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技術 半導体製造設備の警報装置

出願人 三星電子株式会社
発明者 林炳基
出願日 1998年12月28日 (21年10ヶ月経過) 出願番号 1998-373342
公開日 2000年5月30日 (20年5ヶ月経過) 公開番号 2000-150331
状態 拒絶査定
技術分野 半導体装置の製造処理一般
主要キーワード 最小限一つ フォトカップラー 移送段階 工程状態 特定設備 黄色ランプ 特定不純物 非反転状態
関連する未来課題
重要な関連分野

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課題

遠距離視覚的に容易に認識することができるランプタワーを設置してイオン注入のような所定半導体製造工程を遂行する製造設備の現在の状態をランプの点灯で確認するように改善させた半導体製造設備警報装置を提供する。

解決手段

特定半導体製造設備の各状態に対する最小限一つ以上の入力信号の入力を受けて論理組合せ論理組合手段10、前記論理組合された結果の入力を受けてランプを駆動するための最小限一つ以上の駆動信号を出力する駆動手段12、14、16、及び前記出力される各駆動信号に一対一対応される数のランプ18、20、22を備え、前記ランプ18、20、22が前記各駆動信号によって製造設備の各状態別区分されるように表示されるランプタワー24を備えてなるし、これで遠距離でも肉眼で各設備工程進行状態が容易に判断されるし、エラー発生時にも容易に対処することができる。

概要

背景

通常、半導体素子製造設備は該当半導体製造工程を順次的に遂行するための最小限一つ以上の工程条件が設定されているし、前記設定された工程条件等によって半導体基板上に所定の膜を順次的に酸化蒸着及びエッチング等を通じて所定の回路パターンに具現するか、前記半導体基板またはその上に形成される所定の膜の中で選択された部分に不純物イオン注入して電気的特性を変化させるかまたはテストをするなど、いくつかの工程がそれぞれの該当設備別に進行される。

このような各該当製造設備で遂行される半導体素子の製造工程において、小さな工程事故は、大きな事故を誘発することができるので、常に工程条件または設備状態等がチェックされているし、このようなチェックされた結果による信号はオンラインを通じてモニタリングシステム転送されて設備のオパレーションパネル工程状態または設備状態をモニタリングするように利用されている。

概要

遠距離視覚的に容易に認識することができるランプタワーを設置してイオン注入のような所定半導体製造工程を遂行する製造設備の現在の状態をランプの点灯で確認するように改善させた半導体製造設備警報装置を提供する。

特定半導体製造設備の各状態に対する最小限一つ以上の入力信号の入力を受けて論理組合せ論理組合手段10、前記論理組合された結果の入力を受けてランプを駆動するための最小限一つ以上の駆動信号を出力する駆動手段12、14、16、及び前記出力される各駆動信号に一対一対応される数のランプ18、20、22を備え、前記ランプ18、20、22が前記各駆動信号によって製造設備の各状態別区分されるように表示されるランプタワー24を備えてなるし、これで遠距離でも肉眼で各設備の工程進行状態が容易に判断されるし、エラー発生時にも容易に対処することができる。

目的

本発明の目的は、所定の半導体工程を遂行する特定製造設備の工程状態または設備状態をオンラインでモニタリングするオパレーションパネルから遠距離でも設備の状態を肉眼で容易に判別することができる半導体製造設備の警報装置を提供することにある。

効果

実績

技術文献被引用数
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牽制数
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請求項1

特定半導体製造設備の各状態に対する最小限一つ以上の入力信号の入力を受けて論理組合せ論理組合手段と、前記論理組合された結果の入力を受けてランプを駆動するための最小限一つ以上の駆動信号を出力する駆動手段と、前記出力される各駆動信号に一対一対応される数のランプを備え、前記ランプが前記各駆動信号によって製造設備の各状態別区分されるように表示されるランプタワーと、を備えることを特徴とする半導体製造設備の警報装置

請求項2

前記論理組合せ手段の出力信号の数と前記駆動手段の駆動部は、前記ランプタワーに設置されるランプの数と一対一対応される数を有することを特徴とする請求項1記載の半導体製造設備の警報装置。

請求項3

前記ランプタワーには異なる色を発光するランプが設置されていることを特徴とする請求項1記載の半導体製造設備の警報装置。

請求項4

前記半導体製造設備の各状態に対する入力信号はフォトカップラーを通じて前記論理組合手段に入力されることを特徴とする請求項1記載の半導体製造設備の警報装置。

請求項5

前記半導体製造設備は、特定の工程が遂行されるウェーハを収容したカセット投入する投入チャンバーと、前記特定工程が進行される工程チャンバーと、前記投入チャンバーと前記工程チャンバーとの間を連結し、前記カセットが移送されて待機するロードロックチャンバーと、を備えることを特徴とする請求項1記載の半導体製造設備の警報装置。

請求項6

前記半導体製造設備は、イオン注入工程が遂行されるイオン注入設備であることを特徴とする請求項5記載の半導体製造設備の警報装置。

請求項7

前記論理組合手段に入力される製造設備の各状態は、前記投入チャンバー内にカセットがないことを示す第1状態と、前記投入チャンバー内にカセットが投入されて存在することを示す第2状態と、前記投入チャンバーから前記カセットが前記ロードロックチャンバーに移送され、前記移送されたカセット内のウェーハが前記工程チャンバーの工程遂行位置にローディングされてイオン注入直前までの状態を示す第3状態と、前記工程遂行位置にローディングされたウェーハ上にイオン注入工程が遂行される第4状態と、前記ウェーハに対するイオン注入工程のエラー発生時、エラー状態を示す第5状態と、前記イオン注入工程が完了されたウェーハが前記ロードロックチャンバーのカセットにアンローディングされた後、前記カセット内の次のウェーハが工程チャンバーにローディングされてイオン注入直前まで待機する状態を示す第6状態と、を含むことを特徴とする請求項5記載の半導体製造設備の警報装置。

請求項8

前記カセットの最後のウェーハに対するイオン注入工程が完了された後から、前記ウェーハが前記ロードロックチャンバーに待機するカセットに移送された後、前記カセットが前記投入チャンバーに移送されるまでの状態を示す第7状態をさらに含むことを特徴とする請求項7記載の半導体製造設備の警報装置。

請求項9

前記第3状態、第6状態及び第7状態に対する入力信号は同一で、それに対応する前記ランプタワーのランプが同一に表示されることを特徴とする請求項8記載の前記半導体製造設備の警報装置。

請求項10

前記各状態に対して各4つの入力信号が入力されることを特徴とする請求項7記載の半導体製造設備の警報装置。

請求項11

前記4つの入力信号は、前記第3状態、第4状態、及び第6状態時、発生するスタート信号と、前記第2状態、第3状態、第4状態、第5状態及び第6状態時、発生する準備信号と、前記第1状態及び第4状態時、発生する再駆動信号と、前記第1状態、第2状態、及び第5状態時、発生する待機信号と、からなることを特徴とする請求項10記載の半導体製造設備の警報装置。

請求項12

前記ランプタワーには、異なる色を発光する3つのランプが設置されていることを特徴とする請求項10記載の半導体製造設備の警報装置。

請求項13

前記3つのランプは各赤色、緑色及び黄色の色で、前記第3状態乃至第6状態時、前記緑色のランプが継続点灯されていることを特徴とする請求項12記載の半導体製造設備の警報装置。

請求項14

前記第5状態になると、前記緑色のランプが点灯していると同時に前記赤色のランプも同時に点灯されることを特徴とする請求項13記載の半導体製造設備の警報装置。

請求項15

前記赤色のランプに連結された駆動信号を出力する、前記論理組合手段の論理組合された結果に対して所定の周波数を有するパルス信号を組合せて前記赤色のランプが点滅されるようにブランキング動作を遂行することを特徴とする請求項14記載の半導体製造設備の警報装置。

技術分野

0001

本発明は、半導体製造設備警報装置に関するもので、より詳しくは遠距離から容易に視覚的に認識することができるランプタワーを設置してイオン注入のような所定の半導体製造工程を遂行する設備の現在の状態を点灯で確認するように改善させた半導体製造設備の警報装置に関するものである。

背景技術

0002

通常、半導体素子製造設備は該当半導体製造工程を順次的に遂行するための最小限一つ以上の工程条件が設定されているし、前記設定された工程条件等によって半導体基板上に所定の膜を順次的に酸化蒸着及びエッチング等を通じて所定の回路パターンに具現するか、前記半導体基板またはその上に形成される所定の膜の中で選択された部分に不純物をイオン注入して電気的特性を変化させるかまたはテストをするなど、いくつかの工程がそれぞれの該当設備別に進行される。

0003

このような各該当製造設備で遂行される半導体素子の製造工程において、小さな工程事故は、大きな事故を誘発することができるので、常に工程条件または設備状態等がチェックされているし、このようなチェックされた結果による信号はオンラインを通じてモニタリングシステム転送されて設備のオパレーションパネル工程状態または設備状態をモニタリングするように利用されている。

発明が解決しようとする課題

0004

しかし、前述したオンライン状態のモニタリングシステムを通じて製造設備での進行される工程状態や設備状態をオパレーションパネルで全て確認することができるが、作業者がオパレーションパネルからちょっと離れても設備状態を正確に識別することができないという問題点がある。

0005

特に、作業者が設備の点検等のためにオパレーションパネルから遠距離に位置している間に設備のエラーが発生した場合、これを作業者が迅速に認知することができないので、エラー状態持続されて不良品が多く発生されるか、設備の故障を招来することができる。

0006

これを改善するために設備のエラーが発生した場合、警報音を発生させることもできるが、設備の周囲の騒音によりアラーム音を容易に聞くことができないし、設備のエラー以外にも設備の多様な進行状態を識別するには効果的な方法ではなかった。従って、オパレーションパネルから離れた遠距離でも設備の進行状態を肉眼で容易に識別することができる警報装置が要求される。

0007

本発明の目的は、所定の半導体工程を遂行する特定製造設備の工程状態または設備状態をオンラインでモニタリングするオパレーションパネルから遠距離でも設備の状態を肉眼で容易に判別することができる半導体製造設備の警報装置を提供することにある。

課題を解決するための手段

0008

前記の目的を達成するための半導体製造設備の警報装置は、特定半導体製造設備の各状態に対する最小限一つ以上の入力信号の入力を受けて論理組合せ論理組合手段を備える。

0009

前記論理組合された結果は駆動手段に入力されてランプを駆動するための最小限一つ以上の駆動信号に出力するようになり、前記出力される各駆動信号はそれに一対一対応される数のランプを駆動させるし、前記ランプはランプタワーに設置されて前記各駆動信号によって製造設備の各状態別区分されるように表示される。

0010

前記論理組合せ手段の出力信号の数と前記駆動手段の駆動部は、前記ランプタワーに設置されるランプの数と一対一対応される数を有し、前記ランプは異なる色を発光するように設置される。

0011

好ましくは、前記半導体製造設備の各入力信号は製造設備と警報装置との干渉を防ぐために入出力間電気的に絶縁することができるフォトカップラー(photocoupler)を通じて前記警報装置の論理組合手段に入力されるように構成される。

0012

本発明の警報装置が適用される前記半導体製造設備は、基本的に特定工程が遂行されるウェーハを収容したカセット投入する投入チャンバーと、前記特定工程が進行される工程チャンバー及び前記投入チャンバーと工程チャンバーの間を連結しながら、前記カセットが移送されて待機するロードロックチャンバーを含む。

発明を実施するための最良の形態

0013

以下、本発明の具体的な実施例を添付した図面を参照に詳しく説明する。本発明は作業者が半導体製造設備の状態をオパレーションパネルから遠距離からも肉眼で容易に識別することができるようにランプタワーを設置し、ランプタワーの各ランプの点灯が前記製造設備の各状態別に異なるように表示されるように論理回路を構成することである。

0014

従って、本発明は半導体素子の製造工程に含まれる多様な工程など、例えば、酸化工程、蒸着工程、写真工程、エッチング工程、イオン注入工程及び拡散工程などのウェーハ処理工程に適用されることだけではなく、さらにウェーハ処理工程前の単結晶ウェーハ製造工程及びウェーハの処理工程(fabrication)を遂行した後のウェーハに対する検査、切断、ボンディング組立工程などに全般的に適用することができる。

0015

本発明の警報装置の実施例は半導体製造設備の中でイオン注入設備に対して適用した場合を表すし、バリアン(Varian)社のイオン注入装置モデル名:VARIAN 350D/300XP)を使用した。 イオン注入装置は基本的に半導体ウェーハ上に特定電荷を有する不純物イオン注入して不純物注入部分の電気的特性を変化させる装置で、イオンソースから発生された不純物イオンを抽出し、これを質量分析器を通過させることで好ましい質量を有する特定不純物イオンのみを選択して加速させた後、イオン注入工程が遂行される工程チャンバー内に位置したエンドステーション上のウェーハ上に加速注入することである。

0016

この際、前記工程チャンバーは特定の真空状態に維持され、前記工程チャンバーへの工程遂行するウェーハのローディング及びアンローディングを効果的に遂行するためにウェーハを待機させるロードロックチャンバーを連結される。

0017

図1は、本発明の一実施例を適用したイオン注入設備の各チャンバーを示す概略図である。図1を参照すると、イオン注入工程が遂行されるウェーハが位置することができる工程チャンバー8にはロードロックチャンバー6が連結されているし、前記ロードロックチャンバー6にはウェーハが収容されたカセットが作業者によって出入口2を通じて投入される投入チャンバー4が連結されている。

0018

前記投入チャンバー4とロードロックチャンバー6の間及び前記ロードロックチャンバー6と工程チャンバー8の間にはゲートが形成されているし、前記各チャンバーにはウェーハの移送を円滑に遂行するために各真空ライン(図示しない)が設置されている。

0019

図1を参照してイオン注入工程前後のウェーハの移送段階を基準に区分される設備の状態を示すと次のようである。
1)第1状態(カセットなし):投入チャンバー4内に工程遂行されるウェーハが収容されたカセットが投入されない状態を示す。

0020

2)第2状態(カセットロード):投入チャンバー4内に前記カセットが投入されて存在する状態を示す。
3)第3状態(ローディング):投入チャンバー4内に存在するカセットが移送手段によってロードロックチャンバー6に移送され、継続してカセットに収容されたウェーハが工程チャンバー8にローディングされてイオン注入直前まで継続される状態を示す。

0021

4)第4状態(イオン注入):工程チャンバー8内でウェーハに対するイオン注入工程が進行される状態を示す。
5)第5状態(イオン注入エラー):イオン注入工程遂行中、イオン注入エラーが発生された状態を示す。

0022

6)第6状態(イオン注入待機):一つのウェーハに対してイオン注入工程が完了された後、次のウェーハに対するイオン注入工程が遂行される直前までの状態を示す。

0023

前記第1乃至第6状態以外にも前記第3状態と反対になる過程で、最後のウェーハに対するイオン注入工程が完了された後から、ウェーハがロードロックチャンバー6内に位置しているカセットにアンローディングされた後、前記カセットが投入チャンバー4内に移送されるまでの状態を第7状態(アンローディング)に区分して示すこともできる。

0024

ここで、前記第7状態(アンローディング)は前記第3状態(ローディング)と反対過程の状態を示すことで、第7状態を別途の設備状態に区分しないで、第3状態に含むこともできる。また、前記第3状態およぼい第7状態を前記第6状態と共に全てイオン注入が遂行されない(イオン注入エラーを示す第5状態は除外する)イオン注入待機状態、即ち第6状態と同一である状態に含めて区分することもできる。)

0025

これは作業者が前記投入チャンバー4にカセットを投入させた後、イオン注入工程を遂行するためにオパレーションパネルでスタートタンを押すと、前記第3状態(ローディング)から連続してイオン注入工程が遂行されるので、作業者がオパレーションパネルから遠距離に位置しても作業者は以後のイオン注入設備の工程及び設備状態中、大きくイオン注入が行われないイオン注入待機状態、イオン注入工程が進行されるイオン注入状態及びイオン注入工程中エラーが発生した場合のイオン注入エラー状態のみを識別することができると十分である。

0026

以上で説明した設備状態の区分はイオン注入設備に対する一つの実施例に過ぎないし、同一なイオン注入設備に対してもより多くのまたはより少ない数の設備状態に区分することができることは当然なことで、さらにイオン注入設備以外の他の半導体製造設備に対してはその製造設備とその製造設備で遂行される製造工程の特性によって多様な工程状態及び設備状態に区分することができることは勿論である。

0027

本発明の実施例を適用したイオン注入装置では、前記各設備状態、例えば、第1乃至第6状態を表すために4つの入力信号を設定した。即ち、本発明の実施例では前記4つの入力信号を組合せて6つの設備の状態を前記ランプタワーに設置された他の色に発光する3つのランプに区分されるように表示した。

0028

しかし、本発明の思想は前記実施例に局限されなく、入力信号の数、設備状態の数及びランプの数などは任意に設定することができる。前記第1乃至第6状態に対する4つの入力信号の波形図と真理表(truthtable)を図3に表示した。

0029

図3を参照すると、前記入力信号スタート信号Aはイオン注入設備でイオン注入工程のためにカセットをローディングする時やイオン注入中に発生する信号で、前記第3状態、第4状態及び第6状態時、発生(図3の波形図でローレベル)する。次に準備信号Bは設備でいつも作業をすることができる場合発生する信号で、前記第2状態、第3状態、第4状態、第5状態及び第6状態時発生する。

0030

次に再駆動信号Cは設備が作業を完了した後、次の作業が進行されることができることを示す信号で、前記第1状態及び第4状態時発生する。次に待機信号Dは設備が、作業途中エラーが発生して再スタートを要求する時発生される信号で、前記第1状態、第2状態及び第5状態時発生する。

0031

図3で真理表は各入力信号の波形図でハイレベルは“1”に、ローレベルは“0”で表示されていることが分かる。図2は、本発明の実施例による半導体製造設備の警報装置を示す概略図で、大きく入力部、論理組合部10、駆動部12、14、16及びランプタワー24で構成される。

0032

入力部は、前記図3の4つの入力信号A−Dが入力される部分で、本発明の実施例を適用したイオン注入設備のオパレーションパネルにモニタリングされる電気的信号の入力を受けることもできるが、好ましくは補助装置である本発明の警報装置からの干渉信号が逆流して主な装置であるイオン注入設備の信号障害による誤動作を招来することを防ぐためにフォトカップラー(Photocoupler,図示しない)を入力部に設置して電気的絶縁を図ることもできる。

0033

前記フォトカップラーは電気的信号を発光ダイオードによって光信号に変換して送信し、受信した光信号はフォトトランジスターによって電気的信号に復元される。

0034

論理組合部10は、前記入力部を通じて入力された各設備状態に対する入力信号を組合せて現在の工程及び設備状態に対して判断を遂行するように構成されている。前記論理組合部10内には組合器34が構成されているし、前記組合器34には前記入力部から各設備状態による入力信号A−Dがそれぞれ非反転状態A1,B1,C1,D1またはインバータ26、28、30、32を経て反転状態A2,B2,C2,D2にそれぞれ入力されるように構成されているし、図3での出力信号のような結果を得るための論理組合動作を遂行するように構成されている。

0035

即ち、前記各設備状態に対する入力信号A,B,C,Dが各非反転または反転状態に入力された後、前記組合器34で論理組合された後、3つの区分される形態に出力端Q1,Q2,Q3を通じて出力するようになる。

0036

前記組合器34から論理組合された各出力信号は各出力端Q1,Q2,Q3と各一対一に内応する3つの駆動部12、14、16に出力されるし、各駆動部12、14、16はランプタワー24にやはり前記各駆動部と一対一対応して設置された3つのランプ18、20、22をそれぞれ駆動させるための駆動信号を出力するようになる。

0037

より詳しくは、前記製造設備の特定設備状態に対して組合器34に入力された入力信号を論理判断した結果が、第1出力端Q1を通じて第1駆動部12を経た後、前記ランプタワー24内の、例えば、黄色を発光する第1ランプ18を駆動する駆動信号を出力するようになり、第2出力端Q2を通じて第2駆動部14を経た後、緑色を発光する第2ランプ20を駆動する駆動信号を出力するようになり、第3出力端Q3を通じて第3駆動部16を経た後、赤色を発光する第3ランプ22を駆動する駆動信号を出力するようになる。

0038

この際、ランプタワー24の各ランプ18、20、22は前記各駆動部12、14、16の駆動信号によって点灯及び消灯動作を遂行する。即ち、組合器34は、前記各ランプ18、20、22を点灯するために、ローレベル信号が各該当する出力端Q1,Q2,Q3から該当する各駆動部12、14、16に与えられ、各駆動部12、14、16は各該当するランプ18、20、22にハイレベルの駆動信号を出力して各ランプ18、20、22を点灯させる。

0039

反対に、組合器34は前記各ランプ18、20、22を消灯するために、ハイレベル信号が各該当する出力端Q1,Q2,Q3から該当する各駆動部12、14、16に与えられ、各駆動部12、14、16は各該当するランプ18、20、22にローレベルの駆動信号を出力して各ランプ18、20、22を消灯させる。

0040

例えば、イオン注入状態を示す第4状態に対して説明すると、設備状態が第4状態になり、図3に表示されたように黄色を発光する第1ランプ18がオン(ON)され、緑色を発光する第2ランプ20がオン(ON)されるし、赤色を発光する第3ランプ22がオフ(OFF)されるために、前記組合器34に入力信号“A”には“0”,“B”には“0”、“C”には“0”及び“D”には“1”の信号が入力される。

0041

続いて、前記組合器34での論理組合結果、各ランプに対応する第1出力端Q1及び第2出力端Q2がローレベル状態に、第3出力端Q3はハイレベル状態に決定されるし、前記第1駆動部12及び第2駆動部14に各ローレベル信号が、第3駆動部16にはハイレベル信号が各与えられるようにする。

0042

ローレベル信号の入力を受けた前記第1駆動部12及び第2駆動部14は各第1ランプ18及び第2ランプ20にハイレベルの駆動信号を出力して第1ランプ18及び第2ランプ20を各点灯させるし(ON),ハイレベル信号の入力を受けた前記第3駆動部16はローレベルの駆動信号を出力して第3ランプ22を消灯させる(OFF)。

0043

一方、前述した第4状態ではない、第1状態、第2状態、第3状態、第5状態及び第6状態に対しても図3に表示されたように各状態に該当する入力信号(A乃至D)が入力された後、前述した過程を通じて各該当するランプを点灯または消灯させるようになる。

0044

一方、前記ランプタワー24内の特定ランプ点滅動作させるために、例えば、前記組合器34の第3出力端Q3には所定の周波数を有するパルス信号BLKを第3出力端Q3の出力信号と組合せるためのオアーゲート36を構成し、前記第3ランプ22を点滅動作させるためのブランキング信号を第3駆動部16に与えることもできる。勿論、全体ランプに対しても同一な原理によって点灯ではない点滅動作を遂行するように構成させることができることは当然である。

0045

一方、図3の出力信号で表れた各ランプの点灯または消灯状態の選択と、各ランプの色の選択は設計者の意図下で任意に決定することができる。本実施例ではイオン注入設備で遂行される工程の性質上、通常作業者がオパレーションパネルで第1及び第2状態を確認した後、イオン注入設備のスタートボタンを押してイオン注入作業を始まるようになり、スタートボタンの動作とともに設備状態は第3状態に移行され、この後には作業者はカセットに収容された全体のウェーハ、例えば、25枚に対してイオン注入工程が遂行される間に設備の現場点検などのためにオパレーションパネルから遠距離に位置するようになる場合が発生する。

0046

従って、本発明の実施例では主に第3状態以後遠距離でも作業者がイオン注入設備の工程及び設備状態を肉眼で容易に識別することで十分なので、ランプタワーで図3でのように第1状態及び第2状態に対する表示無しに単純化して第3状態、第4状態、第5状態及び第6状態のみを前記3つの異なる色に発光するランプで区分されるように表示することもできる。

0047

本実施例では、前述したようにイオン注入工程の第3状態乃至第6状態の過程で、前記第3状態と第6状態を、イオン注入状態(第4状態)とイオン注入エラー状態(第5状態)だけが区分されても警報機能を十分に遂行することができると考えられるので、ランプタワーで同一な色のランプが発光されるように構成した。一方、本実施例で実質的にイオン注入工程が遂行される前の第1及び第2状態は緑色のランプ20が消灯されるし、イオン注入工程が始まった第3状態から第6状態に至るまでは緑色のランプ20が継続に点灯されるようにしたし、緑色のランプ20が点灯された状態でウェーハ上に実質的なイオン注入工程が遂行される場合には黄色ランプ18が追加に点灯されるようにしたし、イオン注入エラーが発生すると黄色ランプ18は消灯され、通常的に非常状態を知らせる赤色ランプ22が点灯されるように構成した。

0048

特に、本実施例ではイオン注入エラー状態(第5状態)時、作業者の迅速な措置がとても重要であるので前述したように赤色ランプ22は点滅動作を遂行できるように構成した。

0049

以上の実施例に対して説明したように、本実施例では半導体製造工程中イオン注入設備において、工程遂行のためのウェーハのローディング及びアンローディングに関して工程及び設備状態を第1乃至第6状態に区分し、各設備状態に対して4つの入力信号A,B,C,Dを通じて3つの区別されるランプ18、20、22のみで識別されるように構成した。

0050

しかし、本発明の思想は前記実施例に限定されないし、本発明の思想が及ぶ範囲内で半導体製造工程を遂行するための多様な製造設備に適用することができるし、各製造設備の特性に合うように警報機能を充足させる範囲内で適切な数の工程及び設備状態を設定することができるし、入力信号の数及び波形とそれに対応するランプの数及び色も多様に選択することができる。

発明の効果

0051

従って、本発明によると作業者が製造設備のオパレーションパネルから遠距離に位置しても現場で肉眼で海区設備の状態を判断して、緊急な場合にも迅速に措置が行われることができるので、設備の稼動率極大化して工程の安全性が図られ、これによって収率が上昇される効果がある。

0052

以上で本発明は記載された具体例に対してのみ詳しく説明されたが、本発明の技術思想範囲内で多様な変形及び修正が可能であることは当業者にとって明白なことであり、このような変形及び修正が添付された特許請求の範囲に属することは当然なことである。

図面の簡単な説明

0053

図1本発明の一実施例を適用したイオン注入設備の各チャンバーを示す概略図である。
図2本発明による半導体製造設備の警報装置の好ましい実施例を示すブロック図である。
図3本発明の一実施例を適用したイオン注入設備の各設備状態に対して入力される各入力信号とそれによるランプタワーの表示結果を示す図面である。

--

0054

2出入口
4投入チャンバー
6ロードロックチャンバー
8工程チャンバー
10論理組合部
12、14、16 駆動部
18、20、22ランプ
24 ランプタワー
26、28、30、32インバータ
34 組合器
36オアー(OR)ゲート

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  • 東京エレクトロン株式会社の「 接合システム、および接合方法」が 公開されました。( 2020/09/24)

    【課題】接合時に第1基板と第2基板との間に空隙が発生することを抑制できる、技術を提供する。【解決手段】第1基板の接合面および第2基板の接合面を改質する表面改質装置と、前記改質した前記第1基板の前記接合... 詳細

  • 東芝メモリ株式会社の「 半導体装置の製造方法および半導体装置」が 公開されました。( 2020/09/24)

    【課題】接合前の基板の剥離を抑制すること。【解決手段】実施形態の半導体装置の製造方法は、第1の基板の外周部を除く領域に第1の剥離層を形成し、第1の剥離層の上方に第1の半導体回路を形成し、第2の基板上に... 詳細

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