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課題

解決手段

レジスト剥離液3のレジスト剥離能力を大きく劣化させる要因が、大気中の二酸化炭素がレジスト剥離液3に溶け込むことであることに着目し、レジスト剥離液3に溶け込んだ二酸化炭素の濃度を、pH電極16を介してpHメータ17で測定したpH値に基づいて、検出し、この検出結果に基づいてMEAモノエタノールアミン溶液13を補給する。

概要

背景

LSIなどの半導体チップ薄膜トランジスタなどのデバイスの製造プロセスにおいては、デバイス基板上に形成された被加工膜上にパターン形成されたレジストマスクとして被加工膜をエッチングし、次いでレジストをレジスト剥離液を用いて剥離することが多い。この場合、レジスト剥離液としては、アミングライコールエーテル、水等を混合してなるものが使用され、使用後のレジスト剥離液を回収し、再使用している。しかし、使用後のレジスト剥離液には剥離(溶解)されたレジストが混入しているので、使用時間が長くなると、レジスト剥離液中のレジスト濃度が増加し、レジスト剥離能力が劣化し、使用に値しなくなってしまう。このような場合、従来では、使用に値しなくなったレジスト剥離液をすべて新たなレジスト剥離液と交換している。すなわち、使用に値しなくなったレジスト剥離液をすべて廃棄している。

概要

レジスト剥離液のレジスト剥離能力を復元する。

レジスト剥離液3のレジスト剥離能力を大きく劣化させる要因が、大気中の二酸化炭素がレジスト剥離液3に溶け込むことであることに着目し、レジスト剥離液3に溶け込んだ二酸化炭素の濃度を、pH電極16を介してpHメータ17で測定したpH値に基づいて、検出し、この検出結果に基づいてMEAモノエタノールアミン溶液13を補給する。

目的

効果

実績

技術文献被引用数
5件
牽制数
2件

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請求項1

レジスト剥離液を用いてレジスト剥離し、使用後のレジスト剥離液を回収して再使用するレジスト剥離装置において、レジスト剥離液に溶け込んだ二酸化炭素の濃度を検出する二酸化炭素濃度検出手段と、この二酸化炭素濃度検出手段による検出結果に基づいてレジスト剥離液にアミン溶液補給するアミン溶液補給手段とを具備することを特徴とするレジスト剥離装置。

請求項2

請求項1に記載の発明において、前記二酸化炭素濃度検出手段は、レジスト剥離液のpHを測定するpH測定手段からなることを特徴とするレジスト剥離装置。

請求項3

請求項2に記載の発明において、前記pH測定手段により測定されたpH値設定値以下となったとき、前記アミン溶液補給手段によりアミン溶液を補給することを特徴とするレジスト剥離装置。

請求項4

請求項3に記載の発明において、前記pH測定手段により測定されたpH値が前記設定値よりも所定値上がったとき、前記アミン溶液補給手段によるアミン溶液の補給を停止することを特徴とするレジスト剥離装置。

請求項5

請求項3に記載の発明において、前記アミン溶液補給手段によるアミン溶液の補給量は予め設定された量であることを特徴とするレジスト剥離装置。

請求項6

請求項3〜5のいずれかに記載の発明において、前記設定値は10.8〜11.2であることを特徴とするレジスト剥離装置。

請求項7

請求項6に記載の発明において、前記設定値は11.0であることを特徴とするレジスト剥離装置。

請求項8

請求項1に記載の発明において、前記二酸化炭素濃度検出手段は、レジスト剥離液の導電率を測定する導電率測定手段からなることを特徴とするレジスト剥離装置。

請求項9

請求項8に記載の発明において、レジスト剥離液の水分濃度を測定し、この水分濃度が一定となるようにレジスト剥離液に水分を補給する水分補給手段を備え、前記導電率測定手段によるレジスト剥離液の導電率の測定は、レジスト剥離液の水分濃度を一定に保持した状態で行うことを特徴とするレジスト剥離装置。

請求項10

請求項9に記載の発明において、前記導電率測定手段により測定された導電率が設定値以上となったとき、前記アミン溶液補給手段によりアミン溶液を補給することを特徴とするレジスト剥離装置。

請求項11

請求項10に記載の発明において、前記導電率測定手段により測定された導電率が前記設定値よりも所定値下がったとき、前記アミン溶液補給手段によるアミン溶液の補給を停止することを特徴とするレジスト剥離装置。

請求項12

請求項10に記載の発明において、前記アミン溶液補給手段によるアミン溶液の補給量は予め設定された量であることを特徴とするレジスト剥離装置。

請求項13

請求項10〜12のいずれかに記載の発明において、前記設定値は1300〜600μS/cmであることを特徴とするレジスト剥離装置。

請求項14

請求項13に記載の発明において、前記設定値は900μS/cmであることを特徴とするレジスト剥離装置。

請求項15

デバイス基板上に形成された被加工膜上にパターン形成されたレジストをマスクとして前記被加工膜をエッチングし、次いで前記レジストをレジスト剥離液を用いて剥離し、使用後のレジスト剥離液を回収して再使用するデバイスの製造方法において、レジスト剥離液に溶け込んだ二酸化炭素の濃度を検出し、この検出結果に基づいてレジスト剥離液にアミン溶液を補給し、レジスト剥離液のレジスト剥離能力を復元しながら再使用することを特徴とするデバイスの製造方法。

請求項16

請求項15に記載の発明において、前記二酸化炭素の濃度は、レジスト剥離液のpHを測定し、この測定結果に基づいて検出することを特徴とするデバイスの製造方法。

請求項17

請求項16に記載の発明において、測定されたpH値が設定値以下となったとき、アミン溶液を補給することを特徴とするデバイスの製造方法。

請求項18

請求項17に記載の発明において、測定されたpH値が前記設定値よりも所定値上がったとき、アミン溶液の補給を停止することを特徴とするデバイスの製造方法。

請求項19

請求項17に記載の発明において、アミン溶液の補給量は予め設定された量であることを特徴とするデバイスの製造方法。

請求項20

請求項17〜19のいずれかに記載の発明において、前記設定値は10.8〜11.2であることを特徴とするデバイスの製造方法。

請求項21

請求項20に記載の発明において、前記設定値は11.0であることを特徴とするデバイスの製造方法。

請求項22

請求項15に記載の発明において、前記二酸化炭素の濃度は、レジスト剥離液の導電率を測定し、この測定結果に基づいて検出することを特徴とするデバイスの製造方法。

請求項23

請求項22に記載の発明において、レジスト剥離液の導電率の測定は、レジスト剥離液の水分濃度を測定し、この水分濃度が一定となるように水分を補給した状態で、行うことを特徴とするデバイスの製造方法。

請求項24

請求項23に記載の発明において、測定された導電率が設定値以上となったとき、アミン溶液を補給することを特徴とするデバイスの製造方法。

請求項25

請求項24に記載の発明において、測定された導電率が前記設定値よりも所定値下がったとき、アミン溶液の補給を停止することを特徴とするデバイスの製造方法。

請求項26

請求項24に記載の発明において、アミン溶液の補給量は予め設定された量であることを特徴とするデバイスの製造方法。

請求項27

請求項24〜26のいずれかに記載の発明において、前記設定値は1300〜600μS/cmであることを特徴とするデバイスの製造方法。

請求項28

請求項27に記載の発明において、前記設定値は900μS/cmであることを特徴とするデバイスの製造方法。

技術分野

0001

この発明はレジスト剥離装置およびそれを用いたデバイスの製造方法に関する。

背景技術

0002

LSIなどの半導体チップ薄膜トランジスタなどのデバイスの製造プロセスにおいては、デバイス基板上に形成された被加工膜上にパターン形成されたレジストマスクとして被加工膜をエッチングし、次いでレジストをレジスト剥離液を用いて剥離することが多い。この場合、レジスト剥離液としては、アミングライコールエーテル、水等を混合してなるものが使用され、使用後のレジスト剥離液を回収し、再使用している。しかし、使用後のレジスト剥離液には剥離(溶解)されたレジストが混入しているので、使用時間が長くなると、レジスト剥離液中のレジスト濃度が増加し、レジスト剥離能力が劣化し、使用に値しなくなってしまう。このような場合、従来では、使用に値しなくなったレジスト剥離液をすべて新たなレジスト剥離液と交換している。すなわち、使用に値しなくなったレジスト剥離液をすべて廃棄している。

発明が解決しようとする課題

0003

このように、従来では、使用に値しなくなったレジスト剥離液をすべて新たなレジスト剥離液と交換しているので、レジスト剥離液の使用時間がどちらかといえば短く、交換頻度が多くなり、稼働率が低下し、またレジスト剥離液を早期に廃棄することとなり、コスト高となってしまうという問題があった。この発明の課題は、レジスト剥離液の使用時間を延ばすことである。

課題を解決するための手段

0004

請求項1に記載の発明は、レジスト剥離液を用いてレジストを剥離し、使用後のレジスト剥離液を回収して再使用するレジスト剥離装置において、レジスト剥離液に溶け込んだ二酸化炭素の濃度を検出する二酸化炭素濃度検出手段と、この二酸化炭素濃度検出手段による検出結果に基づいてレジスト剥離液にアミン溶液補給するアミン溶液補給手段とを具備したものである。請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記二酸化炭素濃度検出手段として、レジスト剥離液のpHを測定するpH測定手段を用いたものである。請求項3に記載の発明は、請求項2に記載の発明において、前記pH測定手段により測定されたpH値設定値以下となったとき、前記アミン溶液補給手段によりアミン溶液を補給するようにしたものである。請求項4に記載の発明は、請求項3に記載の発明において、前記pH測定手段により測定されたpH値が前記設定値よりも所定値上がったとき、前記アミン溶液補給手段によるアミン溶液の補給を停止するようにしたものである。請求項5に記載の発明は、請求項3に記載の発明において、前記アミン溶液補給手段によるアミン溶液の補給量が予め設定された量となるようにしたものである。請求項6に記載の発明は、請求項3〜5のいずれかに記載の発明において、前記設定値を10.8〜11.2としたものである。請求項7に記載の発明は、請求項6に記載の発明において、前記設定値を11.0としたものである。請求項8に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記二酸化炭素濃度検出手段として、レジスト剥離液の導電率を測定する導電率測定手段を用いたものである。請求項9に記載の発明は、請求項8に記載の発明において、レジスト剥離液の水分濃度を測定し、この水分濃度が一定となるようにレジスト剥離液に水分を補給する水分補給手段を備え、前記導電率測定手段によるレジスト剥離液の導電率の測定を、レジスト剥離液の水分濃度を一定に保持した状態で行うようにしたものである。請求項10に記載の発明は、請求項9に記載の発明において、前記導電率測定手段により測定された導電率が設定値以上となったとき、前記アミン溶液補給手段によりアミン溶液を補給するようにしたものである。請求項11に記載の発明は、請求項10に記載の発明において、前記導電率測定手段により測定された導電率が前記設定値よりも所定値下がったとき、前記アミン溶液補給手段によるアミン溶液の補給を停止するようにしたものである。請求項12に記載の発明は、請求項10に記載の発明において、前記アミン溶液補給手段によるアミン溶液の補給量が予め設定された量となるようにしたものである。請求項13に記載の発明は、請求項10〜12のいずれかに記載の発明において、前記設定値を1300〜600μS/cmとしたものである。請求項14に記載の発明は、請求項13に記載の発明において、前記設定値を900μS/cmとしたものである。請求項15に記載の発明は、デバイス基板上に形成された被加工膜上にパターン形成されたレジストをマスクとして前記被加工膜をエッチングし、次いで前記レジストをレジスト剥離液を用いて剥離し、使用後のレジスト剥離液を回収して再使用するデバイスの製造方法において、レジスト剥離液に溶け込んだ二酸化炭素の濃度を検出し、この検出結果に基づいてレジスト剥離液にアミン溶液を補給し、レジスト剥離液のレジスト剥離能力を復元しながら再使用するようにしたものである。請求項16に記載の発明は、請求項15に記載の発明において、前記二酸化炭素の濃度を、レジスト剥離液のpHを測定し、この測定結果に基づいて検出するようにしたものである。請求項17に記載の発明は、請求項16に記載の発明において、測定されたpH値が設定値以下となったとき、アミン溶液を補給するようにしたものである。請求項18に記載の発明は、請求項17に記載の発明において、測定されたpH値が前記設定値よりも所定値上がったとき、アミン溶液の補給を停止するようにしたものである。請求項19に記載の発明は、請求項17に記載の発明において、アミン溶液の補給量が予め設定された量となるようにしたものである。請求項20に記載の発明は、請求項17〜19のいずれかに記載の発明において、前記設定値を10.8〜11.2としたものである。請求項21に記載の発明は、請求項20に記載の発明において、前記設定値を11.0としたものである。請求項22に記載の発明は、請求項15に記載の発明において、前記二酸化炭素の濃度を、レジスト剥離液の導電率を測定し、この測定結果に基づいて検出するようにしたものである。請求項23に記載の発明は、請求項22に記載の発明において、レジスト剥離液の導電率の測定を、レジスト剥離液の水分濃度を測定し、この水分濃度が一定となるように水分を補給した状態で、行うようにしたものである。請求項24に記載の発明は、請求項23に記載の発明において、測定された導電率が設定値以上となったとき、アミン溶液を補給するようにしたものである。請求項25に記載の発明は、請求項24に記載の発明において、測定された導電率が前記設定値よりも所定値下がったとき、アミン溶液の補給を停止するようにしたものである。請求項26に記載の発明は、請求項24に記載の発明において、アミン溶液の補給量が予め設定された量となるようにしたものである。請求項27に記載の発明は、請求項24〜26のいずれかに記載の発明において、前記設定値を1300〜600μS/cmとしたものである。請求項28に記載の発明は、請求項27に記載の発明において、前記設定値を900μS/cmとしたものである。そして、この発明によれば、レジスト剥離液のレジスト剥離能力を大きく劣化させる要因が、大気中の二酸化炭素がレジスト剥離液に溶け込むことであることに着目し、レジスト剥離液に溶け込んだ二酸化炭素の濃度を検出し、この検出結果に基づいてアミン溶液を補給するようにしているので、アミン溶液の補給により、レジスト剥離液の二酸化炭素の濃度が低下し、レジスト剥離液のレジスト剥離能力が復元され、したがってレジスト剥離液の使用時間を延ばすことができる。

発明を実施するための最良の形態

0005

図1はこの発明の一実施形態におけるレジスト剥離装置の概略構成図を示したものである。このレジスト剥離装置は、LSIなどの半導体チップや薄膜トランジスタなどのデバイスの製造プロセスにおいて、デバイス基板21上に形成された、半導体膜絶縁膜金属膜などの被加工膜22上にパターン形成されたレジスト23をマスクとして被加工膜22をエッチングするエッチング装置(図示せず)の後段に配置され、装置本体1を備えている。典型的には、デバイス基板21は、ガラス基板であり、被加工膜22は、アモルファスシリコン半導体膜または該アモルファスシリコン半導体膜およびその上に形成された絶縁膜、あるいは該絶縁膜上に形成された金属膜である。装置本体1の下部内には処理タンク2が設けられている。処理タンク2内にはレジスト剥離液3が収容されている。レジスト剥離液3は、一例として、モノエタノールアミンMEA)、ブチルジグリコール(BDG)、水等を混合したものからなっている。

0006

装置本体1の上部は処理室4となっている。処理室4は、搬入口5および搬出口6を有し、その間にデバイス基板21搬送用搬送ローラ7が設けられた構造となっている。この場合、処理室4の床部は漏斗状のレジスト剥離液回収部8となってなり、このレジスト剥離液回収部8の筒口下部は処理タンク2の上部内に配置されている。処理室4内において搬送ローラ7の上方には複数のシャワー9が設けられている。シャワー9は配管10を介して処理タンク2の下部に接続されている。配管10にはポンプ11が介在されている。

0007

装置本体1の外部には補給タンク12が設けられている。補給タンク12内には、100%のMEA溶液または水で適宜に希釈してなる高濃度のMEA溶液(アミン溶液)13が収容されている。補給タンク12内のMEA溶液13は、ポンプ14の駆動により、配管16を介して処理タンク2内に補給されるようになっている。ポンプ14の駆動制御は、詳細は後述するが、処理タンク2内に設けられたpH(ペーハー電極16に接続されたpHメータ17からのpH信号を受ける制御部18によって行われるようになっている。

0008

次に、このレジスト剥離装置により、前段のエッチング装置から送られてきたデバイス基板21上のレジスト23を剥離する場合について説明する。処理タンク2内のレジスト剥離液3は、ポンプ11の駆動により、配管10を介してシャワー9に供給される。すると、シャワー9からレジスト剥離液3が搬送ローラ7上のデバイス基板21上に散布され、デバイス基板21上のレジスト23が溶解されて剥離される。この剥離(溶解)されたレジストを含むレジスト剥離液3は、レジスト剥離液回収部8を介して処理タンク2内に回収され、再使用される。

0009

ところで、レジスト剥離液3のレジスト剥離能力を大きく劣化させる要因は、大気中の二酸化炭素がレジスト剥離液3に溶け込むことである。すなわち、レジスト剥離液3が処理室4内において大気中に曝されると、大気中の二酸化炭素がレジスト剥離液3に溶け込む。そして、レジスト剥離液3に溶け込んだ二酸化炭素の濃度がある値以上になると、レジスト剥離液3のレジスト剥離能力が大きく劣化し、デバイス基板21上にレジスト残渣が発生するようになる。

0010

ここで、レジスト剥離液3に溶け込んだ二酸化炭素の濃度はレジスト剥離液3のpHに反比例する。レジスト剥離液3のpHは、レジスト剥離液3が新液の場合12程度であるが、図2に示すように、使用時間の経過に伴い、徐々に低下する。そして、レジスト剥離液3のpHが10.8〜11.2(以下、一例として、11.0)未満になると、レジスト剥離液3のレジスト剥離能力が大きく劣化し、デバイス基板21上にレジスト残渣が発生するようになる。

0011

そこで、処理タンク2(または配管10)内のレジスト剥離液3のpHをpH電極16を介してpHメータ17で定期的に測定し、その測定結果(pH信号)を制御部18に送出する。制御部18は、pHメータ17から供給されたpH信号に応じたpH値が予め設定された値11.0以下であるか否かを判断し、11.0以下である場合には、ポンプ14を駆動させる。ここで、11.0以下としたのは、11.0未満であると、レジスト残渣が発生してしまうので、レジスト残渣が発生する前に、ポンプ14を駆動させるためである。

0012

ポンプ14が駆動すると、補給タンク12内のMEA溶液13が配管16を介して処理タンク2内に補給される。すると、処理タンク2内のレジスト剥離液3のpH値が増加し、二酸化炭素の濃度が低下する。この結果、処理タンク2内のレジスト剥離液3のレジスト剥離能力が復元され、したがってレジスト剥離液3の使用時間を延ばすことができ、ひいては稼働率が向上し、またコストを低減することができる。

0013

なお、ポンプ14の停止は、実験データに基づいた量のMEA溶液13を補給したら、自動的に行われるようにしてもよい。また、pHメータ17で測定されたpH値が設定値11.0よりも所定値上がったとき、例えば11.1となったとき、制御部18からポンプ14に停止信号が送出されるようにしてもよい。

0014

ところで、pHを測定する場合、pH電極16の校正という作業が必要であり、自動測定にはやや不向きな面がある。また、pH電極16から電解液中のカリウムイオンがレジスト剥離液3中に拡散する懸念がある。そこで、次に、このようなことを考慮する必要がない、この発明の他の実施形態について説明する。

0015

図3はこの発明の他の実施形態におけるレジスト剥離装置の概略構成図を示したものである。この図において、図1同一名称部分には同一の符号を付し、その説明を適宜省略する。この実施形態では、ポンプ14の駆動制御は、詳細は後述するが、処理タンク2内に設けられた導電率電極31に接続された導電率計32からの導電率信号を受ける制御部18によって行われるようになっている。また、処理タンク2内には、電磁弁33が介在された配管34を介して水分が補給されるようになっている。電磁弁33の制御は、詳細は後述するが、配管10に並列に接続された分岐配管35に介在された吸光光度計36からの吸光度信号を受ける制御部18によって行われるようになっている。

0016

ここで、新液のレジスト剥離液3に二酸化炭素を吸収させた場合におけるpHと導電率との関係は、図4に示すような関係にある。この図から明らかなように、レジスト剥離液3の導電率は、新液の場合160μS/cm前後の値を示すが、pHが低下するに従い、徐々に増加する。この場合、pH10.8〜11.2に対応する導電率はほぼ1300〜600μS/cmであり、pH11.0に対応する導電率はほぼ900μS/cmである。

0017

ところで、レジスト剥離液3の水分濃度(wt%)と導電率との関係は、図5に示すような関係にある。この場合、図5において、一番上の線はレジスト剥離液3のpHが10.77の場合であり、次の線はpH11.05の場合であり、次の線はpH11.39の場合であり、次の線はpH11.65の場合であり、次の線はpH11.85の場合である。この図から明らかなように、レジスト剥離液3の導電率は、pHの値に関係なく、レジスト剥離液3中の水分の蒸発により、水分濃度が低下すると、それに従い、徐々に減少する。

0018

したがって、例えば図6に示すように、レジスト剥離液3の水分濃度を一定とした場合には、レジスト剥離液3の導電率はpHと相関関係にある。この場合、図6において、黒丸は水分濃度を43%と一定とした場合であり、黒四角は水分濃度を47.4%と一定とした場合であり、黒三角は水分濃度を50.4%と一定とした場合である。以上の結果、レジスト剥離液3の水分濃度を一定に保持した状態で、導電率を測定すると、pHの値が分かり、ひいてはレジスト剥離液3の二酸化炭素の濃度が分かる。したがって、この実施形態では、まず、レジスト剥離液3の水分濃度を一定に保持する必要がある。このためには、レジスト剥離液3の水分濃度を測定する必要がある。図3に示す吸光光度計36はそのためのものである。

0019

次に、吸光光度計36によるレジスト剥離液3の水分濃度の測定について説明する。まず、図7は一定の水分濃度のレジスト剥離液3の透過率を示したものである。この場合、図7において、波長980nm前後における一番上の黒菱形で示す線はレジスト剥離液5ml中の水分量が0mlの場合であり、次の黒四角で示す線はレジスト剥離液5ml中の水分量が0.5mlの場合であり、次の黒三角で示す線はレジスト剥離液5ml中の水分量が1mlの場合であり、次の黒丸で示す線はレジスト剥離液5ml中の水分量が2mlの場合である。この図から明らかなように、波長980nmにピークがあるが、これは水分によるものである。そこで、吸光光度計36でレジスト剥離液3の波長980nmの吸光度を測定すると、レジスト剥離液3の水分濃度を求めることができる。

0020

さて、吸光光度計36でレジスト剥離液3の波長980nmの吸光度を定期的に測定し、その測定結果(吸光度信号)を制御部18に送出する。制御部18は、吸光光度計36から供給された吸光度信号に基づいて、レジスト剥離液3の水分濃度がある設定値未満であるか否かを判断し、ある設定値未満である場合には、電磁弁33を開き、水分を配管34を介して処理タンク2内に補給し、レジスト剥離液3の水分濃度がある設定値となるようにする。

0021

このように、レジスト剥離液3の水分濃度をある設定値に保持した状態において、処理タンク2内のレジスト剥離液3の導電率を導電率電極31を介して導電率計32で定期的に測定し、その測定結果(導電率信号)を制御部18に送出する。制御部18は、導電率計32から供給された導電率信号に応じた導電率が予め設定された値例えばpH11.0にほぼ対応する900μS/cm以上であるか否かを判断し、900μS/cm以上である場合には、ポンプ14を駆動させる。

0022

ポンプ14が駆動すると、補給タンク12内のMEA溶液13が配管16を介して処理タンク2内に補給される。すると、処理タンク2内のレジスト剥離液3の導電率が低下し、pH値が増加し、二酸化炭素の濃度が低下する。この結果、処理タンク2内のレジスト剥離液3のレジスト剥離能力が復元され、したがってレジスト剥離液3の使用時間を延ばすことができ、ひいては稼働率が向上し、またコストを低減することができる。

0023

なお、ポンプ14の停止は、実験データに基づいた量のMEA溶液13を補給したら、自動的に行われるようにしてもよい。また、導電率計32で測定された導電率が設定値900μS/cmよりも所定値下がったとき、例えば800μS/cmとなったとき、制御部18からポンプ14に停止信号が送出されるようにしてもよい。

発明の効果

0024

以上説明したように、この発明によれば、レジスト剥離液に溶け込んだ二酸化炭素の濃度を検出し、この検出結果に基づいてアミン溶液を補給しているので、アミン溶液の補給により、レジスト剥離液の二酸化炭素の濃度が低下し、レジスト剥離液のレジスト剥離能力が復元され、したがってレジスト剥離液の使用時間を延ばすことができ、ひいては稼働率が向上し、またコストを低減することができる。

図面の簡単な説明

0025

図1この発明の一実施形態におけるレジスト剥離装置の概略構成図。
図2レジスト剥離液のpHの経時変化を示す図。
図3この発明の他の実施形態におけるレジスト剥離装置の概略構成図。
図4新液のレジスト剥離液に二酸化炭素を吸収させた場合におけるpHと導電率との関係を示す図。
図5レジスト剥離液の水分濃度と導電率との関係を示す図。
図6一定の水分濃度のレジスト剥離液のpHと導電率との関係を示す図。
図7一定の水分濃度のレジスト剥離液の透過率を示す図。

--

0026

1 装置本体
2処理タンク
3レジスト剥離液
4処理室
8 レジスト剥離液回収部
9シャワー
11ポンプ
12補給タンク
13MEA溶液
14 ポンプ
16pH電極
17pHメータ
18 制御部
21デバイス基板
22被加工膜
23レジスト
31導電率電極
32導電率計
33電磁弁
36 吸光光度計

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