図面 (/)

技術 固体撮像素子及びその製造方法

出願人 ソニー株式会社
発明者 黒岩淳
出願日 2000年6月7日 (20年6ヶ月経過) 出願番号 2000-169894
公開日 2001年12月21日 (19年0ヶ月経過) 公開番号 2001-352051
状態 未査定
技術分野 固体撮像素子 光信号から電気信号への変換 受光素子3(フォトダイオード・Tr)
主要キーワード 受光用開口 モニタ画 アキュムレート 受光開口 減圧CVD 低スミア 本発明固体撮像素子 遮光膜下
関連する未来課題
重要な関連分野

この項目の情報は公開日時点(2001年12月21日)のものです。
また、この項目は機械的に抽出しているため、正しく解析できていない場合があります

図面 (3)

課題

反射構造を有しながら、かつ低スミアを実現させる。

解決手段

固体撮像素子光電変換部23上において半導体基板20と遮光膜32との間に、厚さ例えば40nm以下の第1シリコン酸化膜30(下層膜30−1と上層膜30−2)のみが介在するようにする。そして、低反射性を得る、厚さ例えば50nm以下の第1シリコン窒化膜33を、受光用開口部32aが形成された遮光膜32上にその受光用開口部32a上も含め、例えばプラズマCVD或いは減圧CVDにより形成する。

概要

背景

固体撮像素子、例えばCCD固体撮像素子は、入射される光を受光用開口部で受光して信号電荷に変換し、この変換した信号電荷を読み出し部を通じて垂直転送部へ読み出し、該垂直転送部をクロックパルス受ける垂直転送電極により駆動することによりこの信号電荷を垂直方向転送していくようになっている。この種の固体撮像素子ついては、入射される受光用開口部への可視光透過率を高めて感度を向上させるために、種々の提案が行われている(特開平6−204443号公報、特開平10−178166号公報等)。

例えば、感度向上のために、シリコンからなる半導体基板の表面部の光電変換部上に形成された受光用開口部において、半導体基板表面での被写体側からの光の反射を抑制する試みが為されており、図2はそのような固体撮像素子の一つの従来例の画素部を示す水平方向の概略断面図である。

図において、1は半導体基板、2は該基板1表面部に選択的に形成された光電変換部、3は該光電変換部2上方の後述する遮光膜(11)に形成された開口からなる受光用開口部で、該光電変換部2への光の入射を許容する。4は光電変換部2で生じた信号電荷を垂直転送部(6)へ読み出す読み出し部、5はチャネルストップ部、6は上記読み出し部5を通じて読み出された信号電荷を垂直方向に転送する垂直転送部である。

半導体基板1上にはSiO2からなるシリコン酸化膜7−1が全面的に形成され、該シリコン酸化膜7−1上の、垂直転送部6と概ね対応する位置に、垂直転送電極8が形成されている。光電変換部2上のシリコン酸化膜7−1と垂直転送電極8の上にもSiO2からなるシリコン酸化膜7−2が形成されている。7−1がシリコン酸化膜7の下層部、7−2が上層部である。

このシリコン酸化膜7−2上には全面的に、LPCVD法あるいはCVD法によりシリコン窒化膜SiN膜)9が形成され、さらにこの上に、シリコン酸化膜10が形成され、そして、該シリコン酸化膜10上には、アルミニウムAl等からなる遮光膜11が形成され、この遮光膜11に選択的エッチングにより上記受光用開口部3が形成されているのである。上記シリコン窒化膜9上のシリコン酸化膜10は、この後に遮光膜11を形成して受光用開口部2を設ける選択的エッチングをするときに、シリコン窒化膜9が削られないように保護するためのものである。

受光用開口部2を含め遮光膜11上には全面的にBPSGからなるシリコン酸化膜12が形成され、さらにこの上を平坦化するためにパッシベーション膜13が形成されている。該パッシベーション膜13上には、カラーフィルタ14が形成され、さらにこの上に、光集束用のマイクロレンズ15が形成されている。

このような固体撮像素子においては、被写体側からの光が入射されると、この光がマイクロレンズ15によって受光用開口部3を向く方向に集光され、カラーフィルタ14、パッシベーション膜13、酸化膜12、遮光膜11の開口部3、シリコン酸化膜10、シリコン窒化膜9及びシリコン酸化膜7−2、7−1を通して光電変換部2に入射し、ここで信号電荷に変換される。そして、この信号電荷は上記読み出し部4を介して上記垂直転送部6に読み出され、垂直方向に転送される。

このような構造の固体撮像素子は、基板1上の受光用開口部3における膜構造が、半導体基板1側から上に順にシリコン酸化膜7の下層部7−1、上層部7−2、シリコン窒化膜9及びシリコン酸化膜10となっており、シリコン窒化膜9が低反射性を有し、半導体基板1表面からの反射を干渉作用により低減させるので、光電変換部2の受光感度を高くすることができるという利点を有していると言える。

概要

反射構造を有しながら、かつ低スミアを実現させる。

固体撮像素子の光電変換部23上において半導体基板20と遮光膜32との間に、厚さ例えば40nm以下の第1シリコン酸化膜30(下層膜30−1と上層膜30−2)のみが介在するようにする。そして、低反射性を得る、厚さ例えば50nm以下の第1シリコン窒化膜33を、受光用開口部32aが形成された遮光膜32上にその受光用開口部32a上も含め、例えばプラズマCVD或いは減圧CVDにより形成する。

目的

本発明はこのような問題を解決すべく為されたものであり、固体撮像素子において遮光膜の受光用開口部における低反射性を保持して高感度特性を保持しつつ低スミア化を図ることを目的とする。

効果

実績

技術文献被引用数
1件
牽制数
5件

この技術が所属する分野

(分野番号表示ON)※整理標準化データをもとに当社作成

ライセンス契約や譲渡などの可能性がある特許掲載中! 開放特許随時追加・更新中 詳しくはこちら

請求項1

半導体基板上に、少なくとも光電変換部を覆う第1シリコン酸化膜と、上記第1シリコン酸化膜上に形成され、上記光電変換部を露出させる受光用開口部を有する遮光膜と、上記受光用開口部を含む上記遮光膜上に全面的に形成された第1シリコン窒化膜と、上記第1シリコン窒化膜上に全面的に形成された第2シリコン酸化膜と、上記第2シリコン酸化膜上に全面的に形成された表面平坦化用の第2シリコン窒化膜と、を有することを特徴とする固体撮像素子

請求項2

上記第1シリコン窒化膜の厚さが50nm以下であることを特徴とする請求項1記載の固体撮像素子。

請求項3

上記第1シリコン酸化膜の膜厚が40nm以下であることを特徴とする請求項1又は2記載の固体撮像素子。

請求項4

半導体基板上を光電変換部上を含め全面的に覆う膜と該膜及び該光電変換部の近傍の隆起部上を覆う膜からなる第1シリコン酸化膜上に遮光膜を形成する工程と、上記遮光膜を選択的にエッチングすることにより上記光電変換部を露出させる受光用開口部を形成する工程と、上記受光用開口部を含む上記遮光膜上に全面的に低反射性の第1シリコン窒化膜を形成する工程と、上記第1シリコン窒化膜上に全面的に第2シリコン酸化膜を形成する工程と、上記第2シリコン酸化膜上に全面的に第2シリコン窒化膜を形成する工程と、を有することを特徴とする固体撮像素子の製造方法。

請求項5

上記第1シリコン窒化膜を、プラズマCVD法あるいはLPCVD法により形成することを特徴とする請求項4記載の固体撮像素子の製造方法。

技術分野

0001

本発明は、電荷結合素子(Charge Coupled Device 、以下「CCD」という。)等の固体撮像素子及びその製造方法に関するものである。

背景技術

0002

固体撮像素子、例えばCCD固体撮像素子は、入射される光を受光用開口部で受光して信号電荷に変換し、この変換した信号電荷を読み出し部を通じて垂直転送部へ読み出し、該垂直転送部をクロックパルス受ける垂直転送電極により駆動することによりこの信号電荷を垂直方向転送していくようになっている。この種の固体撮像素子ついては、入射される受光用開口部への可視光透過率を高めて感度を向上させるために、種々の提案が行われている(特開平6−204443号公報、特開平10−178166号公報等)。

0003

例えば、感度向上のために、シリコンからなる半導体基板の表面部の光電変換部上に形成された受光用開口部において、半導体基板表面での被写体側からの光の反射を抑制する試みが為されており、図2はそのような固体撮像素子の一つの従来例の画素部を示す水平方向の概略断面図である。

0004

図において、1は半導体基板、2は該基板1表面部に選択的に形成された光電変換部、3は該光電変換部2上方の後述する遮光膜(11)に形成された開口からなる受光用開口部で、該光電変換部2への光の入射を許容する。4は光電変換部2で生じた信号電荷を垂直転送部(6)へ読み出す読み出し部、5はチャネルストップ部、6は上記読み出し部5を通じて読み出された信号電荷を垂直方向に転送する垂直転送部である。

0005

半導体基板1上にはSiO2からなるシリコン酸化膜7−1が全面的に形成され、該シリコン酸化膜7−1上の、垂直転送部6と概ね対応する位置に、垂直転送電極8が形成されている。光電変換部2上のシリコン酸化膜7−1と垂直転送電極8の上にもSiO2からなるシリコン酸化膜7−2が形成されている。7−1がシリコン酸化膜7の下層部、7−2が上層部である。

0006

このシリコン酸化膜7−2上には全面的に、LPCVD法あるいはCVD法によりシリコン窒化膜SiN膜)9が形成され、さらにこの上に、シリコン酸化膜10が形成され、そして、該シリコン酸化膜10上には、アルミニウムAl等からなる遮光膜11が形成され、この遮光膜11に選択的エッチングにより上記受光用開口部3が形成されているのである。上記シリコン窒化膜9上のシリコン酸化膜10は、この後に遮光膜11を形成して受光用開口部2を設ける選択的エッチングをするときに、シリコン窒化膜9が削られないように保護するためのものである。

0007

受光用開口部2を含め遮光膜11上には全面的にBPSGからなるシリコン酸化膜12が形成され、さらにこの上を平坦化するためにパッシベーション膜13が形成されている。該パッシベーション膜13上には、カラーフィルタ14が形成され、さらにこの上に、光集束用のマイクロレンズ15が形成されている。

0008

このような固体撮像素子においては、被写体側からの光が入射されると、この光がマイクロレンズ15によって受光用開口部3を向く方向に集光され、カラーフィルタ14、パッシベーション膜13、酸化膜12、遮光膜11の開口部3、シリコン酸化膜10、シリコン窒化膜9及びシリコン酸化膜7−2、7−1を通して光電変換部2に入射し、ここで信号電荷に変換される。そして、この信号電荷は上記読み出し部4を介して上記垂直転送部6に読み出され、垂直方向に転送される。

0009

このような構造の固体撮像素子は、基板1上の受光用開口部3における膜構造が、半導体基板1側から上に順にシリコン酸化膜7の下層部7−1、上層部7−2、シリコン窒化膜9及びシリコン酸化膜10となっており、シリコン窒化膜9が低反射性を有し、半導体基板1表面からの反射を干渉作用により低減させるので、光電変換部2の受光感度を高くすることができるという利点を有していると言える。

発明が解決しようとする課題

0010

ところで、上記の従来技術においては、受光用開口部2への受光感度を向上させるために、上述したように半導体基板1側から上に順にシリコン酸化膜7−1、7−2、シリコン窒化膜9及びシリコン酸化膜10が配置された構造をとり、半導体基板1からの反射を抑えるようにしていたが、そのため、スミアが生じやすいという問題があった。

0011

というのは、その図2に示す従来の固体撮像素子においては、遮光膜11と半導体基板1との間に、シリコン酸化膜10、シリコン窒化膜9及びシリコン酸化膜7−2、7−1が存在するために、遮光膜11と半導体基板1との間の間隙が大きくなってしまうからである。従って、大光量の光が入射した場合、半導体基板1と遮光膜11の間に入射した光が、該半導体基板1と遮光膜11の間を反射して垂直転送部6へ漏れ込む現象が起こる。この現象は、モニタ画面で見たときに縦筋上に白線となって現れる。これは、スミア(smear )と称され、固体撮像素子の撮像特性で重要な項目であり、可能な限り小さくすることが要請される。

0012

勿論、遮光膜11下の各膜を薄くすることによりスミアを小さくすることができ、例えば、シリコン窒化膜9を薄くすることも考えられ得るが、しかしそれはパシベーションの面から許されない。というのは、このシリコン窒化膜9はその上にパシベーションの役割を果たす膜がないので、受光用開口部2をパシベーションする役割を果たさざるを得ず、その役割を果たすためには膜厚を薄くすることに限界があるからである。

0013

そのため、従来においては半導体基板1上の遮光膜11下の各膜の膜厚の総和を小さくすることに限界があり、延いてはスミアを小さくすることに限界があったのである。

0014

本発明はこのような問題を解決すべく為されたものであり、固体撮像素子において遮光膜の受光用開口部における低反射性を保持して高感度特性を保持しつつ低スミア化を図ることを目的とする。

課題を解決するための手段

0015

本発明固体撮像素子は、半導体基板の受光開口部上を覆う膜厚が例えば40nm以下の第1シリコン酸化膜上に、受光用開口部を有する遮光膜を形成し、該遮光膜上に、膜厚が例えば50nm以下の第1シリコン窒化膜を形成し、該第1シリコン窒化膜上に第2シリコン酸化膜を形成してなる。

0016

従って、本発明固体撮像素子によれば、遮光膜の受光用開口部を通して光電変換部入射しようとする光に対する第1シリコン窒化膜の反射性を低めることができる。というのは、第1シリコン窒化膜は、その上にパシベーション機能を持つ第2シリコン酸化膜があるので、パシベーション機能を持つことが要求されず、従って、厚いことが要求されない。依って、充分な低反射性を得るに必要な薄さ、例えば50nm以下という薄さにして反射性を充分に抑止することができ、延いては、高い感度を得ることができる。

0017

そして、受光用開口部近傍において遮光膜と半導体基板との間には、第1シリコン酸化膜のみが設けられており、従って、遮光膜と半導体基板との間隔を狭くすることができ、延いてはスミアを顕著に小さくすることができる。

0018

本発明の固体撮像素子の製造方法は、半導体基板上に、第1シリコン酸化膜上に遮光膜を形成する工程と、該膜に光電変換部を露出させる受光用開口部を形成する工程と、該受光用開口部を含む遮光膜上に全面的に第1シリコン窒化膜を形成し、更にこの上に第2シリコン酸化膜を形成する工程を少なくとも有する。

0019

従って、本発明の固体撮像素子の製造方法によれば、受光用開口部近傍において遮光膜下、半導体基板上に第1シリコン酸化膜のみが存在し、遮光膜上に低反射性の第1シリコン窒化膜及びパッシベーション機能を持つ第2シリコン酸化膜を形成した本発明固体撮像素子を得ることができる。

発明を実施するための最良の形態

0020

本発明固体撮像素子は、基本的には、遮光膜及び受光開口部形成後に、第1シリコン窒化膜を形成し、光電変換部上方において第1シリコン窒化膜と半導体基板との間に、第1シリコン酸化膜のみが形成されるようにする、あるいはしてなるというものであり、受光開口部近傍における遮光膜と半導体基板との間隔を決める第1シリコン酸化膜の膜厚を40nm以下にすれば、スミアをきわめて小さくすることができるので好ましいといえる。

0021

また、第1シリコン窒化膜は、低反射性が要求され、その要求に充分に応えるには厚さが50nm以下であることが好ましく、また、その膜の形成はプラズマCVD法あるいはLPCVD法により行うことが好ましいといえる。というのは、膜厚を略バラツキ無く一定にでき、低反射性を得やすいからである。尚、その第1シリコン窒化膜上には第2シリコン酸化膜を形成するが、この厚さは必要なパシベーション効果が得られるような充分な厚さに設定することができる。

0022

本発明の固体撮像素子の製造方法は、基本的には、第1シリコン酸化膜の形成を終えた後、遮光膜を形成し、次いで、該遮光膜に選択エッチングにより受光開口部を形成し、その後、低反射膜としての第1シリコン窒化膜を堆積し、しかる後、パシベーション機能を持つ第2シリコン酸化膜を形成する。第1シリコン窒化膜はプラズマCVD法により或いはLPCVD法により形成すると良い。というのは、膜厚の制御性が良く、薄い膜厚、例えば50nmの第1シリコン窒化膜をバラツキ無く且つ均一に形成しやすく、低反射性を確実に得ることができやすいからである。尚、プラズマCVD法によれば、水素化が阻害されず、半導体基板とその上の第1シリコン酸化膜との界面に存在する界面準位を低減できるという利点もある。

0023

以下に本発明を実施例により説明する。図1は本発明固体撮像素子の実施例における画素部の水平方向の概略の断面図である。図面において、20は半導体基板、22は該半導体基板20の表面部に形成された光電変換部、23はその光電変換部22の実質的な受光領域で、後述する遮光膜(32)の受光用開口部(32a)が形成されたところにできる。24は読み出し部、25はチャンネルストッパ、26は垂直転送部、30−1は上記半導体基板20表面を全面的に覆うSi02からなる第1シリコン酸化膜の下層部であり、該下層部30−1上には、垂直転送部26を駆動する、例えばポリシリコンからなる垂直転送電極31が選択的に形成されている。

0024

30−2は上記第1シリコン酸化膜の下層部30−1上及び上記垂直転送電極31上に全面的に形成されたSiO2からなる第1シリコン酸化膜30の上層部であり、該上層部30−2と該下層部30−1は垂直転送電極31で囲繞された部分、換言すれば光電変換部22が形成された領域において一体化して第1シリコン酸化膜30を成しており、該第1シリコン酸化膜30は本実施例においては厚さが40nm以下にされている。

0025

32は第1シリコン酸化膜の上層部30−2上に形成された遮光膜で、アルミニウムAl、あるいはタングステンWの金属で形成されており、32aは該遮光膜32に形成されて光電変換部23を露出させる受光用開口部で、選択エッチングにより形成される。

0026

33は開口部32aを含め遮光膜32上に全面的に形成された第1シリコン窒化膜33で、受光開口部32a上における膜厚がほぼ一定でかつ50nm以下に形成されており、それによって充分な低反射性(反射防止性)を得るようにしている。34は該第1シリコン窒化膜33上に全面的に形成された第2シリコン酸化膜で、例えば、BPSGからなり、パシベーション膜としての機能を果たす。

0027

35は上記第2シリコン酸化膜34上に全面的に形成され、パシベーションと表面を平坦化する第2シリコン窒化膜であり、該第2シリコン窒化膜35上には、カラーフィルタ36が形成され、この上にマイクロレンズ37が形成されている。

0028

このような固体撮像素子によれば、スミアの程度を左右するところの、受光用開口部近傍における基板20と遮光膜33との間の間隔を、第1シリコン酸化膜30(30−1・30−2)の厚さのみで決定されるようにでき、それを例えば40nm以下と小さくすることが容易に為し得る。従って、スミアを小さくすることができる。

0029

そして、第1シリコン窒化膜33の厚さを50nm以下と薄くすることができるので、低反射性を得ることができるので、受光用開口部32aへ向かう被写体側からの光に対する反射性を低めて固体撮像素子の感度の向上を図ることができる。

0030

この固体撮像素子は、例えば、次のような方法により製造することができる。先ず、ウエルが形成された半導体基板20の受光用開口部形成予定領域には、拡散法等によってp型読み出し部24と素子分離用チャネルストップ部25を形成し、更に、n型垂直転送部26等を形成する。

0031

次に、半導体基板20の全面に、SiO2からなる第1シリコン酸化膜30の下層部30−1を形成し、該下層部30−1上にポリシリコンからなる垂直転送電極31を選択的に形成する。次に、該垂直転送電極31をマスクにして、n型とp型の不純物イオンを半導体基板20に選択的に注入することにより表面部にp型のホールアキュムレート領域(図示を省略する)を有する電変換部23を形成する。

0032

次に、垂直転送電極31及び第1シリコン酸化膜30の下層部30−1上に全面的にSiO2 からなる第1シリコン酸化膜30の上層部30−2を形成する。光電変換部23上における第1シリコン酸化膜30の膜厚(下層部30−1と上層部30−2の膜厚の和)は、40nm以下にすることが望ましいこと前述の通りである。なお、これまでの工程は従来の場合とは異なるところは特にはない。

0033

ここからが従来の場合と異なる。先ず、第1シリコン酸化膜30−2上に、AlあるいはW等の金属からなる遮光膜32を形成し、その後、該遮光膜32を選択的にエッチングすることにより光電変換部23を露出させる受光用開口部32aを形成する。

0034

その後、受光用開口部32aを含む遮光膜32の全面に、LPCVD法、プラズマCVD法等により、膜厚50nm以下の第1シリコン窒化膜33を形成し、次いで、BPSG膜等の第2シリコン酸化膜34、パッシベーション膜等の第2シリコン窒化膜35、カラーフィルタ36及びマイクロレンズ37を順次形成する。

0035

このような製造方法によれば、図1に示す固体撮像素子を得ることができる。

発明の効果

0036

請求項1の固体撮像素子によれば、遮光膜の受光用開口部を通して光電変換部に入射しようとする光に対する反射性を第1シリコン窒化膜により低めることができる。というのは、第1シリコン窒化膜は、その上にパシベーション機能を持つ第2シリコン酸化膜があるので、パシベーション機能を持つことが要求されず、従って、薄いことが許容されるからである。依って、充分な低反射性を得るに必要な薄さにして上記反射を充分に抑止することができ、延いては、高い感度を得ることができる。

0037

そして、受光用開口部近傍において遮光膜と半導体基板との間には、第1シリコン酸化膜のみが介在しており、従って、遮光膜と半導体基板との間隔を狭くすることができ、延いてはスミアを顕著に小さくすることができる。

0038

請求項2の固体撮像素子によれば、第1シリコン窒化膜の厚さが50nm以下にされているので、低反射性を充分に得ることができ、延いては高感度にすることができる。請求項3の固体撮像素子によれば、受光開口部近傍における基板と遮光膜との間隔となる第1シリコン酸化膜の膜厚が40nm以下と薄いので、スミアを充分に小さくすることができる。

0039

請求項4の固体撮像素子の製造方法によれば、受光用開口部近傍において遮光膜下、半導体基板上に第1シリコン酸化膜のみが存在し、遮光膜上に低反射性の第1シリコン窒化膜及びパッシベーション機能を持つ第2シリコン酸化膜を形成した請求項1の固体撮像素子を得ることができる。

0040

請求項5の固体撮像素子によれば、第1シリコン窒化膜をプラズマCVD法により或いはLPCVD法により形成したので、膜厚の制御性が良く、薄い膜厚、例えば50nmの第1シリコン窒化膜をバラツキ無く且つ均一に形成しやすく、低反射性を確実に得ることができ易い。尚、プラズマCVD法によれば、水素化が阻害されず、半導体基板とその上の第1シリコン酸化膜との界面に存在する界面準位を低減できるという利点もある。

図面の簡単な説明

0041

図1本発明固体撮像素子の一つの実施例における画素部の水平方向の概略断面図である。
図2従来の固体撮像素子の画素部における水平方向の概略断面図である。

--

0042

20・・・半導体基板、23・・・光電変換部、26・・・垂直転送部、30(30−1、30−2)・・・第1シリコン酸化膜、31・・・垂直転送電極、32・・・遮光膜、32a・・・受光用開口部、33・・・第1シリコン窒化膜、34・・・第2シリコン酸化膜、35・・・第2シリコン窒化膜。

ページトップへ

この技術を出願した法人

この技術を発明した人物

ページトップへ

関連する挑戦したい社会課題

関連する公募課題

該当するデータがありません

ページトップへ

技術視点だけで見ていませんか?

この技術の活用可能性がある分野

分野別動向を把握したい方- 事業化視点で見る -

(分野番号表示ON)※整理標準化データをもとに当社作成

ページトップへ

おススメ サービス

おススメ astavisionコンテンツ

新着 最近 公開された関連が強い技術

  • コニカミノルタ株式会社の「 近赤外線吸収性組成物、近赤外線吸収性膜及び固体撮像素子用イメージセンサー」が 公開されました。( 2020/10/29)

    【課題・解決手段】本発明の課題は、長期間にわたる保存における、構成材料の分散安定性及び近赤外線カット安定性に優れた近赤外線吸収性組成物と、これを用いて形成した近赤外線吸収性膜と、当該近赤外線吸収性膜を... 詳細

  • 株式会社半導体エネルギー研究所の「 撮像装置」が 公開されました。( 2020/10/29)

    【課題】フォトセンサを有する表示装置において、フォトセンサの出力が変化し、撮像品質が低下することを防ぐ画素構成とすることを課題の一つとする。【解決手段】FDの電位の変化を抑えるため、FDと信号線との寄... 詳細

  • シャープ株式会社の「 撮像装置」が 公開されました。( 2020/10/29)

    【課題】位相差AFの精度を従来よりも向上させる。【解決手段】撮像装置(100)において、画素アレイ(10)には、異なる偏光特性を有する偏光フィルタを備えた複数の位相差画素によって、偏光ユニットが構成さ... 詳細

この 技術と関連性が強い人物

関連性が強い人物一覧

この 技術と関連する社会課題

関連する挑戦したい社会課題一覧

この 技術と関連する公募課題

該当するデータがありません

astavision 新着記事

サイト情報について

本サービスは、国が公開している情報(公開特許公報、特許整理標準化データ等)を元に構成されています。出典元のデータには一部間違いやノイズがあり、情報の正確さについては保証致しかねます。また一時的に、各データの収録範囲や更新周期によって、一部の情報が正しく表示されないことがございます。当サイトの情報を元にした諸問題、不利益等について当方は何ら責任を負いかねることを予めご承知おきのほど宜しくお願い申し上げます。

主たる情報の出典

特許情報…特許整理標準化データ(XML編)、公開特許公報、特許公報、審決公報、Patent Map Guidance System データ