図面 (/)

この項目の情報は公開日時点(2000年10月20日)のものです。
また、この項目は機械的に抽出しているため、正しく解析できていない場合があります

図面 (8)

課題

線幅を均一にすることができ、現像液塗布の際に欠陥が生じ難い現像方法を提供すること。

解決手段

基板上に形成されたレジスト膜所定パターン露光した後、露光パターン現像するにあたり、現像液の流動性を低下させ得る物質を現像液に添加し、その物質が添加された現像液を所定の条件下で低流動性とし、その現像液を基板上の露光されたレジスト膜の上に塗布し、その後、前記現像液に所定のトリガーを与えて現像液を高流動性にして現像を進行させる。

概要

背景

例えば半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程のための塗布・現像処理システムにおいては、半導体ウエハの表面にレジスト膜を形成するレジスト塗布処理と、レジスト塗布後の半導体ウエハに対して露光処理を行った後に当該ウエハを現像する現像処理とが行われている。

この現像処理においては、所定のパターン露光されポストエクスポージャーベーク処理および冷却処理されたウエハが現像処理ユニット搬入され、スピンチャックに装着される。現像液供給ノズルから現像液が供給されて、半導体ウエハの全面に例えば1mmの厚みになるように塗布(液盛り)され、現像液パドルが形成される。この現像液パドルが形成された状態で所定時間静止されて、自然対流により現像処理が進行する。その後、半導体ウエハがスピンチャックにより回転されて現像液が振り切られ、次いで、洗浄液供給ノズルからリンス液吐出されてウエハ上に残存する現像液が洗い流される。その後、スピンチャックが高速で回転され、半導体ウエハ上に残存する現像液およびリンス液が吹き飛ばされてウエハが乾燥される。これにより、一連の現像処理が終了する。

この現像処理において現像液パドルを形成する際には、現像液を半導体ウエハの全面に塗布するために、種々の形状のノズルを用い、ノズルから現像液を吐出させながら、ウエハを回転させたり、ノズルをスキャンさせたりしている。

概要

線幅を均一にすることができ、現像液塗布の際に欠陥が生じ難い現像方法を提供すること。

基板上に形成されたレジスト膜を所定パターンに露光した後、露光パターンを現像するにあたり、現像液の流動性を低下させ得る物質を現像液に添加し、その物質が添加された現像液を所定の条件下で低流動性とし、その現像液を基板上の露光されたレジスト膜の上に塗布し、その後、前記現像液に所定のトリガーを与えて現像液を高流動性にして現像を進行させる。

目的

本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、線幅を均一にすることができ、現像液塗布の際に欠陥が生じ難い現像方法を提供することを目的とする。

効果

実績

技術文献被引用数
1件
牽制数
0件

この技術が所属する分野

ライセンス契約や譲渡などの可能性がある特許掲載中! 開放特許随時追加・更新中 詳しくはこちら

請求項1

基板上に形成されたレジスト膜所定パターン露光した後、露光パターン現像する現像方法であって、現像液流動性を低下させ得る物質を現像液に添加する工程と、前記物質が添加された現像液を所定の条件下で低流動性とし、その現像液を基板上の露光されたレジスト膜の上に塗布する工程と、その後、前記現像液に所定のトリガーを与えて現像液を高流動性にし、現像を進行させる工程とを具備することを特徴とする現像方法を提供する。

請求項2

前記トリガーが温度または光であることを特徴とする請求項1に記載の現像方法。

請求項3

基板上に形成されたレジスト膜を所定パターンに露光した後、露光パターンを現像する現像方法であって、温度上昇により低流動性の状態から高流動性の状態に変化し得る物質を現像液に添加する工程と、前記物質が添加された現像液を所定温度で低流動性とし、その現像液を基板上の露光されたレジスト膜の上に塗布する工程と、その後、前記現像液の温度を上昇させて現像液を高流動性にし、現像を進行させる工程とを具備することを特徴とする現像方法。

請求項4

前記物質はゼラチンであることを特徴とする請求項3に記載の現像方法。

--

0001

本発明は、例えば半導体ウエハLCD基板等の基板上に形成されたレジスト膜所定パターン露光した後、露光パターン現像する現像方法に関する。

背景技術

0002

例えば半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程のための塗布・現像処理システムにおいては、半導体ウエハの表面にレジスト膜を形成するレジスト塗布処理と、レジスト塗布後の半導体ウエハに対して露光処理を行った後に当該ウエハを現像する現像処理とが行われている。

0003

この現像処理においては、所定のパターンが露光されポストエクスポージャーベーク処理および冷却処理されたウエハが現像処理ユニット搬入され、スピンチャックに装着される。現像液供給ノズルから現像液が供給されて、半導体ウエハの全面に例えば1mmの厚みになるように塗布(液盛り)され、現像液パドルが形成される。この現像液パドルが形成された状態で所定時間静止されて、自然対流により現像処理が進行する。その後、半導体ウエハがスピンチャックにより回転されて現像液が振り切られ、次いで、洗浄液供給ノズルからリンス液吐出されてウエハ上に残存する現像液が洗い流される。その後、スピンチャックが高速で回転され、半導体ウエハ上に残存する現像液およびリンス液が吹き飛ばされてウエハが乾燥される。これにより、一連の現像処理が終了する。

0004

この現像処理において現像液パドルを形成する際には、現像液を半導体ウエハの全面に塗布するために、種々の形状のノズルを用い、ノズルから現像液を吐出させながら、ウエハを回転させたり、ノズルをスキャンさせたりしている。

発明が解決しようとする課題

0005

しかしながら、上述したような従来の現像方法の場合には、半導体ウエハ上に現像液パドルを形成する際に、現像液液盛りの時間、現像液供給の際のインパクト、現像液の置換スピード等がどうしても半導体ウエハ上でばらつくため、線幅均一性を得ることが困難である。また、液盛り時の気泡の巻き込み等により欠陥が発生しやすい。

0006

近年、デバイスが64Mビットから256Mビットへと高集積化するに伴い、回路パターン微細化の要求が益々高まっており、最小線幅が0.2μm以下の超サブミクロン領域に達しようとしており、その要求に対応すべく微細加工が可能なレジストとして化学増幅型が用いられているが、この化学増幅型レジストは現像液に対する濡れ性が悪いため、特に上述のような欠陥が発生しやすい。また、化学増幅型レジストを用いて微細加工しようとする場合には、化学増幅型レジストが現像液に対して感受性が極めて高いことに起因して、上述のようなばらつきによる線幅の不均一が顕著になる。

0007

本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、線幅を均一にすることができ、現像液塗布の際に欠陥が生じ難い現像方法を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段

0008

上記課題を解決するために、本発明は、基板上に形成されたレジスト膜を所定パターンに露光した後、露光パターンを現像する現像方法であって、現像液の流動性を低下させ得る物質を現像液に添加する工程と、前記物質が添加された現像液を所定の条件下で低流動性とし、その現像液を基板上の露光されたレジスト膜の上に塗布する工程と、その後、前記現像液に所定のトリガーを与えて現像液を高流動性にし、現像を進行させる工程とを具備することを特徴とする現像方法を提供する。この場合に、前記トリガーとして温度または光を用いることができる。

0009

このような構成によれば、現像液の流動性を低下させ得る物質を現像液に添加し、物質が添加された現像液を所定の条件下で低流動性とし、その現像液を基板上の露光されたレジスト膜の上に塗布するので、現像液を塗布する時点では現像がほとんど進行せず、塗布後に現像液を高流動性にして現像を進行させるので、現像が基板全体一括的に進行する。したがって、基板面内現像開始時時間差が生じず、均一に現像することができ、基板面内の線幅均一性CD値均一性)を向上させることができる。また、このように現像液を塗布した後に現像が一括して進行し、かつ低流動性状態で塗布するため、現像液液盛りの方法に制約がない。さらに、現像液がレジスト膜に直接アタックしないため、欠陥を少なくすることも可能である。

0010

また、本発明は、基板上に形成されたレジスト膜を所定パターンに露光した後、露光パターンを現像する現像方法であって、温度上昇により低流動性の状態から高流動性の状態に変化し得る物質を現像液に添加する工程と、前記物質が添加された現像液を所定温度で低流動性とし、その現像液を基板上の露光されたレジスト膜の上に塗布する工程と、その後、前記現像液の温度を上昇させて現像液を高流動性にし、現像を進行させる工程とを具備することを特徴とする現像方法を提供する。前記物質としてはゼラチンを用いることができる。

0011

このような構成によれば、温度上昇により低流動性の状態から高流動性の状態に変化し得る物質を現像液に添加し、物質が添加された現像液を所定温度で低流動性とし、その現像液を基板上の露光されたレジスト膜の上に塗布するので、現像液を塗布する時点では現像がほとんど進行せず、塗布後に現像液の温度を上昇させて高流動性にして現像を進行させるので、現像が基板全体で一括的に進行する。したがって、上記効果と同様の効果を得ることができる。

発明を実施するための最良の形態

0012

以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について具体的に説明する。図1は本発明の実施に用いるレジスト塗布・現像処理システムを示す概略平面図、図2図1の正面図、図3図1の背面図である。

0013

この処理システムは、搬送ステーションであるカセットステーション10と、複数の処理ユニットを有する処理ステーション11と、処理ステーション11と隣接して設けられる露光装置(図示せず)との間でウエハWを受け渡すためのインターフェイス部13とを具備している。

0014

上記カセットステーション10は、被処理体としての半導体ウエハW(以下、単にウエハと記す)を複数枚例えば25枚単位でウエハカセット1に搭載された状態で他のシステムからこのシステムへ搬入またはこのシステムから他のシステムへ搬出したり、ウエハカセット1と処理ステーション11との間でウエハWの搬送を行うためのものである。

0015

このカセットステーション10においては、図1に示すように、カセット置台2上に図中X方向に沿って複数(図では4個)の位置決め突起20aが形成されており、この突起20aの位置にウエハカセットCRがそれぞれのウエハ出入口を処理ステーション11側に向けて一列に載置可能となっている。ウエハカセットCRにおいてはウエハWが垂直方向(Z方向)に配列されている。また、カセットステーション10は、ウエハカセット載置台20と処理ステーション11との間に位置するウエハ搬送機構21を有している。このウエハ搬送機構21は、カセット配列方向(X方向)およびその中のウエハWのウエハ配列方向(Z方向)に移動可能なウエハ搬送用アーム21aを有しており、この搬送アーム21aによりいずれかのウエハカセットCRに対して選択的にアクセス可能となっている。また、ウエハ搬送用アーム21aは、θ方向に回転可能に構成されており、後述する処理ステーション11側の第3の処理部G3に属するアライメントユニット(ALIM)およびエクステンションユニット(EXT)にもアクセスできるようになっている。

0016

上記処理ステーション11は、半導体ウエハWへ対して塗布・現象を行う際の一連の工程を実施するための複数の処理ユニットを備え、これらが所定位置多段に配置されており、これらにより半導体ウエハWが一枚ずつ処理される。この処理ステーション11は、図1に示すように、中心部に搬送路22aを有し、この中に主ウエハ搬送機構22が設けられ、ウエハ搬送路22aの周りに全ての処理ユニットが配置されている。これら複数の処理ユニットは、複数の処理部に分かれており、各処理部は複数の処理ユニットが鉛直方向に沿って多段に配置されている。

0017

主ウエハ搬送機構22は、図3に示すように、筒状支持体49の内側に、ウエハ搬送装置46を上下方向(Z方向)に昇降自在に装備している。筒状支持体49はモータ(図示せず)の回転駆動力によって回転可能となっており、それにともなってウエハ搬送装置46も一体的に回転可能となっている。

0018

ウエハ搬送装置46は、搬送基台47の前後方向に移動自在な複数本保持部材48を備え、これらの保持部材48によって各処理ユニット間でのウエハWの受け渡しを実現している。

0019

また、図1に示すように、この実施の形態においては、4個の処理部G1,G2,G3,G4がウエハ搬送路22aの周囲に実際に配置されており、処理部G5は必要に応じて配置可能となっている。

0020

これらのうち、第1および第2の処理部G1,G2はシステム正面(図1において手前)側に並列に配置され、第3の処理部G3はカセットステーション10に隣接して配置され、第4の処理部G4はインターフェース部12に隣接して配置されている。また、第5の処理部G5は背面部に配置可能となっている。

0021

この場合、図2に示すように、第1の処理部G1では、カップCP内でウエハWをスピンチャック(図示せず)に載置して所定の処理を行う2台のスピナ型処理ユニットが上下2段に配置されており、この実施形態においては、ウエハWにレジストを塗布するレジスト塗布ユニット(COT)およびレジストのパターンを現像する現像ユニット(DEV)が下から順に2段に重ねられている。第2の処理部G2も同様に、2台のスピナ型処理ユニットとしてレジスト塗布ユニット(COT)および現像ユニット(DEV)が下から順に2段に重ねられている。

0022

このようにレジスト塗布ユニット(COT)等を下段側に配置する理由は、レジスト液廃液機構的にもメンテナンスの上でも現像液の廃液よりも本質的に複雑であり、このように塗布ユニット(COT)等を下段に配置することによりその複雑さが緩和されるからである。しかし、必要に応じてレジスト塗布ユニット(COT)等を上段に配置することも可能である。

0023

第3の処理部G3においては、図3に示すように、ウエハWを載置台SPに載せて所定の処理を行うオーブン型の処理ユニットが多段に重ねられている。すなわち冷却処理を行うクーリングユニット(COL)、レジストの定着性を高めるためのいわゆる疎水化処理を行うアドヒージョンユニット(AD)、位置合わせを行うアライメントユニット(ALIM)、ウエハWの搬入出を行うエクステンションユニット(EXT)、露光処理前露光処理後、さらには現像処理後にウエハWに対して加熱処理を行う4つのホットプレートユニット(HP)が下から順に8段に重ねられている。

0024

第4の処理部G4も、オーブン型の処理ユニッが多段に重ねられている。すなわち、クーリングユニット(COL)、クーリングプレートを備えたウエハ搬入出部であるエクステンション・クーリングユニット(EXTCOL)、エクステンションユニット(EXT)、クーリングユニット(COL)、および4つのホットプレートユニット(HP)が下から順に8段に重ねられている。

0025

このように処理温度の低いクーリングユニット(COL)、エクステンション・クーリングユニット(EXTCOL)を下段に配置し、処理温度の高いホットプレートユニット(HP)を上段に配置することで、ユニット間の熱的な相互干渉を少なくすることができる。もちろん、ランダム多段配置としてもよい。

0026

上述したように、主ウエハ搬送機構22の背部側に第5の処理部G5を設けることができるが、第5の処理部G5を設ける場合には、案内レール25に沿って主ウエハ搬送機構21から見て側方へ移動できるようになっている。したがって、第5の処理部G5を設けた場合でも、これを案内レール25に沿ってスライドすることにより空間部が確保されるので、主ウエハ搬送機構21a,21bに対して背後からメンテナンス作業を容易に行うことができる。この場合に、このような直線状の移動に限らず、回動させるようにしても同様にスペースの確保を図ることができる。なお、この第5の処理部G5としては、基本的に第3および第4の処理部G3,G4と同様、オープン型の処理ユニットが多段に積層された構造を有しているものを用いることができる。

0027

上記インターフェイス部12は、奥行方向(X方向)については、処理ステーション11と同じ長さを有している。図1図2に示すように、このインターフェイス部12の正面部には、可搬性ピックアップカセットCRと定置型のバッファカセットBRが2段に配置され、背面部には周辺露光装置23が配設され、中央部には、ウエハ搬送体24が配設されている。このウエハ搬送体24は、X方向、Z方向に移動して両カセットCR,BRおよび周辺露光装置23にアクセス可能となっている。また、このウエハ搬送体24は、θ方向に回転可能であり、処理ステーション11の第4の処理部G4に属するエクステンションユニット(EXT)や、さらには隣接する露光装置側のウエハ受け渡し台(図示せず)にもアクセス可能となっている。

0028

レジスト塗布ユニット(COT)は、図4に示すように、カップCPと、カップCP内にウエハWを水平に吸着保持するスピンチャック42と、スピンチャック42を回転させるモータ43と、レジスト液等の塗布液を供給するノズル44とを有している。そして、ノズル44からウエハWの中央にレジスト液を供給しつつ、モータ43によりスピンチャック42および吸着保持されているウエハWを回転させてウエハWの全面にレジスト液を広げ、レジスト膜を形成する。また、幅の広いノズルを用いてノズルをスキャンさせることにより塗布するようにしてもよい。

0029

現像ユニット(DEV)は、いずれも、図5に示すように、カップCPと、カップCP内にウエハWを水平に吸着保持するスピンチャック52と、スピンチャック52を回転させるモータ53と、現像液を供給するノズル54とを有している。このノズル54は、ウエハWとほぼ同一の幅を有しており、その底部に全幅に亘って多数の現像液吐出部55が設けられている。そして、ノズル54の吐出部55から現像液を吐出しつつモータ53によりスピンチャック52および吸着保持されているウエハWを一回転させることにより、ウエハW上に現像液パドルを形成する。本実施形態では、後述するように、所定温度で低流動性状態、例えばゲル状または固化状であり、温度上昇により高流動性状態に変化する物質、例えばゼラチンを現像液に添加し、パドル形成時点では現像液の温度を調整して低流動化状態とする。ウエハWの下方位置には加熱体56が設けられており、パドル形成後にウエハWを昇温させて現像を進行させるようになっている。また、現像ユニット(DEV)には、図示しないリンスノズルが設けられており、現像終了後にウエハWの回転により現像液が振り切られた後、そこからリンス液が吐出されてウエハW上に残存する現像液が洗い流される。なお、現像液パドルを形成する際に、ノズル54をスキャンさせてもよい。

0030

次に、このように構成されるシステムにより本実施形態の現像方法を含む一連の処理動作について説明する。まず、カセットステーション10において、ウエハ搬送機構21のウエハ搬送用アーム21aがカセット載置台20上の未処理のウエハWを収容しているカセットCRにアクセスして、そのカセットCRから1枚のウエハWを取り出す。ウエハWはエクステンションユニット(EXT)に搬送され、そこから主ウエハ搬送機構22の搬送装置46により処理ステーション11に搬入される。そして、まず、第3の処理部G3に属するアライメントユニット(ALIM)によりアライメントを行った後、その下のアドヒージョン処理ユニット(AD)にてウエハWに対して疎水化処理を施す。

0031

アドヒージョン処理が終了したウエハWは、第3および第4の処理部G3,G4のいずれかのクーリングプレートユニット(COL)内で冷却された後、処理部G1またはG2の塗布ユニット(COT)にて、上述した手順によりレジストが塗布される。その後、処理部G3,G4のいずれかのホットプレートユニット(HP)内でプリベークが実施され、いずれかのクーリングユニット(COL)で冷却される。

0032

その後、ウエハWは、第3の処理部G3のアライメントユニット(ALIM)でアライメントされた後、その主搬送機構22のウエハ搬送装置46により第4の処理部G4のエクステンションユニット(EXT)を介してインターフェイス部12に搬送される。

0033

インターフェイス部12では、周辺露光装置23による周辺露光が実施され、その後、半導体ウエハWは隣接する露光装置(図示せず)に搬送され、所定のパターンに従ってウエハWのレジスト膜に露光処理が施される。

0034

露光処理が終了すると、ウエハWはインターフェイス部12のウエハ搬送体24により第4の処理部G4に属するエクステンションユニット(EXT)に搬送され、そこから主ウエハ搬送機構22の搬送装置46により処理ステーション11に搬入される。そして、ウエハWは第3および第4の処理部G3およびG4のいずれかのホットプレートユニット(HP)に搬送されてポストエクスポージャーベーク処理が施され、さらにいずれかのクーリングプレート(COL)にて冷却される。

0035

このようにしてポストエクスポージャーベーク処理が施されたウエハWは第1および第2の処理部G1およびG2のいずれかの現像ユニット(DEV)に搬送され、現像が行われる。

0036

現像処理に際しては、図6に示すように、まず、所定温度で低流動性状態、例えばゲル状または固化状であり、温度上昇により高流動性状態に変化する物質、例えばゼラチンを現像液に添加する(STEP1)。このような物質が添加された現像液が低流動性状態、例えば60poise程度となるように現像液の温度を調整し、ウエハWに形成されたレジスト膜上に現像液を供給する(STEP2)。このように現像液が低流動性状態では現像液とレジストとの化学反応はほとんど生じず、現像は実質的に進行しない。例えば、現像液100ccにゼラチンを10〜12g添加すると、13℃で流動性が低下し、8℃では実質的に流動しない状態となり、これらの状態では現像が実質的に進行しなかった。

0037

そして、現像液がウエハWの全面に広がった時点で加熱体56によりウエハWを加熱して現像液の温度を上昇させ、現像液を高流動性状態とする(STEP3)。上記ゼラチンの例では、13℃以上に温度を上昇させることにより、現像液が速やかに高流動性となった。このように現像液が高流動性状態となることにより、現像がウエハWの面全体で一括的に進行し、これにより、ウエハW面内で現像開始時の時間差が生じず、均一に現像することができ、ウエハ面内の線幅均一性(CD値均一性)を向上させることができる。また、このように現像液を塗布した後に現像が一括して進行し、かつ低流動性状態で塗布するため、現像液液盛りの方法に制約がない。したがって、上述したノズル54の代わりによりシンプルなノズルを用いることができるし、ノズル以外の方法で塗布することも可能である。さらに、現像液がレジスト膜51に直接アタックしないため、欠陥を少なくすることも可能である。

0038

このようにして現像処理が終了後、いずれかのホットプレートユニット(HP)によりポストベークが実施され、次いでいずれかのクーリングユニット(COL)により冷却される。その後、ウエハWは、処理ステーション11の主搬送機構22の搬送装置46によりエクステンションユニット(EXT)の載置台に載置される。そして、載置台上のウエハWは、カセットステーション10のウエハ搬送機構21のアーム21aにより受け取られ、カセット載置台20上の処理済みウエハ収容用のカセットCRの所定のウエハ収容溝に挿入される。これにより、一連の処理が完了する。

0039

なお、本発明は上記実施の形態に限定されることなく種々変形が可能である。例えば、上述したように、現像が一括して進行し、現像液液盛り時間の制約がないため、現像液ノズルとしては上記実施態様のものに限らず、例えばストレートタイプスリットタイプ等、どのようなタイプのノズルでも使用することができ、また、塗布時には現像液が低流動性のため、必ずしもノズルを用いる必要はなく、ロールコーター等他の手法を用いることもできる。さらに、現像液の流動性が極めて低い場合には、そのままウエハ上に載せるようにしてもよい。

0040

また、上記実施の形態では加熱体をウエハの下方に設けて現像液を加熱したが、これに限らず、例えば、図7の(a)のように、ウエハ支持台61の中にヒーター62を埋設して加熱するようにしてもよい。また、図7の(b)のように、ウエハWの下方から熱風63を供給するようにすることもできる。また、下からの加熱に限らず、図7の(c)のように、ウエハWの上方に矢印方向に回転可能なポリゴンミラー64を配置し、これを回転させながら、発光装置65からレーザー光マイクロウエーブをポリゴンミラー64に照射し、散乱したレーザー光等をウエハWに照射して加熱するようにしてもよい。ただし、現像が生じる部分を直接加熱する観点からは、ウエハの下から加熱するほうが好ましい。さらに、このような加熱手段を設けなくとも、単にウエハが有している熱によって現像液を高流動化するようにしてもよい。

0041

さらに、上記実施の形態においては、現像液に温度によって流動性が変化する物質を添加し、温度をトリガーとして現像液を低流動性状態から高流動性状態へ変化させたが、これに限らず、光の照射によって低流動性状態から高流動性状態へ変化する物質を添加してもよい。

0042

さらにまた、基板も半導体ウエハに限らず、LCD基板、ガラス基板、CD基板、フォトマスクプリント基板等種々のものに適用可能である。

発明の効果

0043

以上説明したように、本発明によれば、現像液の流動性を低下させ得る物質を現像液に添加し、物質が添加された現像液を所定の条件下で低流動性とし、その現像液を基板上の露光されたレジスト膜の上に塗布し、塗布後に現像液を高流動性にして現像を進行させるか、または温度上昇により低流動性の状態から高流動性の状態に変化し得る物質を現像液に添加し、物質が添加された現像液を所定温度で低流動性とし、その現像液を基板上の露光されたレジスト膜の上に塗布し、塗布後に現像液の温度を上昇させて高流動性にして現像を進行させるので、現像液を塗布する時点では現像がほとんど進行せず、塗布後に現像液を高流動性にした時点で、現像が基板全体で一括的に進行する。したがって、基板面内で現像開始時の時間差が生じず、均一に現像することができ、基板面内の線幅均一性(CD値均一性)を向上させることができる。また、このように現像液を塗布した後に現像が一括して進行し、かつ低流動性状態で塗布するため、現像液液盛りの方法に制約がない。さらに、現像液がレジスト膜に直接アタックしないため、欠陥を少なくすることも可能である。

図面の簡単な説明

0044

図1本発明の実施に用いるレジスト塗布・現像処理システムを示す概略平面図。
図2図1のレジスト液塗布・現像処理システムを示す側面図。
図3図1のレジスト液塗布・現像処理システムを示す背面図。
図4図1の装置に用いられる、レジスト塗布ユニットを示す断面図。
図5図1の装置に用いられる、現像ユニットを示す断面図。
図6本発明の一実施形態に係る現像方法の工程を示すフローチャート
図7現像液の加熱方法の他の例を示す模式図。

--

0045

10……カセットステーション
11……処理ステーション
22……主ウエハ搬送機構
G1,G2,G3,G4,G5……処理部
COT……レジスト塗布ユニット
DEV……現像ユニット

ページトップへ

この技術を出願した法人

この技術を発明した人物

ページトップへ

関連する挑戦したい社会課題

関連する公募課題

ページトップへ

おススメ サービス

おススメ astavisionコンテンツ

新着 最近 公開された関連が強い技術

この 技術と関連性が強い人物

関連性が強い人物一覧

この 技術と関連する社会課題

関連する挑戦したい社会課題一覧

この 技術と関連する公募課題

関連する公募課題一覧

astavision 新着記事

サイト情報について

本サービスは、国が公開している情報(公開特許公報、特許整理標準化データ等)を元に構成されています。出典元のデータには一部間違いやノイズがあり、情報の正確さについては保証致しかねます。また一時的に、各データの収録範囲や更新周期によって、一部の情報が正しく表示されないことがございます。当サイトの情報を元にした諸問題、不利益等について当方は何ら責任を負いかねることを予めご承知おきのほど宜しくお願い申し上げます。

主たる情報の出典

特許情報…特許整理標準化データ(XML編)、公開特許公報、特許公報、審決公報、Patent Map Guidance System データ