図面 (/)

この項目の情報は公開日時点(2002年1月11日)のものです。
また、この項目は機械的に抽出しているため、正しく解析できていない場合があります

図面 (6)

課題

マスクROM化された後でも指定したマスクROM領域をRAM領域に置き換えることができ、また欠陥RAM領域を代替RAM領域に差し替えることができる半導体装置を提供する。

解決手段

マイクロコンピュータのLSIであって、マスクROMを代替する機能部分は、所定の容量毎に区切られた4つの領域を持つマスクROM1と、このマスクROM1の所定の領域を置き換えるための代替用RAM2と、マスクROM1の所定の領域を代替用RAM2に置き換えるためのアドレスを指定する代替領域指定レジスタ3と、代替指定のアドレスとアクセスによる内部アドレスとに基づいてマスクROMのコントロール信号を生成する内蔵メモリコントロール信号生成モジュール4などから構成され、代替領域指定レジスタ3に設定したマスクROM1へのアクセスは代替用RAM2に置き換えられる。

概要

背景

たとえば、本発明者が検討した技術として、マイクロコンピュータのLSIにおいては、マスクROM領域に内蔵RAMを搭載して、ユーザは書き換え可能な内蔵RAMにプログラムやデータを入れ、ソフト・システム開発を行っている。特に、マイクロコンピュータではマスクROM領域が広いため、大容量のRAMを搭載する必要がある。

なお、このようなマイクロコンピュータのLSIに関する技術としては、たとえば昭和59年11月30日、社団法人電子通信学会編、株式会社オーム発行の「LSIハンドブック」P535〜P565に記載される技術などが挙げられる。

概要

マスクROM化された後でも指定したマスクROM領域をRAM領域に置き換えることができ、また欠陥RAM領域を代替RAM領域に差し替えることができる半導体装置を提供する。

マイクロコンピュータのLSIであって、マスクROMを代替する機能部分は、所定の容量毎に区切られた4つの領域を持つマスクROM1と、このマスクROM1の所定の領域を置き換えるための代替用RAM2と、マスクROM1の所定の領域を代替用RAM2に置き換えるためのアドレスを指定する代替領域指定レジスタ3と、代替指定のアドレスとアクセスによる内部アドレスとに基づいてマスクROMのコントロール信号を生成する内蔵メモリコントロール信号生成モジュール4などから構成され、代替領域指定レジスタ3に設定したマスクROM1へのアクセスは代替用RAM2に置き換えられる。

目的

そこで、本発明の目的は、内蔵ROMを代替する機能を持ち、マスクROM化された後でも指定したマスクROM領域をRAM領域に置き換えることができるマイクロコンピュータなどの半導体装置を提供するものである。

また、本発明の他の目的は、内蔵RAMを代替する機能を持ち、欠陥RAM領域を代替RAM領域に差し替えることができるマイクロコンピュータなどのエバリュエーションチップの半導体装置を提供するものである。

効果

実績

技術文献被引用数
1件
牽制数
0件

この技術が所属する分野

(分野番号表示ON)※整理標準化データをもとに当社作成

ライセンス契約や譲渡などの可能性がある特許掲載中! 開放特許随時追加・更新中 詳しくはこちら

請求項1

所定の容量毎に区切られた複数の領域を持つROMと、前記ROMの第1の領域を置き換えるための代替用のRAMと、前記ROMの第1の領域を前記代替用のRAMに置き換えるためのアドレスを指定する代替領域指定手段とを有し、前記ROMのマスクROM化後に前記代替領域指定手段により指定した前記第1の領域を前記代替用のRAMに置き換えることを特徴とする半導体装置

請求項2

請求項1記載の半導体装置であって、前記ROMの区切られた各領域の容量は前記代替用のRAMと同じ容量であることを特徴とする半導体装置。

請求項3

所定の容量を持つROMと、前記ROMの所定の領域を置き換えるための代替用のRAMと、前記ROMの所定の領域を前記代替用のRAMに置き換えるためのスタートアドレスを指定する代替領域スタート指定手段、およびエンドアドレスを指定する代替領域エンド指定手段とを有し、前記ROMのマスクROM化後に前記代替領域スタート指定手段および前記代替領域エンド指定手段により指定した前記所定の領域を前記代替用のRAMに置き換えることを特徴とする半導体装置。

請求項4

所定の容量を持つROMと、前記ROMの所定の領域を置き換えるための代替用のRAMと、前記ROMの所定の領域を前記代替用のRAMに置き換えるためのアドレスを指定するモード端子とを有し、前記ROMのマスクROM化後に前記モード端子により指定した前記所定の領域を前記代替用のRAMに置き換えることを特徴とする半導体装置。

請求項5

所定の容量を持つRAMを内蔵する半導体装置であって、前記RAMを正規の領域と、この正規の領域の所定の領域を置き換えるための代替用の領域とに区別し、前記正規の領域の所定の領域を前記代替用の領域に置き換えるためのアドレスを指定する代替領域指定手段を有し、前記正規の領域の前記代替領域指定手段により指定した前記所定の領域を前記代替用の領域に差し替えることを特徴とする半導体装置。

技術分野

0001

本発明は、半導体装置のRAM代替技術に関し、特に内蔵ROMまたはRAMを代替する機能を持つマイクロコンピュータなどのLSIに好適な半導体装置に適用して有効な技術に関する。

背景技術

0002

たとえば、本発明者が検討した技術として、マイクロコンピュータのLSIにおいては、マスクROM領域に内蔵RAMを搭載して、ユーザは書き換え可能な内蔵RAMにプログラムやデータを入れ、ソフト・システム開発を行っている。特に、マイクロコンピュータではマスクROM領域が広いため、大容量のRAMを搭載する必要がある。

0003

なお、このようなマイクロコンピュータのLSIに関する技術としては、たとえば昭和59年11月30日、社団法人電子通信学会編、株式会社オーム発行の「LSIハンドブック」P535〜P565に記載される技術などが挙げられる。

発明が解決しようとする課題

0004

ところで、前記のようなマイクロコンピュータのLSIの技術について、本発明者が検討した結果、以下のようなことが明らかとなった。

0005

(1)大容量のRAMを搭載した場合は、RAMの欠陥のため、歩留まり落ちることが予想される。

0006

(2)マスクROM後、マスクROM内のプログラムあるいはデータを一部変更してユーザシステムなどのデバッグ・評価を行う必要が発生した場合、容易に対応できない。

0007

(3)エミュレータサポートしているソフトウェアブレークは、ユーザプログラム命令ブレーク命令などに置き換えて行っている。しかし、マスクROM化した後は、ユーザプログラムを変更することができないため、現在、エミュレータがサポートしているソフトウェアブレークを使うことができない。

0008

(4)フラッシュメモリを内蔵しているマイクロコンピュータには、内蔵フラッシュメモリの一部の領域をマッピングされている内蔵RAMに置き換える機能を持っている。しかし、この方法では、ユーザのリソースつぶす必要があり、またプロセッサのように幾つかのバスが接続されている場合、バスアクセス競合条件が変わり、正確にエミュレーションできない。

0009

そこで、本発明の目的は、内蔵ROMを代替する機能を持ち、マスクROM化された後でも指定したマスクROM領域をRAM領域に置き換えることができるマイクロコンピュータなどの半導体装置を提供するものである。

0010

また、本発明の他の目的は、内蔵RAMを代替する機能を持ち、欠陥RAM領域を代替RAM領域に差し替えることができるマイクロコンピュータなどのエバリュエーションチップの半導体装置を提供するものである。

0011

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

課題を解決するための手段

0012

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。

0013

すなわち、本発明による第1の半導体装置は、マスクROM化後に指定した代替領域をRAMに置き換えるために、所定の容量毎に区切られた複数の領域を持つROMと、このROMの第1の領域を置き換えるための代替用のRAMと、ROMの第1の領域を代替用のRAMに置き換えるためのアドレスを指定する代替領域指定手段とを有するものである。たとえば、ROMの区切られた各領域の容量は代替用のRAMと同じ容量とするものである。

0014

また、本発明による第2の半導体装置は、フレキシブルに代替領域を設定するために、ROMの所定の領域を代替用のRAMに置き換えるためのスタートアドレスを指定する代替領域スタート指定手段、およびエンドアドレスを指定する代替領域エンド指定手段を有するものである。

0015

さらに、本発明による第3の半導体装置は、外部端子から設定するために、ROMの所定の領域を代替用のRAMに置き換えるためのアドレスを指定するモード端子を有するものである。

0016

また、本発明による第4の半導体装置は、エバリュエーションチップに対応して、正規のRAM領域を代替用のRAM領域に差し替えるために、所定の容量を持つRAMを正規の領域と、この正規の領域を置き換えるための代替用の領域とに区別し、正規の領域を代替用の領域に置き換えるためのアドレスを指定する代替領域指定手段を有するものである。

発明を実施するための最良の形態

0017

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。

0018

(実施の形態1)図1は本発明の実施の形態1の半導体装置におけるチップ全体を示す概略ブロック図、図2は本実施の形態の半導体装置において、マスクROMとその周辺部分を示すブロック図、図3内蔵メモリコントロール信号生成モジュールを示すブロック図である。

0019

まず、図1により、本実施の形態の半導体装置の構成の一例を説明する。本実施の形態の半導体装置は、たとえば内蔵ROMを代替する機能を持つマイクロコンピュータのLSIとされ、中央演算処理ユニットデジタル信号処理プロセッサCPU/DSPと、ダイレクトメモリアクセスコントローラ/ダイレクトトランスファアダプタDMAC/DTAと、バスステートコントローラBSCと、内蔵メモリコントローラMEMCと、ランダムアクセスメモリXRAM/YRAMと、リードオンリメモリXROM/YROMと、拡張用リードオンリメモリIROMと、内蔵周辺モジュールと、システムコントローラSYSCなどから構成されている。

0020

このマイクロコンピュータのLSIにおいて、中央演算処理ユニット/デジタル信号処理プロセッサCPU/DSP、ダイレクトメモリアクセスコントローラ/ダイレクトトランスファアダプタDMAC/DTA、バスステートコントローラBSC、内蔵メモリコントローラMEMC、ランダムアクセスメモリXRAM/YRAM、リードオンリメモリXROM/YROM、拡張用リードオンリメモリIROMはアドレスバスおよびデータバスを含む内部バスI bus,X bus,Y bus,D busに任意に接続され、またバスステートコントローラBSC、内蔵メモリコントローラMEMC、内蔵周辺モジュール、システムコントローラSYSCはアドレスバスおよびデータバスを含む内部バスP busに接続されている。さらに、バスステートコントローラBSCは外部バスに接続されている。

0021

以上のように構成されるマイクロコンピュータのLSIにおいて、外部との入出力は外部バスを介してバスステートコントローラBSCにより制御される。さらに、LSIの各内部回路の制御は、内部バスを介して、中央演算処理ユニット/デジタル信号処理プロセッサCPU/DSPを通じて、リードオンリメモリXROM/YROMなどの内部メモリ部に格納されている制御プログラムに基づいて行われる。また、ランダムアクセスメモリXRAM/YRAM、リードオンリメモリXROM/YROM、拡張用リードオンリメモリIROMなどの内部メモリ部に対するアクセスは、ダイレクトメモリアクセスコントローラ/ダイレクトトランスファアダプタDMAC/DTAの制御により行われる。また、内部メモリ部の制御は内蔵メモリコントローラMEMC、内蔵周辺モジュールを含むシステムの制御はシステムコントローラSYSCによりそれぞれ行われる。

0022

次に、図2により、マスクROMとその周辺部分を詳細に説明する。図2に一例を示すように、マスクROMを代替する機能部分は、所定の容量毎に区切られた4つの領域を持つマスクROM1と、このマスクROM1の所定の領域を置き換えるための代替用RAM2と、マスクROM1の所定の領域を代替用RAM2に置き換えるためのアドレスを指定する代替領域指定レジスタ3と、代替指定のアドレスとアクセスによる内部アドレスとに基づいてマスクROMのコントロール信号を生成するアドレスデコード回路を含む内蔵メモリコントロール信号生成モジュール4などから構成されている。

0023

このマスクROM1を代替する機能部分において、マスクROM1、代替用RAM2は内部アドレスバス5および内部データバス6に、代替領域指定レジスタ3は内部アドレスバス5、内部データバス6および内部制御信号線7に、内蔵メモリコントロール信号生成モジュール4は内部アドレスバス5および内部制御信号線7に、それぞれ接続され、アドレス、データ、制御信号が入出力可能となっている。さらに、代替領域指定レジスタ3は内蔵メモリコントロール信号生成モジュール4に接続され、代替領域指定レジスタ3に設定された代替領域の指定アドレスが内蔵メモリコントロール信号生成モジュール4に送られる。また、内蔵メモリコントロール信号生成モジュール4はマスクROM1および代替用RAM2に接続され、内蔵メモリコントロール信号生成モジュール4で生成されたマスクROMコントロール信号がマスクROM1に、代替用RAMコントロール信号が代替用RAM2にそれぞれ送られる。

0024

なお、図2に示すマスクROM1、代替用RAM2は、前記図1の、たとえばリードオンリメモリXROM/YROMに含まれ、また代替領域指定レジスタ3はシステムコントローラSYSCに、内蔵メモリコントロール信号生成モジュール4は内蔵メモリコントローラMEMCに、それぞれ含まれている。

0025

次に、図3により、内蔵メモリコントロール信号生成モジュールを詳細に説明する。図3に一例を示すように、内蔵メモリコントロール信号生成モジュール4は、内部アドレスバス5からの内部アドレス、内部制御信号線7からの内部制御信号を入力として、マスクROMコントロール信号を生成するためのマスクROMコントロール信号生成ブロック11と、代替領域指定レジスタ3に設定されたレジスタ値解析してマスクROMコントロール信号のマスク信号、代替用RAMコントロール信号の有効信号を生成するためのレジスタ値解析ブロック12と、マスクROMコントロール信号とそのマスク信号と代替用RAMコントロール信号の有効信号とを論理演算するANDゲートORゲートからなる論理ゲートブロック13などから構成されている。

0026

次に、本実施の形態の作用について、マスクROMをRAMに代替する方法を説明する。まず、代替領域指定レジスタ3に、マスクROM1の所定の容量毎に区切られた4つの領域のうち、置き換えたい領域を設定する。たとえば、図2の場合では、No.1〜No.4のどれかを指定する。ただし、マスクROM1の各領域の区切りは代替用RAM2と同じ容量とする。たとえば、内蔵メモリ領域が大きい場合、ある容量を持った領域を複数使用する(例:192KBの内蔵メモリ領域を持ち、8KB毎に区切られた領域を24個使用)。

0027

そして、代替領域指定レジスタ3に設定した領域にアクセスが発生した場合、アドレスデコード回路を含む内蔵メモリコントロール信号生成モジュール4において、代替領域指定レジスタ3から送られてきた設定アドレスデコードして信号生成し、対応するマスクROMコントロール信号をディスエーブルにし、代わりに代替RAMコントロール信号をイネーブルにする。

0028

すなわち、内蔵のマスクROM領域にアクセスが発生し、かつ代替領域と指定されていた場合、図3において、マスクROMコントロール信号生成ブロック11から本来発生するマスクROMコントロール信号がレジスタ値解析ブロック12から出力されるマスク信号により論理ゲートブロック13のANDゲートを介してマスクされ、代わりにレジスタ値解析ブロック12から出力される有効信号によってORゲートおよびANDゲートを介して代替RAMコントロール信号がアサートされる。

0029

これにより、代替領域指定レジスタ3に設定したマスクROM1へのアクセスは代替用RAM2に置き換えられる。たとえば、マスクROM1のNo.4の領域を代替領域指定レジスタ3に設定した場合には、このマスクROM(No.4)コントロール信号をディスエーブルにして、マスクROM1(No.4)を代替用RAM2で置き換えることができる。

0030

従って、本実施の形態によれば、マスクROM1のマスクROM化後も、指定した領域が代替用RAM2になるので、マスクROM1内のプログラムあるいはデータを一部変更してユーザシステムなどのデバッグ・評価が容易に行えるようになる。また、ユーザプログラムの命令をブレーク命令などに置き換えられるため、エミュレータのソフトウェアブレークがサポートできるようになる。さらに、従来のRAM代替機能に比べ、バスアクセスが正確にエミュレーションできるようになる。

0031

(実施の形態2)図4は本発明の実施の形態2の半導体装置において、内蔵メモリコントロール信号生成モジュールの要部(代替領域指定レジスタ)を示すブロック図である。

0032

本実施の形態の半導体装置は、前記実施の形態1と同様に、たとえば内蔵ROMを代替する機能を持つマイクロコンピュータのLSIとされ、前記実施の形態1との相違点は、代替領域をフレキシブルに設定できるようにした点である。すなわち、前記実施の形態1の領域設定方法では、代替領域は固定されている。つまり、RAM容量のバウンダリとなってしまう。

0033

そこで、本実施の形態においては、たとえば図4に一例を示すように、マスクROM1の所定の領域を代替用RAM2に置き換えるためのスタートアドレスを設定する代替領域スタートアドレス格納レジスタ21と、エンドアドレスを設定する代替領域エンドアドレス格納レジスタ22と、各レジスタの設定アドレスと内部アドレスバスのアドレスとを比較する代替領域判定回路23とを設けるものである。

0034

よって、代替領域スタートアドレス格納レジスタ21と代替領域エンドアドレス格納レジスタ22に設定したアドレス範囲内にアクセスが発生した場合、マスクROMコントロール信号をディスエーブルにしたり、代替用RAMコントロール信号をイネーブルにする信号を代替領域判定回路23から出力することにより、フレキシブルに代替領域を設定することができる。

0035

従って、本実施の形態によれば、マスクROM1のマスクROM化後も、指定した領域が代替用RAM2になるので、前記実施の形態1と同様の効果を得ることができるとともに、マスクROM1を代替用RAM2に置き換える代替領域をフレキシブルに設定できるようになる。

0036

(実施の形態3)図5は本発明の実施の形態3の半導体装置において、RAMとその周辺部分を示すブロック図である。

0037

本実施の形態の半導体装置は、前記実施の形態1および2と異なり、たとえば内蔵RAMを代替する機能を持つマイクロコンピュータのエバリュエーションチップのLSIとされ、図5に一例を示すように、RAMを代替する機能部分は、所定の容量を持つ正規のRAMモジュール31と、このRAMモジュール31の所定のモジュールを置き換えるための代替用RAM32と、RAMモジュール31の所定のモジュールを代替用RAM32に置き換えるためのアドレスを指定する代替領域指定レジスタ33と、代替指定のアドレスとアクセスによる内部アドレスとに基づいてRAMのコントロール信号を生成するアドレスデコード回路を含む内蔵メモリコントロール信号生成モジュール34などから構成され、内部アドレスバス35、内部データバス36および内部制御信号線37に任意に接続されている。

0038

よって、本実施の形態においては、内蔵RAM領域にアクセスが発生した場合、アドレスデコード回路を含む内蔵メモリコントロール信号生成モジュール34にて、RAMモジュールコントロール信号を生成し、各RAMモジュール31へのアクセスを可能とする。つまり、領域毎にRAMモジュール31が割り当てられ、余分に搭載したRAMモジュール31を代替用RAM32に置き換えている。

0039

次に、本実施の形態の作用について、RAMモジュールをRAMに代替する方法を説明する。まず、代替領域指定レジスタ33に、内蔵RAMの所定の容量を持つ4つのRAMモジュール31のうち、置き換えたいRAMモジュール31を設定する。たとえば、図5の場合では、No.1〜No.4のどれかを指定する。

0040

そして、代替領域指定レジスタ33に設定したRAMモジュール31にアクセスが発生した場合、アドレスデコード回路を含む内蔵メモリコントロール信号生成モジュール34において、代替領域指定レジスタ33から送られてきた設定アドレスをデコードして信号生成し、対応するRAMモジュールコントロール信号をディスエーブルにし、代わりに代替用RAMコントロール信号をイネーブルにする。

0041

これにより、RAMモジュール31のどれかに欠陥がある場合でも、この欠陥があるRAMモジュール31へのアクセスは代替用RAM32に置き換えられる。たとえば、No.4のRAMモジュール31を代替領域指定レジスタ33に設定した場合には、このRAMモジュール(No.4)コントロール信号をディスエーブルにして、RAMモジュール31(No.4)を代替用RAM32で置き換えることができる。

0042

従って、本実施の形態によれば、エバリュエーションチップのように、マスクROM領域をRAMで構成しているLSIでは、RAMモジュール31に1つでも欠陥があると不良となって歩留まりが落ちることが予想されるが、前記のような構成とすることで、欠陥のRAMモジュール31を代替用RAM32と差し替えることが可能となり、歩留まりの向上が図れるようになる。

0043

以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

0044

たとえば、前記実施の形態においては、代替領域をレジスタで設定する場合を例に説明したが、レジスタの代わりにモード端子で設定することも可能である。この方法では、パワーオンリセット時から内蔵RAM領域を増やすことが可能となり、特に内蔵RAM領域を増やしたいユーザに対して有効となる。

発明の効果

0045

本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。

0046

(1)ROMのマスクROM化後に指定した代替領域をRAMに置き換えることによって、マスクROM内のプログラムあるいはデータを一部変更することができるので、ユーザシステムなどのデバッグ・評価を容易に行うことが可能となる。

0047

(2)ROMのマスクROM化後に指定した代替領域をRAMに置き換えることによって、ユーザプログラムの命令をブレーク命令などに置き換えることができるので、エミュレータのソフトウェアブレークをサポートすることが可能となる。

0048

(3)ROMのマスクROM化後に指定した代替領域をRAMに置き換えることによって、バスアクセスを正確にエミュレーションすることが可能となる。

0049

(4)前記(1)により、マスクROM化後のプログラムの変更などが可能となるので、ユーザの次製品の検討を容易に行うことが可能となる。

0050

(5)前記(1)により、マスクROM後にもエミュレータのデバッグ機能が増えるので、ユーザのデバッグ・評価期間の短縮を図ることが可能となる。

0051

(6)正規のRAM領域を代替用のRAM領域に差し替えることによって、エバリュエーションチップのようにマスクROM領域をRAMで構成し、RAM領域に一部でも欠陥があると不良となり歩留まりが落ちることが予想されるLSIでも、欠陥RAM領域を代替RAM領域と差し替えることができるので、歩留まりの向上を図ることが可能となる。

0052

(7)前記(6)により、RAM領域の欠陥が救済できるため、エバリュエーションチップのリリースを迅速に行うことが可能となる。

図面の簡単な説明

0053

図1本発明の実施の形態1における半導体装置のチップ全体を示す概略ブロック図である。
図2本発明の実施の形態1の半導体装置において、マスクROMとその周辺部分を示すブロック図である。
図3本発明の実施の形態1の半導体装置において、内蔵メモリコントロール信号生成モジュールを示すブロック図である。
図4本発明の実施の形態2の半導体装置において、内蔵メモリコントロール信号生成モジュールの要部(代替領域指定レジスタ)を示すブロック図である。
図5本発明の実施の形態3の半導体装置において、RAMとその周辺部分を示すブロック図である。

--

0054

1マスクROM
2代替用RAM
3代替領域指定レジスタ
4内蔵メモリコントロール信号生成モジュール
5内部アドレスバス
6内部データバス
7内部制御信号線
11 マスクROMコントロール信号生成ブロック
12レジスタ値解析ブロック
13論理ゲートブロック
21 代替領域スタートアドレス格納レジスタ
22 代替領域エンドアドレス格納レジスタ
23 代替領域判定回路
31RAMモジュール
32 代替用RAM
33 代替領域指定レジスタ
34 内蔵メモリコントロール信号生成モジュール
35 内部アドレスバス
36 内部データバス
37 内部制御信号線
CPU/DSP中央演算処理ユニット/デジタル信号処理プロセッサ
DMAC/DTAダイレクトメモリアクセスコントローラ/ダイレクトトランスファアダプタ
BSCバスステートコントローラ
MEMC 内蔵メモリコントローラ
XRAM/YRAMランダムアクセスメモリ
XROM/YROMリードオンリメモリ
IROM拡張用リードオンリメモリ
SYSCシステムコントローラ
I bus,X bus,Y bus,D bus,P bus 内部バス

ページトップへ

この技術を出願した法人

この技術を発明した人物

ページトップへ

関連する挑戦したい社会課題

関連する公募課題

ページトップへ

技術視点だけで見ていませんか?

この技術の活用可能性がある分野

分野別動向を把握したい方- 事業化視点で見る -

(分野番号表示ON)※整理標準化データをもとに当社作成

ページトップへ

おススメ サービス

おススメ astavisionコンテンツ

新着 最近 公開された関連が強い技術

この 技術と関連性が強い技術

関連性が強い 技術一覧

この 技術と関連性が強い人物

関連性が強い人物一覧

この 技術と関連する社会課題

関連する挑戦したい社会課題一覧

この 技術と関連する公募課題

関連する公募課題一覧

astavision 新着記事

サイト情報について

本サービスは、国が公開している情報(公開特許公報、特許整理標準化データ等)を元に構成されています。出典元のデータには一部間違いやノイズがあり、情報の正確さについては保証致しかねます。また一時的に、各データの収録範囲や更新周期によって、一部の情報が正しく表示されないことがございます。当サイトの情報を元にした諸問題、不利益等について当方は何ら責任を負いかねることを予めご承知おきのほど宜しくお願い申し上げます。

主たる情報の出典

特許情報…特許整理標準化データ(XML編)、公開特許公報、特許公報、審決公報、Patent Map Guidance System データ