図面 (/)

この項目の情報は公開日時点(2001年12月21日)のものです。
また、この項目は機械的に抽出しているため、正しく解析できていない場合があります

図面 (6)

課題

半透過型液晶表示装置において、製造工程を簡略化し、かつ、明るく高品位の表示を得る。

解決手段

液晶パネル内に、画素電極として透明電極4が設けられている透過エリアTと、画素電極として反射電極5’が設けられている反射エリアRとを有する半透過型液晶表示装置において、透明エリアTの透明電極4をITO膜4xから形成し、反射エリアの反射電極5’をITO膜4x上に直接形成したAg膜18から形成する。また、透明エリアTの透明電極4を、液晶パネルの透明基板2上に直接設ける。あるいは隣り合う反射電極5’間の間隙ゲート線6、信号線13、又はゲート線6若しくは信号線13の形成と同時にゲート線6若しくは信号線13と同一材料で形成した遮光層6x、13xで遮光する。

概要

背景

一般に、液晶表示装置表示形態は、外光を利用して反射像を表示する反射型バックライトの光を利用して透過像を表示する透過型とに大別されるが、近年では双方の特徴を兼ね備えた半透過型液晶表示装置が開発されている。半透過型液晶表示装置では、画素内を反射エリア透過エリアに分け、明るい所では外光を利用して反射エリアで反射像を表示し、暗い所では、バックライトの光を利用して透過エリアで透過像を表示する。

図5は、このような半透過型液晶表示装置であって、透過エリアTにおいて、電界ON時とOFF時の位相差が約λ/2となり、反射エリアRにおいて電界ON時とOFF時の位相差が約λ/4となるように液晶層の厚さをギャップコントロールしたECB(Electrically Controlled Birefringence)半透過型液晶表示装置に使用するTFT基板1のゲート線信号線及び反射電極画素電極)の位置関係を示す平面図であり、図4はこのTFT基板1のx−x断面図である。

TFT基板1はガラス基板2上にTFT素子3と、TFT素子3でスイッチング駆動され、透過エリアTの画素電極となるITO膜4xからなる透明電極4と、反射エリアRの画素電極となるAl膜17からなる反射電極5を有しており、例えば、次のように製造される。

まず、ガラス基板2へMo、Cr、Al、Ta等の金属膜成膜し、フォトリソグラフ法を用いてドライエッチングすることによりゲート線6、ゲート電極G及び補助容量電極Csを形成する。

次に、ゲート絶縁膜として、窒化シリコン(SiNx)膜7、酸化シリコン(SiO2)膜8を順次積層し、さらにアモルファスシリコンCVDにより成膜し、そのアモルファスシリコンを脱水素アニールにより結晶化してポリシリコン膜9にする。

次に、酸化シリコンからなる保護絶縁膜を成膜し、その上にレジストを形成し、ゲート電極Gをマスクとして裏面露光することにより、ゲート電極Gと自己整合的チャンネル形成部分にレジストをパターニングし、さらにこのレジストをマスクとして保護絶縁膜をエッチングし、ゲート電極上のチャンネル形成部分に保護絶縁膜10を残す。そして、保護絶縁膜10をマスクとしてドーパント注入し、LDD領域を形成する。

次に、Nチャンネルソースドレイン注入用レジストマスクフォトレジストから形成し、Nチャンネルソース・ドレイン領域及び補助容量領域にドーパントを注入する。C−MOS回路を形成する場合には、さらにPチャンネルソース・ドレイン注入用レジストマスクをフォトレジストから形成し、Pチャンネル形成領域にドーパントを注入する。そして、RTA等の熱アニールでドーパントを活性化する。

次に、TFT形成部分以外の不要部分の保護絶縁膜やポリシリコン膜をフォトリソグラフ法でウェットエッチング又はドライエッチングにより除去する。

次に、層間絶縁膜として、窒化シリコン膜11及び酸化シリコン膜12を順次CVDにより成膜する。そしてTFT素子3の性能を向上させるため、水素アニーリングを行い、水素をポリシリコン膜に拡散させる。

次に、コンタクトホール開孔し、Tiをスパッタリングで成膜し、さらにAlをスパッタリングで成膜し、これらTi膜及びAl膜をフォトリソグラフ法を用いてドライエッチングでパターニングすることにより、ソース電極S、ドレイン電極Dに接続した信号線13を形成する。

次に、フォトレジストからなるスキタリング層(SCP)14を成膜し、フォトリソグラフ法でパターニングし、さらにアクリル樹脂等からなる平坦化層PLN)15を成膜し、フォトリソグラフ法でパターニングする。

次に、透過エリアTの画素電極となる透明電極(ITO電極)4を形成するために、ITO膜4xをスパッタリングで成膜し、フォトリソグラフ法でウェットエッチングする。

次に、反射エリアRの画素電極となる反射電極5を形成するために、まず、ITO膜4x上にTiをスパッタリングにより成膜し、その上にAl膜17をスパッタリングにより成膜し、これらTi膜16とAl膜17とをフォトリソグラフ法を用いてをウェットエッチングすることにより、透過エリアTのTi膜16及びAl膜17を除去し、透過窓部20を開口する。

こうして製造されるTFT基板1と対向電極(図示せず)との間に液晶が保持され、液晶パネルが構成される。

概要

半透過型液晶表示装置において、製造工程を簡略化し、かつ、明るく高品位の表示を得る。

液晶パネル内に、画素電極として透明電極4が設けられている透過エリアTと、画素電極として反射電極5’が設けられている反射エリアRとを有する半透過型液晶表示装置において、透明エリアTの透明電極4をITO膜4xから形成し、反射エリアの反射電極5’をITO膜4x上に直接形成したAg膜18から形成する。また、透明エリアTの透明電極4を、液晶パネルの透明基板2上に直接設ける。あるいは隣り合う反射電極5’間の間隙をゲート線6、信号線13、又はゲート線6若しくは信号線13の形成と同時にゲート線6若しくは信号線13と同一材料で形成した遮光層6x、13xで遮光する。

目的

本発明は以上のような従来技術の問題点を解決しようとするものであり、半透過型液晶表示装置において、製造工程を簡略化し、かつ、明るく高品位の表示を行うことを目的とする。

効果

実績

技術文献被引用数
10件
牽制数
17件

この技術が所属する分野

(分野番号表示ON)※整理標準化データをもとに当社作成

ライセンス契約や譲渡などの可能性がある特許掲載中! 開放特許随時追加・更新中 詳しくはこちら

請求項1

液晶パネル内に、画素電極として透明電極が設けられている透過エリアと、画素電極として反射電極が設けられている反射エリアとを有する半透過型液晶表示装置において、透明エリアの透明電極がITO膜からなり、反射エリアの反射電極がITO膜上に直接形成されたAg膜からなることを特徴とする半透過型液層表示装置

請求項2

液晶パネル内に、画素電極として透明電極が設けられている透過エリアと、画素電極として反射電極が設けられている反射エリアとを有する半透過型液晶表示装置の製造方法において、透明エリアの透明電極としてITO膜を形成し、パターニングした後、該ITO膜上に直接Ag膜を形成し、Ag膜をパターニングすることにより反射エリアの反射電極を形成することを特徴とする半透過型液層表示装置の製造方法。

請求項3

液晶パネル内に、画素電極として透明電極が設けられている透過エリアと、画素電極として反射電極が設けられている反射エリアとを有する半透過型液晶表示装置において、透明エリアの透明電極が、液晶パネルの透明基板上に直接設けられていることを特徴とする半透過型液晶表示装置。

請求項4

液晶パネル内に、画素電極として透明電極が設けられている透過エリアと、画素電極として反射電極が設けられている反射エリアとを有する半透過型液晶表示装置において、隣り合う反射電極間間隙ゲート線信号線、又はゲート線若しくは信号線の形成と同時にゲート線若しくは信号線と同一材料で形成された遮光層遮光されていることを特徴とする半透過型液晶表示装置。

技術分野

0001

本発明は、半透過型液晶表示装置液晶パネル構造に関する。

背景技術

0002

一般に、液晶表示装置表示形態は、外光を利用して反射像を表示する反射型バックライトの光を利用して透過像を表示する透過型とに大別されるが、近年では双方の特徴を兼ね備えた半透過型液晶表示装置が開発されている。半透過型液晶表示装置では、画素内を反射エリア透過エリアに分け、明るい所では外光を利用して反射エリアで反射像を表示し、暗い所では、バックライトの光を利用して透過エリアで透過像を表示する。

0003

図5は、このような半透過型液晶表示装置であって、透過エリアTにおいて、電界ON時とOFF時の位相差が約λ/2となり、反射エリアRにおいて電界ON時とOFF時の位相差が約λ/4となるように液晶層の厚さをギャップコントロールしたECB(Electrically Controlled Birefringence)半透過型液晶表示装置に使用するTFT基板1のゲート線信号線及び反射電極画素電極)の位置関係を示す平面図であり、図4はこのTFT基板1のx−x断面図である。

0004

TFT基板1はガラス基板2上にTFT素子3と、TFT素子3でスイッチング駆動され、透過エリアTの画素電極となるITO膜4xからなる透明電極4と、反射エリアRの画素電極となるAl膜17からなる反射電極5を有しており、例えば、次のように製造される。

0005

まず、ガラス基板2へMo、Cr、Al、Ta等の金属膜成膜し、フォトリソグラフ法を用いてドライエッチングすることによりゲート線6、ゲート電極G及び補助容量電極Csを形成する。

0006

次に、ゲート絶縁膜として、窒化シリコン(SiNx)膜7、酸化シリコン(SiO2)膜8を順次積層し、さらにアモルファスシリコンCVDにより成膜し、そのアモルファスシリコンを脱水素アニールにより結晶化してポリシリコン膜9にする。

0007

次に、酸化シリコンからなる保護絶縁膜を成膜し、その上にレジストを形成し、ゲート電極Gをマスクとして裏面露光することにより、ゲート電極Gと自己整合的チャンネル形成部分にレジストをパターニングし、さらにこのレジストをマスクとして保護絶縁膜をエッチングし、ゲート電極上のチャンネル形成部分に保護絶縁膜10を残す。そして、保護絶縁膜10をマスクとしてドーパント注入し、LDD領域を形成する。

0008

次に、Nチャンネルソースドレイン注入用レジストマスクフォトレジストから形成し、Nチャンネルソース・ドレイン領域及び補助容量領域にドーパントを注入する。C−MOS回路を形成する場合には、さらにPチャンネルソース・ドレイン注入用レジストマスクをフォトレジストから形成し、Pチャンネル形成領域にドーパントを注入する。そして、RTA等の熱アニールでドーパントを活性化する。

0009

次に、TFT形成部分以外の不要部分の保護絶縁膜やポリシリコン膜をフォトリソグラフ法でウェットエッチング又はドライエッチングにより除去する。

0010

次に、層間絶縁膜として、窒化シリコン膜11及び酸化シリコン膜12を順次CVDにより成膜する。そしてTFT素子3の性能を向上させるため、水素アニーリングを行い、水素をポリシリコン膜に拡散させる。

0011

次に、コンタクトホール開孔し、Tiをスパッタリングで成膜し、さらにAlをスパッタリングで成膜し、これらTi膜及びAl膜をフォトリソグラフ法を用いてドライエッチングでパターニングすることにより、ソース電極S、ドレイン電極Dに接続した信号線13を形成する。

0012

次に、フォトレジストからなるスキタリング層(SCP)14を成膜し、フォトリソグラフ法でパターニングし、さらにアクリル樹脂等からなる平坦化層PLN)15を成膜し、フォトリソグラフ法でパターニングする。

0013

次に、透過エリアTの画素電極となる透明電極(ITO電極)4を形成するために、ITO膜4xをスパッタリングで成膜し、フォトリソグラフ法でウェットエッチングする。

0014

次に、反射エリアRの画素電極となる反射電極5を形成するために、まず、ITO膜4x上にTiをスパッタリングにより成膜し、その上にAl膜17をスパッタリングにより成膜し、これらTi膜16とAl膜17とをフォトリソグラフ法を用いてをウェットエッチングすることにより、透過エリアTのTi膜16及びAl膜17を除去し、透過窓部20を開口する。

0015

こうして製造されるTFT基板1と対向電極(図示せず)との間に液晶が保持され、液晶パネルが構成される。

発明が解決しようとする課題

0016

上述のように、従来の半透過型液晶表示装置に使用するTFT基板1では、反射電極5がAl膜17から形成されるが、その下面にはTi膜16が設けられている。これは、ITOとAlとがオーミックコンタクトを形成しないので、両者の間にTiを介在させて、オーミックなコンタクトを可能とするためである。しかしながら、そのためにTi膜16を形成することは、反射電極5の製造工程が煩雑になる。

0017

Ti膜16を形成することなく、Al膜17からなる反射電極5と透明電極4とをオーミックにコンタクトさせるためには、透明電極4の形成材料としてITOに代えてIn2O3(出光興産社製IXO等)を使用することが考えられる。しかしながら、透明電極4をIn2O3から形成すると、透過窓部20を開口するためにAl膜17をエッチング除去する際に、AlのエッチャントでIn2O3がダメージを受け、表示品位が低下する。このため、ITOに代えてIn2O3を使用しても、Al膜17のエッチング除去時のダメージから透明電極4を保護するためには、In2O3とAl膜17と間にSiNx等のパッシベーション膜を設けなくてはならず、結局、SiNxの成膜工程や、フォトリソグラフ法を用いたエッチング工程が必要となり、製造工程を簡略化することができない。

0018

また、従来のTFT基板1では、透過窓部20に層間絶縁膜として窒化シリコン膜11と酸化シリコン膜12が存在し、これらの干渉等により透過像表示時の透過率が低下し、画面が暗くなるという問題がある。

0019

さらに、半透過型液晶表示装置のTFT基板では、透過像表示時のコントラストを上げるため、隣り合う反射電極5同士の間を遮光する必要がある。このため、従来の液晶TFT基板1では、対向電極にカーボンブラック、Cr等から形成される遮光領域が設けられている。しかしながら、対向電極に遮光領域を形成すると、この遮光領域で、反射像表示時に斜め方向から入射した光や、斜め方向へ射出する光が吸収される。このため、反射率が大幅に低下し、画面が暗くなるという問題がある。

0020

本発明は以上のような従来技術の問題点を解決しようとするものであり、半透過型液晶表示装置において、製造工程を簡略化し、かつ、明るく高品位の表示を行うことを目的とする。

課題を解決するための手段

0021

上述の目的を達成するため、第1に本発明は、液晶パネル内に、画素電極として透明電極が設けられている透過エリアと、画素電極として反射電極が設けられている反射エリアとを有する半透過型液晶表示装置において、透明エリアの透明電極がITO膜からなり、反射エリアの反射電極がITO膜上に直接形成されたAg膜からなることを特徴とする半透過型液層表示装置を提供し、また、その製造方法として、液晶パネル内に、画素電極として透明電極が設けられている透過エリアと、画素電極として反射電極が設けられている反射エリアとを有する半透過型液晶表示装置の製造方法において、透明エリアの透明電極としてITO膜を形成し、パターニングした後、該ITO膜上に直接Ag膜を形成し、Ag膜をパターニングすることにより反射エリアの反射電極を形成することを特徴とする半透過型液層表示装置の製造方法を提供する。

0022

第2に本発明は、液晶パネル内に、画素電極として透明電極が設けられている透過エリアと、画素電極として反射電極が設けられている反射エリアとを有する半透過型液晶表示装置において、透明エリアの透明電極が、液晶パネルの透明基板上に直接設けられていることを特徴とする半透過型液晶表示装置を提供する。

0023

第3に本発明は、液晶パネル内に、画素電極として透明電極が設けられている透過エリアと、画素電極として反射電極が設けられている反射エリアとを有する半透過型液晶表示装置において、隣り合う反射電極間間隙がゲート線、信号線、又はゲート線若しくは信号線の形成時にゲート線若しくは信号線と同一材料で形成された遮光層で遮光されていることを特徴とする半透過型液晶表示装置を提供する。

0024

第1の本発明において、反射電極を構成するAg膜は、ITO膜とオーミックなコンタクトを形成するので、Ti膜を介在させることなく、ITO膜上に直接形成することができる。したがって、反射電極の製造工程を簡略化することができる。また、透過窓部を開口する際のAg膜のエッチング条件において、AgとITOとのエッチレートに十分な差をつけることができるので、ITO膜にダメージを与えることなくAg膜をエッチング除去し、透過窓部を開口することが可能となり、透過像表示時の画像品位を向上させることができる。

0025

また、第2の本発明によれば、透明エリアの透明電極が、液晶パネルの透明基板上に直接設けられているので、透明電極が層間絶縁膜(窒化シリコン膜及び酸化シリコン膜)上に形成されている従来の半透過型液晶表示装置のように透過像が層間絶縁膜の干渉の影響を受けることがなく、また、透明エリアのギャップコントロールを向上させることができるので、透過像を明るく表示することができる。

0026

第3の本発明によれば、対向基板に遮光領域を形成することなく、隣り合う反射電極間の間隙を遮光するので、反射像表示時に対向基板の遮光領域で光が不要に吸収されることがない。したがって、反射像を明るく表示することができる。さらに、隣り合う反射電極間の間隙を、ゲート線又は信号線を幅広に形成することにより遮光するか、あるいはゲート線若しくは信号線の形成と同時にこれらと同一材料で形成した遮光層によって遮光するので、遮光層の形成工程を別途設けなくても反射電極間の間隙を遮光することができる。よって、半透過型液晶表示装置の製造工程を簡略化し、透過像表示時のコントラストを高めることが可能となる。

発明を実施するための最良の形態

0027

以下、図面を参照しつつ、本発明を詳細に説明する。なお、各図中、同一符号は同一又は同等の構成要素を表している。

0028

図2は、図4のTFT基板と同様に、反射エリアRと透過エリアTを有する半透過型液晶表示装置であって、透過エリアTにおいて、電界ON時とOFF時の位相差が約λ/2となり、反射エリアRにおいて電界ON時とOFF時の位相差が約λ/4となるように液晶層の厚さをギャップコントロールしたECB(Electrically Controlled Birefringence)半透過型液晶表示装置に使用する、本発明の一態様のTFT基板1Aのゲート線、信号線及び反射電極の位置関係を示す平面図であり、図1は、このTFT基板1Aのx−x断面図である。

0029

このTFT基板1Aでは、反射電極5’が、従来のTFT基板1のAl膜17からなる反射電極5に対して、Ag膜18から形成されており、かつ、反射電極5’がITO膜4x上にTi膜を介さず、直接設けられている点が第1の特徴となっている。

0030

また、透過エリアTにおいて、透明電極4がガラス基板2上に直接形成されており、透明電極4とガラス基板2との間にゲート絶縁膜7、8や層間絶縁膜11、12が介在していない点が第2の特徴となっている。

0031

さらに、ゲート線6の幅w1と信号線13の幅w2が、隣り合う反射電極5’間の間隙の幅d1、d2よりも広く、隣り合う反射電極5’間の間隙がゲート線6と信号線13で遮光されている点が第3の特徴となっている。

0032

このTFT基板1Aの第1の特徴となっている構造は、例えば、次のようにして得ることができる。まず、従来のTFT基板1と同様にITO膜4xをスパッタリング等によって20〜300nm成膜し、フォトリソグラフ法で所定のパターンにウェットエッチングする。次に、そのITO膜4xをアニーリングし、ITO膜4x上にAg膜18をスパッタリング等によって0.1〜1.0μm成膜し、フォトリソグラフ法を用いてウェットエッチングし、透過窓20を開口する。

0033

ここで、ITO膜4xのアニーリングは、100〜300℃で0.5〜5時間行うことが好ましい。これによりITOの結晶化を十分に促進し、その後のAg膜18のウェットエッチングにおいてITO膜4xがダメージを受けることを防止できる。

0034

また、Ag膜18のウェットエッチングは、例えば、混酸リン酸硝酸酢酸=60%:2.9%:10.5%)を用いて20〜40℃で1分以下の時間で処理する。

0035

このようにAg膜18をITO膜4x上に直接形成することにより、TFT基板の製造工程を簡略化することができる。

0036

一方、TFT基板1Aの第2の特徴の構造は、従来のTFT基板1の製造工程において、平坦化層(PLN)15を成膜した後、その平坦化層15をパターニングする際に、透過エリアTにおいて、ガラス基板2上に積層されているゲート絶縁膜7、8、層間絶縁膜11、12、スキャタリング層14をすべてエッチング除去し、さらに必要に応じて基板2も所定量エッチングし、その後、ITO膜4xを成膜することにより形成することができる。これにより、TFT基板の製造工程数を増やすことなく、透過像表示がガラス基板2上の層間絶縁膜11、12の干渉によって暗くなることを防止でき、さらに透過エリアTのギャップコントロールを向上させることができるので、よりいっそう透過像表示を明るくすることが可能となる。

0037

TFT基板1Aの第3の特徴の構造は、従来のTFT基板の製造工程において、ゲート線6のパターニング時、あるいは信号線13のパターニング時に、ゲート線6の幅w1、信号線13の幅w2を、隣り合う反射電極5’同士の間隙の幅d1、d2より広くし、隣り合う反射電極5’同士の間隙を遮光できるようにすればよい。これによりTFT基板の製造工程数を増やすことなく、隣り合う反射電極5’同士の間隙を遮光し、透過像表示時のコントラストをあげることができる。

0038

図3は、第3の本発明の変形例のTFT素子1Bの、ゲート線、信号線、反射電極の位置関係を示している。このTFT素子1Bでは、ゲート線6と信号線13それ自体は幅広く形成されていないが、ゲート線6の形成と同時にゲート線と同一の形成材料で遮光層6xを形成し、この遮光層6xで隣り合う反射電極5’同士の間隙を遮光し、また、信号線13の形成と同時に信号線13と同一の形成材料で遮光層13xを形成し、この遮光層13xによっても隣り合う反射電極5’同士の間隙を遮光したものである。これら遮光層6x、13xは、フローティング電位に形成したゲート線若しくは信号線とみることもできる。

0039

以上、図面を参照しつつ本発明を説明したが、さらに本発明は種々の態様をとることができる。例えば、図1図2に示したTFT基板1Aは、第1〜第3の本発明の特徴をすべて兼ね備えたものであるが、本発明の半透過型液晶表示装置としては、第1〜第3の特徴のいずれか一つを備えてもよく、任意の二つを組み合わせてもよい。また、本発明の半透過型液晶表示装置は、ECBモード以外の液晶表示装置にも適用することができる。

発明の効果

0040

第1の本発明によれば、ITO膜上にTi膜やパッシベーション膜を介することなく直接反射電極が形成されるので、製造工程を簡略化することができる。

0041

また、第2の本発明によれば、透過エリアにおいて、基板上に直接透明電極を設けるので、製造工程数を増やすことなく、透過像表示時における透過率を向上させることができ、透過エリアTにおけるギャップコントロールも向上させることができる。

0042

さらに、第3の本発明によれば、隣り合う反射電極同士の間隙を、対向基板に遮光領域を設けることなく、かつ、TFT基板の製造工程数を増やすことなく、遮光することができ、透過像表示時のコントラストを向上させることができる。

図面の簡単な説明

0043

図1本発明の半透過型液晶表示に使用するTFT基板(図2のTFT基板)の断面図である。
図2本発明の半透過型液晶表示に使用するTFT基板のゲート線、信号線、反射電極の位置関係を示す平面図である。
図3本発明の半透過型液晶表示に使用するTFT基板のゲート線、信号線、反射電極の位置関係を示す平面図である。
図4従来の半透過型液晶表示に使用するTFT基板(図5のTFT基板)のx−x断面図である。
図5従来の半透過型液晶表示に使用するTFT基板のゲート線、信号線、反射電極の位置関係を示す平面図である。

--

0044

1…従来のTFT基板、 1A…本発明のTFT基板、 2…ガラス基板、3…TFT素子、 4…透明電極(ITO電極)、 4x…ITO膜、 5…反射電極(Al電極)、 5’…反射電極(Ag電極)、 6…ゲート線、 6x…遮光層、 7…ゲート絶縁膜(窒化シリコン膜)、 8…ゲート絶縁膜(酸化シリコン膜)、9…ポリシリコン膜、 10…保護絶縁膜、 11…層間絶縁膜(窒化シリコン膜)、 12…層間絶縁膜(酸化シリコン膜)、 13…信号線、13x…遮光層、 14…スキャタリング層(SCP)、 15…平坦化層(PLN)、 16…Ti膜、 17…Al膜、18…Ag膜、 20…透過窓部

ページトップへ

この技術を出願した法人

この技術を発明した人物

ページトップへ

関連する挑戦したい社会課題

関連する公募課題

ページトップへ

技術視点だけで見ていませんか?

この技術の活用可能性がある分野

分野別動向を把握したい方- 事業化視点で見る -

(分野番号表示ON)※整理標準化データをもとに当社作成

ページトップへ

おススメ サービス

おススメ astavisionコンテンツ

新着 最近 公開された関連が強い技術

  • 株式会社ジャパンディスプレイの「 表示装置、および表示装置の製造方法」が 公開されました。( 2020/09/24)

    【課題】高い信頼性を有する表示装置、およびその製造方法を提供する【解決手段】表示装置は、基板、トランジスタ、平坦化膜、表示素子、ダム、およびガイドを備える。基板は、表示領域、および表示領域を囲む周辺領... 詳細

  • 株式会社ジャパンディスプレイの「 表示装置及び検査方法」が 公開されました。( 2020/09/24)

    【課題】信頼性の低下を抑制する。【解決手段】表示装置1は、複数の画素が設けられる表示領域A、及び表示領域Aよりも外側の周辺領域を有する第1基板SUB1と、表示領域Aに設けられて、画素に接続されて画素に... 詳細

  • 株式会社ジャパンディスプレイの「 表示装置」が 公開されました。( 2020/09/24)

    【課題】周辺領域におけるセルギャップのばらつきを抑制することができる表示装置を提供する。【解決手段】表示装置は、第1基板と、第1基板と対向する第2基板と、複数の画素が第1基板に設けられた表示領域と、第... 詳細

この 技術と関連性が強い人物

関連性が強い人物一覧

この 技術と関連する社会課題

関連する挑戦したい社会課題一覧

この 技術と関連する公募課題

関連する公募課題一覧

astavision 新着記事

サイト情報について

本サービスは、国が公開している情報(公開特許公報、特許整理標準化データ等)を元に構成されています。出典元のデータには一部間違いやノイズがあり、情報の正確さについては保証致しかねます。また一時的に、各データの収録範囲や更新周期によって、一部の情報が正しく表示されないことがございます。当サイトの情報を元にした諸問題、不利益等について当方は何ら責任を負いかねることを予めご承知おきのほど宜しくお願い申し上げます。

主たる情報の出典

特許情報…特許整理標準化データ(XML編)、公開特許公報、特許公報、審決公報、Patent Map Guidance System データ