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技術 リフロー炉内のハンダバンプの温度制御方法およびリフロー炉

出願人 富士通株式会社
発明者 山岡伸嘉
出願日 1997年10月20日 (22年5ヶ月経過) 出願番号 1997-287462
公開日 1999年5月11日 (20年10ヶ月経過) 公開番号 1999-123539
状態 特許登録済
技術分野 はんだ付・ろう付 溶融はんだ付 印刷回路に対する電気部品等の電気的接続 温度の制御
主要キーワード 重り部分 解析温度 窒化アルミニュウム ショート現象 対流速度 収納治具 材料物性値 温度解析
関連する未来課題
重要な関連分野

この項目の情報は公開日時点(1999年5月11日)のものです。
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図面 (13)

目的

半導体素子基板実装したマルチチップモジュールの、ハンダバンプの潰れ量が同じ半導体素子設けられたもの同士で異なることに起因して半導体素子が傾くのを防止するために、リフロー炉の条件を決定する方法に関し、

構成

搬送ベルトリフロー炉内を搬送される方向に対して、前方と後方の双方のハンダバンプの時間的な温度解析を行い、双方のハンダ溶融温度に達する時間やハンダ溶融温度を維持する時間が近接するようにリフロー炉の条件を設定する。

概要

背景

図11は半導体素子基板実装するためにハンダを加熱するリフロー炉概要を示す図である。BGAあるいはCSPと呼ばれるパッケージ部品ベアチップからなる半導体素子1の端子には図に示すようにハンダバンプが2が形成され、基板3に位置決めされ実装される。基板3は例えばカーボンで形成された収納治具4に収められ搬送ベルトに乗せられる。また、ハンダバンプ2によって確実に接続されるように、ハンダバンプ2の溶融時にハンダバンプ2が潰れるように、半導体素子1の上には1バンプ当たり数mgの荷重がかかる重さの重り5が乗せられる。このようにして基板3と半導体素子1はリフロー炉6内を搬送ベルトよって搬送されリフロー炉6内の気体の熱によって加熱され、その熱がハンダバンプ2に伝達してハンダバンプ2が溶融し半導体素子1と基板3が接続される。リフロー炉6内の温度は図に示すように例えば6つの領域で異なる温度に設定されている。この温度はリフロー炉の入り口側から中へ進むにしたがって高く設定されており、また、出口部分で再度低くなるよう設定されている。入口側の領域は予熱領域と呼ばれ、半導体素子1を含む複数ある実装部品をハンダにより一括して実装するためのハンダを実装部品が異なっても均一な温度になるように設定されている。また、その次の領域はリフロー領域と呼ばれハンダが溶けるような温度に設定されている。この6つの領域の温度をそれぞれR1,R2,R3,R4,R5,R6とすると、それぞれの温度の関係はR1<R6<R2<R3=R5<R4に設定される。また、ハンダバンプが高Pbハンダとすれば、溶融温度が310°C付近であるので、R1は溶融温度の直前の温度である300°C付近に、R2は400°C付近に、R6は溶融後の温度である350°C付近に設定される。

概要

半導体素子を基板に実装したマルチチップモジュールの、ハンダバンプの潰れ量が同じ半導体素子設けられたもの同士で異なることに起因して半導体素子が傾くのを防止するために、リフロー炉の条件を決定する方法に関し、

搬送ベルトでリフロー炉内を搬送される方向に対して、前方と後方の双方のハンダバンプの時間的な温度解析を行い、双方のハンダ溶融温度に達する時間やハンダ溶融温度を維持する時間が近接するようにリフロー炉の条件を設定する。

目的

ハンダバンプが溶融温度に到達すると、時間が経過するつれてハンダバンプの潰れ量が増大し半導体素子の沈み量が大きくなると考えられる。そして、この状態が必要以上に発生すると、ハンダバンプが横方向へ拡散し隣接するハンダバンプ同士が融合しショート現象が発生するものと考えられる。本発明は半導体素子を基板に接続するための複数のハンダバンプの潰れ量が、単一の半導体素子内で異なることによって生じる接合不良を解消することを目的とする。

効果

実績

技術文献被引用数
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牽制数
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請求項1

半導体素子ハンダバンプを介して基板に搭載し、該基板を移動しながらリフロー炉内投入して該半導体素子の実装を行うにあたり、温度解析によって該リフロー炉熱伝達率を設定して該半導体素子を実装する方法において、前記半導体素子を固定するハンダバンプの前記移動する方向の前方と後方との温度を前記温度解析により求める温度解析ステップを有し、前記温度解析ステップは、前記半導体素子の周囲から前記半導体素子へ伝達する熱伝達率を変更して解析し、前記解析結果から、前記前方と後方とのハンダバンプの温度がハンダ溶融温度を越えている時間の差が少ないか、前記前方と後方とのハンダバンプの温度がハンダの溶融温に到達する時間の差が少ない熱伝達係数を求め、前記求めた熱伝達率に基づいて、リフロー炉内の熱伝達率を設定してハンダバンプの温度を制御することを特徴とするリフロー炉内のハンダバンプの温度制御方法

請求項2

前記リフロー炉内の熱伝達率は、前記リフロー炉内の気体対流を生じさせる対流機構を設け、該対流速度を制御することで設定されることを特徴とする請求項1記載のリフロー炉内のハンダバンプの温度制御方法。

請求項3

前記リフロー炉内の熱伝達率は、ハンダバンプが溶融する前の領域である予熱領域で高く設定され、ハンダバンプが溶融する領域であるリフロー領域で前記余熱領域よりも低く設定されることを特徴とする請求項2記載のリフロー炉内のハンダバンプの温度制御方法。

請求項4

半導体素子をハンダバンプを介して基板に搭載し、該基板を移動しながらリフロー炉内へ投入して該半導体素子の実装を行うにあたり、温度解析によって治具を選択して該半導体素子を実装する方法において、前記半導体素子を固定するハンダバンプの前記移動する方向の前方と後方との温度を前記温度解析により求める温度解析ステップを有し、前記温度解析ステップは、前記治具の形状および物性値のデータを変更して解析し、前記解析結果から、前記前方と後方とのハンダバンプの温度がハンダの溶融温度を越えている時間の差が少ないか、前記前方と後方とのハンダバンプの温度がハンダの溶融温度に到達する時間の差が少ない治具を求め、前記求めた治具を用いてハンダバンプの温度を制御することを特徴とするリフロー炉内のハンダバンプの温度制御方法。

請求項5

前記治具は前記半導体素子に乗せる重りであり、該重りの熱容量を変更することで、前記時間の差を少なくすることを特徴とする請求項4記載のリフロー炉内のハンダバンプの温度制御方法。

請求項6

前記治具は前記半導体素子に乗せる重りであり、該重りの形状をフィン形状として該重りの表面積を変更して熱伝達率の変更を可能としたものであり、該重りを変更することで、前記時間の差を少なくすることを特徴とする請求項4記載のリフロー炉内のハンダバンプの温度制御方法。

請求項7

前記治具は前記基板を収納する収納治具であり、該収納治具の熱容量を変更することで、前記時間の差を少なくすることを特徴とする請求項4記載のリフロー炉内のハンダバンプの温度制御方法。

請求項8

前記治具は前記基板を収納する収納治具および前記基板を覆うカバーであり、該カバーは前記半導体素子に乗せる重り部分に開口を有することを特徴とする請求項4記載のリフロー炉内のハンダバンプの温度制御方法。

請求項9

半導体素子をハンダバンプを介して基板に搭載し、該基板を移動させながら投入して該半導体素子の実装を行うリフロー炉であって、前記リフロー炉は、複数の領域で異なる温度設定がなされており、該領域毎に異なる対流を生じさせる対流機構を設けたことを特徴とするリフロー炉。

技術分野

0001

本発明は、半導体素子基板実装するリフロー炉の条件を決定する方法に関し、特に、ハンダバンプ溶融偏りを防止する方法に関する。

背景技術

0002

図11は半導体素子を基板に実装するためにハンダを加熱するリフロー炉の概要を示す図である。BGAあるいはCSPと呼ばれるパッケージ部品ベアチップからなる半導体素子1の端子には図に示すようにハンダバンプが2が形成され、基板3に位置決めされ実装される。基板3は例えばカーボンで形成された収納治具4に収められ搬送ベルトに乗せられる。また、ハンダバンプ2によって確実に接続されるように、ハンダバンプ2の溶融時にハンダバンプ2が潰れるように、半導体素子1の上には1バンプ当たり数mgの荷重がかかる重さの重り5が乗せられる。このようにして基板3と半導体素子1はリフロー炉6内を搬送ベルトよって搬送されリフロー炉6内の気体の熱によって加熱され、その熱がハンダバンプ2に伝達してハンダバンプ2が溶融し半導体素子1と基板3が接続される。リフロー炉6内の温度は図に示すように例えば6つの領域で異なる温度に設定されている。この温度はリフロー炉の入り口側から中へ進むにしたがって高く設定されており、また、出口部分で再度低くなるよう設定されている。入口側の領域は予熱領域と呼ばれ、半導体素子1を含む複数ある実装部品をハンダにより一括して実装するためのハンダを実装部品が異なっても均一な温度になるように設定されている。また、その次の領域はリフロー領域と呼ばれハンダが溶けるような温度に設定されている。この6つの領域の温度をそれぞれR1,R2,R3,R4,R5,R6とすると、それぞれの温度の関係はR1<R6<R2<R3=R5<R4に設定される。また、ハンダバンプが高Pbハンダとすれば、溶融温度が310°C付近であるので、R1は溶融温度の直前の温度である300°C付近に、R2は400°C付近に、R6は溶融後の温度である350°C付近に設定される。

発明が解決しようとする課題

0003

このようにハンダが適宜溶けるように温度設定しても、ハンダバンプの接続部でのショート現象が発生する場合がある。この現象を1つの半導体素子の各ハンダバンプ毎に統計をとった所、リフロー炉での進行方向の前寄りのハンダバンプで多く起こっていることを突き止めた。つまり、図12で示すように、収納治具4に収納された基板3にハンダバンプ2を介して搭載された半導体素子1は、(a)に示すとおり図中右側へ搬送される。すると、(b)の示す通り半導体素子1が正規の搭載位置1’よりも沈んだ位置に搭載されてしまう。しかも、この時に、進行方向の前方である図中右側のハンダバンプの潰れ量が大きいのである。

0004

この現象を詳しく解析するにあたり、まず炉内の温度履歴を取り、米国のHKS社の有限要素法汎用解析プログラムである製品名ABAQUSを用いて温度解析を行った。その解析を行う時に、同一の半導体素子に設けられる複数のハンダバンプの内、リフロー炉での進行方向の前方のハンダバンプと後方のハンダバンプとで温度履歴に時間的な差が生じることを発見した。

0005

ハンダバンプが溶融温度に到達すると、時間が経過するつれてハンダバンプの潰れ量が増大し半導体素子の沈み量が大きくなると考えられる。そして、この状態が必要以上に発生すると、ハンダバンプが横方向へ拡散し隣接するハンダバンプ同士が融合しショート現象が発生するものと考えられる。本発明は半導体素子を基板に接続するための複数のハンダバンプの潰れ量が、単一の半導体素子内で異なることによって生じる接合不良を解消することを目的とする。

課題を解決するための手段

0006

本発明は、リフロー炉の条件設定を行うに当たり、実装される単一の半導体素子の複数のハンダバンプの内、リフロー炉での進行方向の前方と後方とのハンダバンプの双方の温度履歴を解析することで、最適な温度制御を可能とするものである。

0007

本発明の第一の方法は、半導体素子をハンダバンプを介して基板に搭載し、基板を移動しながらリフロー炉内投入して半導体素子の実装を行うにあたり、温度解析によってリフロー炉の熱伝達率を設定して半導体素子を実装する方法において、半導体素子を固定するハンダバンプの移動する方向の前方と後方との温度を温度解析により求める温度解析ステップを有し、温度解析ステップは、半導体素子の周囲から半導体素子へ伝達する熱伝達率を変更して解析し、解析結果から、前方と後方とのハンダバンプの温度がハンダの溶融温度を越えている時間の差が少ないか、前方と後方とのハンダバンプの温度がハンダの溶融温度に到達する時間の差が少ない熱伝達係数を求め、求めた熱伝達率に基づいて、リフロー炉内の熱伝達率を設定してハンダバンプの温度を制御する。

0008

リフロー炉内の熱伝達率は、リフロー炉内の気体に対流を生じさせる対流機構を設け、該対流速度を制御することで設定される。リフロー炉内の熱伝達率は、ハンダバンプが溶融する前の領域である予熱領域で高く設定され、ハンダバンプが溶融する領域であるリフロー領域で予熱領域よりも低く設定される。

0009

本発明の第二の方法は、半導体素子をハンダバンプを介して基板に搭載し、基板を移動しながらリフロー炉内へ投入して半導体素子の実装を行うにあたり、温度解析によって治具を選択して該半導体素子を実装する方法において、半導体素子を固定するハンダバンプの移動する方向の前方と後方との温度を温度解析により求める温度解析ステップを有し、温度解析ステップは、治具の形状および物性値のデータを変更して解析し、解析結果から、前方と後方とのハンダバンプの温度がハンダの溶融温度を越えている時間の差が少ないか、前方と後方とのハンダバンプの温度がハンダの溶融温度に到達する時間の差が少ない治具を求め、求めた治具を用いてハンダバンプの温度を制御する。

0010

治具は半導体素子に乗せる重りであり、重りの熱容量を変更することで、時間の差を少なくする。治具は半導体素子に乗せる重りであり、重りの形状をフィン形状として重りの表面積を変更して熱伝達率の変更を可能としたものであり、重りを変更することで、時間の差を少なくする。

0011

治具は基板を収納する収納治具であり、収納治具の熱容量を変更することで、時間の差を少なくする。治具は基板を収納する収納治具および基板を覆うカバーであり、カバーは半導体素子に乗せる重り部分に開口を有する。以上の方法によりリフロー炉内を移動する基板と半導体素子を接続するハンダバンプの前方と後方で、ハンダバンプが溶融温度に達する時間の差が少なくなり、同一素子における複数のハンダバンプの潰れる量をほぼ等しくすることができる。

0012

半導体素子をハンダバンプを介して基板に搭載し、基板を移動させながら投入して半導体素子の実装を行うリフロー炉であって、本発明のリフロー炉は、複数の領域で異なる温度設定がなされており、領域毎に異なる対流を生じさせる対流機構を設けてなる。以上の構成によりリフロー炉によって固定される半導体素子の前方と後方とのハンダバンプで、ハンダバンプが溶融温度に達する時間の差を少なくする制御の幅が広がり、基板の製造性が向上する。

発明を実施するための最良の形態

0013

図1は、本発明によるハンダバンプの温度を制御する方法を示す図である。ステップ101で、半導体素子を固定するハンダバンプの移動する方向の前方と後方との温度を温度解析により求める。ステップ102で設定条件を変更し、ステップ101で再度温度解析を行う。数回温度解析を行い、その後ステップ103でリフロー炉内の条件を変更する。ステップ101により求めた温度解析結果から、前方と後方とのハンダバンプの温度がハンダの溶融温度を越えている時間の差が少ないか、前方と後方とのハンダバンプの温度がハンダの溶融温度に到達する時間の差が少ないものを選び、ステップ102で変更した条件に基づいてリフロー炉の条件を設定する。

0014

図2は本発明による方法を適用するための解析に用いた半導体素子と基板とからなる回路モジュール(以下MCMと称する)と治具を示す図である。また、それぞれの物質の物性値を表1に示す。

0015

0016

半導体素子1はベアチップであり、ハンダバンプ2を介して基板3に搭載されている。基板3は収納治具4に収められ、半導体素子1の上には、重り5が乗せられている。基板3の表面の薄膜回路を形成するポリイミド膜がある。表1からわかるように半導体素子1はシリコンで形成されており、ハンダバンプ2は高Pbハンダで形成されており、基板3は窒化アルミニュウムで形成されており、ポリイミド膜8は大部分がポリイミドで形成されており、収納治具4はカーボンで形成されており、重りはステンレスであるSUS405で形成されている。

0017

このような構造と物性および炉内条件がわかれば、有限要素法汎用解析プログラム(例えば、米国HKS社の商品名「ABAQUS」)を用いて温度解析を行うことができる。このプログラム図2で示す形状データと、表1で示す材料物性値と、周囲温度である炉内の温度と、熱伝達率を入力する。なお、流体固体境界の熱伝達率は式1から求められる。

0018

q=h(Ta−Tm)・・・(1)
式1中のhは熱伝達率,qは熱流速であり、単位面積を通る熱量,Taは固体の表面温度,Tmは流体の平均温度である。つまり、q,Ta,Tmを求めることで熱伝達率hが求められる。半導体素子に既知電圧加え、既知の電流を流して発熱量がわかる状態にしておき、重りの表面等の固体の温度を測定することで放熱量が求められ、その放熱量を表面積で割ることで熱流速qを求められる。また、Taは重りの表面の温度を、Tmは重りから1cm以上離した点での温度を測定することで求められる。ただし、このような測定では誤差が大きいので例えば、産業図書出版、斉,岡田,一著の「例題演習伝熱工学」を参照し、環境や形状に応じた熱伝達率を決定する。

0019

以上のようにして各種データを決定したら、半導体素子の前方と後方との双方のハンダバンプの時間的な温度履歴を取得する。図3図2および表1で示す構造および物性値に基づいて温度解析を行った結果を示す図である。また、表2はその解析結果のうち前方のハンダバンプと後方のハンダバンプとの溶融温度に達する時間を示す。図3横軸は時間であり、MCMを炉に投入した時間を起点としており、縦軸は温度である。11は理論上の設定温度を表す。リフロー炉内の領域の温度をそれぞれR1,R2,R3,R4,R5,R6とすると、それぞれの温度の関係はR1<R6<R2<R3=R5<R4に設定される。また、ハンダバンプが高Pbハンダとすれば、溶融温度が310°C付近であるので、R1は溶融温度の直前の温度である300°C付近に、R2は400°C付近に、R6は溶融後の温度である350°C付近に設定できるものとする。12〜14は収納治具の熱容量を1.566×106J/m3・Kとし、重りの熱容量を3.588×106J/m3・Kとし、熱伝達率がリフロー炉内で一定であるとして解析したものである。12は熱伝達率を200W/m2・Kに設定した時のハンダバンプの解析温度を表す。13は熱伝達率を20W/m2・Kに設定した時のハンダバンプの解析温度を表す。14は熱伝達率を5W/m2・Kに設定した時のハンダバンプの解析温度を表す。このようにハンダバンプの温度を時間的に解析することで、ハンダバンプが溶融温度A°Cに到達する時間とハンダバンプが溶融温度A°C以上である時間を求めることができる。このような解析を前方と後方の双方のハンダバンプについて行いその比較をした結果が表2である。

0020

0021

表2で示す通り、前方と後方の双方のハンダバンプが溶融温度A°Cに到達する時間から、それぞれの時間差を求めることができる。表2から判るように熱伝達率を一定にした場合20W/m2・Kに設定すると、ハンダバンプの溶けはじめる時間が縮まり、ハンダバンプの潰れ量の差が最も少なくなることが判る。

0022

図4はリフロー炉の領域によって、熱伝達率を変化させた場合を示す図であり、図5はその時の温度解析を行った結果を示す図である。図4に示すように、リフロー炉6内の前半の領域の温度をR1,後半の領域の温度をR2とすると、R1は溶融温度の直前の温度である300°C付近に、R2は溶融後の温度である350°C付近に設定できるものとする。また、収納治具および重りの熱容量は図3で示した解析時と同じである。ただし、R1°Cの領域では、熱伝達率が高くなるように対流機構9が設けられている。対流機構9は例えばダクトで構成され、リフロー炉内と同じR1°Cの気体をMCMに吹きつけるように構成されている。また、対流機構9は流量の制御ができるのが望ましく、解析時に設定した熱伝達率になるまで、気体の流量が制御できるものが望ましい。このように、溶融温度の直前の温度に早く達するようにMCMを加熱することで、MCM全体に渡って温度差が無くなる。そして、温度差が無くなった状態でR2°Cの領域で加熱することで、前方と後方での温度差が少なくなり、しいては、前方と後方でのハンダバンプが溶融温度に達する時間の差が少なくなる。この状態での解析結果が図5である。11は図3同様理論上の温度でリフロー炉内の温度である。12は対流機構により熱伝達率を200W/m2・Kに設定した時のハンダバンプの解析温度を表す。13は熱伝達率を20W/m2・Kに設定した時のハンダバンプの解析温度を表す。14は熱伝達率を5W/m2・Kに設定した時のハンダバンプの解析温度を表す。なお、13と14で熱伝達率が異なる解析を行っているが、実際に熱伝達率が異なるものをリフロー炉内に投入しても、対流機構の風量を制御することにより、双方とも熱伝達率を200W/m2・Kまであげることができる。12で示すように、ハンダバンプの温度が400秒〜600秒の間で一定となっており、この時間によって、前方と後方のハンダバンプの温度差が無くなる。

0023

図6図3の解析結果のうち、前方と後方のハンダバンプの溶融温度に達する時間差が最も少なかった熱伝達率を20W/m2・Kに設定した時の他の解析結果を示す図である。11は図3同様理論上の設定温度を表す。12は収納治具の熱容量を1.566×106J/m3・Kに設定した時のハンダバンプの解析温度を表す。13は収納治具の熱容量を0.783×106J/m3・Kに設定した時のハンダバンプの解析温度を表す。なお、他の要件図3の解析時と同じである。このような解析を前方と後方の双方のハンダバンプについて行いその比較をした結果が表3である。

0024

0025

表3で示す通り、前方と後方の双方のハンダバンプが溶融温度A°Cに到達する時間から、それぞれの時間差を求めることができる。表3から判るように収納治具の熱容量を変化することで、ハンダバンプの溶けはじめる時間が縮めることが可能となり、ハンダバンプの潰れ量の差が少なくできることが判る。

0026

図7図6の解析結果のうち、前方と後方のハンダバンプの溶融温度に達する時間差が最も少なかった収納治具の熱容量を1.566×106J/m3・Kに設定した時の他の解析結果を示す図である。11は図6同様理論上の設定温度を表す。12は収納治具の重りの熱容量を3.588×106J/m3・Kに設定した時のハンダバンプの解析温度を表す。13は重りの熱容量を1.794×106J/m3・Kに設定した時のハンダバンプの解析温度を表す。なお、他の要件は図6の解析時と同じである。このような解析を前方と後方の双方のハンダバンプについて行いその比較をした結果が表4である。

0027

0028

表4で示す通り、前方と後方の双方のハンダバンプが溶融温度A°Cに到達する時間から、それぞれの時間差を求めることができる。表4から判るように重りの熱容量を変化することで、ハンダバンプの溶けはじめる時間が縮めることが可能となり、ハンダバンプの潰れ量の差が最も少なくできることが判る。

0029

以上のように解析を繰り返すことで、熱伝達率を20W/m2・Kに,収納治具の熱容量を1.566×106J/m3・Kに,熱容量を1.794×106J/m3・Kに設定した時に、ハンダバンプの溶けはじめる時間差が最も縮まり、ハンダバンプの潰れ量の差が最も少なくできる。図8は、熱伝達率を変更する構造を示す。上記解析によりリフロー炉内全般に渡って熱伝達率を全体的にあげる必要が生じた場合、例えば、複数の半導体素子があり、特定の半導体素子のみ熱伝達率をあげる必要が生じた場合等である。この場合に、半導体素子1に乗せる重り5の上部をフィン形状に加工することで、熱伝達率をあげることができる。重り5の上部をフィン形状とすることで重りの表面積が増加し、リフロー炉内の気体との接触面積が増え、熱伝達率をあげることができる。

0030

図9は、MCMの前端後端がリフロー炉に入る時の時間差あるいは、MCMの前端と後端がリフロー炉内で温度の異なる領域に移動する時の時間差により、MCM内の場所ごとに異なる温度差を軽減する構造を示す。10は収納治具4を覆うように形成されたポリイミド製のカバーである。カバー10は重り5を搭載する半導体素子1に対応する部分のみに開口が形成されており、MCMに重り5を乗せた状態でカバー10を掛けることで、重り5のみを露出するようになっている。これにより、前後で炉に投入される時間の差が大きい基板3や収納治具4に断熱され、MCMの温度が上昇する時間差が少なくなる。

0031

図10は、特に温度差の大きい常温からリフロー炉へ入る時に、時間的な要因による温度差を無くす方法を示す図であり、基板3の全体が同時にリフロー炉へ入るようにしたものである。これにより、図4および図5で示した構造と同様に、ハンダバンプが溶融温度に達する前の温度が均一になり、ハンダバンプが溶融温度に達する時間の差が少なくなる。

発明の効果

0032

以上詳細に説明したように、同じ半導体素子設けられる複数のハンダバンプの内、リフロー炉内での進行方向の前方と後方のハンダバンプの双方の温度履歴を解析することによって、リフロー炉内の条件を詳細に設定することが可能となり、極めて生産性の高い温度設定が可能となる。

図面の簡単な説明

0033

図1本発明の原理図を示す図である。
図2本発明の解析対象を示す図である。
図3本発明の解析結果を示す図である。
図4熱伝達率を変化させたリフロー炉を示す図である。
図5図4で示したリフロー炉の解析結果を示す図である。
図6本発明の他の解析結果を示す図である。
図7本発明の他の解析結果を示す図である。
図8熱伝達率を変更する構造を示す図である。
図9MCMのカバーを示す図である。
図10MCMをリフロー炉へ投入する方法を示す図である。
図11リフロー炉を示す図である。
図12従来の問題点を説明する図である。

--

0034

1半導体素子
2ハンダバンプ
3基板
4収納治具
5重り
6リフロー炉
ベルト
8ポリイミド膜
9対流機構
10 カバー

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