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技術 半導体装置の製造方法

出願人 ルネサスエレクトロニクス株式会社
発明者 角田義幸横内哲司長谷川晃二根本章次岩崎武正岩田義雄岸恒治
出願日 2003年3月14日 (17年0ヶ月経過) 出願番号 2003-070588
公開日 2004年10月7日 (15年5ヶ月経過) 公開番号 2004-281696
状態 拒絶査定
技術分野 半導体装置の製造処理一般
主要キーワード 実験水準 完成寸法 分割内容 製造仕様書 自動指示 合否判断 寸法条件 本体工
関連する未来課題
重要な関連分野

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図面 (16)

課題

分流工程の自動化を図り、作業ミスなどの低減に加え、製品の開発期間短縮や早期歩留り向上を実現することができる半導体装置の製造方法を提供する。

解決手段

初期登録にて、分流を行う各ウェハ毎に、先行処理による着工条件APCによる着工条件などから基準とする着工条件を選択し、指示変化量を設定することで、前記各ウェハが装置によって着工される際に、前記選択した着工条件に該当する着工条件値が自動で取得され(S402)、当該着工条件値に前記指示変化量を加算した数値が自動で装置に指示され(S403)、前記各ウェハが着工される(S404〜S406)。

概要

背景

本発明者が検討したところによれば、半導体装置生産管理システムおよび生産管理方法に関しては、以下のような技術が考えられる。

概要

分流工程の自動化をり、作業ミスなどの低減に加え、製品の開発期間短縮や早期歩留り向上を実現することができる半導体装置の製造方法を提供する。初期登録にて、分流を行う各ウェハ毎に、先行処理による着工条件APCによる着工条件などから基準とする着工条件を選択し、指示変化量を設定することで、前記各ウェハが装置によって着工される際に、前記選択した着工条件に該当する着工条件値が自動で取得され(S402)、当該着工条件値に前記指示変化量を加算した数値が自動で装置に指示され(S403)、前記各ウェハが着工される(S404〜S406)。

目的

本発明の目的は、分流工程の自動化を図り、作業ミスなどの低減に加え、製品の開発期間短縮や早期歩留り向上を実現することができる半導体装置の製造方法を提供する

効果

実績

技術文献被引用数
0件
牽制数
0件

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請求項1

分流を行う各ウェハ毎に、基準となる着工条件を選択し、指示変化量数値一括して初期登録するステップと、自動で、前記選択された着工条件に該当する数値を取得するステップと、前記取得された数値に、自動で前記指示変化量を加算するステップと、前記加算された結果の数値を、自動で装置に指示するステップとを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

請求項2

請求項1記載の半導体装置の製造方法であって、前記基準となる着工条件は、APCから得られた着工条件か、または先行処理から得られた着工条件か、あるいは前回の着工条件か、もしくは製造仕様書から得られた着工条件であることを特徴とする半導体装置の製造方法。

請求項3

請求項2記載の半導体装置の製造方法であって、前記基準となる着工条件の選択は、自動で行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。

請求項4

本体ウェハより先行して先行ウェハ着工し、最適な着工条件を導出する先行処理の有無を自動で判断するステップと、前記先行処理が有る場合に、前記先行処理から導出された着工条件を、自動で前記本体ウェハの着工条件に反映させるステップとを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

請求項5

請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法であって、さらに、ウェハの着工履歴管理を自動で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

技術分野

0001

本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に分流工程を含む場合の生産指示方法および生産管理方法に適用して有効な技術に関する。

0002

本発明者が検討したところによれば、半導体装置の生産管理システムおよび生産管理方法に関しては、以下のような技術が考えられる。

0003

例えば、半導体装置の製造ラインにおける、ロットの分割および合流オンライン化したシステムが開示されている。その概要は、ウェハからウェハ番号を認識し、その番号から分割内容を記憶したデータに基づいて分割を行うというものである(例えば、特許文献1参照)。

0004

また、例えば、実験水準データの設定と管理を容易にする生産管理システムおよび管理方法が開示されている。その概要は、ウェハベース管理コンピュータを設けることで、ウェハ毎処理条件指示を可能にし、また、ウェハ間同一処理条件となるものを識別するなどの機能を備えるものである(例えば、特許文献2参照)。

0005

【特許文献1】
特開平9−153439号公報(第2〜3頁の課題を解決するための手段など)

背景技術

0006

【特許文献2】
特開2000−252178号公報(第4〜6頁の発明の実施の形態など)

0007

ところで、前記のような半導体装置の生産管理技術、および近年の生産管理技術における課題ついて、本発明者が検討した結果、以下のようなことが明らかとなった。

0008

近年、半導体製品が多品種化し、製品サイクルが短くなるなどにより、早期のプロセス開発が必須となってきている。このプロセス開発における重要な技術として、異なる着工条件でウェハを処理し、プロセスの評価を行う分流技術が挙げられる。

0009

この技術は、プロセスマージン(着工条件のばらつき許容範囲)を導出することなどを主目的としており、設定した着工条件に対して、高精度のプロセスが必要となってくる。また、分流工程の使用頻度の増加に伴い、前記高精度を備えた上での自動化が重要となる。

0010

このような中、ホトリソグラフィ(以下、ホトと略す)、エッチング、CMP等の工程に関しては、現状、装置状況が日々変化しており、それに応じて最適着工条件も異なってくる。そこで、精度を得るために、分流工程では、数枚のウェハを先行して処理し、現状の最適着工条件を求める先行処理や、狙い通りに加工されなかったウェハを再度処理する再生処理を行う場合などがある。

0011

また、場合によっては、前記のような処理を行わずに、前回の着工条件を用いたり、過去のノウハウなどから考えられる数値を用いたりすることもある。そして、分流を行う際に、それらの着工条件に分流に伴う指示変化量加算し、装置に入力する作業などがある。

0012

このように、分流工程には複雑な処理や作業が含まれている。このため、分流工程は、自動化の対象外となり手動で行われているの現状である。

0013

しかしながら、このような複雑な処理や作業を手動で行うことは、分流の使用頻度を制限し、新製品開発期間の短縮や、早期の歩留り向上の妨げとなる。また、作業ミスポテンシャルも高めることとなる。さらに、先行処理、再生処理などにおいて、手動でのウェハの出し入れなどによる異物混入や、表面への傷なども懸念される。

0014

一方、装置状況に応じて最適な着工条件を指示するAPC(advancedprocess control)技術などが、主に量産技術として用いられてきている。この技術は、例えば、過去の着工条件や、その条件で着工したウェハの検査結果などから、統計的な計算を行い、最適着工条件を算出する技術である。

0015

この技術により得られた最適着工条件、すなわちAPC計算値を用いると、前記のような先行処理などを必要としない場合が多くなり、大幅な効率向上が期待できる。ただし、高精度なAPC計算値を得るためには、ある程度の着工枚数が必要であったり、適用できる工程に限りがあったりする。このため、実際には前記先行処理などと併用して用いる必要があるが、当該技術を分流工程に適用すれば大きな効果が得られる。

0016

しかしながら、前記APC技術も、分流工程の自動化には対応していないため、前記のような指示変化量の加算や、装置入力時などで作業ミスのポテンシャルを秘めている。また、これらの作業があることで、APC技術の活用による効率向上が阻害されている。

0017

そこで、本発明の目的は、分流工程の自動化を図り、作業ミスなどの低減に加え、製品の開発期間短縮や早期歩留り向上を実現することができる半導体装置の製造方法を提供することにある。

発明が解決しようとする課題

0018

本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。

0019

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。

0020

本発明による半導体装置の製造方法は、分流を行う各ウェハ毎に、基準となる着工条件を選択し、指示変化量の数値を一括して初期登録するステップと、自動で、前記選択された着工条件に該当する数値を取得するステップと、前記取得された数値に、自動で前記指示変化量を加算するステップと、前記加算された結果の数値を、自動で装置に指示するステップとを有するものである。

0021

そして、前記選択される着工条件は、APCから得られた着工条件、先行処理から得られた着工条件、前回の着工条件、製造仕様書から得られた着工条件などである。

0022

さらに、前記のような着工条件の選択は、自動で行うこともできる。

0023

また、本発明による半導体装置の製造方法は、先行処理の有無を自動で判断し、前記先行処理が有る場合に、先行処理から導出された着工条件を、自動で前記本体ウェハの着工条件に反映させるものである。

課題を解決するための手段

0024

さらに、本発明による半導体装置の製造方法は、ウェハの着工履歴管理を自動で行うことができるものである。

0025

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。

0026

図1は、本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法において、分流工程の処理システムの一例を示す構成図である。

0027

まず、図1により、本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法における、分流工程の処理システム構成の一例を説明する。

0028

図1の分流工程の処理システムは、オペレータ端末を操作することで、ネットワーク上の各種サーバの処理などによって、製造ラインをコントロールできるものとなっている。

0029

そのシステム構成は、ホストサーバ1を主体として、ホストサーバ1に接続され、ウェハ単位の分流内容や工程進捗および着工履歴等を記憶する分流管理サーバ2と、オペレータによって操作され、前記分流内容の登録などを行う端末3と、ホストサーバ1によってコントロールされ、半導体加工装置4、検査装置5およびウェハソータ6等からなる製造ラインと、ホストサーバ1に接続される検査結果記憶部7、製造条件記憶部8、仕掛かり工程記憶部9および最適着工条件記憶部10などを含んでいる。

0030

前記検査結果記憶部7は、ウェハ単位の検査結果を記憶し、前記製造条件記憶部8は、製造仕様書に登録されている着工条件の値を記憶し、前記仕掛かり工程記憶部9は、ロット単位の仕掛かり工程を記憶し、最適着工条件記憶部10は、プロセス毎のAPC計算値および前回の着工条件の値などを記憶するものである。

0031

つぎに、本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法において、前記図1に示したような処理システムを用いた、分流工程の処理手順の一例を図2図5によって説明する。図2は、分流工程の処理手順の一例を示すフロー図、図3は、図2に続く分流工程の処理手順の一例を示すフロー図、図4は、図2に続く他の分流工程の処理手順の一例を示すフロー図、図5は、図3に続く分流工程の処理手順の一例を示すフロー図である。

0032

図2図5に示す分流工程の処理手順は、例えば、ホト工程に対し分流を行う場合の処理手順の一例である。そして、この処理手順は、最初に手動にて図1の端末3から分流情報をウェハ単位で登録することで、以降は、ほぼ自動でウェハの搬送や加工などが行われるように、図1に示したようなシステム上の各部にプログラムされたものである。

0033

まず、図2に示す分流工程の処理手順は、下記のように行われる。

0034

S201において、プロセススタッフなどにより分流計画立案される。

0035

S202において、プロセススタッフなどにより、前記計画した分流情報が図1に示した端末3などから、図1の分流管理サーバ2に登録される。前記分流情報には、適用工程、適用ロットNo、着工条件、検査条件検査ウェハNo、APCの使用可否、先行の有無などが含まれ、ウェハ単位で指示(登録)可能である。

0036

ここで、それらの指示内容の具体例を、図6および図7に示す。ここでは、ホト工程において寸法を分流する場合を想定している。

0037

図6は分流情報の登録テーブルの一例であり、(a),(b)は、分流を行う適用ロットと適用工程種別などを定めるテーブル、(c)は、感光工程において、前記適用ロット内の各ウェハ毎に着工条件などを定めるテーブル、(d)は、検査工程において、前記適用ロット内の各ウェハ毎に検査規格などを定めるテーブルを示す。

0038

図6(a),(b)では、分流を行う適用ロットと、複数の適用工程の関係を指示する。その関係は適用工程種別で区別され、適用工程種別毎に、それぞれ異なった複数の適用工程を有している。その一例を図7に示す。

0039

図7では、ホト工程内の詳細プロセス工程の中から、塗布工程、感光工程、現像工程、現像寸法検査工程および完成寸法検査工程を、適用工程として選択し、一つの適用工程種別として定義している。したがって、この適用工程種別と適用ロットの関係を指示すれば、どのロットをどの工程で分流するかが明確となる。なお、前記適用工程の選択は、図7のごとく複数工程を対象に飛び飛びに行うことが可能で、また、選択されなかった工程は、通常通りの着工が行われる。

0040

図6(c)では、前記選択した適用工程毎に、前記指示した適用ロット内の各ウェハ単位で着工条件の指示を行う。ここでは、感光工程を例としており、例えば、各ウェハを加工する対象装置や、各ウェハに対する露光量、フォーカスなどの着工条件や、着工条件の基準値としてAPC計算値を使用するか否か、また当該ウェハを反映させてAPC計算値の算出を行うか否かなどを規定している。

0041

また、前記着工条件には、基準値と分流に伴う指示変化量が規定でき、基準値として用いる条件は、先行処理から得られた着工条件、数値入力による着工条件、APCから得られた着工条件、前回の着工条件、および製造仕様書から得られた着工条件の中から選択可能なものとなっている。

0042

図6(d)では、現像寸法などの検査工程を例としており、前記図6(c)と同様に、各ウェハ単位で、検査レシピ、先行規格値および本体規格値などを指示している。

0043

S203において、前記図6(a),(b)にて指示した適用ロットが適用工程に仕掛かる。

0044

S204において、端末に、前記図6(c)などに示したような分流情報が表示され、作業者などによってその内容が確認される。

0045

S205において、ロット分割の必要がある場合は、ウェハソータを用いるか、もしくは手作業にて、ロットを別々のキャリアに分割する。

0046

S206において、ロット分割の情報を登録する。すなわち、前記キャリアのキャリアIDと、そのキャリアに含まれるウェハNoとの関係付けを登録する。ウェハソータを用いる場合は自動、手作業で行う場合は手動による登録となる。

0047

S207において、装置(図1の半導体加工装置4や検査装置5)にキャリアが搬送される。

0048

ここで、S205〜S207の手順の具体例として、ウェハソータを用いたロット分割および分割後の処理を、図8により説明する。

0049

図8では、4通りの分割パターンが示されている。

0050

分割パターン1は、ロット(ロットNo.001)内のAグループ、Bグループ、Cグループのウェハを、3つのキャリア(001−1,001−2,001−3)に分割し、それぞれのキャリアを別装置(1,2,3)にて処理後、ロットを統合した例である。

0051

分割パターン2は、前記と同様にロットを3つのキャリアに分割し、それぞれのキャリアを1台の装置でシリアルに処理した後、ロットを統合した例である。

0052

分割パターン3は、キャリアは分割せずに、装置1にてAグループを処理後、装置2にてBグループを処理し、その後装置3にてCグループを処理した例である。

0053

分割パターン4も、キャリアは分割せずに、1台の装置にて、A、B、Cグループのウェハを順次処理した例である。

0054

これらの分割および統合は、前記図6(c)などで指示した各ウェハ毎の分流内容と対象装置を識別するなどで、分割のパターンが特定でき、キャリアIDとウェハNoの関連付けを、自動で行うことが可能となる。なお、分割および統合のタイミングは任意であり、分割したまま複数工程の着工も可能である。

0055

S208において、先行処理の有無が判断される。先行処理の有無は、図6(c)などに示した分流内容から判断される。例えば、分流内容に「先行」の記載があれば、先行処理有りとなる。そして、先行処理を行う場合は、図3のS301に、行わない場合は、図4のS401に移行する。

0056

次に、図3に示す分流工程の処理手順は、下記のように行われる。この手順は、前記図2のS208にて先行処理が有る場合の手順となる。

0057

S301において、端末に、前記図6(c)などに示したような分流情報が表示され、作業者などによってその内容が確認される。

0058

S302において、先行処理で使用する着工条件(基準値)の取得が自動で行われる。基準値としては、数値入力による着工条件値、APC計算値、前回の着工条件値、および製造仕様書から得られた着工条件値の中のいずれかとなる。それらの選択方法には、手動で行う方法と自動で行う方法がある。

0059

手動で行う場合は、前記図2のS202における分流情報の登録時に、前記図6(c)などの基準値の欄などで予め指示すればよく、自動で行う場合は、例えば、下記のような条件をシステム上で定義すればよい。

0060

(1)図6(c)などの基準値の欄が具体的数値の場合は、その値を着工条件(数値入力による着工条件)とし、図1の分流管理サーバ2から値を取得する。

0061

(2)図6(c)などの基準値の欄が「標準」の場合は、着工履歴を参照することで下記(a)〜(c)などに分類する。

0062

(a)設定した累積着工ウェハ枚数に達している場合、APC計算値を適用し、図1の最適着工条件記憶部10から値を取得する。

0063

(b)設定した累積着工ウェハ枚数に達していない場合は、前回の着工条件を適用し、図1の最適着工条件記憶部10から値を取得する。

0064

(c)一度も着工されていない場合、製造仕様書により得られた着工条件を適用し、図1の製造条件記憶部8から値を取得する。

0065

なお、これら基準値の指示に関する具体例は、図9図14にて後述する。

0066

S303において、装置に、前記取得された先行着工条件が自動で指示される。

0067

S304〜S307において、先行処理を行うウェハ(先行ウェハ)が選択され、装置によって着工が行われる。先行ウェハは、このS304にて手動で選択するか、または、前記図6(c)などにおいて先行ウェハNoを予め規定してもよい。なお、先行ウェハの着工および終了に際し、図1の分流管理サーバに対してそれらの通知が行われる。

0068

S308において、先行処理終了の判断が行われる。先行処理として、複数の詳細プロセス工程を指定した場合などでは、それらの工程が全て完了するまでS301〜S307が繰り返される。工程が全て完了した場合などではS309に移行する。

0069

S309において、先行規格の判断が行われる。先行処理に含まれる検査工程の結果と、前記図6(d)で定めた先行規格値とを比べて合否判断が行われる。先行規格が合格ならば、図5のS501に、不合格ならば、再生ウェハを入力してS301〜S308を再度繰り返す処理、すなわち再生処理を行う。また、再生を行うウェハは、手動で入力するか、もしくは、不合格なウェハを自動で抽出し、その検査結果に応じて着工条件を自動で補正し、着工してもよい。

0070

次に、図4に示す分流工程の処理手順は、下記のように行われる。この手順は、前記図2のS208にて先行処理が無い場合の手順となる。

0071

S401において、端末に、前記図6(c)などに示したような分流情報が表示され、作業者などによってその内容が確認される。

0072

S402において、着工条件(基準値)が自動で取得される。基準値としては、数値入力による着工条件値、APC計算値、前回の着工条件値、および製造仕様書による着工条件値の中のいずれかとなる。その選択方法には、前記図3のS302の説明と同様、手動で行う方法と自動で行う方法がある。

0073

S403において、前記取得された着工条件に、前記図6(c)で指示した分流に伴う指示変化量が自動で加算され、装置に自動で指示される。

0074

ここで、前記図2のS202における分流情報の登録を基に、S402およびS403で基準値の取得および指示変化量の自動加算が行われる具体例を、図9図14にて説明する。図9図14は、前記図6(c),(d)などに示した分流情報の登録テーブルの一部であり、その登録によって装置に着工条件値が指示される流れを示すものである。ここでは、ホト工程の露光量を変化させて寸法条件の分流を行う場合を想定する。

0075

図9は、数値入力による着工条件が選択された例を示す。各ウェハ毎に、露光量の基準値の欄に数値が入力されており、その値がそのまま装置指示条件となって着工される。

0076

図10は、先行処理により得られた着工条件が指示された例を示す。分流内容の欄に記載された「先行」に該当する先行ウェハで先行処理が行われ、最適着工条件値が導出される。なお、先行ウェハの基準値は「標準」であるため、先行ウェハの着工条件は、APCにより得られた着工条件、前回の着工条件、または製造仕様書により得られた着工条件の中から選択される。ウェハNo1〜25では、各ウェハ単位で、基準値の「先行」に応じて、前記先行処理によって導出された最適着工条件値(この例の場合は、露光量=1000)を自動で取得し、それに自動で指示変化量が加算され、その値が装置指示条件となって着工される。

0077

図11は、複数の先行処理による着工条件が指示された例を示す。それぞれ着工条件が異なる、分流内容の欄の「先行1」および「先行2」に該当する先行ウェハで先行処理が行われ、それぞれの最適着工条件値が導出される。ウェハNo1〜25では、各ウェハ単位で、基準値の「先行1」または「先行2」に応じて、前記先行処理によって導出された先行1または先行2の最適着工条件値(この例の場合は、先行1:露光量=1800、先行2:露光量=2000)を自動で取得し、それに自動で指示変化量が加算される。そして、その加算された値が装置指示条件となって着工される。

0078

図12は、APCにより得られた着工条件が選択された例を示す。各ウェハ単位で、図1に示した最適着工条件記憶部10から、APC計算値(この例の場合は、露光量=1500)を自動で取得し、基準値とする。そして、その基準値に対し、各ウェハ毎の指示変化量を加えた値が装置指示条件となって着工される。

0079

図13は、前回の着工条件が選択された例を示す。各ウェハ単位で、図1に示した最適着工条件記憶部10から、前回の着工条件(この例の場合は、露光量=1500)を自動で取得し、基準値とする。そして、その基準値に対し、各ウェハ毎の指示変化量を加えた値が装置指示条件となって着工される。

0080

図14は、製造仕様書により得られた着工条件が選択された例を示す。各ウェハ単位で、図1に示した製造条件記憶部から、製造仕様書に登録された値(この例の場合は、露光量=1500)を自動で取得し、基準値とする。そして、その基準値に指示変化量を加えた値が装置指示条件となって着工される。

0081

なお、前記図9図14において、着工条件の選択は、前記図3のS302で説明したように自動で行われた場合とする。

0082

S404〜S406において、装置によって、本体ウェハの着工が行われる。なお、この際に図1の分流管理サーバ2に対し、着工の開始および終了の報告が行われる。

0083

S407において、本体工程終了の判断が行われる。本体工程として、複数の詳細プロセス工程を指定した場合などでは、それらの工程が全て完了するまでS401〜S406が繰り返される。工程が全て完了した場合は、S408に移行する。

0084

S408において、本体規格の判断が行われる。本体工程に含まれる検査工程の結果と、前記図6(d)で定めた本体規格値とを比べて合否判断が行われる。本体規格が合格ならば、次の工程へ移行し、不合格ならば、再生ウェハを入力してS401〜S407を再度繰り返す再生処理を行う。

0085

次に、図5に示す分流工程の処理手順を説明する。この手順は、前記図3のS309にて先行規格が合格だった場合の手順となる。

0086

図5に示す手順は、前記図4の手順の説明とほぼ同様であり、相違点は、S502において、着工条件の基準値が前記図3の先行処理(または再生処理)によって導出された値になることのみである。したがって、下記に省略して手順を説明する。

0087

S501において、端末に、分流情報が表示され、作業者などによってその内容が確認される。

0088

S502において、着工条件(基準値)が自動で取得される。基準値としては、先行処理により得られた着工条件値となる。

0089

S503において、前記取得された着工条件値に分流に伴う指示変化量が自動で加算され、装置に自動で指示される。

0090

S504〜S506において、装置によって、本体ウェハの着工が行われる。なお、この際に図1の分流管理サーバ2に対し、着工の開始および終了の報告が行われる。

0091

S507において、本体工程終了の判断が行われる。本体工程として、複数の詳細プロセス工程を指定した場合などでは、それらの工程が全て完了するまでS501〜S506が繰り返される。工程が全て完了した場合はS508に移行する。

0092

S508において、本体規格の判断が行われる。本体工程に含まれる検査工程の結果と、前記図6(d)で定めた本体規格値とを比べて合否判断が行われる。本体規格が合格ならば、次の工程へ移行し、不合格ならば、再生ウェハを入力してS501〜S507を再度繰り返す再生処理を行う。

0093

以上、これまでの説明により、本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法によれば、各ウェハ毎に、着工条件の基準値(APC計算値、先行処理から得られた着工条件値、前回の着工条件値など)に指示変化量を加えた値の自動指示、および自動着工が可能になり、精度の高い分流工程が容易に実現できる。

0094

また、手作業による、着工条件の設定ミスやウェハ損傷の可能性がなく、信頼性が高い分流工程を実現できる。

0095

さらに、分流工程へのAPC技術の適用により、先行処理無しで本体着工が可能になり、分流ロットのTATが短縮される。したがって、分流頻度を増加させることができ、早期の製品開発および歩留向上が期待できる。

0096

つぎに、本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法において、前記図2図5に示したような分流工程のフロー内進捗管理および着工履歴管理を行う機能について説明する。

0097

これらの機能は、図1の分流管理サーバ2が有するウェハ単位の工程進捗機能を用いて行われ、各ウェハの進捗状況を管理する機能や、ウェハの分割情報、着工時間、着工待ち時間、着工順序、装置名、着工日時および作業者名等といった着工履歴のログを作成する機能である。実際の着工フローにおいて、これらの機能が使用される一例を、図15により説明する。

0098

図15は、先行ウェハ、本体ウェハ、再生ウェハを含む着工フローの一例であり、それぞれのフローにおいて、各ウェハに対する進捗管理および着工履歴管理は下記のように行われる。

0099

(1)先行ウェハの進捗管理、着工履歴管理
先行ウェハを、前記図6(c)などで定義する場合は不必要となるが、手動で選択する場合は、選択したウェハNoが分流管理サーバに通知される。そして、分流管理サーバに登録された着工条件などを基に、先行ウェハにおいて、レジストの塗布、感光、…、現像寸法検査などの進捗状況が管理される。また、各工程が終了する毎に、装置より分流管理サーバに対して終了の通知などが行われ、着工時間などの着工履歴のログが作成される。

0100

(2)本体ウェハ1と2の進捗管理、着工履歴管理
進捗管理や着工履歴の管理は、キャリア単位で行われる。つまり、本体ウェハ1と2をキャリア分割なしで着工した場合は、本体ウェハ1と2は、同一の進捗、履歴とする。本体ウェハ1と2を分流条件毎に別キャリアに分割して着工した場合は、それぞれキャリアごとに管理を行う。この場合は、分流管理サーバにて、前記図2のS206で登録したキャリアIDとウェハNoとの関係付け情報を基に、管理が行われる。また、各工程が終了する毎に、装置より分流管理サーバに対して終了の通知などが行われ、着工履歴のログが作成される。なお、本体ウェハ1と2の着工条件には、前記先行ウェハの結果が反映される。

0101

(3)再生ウェハの進捗管理、着工履歴管理
再生ウェハを、自動で選択する場合は不必要となるが、手動で選択する場合は、選択したウェハNoや着工条件などが分流管理サーバに通知される。そして、分流管理サーバに登録された着工条件などを基に、再生ウェハにおいて、再生ウェハの入力、レジスト除去洗浄、塗布、…、現像寸法検査などの進捗状況が管理される。また、各工程が終了する毎に、装置より分流管理サーバに対して終了の通知などが行われ、着工履歴のログが作成される。

0102

以上、これまでの説明により、本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法における、ウェハの進捗および着工履歴管理機能によれば、様々なロット分割パターンにおいても、キャリア単位の工程進捗および履歴管理が可能となり、分流解析TATの短縮、分流解析機能強化を行うことができる。

0103

以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

発明を実施するための最良の形態

0104

例えば、これまでの本発明の一実施の形態の説明においては、分流工程を主要な例として説明したが、通常の量産工程において先行処理を行う必要がある場合などにも、その自動化手法として適用可能である。

0105

本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。

0106

(1)着工条件の基準値(APC計算値、先行処理から得られた着工条件値、前回の着工条件値など)に指示変化量を加えた着工条件の自動指示が可能になり、精度の高い分流工程が実現できる。

0107

(2)先行処理を自動で行うことができ、キャリアを分割せずに着工を行うことも可能となる。

0108

(3)前記(1),(2)により、作業時間が大幅に短縮でき、また、手作業による着工条件の設定ミスや、移し変えなどに伴うウェハの損傷が少なくなり、作業を効率化できる。

0109

(4)分流工程へのAPC技術の適用により、先行処理を行わずに本体ウェハの着工が可能になり、分流ロットのTATが短縮される。

0110

(5)先行、再生ウェハを含む着工履歴が自動収集されることで、分流解析TATの短縮、分流解析機能の強化を行うことができる。

発明の効果

0111

(6)前記(1)〜(5)により、分流工程の容易化およびTAT短縮が可能となる。

図面の簡単な説明

0112

(7)前記(6)により、分流頻度を増加させることができ、早期の製品開発および歩留向上が期待できる。

図1
本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法において、分流工程の処理システムを示す構成図である。
図2
本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法において、分流工程の処理手順を示すフロー図である。
図3
本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法において、図2に続く分流工程の処理手順を示すフロー図である。
図4
本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法において、図2に続く他の分流工程の処理手順を示すフロー図である。
図5
本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法において、図3に続く分流工程の処理手順を示すフロー図である。
図6
図2図5に示す分流工程の処理手順において、分流情報を登録するテーブルの一例であり、(a),(b)は、分流を行う適用ロットと適用工程種別などを定めるテーブル、(c)は、感光工程で適用ロット内の各ウェハ毎に着工条件などを定めるテーブル、(d)は、検査工程で適用ロット内の各ウェハ毎に検査規格などを定めるテーブルである。
図7
図6(b)における適用工程種別の一例を説明する工程フロー図である。
図8
図2図5に示す分流工程の処理手順において、ロット分割のパターンを示す説明図である。
図9
図2図5に示す分流工程の処理手順において、着工条件として数値を登録し、装置に着工条件が指示される流れを示す説明図である。
図10
図2図5に示す分流工程の処理手順において、着工条件として先行処理の結果を指示し、装置に着工条件が指示される流れを示す説明図である。
図11
図2図5に示す分流工程の処理手順において、着工条件として複数の先行処理の結果を指示し、装置に着工条件が指示される流れを示す説明図である。
図12
図2図5に示す分流工程の処理手順において、着工条件としてAPCによる条件が選択され、装置に着工条件が指示される流れを示す説明図である。
図13
図2図5に示す分流工程の処理手順において、着工条件として前回の着工条件が選択され、装置に着工条件が指示される流れを示す説明図である。
図14
図2図5に示す分流工程の処理手順において、着工条件として製造仕様書の条件が選択され、装置に着工条件が指示される流れを示す説明図である。
図15
本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法において、ウェハの進捗管理および着工履歴管理機能を説明する図である。
【符号の説明】
1ホストサーバ
2分流管理サーバ
3端末
4半導体加工装置
5検査装置
6ウェハソータ
7検査結果記憶部
8製造条件記憶部
9仕掛かり工程記憶部
10 最適着工条件記憶部

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