
R103は水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、フェニル、トリル、メトキシフェニル、チエニル、塩素又はNR101R102を表し、
R104は水素、メチル、エチル、フェニル、塩素、シアノ、ホルミル又は式

0057

【化18】
の基を表し、
Y101はN又はCHを表し、
CX103X104は式

0058

【化19】
の環を表し、
かつその際、アスタリスク(*)は二重結合を生じる環原子を示し、
R105は水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチルオクチル、メトキシエチルメトキシプロピルシアノエチルヒドロキシエチルアセトキシエチルクロロエチル、シクロヘキシル、フェニル、トリル、メトキシフェニル又は

0059

【化20】
の基を表し、
その際、式(CX)の場合には2つの基R105は異なってよく、
R106は水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル又はトリフルオロメチルを表し、
R107はシアノ、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、−CH2SO3−M+又は式

0060

【化21】
の基を表し、
M+はカチオンを表し、かつ
An−はアニオンを表し、
その際、アルキル基、例えばプロピル、ブチル等は分枝鎖状であってよい]のメロシアニンである。

0061

オリゴマー又はポリマー構造のための架橋の結合はR101又はR105を介して行われる。

0062

また本発明により特に有利なメロシアニンは式

0063

【化22】
[式中、
X101はO又はSを表し、
X102はN又はCR104を表し、
R101及びR102は互いに無関係にメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、ベンジル又はフェニルを表し、かつR101は付加的に水素を表すか、又は
NR101R102はピロリジノ、ピペリジノ又はモルホリノを表し、
R103は水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、フェニル、トリル、メトキシフェニル、チエニル、塩素又はNR101R102を表し、
R104は水素、メチル、エチル、フェニル、塩素、シアノ、ホルミル又は式

0064

【化23】
の基を表し、
Y101はN又はCHを表し、
X103はシアノ、アセチル、メトキシカルボニル又はエトキシカルボニルを表し、かつ
X104は2−、3−又は4−ピリジル、チアゾール−2−イル、ベンゾチアゾール−2−イル、オキサゾール−2−イル、ベンズオキサゾール−2−イル、ベンズイミダゾール−2−イル、N−メチル−又はN−エチル−ベンズイミダゾール−2−イルを表し、
その際、アルキル基、例えばプロピル、ブチル等は分枝鎖状であってよい]のメロシアニンである。

0065

オリゴマー又はポリマー構造のための架橋の結合は、R101又はX103がエステル基を表す場合にはR101又はX103を介して行われる。

0066

有利には式(CI)及び(CIII)のメロシアニンにおいては、
R103は水素、メチル、i−プロピル、t−ブチル又はフェニルを表し、かつ
R104は水素又はシアノを表す。

0067

また本発明により特に有利なメロシアニンは式

0068

【化24】
[式中、
X105はS又はCR110R111を表し、
R108はメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、メトキシエチル、メトキシプロピル、シアノエチル、ヒドロキシエチル、アセトキシエチル、クロロエチル、シクロヘキシル、ベンジル又はフェネチルを表し、
R109は水素、メチル、エチル、メトキシ、エトキシ、シアノ、塩素、トリフルオロメチル、トリフルオロメトキシ、メトキシカルボニル又はエトキシカルボニルを表し、
R110及びR111は互いに無関係にメチル又はエチルを表すか、又は
CR110R111は式

0069

【化25】
(式中、2つの結合はアスタリスク(*)を有する原子から生じる)の二価の基を表し、その際、アルキル基、例えばプロピル、ブチル等は分枝鎖状であってよい]のメロシアニンである。。

0070

また本発明により特に有利なメロシアニンは式

0071

【化26】
[式中、
X105はS又はCR110R111を表し、
R108はメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、メトキシエチル、メトキシプロピル、シアノエチル、ヒドロキシエチル、アセトキシエチル、クロロエチル、シクロヘキシル、ベンジル又はフェネチルを表し、
R109は水素、メチル、エチル、メトキシ、エトキシ、シアノ、塩素、トリフルオロメチル、トリフルオロメトキシ、メトキシカルボニル又はエトキシカルボニルを表し、
R110及びR111は互いに無関係にメチル又はエチルを表すか、又は
CR110R111は式

0072

【化27】
(式中、2つの結合はアスタリスク(*)を有する原子から生じる)の二価の基を表し、
Y101はN又はCHを表し、
CX103X104は式

0073

【化28】
の環を表し、
その際、アスタリスク(*)は二重結合を生じる環原子を示し、
R105は水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、メトキシエチル、メトキシプロピル、シアノエチル、ヒドロキシエチル、アセトキシエチル、クロロエチル、シクロヘキシル、フェニル、トリル、メトキシフェニル又は式

0074

【化29】
の基を表し、
R106は水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル又はトリフルオロメチルを表し、
R107はシアノ、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、−CH2SO3−M+又は式

0075

【化30】
の基を表し、
M+はカチオンを表し、かつ
An−はアニオンを表し、
その際、アルキル基、例えばプロピル、ブチル等は分枝鎖状であってよい]のメロシアニンである。

0076

オリゴマー又はポリマー構造のための架橋の結合はR108又はR105を介して行われる。

0077

また本発明により特に有利なメロシアニンは式

0078

【化31】
[式中、
X105はS又はCR110R111を表し、
R108はメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、メトキシエチル、メトキシプロピル、シアノエチル、ヒドロキシエチル、アセトキシエチル、クロロエチル、シクロヘキシル、ベンジル又はフェネチルを表し、
R109は水素、メチル、エチル、メトキシ、エトキシ、シアノ、塩素、トリフルオロメチル、トリフルオロメトキシ、メトキシカルボニル又はエトキシカルボニルを表し、
R110及びR111は互いに無関係にメチル又はエチルを表し、又は
CR110R111は式

0079

【化32】
(式中、2つの結合はアスタリスク(*)を有する原子から生じる)の二価の基を表し、
Y101はN又はCHを表し、
X103はシアノ、アセチル、メトキシカルボニル又はエトキシカルボニルを表し、
X104は2−、3−又は4−ピリジル、チアゾール−2−イル、ベンゾチアゾール−2−イル、オキサゾール−2−イル、ベンズオキサゾール−2−イル、ベンズイミダゾール−2−イル、N−メチル−もしくはN−エチル−ベンズイミダゾール−2−イル、有利にはピリジルを表し、
その際、アルキル基、例えばプロピル、ブチルなどは分枝鎖状であってよい]のメロシアニンである。

0080

オリゴマー又はポリマー構造のための架橋の結合は、R又はXがエステル基を表す場合にはR又はXを介して行われる。

0081

また本発明により特に有利なメロシアニンは式

0082

【化33】
[式中、
R112はメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、メトキシエチル、メトキシプロピル、シアノエチル、ヒドロキシエチル、アセトキシエチル、クロロエチル、シクロヘキシル、ベンジル又はフェネチルを表し、
R113及びR114は水素を表すか、又は一緒になって−CH=CH−CH=CH−架橋を表し、
その際、アルキル基、例えばプロピル、ブチルなどは分枝鎖状であってよい]のメロシアニンである。

0083

オリゴマー又はポリマーの構造のための架橋の結合はR112を介して行われる。

0084

また本発明によればより特に有利なメロシアニンは式

0085

【化34】
[式中、
R112はメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、メトキシエチル、メトキシプロピル、シアノエチル、ヒドロキシエチル、アセトキシエチル、クロロエチル、シクロヘキシル、ベンジル又はフェネチルを表し、
R113及びR114は水素を表すか、又は−CH=CH−CH=CH−架橋を表し、
Y101はN又はCHを表し、
CX103X104は式

0086

【化35】
(式中、アスタリスク(*)は二重結合を生じる環を示す)の環を表し、
R105は水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、メトキシエチル、メトキシプロピル、シアノエチル、ヒドロキシエチル、アセトキシエチル、クロロエチル、シクロヘキシル、フェニル、トリル、メトキシフェニル又は式

0087

【化36】
の基を表し、
R106は水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル又はトリフルオロメチルを表し、
R107はシアノ、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、−CH2SO3−M+又は式

0088

【化37】
の基を表し、
M+はカチオンを表し、かつ
An−はアニオンを表し、
その際、アルキル基、例えばプロピル、ブチルなどは分枝鎖状であってよい]のメロシアニンである。

0089

オリゴマー又はポリマーの構造のための架橋の結合はR112又はR105を介して行われる。

0090

また本発明によればより特に有利なメロシアニンは式

0091

【化38】
[式中、
R112はメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、メトキシエチル、メトキシプロピル、シアノエチル、ヒドロキシエチル、アセトキシエチル、クロロエチル、シクロヘキシル、ベンジル又はフェネチルを表し、
R113及びR114は水素を表すか、又は一緒になって−CH=CH−CH=CH−架橋を表し、
Y101はN又はCHを表し、
X103はシアノ、アセチル、メトキシカルボニル又はエトキシカルボニルを表し、
X104は2−、3−又は4−ピリジル、チアゾール−2−イル、ベンゾチアゾール−2−イル、オキサゾール−2−イル、ベンズオキサゾール−2−イル、ベンズイミダゾール−2−イル、N−メチル−もしくはN−エチル−ベンズイミダゾール−2−イルを表し、
その際、アルキル基、例えばプロピル、ブチルなどは分枝鎖状であってよい]のメロシアニンである。

0092

オリゴマー又はポリマーの構造のための架橋の結合は、R112又はX103がエステル基を表す場合には、R112又はX103を介して行われる。

0093

また本発明によればより特に有利なメロシアニンは式

0094

【化39】
[式中、
R115及びR116は互いに無関係にメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、フェニル、ベンジル又はフェネチルを表すか、又は
NR115R116はピロリジノ、ピペリジノ又はモルホリノを表し、
CX103X104は式

0095

【化40】
(式中、アスタリスクは二重結合を生じる環原子を示す)の環を表し、
R105は水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、メトキシエチル、メトキシプロピル、シアノエチル、ヒドロキシエチル、アセトキシエチル、クロロエチル、シクロヘキシル、フェニル、トリル、メトキシフェニル又は式

0096

【化41】
の基を表し、
R106は水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル又はトリフルオロメチルを表し、
R107はシアノ、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、−CH2SO3−M+又は式

0097

【化42】
の基を表し、
M+はカチオンを表し、かつ
An−はアニオンを表し、
その際、アルキル基、例えばプロピル、ブチルなどは分枝鎖状であってよい]のメロシアニンである。

0098

オリゴマー又はポリマーの構造のための架橋の結合はR115又はR105を介して行われる。

0099

また本発明によればより特に有利なメロシアニンは式

0100

【化43】
[式中、
R115及びR116は互いに無関係にメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、フェニル、ベンジル又はフェネチルを表すか、又は
NR115R116はピロリジノ、ピペリジノ又はモルホリノを表し、
X103はシアノ、アセチル、メトキシカルボニル又はエトキシカルボニルを表し、
X104は2−、3−もしくは4−ピリジル、チアゾール−2−イル、ベンゾチアゾール−2−イル、オキサゾール−2−イル、ベンズオキサゾール−2−イル、ベンズイミダゾール−2−イル、N−メチル−もしくはN−エチル−ベンズイミダゾール−2−イル、有利には2−ピリジルを表し、
その際、アルキル基、例えばプロピル、ブチルなどは分枝鎖状であってよい]のメロシアニンである。

0101

オリゴマー又はポリマーの構造のための架橋の結合は、R115又はX103がエステル基を表す場合にはR115又はX103を介して行われる。

0102

式(CIII)、(CXVI)及び(CXVIII)においては、
Y101は有利にはCHを表し、かつ
式(CIII)、(CXVI)、(CXVIII)及び(CXIX)においては、
CX103X104は有利には(CV)、(CVII)及び(CIX)の環又は式

0103

【化44】
[式中、二重結合はアスタリスク(*)を有するC原子から生じる]の基を表す。

0104

−(CH2)2−、−(CH2)3−、−(CH2)4−、−(CH2)2−O−(CH2)2−及び−CH2−C6H4−CH2−は有利な架橋である。

0105

ポリアクリレート及びポリメタクリレート及びアクリルアミドとのそのコポリマーが有利なポリマー鎖である。前記の基R101、R105、R108、R112及びR115が例えば式

0106

【化45】
[式中、
Rは水素又はメチルを表し、かつチルダ(〜)でマークされた原子及びアスタリスク(*)を有する原子から生じるメロシアニン色素のN原子への単結合は鎖の継続を表す]のモノマー単位を表す。

0107

式(I)の幾つかのメロシアニンは、例えばF. Wueirthner, Synthesis 1999, 2103、F. Wueirthner, R. Sens, K.-H. Etzbach, G. Seybold, Angew. Chem. 1999, 111, 1753、DE−OS4344116号、DE−OS4440066号、WO98/23688号、JP5299379号、JP5314734号から公知である。

0108

また吸光性化合物としてフタロシアニンが有利である。

0109

有利な態様において、使用されるフタロシアニンは式(1)

0110

【化46】
[式中、
Pcはフタロシアニン又はナフトシアニンを表し、その際、両者の場合において芳香環複素環、例えばテトラピリジポルフィラジンであってよく、
Mは2つの無関係な水素原子を表し、二価の金属原子を表し、又は式(1a)

0111

【化47】
三価アキシアル一置換された金属原子を表し、
又は式(1b)

0112

【化48】
四価のアキシアルに二置換された金属原子を表し、
又は三価のアキシアルに一置換された及びアキシアルに一配位した式(1c)

0113

【化49】
の金属原子を表し、
その際、荷電配位子X2又はX1の場合においては、該電荷対イオン、例えばアニオンAn(−)又はカチオンKat(+)によって補償され、
基R3〜R6はフタロシアニン環置換基に相当し、その際、
X1及びX2は互いに無関係にF、Cl、Br、Iとしてのハロゲン、ヒドロキシル、酸素、シアノ、チオシアナト、シアナト、アルケニル、アルキニルアリールチオジアルキルアミノ、アルキル、アルコキシ、アシルオキシ、アルキルチオ、アリール、アリールオキシ、−O−SO2R8、−O−PR10R11、−O−P(O)R12R13、−O−SiR14R15R16、NH2、アルキルアミノ及び複素環式アミンの基を表し、
R3、R4、R5及びR6は互いに無関係にF、Cl、Br、Iとしてのハロゲン、シアノ、ニトロ、アルキル、アリール、アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アルコキシ、アルキルチオ、アリールオキシ、アリールチオ、SO3H、SO2NR1R2、CO2R9、CONR1R2、NH−COR7又は式−(B)m−Dの基を表し、
Bは直接的な結合、CH2、CO、CH(アルキル)、C(アルキル)2、NH、S、O又は−CH=CH−からなる群から選択される架橋員を示し、(B)mは化学的に適当な架橋員Bの配列を示し、その際、mは1〜10、有利にはmは1、2、3又は4であり、Dは式

0114

【化50】
レドックス系の一価の基を表し、
又はメタロセニル基又はメタロセニルカルボニル基を表し、その際、チタンマンガン、鉄、ルテニウム又はオスミウム金属中心として適当であり、
Z1及びZ2は互いに無関係にNR′R′′、OR′′又はSR′′を表し、
Y1はNR′、O又はSを表し、Y2はNR′を表し、
nは1〜10を表し、かつ
R′及びR′′は互いに無関係に、水素、アルキル、シクロアルキル、アリール又はヘテロアリールを表し、又は直接的な結合又は式

0115

【化51】
のC原子の1つへの架橋を形成し、
w、x、y及びzは互いに無関係に0〜4を表し、かつw+x+y+z≦16を表し、
R1及びR2は互いに無関係に、水素、アルキル、ヒドロキシアルキル又はアリールを表し、又はR1及びR2は、これらを結合させるN原子と一緒になって、更にヘテロ原子、特にO、N及びSからなる群から選択される複素原子を場合により含んで複素環式の五員−、六員又は七員の環を形成し、その際、NR1R2は特にピロリジノ、ピペリジノ又はモルホリノを表し、
R7〜R16は互いに無関係にアルキル、アリール、ヘテロアリール又は水素、特にアルキル、アリール又はヘテロアリールを表し、
An−はアニオンを表し、特にハロゲン化物、C1〜C20−アルキルCOO−、ホルミエート、オキサレートラクテートグリコレートシトレート、CH3OSO3−、NH2SO3−、CH3SO3−、1/2SO42−又は1/3PO43−を表す。

0116

Mは金属原子としてのCo(III)を有する式(1c)の基を表す場合に、有利なX1及びX2の意味における複素環式アミン配位子又は置換基はモルホリンピペリジンピペラジンピリジン、2,2−ビピリジン、4,4−ビピリジン、ピリダジンピリミジンピラジン、イミダゾール、ベンズイミダゾール、イソオキサゾール、ベンズイソオキサゾール、オキサゾール、ベンズオキサゾール、チアゾール、ベンゾチアゾール、キノリン、ピロール、インドール及び3,3−ジメチルインドールであり、そのそれぞれは窒素原子において金属原子と配位しているか、又は該金属原子によって置換されている。

0117

アルキル、アルコキシ、アリール及び複素環式基は場合により、更なる基、例えばアルキル、ハロゲン、ヒドロキシル、ヒドロキシアルキル、アミノ、アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、ニトロ、シアノ、CO−NH2、アルコキシ、アルコキシカルボニル、モルホリノ、ピペリジノ、ピロリジノ、ピロリドノ、トリアルキルシリル、トリアルキルシロキシ又はフェニルを有していてよい。アルキル及びアルコキシ基は飽和、不飽和、直鎖状又は分枝鎖状であってよく、該アルキル基は部分的にハロゲン化又は過ハロゲン化されていてよく、かつ該アルキル及びアルコキシ基はエトキシ化、プロポキシ化又はシリル化されていてよい。アリール又は複素環式基における隣接したアルキル及び/又はアルコキシ基は一緒になって三員又は四員の架橋を形成してよい。

0118

式(1)の有利な化合物は、基R1〜R16、R′及びR′′並びに配位子又は置換基X1及びX2について以下に適用される化合物である:
“アルキル”という表示を有する置換基はC1〜C16−アルキル、特にC1〜C6アルキルを示し、これらは場合によりハロゲン、例えば塩素、臭素又はフッ素、ヒドロキシル、シアノ及び/又はC1〜C6−アルコキシによって置換されている。
“アルコキシ”という表示を有する置換基はC1〜C16−アルコキシ、特にC1〜C6−アルコキシを示し、これらは場合によりハロゲン、例えば塩素、臭素又はフッ素、ヒドロキシル、シアノ及び/又はC1〜C6−アルキルによって置換されている。
“シクロアルキル”という表示を有する置換基はC4〜C8−シクロアルキル、特にC5〜C6−シクロアルキルを示し、これらは場合によりハロゲン、例えば塩素、臭素又はフッ素、ヒドロキシル、シアノ及び/又はC1〜C6−アルキルによって置換されている。
“アルケニル”という表示を有する置換基はC6〜C8−アルケニルを示し、これらは場合によりハロゲン、例えば塩素、臭素又はフッ素、ヒドロキシル、シアノ及び/又はC1〜C6−アルキルによって置換されており、その際、アルケニルは特にアリルを示す。
“ヘテロアリール”という表示を有する置換基は五員乃至七員の環を有する複素環式基を表し、これらは有利にはN、S及び/又はOからなる群から選択されるヘテロ原子を有し、かつ場合により芳香環と縮合され、又は場合により更なる置換基、例えばハロゲン、ヒドロキシル、シアノ及び/又はアルキルを有し、その際、以下が特に有利である:ピリジル、フリル、チエニル、オキサゾリルチアゾリルイミダゾリル、キノリル、ベンズオキサゾリルベンゾチアゾリル及びベンズイミダゾリル
“アリール”という表示を有する置換基は、有利にはC6〜C10−アリール、特にフェニル又はナフチルであり、前記基は場合によりハロゲン、例えばF又はCl、ヒドロキシル、C1〜C6−アルキル、C1〜C6−アルコキシ、NO2及び/又はCNによって置換されている。

0119

R3、R4、R5及びR6は互いに無関係に有利には、塩素、フッ素、臭素、ヨウ素、シアノ、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、t−ブチル、ペンチル、t−アミル、ヒドロキシエチル、3−ジメチルアミノプロピル、3−ジエチルアミノプロピル、フェニル、p−t−ブチルフェニル、p−メトキシフェニル、イソプロピルフェニルトリフルオロメチルフェニル、ナフチル、メチルアミノエチルアミノプロピルアミノイソプロピルアミノブチルアミノイソブチルアミノ、t−ブチルアミノ、ペンチルアミノ、t−アミルアミノ、ベンジルアミノメチルフェニルヘキシルアミノ、ヒドロキシエチルアミノアミノプロピルアミノ、アミノエチルアミノ、3−ジメチルアミノプロピルアミノ、3−ジエチルアミノプロピルアミノジエチルアミノエチルアミノ、ジブチルアミノプロピルアミノ、モルホリノプロピルアミノ、ピペリジノプロピルアミノ、ピロリジノプロピルアミノ、ピロリドノプロピルアミノ、3−(メチルヒドロキシエチルアミノ)プロピルアミノ、メトキシエチルアミノ、エトキシエチルアミノ、メトキシプロピルアミノ、エトキシプロピルアミノ、メトキシエトキシプロピルアミノ、3−(2−エチルヘキシルオキシ)プロピルアミノ、イソプロピルオキシプロピルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジエタノールアミノ、ジプロピルアミノ、ジイソプロピルアミノ、ジブチルアミノ、ジイソブチルアミノ、ジ−t−ブチルアミノ、ジペンチルアミノ、ジ−t−アミルアミノ、ビス(2−エチルヘキシル)アミノ、ビス(アミノプロピル)アミノ、ビス(アミノエチル)アミノ、ビス(3−ジメチルアミノプロピル)アミノ、ビス(3−ジエチルアミノプロピル)アミノ、ビス(ジエチルアミノエチル)アミノ、ビス(ジブチルアミノプロピル)アミノ、ジ(モルホリノプロピル)アミノ、ジ(ピペリジノプロピル)アミノ、ジ(ピロリジノプロピル)アミノ、ジ(ピロリドノプロピル)アミノ、ビス(3−(メチルヒドロキシエチルアミノ)プロピル)アミノ、ジメトキシエチルアミノ、ジエトキシエチルアミノ、ジメトキシプロピルアミノ、ジエトキシプロピルアミノ、ジ(メトキシエトキシエチル)アミノ、ジ(メトキシエトキシプロピル)アミノ、ビス(3−(2−エチルヘキシルオキシ)プロピル)アミノ、ジ(イソプロピルオキシイソプロピル)アミノ、メトキシ、エトキシ、プロピルオキシ、イソプロピルオキシ、ブチルオキシ、イソブチルオキシ、t−ブチルオキシ、ペンチルオキシ、t−アミルオキシ、メトキシエトキシ、エトキシエトキシ、メトキシプロピルオキシ、エトキシプロピルオキシ、メトキシエトキシプロピルオキシ、3−(2−エチルヘキシルオキシ)プロピルオキシ、メチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ、イソプロピルチオ、ブチルチオ、イソブチルチオ、t−ブチルチオ、ペンチルチオ、t−アミルチオ、フェニル、メトキシフェニル、トリフルオロメチルフェニル、ナフチル、CO2R7、CONR1R2、NH−COR7、SO3H、SO2NR1R2を表し、又は有利には式

0120

【化52】
の基を表し、
その際、(B)mは

0121

【化53】
を表し、アスタリスク(*)は五員環との結合を示し、
M1はMn又はFeカチオンを表し、
w、x、y及びzは互いに無関係に0〜4を表し、かつw+x+y+z≦12を表し、
NR1R2は有利にはアミノ、メチルアミノ、エチルアミノ、プロピルアミノ、イソプロピルアミノ、ブチルアミノ、イソブチルアミノ、t−ブチルアミノ、ペンチルアミノ、t−アミルアミノ、ベンジルアミノ、メチルフェニルヘキシルアミノ、2−エチル−1−ヘキシルアミノ、ヒドロキシエチルアミノ、アミノプロピルアミノ、アミノエチルアミノ、3−ジ−メチルアミノプロピルアミノ、3−ジエチルアミノプロピルアミノ、モルホリノプロピルアミノ、ピペリジノプロピルアミノ、ピロリジノプロピルアミノ、ピロリジノプロピルアミノ、3−(メチルヒドロキシエチルアミノ)プロピルアミノ、メトキシエチルアミノ、エトキシエチルアミノ、メトキシプロピルアミノ、エトキシプロピルアミノ、メトキシエトキシプロピルアミノ、3−(2−エチルヘキシルオキシ)プロピルアミノ、イソプロピルオキシイソプロピルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ、ジイソプロピルアミノ、ジブチルアミノ、ジイソブチルアミノ、ジ−t−ブチルアミノ、ジペンチルアミノ、ジ−t−アミルアミノ、ビス(2−エチルヘキシル)アミノ、ジヒドロキシエチルアミノ、ビス(アミノプロピル)アミノ、ビス(アミノエチル)アミノ、ビス(3−ジメチルアミノプロピル)アミノ、ビス(3−ジエチルアミノプロピル)アミノ、ジ(モルホリノプロピル)アミノ、ジ(ピペリジノプロピル)アミノ、ジ(ピロリジノプロピル)アミノ、ジ(ピロリドノプロピル)アミノ、ビス(3−(メチルヒドロキシエチルアミノ)プロピル)アミノ、ジメトキシエチルアミノ、ジエトキシエチルアミノ、ジメトキシプロピルアミノ、ジエトキシプロピルアミノ、ジ(メトキシエトキシプロピル)アミノ、ビス(3−(2−エチルヘキシルオキシ)プロピル)アミノ、ジ(イソプロピルオキシイソプロピル)アミノ、アニリノ、p−トルイジノ、p−t−ブチルアニリノ、p−アニシジノ、イソプロピルアニリノ又はナフチルアミノを表し、又はNR1R2は有利にはピロリジノ、ピペリジノ、ピペラジノ又はモルホリノを表し、
R7及びR16は互いに無関係に、水素、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、t−ブチル、ペンチル、t−アミル、フェニル、p−t−ブチルフェニル、p−メトキシフェニル、イソプロピルフェニル、p−トリフルオロメチルフェニル、シアノフェニル、ナフチル、4−ピリジル、2−ピリジル、2−キノリニル、2−ピロリル又は2−インドリルを表し、
その際、アルキル、アルコキシ、アリール及び複素環式基は、場合により更なる基、例えばアルキル、ハロゲン、ヒドロキシル、ヒドロキシアルキル、アミノ、アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、ニトロ、シアノ、CO−NH2、アルコキシ、アルコキシカルボニル、モルホリノ、ピペリジノ、ピロリジノ、ピロリドノ、トリアルキルシリル、トリアルキルシリルオキシ又はフェニルを有してよく、アルキル及び/又はアルコキシ基は飽和、不飽和、直鎖状又は分枝鎖状であってよく、該アルキル基は部分的にハロゲン化又は過ハロゲン化されていてよく、該アルキル及び/又はアルコキシ基はエトキシ化、プロポキシ化又はシリル化されていてよく、かつアリール又は複素環式基上の隣接したアルキル及び/又はアルコキシ基が一緒になって三員又は四員の架橋を形成してよい。

0122

本願に関連して、レドックス系は特にAngew. Chem. 1978, 927頁及びTopics of Current Chemistry, Vol. 92, page 1 (1980)に記載されるレドックス系を意味するものと解される。

0124

有利な態様においては、式(1)の式中、
Mは2つの無関係なH原子を表すか、又はCu、Ni、Zn、Pd、Pt、Fe、Mn、Mg、Co、Ru、Ti、Be、Ca、Ba、Cd、Hg、Pb及びSnからなる群から選択される二価の金属原子Meを表し、
又は
Mは式(1a)の三価のアキシアルに一置換された金属原子を表し、その際、金属MeはAl、Ga、Ti、In、Fe及びMnからなる群から選択され、又は
Mは金属MeがSi、Ge、Sn、Zr、Cr、Ti、Co及びVからなる群から選択される式(1b)の三価のアキシアルに二置換された金属原子を示すフタロシアニンが使用される。

0125

X1及びX2は特に有利にはハロゲン、特に塩素、アリールオキシ、特にフェノキシ又はアルコキシ、特にメトキシである。

0126

R3〜R6は特にハロゲン、C1〜C6−アルキル又はC1〜C8−アルコキシを表す。

0127

式I(式中、Mは式(1a)又は(1b)の基を表す)のフタロシアニンがより特に有利である。より特に有利なw、x、y及びzはそれぞれ0を表す。式(1a)又は(1b)におけるX1及び/又はX2はそれぞれより特に有利にはハロゲンを示す。

0128

本発明により使用されるフタロシアニンは公知の方法、例えば
相応に置換されたフタロジニトリルから相応の金属、金属ハロゲン化物又は金属酸化物の存在下に核を合成することによって、
− 例えばフタロシアニンのスルホ塩素化又は塩素化及び更に、例えばそれから得られる生成物の縮合又は置換によるフタロシアニンの化学変性によって、
−アキシアル置換基X1及びX2は通常、交換によって相応のハロゲン化物から製造される。

0129

吸光性化合物は有利には熱変性可能であるべきである。熱変性は、有利には<700℃の温度で行われる。かかる変性は、例えば吸光性化合物の発色中心の分解、形態変化又は化学変性であってよい。

0130

該吸光性物質は未書き込み状態において光学データ媒体の十分に高い反射率並びに集束青色光、特にレーザ光、有利には360〜460nmの範囲の光波長を有するレーザ光によって一点での照射の間に情報層の熱分解のための十分に高い吸収を補償する。該データ媒体上の書き込まれた部分と未書き込みの部分の間のコントラスト書き込み後の情報層の変化した光学的特性の結果としての振幅に関する反射率の変化並びに入射光位相の変化を通して実現される。特に吸光性材料は書き込まれたマークにおける反射率の降下を伴ってよく規定された形状の読み出し信号を保証する。

0131

換言すると、該光学データ媒体は有利には波長360〜460nmを有するレーザ光を使用して書き込み及び読み出し可能である。

0132

フタロシアニンでのコーティングは、有利にはスピンコーティング、スパッタリング又は真空蒸着によって行われる。真空蒸着又はスパッタリングによって、有機媒体又は水性媒体中不溶なフタロシアニン、特にw、x、y及びzがそれぞれ0であり、Mが

0133

【化54】
又は

0134

【化55】
[式中、X1及びX2は前記の意味を有する]を表す式(1)のフタロシアニンを適用してよい。

0135

特に有機媒体又は水性媒体に可溶なフタロシアニンはスピンコーティングによる適用のためにも適当である。フタロシアニンは互いに混合するか、又は類似のスペクトル特性を有する他の色素と混合してよい。情報層は添加剤、例えばバインダー、湿潤剤、安定剤、希釈剤及び増感剤及びフタロシアニン以外の成分を含有してよい。

0136

メロシアニン色素はスピンコーティング又は真空蒸着によって光学データキャリヤーに適用される。メロシアニンは互いに混合するか、又は類似のスペクトル特性を有する他の色素と混合してよい。メロシアニン色素の他に、情報層は添加剤、例えばバインダー、湿潤剤、安定剤、希釈剤及び増感剤並びに他の成分を含有してよい。

0137

光学データ記憶機構は更に層、例えば金属層、誘電性層、バリヤ層、及び保護層を情報層に加えて有してよい。金属層及び誘電性層及び/又はバリヤ層は、なかんずく反射率及び熱平衡を適合させるために提供される。金属はレーザ波長に依存して金、銀、アルミニウム合金などであってよい。誘電性層は、例えばシリカ及び窒化ケイ素である。バリヤ層は誘電性層又は金属層からなってよい。保護層は、例えば光硬化性塗料溶融接着層感圧性接着層及び保護フィルムである。

0138

特にアクリル系接着剤からなる感圧性接着層、例えばニットーデンコーのDA8320又はDA8310はJP−A11273147号に開示されるように、この使用のために適当である。

0139

図1に示されるように該光学データ記憶機構は、有利には基板(1)、場合によりバリヤ層(2)、情報層(3)、場合により更なるバリヤ層(4)、場合により接着層(5)及びカバー層(6)を有する。

0140

有利には光学データ媒体の構造は:
・ 表面上に光を使用して書き込みできる少なくとも1つの情報層(3)、場合によりバリヤ層(4)及び場合により接着層(5)及びカバー層(6)が適用されている、有利には透明な基板(1)を有してよく、
・ 表面上に場合によりバリヤ層(2)、光を使用して書き込みできる少なくとも1つの情報層(3)、場合により接着層(5)及び透明なカバー層(6)が適用されている、有利には透明な基板(1)を有してよく、
・ 表面上に場合によりバリヤ層(2)、光を使用して書き込みできる少なくとも1つの情報層(3)、場合によりバリヤ層(4)、場合により接着層(5)及び透明なカバー層(6)が適用されている、有利には透明な基板(1)をしてよく、
表面上に光を使用して書き込みできる少なくとも1つの情報層(3)、場合により接着層(5)及び透明なカバー層(6)が適用されている、有利には透明な基板(1)を有してよい。

0141

本発明は更に、青色光、特にレーザ光、特に有利には360〜460nmの波長を有するレーザ光を使用して書き込みできる本発明による光学データ媒体に関する。

0142

以下の実施例は本発明の対象を説明するものである。

0143

本発明は更に、青色光、特にレーザ光、特に有利には360〜460nmの波長を有するレーザ光を使用して書き込みできる本発明による光学データ媒体に関する。

0144

以下の実施例は本発明の対象を説明するものである。

0145

実施例
例1

0146

【化56】

0147

色素モノクロロ−アルミニウム−フタロシアニン(AlClPc)を情報層のために適用した。使用される該ディスク構造図2aに示した。

0148

ポリカーボネート基板射出法によって成形して、0.64μmのピッチ及び40nmの深さのグルーブ構造を形成した。グルーブ表面の上に直接、40nmの情報層を真空蒸着法によって被覆した。情報層が接着層中に拡散することを回避するために情報層を25nmの厚さのSiO2バッファ層で、RF反応性スパッタリング法によって被覆した。感圧性接着剤(PSA; Nitto Denko DA/8320)を次いで接着層及び付加的なカバー層(ポリカーボネート)として、媒体の入射ビーム側に適用した。接着層及びカバー層の全厚さを100μmに設定した。

0149

読み出し/書き込み装置のパラメータは以下の通りである。
レーザの波長=405nm
対物レンズの開口数=0.85、2エレメントレンズ
読み出しレーザ出力=0.30mW
書き込みレーザ出力=6.0mW
ディスク回転線速度=5.72m/s
書き込みマークスペースの長さ=0.69μm、周期
パルスストラテジー=1マーク内の50%のデューティーで7パルス
結果としてグルーブトラックへの書き込み後に、矩形波形が図2に示されるように得られた。ここではRは媒体からの反射率を示し、RInitは初期反射率を示している。書き込まれた領域が所望のように均一のより低い反射率を示すことはこの図において明らかである。キャリヤノイズ比(C/N)は30kHzの分解バンド幅(RBW)で48.4dBであった。情報層を薄いSiO2バッファ層及び軟質PSA層で覆っただけであるが、その読み出し安定性は意想外に良好であり、UV樹脂ハードカバーを有するCD−R又はDVD−R媒体とほぼ同じレベルであった。類似の結果が、書き込みをグルーブ構造のランド表面上で実施した場合に得られた。
例2

0150

【化57】

0151

色素ジクロロシリコン−フタロシアニン(SiCl2Pc)を情報層のために適用した。使用されるディスク構造は例1と同じであるが、但しSiO2の厚さを40nmに設定した。書き込み条件は例1と同じであった。

0152

矩形の波形が、非常に低い雑音及び高い変調比で媒体中に明らかに記録されたという結果が示される(図3)。キャリヤ対ノイズ比は30kHzのRBWで55dBであった。読み出しマークの歪みは非常に小さく、この色素と層構造の組み合わせがかかる媒体フォーマット及び光学ピックアップパラメータに適合していることが明らかである。また非常に高い読み出し安定性が示された。0.7mWの読み出し出力まで、C/Nレベルは高いレベルで保持した。

0153

書き込み及び読み出しの安定性のその高い性能に従って、この媒体は高密度書き込みのために極めて高いポテンシャルを示している。(1,7)RLL変調でのランダムパターン書き込みを173μmの最短マーク長で実施した。片面12cm直径ディスク上でのデータ容量は、ランド及びグルーブの両方で記録される場合に21GBに相当する。ランド書き込みにおける明らかなアイパターンが、その10%のジッタレベルで図4に示されるように得られた。類似の結果がグルーブで得られ、従って片面ディスクにおける21GBを上回るそのポテンシャルが示された。
例3

0154

【化58】

0155

前記の色素を情報層のために適用した。ディスク構造及び書き込みパラメータは例2と同様である。例1及び例2に類似して、高い読み出し安定性で矩形の波形が示された(図5)。C/Nレベルは30kHzの分解バンド幅で45dBであった。

0156

同様に例3〜23の色素を使用できる。
例3〜23

0157

【表1】
例24
2.1gの1−ブチル−3−シアノ−4−メチル−6−ヒドロキシ−2−ピリドン及び2.0gの1,3,3−トリメチルインドール−2−メチレン−ω−アルデヒドを5mlの無水酢酸中に90℃で2時間にわたり撹拌導入した。冷却後に、該混合物を100mlの氷冷水上に排出し、吸引濾過除去し、かつ残留物を水で洗浄した。次いで20mlの水/メタノール3:1中に撹拌導入し、吸引濾過分離し、かつ乾燥させた。3.3g(理論値の85%)の式

0158

【化59】
の赤色の粉末が得られた。
融点=249〜251℃
UV(ジオキサン):λmax=520nm
UV(DMF):λmax=522nm
ε=113100l/モルcm
Δλ=2nm
λ1/2−λ1/10(長波長側)=12nm
溶解度:TFP(2,2,3,3−テトラフルオロプロパノール)中>2%
例25
同じ手順に従って、2.6g(理論値の79%)の式

0159

【化60】
の赤色の粉末が、1.7gの1−プロピル−3−シアノ−4−メチル−6−ヒドロキシ−2−ピリドン及び1.7gのN−メチル−N−(4−メトキシフェニル)アクロレインを使用して得られた。
融点=206〜216℃
UV(ジオキサン):λmax=482nm
UV(DMF):λmax=477nm
ε=73013l/モルcm
Δλ=5nm
λ1/2−λ1/10(短波長側)=33nm
溶解度:TFP中>2%
例26
2.03gの3−ピリジニオ−4−メチル−6−ヒドロキシ−ピリドン塩化物及び2.0gの1,3,3−トリメチルインドール−2−メチレン−ω−アルデヒドを10mlの無水酢酸中に、90℃で2時間にわたり撹拌導入した。冷却後に該混合物を200mlの水上に排出した。2.8gのテトラフルオロホウ酸ナトリウムを橙色溶液に添加した。該混合物を一晩撹拌した後に、吸引濾過分離し、かつ残留物を20mlの水で洗浄し、かつ乾燥させた。3.3g(理論値の74%)の式

0160

【化61】
の帯赤橙色の粉末が得られた。
融点>300℃
UV(メタノール):λmax=513nm
ε=86510l/モルcm
λ1/2−λ1/10(短波長側)=38nm
溶解度:TFP中>2%
例27
0.7gの5−ジメチルアミノフラン−2−カルバルデヒド及び1.5gのN−メチル−N′−ドデシルバルビツル酸を15mlの無水酢酸中に90℃で30分間にわたって撹拌導入した。冷却後に、該混合物を100mlの氷冷水上に排出し、吸引濾過分離し、かつ残留物を水で洗浄した。1.7g(理論値の79%)の式

0161

【化62】
の橙色の粉末が得られた。
融点=118〜120℃
UV(ジオキサン):λmax=483nm
ε=53360l/モルcm
λ1/2−λ1/10(短波長側)=32nm
溶解度:ベンジルアルコール中>1%
本発明による他の例を以下の表にまとめる:
第1表(式(VI))

0162

【表2】

0163

【表3】

0164

【表4】

0165

【表5】

0166

1)特に記載がない限りジオキサン中
2)=|λDMF−λジオキサン|
3)短波長側上
4)長波長側上
第2表(式(VII))

0167

【表6】

0168

【表7】

0169

【表8】

0170

【表9】

0171

1)特に記載がない限りジオキサン中
2)=|λDMF−λジオキサン|
3)短波長側上
4)長波長側上
第3表(式VIII))

0172

【表10】

0173

【表11】

0174

1)特に記載がない限りジオキサン中
2)=|λDMF−λジオキサン|
3)短波長側上
4)長波長側上
例87

0175

【化63】
を有する前記で例76で示される色素を情報層のために適用した。使用される該ディスク構造を図2aに示した。

0176

ポリカーボネート基板を射出法によって成形して、0.64mのピッチ及び40nmの深さのグルーブ構造を形成した。グルーブ構造の上に直接的に情報層をスピンコーティング法によって被覆した。スピンコーティングのためのパラメータは以下の通りである。
溶剤:テトラフルオロプロパノール(TFP)
溶液:1.0質量%
溶剤のコーティングのためのディスク回転速度:220rpm、12秒
スピンオフ及び乾燥のためのディスク回転速度:1200rpm、30秒
グルーブ及びランド中の色素層の厚さはそれぞれ80nm及び60nmであった。情報層が接着層中に拡散することを回避するために情報層を40nmの厚さのSiNバッファ層で、RF反応性スパッタリング法によって被覆した。感圧性接着剤(PSA; Nitto Denko DA/8320)を次いで接着層及び付加的なカバー層(ポリカーボネート)として、媒体の入射ビーム側に適用した。接着層及びカバー層の全厚さを100μmに設定した。
読み出し/書き込み装置のパラメータは以下の通りである。
レーザの波長=404nm
対物レンズの開口数=0.85、2エレメントレンズ
読み出しレーザ出力=0.30mW
書き込みレーザ出力=6.0mW
ディスク回転の線速度=5.72m/s
書き込みマークとスペースの長さ=0.69μm、周期
パルスストラテジー=1マーク内の50%のデューティーで7パルス
結果として、グルーブトラック上での書き込みの後に、明らかな矩形の波形が図6a及び6bに示されるようにグルーブ及びランド領域のそれぞれについて得られた。ここではRは媒体からの反射率を表し、RInitは初期反射率を表す。書き込まれた領域が所望のように均一のより低い反射率を示すことはこの図において明らかである。キャリヤ対ノイズ比(C/N)測定を、武田理研のTR4171を使用して実施し、その際30kHzの分解バンド幅(RBW)でグルーブ及びランドのそれぞれについて57.4dB及び53.0dBが得られた。これらの高いC/Nは高密度書き込みについて高い性能を証明している。それというのもこの媒体は両方のランド/グルーブ上に書き込み可能であり、これは事実上、二倍トラックピッチ、すなわち0.32μmをもたらすからである。また変調比(マークからの反射率/RInit)がほぼ80%に達していることに注目すべきである。かかる大きな変調比で、この媒体は理想的な信号品質及び極限的なキャリヤーレベルを表す。

技術分野

0177

更に短マーク書き込みは以下のようなパラメータで実施した。
書き込みマークとスペースの長さ=0.17μm、周期
パルスストラテジー=1マーク内で1パルス
他の条件は0.69μmのマーク書き込みと同一である。

0178

結果として、明らかな波形が図7に示されるように観察される。振幅変調は図6a又は6bよりも小さいが、読み出しレンズのカットオフ周波数に近いかかる小さいマークについての理論値に近い。読み出しシグナルについてのC/N値は40.0dBであった。(1,7)RLL変調の最短マークとしての0.17μmのマーク長さを使用して、12cm直径の両面ディスクについての容量は21GBに達する。この色素はかかる高密度記録のためのその可能性を示している。

図面の簡単な説明

0179

図1
図1は、有利には基板(1)、場合によりバリヤ層(2)、情報層(3)、場合により更なるバリヤ層(4)、場合により接着層(5)及びカバー層(6)を有する光学データ記憶機構の図を示している
【図2】
図2は例1による波形の結果を示している
図2a
図2aは色素モノクロロ−アルミニウム−フタロシアニン(AlClPc)を情報層のために適用したディスク構造を示している
【図3】
図3は例2による波形の結果を示している
【図4】
図4は10%のジッタレベルでのランド書き込みにおける明らかなアイパターンを示している
【図5】
図5は例3による波形の結果を示している
【図6a】
図6aは例87における、グルーブトラック上での書き込みの後の明らかなグルーブ領域についての矩形の波形を示している
【図6b】
図6bは例87における、グルーブトラック上での書き込みの後の明らかなランド領域についての矩形の波形を示している
【図7】
図7は例87による波形の結果を示している

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