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図面 (3)

課題

耐薬品性樹脂製の支持部材で支持されたガラス基板の下面上の電荷を効率的に除去してガラス基板の放電破壊などを防止することができる基板処理装置を提供する。

解決手段

開閉弁83b,83cが開かれると、純水に炭酸ガスが溶解して炭酸溶解洗浄液が調製される。そして、この炭酸溶解洗浄液は配管80を介して液ノズル16に圧送され、液ノズル16のノズル孔162から基板Wの下面中央部に向けて供給される。こうして、基板Wの下面が洗浄されるとともに、その炭酸溶解洗浄液が基板下面上の電荷を吸収して除去する。

概要

背景

従来、この種の基板処理装置として、ガラス基板を水平面内で回転させながら、ガラス基板に洗浄処理および乾燥処理をその順に施す装置がある。この基板処理装置では、支持部材によりガラス基板を水平姿勢で保持する基板支持手段が設けられており、この基板支持手段をモータ等の駆動手段により回転させることで該基板支持手段により支持されているガラス基板を水平面内で回転駆動する。また、基板支持手段に支持されているガラス基板に対向して純水などの洗浄液吐出するノズルが設けられている。そして、洗浄処理では、ガラス基板を水平面内で回転させながら、該ガラス基板に供給された洗浄液によってガラス基板が洗浄される。また、洗浄処理後、ガラス基板を水平面内で回転させることによりガラス基板上の洗浄液を振り切って基板乾燥を行っている。

概要

耐薬品性樹脂製の支持部材で支持されたガラス基板の下面上の電荷を効率的に除去してガラス基板の放電破壊などを防止することができる基板処理装置を提供する。

開閉弁83b,83cが開かれると、純水に炭酸ガスが溶解して炭酸溶解洗浄液が調製される。そして、この炭酸溶解洗浄液は配管80を介して液ノズル16に圧送され、液ノズル16のノズル孔162から基板Wの下面中央部に向けて供給される。こうして、基板Wの下面が洗浄されるとともに、その炭酸溶解洗浄液が基板下面上の電荷を吸収して除去する。

目的

この発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、耐薬品性樹脂製の支持部材で支持されたガラス基板の下面上の電荷を効率的に除去してガラス基板の放電破壊などを防止することができる基板処理装置を提供することを目的とする。

効果

実績

技術文献被引用数
1件
牽制数
1件

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請求項1

ガラス基板の下面を耐薬品性樹脂製の支持部材で支持する基板支持手段と、前記支持部材で支持されたガラス基板の下面に対して洗浄液炭酸ガスを溶解させた炭酸溶解洗浄液を供給して前記ガラス基板の下面を洗浄する洗浄液供給手段とを備えたことを特徴とする基板処理装置

請求項2

前記洗浄液供給手段は、前記ガラス基板の下面とともに、前記ガラス基板の上面にも炭酸溶解洗浄液を供給して前記ガラス基板の上面を洗浄することを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。

請求項3

前記洗浄液供給手段は、前記ガラス基板の下面の略中央部に向けて炭酸溶解洗浄液を吐出する第1洗浄液吐出ノズル孔と、前記ガラス基板の下面の周縁部に向けて炭酸溶解洗浄液を吐出する第2洗浄液吐出ノズル孔とを備えていることを特徴とする請求項1または2記載の基板処理装置。

請求項4

前記基板支持手段に支持されたガラス基板を回転駆動する駆動手段をさらに備え、前記駆動手段によって前記ガラス基板を回転させながら、炭酸溶解洗浄液を前記ガラス基板の下面に供給することを特徴とする請求項1、2または3記載の基板処理装置。

請求項5

前記基板支持手段は、前記ガラス基板と同程度の平面サイズ基板支持板を備えており、前記基板支持板の上面に設けられた前記支持部材によって前記ガラス基板を前記基板支持板から上方側に離間させた状態で支持することを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の基板処理装置。

技術分野

0001

この発明は、フォトマスク用のガラス基板液晶表示装置用のガラス基板、プラズマディスプレイ用のガラス基板などのガラス基板に洗浄液を供給して該ガラス基板を洗浄する基板処理装置に関するものである。

背景技術

0002

従来、この種の基板処理装置として、ガラス基板を水平面内で回転させながら、ガラス基板に洗浄処理および乾燥処理をその順に施す装置がある。この基板処理装置では、支持部材によりガラス基板を水平姿勢で保持する基板支持手段が設けられており、この基板支持手段をモータ等の駆動手段により回転させることで該基板支持手段により支持されているガラス基板を水平面内で回転駆動する。また、基板支持手段に支持されているガラス基板に対向して純水などの洗浄液を吐出するノズルが設けられている。そして、洗浄処理では、ガラス基板を水平面内で回転させながら、該ガラス基板に供給された洗浄液によってガラス基板が洗浄される。また、洗浄処理後、ガラス基板を水平面内で回転させることによりガラス基板上の洗浄液を振り切って基板乾燥を行っている。

発明が解決しようとする課題

0003

ところで、ガラス基板に対して洗浄処理を実行する前に、該ガラス基板に対して薬液処理を実行することが多く、従来においては、この薬液処理を上記基板処理装置とは異なる別の基板処理装置において行っている。しかしながら、近年、基板処理の効率化や基板処理装置の多機能化を図るために薬液処理、洗浄処理ならびに乾燥処理を同一装置内で実行したいという要望が高まっている。

0004

ここで、かかる要望を満足させるためには、基板支持手段の支持部材を例えばポリテトラフルオロエチレン樹脂PTFE)、四ふっ化エチレンエチレン共重合樹脂(ETFE)、ポリプロピレン樹脂、三ふっ化塩化エチレン樹脂(PCTFE)、ふっ化ビリデン樹脂PVDF)、ポリ塩化ビニル樹脂(PVC)、ポリエーテルエーテルケトン樹脂(PEEK)などの耐薬品性樹脂で構成する必要があるが、その場合、次のような問題が生じることが予想される。

0005

上記基板処理装置では、基板支持手段によって支持されたガラス基板を回転しながら洗浄処理を実行するため、洗浄処理におけるガラス基板の帯電は避けられず、その帯電状態放置していると、放電破壊などが発生してガラス基板上の微細回路溶断不良などが生じて歩留り低下を招いてしまう。そこで、従来よりガラス基板に帯電した電荷を除去する技術が数多く提案されている。特に、ガラス基板の下面側に帯電した電荷を除去するために、従来よりガラス基板の下面を支持する支持部材を導電性材料で構成している。これによって、下面側の電荷は導電性支持部材を介してガラス基板から除去されて下面側の除電が行われていた。

0006

しかしながら、同一装置内で薬液処理、洗浄処理および乾燥処理を行う場合には、上記したようにガラス基板を絶縁性の耐薬品性樹脂製支持部材で支持しているため、従来の除電技術をそのまま適用することができない。このように、同一装置内で薬液処理、洗浄処理および乾燥処理を行う上で、耐薬品性樹脂製の支持部材で支持されたガラス基板の下面から如何にして電荷を除去するのかが大きな問題となってくる。

0007

この発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、耐薬品性樹脂製の支持部材で支持されたガラス基板の下面上の電荷を効率的に除去してガラス基板の放電破壊などを防止することができる基板処理装置を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段

0008

上記した目的を達成するために、本発明は、ガラス基板の下面を耐薬品性樹脂製の支持部材で支持する基板支持手段と、前記支持部材で支持されたガラス基板の下面に対して洗浄液に炭酸ガスを溶解させた炭酸溶解洗浄液を供給して前記ガラス基板の下面を洗浄する洗浄液供給手段とを備えていることを特徴としている。

0009

このように構成された基板処理装置では、ガラス基板の下面を洗浄するために炭酸溶解洗浄液が用いられている。この炭酸溶解洗浄液は純水、電解イオン水などの洗浄液に炭酸ガスを溶解したものであり、炭酸ガスの溶解により洗浄液の比抵抗値は単なる洗浄液(炭酸ガスを溶解させる前の洗浄液)に比べて大幅に低下している。そして、このように比抵抗値が低下した炭酸溶解洗浄液によりガラス基板下面を洗浄すると、炭酸溶解洗浄液を通してガラス基板下面上の電荷が吸収されてガラス基板下面から除去され、その結果、ガラス基板の放電破壊などが効果的に防止される。

0010

上記発明では、ガラス基板下面を炭酸溶解洗浄液で洗浄することによりガラス基板下面の除電を行っているが、ガラス基板上面も同様に炭酸溶解洗浄液で洗浄することによりガラス基板上面の除電を行うことができ、ガラス基板での誘電分極を効果的に防止することができる。すなわち、下面のみを除電したとしても、ガラス基板の上面に電荷が多量に残存していると、ガラス基板において誘電分極が発生してしまうが、上面側についても除電を行うことで、誘電分極が防止されて放電破壊等を確実に防止することができる。

0011

また、ガラス基板下面への炭酸溶解洗浄液の供給箇所は1箇所に限定されるものではなく任意であるが、洗浄液供給手段がガラス基板の下面の略中央部に向けて炭酸溶解洗浄液を吐出する第1洗浄液吐出ノズル孔と、ガラス基板の下面の周縁部に向けて炭酸溶解洗浄液を吐出する第2洗浄液吐出ノズル孔とを有するように構成することによって、炭酸溶解洗浄液がガラス基板下面に効果的に供給される。また、ガラス基板の下面周縁部にフレッシュな炭酸溶解洗浄液が直接供給されることから、ガラス基板の洗浄度が向上する。

発明を実施するための最良の形態

0012

図1は、本発明にかかる基板処理装置の一実施形態を示す縦断面図である。この基板処理装置は、LCD用ガラス基板W(以下、単に「基板W」という)に対して薬液処理、洗浄処理、および乾操処理をこの順序で連続して行う装置である。この装置は、同図に示すように、基板Wを保持する基板支持部1と、その基板支持部1を回転駆動する駆動部2と、基板支持部1の上側で処理空間Sを形成し遮蔽する上部遮蔽部3と、上部遮蔽部3を上下動させる昇降部4と、基板Wから振り切られる液体回収するカップ部5と、それぞれの装置各部を収納するハウジング6を備えている。

0013

この基板支持部1は、基板Wと同程度の平面サイズを有する基板支持板11と、この基板支持板11の上面に固着されて基板Wの周縁部を支持する周縁支持ピン12と、基板支持板11の上面に固着されて基板Wの下面中央部を支持する中央支持ピン13とを備えている。また、基板支持部1は、薬液処理を実行することを考慮して耐薬品性樹脂で構成されている。

0014

周縁支持ピン12は基板Wの4角部に対応して配置される。各周縁支持ピン12は、基板Wの外周端縁を下方から支持する支持台121と、支持台121に支持された基板Wの外周端面に当接して基板Wの移動を規制する案内立ち上がり面122とを備えており、基板Wの周縁部を4箇所で支持している。なお、図1では、図面が煩雑になることを避けるために、2個の周縁支持ピン12のみを示している。また、中央支持ピン13は基板Wの中央部に対応して基板支持板11に4個配置されている。このように、この実施形態では、本発明の「支持部材」に相当する支持ピン12,13によって基板Wが基板支持板11から上方側に離間された状態で支持されており、基板支持板11と周縁支持ピン12と中央支持ピン13とで本発明の「基板支持手段」が構成されている。

0015

また、筒軸21は中空筒状の部材で構成され、その中心に沿って液ノズル16が配設されている。そして、液ノズル16には、液供給管161が貫通され、この液供給管161の上端が基板Wの下面中央部に臨んでおり、上端部に設けられたノズル孔162から基板Wの下面の回転中心付近処理液薬液や炭酸溶解洗浄液)を供給できるように構成されている。

0016

さらに、筒軸21は基板支持板11の開口に臨んで延在し、基板支持板11に対して上側に位置することにより排出口17が開口されている。また、筒軸21と液ノズル16との間隙流量調整弁86aを介して配管86が大気圧雰囲気開放されるように構成されている。そして、排出口17において、この液ノズル16の側面と筒軸21内周面との間隙から大気圧雰囲気からのエアーが吐出される。液ノズル16の先端部には断面T字状に形成され、平坦な上面の中央部に処理液のノズル孔162が開口される。

0017

液ノズル16は配管80に連通接続されている。この配管80の基端部は3つに分岐されており、第1の分岐配管80aには薬液供給源81が連通接続され、第2の分岐配管80bには純水供給源82が連通接続され、第3の分岐配管80cには炭酸ガス供給源90が連通接続されている。各分岐配管80a、80b、80cには開閉弁83a、83b、83cがそれぞれ設けられている。そのため、開閉弁83b、83cを開き、開閉弁83aを閉じることで、分岐配管80b、80cが合流した位置で純水と炭酸ガスとが混じり合い、純水に炭酸ガスが溶解して炭酸溶解洗浄液が調整されるとともに、配管80を介して液ノズル16に圧送されて液ノズル16のノズル孔162から基板Wの下面に向けて供給される。また、開閉弁83aを開き、開閉弁83b、84cを閉じることで、液ノズル16のノズル孔162から基板Wの下面に向けて薬液を供給できるようになっている。

0018

また、気体供給路163は、液ノズル16内に設けられるとともに、その下端部は、開閉弁84aが設けられた配管84を介して気体供給源85に連通接続されており、気体供給路163の上端部の吐出口から基板支持板11と基板Wの下面との間の空間に、清浄な空気や清浄な不活性ガス窒素ガスなど)などの清浄な気体を供給できるように構成されている。

0019

モータ23やベルト機構22などは、この基板処理装置の底板としてのベース部材61上に設けられた円筒状のケーシング62内に収容されている。このケーシング62が、筒軸21の外周面軸受け63を介して接続され、筒軸21を覆う状態となる。すなわち、モータ23から基板支持板11に接続する直前までの筒軸21の周囲をケーシング62で覆い、これに伴い筒軸21に下方に取り付けられたモータ23もカバーで覆った状態とする。このように、この実施形態では、モータ23とベルト機構22とで本発明の「駆動手段」が構成されている。

0020

上部遮蔽部3は、基板Wを挟んで基板支持板11に対向するように上部回転板31が配設されており、昇降部4の回転板昇降機構41によって上下動される。この上部回転板31は基板Wの周縁領域を覆うリング状を呈しており、中央部に大きな開口31aが開けられている。そして、開口31aの周囲は仕切壁31bが円筒状に立設されており、この仕切壁31b内に、開口31aを塞ぐように補助遮蔽機構32と、基板Wの上面に薬液と炭酸溶解洗浄液を供給する液ノズル33が、上下移動自在に設けられている。そして、これら補助遮蔽機構32および液ノズル33がそれぞれ独立して昇降部4の補助遮蔽昇降機構42によって上下動される。このため、回転板昇降機構41によって上部回転板31を基板支持板11側に下降させて上部回転板31を周縁支持ピン12により支持させるとともに、補助遮蔽昇降機構42によって補助遮蔽機構32および液ノズル33を基板支持板11側に下降させて開口31aを塞ぐと、基板支持板11とで挟まれた処理空間Sが形成される。また必要に応じて液ノズル33のみを基板Wの直上位置まで移動させて至近距離から基板Wに処理液を供給可能としている。

0021

この処理空間Sに向けて液ノズル33にノズル孔334が配設されている。そして、液ノズル16側と同様にして薬液と炭酸溶解洗浄液とを選択的に切り換えて基板Wの上面中央部に供給できるようになっている。すなわち、液ノズル33の中空部には、液供給管332が貫通され、その下端部から基板支持板11に保持された基板Wの上面の回転中心付近に処理液(薬液や炭酸溶解洗浄液)を供給できるように構成されている。この液供給管332は配管87に連通接続されている。そして、この配管87の基端部は3つに分岐されており、第1の分岐配管87aには薬液供給源81が連通接続され、第2の分岐配管87bには純水供給源82が連通接続され、第3の分岐配管87cには炭酸ガス供給源90が連通接続されている。分岐配管87a、87b、87cには開閉弁88a、88b、88cがそれぞれ設けられている。そして、開閉弁88b、88cを開き、開閉弁88aを閉じることで炭酸溶解洗浄液が液ノズル33のノズル孔334から基板Wの上面に向けて供給される。また、開閉弁88aを開き、開閉弁88b、88cを閉じることで、液ノズル33のノズル孔334から基板Wの上面に向けて薬液を供給できるようになっている。

0022

また、液ノズル33の内周面と液供給管332の外周面との間の隙間は、気体供給路333となっている。この気体供給路333は、開閉弁89aが設けられた配管89を介して気体供給源85に連通接続されており、気体供給路333の下端部から上部回転板31と基板Wの上面との間の空間に清浄な気体を供給できるように構成されている。このように、この実施形態では、液ノズル16、液供給管161、ノズル孔162、液ノズル33、液供給管332およびノズル孔334で本発明の「洗浄液供給手段」が構成されている。

0023

次に上記のように構成された基板処理装置の動作について説明する。

0024

この基板処理装置では、図示を省略する基板搬送装置によりハウジング6内に基板Wが搬入され、基板支持部1に載置される。このとき、上部回転板31、補助遮蔽機構32および液ノズル33は上方へ退避している。

0025

こうして基板Wの搬入が完了すると、装置全体を制御手段(図示省略)から与えられる制御信号に基づき装置各部が所定の動作プログラムにしたがって以下のように動作して薬液処理、洗浄処理および乾燥処理を実行する。

0026

まず、液ノズル33を基板Wの上面近傍まで降下させた後、薬液処理を開始する。すなわち、閉成されている全開閉弁のうち開閉弁88a、83aのみを開き、液ノズル16、33から基板Wの上面及び下面の中央部にそれぞれ薬液を供給する。なお、このとき、上部回転板31と補助遮蔽機構32とを上方へ退避させておくことで、薬液が上部回転板31と補助遮蔽機構32に付着するのを防止している。また、モータ23を始動させて、基板支持板11を回転させて該基板支持板11に保持されている基板Wを水平状態で回転させる。これにより、上記のようにして基板Wに供給された薬液が基板Wの回転に伴う遠心力によって径方向に導かれ、基板Wの上下面全域に薬液が行き渡って薬液処理が行われる。

0027

そして、薬液処理が完了すると、上方に退避していた上部回転板31および補助遮蔽機構32を下方へ移動させる。これにより、上部回転板31の抑えピンが、基板支持板11の上面に固着されている周縁支持ピン12と連結され、密閉された処理空間Sが形成される。この状態で開閉弁83a,88aを閉成して液ノズル16,33からの薬液供給を停止する。また、開閉弁83b,83cを開くことで炭酸溶解洗浄液を液ノズル16を介して基板Wの下面中央部に供給するとともに、開閉弁88b,88cを開くことで炭酸溶解洗浄液を液ノズル33を介して基板Wの上面中央部に供給して基板Wに対する洗浄処理を行う。

0028

また、洗浄処理が完了すると、開閉弁83b、83c、88b,88cを閉成して液ノズル16、33から基板Wへの洗浄液の供給を停止して乾燥処理へと移る。この乾燥処理では、モータ23の回転数をさらに上げて基板Wを高速回転させて、基板W上に残された洗浄液を遠心力により振り切っている。

0029

それに続いて、開閉弁84a、89aを開き、気体供給路163,333から基板Wの上下面に窒素ガスなどの不活性ガスを供給させることによって処理空間Sを不活性ガスに置換する。これによって、洗浄処理後の基板Wの上下面に酸化膜を形成されるのを効果的に防止することができる。

0030

さらに、乾操工程が完了すると、モータ23の回転を停止させるとともに、上部回転板31、補助遮蔽機構32および液ノズル33を退避位置に戻す。そして、基板搬送装置によって処理済みの基板Wが装置外搬出される。その後については、次の基板Wが基板搬送装置により搬送されてくるのを待って上記一連の処理を繰り返して実行する。

0031

以上のように、この実施形態によれば、洗浄液として炭酸溶解洗浄液が使用され、基板Wの上面および下面から洗浄液が供給されているので、次のような作用効果が得られる。すなわち、洗浄処理に先立って同一装置内で薬液処理を実行する場合には、基板Wを支持する支持部材、つまり支持ピン12,13を耐薬品性樹脂で構成する必要があり、その結果、基板Wの下面に帯電した電荷を従来技術(導電性の支持部材により基板Wを支持する)によって除去することができないのに対し、この実施形態によれば、薬液処理に続いて、炭酸ガスを溶解した炭酸溶解洗浄液を基板Wの下面に供給して洗浄処理を行っているので、単に基板Wの下面が洗浄されるだけではなく、このように炭酸ガスの溶解によって比抵抗値が低下した洗浄液を通して基板下面上の電荷を吸収して消滅させることができる。したがって、薬液処理と洗浄処理とを同一装置で行う場合に最も懸念されていた問題、つまり基板下面の帯電を一挙に解決し、ガラス基板に対して薬液処理、洗浄処理および乾燥処理を同一装置内で行うことができる基板処理装置の提供が可能となった。

0032

また、上記実施形態では、炭酸溶解洗浄液を基板Wの下面のみならず、上面にも供給しているため、基板Wの上面に帯電した電荷も下面側と同様に除去することができ、次のような作用効果が得られる。すなわち、基板下面のみを除電したのみでは、基板上面に電荷が残在して誘電分極が生じてしまうことがある。これに対し、基板Wの上下面をともに除電することにより、誘電分極をなくし、基板Wの放電破壊をより効果的に防止することができる。

0033

さらに、洗浄処理を行った際に、炭酸溶解洗浄液が基板Wから振り切られて処理空間S内に飛散するが、この実施形態では基板Wの上面側および下面側から炭酸溶解洗浄液が処理空間Sを構成する各部に飛散するため、処理空間S全体を除電することができるという作用効果もある。

0034

図2は、この発明にかかる基板処理装置の他の実施形態を示す部分拡大図であり、同図(a)は基板下面に対向して配置される液ノズルの拡大断面図であり、同図(b)は液ノズルの平面図である。

0035

この実施形態が先に説明した実施形態と大きく相違する点は、液ノズルの先端構造のみであり、その他の構成は同一である。そこで、ここでは、先の実施形態と対比しながら、この実施形態の特徴について以下に詳述する。

0036

基板Wの下面に処理液を供給し、この処理液を基板下面の全体に行き渡らせるためには、回転による遠心力を利用するしかない。特に、先に説明した実施形態では、液ノズル16の液供給管161の上端にノズル孔162が設けられており、このノズル孔162から基板Wの下面の回転中心付近にのみ処理液(薬液や炭酸溶解洗浄液)を供給しているため、ノズル孔162から供給された処理液を基板Wの周縁部まで導くためには、基板Wの回転数を高める必要がある。

0037

ところで、一般的には薬液処理を行う場合、基板Wの回転数を低く抑える傾向がある。というのも、高速回転させた場合には薬液の飛散やカップ部5での跳ね返りが大きくなり、基板Wの洗浄性を低下させてしまったり、薬液による汚染の原因となるからである。また、回転数を増大させることによって処理空間Sの雰囲気との摩擦によって基板の帯電量が多くなってしまうからである。

0038

したがって、このような技術背景を考えれば、図2に示すように液ノズルを構成するのが望ましい。すなわち、この実施形態では、液ノズル16の液供給管161が上端側で2つに分岐されており、その分岐位置からさらに真っ直ぐ上方に伸びる第1分岐管164の上端は先の実施形態と同様に基板Wの下面中央部に臨んでおり、その上端部に設けられたノズル孔165から基板Wの下面の回転中心付近に処理液(薬液や炭酸溶解洗浄液)を供給できるように構成されている。一方、その分岐位置から折れ曲がり、基板周縁部側に伸びる第2分岐管166の上端は基板Wの下面周縁部に臨んでおり、その上端部に設けられたノズル孔167から基板Wの下面の周縁部付近に処理液(薬液や炭酸溶解洗浄液)を供給できるように構成されている。

0039

このように構成された実施形態では、先の実施形態と同様の作用効果を有するのみならず、次のような特有の作用効果を有している。この実施形態では、開閉弁83aを開いて薬液を液ノズル16に送り込むと、基板Wの下面中央部および下面周縁部に同時に薬液が供給されるため、先の実施形態よりも低速回転させたとして薬液を基板下面全体に行き渡らせることができる。もちろん、洗浄処理を行うために、洗浄液を基板Wに供給する場合も全く同様である。

0040

また、先の実施形態では、下面中央部に供給された炭酸溶解洗浄液が径方向外側に導かれて周縁部の洗浄を行うのに対し、この実施形態ではフレッシュな炭酸溶解洗浄液が直接周縁部に供給されるので、基板Wの洗浄度を向上させることができる。

0041

なお、この実施形態では、2つのノズル孔165,167を設けているが、ノズル孔の数はこれに限定されるものではなく、さらに3つ以上設けるようにしてもよい。

0042

なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態では、純水に炭酸ガスを溶解させて炭酸溶解洗浄液を調製し、これによって洗浄処理を行っているが、従来より一般的に使用されている純水以外の洗浄液、例えば電解イオン水やオゾン水などに炭酸ガスを溶解させて炭酸溶解洗浄液を調製するようにしてもよい。

0043

また、上記実施形態では、処理対象となるガラス基板は液晶表示装置用ガラス基板に限定されるものではなく、フォトマスク用ガラス基板プラズマディスプレイ用ガラス基板などのガラス基板も含まれる。

0044

さらに、上記実施形態では、周縁支持ピン12および中央支持ピン13をともに4個ずつ設けているが、これらの個数、配列および形状などはこれに限定されるものではない。

発明の効果

0045

以上のように、この発明によれば、洗浄液に炭酸ガスを溶解した炭酸溶解洗浄液を用いて基板の下面を洗浄するように構成しているので、炭酸溶解洗浄液を通して基板下面上の電荷を吸収して除去することができ、その結果、基板の放電破壊などを効果的に防止することができる。

図面の簡単な説明

0046

図1この発明にかかる基板処理装置の一の実施形態を示す図である。
図2この発明にかかる基板処理装置の他の実施形態を示す図である。

--

0047

1基板支持部
2 駆動部
11基板支持板
12周縁支持ピン(支持部材)
13中央支持ピン(支持部材)
16液ノズル
33 液ノズル
W 基板

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