図面 (/)

技術 成形性、安定性、及び透明性が良好な芳香族ポリカ—ボネ—ト樹脂

出願人 帝人株式会社
発明者 船越渉兼子博章影山裕一佐々木勝司
出願日 1999年1月27日 (21年11ヶ月経過) 出願番号 1999-018242
公開日 2000年8月2日 (20年4ヶ月経過) 公開番号 2000-212271
状態 未査定
技術分野 ポリエステル、ポリカーボネート
主要キーワード 構造末端 アルカリ金属元素量 攪拌電力 合成パラフィンワックス 金属着色剤 環境耐久性 リン酸塩系化合物 ボルド
関連する未来課題
重要な関連分野

この項目の情報は公開日時点(2000年8月2日)のものです。
また、この項目は機械的に抽出しているため、正しく解析できていない場合があります

図面 (1)

課題

添加剤をなるべく使用しないで、ポリカーボネート成形加工時の成形性、滞留定性熱安定性色相安定性及び環境耐久性を向上させ、色相に優れた芳香族ポリカーボネート樹脂を提供する。

解決手段

特定溶融粘度安定性を有し、一定濃度の末端水酸基を有するポリカーボネートであって、末端水酸基に対し特定割合の下記(A)−I、(A)−II、または(A)−III

(式中X、Y、Zは酸素原子、あるいは硫黄原子を、R1からR23はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい炭素数1から10炭化水素基であり、m、n、p、q、s、およびtは0または1〜4の正の整数を表わす。)で表わされる群からなる構造単位を有する。

概要

背景

ポリカーボネート樹脂は、光学特性電気特性、寸法安定性に優れ、しかも自己消火性を有し、且つ耐衝撃性破断強度などの機械的特性に優れ、しかも耐熱性、透明性などにも優れた性質を持っており、このため広範な用途に、大量に使用されている。とりわけその透明性を生かし、レンズプリズム光ディスクシートフィルム等に大量に使用されている。

特にレンズや光ディスクのような光学樹脂用途に於いては、優れた透明性、及び色相が要求され、成形時の滞留安定性、具体的には、熱安定性、色相安定性、さらに成形性、及び湿熱耐久性などの環境安定性などが要求される。

このため成形時ポリカーボネート耐熱安定剤などの各種添加剤を添加して、成形時の滞留安定性を高める提案が従来より多数なされている。これらの添加剤が、それぞれ一応の効果を有することは従来良く知られた事実である。

しかしながら、かかる添加剤を含有する樹脂組成物は、成形加工時に添加剤が、プレートアウトを生じるという重大な問題を発生する事がある。したがって特にレンズ、光ディスクなどの光学用途においては、添加剤を成るべく使用しないで、滞留安定性の優れた樹脂を開発することが長く待望されてきた。

このような熱、色相安定性、湿熱耐久性に対し末端水酸基が悪影響を及ぼすことは例えば特開昭61−87724号公報、特開昭61−87725号公報に指摘されている通りである。

このためポリマー製造プロセスの特徴上、ポリカーボネート分子中の末端水酸基数が本質的に多い、溶融重合法、あるいは固相重合法においては、とりわけ熱意を持ってポリカーボネート樹脂末端水酸基を減少せしめる方法が各種提案されているが水酸末端基減少には限界がある事も又よく知られている。

概要

添加剤をなるべく使用しないで、ポリカーボネートの成形加工時の成形性、滞留安定性、熱安定性、色相安定性及び環境耐久性を向上させ、色相に優れた芳香族ポリカーボネート樹脂を提供する。

特定溶融粘度安定性を有し、一定濃度の末端水酸基を有するポリカーボネートであって、末端水酸基に対し特定割合の下記(A)−I、(A)−II、または(A)−III

(式中X、Y、Zは酸素原子、あるいは硫黄原子を、R1からR23はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい炭素数1から10炭化水素基であり、m、n、p、q、s、およびtは0または1〜4の正の整数を表わす。)で表わされる群からなる構造単位を有する。

目的

添加剤をなるべく使用しないで、ポリカーボネートの成形加工時の成形性、滞留安定性、熱安定性、色相安定性及び環境耐久性を向上させ、色相に優れた芳香族ポリカーボネート樹脂を提供することを目的とする。

効果

実績

技術文献被引用数
5件
牽制数
0件

この技術が所属する分野

(分野番号表示ON)※整理標準化データをもとに当社作成

ライセンス契約や譲渡などの可能性がある特許掲載中! 開放特許随時追加・更新中 詳しくはこちら

請求項1

請求項

ID=000003HE=025 WI=078 LX=0210 LY=0550(R'1,R'2,R'3,R'4はそれぞれ独立に水素原子炭素数1〜10のアルキル基アラルキル基又はアリール基であり、Wは炭素数1〜10のアルキリデン基アルキレン基シクロアルキリデン基シクロアルキレン基、アリール基置換アルキレン基酸素原子硫黄原子スルホキシド基、またはスルホン基である。)で表わされる芳香族ポリカーボネートにおいて、下記構造式(A)−I、(A)−II、または(A)−III

請求項

ID=000004HE=120 WI=082 LX=0640 LY=0800(式中X、Y、Zは酸素原子、または硫黄原子を、R1からR23はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい炭素数1から10の炭化水素基であり、m、n、p、q、s、およびtは0または1〜4の正の整数を表わす。)で表わされる群からなる構造単位を有する芳香族ポリカーボネート樹脂であって、溶融粘度定性が0.5%以下であり、末端水酸基濃度が3〜50eq/tonであり、かつ末端水酸基X(eq/ton)、上記式(A)−I、(A)−II、または(A)−IIIで表される構造Y(モル/ton)としたとき下記

請求項

Y/X*100=Kで表わされるK値が2〜50の値を有することを特徴とする成形性、安定性、透明性良好な芳香族ポリカーボネート樹脂。

請求項2

上記芳香族ポリカーボネート樹脂が、ア)塩基性窒素化合物及び/又は塩基性リン化合物10〜500μ化学当量/芳香族ジヒドロキシ化合物1モル、かつイ)アルカリ金属化合物0.05〜1μ化学当量/芳香族ジヒドロキシ化合物1モルを含有するエステル交換触媒の存在下、溶融重合されたものであることを特徴とする請求項1記載の成形性、安定性、透明性良好な芳香族ポリカーボネート樹脂。

技術分野

0001

本発明は、特定の構造単位を有するポリカーボネート樹脂に関する。さらに詳しくはレンズプリズム光ディスクシートフィルムなどの透明性、色相定性を要求される用途に好適な成形性、環境安定性の良好な芳香族ポリカーボネート樹脂に関する。

背景技術

0002

ポリカーボネート樹脂は、光学特性電気特性、寸法安定性に優れ、しかも自己消火性を有し、且つ耐衝撃性破断強度などの機械的特性に優れ、しかも耐熱性、透明性などにも優れた性質を持っており、このため広範な用途に、大量に使用されている。とりわけその透明性を生かし、レンズ、プリズム、光ディスク、シート、フィルム等に大量に使用されている。

0003

特にレンズや光ディスクのような光学樹脂用途に於いては、優れた透明性、及び色相が要求され、成形時の滞留安定性、具体的には、熱安定性、色相安定性、さらに成形性、及び湿熱耐久性などの環境安定性などが要求される。

0004

このため成形時ポリカーボネート耐熱安定剤などの各種添加剤を添加して、成形時の滞留安定性を高める提案が従来より多数なされている。これらの添加剤が、それぞれ一応の効果を有することは従来良く知られた事実である。

0005

しかしながら、かかる添加剤を含有する樹脂組成物は、成形加工時に添加剤が、プレートアウトを生じるという重大な問題を発生する事がある。したがって特にレンズ、光ディスクなどの光学用途においては、添加剤を成るべく使用しないで、滞留安定性の優れた樹脂を開発することが長く待望されてきた。

0006

このような熱、色相安定性、湿熱耐久性に対し末端水酸基が悪影響を及ぼすことは例えば特開昭61−87724号公報、特開昭61−87725号公報に指摘されている通りである。

0007

このためポリマー製造プロセスの特徴上、ポリカーボネート分子中の末端水酸基数が本質的に多い、溶融重合法、あるいは固相重合法においては、とりわけ熱意を持ってポリカーボネート樹脂末端水酸基を減少せしめる方法が各種提案されているが水酸末端基減少には限界がある事も又よく知られている。

発明が解決しようとする課題

0008

添加剤をなるべく使用しないで、ポリカーボネートの成形加工時の成形性、滞留安定性、熱安定性、色相安定性及び環境耐久性を向上させ、色相に優れた芳香族ポリカーボネート樹脂を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段

0009

本発明者は、特定溶融粘度安定性を有し、一定濃度の末端水酸基を有するポリカーボネートであって、末端水酸基に対し特定割合の下記(A)−I、(A)−II、または(A)−III

0010

0011

(式中X、Y、Zは酸素原子、あるいは硫黄原子を、R1からR23はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい炭素数1から10炭化水素基であり、m、n、p、q、s、およびtは0または1〜4の正の整数を表わす。)で表わされる群からなる構造単位を有する芳香族ポリカーボネート樹脂が、成形性、耐熱、色相安定性を達成しうる事を発見し本発明に到達した。

0012

即ち本発明の樹脂は、芳香族ジヒドロキシ化合物カーボネート結合形成性化合物とを反応して成る、主たる繰り返し単位次式(1)

0013

0014

(R'1,R'2,R'3,R'4はそれぞれ独立に水素原子、炭素数1〜10のアルキル基アラルキル基又はアリール基であり、Wはアルキリデン基アルキレン基シクロアルキリデン基シクロアルキレン基フェニル基置換アルキレン基、酸素原子、硫黄原子、スルホキシド基、またはスルホン基である。)で表わされ、一定濃度の末端水酸基を有する芳香族ポリカーボネートであって、上記式(A)−I、(A)−II、または(A)−IIIで表わされる構造単位を末端水酸基に対して特定量有し、かつ溶融粘度安定性を0.5%以下とする事により、芳香族ポリカーボネート樹脂の成形性、安定性、透明性を良化させるものである。

0015

末端水酸基の濃度は、上記芳香族ポリカーボネート樹脂において3〜50eq/tonさらに好ましくは3〜40eq/tonさらに好ましくは3〜25eq/tonである。

0016

(A)−I、(A)−II、または(A)−III成分は上記芳香族ポリカーボネート樹脂において、式(A)−I、(A)−II、または(A)−IIIで表される構造単位Yモル/ton、末端水酸基Xeq/tonとしたとき、下記

0017

Y/X*100=K
で表わされるK値が2〜50の値を有することを特徴とする。

0018

かかる量比で式(A)−I、(A)−II、または(A)−IIIで表される構造を有することにより、成形性(金型汚れ性、離型性;以下単に成形性と略称する)、及び滞留安定性の向上が実現される。末端水酸基に対する式(A)−I〜IIIで表される構造の量に関し、K値が2より少ないと、成形性他の有効な効果が発現されないし、また他方かかる構造をK値で50以上導入しても、格別大きな効果を生むわけでもない。逆にあまりに過剰にかかる構造を導入すると、まず第一にコストの点で不利になるとともに、耐熱性の低下を招くことも有り好ましくない。K値は好ましくは2〜50であり、さらに好ましくは2〜30である。特に好ましくは2〜25である。

0019

本発明のポリカーボネート樹脂は上記式(A)−I〜IIIで表される特定構造を保有する事により成形加工時の成形性、滞留安定性に優れている。従って耐熱安定剤などの添加剤の使用は、特別な場合に限定しうるし、その場合でも剤添加の水準を低いレベル押さえうるし、さらに添加剤のプレートアウト、あるいは分解などの悪影響を低い水準に押さえることができるという予期せぬ効果も見出した。このため成形加工時の金型汚れを著しく低減させうる効果をもあわせて発現する。

0020

本発明の樹脂において式(A)−I〜IIIで表される構造をポリカーボネート分子中への導入する方法は従来公知の方法を使用して、好適に実施しうる。たとえばポリカーボネート製造時、下記一般式(B)−I、(B)−II、または(B)−III

0021

0022

で表わされるジヒドロキシ化合物の所定量を原料とともに公知方法に従い、共重合しても良い。その際には、(B)−I〜IIIで表わされるジヒドロキシ化合物と下記式(2)

0023

0024

(R'1,R'2,R'3,R'4はそれぞれ独立に水素原子、炭素数1〜10のアルキル基、アラルキル基又はアリール基であり、Wはアルキリデン基、アルキレン基、シクロアルキリデン基、シクロアルキレン基、フェニル基置換アルキレン基、酸素原子、硫黄原子、スルホキシド基、またはスルホン基である。)で表されるジヒドロキシ化合物を反応系に別々に添加してもよいし、あるいは前もって(B)−I〜IIIで表わされるジヒドロキシ化合物と上記式(2)で表されるジヒドロキシ化合物を前もって混合し、所定量の(B)−I〜IIIを含有する芳香族ジヒドロキシ化合物を予め調整しておいて使用することも好ましい。

0025

一般式(B)−I〜IIIで示されるジヒドロキシ化合物としては具体的には以下のごとき化合物が例示される。これら化合物は単独であるいは数種類混合して使用しうる。

0026

0027

0028

0029

0030

本発明でいう芳香族ポリカーボネートとは主たる繰り返し単位が、芳香族ジヒドロキシ化合物とカーボネート結合形成性化合物との反応生成物であり、主たる繰り返し単位が下記一般式(1)

0031

0032

(R'1,R'2,R'3,R'4はそれぞれ独立に水素原子、炭素数1〜10のアルキル基、アラルキル基又はアリール基であり、Wはアルキリデン基、アルキレン基、シクロアルキリデン基、シクロアルキレン基、アリール基置換アルキレン基、酸素原子、硫黄原子、スルホキシド基、またはスルホン基である。)であらわされるものであり、界面重合法等のホスゲン法あるいは溶融重合法、固相重合法のいずれの方法でも製造可能である。

0033

かかる芳香族ジヒドロキシ化合物としては下記一般式(2)に示される化合物が好ましく用いられる。

0034

0035

(R'1,R'2,R'3,R'4はそれぞれ独立に水素原子、炭素数1〜10のアルキル基、アラルキル基又はアリール基であり、Wはアルキリデン基、アルキレン基、シクロアルキリデン基、シクロアルキレン基、フェニル基置換アルキレン基、酸素原子、硫黄原子、スルホキシド基、またはスルホン基である。)

0036

このような芳香族ジヒドロキシ化合物(2)としては、具体的にはビス(4−ヒドロキシフェニルメタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘプタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジクロロフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジブロモフェニル)プロパン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)フェニルメタン、4,4−ジヒドロキシフェニル−1,1−m−ジイソプロピルベンゼン、4,4−ジヒドロキシフェニル−9,9−フルオレンなどのビス(4−ヒドロキシアリールアルカン類、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロペンタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、1−メチル−1−(4−ヒドロキシフェニル)−4−(ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)メチル−シクロヘキサン、4−[1−〔3−(4−ヒドロキシフェニル)−4−メチルシクロヘキシル〕−1−ネチルエチル]−フェノール、4,4−〔1−メチル−4−(1−メチルエチル)−1,3−シクロヘキサンジイルビスフェノール、2,2,2,2−テトラヒドロ−3,3,3,3−テトラメチル−1,1−スピロビス−〔1H−インデン〕−6,6−ジオールなどのビス(ヒドロキシアリール)シクロアルカン類、ビス(4−ヒドロキシフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジクロロフェニル)エーテル、4,4−ジヒドロキシ−3,3−ジメチルフェニルエーテルなどのジヒドロキシアリールエーテル類、4,4−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、4,4−ジヒドロキシ−3,3−ジメチルジフェニルスルフィドなどのジヒドロキシジアリールスルフィド類、4,4−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、4,4−ジヒドロキシ−3,3−ジメチルジフェニルスルホキシドなどのジヒドロキシジアリールスルスルホキシド類、4,4−ジヒドロキシジフェニルスルホン、4,4−ジヒドロキシ−3,3−ジメチルジフェニルスルホン、などのジヒドロキシジアリールスルホン類、4,4−ジヒドロキシジフェニル−3,3−イサチンなどのジヒドロキシジアリールイサチン類、3,6−ジヒドロキシ−9,9−ジメチルキサンテンなどのジヒドロキシジアリールキサンテン類、レゾルシン、3−メチルレソルシン、3−エチルレゾルシン、3−ブチルレゾルシン、3−t−ブチルレゾルシン、3−フェニルレゾルシン、3−クミルレゾルシン、ヒドロキノン、2−メチルヒドロキノン、2−エチルヒドロキノン、2−ブチルヒドロキノン、2−t−ブチルヒドロキノン、2−フェニルヒドロキノン、2−クミルヒドロキノンなどのジヒドロキシベンゼン類、4,4’−ジヒドロキシジフェニル、3,3’−ジクロロ−4,4’−ジヒドロキシジフェニル等ジヒドロキシジフェニル類が挙げられる。

0037

中でも2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、がモノマーとしての安定性、更にはそれに含まれる不純物の量が少ないものの入手が容易である点、等より好ましいものとしてあげられる。

0038

本発明の芳香族ポリカーボネート中には、ガラス転移温度の制御、あるいは流動性の向上、あるいは、屈折率アップ、あるいは複屈折の低減等、光学的性質の制御等を目的として各種モノマーを必要に応じて、一種あるいは2種以上を含有させることも可能なことは言うまでもない。

0040

ホスゲン法ではカーボネート結合形成性化合物としては、ホスゲンなどのハロゲン化カルボニルハロホーメート化合物があげられる。かかるカーボネート結合形成性化合物と上記(2)式で示される芳香族ジヒドロキシ化合物、および上記(B)−I〜III式であらわされるジヒドロキシ化合物とを、さらに所望により各種の末端封止剤を加えて公知の方法で反応せしめることにより(1)式であらわされる主たる繰り返し単位構造を有し、(A)−I〜III式であらわされる構造を有するポリカーボネート樹脂を製造することができる。

0041

また溶融重合法ではカーボネート結合形成性化合物としては芳香族炭酸エステルが、具体的にはジフェニルカーボネートジトリルカーボネート、、ビス(2−クロロフェニル)カーボネート、m−クレシルカーボネート、ジナフチルカーボネート、ビス(4−フェニルフェニル)カーボネート等が挙げられる。

0042

その他ジメチルカーボネートジエチルカーボネートジブチルカーボネート、ジシクロヘキシルカーボネート等も所望により使用できることは当然である。これらの内ジフェニルカーボネートが、反応性、得られる樹脂の着色に対する安定性、更にはコストの点より好ましいものとしてあげられる。

0043

溶融重合法では、かかる炭酸エステルと上記(2)式で示される芳香族ジヒドロキシ化合物と上記ジヒドロキシ化合物(B)−I〜IIIを、公知の方法で反応せしめることにより(1)式で表わされる繰り返し単位構造を有し、上記(A)−I〜III式であらわされる構造を有するポリカーボネート樹脂を製造することができる。

0044

固相重合法では、上述のホスゲン法または溶融重合法で製造される分子量の小さなポリカーボネートオリゴマー結晶化させ、高温(所望により減圧)下、固体状態で重合を進める事により、上記式(A)−I〜IIIで示される構造を有し、上記(1)式で示される主たる繰り返し単位構造を有するポリカーボネート樹脂とすることができる。

0045

また上記のようなポリカーボネートの製造方法において、ホスゲン、炭酸ジエステルとともにジカルボン酸ジカルボン酸ハライド、ジカルボン酸、エステル等のジカルボン酸誘導体を使用することによりポリエステルカーボネートを製造できる。

0046

かかるジカルボン酸あるいはジカルボン酸誘導体としては、テレフタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸クロリドイソフタル酸クロリドテレフタル酸ジフェニルイソフタル酸ジフェニルなどの芳香族ジカルボン酸類、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、スベリン酸アゼライン酸セバシン酸デカン二酸ドデカンニ酸、アジピン酸クロリド、スベリン酸クロリド、アゼライン酸クロリド、セバシン酸クロリド、アゼライン酸ジフェニル、セバシン酸ジフェニル、デカン二酸ジフェニル、ドデカンニ酸ジフェニル、などの脂肪族ジカルボン酸類シクロプロパンジカルボン酸、1,2−シクロブタンジカルボン酸、1,3−シクロブタンジカルボン酸、1,2−シクロペンタンジカルボン酸、1,3−シクロペンタンジカルボン酸、1,2−シクロヘキサンジカルボン酸、1,3−シクロヘキサンジカルボン酸、1,4−シクロヘキサンジカルボン酸、シクロプロパンジカルボン酸クロリド、1,2−シクロブタンジカルボン酸クロリド、1,3−シクロブタンジカルボン酸クロリド、1,2−シクロペンタンジカルボン酸クロリド、1,3−シクロペンタンジカルボン酸クロリド、1,2−シクロヘキサンジカルボン酸クロリド、1,3−シクロヘキサンジカルボン酸クロリド、1,4−シクロヘキサンジカルボン酸クロリド、シクロプロパンジカルボン酸ジフェニル、1,2−シクロブタンジカルボン酸ジフェニル、1,3−シクロブタンジカルボン酸ジフェニル、1,2−シクロペンタンジカルボン酸ジフェニル、1,3−シクロペンタンジカルボン酸ジフェニル、1,2−シクロヘキサンジカルボン酸ジフェニル、1,3−シクロヘキサンジカルボン酸ジフェニル、1,4−シクロヘキサンジカルボン酸ジフェニルなどの脂環式ジカルボン酸類を挙げることができる。

0047

また一般式(1)であらわされる繰り返し単位構造を有するポリカーボネートを製造するとき、上記のジヒドロキシ化合物とともに、一分子中に3個以上の官能基を有する多官能化合物を併用することもできる。このような多官能化合物としてはフェノール性水酸基カルボキシル基を有する化合物が好ましく使用される。

0048

具体的には例えば;1,1,1−トリス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、2,2’、2''−トリス(4−ヒドロキシフェニル)ジイソプロピルベンゼン、α−メチル−α、α’、α''−トリス(4−ヒドロキシフェニル)−1,4−ジエチルベンゼン、α、α’、α''−トリス(4−ヒドロキシフェニル)−1,3,5−トリイソプロピルベンゼンフロログリシン、4,6ジメチル−2,4,6−トリス(4−ヒドロキシフェニル)−ヘプタン−2、1,3,5−トリス(4−ヒドロキシフェニル)ベンベン、2,2−ビス〔4,4−(4、4−ジヒドロキシフェニル)−シクロヘキシル〕−プロパン、トリメリット酸、1,3,5−ベンゼントリカルボン酸ピロメリット酸などがあげられる。

0049

これらのうち1,1,1−トリス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、α、α’、α''−トリス(4−ヒドロキシフェニル)−1,3,5−トリイソプロピルベンゼンなどが好ましく使用できる。

0050

多官能化合物を併用するとき、たとえばポリカーボネートの溶融粘度を上げる目的では、多官能化合物は、芳香族ジヒドロキシ化合物に1モルに対して0.03モル以下、好ましくは0.00005〜0.02モル、さらに好ましくは0.0001〜0.01モルの範囲で選択され使用される。

0051

本発明におけるポリカーボネートを製造する方法において、前述したホスゲン法では、触媒として3級アミン、4級アンモニウム塩、3級ホスフィン、4級ホスホニウム塩含窒素複素環化合物及びその塩、イミノエーテルおよびその塩、アミド基を有する化合物などが使用される。

0052

このホスゲン法では反応の際生じる塩酸などのハロゲン化水素捕捉剤として多量のアルカリ金属化合物あるいはアルカリ土類金属化合物が使用されるので、製造後のポリマー中に、こうした不純物が残留しないように十分な洗浄、精製をする事が好ましい。

0053

溶融重合法、固相重合法では触媒系については、アルカリ金属化合物を含有する触媒系が好ましく使用されるが、アルカリ金属としてのその使用量を芳香族ジヒドロキシ化合物1モルに対し1*10-8から5*10-6当量に押さえておく事が重要である。

0054

ポリカーボネート樹脂中の触媒系由来アルカリ金属元素量をかかる量範囲において使用することによりポリカーボネートの製造を効率的に生産性よく実施しうるとともに得られたポリカーボネートの物性も本発明の目的を達成するために好ましいものとなる。

0055

触媒として本発明に使用されるアルカリ金属化合物としては、たとえばアルカリ金属の水酸化物炭化水素化合物炭酸塩酢酸塩硝酸塩亜硝酸塩亜硫酸塩シアン酸塩チオシアン酸塩ステアリン酸塩水素化硼素塩、安息香酸塩燐酸水素化物、ビスフェノール、フェノールの塩等が挙げられる。

0056

具体例としては水酸化ナトリウム水酸化カリウム水酸化リチウム炭酸水素ナトリウム炭酸水素カリウム炭酸水素リチウム炭酸ナトリウム炭酸カリウム炭酸リチウム炭酸セシウム酢酸ナトリウム酢酸カリウム酢酸リチウム硝酸ナトリウム硝酸カリウム硝酸ルビジウム硝酸リチウム亜硝酸ナトリウム亜硝酸カリウム亜硝酸ルビジウム、亜硝酸リチウム亜硫酸ナトリウム亜硫酸カリウム亜硫酸リチウムシアン酸ナトリウムシアン酸カリウムシアン酸リチウム、チオシアン酸ナトリウムチオシアン酸カリウムチオシアン酸リチウム、チオシアン酸セシウムステアリン酸ナトリウムステアリン酸カリウムステアリン酸リチウム、ステアリン酸セシウム、水素ホウナトリウム、水素化ホウソカリウム、水素化ホウソリチウム、フェニル化硼素ナトリウム、安息香酸ナトリウム安息香酸カリウム安息香酸リチウム、リン酸水素ジナトリウム、リン酸水素ジカリウム、リン酸水素ジリチウム、ビスフェノールAのジナトリウム塩、ジカリウム塩ジリチウム塩モノナトリウム塩、モノカリウム塩、ナトリウムカリウム塩、ナトリウムリチウム塩、フェノールのナトリウム塩、カリウム塩、リチウム塩などが挙げられる。

0057

触媒として使用されるアルカリ金属化合物は、芳香族ジヒドロキシ化合物、1モルに対し、アルカリ金属元素として1*10-8〜5*10-6当量の範囲で使用される。上記範囲を逸脱すると、得られるポリカーボネートの諸物性に悪影響を及ぼしたり、またエステル交換反応が十分に進行せず、高分子量のポリカーボネートが得られない等の問題があり、好ましくない。

0058

これらのうち含窒素塩基性化合物の具体例としてはたとえばテトラメチルアンモニウムヒドロキシド(Me4NOH)、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド(Et4NOH)、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド(Bu4NOH)、ベンジルトリメチルアンモニウムヒドロキシド(φ−CH2(Me)3NOH)、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシドなどのアルキルアリールアルキルアリール基などを有するアンモニウムヒドロキシド類、テトラメチルアンモニウムアセテート、テトラエチルアンモニウムフェノキシドテトラブチルアンモニウム炭酸塩、ベンジルトリメチルアンモニウム安息香酸塩ヘキサデシルトリメチルアンモニウムエトキシドなどのアルキル、アリール、アルキルアリール基などを有する塩基性アンモニウム塩トリエチルアミントリブチルアミン、ジメチルベンジルアミン、ヘキサデシルジメチルアミンなどの第三級アミン、あるいはテtラメルアンモニウムボハイドライド(Me4NBH4)、テtラブチルアンモニウムボロハイドライド(Bu4NBH4)、テトラブチルアンモニウムテトラフェニルボレート(Bu4NBPh4)、テトラメチルアンモニウムトラフニルボレート(Me4NBPh4)などの塩基性塩などを挙げることができる。

0059

また含りん塩基性化合物の具体例としてはたとえばテトラメチルホスホニウムヒドロキシド(Me4POH)、テトラエチルホスホニウムヒドロキシド(Et4POH)、テトラブチルホスホニウムヒドロキシド(Bu4POH)、ベンジルトリメチルホスホニウムヒドロキシド(φ−CH2(Me)3POH)、ヘキサデシルトリメチルホスホニウムヒドロキシドなどのアルキル、アリール、アルキルアリール基などを有するホスホニウムヒドロキシド類、あるいはテトラメチルホスホニウムボロハイドライド(Me4PBH4)、テトラブチルホスホニウムボロハイドライド(Bu4PBH4)、テトラブチルホスホニウムテトラフェニルボレート(Bu4PBPh4)、テトラメチルホスホニウムトラフェニルボレート(Me4PBPh4)などの塩基性塩などを挙げることができる。

0060

上記含窒素塩基性化合物及びまたは含りん塩基性化合物は、塩基性窒素原子あるいは塩基性リン原子が芳香族ジヒドロキシ化合物、1モルに対し、1*10-5〜5*10-4当量となる割合で用いるのが好ましい。

0061

より好ましい使用割合は同じ基準に対し2*10-5〜5*10-4当量となる割合である。特に好ましい割合は同じ基準に対し5*10-5〜5*10-4当量となる割合である。

0062

又本発明においては所望により触媒として使用するアルカリ金属化合物として、(ア)周期律表第14族元素アート錯体アルカリ金属塩又は(イ)周期律表第14族元素のオキソ酸のアルカリ金属塩を用いることができる。ここで周期律表第14族の元素とは、ケイ素ゲルマニウム、スズのことをいう。

0063

かかるアルカリ金属化合物を重縮合反応の触媒として用いることにより、重縮合反応を迅速にかつ十分に進めることができる利点を有する。又重縮合反応中に進行する分岐反応のような好ましくない副反応を低いレベルに押さえることができる。

0064

ここで(ア)の周期律表第14族元素のアート錯体アルカリ金属塩としては、特開平7−268091号公報に記載のものをいうが、具体的にはNaGe(OMe)5、NaGe(OEt)5、NaGe(OPh)5、LiGe(OMe)5、LiGe(OBu)5、LiGe(OPh)5NaSn(OMe)3、NaSn(OEt)2(OMe)、NaSn(OMe)5、NaSn(OPh)5などを挙げることができる。

0065

又(イ)周期律表第14族元素のオキソ酸のアルカリ金属塩としてはたとえばケイ酸スズ酸、ゲルマニウム(II)酸、ゲルマニウム(IV)酸のアルカリ金属塩を好ましいものとしてあげることができる。

0066

これらの具体例としてはオリトケイ酸モノナトリウム、オリトケイ酸ジナトリウム、オリトケイ酸テトラナトリウム、、モノスズ酸ジナトリウム、モノスズ酸テトラナトリウム、ゲルマニウム(II)酸モノナトリウム(NaHGeO2)、オルトゲルマニウム(IV)酸モノリチウム(LiH3GeO4)オルトゲルマニウム(IV)酸ジナトリウム、オルトゲルマニウム(IV)酸ジナトリウム、オルトゲルマニウム(IV)酸テトラナトリウム、ジゲルマニウム(IV)酸ジナトリウム、(Na2Ge2O5)、ペンタゲルマニウム(IV)酸ジナトリウム、(Na2Ge5O11)を挙げることができる。

0067

本発明の重縮合反応には、上記触媒といっしょに、必要により周期律表第14属元素のオキソ酸、酸化物および同元素のアルコキシド、フェノキシドより成る群から選ばれる少くとも、一種の化合物を助触媒として共存させることができる。

0068

これらの助触媒を特定の割合で用いることにより末端の封鎖反応、重縮合反応速度を損なうことなく重縮合反応中に生成しやすい分岐反応、主鎖開裂反応や、成形加工時における装置内での異物の生成、焼けといった好ましくない現象を効果的に抑止できる。

0069

周期律表第14族のオキソ酸としては、たとえばケイ酸、スズ酸、ゲルマニウム酸を挙げることができる。

0070

周期律表第14族の酸化物としては、一酸化珪素二酸化珪素二酸化スズ一酸化ゲルマニウム二酸化ゲルマニウムシリコンテトラメトキシド、シリコンテトラブトキシド、シリコンテトラフェノキシド、テトラエトキシスズ、テトラノニルオキシスズ、テトラドデシルオキシスズ、テトラフェノキシスズ、テトラメトキシゲルマニウム、テトラブトキシゲルマニウム、テトラオクチルオキシゲルマニウム、テトラフェノキシゲルマニウム、およびこれらの縮合体を挙げることができる。

0071

助触媒は重縮合反応触媒中のアルカリ金属元素1モル原子当たり、周期律表第14族の元素が50モル原子以下となる割合で存在せしめるのが好ましい。同金属元素が50モル原子を超える割合で助触媒を用いると、重縮合反応速度が遅くなり好ましくない。助触媒は、重縮合反応触媒のアルカリ金属元素1モル原子当たり助触媒としての周期律表第14族の元素が0.1〜30モル原子となる割合で存在せしめるのが更に好ましい。

0072

本発明芳香族ポリカーボネート樹脂において、末端水酸基濃度全末端基に対し3〜50eq/ton含有する、溶融粘度安定性が0.5%以下のものが使用されるが、さらに本発明の目的を達成する好ましい実施態様においては上記芳香族ポリカーボネート樹脂において、末端水酸基濃度が好ましくは3〜40eq/ton、さらに好ましくは3〜30eq/tonであることが好ましい。

0073

水酸末端基濃度を上記範囲内にするには、ホスゲン法においては分子量調節剤として使用される末端封止剤により必然的に上記範囲内に収まるが、反応プロセスの特徴上、水酸末端基が多く生成する溶融重合法、あるいは固相重合法においては、特別の水酸末端基減少策を講じる必要がある。

0074

例えば、1)重合原料仕込みモル比制御法重合反応仕込み時のジフェニルカーボネート/ビスフェノールAのモル比を高めることにより、たとえば重合反応装置の特徴を考え1.03から1.10の間に設定する。あるいは2)末端封止法;重合反応終了時点において例えば、米国特許第5696222号明細書記載の方法に従い、サリリチル酸エステル系化合物によりOH末端基封止することにより達成される。

0075

サリチル酸エステル系化合物の使用量は封止反応前の末端水酸基、1化学当量当たり0.8〜10モル、より好ましくは0.8〜5モル、特に好ましくは0.9〜2モルの範囲である。かかる量比で添加することにより、末端水酸基の80%以上を好適に封止することができる。又本封止反応を行う時、上記特許記載の触媒を使用するのが好ましい。

0076

これらサリチル酸エステルとしては具体的には;2−メトキシカルボニルフェニルフェニルカーボネート、2−メトキシカルボニルフェニル−2’−メチルフェニルカーボネート、2−メトキシカルボニルフェニル−4’−エチルフェニルカーボネート、2−メトキシカルボニルフェニル−3’−ブチルフェニルカーボネート、2−メトキシカルボニルフェニル−4’−ドデシルフェニルカーボネート、2−メトキシカルボニルフェニル−4’−ヘキサデシルフェニルカーボネート、2−メトキシカルボニルフェニル−2’,4’−ジブチルフェニルカーボネート、2−メトキシカルボニルフェニル−ジノニルフェニルカーボネート、2−メトキシカルボニルフェニル−シクロヘキシルフェニルカーボネート、2−メトキシカルボニルフェニル−ビフェニルカーボネート、2−メトキシカルボニルフェニル−クミルフェニルカーボネート、2−メトキシカルボニルフェニル−2’−メトキシフェニルカーボネート、2−メトキシカルボニルフェニル−4’−ブトキシフェニルカーボネート、2−メトキシカルボニルフェニル−4’−クミルオキシフェニルカーボネート、ジ(2−メトキシカルボニルフェニル)カーボネート、2−メトキシカルボニルフェニル−2−エトキシフェニルカーボネート、2−メトキシカルボニルフェニル−2’−(O−メトキシカルボニルフェニル)オキシクミルフェニルカーボネートのごとき2−メトキシカルボニルフェニルアリールカーボネート類、2−メトキシカルボニルフェニル−メチルカーボネート、2−メトキシカルボニルフェニル−ブチルカーボネート、2−メトキシカルボニルフェニル−セチルカーボネート、2−メトキシカルボニルフェニル−ラウリルカーボネート、2−メトキシカルボニルフェニル−2’−エトキシカルボニルエチルカーボネート、2−メトキシカルボニルフェニル−2’−(O−メトキシカルボニルフェニル)オキシカルボニルエチルカーボネートのごとき2−メトキシカルボニルフェニル−アルキルカーボネート類、2−エトキシカルボニルフェニル−フェニルカーボネート、2−エトキシカルボニルフェニル−プロピルフェニルカーボネート、2−エトキシカルボニルフェニル−ヘキシルフェニルカーボネート、2−エトキシカルボニルフェニル−ジブチルフェニルカーボネート、2−エトキシカルボニルフェニル−ジノニルフェニルカーボネート、2−エトキシカルボニルフェニル−シクロヘキシルフェニルカーボネート、2−エトキシカルボニルフェニル−クミルフェニルカーボネート、2−エトキシカルボニルフェニル−4’−エトキシカルボニルフェニルカーボネート、2−エトキシカルボニルフェニル−4’−クミルオキシフェニルカーボネート−2−エトキシカルボニルフェニル−カーボネート、ジ(2−エトキシカルボニルフェニル)カーボネートのごとき2−エトキシカルボニルフェニル−アリールカーボネート類、2−エトキシカルボニルフェニル−メチルカーボネート、2−エトキシカルボニルフェニル−オクチルカーボネート、2−エトキシカルボニルフェニル−2’−メトキシカルボニルエチルカーボネート、2−エトキシカルボニルフェニル−カーボネート、2−エトキシカルボニルフェニル−2−(O−エトキシカルボニルフェニル)オキシカルボニルエチルカーボネートのごとき2−エトキシカルボニルフェニル−アルキルカーボネート類、(2−メトキシカルボニルフェニル)ベンゾエート、(2−メトキシカルボニルフェニル)−4−メチルベンゾエート、(2−メトキシカルボニルフェニル)−4−ブチルベンゾエート、(2−メトキシカルボニルフェニル)−4−クミルベンゾエート、(2−メトキシカルボニルフェニル)−4−ブトキシベンゾエート、(2−メトキシカルボニルフェニル)−2−メトキシカルボニルベンゾエート、(2−メトキシカルボニルフェニル)−4−メトキシカルボニルベンゾエート、(2−メトキシカルボニルフェニル)−4−エトキシカルボニルベンゾエート、3−(O−メトキシカルボニルフェニル)オキシカルボニル安息香酸(2’−メトキシカルボニルフェニル)エステル、4−(O−エトキシカルボニルフェニル)オキシカルボニル安息香酸(2’−メトキシカルボニルフェニル)エステルのごとき、芳香族カルボン酸の(2’−メトキシカルボニルフェニル)エステル、(2−エトキシカルボニルフェニル)ベンゾエート、(2−エトキシカルボニルフェニル)−4−メチルベンゾエート、(2−エトキシカルボニルフェニル)−4−ブチルベンゾエート、(2−エトキシカルボニルフェニル)−4−ノニルベンゾエート、(2−エトキシカルボニルフェニル)−4−クミルベンゾエート、(2−エトキシカルボニルフェニル)−4−メトキシベンゾエート、(2−エトキシカルボニルフェニル)−4−ノニルオキシベンゾエート、(2−エトキシカルボニルフェニル)−4−クミルオキシベンゾエート、(2−エトキシカルボニルフェニル)−4−エトキシカルボニルベンゾエートのごとき芳香族カルボン酸の(2’−エトキシカルボニルフェニル)エステル、(2−メトキシカルボニルフェニル)アセテート、(2−メトキシカルボニルフェニル)ステアレート、(2−メトキシカルボニルフェニル)オレート、(2−エトキシカルボニルフェニル)シクロヘキサンカルボン酸エステル、ビス(2−メトキシカルボニルフェニル)サクシネート、ビス(2−メトキシカルボニルフェニル)アジペートのごとき脂肪族カルボン酸エステルが挙げられる。

0077

本発明ポリカーボネートは溶融粘度安定性0.5%以下のものが使用されるが、ポリカーボネートの溶融粘度安定性を0.5%以下にするためには、重縮合反応後、より好ましくは、末端封止反応終了後のポリカーボネート樹脂に対し溶融粘度安定剤(D)を特定量を添加すること等により達成しうる。溶融粘度安定性の劣ったポリカーボネート樹脂においては、成形加工時の安定性不良に加えて、高湿条件化および成型品長期使用時機械的物性の安定性不良とりわけ耐衝撃性の悪化=低下が著しく、実用性に耐えないものとなってしまう。

0078

溶融粘度安定剤について
本発明で使用する溶融粘度安定剤は、(D)−1;スルホン酸ホスホニウム塩、アンモニウム塩及びまたは(D)−2;スルホン酸、及びあるいはスルホン酸低級エステルである。(D)−1;スルホン酸ホスホニウム塩、アンモニウム塩としては;

0079

A1−(SO3X1)m・・・・(I)
(ここでA1は置換基を有していてもよいm価の炭化水素基であり、X1はアンモニウム、またはホスホニウムカチオンである。mは1〜4の整数である。)
ここでアンモニウムカチオン、ホスホニウムカチオンとしては

0080

+N(R''1)(R''2)(R''3)(R''4)・・・・(Ia)
+P(R''1)(R''2)(R''3)(R''4)・・・・(Ib)
(式中R''1〜R''4は互いに独立に水素原子、または一価の炭化水素基である。)で表わされるカチオンを挙げることができる。

0081

+X2−A2−SO3-・・・・(II)
(ここでA2は2価の炭化水素基であり、+X2はアンモニウム、またはホスホニウムカチオンである。)ここでアンモニウム、またはホスホニウムカチオンとしては

0082

−N+(R''5)(R''6)(R''7)・・・・(IIa)
−P+(R''5)(R''6)(R''7)・・・・(IIb)
(ここでR''5〜R''7は互いに独立に水素原子、または一価の炭化水素基である。)で表わされるカチオンを挙げることができる。

0083

A3−(+X3)n・(R−SO3-)n・・・・(III)
(ここでA3はn価の炭化水素基であり、X3はアンモニウム、またはホスホニウムカチオンである。Rは一価の炭化水素基、nは2〜4の整数である。ここでアンモニウム、またはホスホニウムカチオンとしては、上記(IIa)(IIb)で表わされる物を挙げることができる。)

0084

上記式(I)で表わされる化合物の具体的な例としては、たとえば;オクチルスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩、デシルスルホン酸テトラホスホニウム塩ベンゼンスルホン酸テトラメチルホスホニウム塩、ベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩、ドデシルベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩ドデシルベンゼンスルホン酸テトラヘキシルホスホニウム塩、ドデシルベンゼンスルホン酸テトラオクチルホスホニウム塩、デシルスルホン酸テトラメチルアンモニウム塩、ベンゼンスルホン酸テトラエチルアンモニウム塩、ドデシルベンゼンスルホン酸テトラブチルアンモニウム塩、-SO3−(CH2)3−P+(C2H5)3、-SO3−(CH2)15−P+(C4H9)3、-SO3−(CH2)15−N+(C4H9)3、{(C4H9)3P+−(CH2)10−P+(C4H9)3}、(CH3−C6H4−SO3-)2等々である。

0085

(D)−2;のスルホン酸、スルホン酸低級エステルとしてはベンゼンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸のごとき芳香族スルホン酸ドデシルスルホン酸、ヘキサデシルスルホン酸、ノニルスルホン酸、等の脂肪族スルホン酸、ベンゼンスルホン酸メチル、ベンゼンスルホン酸エチル、ベンゼンスルホン酸ブチル、ベンゼンスルホン酸オクチル、ベンゼンスルホン酸フェニル、p−トルエンスルホン酸メチル、p−トルエンスルホン酸エチル、p−トルエンスルホン酸ブチル、p−トルエンスルホン酸オクチル、p−トルエンスルホン酸フェニル、ドデシルスルホン酸メチル、ヘキサデシルスルホン酸エチル、ノニルスルホン酸プロピル、デシルスルホン酸ブチル等が例示される。好ましくはスルホン酸そのものより、エステル化合物が使用される。

0086

かかる溶融粘度安定剤は、ホスゲン法で製造されたポリカーボネートに対しても有効であるが、特に溶融重合法、あるいは固相重合法で製造したポリカーボネートに対し、ポリカーボネート樹脂中残存する塩基性アルカリ金属化合物、すなわち塩基性アルカリ金属化合物触媒のアルカリ金属元素、1化学当量あたり、(D)−1の化合物においては0.7〜100化学当量を好ましくは0.8〜30化学当量を、さらに好ましくは、0.9〜20化学当量を、特に好ましくは0.9〜10化学当量を使用する。(D)−2の化合物においては0.7〜20化学当量、好ましくは0.8〜10化学当量を、さらに好ましくは0.9〜5化学当量使用することにより、ポリカーボネート樹脂の溶融粘度安定性を0.5%以下に押さえることができる。

0087

(D)−2の溶融粘度安定剤を使用した場合、溶融粘度安定処理を施したポリカーボネート樹脂に対し減圧処理を加えるのが好ましい。かかる減圧処理をするに際し、処理装置形式は特に制限されるものではない。他方(D)−1の溶融粘度安定剤を使用した場合はかかる減圧処理を加える必要はない。

0088

減圧処理は、縦形槽型反応器横形槽型反応器あるいはベント付き1軸、あるいは2軸押し出し機において0.05〜60mmHg、好ましくは0.05〜100mmHgの減圧下、減圧処理を行う。減圧処理時間は、槽型反応器においては5分〜3時間、2軸押し出し機を使用した場合5秒〜15分程度、処理温度は240℃から350℃で実施できる。減圧処理は押し出し機にてペレタイズと同時に行うこともできる。上記のような減圧処理を行うことにより、ポリカーボネート中に残存する原料モノマー低減されるかまたは完全に除去される。

0089

かくして得られるポリカーボネート樹脂は、優れた成形性、滞留安定性を有し、熱的、色相安定性がとりわけ良好で、他の耐熱安定剤を添加しなくても、耐熱安定性が良好で、たとえば金型汚れを低減できる利点を有する。本発明ポリカーボネート樹脂は特にレンズ、光ディスクなどの光学用途に好適である。

0090

本発明のポリカーボネート樹脂は耐熱安定剤他の安定剤を添加する必要はないが、本発明の目的を損なわない限り、所望により以下のごとき通常の耐熱安定剤を添加することができる。かかる安定剤としては具体的には、たとえばリン系安定剤、フェノール系安定剤、有機チオエーテル系安定剤、ヒンダードアミン系安定剤などを挙げることができる。

0091

リン系安定剤としては;リン酸亜燐酸次亜燐酸ピロリン酸ポリリン酸燐酸エステル、亜燐酸エステルなどを用いる事ができる。

0092

発明で使用するリン系酸化防止剤としては例えば、ビス(2,3−ジ−t−ブチルフェニル)ペンタエリスリチルジホスファイト、ビス(2,6−ジ−t−ブチル−4−メチルフェニル)ペンタエリスリチルジホスファイト、ビス(ノニルフェニル)ペンタエリスリチルジホスファイト、ジフェニルデシルホスファイト、ジフェニルイソオクチルホスファイト、フェニルジイソオクチルホスファイト、2−エチルヘキシルジフェニルホスファイト、テトラフェニルプロピレングリコールジホスファイト、テトラ(トリデシル)−4,4’−イソプロピリデンジフェニルジホスファイト、2,2−メチレンビス(4,6−ジ−t−ブチルフェニル)オクチルホスファイト、2−{{2,4,8,10−テトラキス(1,1−ジメチルエチルジベンゾ{d、f}{1,3,2}ジオキサフォスフェピン−6−イル}オキシ}−N,N−ビス{2−{{2,4,8,10−テトラキス(1,1ジメチルエチル)ジベンゾ{d,f}{1,3,2}ジオキサフォスフェピン−6−イル}オキシ}−エチル}エタナミン等のアリールアルキルホスファイト類トリメチルホスファイトトリエチルホスファイトトリブチルホスファイト、トリメオクチルホスファイト、トリノニルホスファイト、トリデシルホスファイトトリオタデシルホスファイト、ジステアリルペンタエリスチルジホスファイト、ビス(トリデシル)ペンタエリスリチルジホスファイト、トリス(2−クロロエチル)ホスファイト、トリス(2,3−ジクロロプロピル)ホスファイト等のトリアルキルホスファイト類、トリシクロヘキシルホスファイト等のトリシクロアルキルホスファイト類、トリフェニルホスファイト、トリクレジルホスファイト、トリス(エチルフェニル)ホスファイト、トリス(2,4−ジ−t−ブチルフェニル)ホスファイト、トリス(ノニルフェニル)ホスファイト、トリス(ヒドロキシフェニル)ホスファイト等のトリアリールホスファイト類、水添ビスフェノールーA、ペンタエリスリチルホスファイトポリマー、トリエチルホスフェートトリブチルホスフェートトリオクチルホスフェート、トリデシルホスフェート、トリオクタデシルホスフェート、ジステアリルペンタエリスリチルジホスフェート、トリス(2−クロロエチル)ホスフェート、トリス(2,3−ジクロロプロピル)ホスフェート等のトリアルキルホスフェート類、トリシクロヘキシルホスファイト等のトリシクロアルキルホスフェート類、トリフェニルホスフェートトリクレジルホスフェート、トリス(エチルフェニル)ホスフェート、トリス(2,4−ジ−t−ブチルフェニル)ホスフェート、トリス(ノニルフェニル)ホスフェート、トリス(ヒドロキシフェニル)ホスフェート等のトリアリールホスフェート類、テトラキス(2,4−ジ−t−ブチルフェニル)−4,4−ビフェニレンジホスホナイト、4,4’−フェニレンジホスフィン酸テトラキス(2,4−ジ−t−ブチルフェニル等のホスホナイト類等が挙げられる。

0093

これらは単独で使用してもよいし、2種以上を混合して使用してもよい。これらのうち亜燐酸エステルが好ましく、中でも芳香族亜燐酸エステルが好ましく、特に、トリス〔2,4−ジt−ブチルフェニル〕ホスファイト、あるいは、ビス(2,4−t−ブチルフェニル)ペンタエリスリチルジフスフイトが好ましく用いられる。

0094

フェノール系安定剤としてはたとえば、n−オクタデシル−3−(4’−ヒドロキシ−3’、5’−ジ−t−ブチルフェニル)プロピオネート、テトラキス{メチレン−3−(3’、5’−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート}メタン、1,1,3−トリス(2−メチル−4−ヒドロキシ−5−t−ブチルフェニル)ブタン、ジステアリル(4−ヒドロキシ−3−メチル−5−t−ブチルベンジルマロネート、トリエチレグリコールービス{3−(3−t−ブチル−5−メチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート}、1,6−ヘキサンジオール−ビス{3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート}、2,4−ビス−(n−オクチルチオ)−6−(4−ヒドロキシフェニル−3,5−ジ−t−ブチル−アニリノ)−1,3,5−トリアジン、ペンタエリスリチルーテトラキス{3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート}、2,2−チオジエチレンビス{3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート}、2,2−チオビス(4−メチル−6−t−ブチルフェノール)、N,N’−ヘキサメチレンビス(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシ−ヒドロシンナマミド)、3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジルフォスフォネートジエチルエステル、1,3,5−トリメチル−2,4,6−トリス(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)ベンゼン、ビス(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジルスレホン酸エチル)カルシウム、トリス(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)−イソシアヌレート、2,4−ビス{(オクチルチオ)メチル}−O−クレゾール、イソオクチル−3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート、2,5,7,8−テトラメチル−2(4’、8’、12’−トリメチルトリデシルクロマン−6−オール、N,N’−ビス{3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオニルヒドラジン、4−ヒドロキシメチル−2,6−ジ−t−ブチルフェノール等が挙げられる。これらは単独で使用してもよいし2種以上を混合して使用してもよい。

0095

有機チオエーテル系安定剤としては、たとえばジラウリルチオジプロピオネートジステアリルチオジプロピオネート、ジミリスチル−3,3−チオジプロピオネート、lジトリデシル−3,3−チオプロピオネート、ペンタエリスリトール−テトラキス−(β−ラウリルーチオプロピオネート)などを挙げることができる。これらは単独で使用しても良いし2種以上混合して用いても良いまたヒンダードアミン系安定剤としてはたとえば、ビス(2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジルセバケート、ビス(1,2,2,6,6−ペンタメチル−4−ピペリジル)セバケート、1−〔2−{3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオニルオキシ}エチル〕−4−{3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオニルオキシ}−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン、8−ベンジルー7,7,9,9−テトラメチル−3−オクチル−1,2,3−トリアザスピロ〔4,5〕ウンデカン−2,4−ジオン、4−ベンゾイルオキシ−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン、2−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)−2−n−ブチルマロン酸ビス(1,2,2,6,6−ペンタメチル−4−ピペリジル)、テトラキス(2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)1,2,3,4−ブタンテトラカルボキシレートなどを挙げることができる。これらは単独で用いても良いし、2種以上混合して使用しても良い。

0096

これらの耐熱安定剤は樹脂成分100重量部あたり0.0001〜5重量部、好ましくは0.0005〜1重量部、さらに好ましくは0.001〜0.5重量部の量で使用できる。

0097

また酸性物質補足剤として、分子中にエポキシ基一個以上保有する化合物を使用しても良い。

0098

これらの酸性物質補足剤としてはたとえばエポキシ化大豆油エポキシ化アマニ油フェニルグリシジルエーテルアリルグリシジルエーテル、t−ブチルフェニルグリシジルエーテル、3,4−エポキシシクロヘキシルメチル−3,4−エポキシシクロヘキシルカルボキシレート、3,4−エポキシ−6−メチルシクロヘキシルメチル−3,4−エポキシ−6−メチルクロヘキシルカルボキシレート、2,3,−エポキシシクロヘキシルメチル−3’,4’−エポキシシクロヘキシルカルボキシレート、4−(3,4−エポキシ−5−メチルシクロヘキシル)ブチル−3’,4’−エポキシシクロヘキシルカルボキシレート、3,4−エポキシシクロヘキシルエチレンオキシドシクロヘキシルメチル−3,4−エポキシシクロヘキシルカルボキシレート、3,4−エポキシ−6−メチルシクロヘキシルメチルメチル−6’−メチルシクロヘキシルカルボキシレート、ビスフェノールAジグリシジルエーテルフタル酸ジグリシジルエステルヘキサヒドロフタル酸ジグリシジルエステルビスエポキシジシクロペンタジエニルエーテル、エポキシ化ポリブタジエン、3,4−ジメチル−1,2−エポキシシクロヘキサン、3−メチル−5−t−ブチル−1,2−エポキシシクロヘキサン、オクタデシル−2,2−ジメチル−3,4−エポキシシクロヘキシルカルボキシレート、N−ブチル−2,2−ジメチル−3,4−エポキシシクロヘキシルカルボキシレート、シクロヘキシル−2−メチル−3,4−エポキシシクロヘキシルカルボキシレート、2−エチルヘキシル−3,4−エポキシシクロヘキシルカルボキシレート、4,5−エポキシ無水テトラヒドロフタル酸などをあげる事ができる。

0099

これらのうち脂環式エポキシ化合物が好ましく使用できる。特に3,4−エポキシシクロヘキシルメチル−3,4−エポキシシクロヘキシルカルボキシレートが好ましく使用できる。このようなエポキシ化合物は、樹脂成分に対して1〜2000pm、好ましくは10〜1000ppmの量で添加される。これらは単独で用いても良いし、2種以上を混合して使用しても良い。

0100

さらに本発明で使用する離型剤としては従来公知の一般的なものが良好に使用できる。例えば、脂肪族カルボン酸アルコールよりなる脂肪酸エステル離形剤が好ましく使用できる。例えば飽和、または不飽和の脂肪族モノ、ジあるいはトリカルボン酸エタノールブタノール、あるいはステアリルアルコール等の飽和、または不飽和の一価のアルコール、エチレングリコール、1,4−ブテンジオール、あるいはジエチレングリコール等の飽和、または不飽和の2価のアルコール、グリセロール等の飽和、または不飽和の3価のアルコール、ペンタエリスリトール等の飽和、または不飽和の4価のアルコールまたは5価以上の等の飽和、または不飽和の多価アルコールとのエステルが挙げられるが、これらに限定される物ではない。なおここで脂肪族カルボン酸とは脂環式カルボン酸をも包含する。好ましくは下記式

0101

CNH2N+1−COOH、
又は、
HOOC−CNH2N−COOH
(ここでNは5〜34の整数である)で表わされる脂肪酸と次式

0102

CN’H2N'+1−CH2OH、
(R'''1)(R'''2)C(CH2OH)2、
(HOCH2)4−C、
(R'''3)(CH2OH)2C−R'''4−C(CH2OH)2(R'''5)、
(HOCH2)3−C−R'''6−C−(CH2OH)3、
HOCH2−CH2−CH(CH3)−CH2−(CH2OH)
(式中N’は1〜20の整数であり、R'''1、R'''2はそれぞれ独立に炭素数1〜10の置換基を有していてもよいアルキル基又はR'''1とR'''2が結合して5又は6員環を形成しており、R3およびR5はそれぞれ独立して炭素数1〜4の置換基を有していてもよいアルキル基、R'''4、R'''6は炭素数1〜4のアルキレン基又は−(CH2)N''−O−(CH2)N''−(ここでN''は1〜4の整数)のいずれかにより表わされる)アルコールとのエステルを使用する。

0103

上記式で表わされるカルボン酸の具体例としてはステアリン酸、吉草酸カプロン酸カプリン酸ラウリン酸アラキン酸ベヘン酸リグノセリン酸セロチン酸メリシン酸、テトラトリアコンタン酸、グルタル酸、アジピン酸、アゼライン酸等を挙げる事ができる。

0104

又上記式で表わされるアルコールの具体例としては、グリセリン、2,2−ジヒドロキシペルフルオロプロパノールネオペンチレングリコール、ペンタエリスリトール、ジトリメチロールプロパンジペンタエリスリトール等を挙げることができる。

0105

具体的には、ペンタエリスリトールテトラステアレート、ペンタエリスリトールトリステアレート、ペンタエリスリトールモノラウレート、グリセロールトリベヘネート、グリセロールジラウレート、グリセロールモノステアレートトリメチロールプロパントリカプレート、トリメチロールプロパンジオレート、トリメチロールプロパンモノステアレート、炭化水素系離形剤としては、天然合成パラフィンワックス類、ポリエチレンワックスフルオロカーボン類をあげることができる。

0106

脂肪酸系離形剤としては、ステアリン酸、ヒドロキシステアリン酸、などの高級脂肪酸、オキシ脂肪酸、などをあげることができる。脂肪酸アミド系離形剤としてはステアリン酸アミド、エチレンビスステリルアミドなどの脂肪酸アミド、エルカ酸アミド、等のアルキレンビス脂肪酸アミド類をあげることができる。

0107

アルコール系離形剤としては、ステアリルアルコール、セチルアルコールなどの脂肪族アルコール、多価アルコール、ポリグリコールポリグリセロール類などをあげることができる。その他ポリシロキサン類使用可能である。

0108

本発明所望の目的を達成するため従来公知の各種添加剤を使用できる。例えば光安定剤としての2−(3−t−ブチル−2−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)−5−クロロベンゾトリアゾール、2−(3、5−ジ−t−ブチル−2−ヒドロキシフェニル)ベンゾトリアゾール、2−(2−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)ベンゾトリアゾール、2−(2−ヒドロキシ−5−t−オクチルフェニル)ベンゾトリアゾール、2−(3、5−ジ−t−ペンチル−2−ヒドロキシフェニル)ベンゾトリアゾール、2−{2−ヒドロキシ−3−(3,4,5,6−テトラヒドロフタルイミドメチル)フェニル}ベンゾトリアゾール等のベンゾトリアゾール系化合物、2−ヒドロキシ−4−オクチルオキシベンゾフェノン、2−ヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系化合物、2、4−ジ−t−ブチルフェニル、3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンボエート等のベンゾエート系化合物が挙げられる。

0109

紫外線吸収剤としては、例えばエチル2−シアノ−3,3−ジフェニルアクリレート等のシアノアクリレート系化合物が挙げられる。

0110

これらの光安定剤、紫外線吸収剤は樹脂成分100重量部に対し通常0.001〜5重量部、好ましくは0.05〜1.0重要部、さらに好ましくは0.01〜0.5重量部の量で用いることができる。これらの剤は単独で用いても良いし混合して使用しても良い。

0111

クエンチャーとしては例えばニッケルジブチルジチオカーバメート、{2,2’−チオビス(4−t−オクチルフェノラート)}−2−エチルヘキシルアミンニッケル等のニッケル系クエンチャーが挙げられる。

0112

金属不活性化剤としては例えば、N,N’−{3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオニル}ヒドラジン等の化合物が挙げられる。

0113

金属石鹸としては例えばステアリン酸カルシウム、ステアリン酸ニッケル等の化合物が挙げられる。

0114

造核剤としては例えばジ(4−t−ブチルフェニル)ホスホン酸ナトリウム、ジベンジリデンソウビトール、メチレンビス(2,4−ジ−t−ブチルフェノールアッシドホスフェート)ナトリウム塩等のソリビトール系、リン酸塩系化合物が挙げられる。

0115

帯電防止剤としては例えば(βーラウラミドプロピル)トリメチルアンモニウムスルフェート等の第4級アンモニウム塩系、アルキルホスフェート系化合物が挙げられる。

0116

難燃剤としては例えばトリス(2−クロロエチル)ホスフェートなどの含ハロゲンリン酸エステル類、ヘキサブロモシクロドデカンデカブロフェニルオキシドなどのハロゲン化物三酸化アンチモン五酸化アンチモン水酸化アルミニウムなどの金属無機化合物類、これらの混合物が挙げられる。

0117

また本発明の樹脂においては所望により有機、あるいは無機染料顔料等の着色剤を使用できる。

0119

有機系着色剤としては、ナフトールグリーンBなどのニトロソ系、ナフトールイエローSなどのニトロ系、リソールレッドボルド−10B、ナフトールレッド、クロモフタールイエローなどのアゾ系、フタルシアニブルーファストスカイブルーなどのフタロシアニン系、インダントロンブルーやキナクリドンバイオレット、ジオクサジンバイオレットなどの縮合多環系着色剤などが挙げられる。

0120

これら着色剤は単独で使用しても良いし、あるいは混合で使用しても良い。これら着色剤は樹脂成分100重量部あたり通常1*10-6〜5重量部、好ましくは1*10-6〜3重量部、さらに好ましくは1*10-5〜1重量部の量で用いることができる。

0121

以下本発明を実施例により説明するが、本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。

0122

分析
1)ポリカーボネートの固有粘度[η];塩化メチレン中、20℃ウベロー粘度管にて測定した。固有粘度より粘度平均分子量は次式より計算した。

0123

〔η〕=1.23MW0.83

0124

2)末端基濃度サンプル0.02gを0.4mlのクロロホルムに溶解し、20℃で1H−NMR日本電子社製EX−270)を用いて、末端水酸基、(A)構造末端基及び末端フェニル基濃度を測定した。

0125

3)溶融粘度安定性;レオメトリックス社のRAA型流動解析装置を用い窒素気流下、剪断速度1rad/sec.300℃で測定した溶融粘度の変化の絶対値を30分間測定し、1分当たりの変化率を求めた。ポリカーボネート樹脂組成物の長期安定性が良好であるためには、この値が0.5%を超えてはならない。

0126

4)色相(カラー;L/a/b値)及び黄色度YI;50mm×50mm×5mmの平板を住友重機(株)製ネオマットN150/75射出成形機によりシリンダー温度280℃成形サイクル3.5秒で成形し、平板のL/a/b値及びX、Y、Z値を日本電色(株)製Z−1001DP色差計により測定した。YI値は次式により求めた。

0127

YI=(100/Y)*(1.277X−1.060Z)

0128

5)透明性;平板の全光線透過率を日本電色(株)製NDH−Σ80により測定した。全光線透過率が高いほど透明性がよいことを示す。

0129

6)ヘーズ;平板のヘーズを日本電色(株)製NDH−Σ80により測定した。ヘーズが高いほど濁りが少ないことを示す。

0130

7)湿熱耐久性;耐衝撃性:アイゾット衝撃強度ASTMD−790(ノッチ付き)による。厚さ1/8インチ試験片を85℃*90%RHの恒温恒湿槽中、1000hr保持後アイゾット衝撃強度の保持率を求めた。

0131

8)滞留安定性;50mm×50mm×5mmの平板を名機製作所(株) M50B射出成形機によりシリンダー温度350℃成形サイクル20秒、金型温度75℃、射出圧300Kg、型締め力50トンで成形した、この成形品につき色相YIを測定、さらに樹脂同温度で15分間シリンダー内に滞留させた後成形を行い色相YI、光透過率を測定、滞留前後のYI値の変化量ΔYIを求めた。

0132

YI、ΔYI;ゲィスク用途(分子量=約15000のもの)で目視黄色味をあまり感じないYI値1.5以下をOKとした。初期YIがOKでもΔYIが大で滞留後のYIが1.5を超えるものはNGと判定、汎用グレードではYI値の限界を2.0とした。

0133

光線透過率;ポリカーボネート本来の90%台のものをOK、この値を大きく割り込む80%台のものをNGと判定した。

0134

9)ディスクの成形性;金型汚れ;(DVD基板の作成)得られたポリカーボネート組成物ペレットを使用し、東機械社製IS80EPN、成形機を使用し、
型締め力;50トン、
射出速度;250CM3/秒、
射出圧力;1500Kg/CM2;
金型材質ジュラルミン2024;
成形温度;380℃、
金型温度;115℃
冷却時間;5秒
ビティ部;無電解ニッケルメッキ
の条件で径120mm、厚さ0.6mmのDVD基板10K枚を作成した。なお成形時スプルー部とディスクが切断され成形機内にスプルー部が残った組成物ロットは成形性不良、と判断した。

0135

金型汚れ性については、10K枚成形時スタンパ汚れを目視、判定した。
◎;良好汚れ認めがたし
○;良好汚れ極めて小
△;不良汚れやや認められる
×;不良汚れ明瞭に認められる

0136

10)汎用グレード品の成形性、及金型汚れ性;50mm×50mm×5mmの平板を名機製作所(株)M50B射出成形機によりシリンダー温度280℃成形サイクル20秒、金型温度75℃、射出圧300Kg、型締め力50トンで1Kショット成形した、この時成形品が金型より良好に離型ロットをOkロットと判定した。又金型汚れ性については1K枚成形時金型の汚れを目視判定した。
◎;良好汚れ認めがたし
○;良好汚れ極めて小
△;不良汚れやや認められる
×;不良汚れ明瞭に認められる

0137

[ポリマーの製造例1:実施例1〜4、比較例1〜2]ホスゲン吹き込み管、温度計及び攪拌機を設けた、容量500lの反応槽に、ビスフェノールA50,280g(221モル)、表1中記載の種類、量のジヒドロキシ化合物(B)、7.2%水酸化ナトリウム水溶液、221l(水酸化ナトリウム419モル)及び、ハイドロサルファイトナトリウム98g(0.56モル)を仕込んで溶解し、攪拌下、塩化メチレン127l及び48.5%水酸化ナトリウム水溶液8,070g(水酸化ナトリウム、98モル)を加えた後、ホスゲン25,080g(25.3モル)を25℃で180分かけて加え、ホスゲン化反応を行った。

0138

ホスゲン化終了後p−tert−ブチルフェノール1,751g(11.7モル)、及び48.5%水酸化ナトリウム水溶液、8,040g(97モル)及び触媒としてトリエチルアミン、181ml(1.3モル)を加え、33℃に保持し2時間攪拌して反応を終了させた。反応混合液より、塩化メチレン層を分離し、水洗を5回繰り返し精製して、粘度平均分子量15,300のポリカーボネート樹脂を得た。該ポリカーボネート中、トリス(2,4ジーt−ブチルフェニル)フォスファイト50ppm及びペンタエリスリチルテトラステアレート500ppmを添加1軸押し出し機で混練し、ペレット化した。このポリマーの物性を表1中に示す。

0139

[ポリマーの製造例2:実施例5、比較例3]ホスゲン吹き込み管、温度計及び攪拌機を設けた、容量500lの反応槽に、表1中記載の種類、量のジヒドロキシ化合物を含有するビスフェノールA50,280g(221モル)、7.2%水酸化ナトリウム水溶液、221l(水酸化ナトリウム419モル)及び、ハイドロサルファイトナトリウム98g(0.56モル)を仕込んで溶解し、攪拌下、塩化メチレン、127l及び48.5%水酸化ナトリウム水溶液、8,070g(水酸化ナトリウム98モル)を加えた後、ホスゲン25,080g(253モル)を25℃で180分かけて加え、ホスゲン化反応を行った。

0140

ホスゲン化終了後p−tert−ブチルフェノール930g(6.2モル)及び48.5%水酸化ナトリウム水溶液、8,040g(97モル)及び触媒としてトリエチルアミン181ml(1.3モル)を加え、33℃に保持し2時間攪拌して反応を終了させた。反応混合液より、塩化メチレン層を分離し、水洗を5回繰り返し精製して、粘度平均分子量25,100のポリカーボネート樹脂を得た。該ポリカーボネート中トリス(2,4−ジt−ブチルフェニル)フォスファイト;100ppm及びペンタエリスリチルーテトラキス〔3−(3,5−ジーt−ブチルー4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート〕500ppmを添加1軸押し出し機で混練し、ペレット化した。このポリマーの物性を表1中に示す。

0141

[ポリマーの製造例3、4:実施例6、比較例4]製造例2において重合後、水洗を回数を3回とした以外同様の処理を行ったところ溶融粘度安定性0.8%のポリカーボネートが得られた。(ちなみに該ポリカーボネート中イオンクロマト分析の結果、NaイオンがPC繰り返し単位1モル当たり11*10-6含有されていた。)
製造例4においては、上記安定剤のほかに該ポリマー1Kg当たりドデシルベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩(以下DBSPと略称)0.03gを添加、混練ペレット化した。結果を表1中に示す。

0142

[ポリマーの製造例5、6:実施例7〜16、比較例5〜7]
ビスフェノールA;22.8Kg、ジフェニルカーボネート;22.0Kg重量部及び表中記載のジヒドロキシ化合物の所定量と重合触媒としてNaOH0.004g、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド;0.91gを攪拌装置蒸留塔及及び、減圧装置を備えた反応槽に仕込み、窒素置換した後、140℃で溶解した。30分間攪拌後、内温を180℃に昇温し,内圧100mmHgで30分間反応させ、生成するフェノールを溜去した。

0143

ついで内温を200℃に昇温しつつ徐々に減圧し50mmHgで30分間フェノールを溜去しつつ反応させた。さらに220℃、30mmHgまで徐々に昇温、減圧し、同温度、同圧力条件下で30分間反応させ、さらに240℃、10mmHg,260℃、1mmHg260℃,1mmHg以下にまで上記と同じ手順で昇温,減圧を繰り返し反応を続行した。

0144

最終的に同温、同圧で重合反応を継続し重合反応装置の攪拌電力より判断し、ポリカーボネートの粘度平均分子量が15300(製造例5)、あるいは25100(製造例6)になった時点で、ポリマーの一部を採取し粘度平均分子量、末端水酸基濃度を測定しつつ粘度平均分子量15,300(水酸末端基濃度110eq/tonn)、25,100の(水酸末端基濃度70eq/tonn)樹脂を製造した。前者はディスク成形用途に、後者は一般成形品用として評価した。

0145

[末端封止反応,触媒不活性化]該ポリカーボネート1Kg当たり表中記載量の末端封止剤(2ーメトキシカルボニルフェニルーフェニルーカーボネート;以下SAM−DPCと略称する。)を常圧下270℃で添加した。その後270℃,1mmHg以下で5分間末端封止反応を継続した。

0146

その後表2、3中の溶融粘度安定化剤DBSP;0.0034g(Na触媒の1.5倍当量)を添加し、同温、同圧にて10分間混合攪拌し,触媒を失活不活性化した。得られたポリカーボネートの分子量、末端水酸基濃度、(A)−I〜III構造濃度、溶融粘度安定性を表2、3中に示す。

0147

[安定剤の添加]上記ポリマー1Kg当たりポリマーの製造例5においては、トリス(2,4ジーt−ブチルフェニル)フォスファイト;0.05g及びペンタエリスリチルテトラステアレート0.5gを又ポリマーの製造例6においてはトリス(2,4−ジt−ブチルフェニル)フォスファイト;0.1g及びペンタエリスリチルーテトラキス〔3−(3,5−ジーt−ブチルー4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート〕0.5gを添加し2軸ルーダーで押しだしチップ化した。

0148

[ポリマーの製造例7、8:比較例8]ポリマーの製造例5においてDBSPを使用しないものをポリマーの製造例7、又ポリマーの製造例6においてDBSPを使用しないものをポリマーの製造例8とした。

0149

0150

表中のジヒドロキシ化合物(B)の番号は、明細書中に示したジヒドロキシ化合物(B)の番号である。

0151

0152

表中のジヒドロキシ化合物(B)の番号は、明細書中に示したジヒドロキシ化合物(B)の番号である。

0153

0154

表中のジヒドロキシ化合物(B)の番号は、明細書中に示したジヒドロキシ化合物(B)の番号である。

ページトップへ

この技術を出願した法人

この技術を発明した人物

ページトップへ

関連する挑戦したい社会課題

関連する公募課題

該当するデータがありません

ページトップへ

技術視点だけで見ていませんか?

この技術の活用可能性がある分野

分野別動向を把握したい方- 事業化視点で見る -

(分野番号表示ON)※整理標準化データをもとに当社作成

ページトップへ

おススメ サービス

おススメ astavisionコンテンツ

新着 最近 公開された関連が強い技術

この 技術と関連性が強い技術

関連性が強い 技術一覧

この 技術と関連性が強い法人

関連性が強い法人一覧

この 技術と関連性が強い人物

関連性が強い人物一覧

この 技術と関連する社会課題

関連する挑戦したい社会課題一覧

この 技術と関連する公募課題

該当するデータがありません

astavision 新着記事

サイト情報について

本サービスは、国が公開している情報(公開特許公報、特許整理標準化データ等)を元に構成されています。出典元のデータには一部間違いやノイズがあり、情報の正確さについては保証致しかねます。また一時的に、各データの収録範囲や更新周期によって、一部の情報が正しく表示されないことがございます。当サイトの情報を元にした諸問題、不利益等について当方は何ら責任を負いかねることを予めご承知おきのほど宜しくお願い申し上げます。

主たる情報の出典

特許情報…特許整理標準化データ(XML編)、公開特許公報、特許公報、審決公報、Patent Map Guidance System データ