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技術 樹脂モールド半導体装置

出願人 アオイ電子株式会社
発明者 高尾大輔
出願日 2000年9月12日 (20年5ヶ月経過) 出願番号 2000-275794
公開日 2002年3月29日 (18年10ヶ月経過) 公開番号 2002-093985
状態 特許登録済
技術分野 半導体又は固体装置の封緘,被覆構造と材料 半導体または固体装置のマウント IC用リードフレーム
主要キーワード 電気的影響 樹脂モールド領域 ワイヤボンデング リード端 リードフレーム部分 ダイステージ 樹脂モールド後 フラット型
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重要な関連分野

この項目の情報は公開日時点(2002年3月29日)のものです。
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図面 (5)

課題

基板実装時リードフレームの吊りリード基板配線に接触しないようにした樹脂モールド半導体装置を提案する。

解決手段

ダイステージ1a、ダイステージに連なる吊りリード1e’、インナーリード、インナーリードと連なるアウターリードとを備えたリードフレーム1のダイステージ1aに半導体素子2を搭載し、アウターリードがモールド樹脂の下面に沿って露出するように樹脂モールドし、吊りリード1e’はモールド樹脂3の下面に沿って露出しないように樹脂モールド3aする。吊りリードの下面が樹脂3aでモールドされているので、基板実装時に基板の配線に接触せず、吊りリードを通して半導体素子に電気的影響を与えることがない。

概要

背景

樹脂モールド半導体装置樹脂モールド方法として、トランスファモールド法が広く知られている。該モールド法は予めリードフレーム半導体素子を組み込んでおき、これを金型に入れて、粉末状またはタブレット状エポキシ樹脂などの樹脂を温度と圧力をかけて溶融させ、粘度の低い状態にして前記金型内注入し、硬化させてモールドするものである。

図3には、半導体素子2がリードフレーム1のダイステージ1aにダイボンディングされ、樹脂3でフラット型樹脂モールドされた半導体装置4の断面を示している。図3に示すように、半導体装置4は、ダイステージ1aにダイボンディングされ、インナーリード1bにワイヤ5にてワイヤボンデングされた半導体素子2が樹脂3内で浮いた位置にあり、後述するようにアウターリード1cとともにダイステージ吊りリード(以下、吊りリードという。)が樹脂3の下面に沿って露出するようにモールドされている。

図2(A)にはリードフレームの平面を、図2(C)には従来の吊りリードのAーA’断面を示している。なお、図2(B)は後述する本発明のリードフレームの吊りリードの断面を示している。以下、リードフレームを図3をも参照しながら説明する。リードフレーム1は、半導体素子2がダイボンディングされるダイステージ1a、吊りリード1e、インナーリード1b、アウターリード1cを備え、折り曲げ加工によって段差部1dを形成してインナーリード1bとアウターリード1cが段差を有して連なっている。また、吊りリード1eにも段差部1gが形成されてダイステージ1aと吊りリード1eも段差を有して吊りリード端部1fに連なっている。

図2(A)において点線枠3b内が樹脂モールド領域を示しており、さらに図2(C)の縦点線の内側が樹脂モールド領域で、樹脂モールド領域外のリードフレーム部分樹脂モールド後に切断されて完成した半導体装置となる。したがって、図3は完成した半導体装置の断面を示している。

図4には前記従来の吊りリード1eを備えたリードフレーム1に半導体素子2を搭載した半導体装置4の吊りリード1eの断面を示している。図4に示すように、吊りリード1eの下面部分1hは、アウターリード1c(図3)とともに樹脂3の下面に沿って露出して樹脂モールドされている。

概要

基板実装時にリードフレームの吊りリードが基板配線に接触しないようにした樹脂モールド半導体装置を提案する。

ダイステージ1a、ダイステージに連なる吊りリード1e’、インナーリード、インナーリードと連なるアウターリードとを備えたリードフレーム1のダイステージ1aに半導体素子2を搭載し、アウターリードがモールド樹脂の下面に沿って露出するように樹脂モールドし、吊りリード1e’はモールド樹脂3の下面に沿って露出しないように樹脂モールド3aする。吊りリードの下面が樹脂3aでモールドされているので、基板実装時に基板の配線に接触せず、吊りリードを通して半導体素子に電気的影響を与えることがない。

目的

効果

実績

技術文献被引用数
0件
牽制数
1件

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請求項1

ダイステージと、ダイステージ吊りリードと、インナーリードと、該インナーリードと連なるアウターリードとを備えたリードフレームの前記ダイステージに半導体素子を搭載し、前記アウターリードがモールド樹脂の下面に沿って露出するように樹脂モールドして成る樹脂モールド半導体装置であって、前記ダイステージ吊りリードが前記モールド樹脂の下面に沿って露出しないように樹脂モールドして成ることを特徴とする樹脂モールド半導体装置。

請求項2

ダイステージ吊りリードの樹脂モールド部分を薄く形成したことを特徴とする請求項1の樹脂モールド半導体装置。

請求項3

前記インナーリードと前記アウターリード、前記ダイステージと前記ダイステージ吊りリードとが段差を有して連なることを特徴とする請求項1又は2の樹脂モールド半導体装置。

請求項4

ダイステージと、ダイステージ吊りリードと、インナーリードと、該インナーリードと連なるアウターリードとを備え、前記ダイステージに半導体素子を搭載し、前記アウターリードがモールド樹脂の下面に沿って露出するように樹脂モールドして成る樹脂モールド半導体装置のリードフレームであって、前記ダイステージ吊りリードの樹脂モールド部分を薄く形成したことを特徴とするリードフレーム。

請求項5

前記インナーリードと前記アウターリード、前記ダイステージと前記ダイステージ吊りリードとが段差を有して連なることを特徴とする請求項4のリードフレーム。

技術分野

0001

本発明は、リードフレームに搭載された半導体素子樹脂モールドして成る樹脂モールド半導体装置に関する。

背景技術

0002

樹脂モールド半導体装置の樹脂モールド方法として、トランスファモールド法が広く知られている。該モールド法は予めリードフレームに半導体素子を組み込んでおき、これを金型に入れて、粉末状またはタブレット状エポキシ樹脂などの樹脂を温度と圧力をかけて溶融させ、粘度の低い状態にして前記金型内注入し、硬化させてモールドするものである。

0003

図3には、半導体素子2がリードフレーム1のダイステージ1aにダイボンディングされ、樹脂3でフラット型に樹脂モールドされた半導体装置4の断面を示している。図3に示すように、半導体装置4は、ダイステージ1aにダイボンディングされ、インナーリード1bにワイヤ5にてワイヤボンデングされた半導体素子2が樹脂3内で浮いた位置にあり、後述するようにアウターリード1cとともにダイステージ吊りリード(以下、吊りリードという。)が樹脂3の下面に沿って露出するようにモールドされている。

0004

図2(A)にはリードフレームの平面を、図2(C)には従来の吊りリードのAーA’断面を示している。なお、図2(B)は後述する本発明のリードフレームの吊りリードの断面を示している。以下、リードフレームを図3をも参照しながら説明する。リードフレーム1は、半導体素子2がダイボンディングされるダイステージ1a、吊りリード1e、インナーリード1b、アウターリード1cを備え、折り曲げ加工によって段差部1dを形成してインナーリード1bとアウターリード1cが段差を有して連なっている。また、吊りリード1eにも段差部1gが形成されてダイステージ1aと吊りリード1eも段差を有して吊りリード端部1fに連なっている。

0005

図2(A)において点線枠3b内が樹脂モールド領域を示しており、さらに図2(C)の縦点線の内側が樹脂モールド領域で、樹脂モールド領域外のリードフレーム部分樹脂モールド後に切断されて完成した半導体装置となる。したがって、図3は完成した半導体装置の断面を示している。

0006

図4には前記従来の吊りリード1eを備えたリードフレーム1に半導体素子2を搭載した半導体装置4の吊りリード1eの断面を示している。図4に示すように、吊りリード1eの下面部分1hは、アウターリード1c(図3)とともに樹脂3の下面に沿って露出して樹脂モールドされている。

発明が解決しようとする課題

0007

前記吊りリード1eはダイステージ1aと一体に形成されているため、電気的にダイステージ1aと同電位となっている。したがって、半導体装置4を基板などへの実装時に下面部分1hが基板配線と接触すると、吊りリード1eを通してダイステージ1aにダイボンディングされた半導体素子2に不要の電圧が供給される危険があり、これによって半導体素子を破壊したり、素子電気的特性に影響を与える。前記影響を避けるために実装基板上の配線パターンを吊りリード1eの下面1hを避けて形成せざるを得ず、それだけ配線パターンの形成領域が制約され、基板の小型化に繋がらなくなる。本発明は、前記問題点に鑑みなされたもので、基板実装時に吊りリードを通して半導体素子に電気的影響を与えることのない樹脂モールド半導体装置を提案するものである。

課題を解決するための手段

0008

ダイステージと、ダイステージ吊りリードと、インナーリードと、該インナーリードと段差を有して連なるアウターリードとを備えたリードフレームの前記ダイステージに半導体素子を搭載し、前記アウターリードがモールド樹脂の下面に沿って露出するように樹脂モールドして成る樹脂モールド半導体装置の前記ダイステージ吊りリードが前記モールド樹脂の下面に沿って露出しないように樹脂モールドする。ダイステージ吊りリードが電気的に絶縁されているため、基板への実装時に半導体素子に電気的影響を与えない。

発明を実施するための最良の形態

0009

以下、本発明のリードフレームを図2(B)及び図2(A)を参照しながら説明する。なお、吊りリードの構成を除き他の構成については図2(A)と変わるところはないので図2(A)をも参照することとする。リードフレーム1は、半導体素子2がダイボンディングされるダイステージ1a、吊りリード1e’、インナーリード1b、アウターリード1cを備え、折り曲げ加工によって段差部1d及び1iがを形成されて、インナーリード1bとアウターリード1c、ダイステージ1aと吊りリード1e’は段差を有して連なっている。さらに、本発明の特徴であるところの吊りリード1e’の下面部分1kが吊りリード端部1jと段差を有するように薄く形成されている。

0010

以下、前記吊りリードを備えたリードフレームのダイステージに半導体素子を搭載した半導体装置を図1を参照しながら説明する。図1は前記吊りリードを含む半導体装置4の断面を示している。図1に示すように、フラット型に樹脂モールドされた半導体装置4は、ダイステージ1aにダイボンディングされた半導体素子2は、樹脂3内で浮いた位置にあり、吊りリード1e’は樹脂3の下面から露出しないようにモールドされている。

0011

これは、図2(B)に示す吊りリード1e’を備えたリードフレームのダイステージ1aに半導体素子を搭載して樹脂モールドすると、樹脂モールド装置キャビティ表面と吊りリード1e’を薄く形成して設けた下面部分1k間に隙間ができて該隙間にも樹脂が充填されて、図1に示すように吊りリード1e’の下面にも樹脂3aがモールドされ、吊りリード1e’の下面部分1kがモールド樹脂3の下面から露出しない半導体装置が得られる。

0012

図2(B)の一対の縦点線の外側領域、つまり吊りリード1e’の樹脂モールドされない吊りリード端部1jは後に切断されてその先端がモールド樹脂の側面から露出するが、この部分は実装時に配線パターンに接触することがないので塞ぐ必要はないが、封止を完全にするために樹脂を塗布する等して封止しても良い。

発明の効果

0013

本発明の半導体装置は、半導体素子を搭載するリードフレームのダイステージ吊りリードの下面も樹脂でモールドされているので、基板への実装時に吊りリード下面が配線パターンに接触することがなくなる。

図面の簡単な説明

0014

図1本発明リードフレームを用いた半導体装置の断面図である。
図2本発明及び従来のリードフレームの平面図及び吊りリードの断面図である。
図3従来のリードフレームに半導体素子を搭載して樹脂モールドした半導体装置の断面図である。
図4従来のリードフレームに半導体素子を搭載して樹脂モールドした際の問題点を説明する断面図である。

--

0015

1・・リードフレーム1b・・インナーリード1c・・アウターリード
3・・モールド樹脂1e’・・吊りリード1j・・吊りリード端部

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