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図面 (8)

課題

ショット領域から次ショット領域へのステップ移動改行を伴う際、ステップ移動する移動距離を短縮し、全体としてのスループットを向上できる走査露光装置及び走査露光方法を提供する。

解決手段

転写用パターンが形成されたレチクルRを移動するレチクルステージ6と、レチクルRのパターンが露光されるウェハWを移動するウェハステージ1とを備え、レチクルR及びウェハWをレチクルステージ6及びウェハステージ1を介して同期走査することにより、ウェハWの各ショット領域にレチクルRのパターンを逐次転写露光する場合、前ショット領域から次ショット領域への露光開始位置までのステップ移動に改行が伴うか否かを検出する改行検出部22と、改行検出部22の検出値から、次ショット領域の位置に応じてウェハステージ1を制御し、ウェハWを露光位置へ移動させるステージ制御手段またはステージ制御工程とを具備する。

概要

背景

従来より、半導体素子液晶表示素子撮像素子(CCD等)、または薄膜磁気ヘッド等を製造するためのフォトリソグラフィ工程では、原版であるマスクとしてのレチクルに形成されたパターンを、感光性の基板であるウェハ上に露光するステッパ等の一括露光型の露光装置が使用されている。最近では、半導体素子のチップが大型化する傾向があり、レチクル上のより大きな面積のパターンをウェハ上に露光する必要から、レチクルとウェハとを同期して走査することで、投影光学系の照野フィールド静止状態でのパターンの露光領域)より広い範囲の領域を露光することが可能な、ステップアンドスキャン方式の露光装置が多く利用されている。

さて、一括露光型の走査露光装置では、露光対象ショット領域を照野フィールドへステッピングする動作と、そのショット領域とレチクルとを位置合わせする位置決め動作と、そのショット領域へ露光する動作とが繰り返される。

これに対して、ステップ・アンド・スキャン方式のような走査型の走査露光装置においては、前のショット領域から次のショット領域の走査露光を開始する位置まで基板ステージであるウェハステージステップ移動して、ウェハステージ及び原版ステージであるレチクルステージの走査を開始する。そして、走査露光開始位置で、それぞれ所定の走査速度になるように加速した後、レチクルステージとウェハステージとの相対位置を高い位置決め精度整定する。

さらに、露光光照射を開始して、所定の走査速度でレチクルステージ、及びウェハステージを駆動して走査露光を行う。走査露光が終了した後は、次ショットへ向かって非走査軸方向へステップ移動を開始すると同時に、走査露光開始前にウェハステージを整定させるために必要な距離だけ走査させて、その後減速する。そして、走査軸に対する走査が完了したならば、走査方向を反転させ、次ショットの走査露光を開始するという一連の動作が繰り返される。

このように、次のショットの露光開始前に必要となる整定に要する移動距離と加速に要する距離を事前に進めることで、次ショットの走査開始位置へのステップ移動後は、スムーズに所定の走査速度まで加速できる。さらに、レチクルステージとウェハステージとの相対位置を、高い位置決め精度で整定させることができる。

概要

前ショット領域から次ショット領域へのステップ移動に改行を伴う際、ステップ移動する移動距離を短縮し、全体としてのスループットを向上できる走査露光装置及び走査露光方法を提供する。

転写用のパターンが形成されたレチクルRを移動するレチクルステージ6と、レチクルRのパターンが露光されるウェハWを移動するウェハステージ1とを備え、レチクルR及びウェハWをレチクルステージ6及びウェハステージ1を介して同期走査することにより、ウェハWの各ショット領域にレチクルRのパターンを逐次転写露光する場合、前ショット領域から次ショット領域への露光開始位置までのステップ移動に改行が伴うか否かを検出する改行検出部22と、改行検出部22の検出値から、次ショット領域の位置に応じてウェハステージ1を制御し、ウェハWを露光位置へ移動させるステージ制御手段またはステージ制御工程とを具備する。

目的

本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、走査露光型の露光方式において、前ショット領域から次ショット領域へのステップ移動に改行を伴う場合、ステップ移動する距離を短縮し、全体としてスループットを向上できる走査露光方法及び走査露光装置を提供することを目的とする。

効果

実績

技術文献被引用数
1件
牽制数
1件

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請求項1

転写用パターンが形成された原版を移動する原版ステージと、前記原版のパターンが露光される基板を移動する基板ステージとを備え、前記原版及び前記基板を前記原版ステージ及び前記基板ステージを介して同期走査する同期走査手段により、前記基板の各ショット領域に前記原版のパターンを逐次転写露光する露光装置において、転写露光中に前記基板上に配置されたショット領域が変わる際、次ショット領域への露光を開始する位置までのステップ移動改行が伴うか否かを検出する改行検出手段と、前記改行検出手段の検出値により、次ショット領域の位置に応じて前記基板ステージを制御し、前記基板を露光位置へ移動するステージ制御手段とを具備することを特徴とする走査露光装置

請求項2

前記改行検出手段により次ショット領域への前記ステップ移動に改行を伴うことを検出した際、前記ステージ制御手段は前ショット領域の転写露光終了後、直ちに減速を開始し、それと同時に次ショット領域への非露光軸ステップを行い、前ショット領域の露光軸方向の走査が完了した後に、走査方向を反転させ、次ショット領域の走査露光を開始することを特徴とする請求項2に記載の走査露光装置。

請求項3

転写用のパターンが形成された原版を移動する原版ステージと、前記原版のパターンが露光される基板を移動する基板ステージとを備え、前記原版及び前記基板を前記原版ステージ及び前記基板ステージを介して同期走査することにより、前記基板の各ショット領域に前記原版のパターンを逐次転写露光する露光方法において、転写露光中に前記基板上に配置されたショット領域が変わる際、前ショット領域から次ショット領域への露光を開始する位置までのステップ移動に改行を伴うか否かを検出する改行検出工程と、前記改行検出工程の検出値により、次ショット領域の位置に応じて前記基板ステージを制御し、前記基板を露光位置へ移動するステージ制御工程とを具備することを特徴とする走査露光方法

請求項4

前記改行検出工程により次ショット領域への前記ステップ移動に改行を伴うことを検出した際、前記ステージ制御工程は前ショット領域の転写露光終了後、直ちに減速を開始し、それを同時に次ショット領域への非露光軸ステップを行い、前ショット領域の露光軸方向の走査が完了した後に、走査方向を反転させ、次ショット領域の走査露光を開始することを特徴とする請求項3に記載の走査露光方法。

請求項5

請求項1または2に記載の走査露光装置または請求項3または4に記載の走査露光方法を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイス製造方法

技術分野

0001

本発明は、半導体素子液晶表示素子等を製造するためのフォトリソグラフィ工程で、原版上のパターン感光性の基板上に露光するための走査露光方法、及び露光装置に関する。特に、原版上のパターンの一部を感光性の基板上に投影した状態で、その原版とその基板とを同期走査して、その原版のパターンをその基板上の各ショット領域に逐次転写するステップアンドスキャン方式走査露光装置、及び走査露光方法に関するものである。

背景技術

0002

従来より、半導体素子、液晶表示素子、撮像素子(CCD等)、または薄膜磁気ヘッド等を製造するためのフォトリソグラフィ工程では、原版であるマスクとしてのレチクルに形成されたパターンを、感光性の基板であるウェハ上に露光するステッパ等の一括露光型の露光装置が使用されている。最近では、半導体素子のチップが大型化する傾向があり、レチクル上のより大きな面積のパターンをウェハ上に露光する必要から、レチクルとウェハとを同期して走査することで、投影光学系の照野フィールド静止状態でのパターンの露光領域)より広い範囲の領域を露光することが可能な、ステップ・アンド・スキャン方式の露光装置が多く利用されている。

0003

さて、一括露光型の走査露光装置では、露光対象のショット領域を照野フィールドへステッピングする動作と、そのショット領域とレチクルとを位置合わせする位置決め動作と、そのショット領域へ露光する動作とが繰り返される。

0004

これに対して、ステップ・アンド・スキャン方式のような走査型の走査露光装置においては、前のショット領域から次のショット領域の走査露光を開始する位置まで基板ステージであるウェハステージステップ移動して、ウェハステージ及び原版ステージであるレチクルステージの走査を開始する。そして、走査露光開始位置で、それぞれ所定の走査速度になるように加速した後、レチクルステージとウェハステージとの相対位置を高い位置決め精度整定する。

0005

さらに、露光光照射を開始して、所定の走査速度でレチクルステージ、及びウェハステージを駆動して走査露光を行う。走査露光が終了した後は、次ショットへ向かって非走査軸方向へステップ移動を開始すると同時に、走査露光開始前にウェハステージを整定させるために必要な距離だけ走査させて、その後減速する。そして、走査軸に対する走査が完了したならば、走査方向を反転させ、次ショットの走査露光を開始するという一連の動作が繰り返される。

0006

このように、次のショットの露光開始前に必要となる整定に要する移動距離と加速に要する距離を事前に進めることで、次ショットの走査開始位置へのステップ移動後は、スムーズに所定の走査速度まで加速できる。さらに、レチクルステージとウェハステージとの相対位置を、高い位置決め精度で整定させることができる。

発明が解決しようとする課題

0007

上記のような従来の走査露光型の走査露光装置においては、基板であるウェハ上の一つのショット領域を露光する毎に、走査方向を反転して露光を行うため、前ショット領域と次ショット領域が隣り合っているショットレイアウトであれば、効率よくステップ・アンド・スキャン方式の走査露光を行うことができる。しかし、次ショット領域へのステップ移動に改行を伴うショットレイアウトの場合には、整定に要する距離+加速に要する距離+ショット領域の露光サイズだけ、次ショット領域への走査開始位置より離れた位置から走査を開始しなければならない場合も起こりうる。これは、ショットレイアウトに依存するものである。しかし、このような場合が発生した際は、通常より次ショット領域へのステップ移動に時間を要するため、スループットが低下するという問題点があった。

0008

本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、走査露光型の露光方式において、前ショット領域から次ショット領域へのステップ移動に改行を伴う場合、ステップ移動する距離を短縮し、全体としてスループットを向上できる走査露光方法及び走査露光装置を提供することを目的とする。

0009

上記目的を達成するために、本発明による走査露光装置は、転写用のパターンが形成された原版を移動する原版ステージと、前記原版のパターンが露光される基板を移動する基板ステージとを備え、前記原版及び前記基板を前記原版ステージ及び前記基板ステージを介して同期走査する同期走査手段により、前記基板の各ショット領域に前記原版のパターンを逐次転写露光する露光装置において、転写露光中に前記基板上に配置されたショット領域が変わる際、次ショット領域への露光を開始する位置までのステップ移動に改行が伴うか否かを検出する改行検出手段と、前記改行検出手段の検出値により、次ショット領域の位置に応じて前記基板ステージを制御し、前記基板を露光位置へ移動するステージ制御手段とを具備することを特徴とする。

0010

また、前記改行検出手段により次ショット領域への前記ステップ移動に改行を伴うことを検出した際、前記ステージ制御手段は前ショット領域の転写露光終了後、直ちに減速を開始し、それと同時に次ショット領域への非露光軸ステップを行い、前ショット領域の露光軸方向の走査が完了した後に、走査方向を反転させ、次ショット領域の走査露光を開始することが好ましい。

0011

本発明の走査露光方法においては、転写用のパターンが形成された原版を移動する原版ステージと、前記原版のパターンが露光される基板を移動する基板ステージとを備え、前記原版及び前記基板を前記原版ステージ及び前記基板ステージを介して同期走査することにより、前記基板の各ショット領域に前記原版のパターンを逐次転写露光する露光方法において、転写露光中に前記基板上に配置されたショット領域が変わる際、前ショット領域から次ショット領域への露光を開始する位置までのステップ移動に改行を伴うか否かを検出する改行検出工程と、前記改行検出工程の検出値により、次ショット領域の位置に応じて前記基板ステージを制御し、前記基板を露光位置へ移動するステージ制御工程とを具備することを特徴とする。

0012

また、前記改行検出工程により次ショット領域への前記ステップ移動に改行を伴うことを検出した際、前記ステージ制御工程は前ショット領域の転写露光終了後、直ちに減速を開始し、それを同時に次ショット領域への非露光軸ステップを行い、前ショット領域の露光軸方向の走査が完了した後に、走査方向を反転させ、次ショット領域の走査露光を開始することが好ましい。

0013

これらの手段または手段により、次ショット領域への走査露光を開始する位置への移動に改行を伴う場合、前ショット領域の走査露光が終了した直後にウェハステージの減速を開始し、それと同時に次ショット領域への非走査軸方向へのステップ移動を行い、前ショット領域の走査軸方向の走査露光が完了した後に、走査軸方向を反転させ、次ショット領域への走査露光を開始することができるため、基板上の次ショット領域への移動距離を短縮することができる。さらに、前記走査露光装置または前記走査露光方法を用いてデバイスを製造することができる。

発明を実施するための最良の形態

0014

次に、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。本実施形態は、原版であるレチクル及び基板であるウェハを投影光学系に対して同期して走査することにより、レチクル上のパターンをウェハ上の各ショット領域に遂次転写露光する、ステップ・アンド・スキャン方式の投影走査露光装置で露光する場合に本発明を適応したものである。

0015

図1は、本発明の一実施形態に係る投影露光装置概略構成を示す図である。図1において、照明光学系SLは、光源照明光の形状を整形す可変視野絞り、及びコンデンサレンズ等を含む。照明光学系SLから射出された照明光ILは、レチクルR上のスリット上の照明領域を均一な照度分布で照明する。レチクルR上の照明領域内のパターンを投影光学系ULを介して投影倍率α(例えばα=1/4)で反転縮小し、その像が、ウェハW上のスリット状の照野フィールドに投影露光される。照明光ILとしては、例えば、KrFエキシマレーザ光ArFエキシマレーザ光、あるいは超高圧水銀ランプ紫外域輝線(g線、i線等)が用いられる。

0016

以下、照明光ILの光軸に平行にΖ軸をとり、その光軸に垂直な平面内で紙面と平行な軸をX軸、紙面に垂直な軸をY軸として説明する。レチクルRは、レチクルステージ6に載置されている。レチクルステージ6は、投影光学系ULの光軸に垂直な平面内で2次元的に微動してレチクルRを位置決めするとともに、ウェハステージ1と同期を取りながら走査する。また、レチクルステージ6は、走査軸方向にレチクルRのパターン領域の全面が少なくとも照明領域を横切ることができるだけのストロークを有している。

0017

レチクルステージ6の端部には、外部のレーザ干渉計26からのレーザビーム反射するバーミラー7が固定されている。レチクルステージ6の位置は、レーザ干渉計26により常時モニタされている。レーザ干渉計26からのレチクルステージ6の位置情報は、制御系21に供給されている。制御系21は、その位置情報に基づいてレチクルステージ駆動部24を介して、レチクルステージ6の位置及び速度を制御している。

0018

一方、ウェハWは、ウェハステージ1上の吸着版の上に載置される。ウェハステージ1により、ウェハW上の各ショット領域ヘスキャンする動作とを繰り返すステップ・アンド・スキャン動作が行われる。また、Ζ方向への移動やチルト方向の移動についても、制御系21がウェハステージ1を制御することにより行っている。

0019

また、ウェハステージ1の端部には、レーザ干渉計25からのレーザビームを反射するためのバーミラー2が備え付けられている。ウェハステージ1の位置は、レーザ干渉計25により常時モニタされている。レチクルステージ6の制御と同様に、ウェハステージ1の位置及び速度は、その位置情報に基づいてウェハステージ駆動部23を介して、制御系21によって制御されている。

0020

走査露光時にレチクルRが+Y方向へ、例えば、速度Vrでスキャンされる。それと同期して、ウェハWが−Y方向に速度Vwでスキャンされる。走査速度VwとVrとの比(Vw/Vr)は、投影光学系ULのレチクルRからウェハWへの投影倍率αに、正確に一致したものになっている。これによって、レチクルR上のパターンが、ウェハWの各ショット領域に正確に転写される。

0021

本実施形態の走査露光装置は、上記説明した図1において、ウェハ上の前ショット領域から次ショット領域の露光開始位置へのステップ移動に改行が伴うか否かを検出する改行検出手段である改行検出部22を備えている。また、改行を伴う次ショット領域の位置に応じてウェハステージ1の動作を制御し、ウェハWを露光位置へ移動させるステージ制御手段(不図示)をも備えている。改行検出部22は、制御系21から次ショット領域の露光中心座標とショット領域の露光サイズを取得し、前ショット領域の露光中心座標と比較することで、次ショット領域が改行を伴うか否かを検出することができる。

0022

また、ステージ制御手段により、次ショット領域が改行を伴う場合であれば、前ショット領域の露光終了後、直ちにウェハステージ1の減速を開始する。そして、整定に要する走査距離を考慮して、次ショット領域への走査露光を開始する位置へ直ちにウェハステージ1を移動させることができる。

0023

言い換えれば、ステージ制御手段により、ウェハステージ1の減速開始と同時に次ショット領域への非走査軸(X軸)方向へのステップ移動を行う。その後、前ショット領域の走査軸(Y軸)方向の走査が完了した後に走査露光する方向を反転させ、次ショット領域の走査露光を開始する。従って、本実施形態の第1の走査露光方法を実施することが可能である。

0024

なお、図1において、3はウェハステージ定盤、4は多点AFセンサ、5は鏡筒定盤、8はレチクルステージガイド、9は外筒をそれぞれ示しており、22は後述する改行検出部を示している。

0025

次に、上記走査露光装置を用いて、転写露光する走査露光について説明する。まず、転写露光とは、露光に伴うウェハステージ1やレチクルステージ6のステッピング、停止動作、位置決め動作、露光開始前の整定に要する走査、減速や加速走査、光源の発光や停止動作、及び走査露光動作等を表すものである。上記した転写露光のなかで、露光開始前の整定に要する走査は、露光時のウェハステージ1とレチクルステージ6との同期精度や、実際の露光に影響を与える要素である。この整定に要する走査とは、ウェハステージ1が露光開始位置で所定の走査速度になるように加速する際に発生した振動が、露光に支障がない状態におさまるまでに必要な走査である。整定に要する距離は、ウェハステージ1の性能で決まる整定時間と走査速度により決定される。

0026

図2は、走査露光を行った時の走査軸(Y軸)方向のウェハステージ1(図1)の速度と時間の関係を示す図である。通常、走査露光を行う場合は、所定の露光速度に達するまで加速する(区間L1)。その後、整定に要する距離だけ等速度移動し(区間L2)、ウェハステージ1が整定したら露光を開始する(区間L3)。露光終了後は、次ショット領域への非走査軸(X軸)方向へのステップ移動を行うのと同時に、露光を開始する前に必要になった整定に要する距離だけ走査軸方向に等速度移動(区間L4)した後に、減速を開始する(区間L5)。走査軸方向の移動が完了したならば、走査露光する方向を反転させ、次ショット領域への走査を開始する。

0027

この動作を繰り返し行うことで、ウェハW(図1)上に配置されたショット領域のレイアウト順番で露光が行われる。隣り合うショット領域を露光する場合には、露光終了後に整定に要する距離だけ等速度移動することで、次ショット領域の露光開始前に必要になる整定距離を予め進めることができる。さらに、ショット領域間の移動の際の走査を停止することなく、露光を行うことが可能である。

0028

図3は、ウェハを露光するショットレイアウトと走査露光順序の一例を示す図である。例えば、図3のように、ショット領域S1からS5を露光する場合には、Path1からPath4の露光軌道を描きながら、順次露光が行われる。本発明の走査露光では、例えば、図3のショット領域S4からS5の走査露光開始位置への移動パターンのような場合(SB部分)に有効となるものである。

0029

次に、図4及び図5を用いて走査露光の説明を行う。図4は、図3のSB部分を拡大したもので、ウェハ上の次ショット領域への移動に改行を伴う場合の従来のウェハステージのステップ移動の軌跡を示した図である。まず、従来の走査露光方法では、ショット領域S4の露光終了後、整定に要する距離DL2だけ等速度移動した後に、減速を開始し停止する。減速して停止するまでに移動する距離がDL1である。露光終了後、走査軸(Y軸)方向に走査しながら非走査軸(X軸)方向に移動しているのは、露光終了後に次ショット領域であるS5への非走査軸へのステップ移動を開始しているためである。通常、ショット領域S4からS5のように次ショット領域への移動に改行を伴うショットレイアウトの場合でも、ショット領域S2からS3(図3)のように隣り合うショットレイアウトの場合でも、露光終了後は整定に要する距離だけ等速度移動した後に減速し、次ショット領域の走査露光を開始する。

0030

もし仮に、ショット領域S2からS3(図3)のような隣り合うショットレイアウトにおいて、ショット領域S2の露光終了後、整定に要する距離を移動せずに減速にかかる距離DL1だけ移動し、次ショット領域の走査露光を開始する場合を考える。この場合、ショット領域S3の露光開始前の整定に要する距離が確保できないため、走査軸方向とは逆側に整定に要する距離だけステップ移動してから、走査を開始しなければならない。よって、この方法では、露光効率が悪くなってしまう。

0031

これに対して、隣り合う改行を伴わないショットレイアウトでは、整定に要する距離だけ予め進め、次ショット領域の走査露光をスムーズに行っている。

0032

図5は、図4と同様に、図3のSB部分を拡大したもので、ウェハ上の次ショット領域への移動に改行を伴う場合の本実施形態におけるウェハステージのステップ移動の軌跡を示した図である。図5に示されるように、本実施形態の走査露光では、ショット領域S4からS5(図3)のような改行を伴うショットレイアウトの場合、ショット領域S4の露光終了後、減速に要する距離DL3を走査した後にショット領域S5の走査露光を開始する。このため、ショット領域S5の露光開始前に整定に要する距離DL4を十分とることができる。そのため、ショット領域S4の露光終了後の整定に要する距離の走査は行う必要がない。

0033

上記説明したように、本実施形態では、例えばショット領域S4からS5(図3)のように改行を伴うショット領域へ移動の際に、改行検出工程により改行を検出し、ステージ制御工程により前ショット領域の露光終了後の整定に要する距離の走査を行わない。これにより、次ショット領域への移動距離を短縮し、スループットの向上を可能とすることを目的とした走査露光を提供する。

0034

[デバイス生産方法の実施形態]次に、上記説明した走査露光装置または走査露光方法を利用したデバイスの生産方法の実施形態を説明する。図6は、微小デバイス(ICやLSI等の半導体チップ液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造のフローを示す。ステップ1(回路設計)ではデバイスのパターン設計を行う。ステップ2(マスク製作)では設計したパターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ3(ウェハ製造)ではシリコンガラス等の材料を用いてウェハを製造する。ステップ4(ウェハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウェハを用いて、リソグラフィ技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。次のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシングボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作製された半導体デバイス動作確認テスト耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷(ステップ7)される。

0035

図7は、上記ウェハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ11(酸化)ではウェハの表面を酸化させる。ステップ12(CVD)ではウェハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ13(電極形成)ではウェハ上に電極蒸着によって形成する。ステップ14(イオン打込み)ではウェハにイオン打ち込む。ステップ15(レジスト処理)ではウェハに感光剤を塗布する。ステップ16(露光)では上記説明した走査露光装置及び走査露光方法によってマスクの回路パターンをウェハに焼付露光する。ステップ17(現像)では露光したウェハを現像する。ステップ18(エッチング)では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウェハ上に多重に回路パターンが形成される。本実施形態の生産方法を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度のデバイスを低コストに製造することができる。

発明の効果

0036

本発明によれば、前ショット領域から次ショット領域へのステップ移動に改行を伴う場合、前ショット領域の走査露光が終了した直後に減速を開始し、それと同時に次ショット領域に対する非走査軸方向のステップ移動を開始することで、走査露光後の走査距離が短縮され、露光処理済ウェハの生産性すなわち全体としてのスループットの向上が図れる走査露光方法及び走査露光装置を提供できる。

図面の簡単な説明

0037

図1本発明の一実施形態に係る投影露光装置の概略構成を示す図である。
図2走査露光を行った時の走査軸方向のウェハステージの速度と時間の関係を示す図である。
図3ウェハを露光するショットレイアウトと走査露光順序の一例を示す図である。
図4図3のSB部分を拡大したもので、ウェハ上の次ショット領域への移動に改行を伴う場合の従来のウェハステージのステップ移動の軌跡を示す図である。
図5図3のSB部分を拡大したもので、ウェハ上の次ショット領域への移動に改行を伴う場合の本実施形態におけるウェハステージのステップ移動の軌跡を示す図である。
図6微小デバイスの製造のフローを示す図である。
図7図6におけるウェハプロセスの詳細なフローを示す図である。

--

0038

SL:照明光学系、IL:照明光、R:レチクル、W:ウェハ(感光基板)、UL:投影光学系、1:ウェハステージ、2:バーミラー、3:ウェハステージ定盤、4:多点AFセンサ、5:鏡筒定盤、6:レチクルステージ、7:バーミラー、8:レチクルステージガイド、9:外筒、21:制御系、22:改行検出部、23:ウェハステージ駆動部、24:レチクルステージ駆動部、25,26:レーザ干渉計、L1:所定の露光速度に達するまで加速する区間、L2:整定に要する距離だけ等速度移動する区間、L3:露光を開始する区間、L4:整定に要する距離だけ走査軸方向に等速度移動する区間、L5:走査軸方向に減速する区間、S1,S2,S3,S4,S5:ショット領域、Path1,Path2,Path3,Path4:露光する軌道、DL1:整定に要する距離を移動せずに減速にかかる距離、DL2:整定に要する距離(等速度移動する距離)、DL3:減速に要する距離、DL4:整定に要する距離、SB:図4及び図5への参照箇所

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