図面 (/)

技術 深さ計測装置及び深さ計測方法並びに切削装置

出願人 株式会社ディスコ
発明者 関家一馬
出願日 2002年1月25日 (18年9ヶ月経過) 出願番号 2002-016995
公開日 2003年7月30日 (17年3ヶ月経過) 公開番号 2003-214822
状態 拒絶査定
技術分野 光学的手段による測長装置 ダイシング
主要キーワード 深さ計 次切削 キーパターン 旋回動 複数収納 パルス当たり 計測対象物 切削溝
関連する未来課題
重要な関連分野

この項目の情報は公開日時点(2003年7月30日)のものです。
また、この項目は機械的に抽出しているため、正しく解析できていない場合があります

図面 (9)

課題

効率的かつ正確な手法により、2点間の深さ方向の位置の差を計測できるようにする。

解決手段

光学系11を計測対象物Wに対して接近または離反させながら計測対象物Wの表面W1に凸レンズを介してレーザ光24を照射して表面W1を撮像し、照射面積が最小となる焦点を検出してその時の光学系11の位置を第一の焦点検出位置として求め、次に、光学系11を計測対象物Wに対して接近または離反させながら計測対象物Wの表面W1に形成された溝Gの溝底G1に凸レンズを介してレーザ光24を照射して溝底G1を撮像し、照射面積が最小となる焦点を検出してその時の光学系11の位置を第二の焦点検出位置として求め、第一の焦点検出位置と第二の焦点検出位置との差を算出して溝の深さを求める。

概要

背景

図7に示すように、IC、LSI等の回路ストリートSによって区画されて複数形成された半導体ウェーハW1は、ストリートSを縦横切削することによりダイシングされ、回路ごとに個々の半導体チップCに分割される。

また、図8に示すように、半導体ウェーハW2のストリートに予め最終的な半導体チップの厚さに相当する深さの切削溝Gを形成し、裏面を研削することにより切削溝Gを露出させて個々の半導体チップCに分割する先ダイシングと称される技術によっても、同様に回路ごとに半導体チップCを形成することができる。

このように、いわゆる先ダイシングの技術により個々の半導体チップCに分割する場合の切削溝Gは、最終的な半導体チップCの厚さに相当する深さに形成されていなければならないため、切削溝Gの形成にあたっては、切削に用いる切削ブレード切り込み方向(図示の例では垂直方向)の位置を正確に制御することにより、所望の深さの切削溝Gを形成することとしている。

概要

効率的かつ正確な手法により、2点間の深さ方向の位置の差を計測できるようにする。

光学系11を計測対象物Wに対して接近または離反させながら計測対象物Wの表面W1に凸レンズを介してレーザ光24を照射して表面W1を撮像し、照射面積が最小となる焦点を検出してその時の光学系11の位置を第一の焦点検出位置として求め、次に、光学系11を計測対象物Wに対して接近または離反させながら計測対象物Wの表面W1に形成された溝Gの溝底G1に凸レンズを介してレーザ光24を照射して溝底G1を撮像し、照射面積が最小となる焦点を検出してその時の光学系11の位置を第二の焦点検出位置として求め、第一の焦点検出位置と第二の焦点検出位置との差を算出して溝の深さを求める。

目的

効果

実績

技術文献被引用数
0件
牽制数
1件

この技術が所属する分野

ライセンス契約や譲渡などの可能性がある特許掲載中! 開放特許随時追加・更新中 詳しくはこちら

請求項1

計測対象物の第一の面及び第二の面を拡大する凸レンズと該第一の面及び第二の面を撮像する撮像手段とを少なくとも備えた光学系と、該凸レンズを介して該計測対象物にレーザ光照射するレーザ光照射部と、該光学系を該計測対象物に対して接近及び離反させる方向に駆動する駆動手段と、該光学系により取得した画像を処理する画像処理手段とから構成される深さ計測装置。

請求項2

画像処理手段は、取得した画像を2値化する2値化手段と、2値化された画像からレーザ光の照射位置画素数を算出する画素数算出手段と、該算出した画素数を記憶する記憶手段と、該それぞれの画素数に基づいてそれぞれの焦点位置を検出する焦点検出手段と、該それぞれの焦点位置を検出した時の光学系の位置の差を該第一の面から該第二の面に至る深さとして算出する深さ算出手段とから構成される請求項1に記載の深さ計測装置。

請求項3

光学系は、計測対象物に接近または離反させる方向に移動しながら第一の面及び第二の面のそれぞれについて逐次画像を取得し、記憶手段は、該第一の面及び第二の面について取得した複数の画像を該光学系の位置に対応させて記憶し、焦点検出手段は、該第一の面及び第二の面について、該複数の画像の中から最も画素数の少ない画像をそれぞれ選択し、該それぞれ選択した画像に対応する該光学系の位置の差を該第一の面から該第二の面に至る深さとして算出する請求項2に記載の深さ計測装置。

請求項4

計測対象物の第一の面及び第二の面を拡大する凸レンズと該第一の面及び第二の面を撮像する撮像手段とを少なくとも備えた光学系と、該凸レンズを介して該計測対象物にレーザ光を照射するレーザ光照射部と、該光学系を該計測対象物に対して接近及び離反させる方向に駆動する駆動手段と、該光学系により取得した画像を処理する画像処理手段とから構成される深さ計測装置を用い、該第一の面から該第二の面に至る深さを計測する深さ計測方法であって、該駆動手段によって該光学系を計測対象物に対して接近または離反させながら該計測対象物の表面に該凸レンズを介してレーザ光を照射して該表面を撮像し、該画像処理手段によって照射面積が最小となる焦点を検出してその時の該光学系の位置を第一の焦点検出位置として求める第一の焦点検出工程と、該駆動手段によって該光学系を該計測対象物に対して接近または離反させながら該計測対象物の表面に形成された溝の溝底に該凸レンズを介してレーザ光を照射して該溝底を撮像し、該画像処理手段によって照射面積が最小となる焦点を検出してその時の該光学系の位置を第二の焦点検出位置として求める第二の焦点検出工程と、該第一の焦点検出位置と該第二の焦点検出位置との差を算出して該溝の深さを求める深さ算出工程とから構成される深さ計測方法。

請求項5

レーザ光の照射面積が最小となる焦点の検出は、撮像した複数の画像から照射位置の画素数が最も少ない画像を選択することにより行う請求項4に記載の深さ計測方法。

請求項6

被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削する切削手段と、請求項1に記載の深さ計測装置とを少なくとも備えた切削装置

請求項7

被加工物は半導体ウェーハであり、深さ計測装置は、切削手段の作用により該半導体ウェーハの表面に形成された切削溝の深さを計測する請求項6に記載の切削装置。

技術分野

0001

本発明は、2点間の深さ方向の位置の差を求めることができる深さ計測装置及び深さ計測方法並びにその深さ計測装置を備えた切削装置に関する。

背景技術

0002

図7に示すように、IC、LSI等の回路ストリートSによって区画されて複数形成された半導体ウェーハW1は、ストリートSを縦横切削することによりダイシングされ、回路ごとに個々の半導体チップCに分割される。

0003

また、図8に示すように、半導体ウェーハW2のストリートに予め最終的な半導体チップの厚さに相当する深さの切削溝Gを形成し、裏面を研削することにより切削溝Gを露出させて個々の半導体チップCに分割する先ダイシングと称される技術によっても、同様に回路ごとに半導体チップCを形成することができる。

0004

このように、いわゆる先ダイシングの技術により個々の半導体チップCに分割する場合の切削溝Gは、最終的な半導体チップCの厚さに相当する深さに形成されていなければならないため、切削溝Gの形成にあたっては、切削に用いる切削ブレード切り込み方向(図示の例では垂直方向)の位置を正確に制御することにより、所望の深さの切削溝Gを形成することとしている。

発明が解決しようとする課題

0005

しかしながら、切削ブレードの切り込み方向の位置の制御には誤差が生じることがあるため、切削ブレードの位置に基づいて想定される切削溝の深さと、実際に形成された切削溝の実際の深さとは一致しないことがあり、この場合は最終的な半導体チップの厚さの精度に悪影響を与えることになる。

0006

また、通常のダイシングにおいても、最終的な半導体チップの表面側の角を面取りされた形状とするために、ストリートに予めV字型の溝(V溝)を形成してから完全切断する場合もあり、この場合は、最終的な半導体チップの形状にバラツキがないようするために、V溝を形成する際にV溝形成用のブレードの切り込み方向の位置を検出する必要がある。

0007

しかし、この場合も上記と同様にV溝形成用のブレードの位置の制御に誤差が生じることがあるため、実際に形成されたV溝の深さを正確に認識することはできないという問題がある。

0008

一方、触針式のセンサ等を用いて切削溝の深さを計測することも可能ではあるが、半導体ウェーハを傷付けるおそれがあり、また、非効率的であるという問題がある。このような問題は、半導体ウェーハの加工のみに限られた問題ではなく、また、溝の深さに限らず、高さの異なる2点間の深さ方向の位置の差を計測する場合に共通に有する問題点でもある。

0009

従って、2点間の深さ方向の位置の差を計測する場合においては、効率的な手法により深さの値を正確に計測できるようにすることに課題を有している。

課題を解決するための手段

0010

上記課題を解決するための具体的手段として本発明は、計測対象物の第一の面及び第二の面を拡大する凸レンズと第一の面及び第二の面を撮像する撮像手段とを少なくとも備えた光学系と、凸レンズを介して計測対象物にレーザ光照射するレーザ光照射部と、光学系を計測対象物に対して接近及び離反させる方向に駆動する駆動手段と、光学系により取得した画像を処理する画像処理手段とから構成される深さ計測装置を提供する。

0011

そしてこの深さ計測装置は、画像処理手段が、取得した画像を2値化する2値化手段と、2値化された画像からレーザ光の照射位置画素数を算出する画素数算出手段と、算出した画素数を記憶する記憶手段と、それぞれの画素数に基づいてそれぞれの焦点位置を検出する焦点検出手段と、それぞれの焦点位置を検出した時の光学系の位置の差を第一の面から第二の面に至る深さとして算出する深さ算出手段とから構成されること、光学系が、計測対象物に接近または離反させる方向に移動しながら第一の面及び第二の面のそれぞれについて逐次画像を取得し、記憶手段が、第一の面及び第二の面について取得した複数の画像を光学系の位置に対応させて記憶し、焦点検出手段が、第一の面及び第二の面について、複数の画像の中から最も画素数の少ない画像をそれぞれ選択し、それぞれ選択した画像に対応する光学系の位置の差を第一の面から第二の面に至る深さとして算出することを付加的な要件とする。

0012

また本発明は、計測対象物の第一の面及び第二の面を拡大する凸レンズと第一の面及び第二の面を撮像する撮像手段とを少なくとも備えた光学系と、凸レンズを介して計測対象物にレーザ光を照射するレーザ光照射部と、光学系を計測対象物に対して接近及び離反させる方向に駆動する駆動手段と、光学系により取得した画像を処理する画像処理手段とから構成される深さ計測装置を用い、第一の面から第二の面に至る深さを計測する深さ計測方法であって、駆動手段によって光学系を計測対象物に対して接近または離反させながら計測対象物の表面に凸レンズを介してレーザ光を照射して表面を撮像し、画像処理手段によって照射面積が最小となる焦点を検出してその時の光学系の位置を第一の焦点検出位置として求める第一の焦点検出工程と、駆動手段によって光学系を計測対象物に対して接近または離反させながら計測対象物の表面に形成された溝の溝底に凸レンズを介してレーザ光を照射して溝底を撮像し、画像処理手段によって照射面積が最小となる焦点を検出してその時の光学系の位置を第二の焦点検出位置として求める第二の焦点検出工程と、第一の焦点検出位置と、第二の焦点検出位置との差を算出して切削溝の深さを求める深さ算出工程とから構成される深さ計測方法を提供する。

0013

そしてこの深さ計測方法は、レーザ光の照射面積が最小となる焦点の検出を、撮像した複数の画像から照射位置の画素数が最も少ない画像を選択することにより行うことを付加的な要件とする。

0014

更に本発明は、被加工物を保持するチャックテーブルと、チャックテーブルに保持された被加工物を切削する切削手段と、上記の深さ計測装置とを少なくとも備えた切削装置を提供する。

0015

そしてこの切削装置は、被加工物が半導体ウェーハであり、深さ計測装置が、切削手段の作用により半導体ウェーハの表面に形成された切削溝の深さを計測することを付加的な要件とする。

0016

上記のように構成される深さ計測装置及び深さ計測方法によれば、レーザ光を計測対象物の深さの異なる2点に照射し、それぞれについて照射位置を撮像して焦点を検出することにより、任意の2点間の深さ方向の位置の差を効率的かつ正確に計測することができる。

0017

また、上記のように構成される切削装置においては、深さ計測装置が、切削溝を形成すべきストリートを検出するアライメント機能と切削溝の深さを計測する深さ計測機能とを併せ持つことができる。

発明を実施するための最良の形態

0018

本発明の実施の形態の一例として、図1に示す深さ計測装置10について説明する。この計測装置10は、計測対象物の表面を拡大して撮像する光学系11と、光学系11を駆動する駆動手段12と、撮像した画像を処理する画像処理手段13と、計測対象物にレーザ光を照射するレーザ光照射部14とから概ね構成される。

0019

光学系11においては、レーザ光照射部14から発せられたレーザー光ハーフミラー15において反射し、凸レンズ16によって集光されて計測対象物に照射される。そしてその反射光は撮像手段17によって撮像される。

0020

撮像手段17は、例えば(256×256)程度の画素数を有するCCDカメラ等からなり、結像した像をデジタル情報からなる画像に変換し、その画像を画像処理手段13に転送する。

0021

駆動手段12は、パルスモータ18と、パルスモータ18の回転軸に連結されたボールネジ19とから構成されており、ボールネジ19には、光学系11を支持する支持部20に備えたナット(図示せず)が螺合しており、パルス信号の供給を受けて回転するパルスモータ18に駆動されてボールネジ19が回転することにより支持部20が上下動し、これに伴い光学系11が上下動する構成となっている。

0022

計測対象物22は、図示の例では保持部23に保持されており、計測対象物22にはレーザ光照射部14から発せられたレーザ光24が凸レンズ16を介して照射される。

0023

画像処理手段13には、CPU、メモリ等を備えており、撮像手段17から転送されてくる画像情報演算を施したり、情報を記憶したりすることができる。機能的には、取得した画像を2値化する2値化手段25と、2値化された画像の画素数を算出する画素数算出手段26と、算出した画素数を記憶する記憶手段27と、記憶手段27に記憶された画素数に基づいて焦点を検出する焦点検出手段28と、検出した焦点の位置に基づき深さを算出する深さ算出手段29とを備えている。また、深さ算出手段29により求めた深さの値は、表示装置等に表示させたり、深さの値を利用した制御を行う装置に転送したりすることができる。

0024

図1の計測装置10を用いた計測方法の一例として、図2に示すように半導体ウェーハWに形成されている切削溝Gの深さを計測する方法について説明する。

0025

図2において、半導体ウェーハWは保持部30に吸引保持されており、その表面には、所定間隔を置いて格子状にストリートが形成され、ストリートによって区画された多数のチップ領域(後に分割されて半導体チップとなる)CにはIC、LSI等の回路が形成されている。そして更に、ストリートに沿って裏面まで貫通しない切削溝Gが形成されている。

0026

次に、図3に示すフローチャートを参照して、切削溝Gの深さを計測する手順について説明する。図4に示すように、まず最初に光学系11から半導体ウェーハWの表面W1、即ち切削溝Gが形成されていない領域(第一の面)に凸レンズ16を介してレーザ光24を照射して撮像する。そして、撮像により取得した画像は画像処理手段13に転送される(ステップS11)。

0027

画像処理手段13においては、2値化手段25において撮像した画像を逐次2値化処理する(ステップS12)。2値化することにより、レーザ光が当たった部分と当たってない部分とを画素により識別することができるため、レーザ光が当たっている部分の画素数を画素数算出手段26において算出する(ステップS13)。そして、算出した画素数を記憶手段27に記憶させる(ステップS14)。ステップS11、S12、S13、S14は、駆動手段12による駆動によって光学系11を垂直方向に移動させながら、即ち半導体ウェーハWに接近または離反させる方向に移動させながら逐次実行し、光学系の位置ごとに個別に画像を取得してそれぞれの画像の画素数を算出して記憶手段27に記憶する。

0028

例えば、駆動手段12を構成するパルスモータ18にパルス信号が1回供給されて光学系11が垂直方向に移動するごとにステップS11、S12、S13、S14を実行し、レーザ光が照射された部分の画素数を逐次算出し、求めた画素数を画像処理手段13に備えた記憶手段13に記憶させていく。

0029

パルスモータ18に供給されるパルスの数によって光学系11の垂直方向の位置が定まるため、図5に示すように、パルス数及びそれに基づいて求めた光学系11の垂直方向の位置と求めた画素数とを対応付けて記憶手段27に記憶させる。パルスモータ18においては1パルス当たりの回転量が定められており、これに応じてボールネジ19が回転するため、画像処理手段13においてはパルス数に応じて光学系11の移動量を求めることができる。パルス数は、パルスモータ18またはパルスモータ18を制御する制御部(図示せず)から取り出して認識することができる。

0030

光学系11の垂直方向の位置は、ある基準位置を予め定め、その基準位置を基準とする変位量によって求める。従って、計測前に基準位置を定めることが必要となる。基準位置は任意に設定することができ、例えば保持部30の表面に焦点を合わせた時の光学系11の位置を基準位置Z0とする。

0031

基準位置の決定後は、その基準位置から光学系11を半導体ウェーハWに対して接近または離反させながら、例えばパルスN回分に達するまで繰り返し表面の撮像を行い(ステップS15)、そのそれぞれについて画素数を記憶手段27に記憶させる。

0032

N回分の画素数がすべて記憶手段27に記憶された後は、その中から、画素数が最小のものを選択する(ステップS16)。画素数が最小となった時は、レーザ光の照射面積が最小となった時であるため、焦点検出手段28において、この時に撮像された画像は表面W1が最も拡大されて焦点が合ったものとみなし、そのときの光学系11の位置を第一の焦点検出位置Z1とする(ステップS17)。ステップS11〜S17が第一の焦点検出工程P1となる。

0033

そして次に、切削溝Gの直上に光学系11を移動させて溝底G1を撮像し、上記と同様の手法によって溝底G1の焦点を検出し、そのときの光学系11の位置を求める。この場合、基準位置は上記予め求めた位置を用いる。

0034

図3のフローチャートを参照して説明すると、光学系11を半導体ウェーハWに対して接近または離反させる方向に移動させながら、パルス数ごとに切削溝Gの溝底G1(第二の面)を撮像し(ステップS21)、画像を2値化した後(ステップS22)、レーザ光が照射された部分の画素数を逐次算出し(ステップS23)、光学系の垂直方向の位置と求めた画素数とを対応付けて画像処理手段13に備えた記憶手段27に記憶させる(ステップS24)。

0035

上記ステップS21〜S24を、例えばパルスN回分に達するまで繰り返して溝底G1の撮像を行い(ステップS25)、そのそれぞれについて画素数を記憶手段27に記憶させる。

0036

N回分の画素数がすべて記憶手段27に記憶された後は、その中から、画素数が最小のものを選択する(ステップS26)。そして、焦点検出手段28においては、この時に撮像された画像は溝底G1最も拡大されて焦点が合ったものとみなし、そのときの光学系11の位置を第二の焦点検出位置Z2とする(ステップS27)。ステップS21〜S27が第二の焦点検出工程P2となる。

0037

半導体ウェーハWの表面W1と切削溝Gの溝底G1とは共に光学系11を用いて撮像しているため、その焦点距離が等しい。従って、第一の焦点検出位置Z1及び第二の焦点検出位置Z2が求まると、(Z1−Z2)を計算することにより、溝底G1の表面W1との関係における深さを求めることができる(深さ算出工程P3)。

0038

次に、図6に示す切削装置40に深さ計測装置10が搭載され、半導体ウェーハWの表面に切削溝を形成し、その切削溝の深さを計測するについて説明する。

0039

図6の切削装置40には、半導体ウェーハWが収容されるウェーハカセット41が載置されるカセット載置領域42と、ウェーハカセット41からの半導体ウェーハWの搬出及びウェーハカセット41への半導体ウェーハWの搬入を行う搬出入手段43と、半導体ウェーハWの搬送を行う搬送手段44と、半導体ウェーハWを保持するチャックテーブル45と、切削溝を形成すべきストリートを検出すると共に形成された切削溝の深さを計測する深さ計測装置10と、ストリートを切削する切削手段46とを備えている。

0040

この切削装置40を用いて半導体ウェーハWの表面に切削溝を形成しようとする場合は、半導体ウェーハWはウェーハカセット41に複数収納され、搬出入手段43によってウェーハカセット41から搬出されて仮置き領域47に一時的に載置される。そしてその後搬送手段44に吸着され搬送手段44が旋回動することによりチャックテーブル45に搬送されて載置され、吸引保持される。

0041

半導体ウェーハWを保持したチャックテーブル45は、+X方向に移動することにより深さ計測装置10の直下に位置付けられる。そして、深さ計測装置10によって切削すべきストリートが検出される。

0042

ここで、深さ計測装置10は、図1に示したように構成され、切削溝の深さを計測する機能と共に、ストリートを検出する機能をも併せ持っている。

0043

深さ計測装置10を構成する画像入力手段13に備えた記憶手段27には、ストリートの位置を示すキーパターン画像が予め記憶されている。一方、光学系11がY軸方向に移動しながら実際に撮像して取得した画像は、2値化手段25によって2値化されて実際の形状を明確にする。そして、記憶手段27に予め記憶された前記予め記憶されているキーパターン画像とのパターンマッチングを画像処理手段13において行うことにより、切削すべきストリートを検出することができる。

0044

切削手段46においては、Y軸方向に配設されたスピンドルの先端部に切削ブレード48が装着されており、スピンドルの回転に伴って切削ブレード48が回転する構成となっている。

0045

また、深さ計測装置10と切削手段46とは一体に形成されており、切削手段46は計測装置10のY軸方向の動き連動して動くため、パターンマッチングにより切削すべきストリートが検出されると同時に、そのストリートと切削ブレード48とのY軸方向の位置合わせが自動的になされる(アライメントされる)。

0046

従って、更にチャックテーブル45が+X方向に移動し、切削ブレード48が高速回転しながら切削手段46が下降すると、上記検出したストリートに切削溝が形成される。このとき、切削ブレード48の切り込み深さを精密に制御することにより所望の深さの切削溝を形成する。

0047

チャックテーブル45をX軸方向に往復移動させながら切削手段46をY軸方向にストリート間隔ずつ移動させて各ストリートに順次切削溝を形成していくと、同方向のすべてのストリートに切削溝が形成される。

0048

また、チャックテーブル45を90度回転させて上記と同様の切削を行うと、図8に示した半導体ウェーハW2と同様にすべてのストリートに縦横に切削溝Gが形成される。

0049

こうして形成された切削溝Gの深さは、切削ブレード48の切り込み深さの誤差等に起因して必ずしも均一であるとは限らないため、後に切削溝Gに深さを計測する必要が生じる場合もある。その場合は、最初の1本の切削溝Gが形成された半導体ウェーハWを保持したチャックテーブル15を−X方向に移動させて深さ計測装置10の直下に位置付け、図3のフローチャートの手順にしたがって切削溝Gの深さを計測することができる。そして、深さの値をモニター49に表示させる等することにより、所望の深さとなっているか否かを確認することができる。

0050

従って、深さが正確でない場合は2本目からのストリートの切削溝の深さを調整して切削を行う等により深さを精密に管理することができる。特に、切削装置40に深さ計測装置10を搭載した場合には、切削溝の形成直後にその深さを計測し、所望の深さでない場合には直ちに調整して切削を行うことができるため、極めて効率的である。

0051

いわゆる先ダイシングの手法により半導体チップを製造する場合は、切削溝の深さが半導体チップの最終的な厚さに相当するため、上記のようにして切削溝の深さを正確に管理することは特に重要である。

0052

なお、本実施の形態においては深さ計測装置を切削装置に搭載した場合を例に挙げて説明したが、深さ計測装置は単独で用いることもでき、他の装置に搭載することもできる。

0053

また、本発明の深さ計測装置及び深さ計測方法は、溝の深さを計測する場合だけには限定されず、任意の2点間の段差を測定する場合に幅広く用いることができる。

発明の効果

0054

以上説明したように、本発明に係る深さ計測装置及び深さ計測方法によれば、レーザ光を計測対象物の深さの異なる2点に照射し、それぞれについて照射位置を撮像して焦点を検出することにより、任意の2点間の深さ方向の位置の差を効率的かつ正確に計測することができるため、溝等の深さの管理を容易に行うことができる。

0055

また、本発明に係る深さ計測装置を切削装置に搭載した場合には、切削溝を形成すべきストリートを検出するアライメント機能と切削溝の深さを計測する深さ計測機能とを併せ持つことができるため、装置の大型化を伴うことなく安価に切削装置を構成することができる。

0056

更に、切削により形成された切削溝の深さを直ちに計測することができるため、正確な深さの切削溝を効率良く形成することができる。

図面の簡単な説明

0057

図1本発明に係る深さ計測装置の構成を示す説明図である。
図2同深さ計測装置を用いて半導体ウェーハに形成された切削溝の深さを計測する様子を示す斜視図である。
図3本発明に係る深さ計測方法を示すフローチャートである。
図4同深さ計測方法を用いて半導体ウェーハに形成された切削溝の深さを計測する様子を示す正面図である。
図5本発明に係る深さ計測装置を構成する画像処理手段の記憶手段に記憶される情報を示す説明図である。
図6本発明に係る切削装置を示す斜視図である。
図7半導体ウェーハを示す斜視図である。
図8表面に切削溝が形成された半導体ウェーハを示す斜視図である。

--

0058

10…計測装置11…光学系 12…駆動手段
13…画像処理手段 14…レーザ光照射部
15…ハーフミラー16…凸レンズ
17…撮像手段 18…パルスモータ
19…ボールネジ20…支持部
22…計測対象物23…保持部 24…レーザ光
25…2値化手段 26…画素数算出手段
27…記憶手段 28…焦点検出手段
29…深さ算出手段 30…保持部
40…切削装置41…ウェーハカセット
42…カセット領域 43…搬出入手段
44…搬送手段 45…チャックテーブル
46…切削手段 47…仮置き領域
48…切削ブレード49…モニター
W…半導体ウェーハG…切削溝G1…溝底
Z0…基準位置Z1…第一の焦点検出位置
Z2…第二の焦点検出位置

ページトップへ

この技術を出願した法人

この技術を発明した人物

ページトップへ

関連する挑戦したい社会課題

関連する公募課題

ページトップへ

おススメ サービス

おススメ astavisionコンテンツ

新着 最近 公開された関連が強い技術

  • トヨタ自動車株式会社の「 物体認識装置及び車両制御システム」が 公開されました。( 2020/09/24)

    【課題】車両の周囲の物体を認識する物体認識処理において、路面上の落下物の認識精度を高める。【解決手段】路面の絶対位置を示す地形地図情報に基づいて、路面近くのノイズ領域が設定される。ライダーによって検出... 詳細

  • 株式会社ディスコの「 収容トレイ及び加工装置」が 公開されました。( 2020/09/24)

    【課題】収容トレイに載置する際にはデバイスチップと粘着材を密着させる粘着力を有し、ピックアップする際には粘着力を弱めることが出来ること。【解決手段】収容トレイ1は、被加工物を収容可能な大きさの凹部から... 詳細

  • 株式会社ディスコの「 環状の砥石の製造方法」が 公開されました。( 2020/09/24)

    【課題】環状の砥石を製造する際に、該環状の砥石に含まれる多孔質構造を検査する。【解決手段】第1の層と、多孔質構造を有する第2の層と、が交互に積層され両面が該第1の層で構成される砥石部を備える環状の砥石... 詳細

この 技術と関連性が強い技術

関連性が強い 技術一覧

この 技術と関連性が強い人物

関連性が強い人物一覧

この 技術と関連する社会課題

関連する挑戦したい社会課題一覧

この 技術と関連する公募課題

関連する公募課題一覧

astavision 新着記事

サイト情報について

本サービスは、国が公開している情報(公開特許公報、特許整理標準化データ等)を元に構成されています。出典元のデータには一部間違いやノイズがあり、情報の正確さについては保証致しかねます。また一時的に、各データの収録範囲や更新周期によって、一部の情報が正しく表示されないことがございます。当サイトの情報を元にした諸問題、不利益等について当方は何ら責任を負いかねることを予めご承知おきのほど宜しくお願い申し上げます。

主たる情報の出典

特許情報…特許整理標準化データ(XML編)、公開特許公報、特許公報、審決公報、Patent Map Guidance System データ