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技術 検査治具及びその製造方法

出願人 凸版印刷株式会社
発明者 岡野達広角田卓真
出願日 1999年7月7日 (21年5ヶ月経過) 出願番号 1999-193127
公開日 2000年6月6日 (20年6ヶ月経過) 公開番号 2000-155132
状態 未査定
技術分野 半導体等の試験・測定 短絡、断線、漏洩,誤接続の試験 測定用導線・探針
主要キーワード カシメ構造 検査部分 導通接触 シリコンラバー アディティブプロセス 半導体回路素子 検査治具 薄膜導体層
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課題

検査電極被検査体押圧して繰り返し導通検査を行っても、検査電極及び配線層の一部が絶縁基板より離脱することなく、良好な電気的導通が得られ、信頼性の高い導通検査ができる検査治具を提供することを目的とする。

解決手段

第1開口部12を形成した絶縁樹脂層11に絶縁基板13を貼着し、絶縁基板13に検査電極を形成するための第2開口部14を形成し、絶縁樹脂層11側に金属基板15を貼着する。金属基板15をカソード電極にしてニッケル金属電解めっきして第1開口部12に導体16を、第2開口部14に検査電極16aを形成する。さらに、絶縁基板13及び導体16上に配線層18を形成し、金属基板15及び絶縁樹脂層11を剥離・除去することで絶縁基板13の一方の面に突出した検査電極16aが形成され、検査電極16a及び配線層18がカシメ構造にて絶縁基板13に固定された検査治具を得る。

概要

背景

従来、被検査体半導体回路素子及び装置等)の導通検査は図5(a)〜(c)に示すように、検査治具50と検査用ソケット40を用いて検査を行っている。検査方法は、絶縁基板51に配線層52と検査電極53が形成された検査治具50を検査ソケット40に設けられたシリコンラバー41上に載置し、被検査体60(半導体回路素子及び配線回路基板等)の電極61に検査治具50の検査電極53を押圧して導通検査を行っている。

従来の検査方法では、検査治具50の検査電極53の高さばらつきを吸収し、被検査体60の検査電極61との接触を確実にするために検査用ソケット40と検査治具50の間にシリコンラバー41を挟み込んでいる。この検査方法では、導通検査時には前記検査電極1ピン当たり約20g以上の荷重がかかり、押圧導通検査を繰り返していると、検査電極53が配線層52と共にシリコンラバー41側にわずかに突き抜けて検査電極53及び配線層52の一部が絶縁基板51から部分的に剥離し(図6参照)、接触抵抗が不均一になったり、接触不良を引き起こし導通検査の信頼性を損なうという問題が発生している。

概要

検査電極を被検査体に押圧して繰り返し導通検査を行っても、検査電極及び配線層の一部が絶縁基板より離脱することなく、良好な電気的導通が得られ、信頼性の高い導通検査ができる検査治具を提供することを目的とする。

第1開口部12を形成した絶縁樹脂層11に絶縁基板13を貼着し、絶縁基板13に検査電極を形成するための第2開口部14を形成し、絶縁樹脂層11側に金属基板15を貼着する。金属基板15をカソード電極にしてニッケル金属電解めっきして第1開口部12に導体16を、第2開口部14に検査電極16aを形成する。さらに、絶縁基板13及び導体16上に配線層18を形成し、金属基板15及び絶縁樹脂層11を剥離・除去することで絶縁基板13の一方の面に突出した検査電極16aが形成され、検査電極16a及び配線層18がカシメ構造にて絶縁基板13に固定された検査治具を得る。

目的

本発明は上記問題点に鑑みなされたものであり、検査治具の検査電極を被検査体に押圧して繰り返し導通検査を行っても、検査電極及び配線層の一部が絶縁基板より離脱することなく、良好な電気的導通が得られ、信頼性の高い導通検査ができる検査治具を提供することを目的とする。

効果

実績

技術文献被引用数
0件
牽制数
0件

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請求項1

絶縁基板の一方の面に突出するように検査電極が、他方の面に配線層が形成されており、前記検査電極と前記配線層は導体電気的に接続されてなる検査治具において、前記検査電極の先端が他の部分より細くなっており、前記検査電極と前記絶縁基板の一方の面との接触面及び前記配線層と前記絶縁基板の一方の面との接触面が前記導体の断面積よりも大きな面積を有していることを特徴とする検査治具。

請求項2

以下の工程を有することを特徴とする請求項1記載の検査治具の製造方法。(a)絶縁層(11)に検査電極を形成するための第1開口部(12)を形成する工程。(b)第1開口部(12)が形成された絶縁層(11)と絶縁基板(13)を貼着する工程。(c)絶縁基板(13)にレーザー加工等により第2開口部(14)を形成する工程。(d)第2開口部(14)が形成された絶縁基板(13)及び第1開口部(12)が形成された絶縁層(11)に金属基板(15)を貼着する工程。(e)金属基板(15)をカソード電極にして電解めっきにて第1開口部(12)に導体(16)を、第2開口部(14)に検査電極(16a)を形成する工程。(f)絶縁基板(13)及び導体(16)上に配線層(18)を形成する工程。(g)金属基板(15)及び絶縁層(11)を剥離・除去して、絶縁基板(13)に検査電極(16a)及び配線層(18)が形成され、検査電極(16a)が導体(16)で配線層(18)と電気的に接続された検査治具を作製する工程。

請求項3

以下の工程を有することを特徴とする請求項1記載の検査治具の製造方法。(a)絶縁基板(21)に絶縁層(22)を介して金属基板(23)を積層する工程。(b)絶縁基板(21)及び絶縁層(22)の所定位置にレーザー加工等により開口部(24)を形成する工程。(c)開口部(24)の絶縁層(22)部分の形状を太らせて開口部(24a)を形成する工程。(d)金属基板(23)をカソード電極にして電解めっきにて開口部(24a)に導体(26)及び検査電極(26a)を形成する工程。(e)絶縁基板(21)及び導体(26)上に配線層(28)を形成する工程。(f)金属基板(23)及び絶縁層(22)を剥離・除去して、絶縁基板(21)に検査電極(26a)及び配線層(28)が形成され、検査電極(26a)が導体(26)で配線層(28)と電気的に接続された検査治具を作製する工程。

請求項4

以下の工程を有することを特徴とする請求項1記載の検査治具の製造方法。(a)絶縁基板(31)と絶縁層(32)を積層する工程。(b)絶縁基板(31)及び絶縁層(32)の所定位置に開口部(33)を形成する工程。(c)開口部(33)が形成された絶縁基板(31)及び絶縁層(32)の絶縁層(32)側に金属基板(34)を貼着する工程。(d)金属基板(34)をカソード電極にして電解めっきにて開口部(33)に導体(35)を形成する工程。(e)絶縁基板(31)及び導体(35)上の所定位置に配線層(36)を形成する工程。(f)金属基板(34)及び絶縁層(32)を剥離・除去し、絶縁基板(31)の一方の面に突出した導体(35)を形成する工程。(g)絶縁基板(31)の配線層(36)側に保護層(37)を形成し、絶縁基板(31)の一方の面に突出した導体(35)に所定厚の金属をめっきして、検査電極(35a)を形成する工程。(h)保護層(37)を剥離・除去して、絶縁基板(31)に配線層(36)及び検査電極(35a)が形成され、検査電極(35a)が導体(35)で配線層(36)と電気的に接続された検査治具を作製する工程。

技術分野

0001

本発明は、半導体集積回路素子配線回路基板等の導通検査に用いられる検査治具に関する。

背景技術

0002

従来、被検査体半導体回路素子及び装置等)の導通検査は図5(a)〜(c)に示すように、検査治具50と検査用ソケット40を用いて検査を行っている。検査方法は、絶縁基板51に配線層52と検査電極53が形成された検査治具50を検査ソケット40に設けられたシリコンラバー41上に載置し、被検査体60(半導体回路素子及び配線回路基板等)の電極61に検査治具50の検査電極53を押圧して導通検査を行っている。

0003

従来の検査方法では、検査治具50の検査電極53の高さばらつきを吸収し、被検査体60の検査電極61との接触を確実にするために検査用ソケット40と検査治具50の間にシリコンラバー41を挟み込んでいる。この検査方法では、導通検査時には前記検査電極1ピン当たり約20g以上の荷重がかかり、押圧導通検査を繰り返していると、検査電極53が配線層52と共にシリコンラバー41側にわずかに突き抜けて検査電極53及び配線層52の一部が絶縁基板51から部分的に剥離し(図6参照)、接触抵抗が不均一になったり、接触不良を引き起こし導通検査の信頼性を損なうという問題が発生している。

発明が解決しようとする課題

0004

本発明は上記問題点に鑑みなされたものであり、検査治具の検査電極を被検査体に押圧して繰り返し導通検査を行っても、検査電極及び配線層の一部が絶縁基板より離脱することなく、良好な電気的導通が得られ、信頼性の高い導通検査ができる検査治具を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段

0005

本発明は上記課題を解決するために、まず請求項1においては、絶縁基板の一方の面に突出するように検査電極が、他方の面に配線層が形成されており、前記検査電極と前記配線層は導体電気的に接続されてなる検査治具において、前記検査電極の先端が他の部分より細くなっており、前記検査電極と前記絶縁基板の一方の面との接触面及び前記配線層と前記絶縁基板の一方の面との接触面が前記導体の断面積よりも大きな面積を有していることを特徴とする検査治具としたものである。

0006

また、請求項2においては、以下の工程を有することを特徴とする請求項1記載の検査治具の製造方法としたものである。
(a)絶縁層11に検査電極を形成するための第1開口部12を形成する工程。
(b)第1開口部12が形成された絶縁層11と絶縁基板13を貼着する工程。
(c)絶縁基板13にレーザー加工等により第2開口部14を形成する工程。
(d)第2開口部14が形成された絶縁基板13及び第1開口部12が形成された絶縁層11に金属基板15を積層する工程。
(e)金属基板15をカソード電極にして電解めっきにて第1開口部12に導体16を、第2開口部14に検査電極16aを形成する工程。
(f)絶縁基板13及び導体16上に配線層18を形成する工程。
(g)金属基板15及び絶縁層11を剥離・除去して、絶縁基板13に検査電極16a及び配線層18が形成され、検査電極16aが導体16で配線層18と電気的に接続された検査治具を作製する工程。

0007

また、請求項3においては、以下の工程を有することを特徴とする請求項1記載の検査治具の製造方法としたものである。
(a)絶縁基板21に絶縁層22を介して金属基板23を積層する工程。
(b)絶縁基板21及び絶縁層22の所定位置にレーザー加工等により開口部24を形成する工程。
(c)開口部24の絶縁層22部分の形状を太らせて開口部24aを形成する工程。
(d)金属基板23をカソード電極にして電解めっきにて開口部24aに導体26及び検査電極26aを形成する工程。
(e)絶縁基板21及び導体26上に配線層28を形成する工程。
(f)金属基板23及び絶縁層22を剥離・除去して、絶縁基板21に検査電極26a及び配線層28が形成され、検査電極26aが導体26で配線層28と電気的に接続された検査治具を作製する工程。

0008

さらにまた、請求項4においては、以下の工程を有することを特徴とする請求項1記載の検査治具の製造方法としたものである。
(a)絶縁基板31と絶縁層32を積層する工程。
(b)絶縁基板31及び絶縁層32の所定位置に開口部33を形成する工程。
(c)開口部33が形成された絶縁基板31及び絶縁層32の絶縁層32側に金属基板34を貼着する工程。
(d)金属基板34をカソード電極にして電解めっきにて開口部33に導体35を形成する工程。
(e)絶縁基板31及び導体35上の所定位置に配線層36を形成する工程。
(f)金属基板34及び絶縁層32を剥離・除去し、絶縁基板31の一方の面に突出した導体35を形成する工程。
(g)絶縁基板31の配線層36側に保護層37を形成し、絶縁基板31の一方の面に突出した導体35に所定厚の金属をめっきして、検査電極35aを形成する工程。
(h)保護層37を剥離・除去して、絶縁基板31に配線層36及び検査電極35aが形成され、検査電極(35a)が導体(35)で配線層(36)と電気的に接続された検査治具を作製する工程。

発明を実施するための最良の形態

0009

以下本発明の実施の形態につき説明する。本発明の検査治具の一実施例の構成を示す部分模式斜視図図1(a)に、図1(a)の検査治具の部分模式斜視図をA−A線で切断した部分模式断面図を図1(b)に、本発明の検査治具の実施例1の製造方法を工程順に示す模式断面図を図2(a)〜(g)に、本発明の検査治具の実施例2の製造方法を工程順に示す模式断面図を図3(a)〜(f)に、本発明の検査治具の実施例3の製造方法を工程順に示す模式断面図を図4(a)〜(h)に、それぞれ示す。

0010

本発明の検査治具10は図1(a)、(b)に示すように、絶縁基板13の片面に検査電極16aが、もう一方の面に配線層18が形成されており、検査電極16aと配線層18は導体16にて電気的に接続されている。さらに、検査電極16aと絶縁基板13との接触面及び配線層18と絶縁基板13との接触面が導体16の断面積よりも大きくなっているため、検査電極16aと配線層18はカシメ構造にて絶縁基板13に固定される。そのため、検査電極16aは絶縁基板13に強固に固定され、押圧導通検査を繰り返し行っても検査電極16aが絶縁基板13より離脱するようなことはなく、導通検査の信頼性が向上する。

0011

以下、本発明の検査治具の形成法について図2(a)〜(g)、図3(a)〜(f)及び図4(a)〜(h)を用いて説明する。まず、絶縁層11にエキシマレーザ加工を用いて導体を形成するための第1開口部12を形成する(図1(a)参照)。ここで、絶縁層11は検査電極を電解めっきで形成するための型を形成したり、検査電極の高さを調整するためのもので、絶縁性を有する樹脂であれば使用可能であるが、後工程で最終的に剥離・除去されるため、電解めっきプロセスには充分な耐性を有し、且つ剥離処理が容易な感光性レジスト又はドライフィルムレジストが好適である。

0012

次に、第1開口部が形成された絶縁層11を絶縁基板13を積層する(図2(b)参照)。ここで、絶縁基板13は検査電極及び配線層を形成する支持基板になるもので、絶縁性、耐熱性及び機械的強度が求められ、ポリエステルエポキシアクリル及びポリイミド樹脂等の絶縁基板が使用可能であるが、ポリイミド樹脂からなる絶縁基板が好適である。

0013

次に、絶縁基板13に検査電極を形成するための第2開口部14をエキシマレーザ加工にて形成する(図2(c)参照)。ここで、第2開口部14の中心位置が第1開口部12の中心位置と同位置になるように位置合わせする。

0014

次に、第1開口部12が形成された絶縁層11及び第2開口部14が形成された絶縁基板13の絶縁層11側に金属基板15を貼着する(図2(d)参照)。ここで、金属基板15は電解めっきの際のカソード電極になるもので、導電性を有する金属であれば使用可能であるが、ここでは製造プロセス上ステンレス板が好ましい。

0015

次に、金属基板15をカソード電極にして第1開口部12及び第2開口部14に電解めっきを行い、第2開口部14に検査電極16a及び第1開口部12に導体16を形成する(図2(e)参照)。ここで、導体16及び検査電極16aは導電性及び強度の問題から銅もしくはニッケルが好適である。また、検査電極16aの先端(被検査体との接触部)が他の部分より細くなっているの。このような形状にすることによって、被検査体の被検査部分酸化膜で覆われている場合でも酸化膜を突き破ることができ、また押圧した際に電極が変形しにくい。特に、この図2(g)に示すように、先端部に向かって徐々に細くなっている形状であると、押圧時の電極の変形をより抑えることができ、好ましい。

0016

次に、絶縁基板13及び導体16上の所定位置にセミアディティブプロセス或いはアディティブプロセスにて配線層18を形成する(図2(f)参照)。ここで、配線層18の絶縁基板13との接触面は導体16の断面積よりも大きくなるようにする。さらに、配線層18は導体16にて検査電極16aと電気的に接続される。

0017

次に、導体16、検査電極16a及び配線層18が形成された上記基板を専用の剥離液に浸漬し、金属基板15及び絶縁層11を剥離・除去することにより絶縁基板13の一方の面に突出した検査電極16aが形成され、検査電極16a及び配線層18がカシメ構造にて絶縁基板13に固定され、且つ導体16で電気的に接続された本発明の検査治具10を得ることができる(図2(g)参照)。ここで、配線層18側に保護層を形成した後、金属基板15及び絶縁層11を剥離・除去して検査治具としてもよい。

0018

さらに、本発明の検査治具の別の形成法について述べる。まず、絶縁基板21に金属基板23を絶縁層22を介して積層する(図3(a)参照)。ここで、絶縁層22は検査電極を電解めっきで形成するための型を形成したり、検査電極の高さを調整するためのもので、絶縁性を有し、接着性を有する樹脂であれば使用可能であるが、後工程で最終的に剥離・除去されるため、電解めっきプロセスには充分な耐性を有し、且つ剥離処理が容易な感光性レジスト又はドライフィルムレジストが好適である。さらに、絶縁基板21は検査電極及び配線層が形成される支持基板になるもので、絶縁性、耐熱性及び機械的強度が求められ、ポリエステル、エポキシ、アクリル及びポリイミド樹脂等の絶縁基板が使用可能であるが、ポリイミド樹脂からなる絶縁基板が好適である。さらに、金属基板23は電解めっきの際のカソード電極になるもので、導電性を有する金属であれば使用可能であるが、ここでは製造プロセス上ステンレス板が好ましい。

0019

次に、絶縁基板21及び絶縁層22に検査電極を形成するための開口部24をエキシマレーザ加工にて形成する(図3(b)参照)。

0020

次に、開口部24の絶縁層22の部分をエッチング等により除去して開口部24aを形成する(図3(c)参照)。

0021

次に、上記と同じ方法で金属基板23をカソード電極にして電解めっきにて導体26及び検査電極26aを形成する(図3(d)参照)。

0022

次に、上記と同じ方法で絶縁基板21及び導体26上の所定位置にセミアディティブプロセス或いはアディティブプロセスにて配線層28を形成し(図2(e)参照)、専用の剥離液にて、金属基板23及び絶縁層22を剥離・除去することにより絶縁基板21の一方の面に突出した検査電極26aが形成され、検査電極26a及び配線層28がカシメ構造にて絶縁基板21に固定され、且つ導体26で電気的に接続された本発明の検査治具20を得ることができる(図3(f)参照)。

0023

以下本発明の検査治具の別の形成法について述べる。まず、絶縁基板31に絶縁層32を積層する(図4(a)参照)。ここで、絶縁基板31は検査治具の絶縁基板になるもので、絶縁性、耐熱性及び機械的強度が求められ、ポリエステル、エポキシ、アクリル及びポリイミド樹脂等の絶縁基板が使用可能であるが、ポリイミド樹脂からなる絶縁基板が好適である。さらに、絶縁層32は検査電極を電解めっきで形成するための型を形成したり、検査電極の高さを調整するためのもので、絶縁性を有し、接着性を有する樹脂であれば使用可能であるが、後工程で最終的に剥離・除去されるため、電解めっきプロセスには充分な耐性を有し、且つ剥離処理が容易な感光性レジスト又はドライフィルムレジストが好適である。

0024

次に、絶縁基板31及び絶縁層32に電極部を形成するための開口部33をエキシマレーザ加工にて形成する(図4(b)参照)。

0025

次に、検査電極を電解めっきにて形成するときのカソード電極となる金属基板34を絶縁層32に貼着する(図4(c)参照)。金属基板34は導電性を有する金属であれば使用可能であるが、ここでは製造プロセス上ステンレス板が好ましい。

0026

次に、金属基板34をカソード電極にして電解めっきにて導体35を形成する(図4(d)参照)。

0027

次に、絶縁基板31及び導体35上にセミアディティブプロセス或いはアディティブプロセスにて配線層36を形成する(図4(e)参照)。

0028

次に、導体35及び配線層36が形成された上記基板を専用の剥離液に浸漬し、金属基板34及び絶縁層32を剥離・除去し、絶縁基板31の一方の面に突出した導体35を形成する(図4(f)参照)。

0029

次に、絶縁基板31の配線層36側に保護層37を形成し、絶縁基板31より突出した導体35に無電解めっきを施し検査電極35aを形成する(図4(g)参照)ここで、保護層37は使用するめっき液に耐性がある樹脂ならば可能であるが、ここでは製造プロセス上接着フィルムが好適である。さらに、無電解めっきは銅、ニッケル、パラジウム、金等が使用可能である。

0030

最後に、保護層37を専用の剥離液に浸漬、除去することで、絶縁基板31に検査電極35a及び配線層36が形成された本発明の検査治具を得ることができる(図4(h)参照)。

0031

以下、実施例により本発明を詳細に説明する。
<実施例1>まず、ドライフィルムレジスト(H−K850:日立化成工業(株)製)からなる絶縁層11にエキシマレーザ加工を用いて40μmφの円錐台状の開口部12を形成した。エキシマレーザ加工の加工条件は、エネルギ密度1.5J/cm2であった。

0032

次に、25μm厚のポリイミドフィルムユーピレックス:宇部興産(株)製)からなる絶縁基板13に開口部12が形成された絶縁層11をロールラミネータを用いて貼着した。

0033

次に、エキシマレーザ加工機を用いて第1開口部12上の絶縁基板13に20μmφの円錐台状の第2開口部14を形成した。エキシマレーザの加工条件は、エネルギ密度1.5J/cm2であった。

0034

次に、0.3mm厚のステンレス板からなる金属基板15を絶縁層11にロールラミネータを用いて貼着した。

0035

次に、金属基板15をカソード電極にして第1開口部12及び第2開口部14に電解ニッケルめっきを行い、ニッケル金属からなる導体16及び検査電極16aを形成した。

0036

次に、絶縁基板13及び導体16上に銅をスパッタリングして3000Å厚の薄膜導体層を形成し、ドライフィルムレジスト(RY−3025:日立化成工業(株)製)を貼着、露光現像を行うことでセミアディティブプロセス用のレジストパターンを形成し、金属基板15をカソード電極にして電解銅めっきを行い、レジストパターン以外の薄膜導体層上に10〜15μm厚の導体層を形成した。

0037

次に、レジストパターンを5wt%の苛性ソーダ溶液にて溶解除去し、さらに、レジストパターン下部に形成されていた薄膜導体層を20wt%のペルオキソ二硫酸アンモニウム溶液にてフラッシュエッチングして配線層18を形成した。

0038

次に、検査電極16a及び配線層18が形成された基板を5wt%の苛性ソーダ溶液に浸漬し、金属基板15及び絶縁層11を剥離・除去することで絶縁基板13の一方の面に突出した検査電極16aが形成され、検査電極16a及び配線層18がカシメ構造にて絶縁基板13に固定され、検査電極先端が他の部分よりも細く、且つ導体16で電気的に接続された本発明の検査治具10を得た。

0039

<実施例2>まず、25μm厚のポリイミドフィルムからなる絶縁基板21に0.15mm厚のステンレス基板からなる金属基板23を40μm厚のドライフィルムレジスト(DFR:日立化成工業(株)製)からなる絶縁層22を介してロールラミネーターにて貼着した。

0040

次に、エキシマレーザ加工機を用いて絶縁基板21及び絶縁層22の所定位置に40μmφの円錐台状の開口部24を形成した。エキシマレーザの加工条件は、エネルギ密度1.5J/cm2であった。

0041

次に、開口部24を1%の炭酸ソーダを用いてシャワー現像にてエッチングし、絶縁層22の開口部を太らせて開口部24aを形成した。

0042

次に、実施例1と同様な方法で、開口部24及び開口部24aにニッケル金属からなる導体26及び検査電極26aを形成した。さらに、配線層28を形成し、金属基板23及び絶縁層22を剥離・除去することで絶縁基板21の一方の面に突出した検査電極26aが形成され、検査電極26a及び配線層28がカシメ構造にて絶縁基板21に固定され、検査電極先端が他の部分よりも細く、且つ導体26で電気的に接続された本発明の検査治具20を得た。

0043

<実施例3>まず、25μm厚のポリイミドフィルムからなる絶縁基板31に40μm厚のドライフィルムレジスト(H−K850:日立化成工業(株)製)からなる絶縁層32を用いてロールラミネーターにて貼着した。

0044

次に、エキシマレーザ加工機を用いて絶縁基板31及び絶縁層32の所定位置に40μmφの円錐台状の開口部33を形成した。エキシマレーザの加工条件は、エネルギ密度1.5J/cm2であった。

0045

次に、0.15mm厚のステンレス板からなる金属基板34を開口部33が形成された絶縁基板31及び絶縁層32の絶縁層32側にロールラミネータを用いて貼着した。

0046

次に、実施例1と同様な方法で、開口部33にニッケル金属からなる導体35及び配線層36を形成した。

0047

次に、導体35及び配線層36が形成された基板を5wt%の苛性ソーダ溶液に浸漬し、金属基板34及び絶縁層32を剥離・除去することで、絶縁基板31の一方の面に突出した導体35を形成した。

0048

次に、絶縁基板31の配線層36側にビルドアップ基板接着シート(AS−2500:日立化成工業(株)製)を貼着し、保護層37を形成した。さらに、無電解ニッケルめっき液に30分間浸漬し、突出した導体35にニッケルめっきを行い、絶縁基板31との接触面が導体35よりも大きな接触面積を有する検査電極35aを形成した。

0049

最後に、保護層37を専用の剥離液に浸漬、除去することで、絶縁基板31に検査電極35a及び配線層36がカシメ構造にて固定され、検査電極先端が他の部分よりも細く、且つ導体26で電気的に接続された本発明の検査治具30を得た。

0050

本発明の検査治具を用いてアルミニウム電極を有する被検査体を繰り返し導通検査した結果、絶縁基板からの検査電極及び配線層の離脱は見られず、安定した導通接触が得られた。

発明の効果

0051

本発明の検査治具を用いることにより、被検査体に押圧して繰り返し導通検査を行っても、絶縁基板からの検査電極と配線層の離脱は見られず、安定した、信頼性の高い導通検査を行うことができる。

図面の簡単な説明

0052

図1(a)は、本発明の検査治具の一実施例を示す部分模式斜視図である。(b)は、本発明の検査治具の一実施例を示す部分模式斜視図をA−A線で切断した部分模式断面図である。
図2(a)〜(g)は、本発明の検査治具の実施例1の製造方法を工程順に示す部分模式断面図である。
図3(a)〜(f)は、本発明の検査治具の実施例2の製造方法を工程順に示す部分模式断面図である。
図4(a)〜(h)は、本発明の検査治具の実施例3の製造方法を工程順に示す部分模式断面図である。
図5(a)は、従来の検査治具の一実施例を示す部分模式斜視図である。(b)は、従来の検査治具の一実施例を示す部分斜視図をB−B線で切断した模式断面図である。(c)は、従来の検査治具50を検査用ソケット40上のシリコンラバー41上に載置して被検査体60を導通検査している状態を示す部分模式断面図である。
図6従来の検査治具50を検査用ソケット40上のシリコンラバー41上に載置して被検査体60を押圧導通検査をしている際検査電極53及び配線層52の一部が絶縁基板51から部分的に剥離した状態を示す部分模式断面図である。

--

0053

10、20、30……検査治具
11……絶縁層
12……第1開口部
13……絶縁基板
14……第2開口部
15……金属基板
16、26、35……導体
16a、26a、36a……検査電極
18、28、36……配線層
21、31……絶縁基板
22、32……絶縁層
23、34……金属基板
24、24a、33……開口部
37……保護層
40……検査用ソケット
41……シリコンラバー
50……従来の検査治具
51……絶縁基板
52……配線層
53……検査電極
60……被検査体
61……電極

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