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技術 反射型液晶表示装置とその製造方法

出願人 パナソニック株式会社
発明者 小森一徳滝本昭雄田中幸生西山和廣
出願日 1997年10月20日 (23年4ヶ月経過) 出願番号 1997-286448
公開日 1999年4月30日 (21年9ヶ月経過) 公開番号 1999-119255
状態 拒絶査定
技術分野 液晶4(光学部材との組合せ) 液晶5(電極、アクティブマトリックス) 液晶4(光学部材との組合せ) 要素組合せによる可変情報用表示装置2 絶縁ゲート型電界効果トランジスタ MOSIC,バイポーラ・MOSIC 絶縁ゲート型電界効果トランジスタ
主要キーワード 概略平坦 出力変調 研磨むら 中間絶縁層 高反射率材料 反射電極材料 電気的接続手段 オングストロ
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図面 (6)

課題

解決手段

可視光を透過し電極を含む第1の基板と、画素スイッチ素子走査線信号線コンタクトホ−ルを有し前記画素スイッチ素子を覆う平坦絶縁層107と前記コンタクトホ−ルを充填するコンタクトホ−ル金属108と画素スイッチ素子で駆動されるマトリクス状に配置され可視光を反射する反射電極109を含むアクティブマトリクスアレイとが形成された第2の基板101とに挟まれ入射光偏光状態変調するための液晶層を含む反射型液晶表示装置であって、前記画素スイッチ素子とコンタクトホ−ル金属108と反射電極109は電気接続されていて、コンタクトホ−ル金属108と反射電極109は異なる材料からなることを特徴とする。

概要

背景

近年、表示装置は、従来のCRTに代わって液晶ディスプレイが用いられるようになってきている。またビデオプロジェクタの分野においても従来のCRTを用いたものから液晶表示装置ライトバルブとして用いたものが高輝度コンパクトという点から大きく普及され始めた。

さらに近年では、高解像度ディスプレイ、例えばTVではハイビジョンコンピュタモニタ−ではXGAやSXGAといった規格が必要とされるが、従来の透過型の液晶ディスプレイでは配線画素スイッチ素子といった透過率を制限する部分の割合が大きくなり(開口率の低下)、高輝度化が困難となってきた。そこで、配線や画素スイッチ素子を反射電極の下に形成する反射型液晶表示装置が提案された。

従来の反射型液晶表示装置の画像表示部の断面を図5に示す。図中、501はシリコン基板、502はイオンド−ピング層、503はゲ−ト絶縁層、504はゲ−ト電極、505は信号線、506はソ−ス電極、507は平坦化絶縁層、508は反射電極、509は液晶層、510は配向膜、511は透明電極、512は透明基板である。ゲ−ト電極とゲ−ト電極直下のゲ−ト絶縁膜と更にその下のシリコン基板とイオンド−ピング層とソ−ス電極と信号線の一部で画素スイッチ素子を形成しており、またゲ−ト電極は走査線を兼ねている。

従来の液晶表示装置では、液晶層509にツイストマティック(以後TNと略す)液晶モ−ドが主に用いられている。特に、図示したようなアクティブマトリクスで駆動する液晶表示装置の場合には、TNのツイスト角は45〜60度であり、液晶の誘電率異方性は正の値を持つ場合が多い。また、液晶層の厚みは4〜6μmである。

液晶表示装置の基本動作を説明する。反射型液晶表示装置に偏光板等で作られた偏光光入射すると、液晶層509を通過する間に偏光状態変調を受ける。その度合いは透明電極511と反射電極508との間にかかる電圧差電界)によって制御できる。その反射電極の電位は、走査線により選択された画素スイッチ素子が作動して信号線より電荷が与えられることにより発生される。また、反射電極より反射された出力変調光を偏光板等に通すことで光の出力量に変換できる。

製造方法について説明する。まずシリコン基板上のゲ−ト絶縁層とイオンド−ピング層とゲ−ト電極とソ−ス電極と信号線を形成する。その後平坦化絶縁層を形成し、さらにフォトリゾグラフィ−とエッチングによってソ−ス電極に通じるコンタクトホ−ルを形成する。

次に反射電極を成膜し所定の大きさ、配置になるようフォトリゾグラフィ−とエッチングによって反射電極を分離する。これによりソ−ス電極と反射電極は電気的に接続されるが、平坦化絶縁層の厚み分の段差がコンタクトホ−ル部に存在する。

この基板上に配向膜を形成し、所定の配向処理を施す。さらに別に透明電極を含む透明基板を準備し、その透明電極上に配向膜を形成し、所定の配向処理を施し、さらに反射電極を形成した前記基板と対向するように配置し、その間隙に液晶層を形成する。

概要

高反射率高コントラストな反射型液晶表示装置を提供する。

可視光を透過し電極を含む第1の基板と、画素スイッチ素子と走査線と信号線とコンタクトホ−ルを有し前記画素スイッチ素子を覆う平坦化絶縁層107と前記コンタクトホ−ルを充填するコンタクトホ−ル金属108と画素スイッチ素子で駆動されるマトリクス状に配置され可視光を反射する反射電極109を含むアクティブマトリクスアレイとが形成された第2の基板101とに挟まれ入射光の偏光状態を変調するための液晶層を含む反射型液晶表示装置であって、前記画素スイッチ素子とコンタクトホ−ル金属108と反射電極109は電気接続されていて、コンタクトホ−ル金属108と反射電極109は異なる材料からなることを特徴とする。

目的

効果

実績

技術文献被引用数
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請求項1

可視光を透過し電極を含む第1の基板と、画素スイッチ素子走査線信号線コンタクトホ−ルを有し前記画素スイッチ素子を覆う絶縁層と前記絶縁層の前記コンタクトホ−ルを充填するコンタクトホ−ル金属と前記画素スイッチ素子で駆動されるマトリクス状に配置され可視光を反射する反射画素電極を含むアクティブマトリクスアレイとが形成された第2の基板と、前記第1、第2の基板に挟まれ入射光偏光状態変調するための液晶層を含む反射型液晶表示装置であって、前記画素スイッチ素子と前記コンタクトホ−ル金属と前記反射画素電極は電気的に接続されていて、前記コンタクトホ−ル金属と前記反射画素電極は異なる材料からなることを特徴とする反射型液晶表示装置。

請求項2

可視光を透過し電極を含む第1の基板と、画素スイッチ素子と走査線と信号線とコンタクトホ−ルを有し前記画素スイッチ素子を覆う中間絶縁層と前記中間絶縁層の上部に位置し前記コンタクトホ−ルを通して電気的に接続された中間電極とコンタクトホ−ルを有し前記中間電極を覆う絶縁層と前記絶縁層の前記コンタクトホ−ルを充填するコンタクトホ−ル金属と前記画素スイッチ素子で駆動されるマトリクス状に配置され可視光を反射する反射画素電極を含むアクティブマトリクスアレイとが形成された第2の基板と、前記第1、第2の基板に挟まれ入射光の偏光状態を変調するための液晶層を含む反射型液晶表示装置であって、前記画素スイッチ素子と前記中間電極と前記コンタクトホ−ル金属と前記反射画素電極は電気的に接続されていて、前記コンタクトホ−ル金属と前記反射画素電極は異なる材料からなることを特徴とする反射型液晶表示装置。

請求項3

画素スイッチ素子が、単結晶シリコンポリシリコンアモルファスシリコンのいずれかを用いた半導体素子であることを特徴とする請求項1または2記載の反射型液晶表示装置。

請求項4

コンタクトホ−ル金属が、タングステンまたは、ニッケル、銅、金、コバルトクロムのいずれかを主成分とすることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の反射型液晶表示装置。

請求項5

液晶層が負の誘電率異方性を有し、前記液晶層の液晶液晶分子無電界状態で基板と概略垂直方向配向していることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の反射型液晶表示装置。

請求項6

少なくとも、画素スイッチ素子と走査線と信号線を含む基板上にコンタクトホ−ルを有し前記画素スイッチ素子を覆う絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層の前記コンタクトホ−ルを充填するコンタクトホ−ル金属を形成する工程と、前記画素スイッチ素子で駆動されるマトリクス状に配置され可視光を反射する反射画素電極を形成する工程と、前記基板と可視光を透過し電極を含む第1の基板とを対向させ両基板に挟まれ入射光の偏光状態を変調するための液晶層を形成する工程を含むことを特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法。

請求項7

少なくとも、画素スイッチ素子と走査線と信号線を含む基板上にコンタクトホ−ルを有し前記画素スイッチ素子を覆う中間絶縁層を形成する工程と、前記中間絶縁層の上部に位置し前記コンタクトホ−ルを通して電気的に接続された中間電極を形成する工程と、コンタクトホ−ルを有し前記中間電極を覆う絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層の前記コンタクトホ−ルを充填するコンタクトホ−ル金属を形成する工程と、前記画素スイッチ素子で駆動されるマトリクス状に配置され可視光を反射する反射画素電極を形成する工程と、前記基板と可視光を透過し電極を含む第1の基板とを対向させ両基板に挟まれ入射光の偏光状態を変調するための液晶層を形成する工程を含むことを特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法。

請求項8

コンタクトホ−ルを有し画素スイッチ素子又は中間電極を覆う絶縁層を形成する工程が、絶縁層を成膜する工程と前記絶縁膜平坦化する工程と前記絶縁膜にコンタクトホ−ルを形成する工程からなることを特徴とする請求項6または7記載の反射型液晶表示装置の製造方法。

請求項9

コンタクトホ−ル金属をスパッタ法又はCVD法メッキ高真空蒸着法のいずれかの方法で形成することを特徴とする請求項6〜8のいずれかに記載の反射型液晶表示装置の製造方法。

技術分野

0001

本発明は、テレビ映像コンピュ−タ画面などを表示するための反射型液晶表示装置とその製造方法に関する。

背景技術

0002

近年、表示装置は、従来のCRTに代わって液晶ディスプレイが用いられるようになってきている。またビデオプロジェクタの分野においても従来のCRTを用いたものから液晶表示装置ライトバルブとして用いたものが高輝度コンパクトという点から大きく普及され始めた。

0003

さらに近年では、高解像度ディスプレイ、例えばTVではハイビジョン、コンピュ−タモニタ−ではXGAやSXGAといった規格が必要とされるが、従来の透過型の液晶ディスプレイでは配線画素スイッチ素子といった透過率を制限する部分の割合が大きくなり(開口率の低下)、高輝度化が困難となってきた。そこで、配線や画素スイッチ素子を反射電極の下に形成する反射型液晶表示装置が提案された。

0004

従来の反射型液晶表示装置の画像表示部の断面を図5に示す。図中、501はシリコン基板、502はイオンド−ピング層、503はゲ−ト絶縁層、504はゲ−ト電極、505は信号線、506はソ−ス電極、507は平坦化絶縁層、508は反射電極、509は液晶層、510は配向膜、511は透明電極、512は透明基板である。ゲ−ト電極とゲ−ト電極直下のゲ−ト絶縁膜と更にその下のシリコン基板とイオンド−ピング層とソ−ス電極と信号線の一部で画素スイッチ素子を形成しており、またゲ−ト電極は走査線を兼ねている。

0005

従来の液晶表示装置では、液晶層509にツイストマティック(以後TNと略す)液晶モ−ドが主に用いられている。特に、図示したようなアクティブマトリクスで駆動する液晶表示装置の場合には、TNのツイスト角は45〜60度であり、液晶の誘電率異方性は正の値を持つ場合が多い。また、液晶層の厚みは4〜6μmである。

0006

液晶表示装置の基本動作を説明する。反射型液晶表示装置に偏光板等で作られた偏光光入射すると、液晶層509を通過する間に偏光状態変調を受ける。その度合いは透明電極511と反射電極508との間にかかる電圧差電界)によって制御できる。その反射電極の電位は、走査線により選択された画素スイッチ素子が作動して信号線より電荷が与えられることにより発生される。また、反射電極より反射された出力変調光を偏光板等に通すことで光の出力量に変換できる。

0007

製造方法について説明する。まずシリコン基板上のゲ−ト絶縁層とイオンド−ピング層とゲ−ト電極とソ−ス電極と信号線を形成する。その後平坦化絶縁層を形成し、さらにフォトリゾグラフィ−とエッチングによってソ−ス電極に通じるコンタクトホ−ルを形成する。

0008

次に反射電極を成膜し所定の大きさ、配置になるようフォトリゾグラフィ−とエッチングによって反射電極を分離する。これによりソ−ス電極と反射電極は電気的に接続されるが、平坦化絶縁層の厚み分の段差がコンタクトホ−ル部に存在する。

0009

この基板上に配向膜を形成し、所定の配向処理を施す。さらに別に透明電極を含む透明基板を準備し、その透明電極上に配向膜を形成し、所定の配向処理を施し、さらに反射電極を形成した前記基板と対向するように配置し、その間隙に液晶層を形成する。

発明が解決しようとする課題

0010

しかしながら先に示した様な従来の構造では、反射電極中に平坦化絶縁層の厚み分の段差がコンタクトホ−ル部に存在する。この段差部で入射された光が乱反射し異常な変調を受けて反射する。すなわちこの構造の反射型液晶表示装置の出力変調光は、正常な液晶による変調とコンタクトホ−ル部の乱反射による異常変調光との和となる。

0011

特に問題となるのは黒画面創出する際であって、液晶による変調は出力側の偏光板等の偏光方向と直角になるように出力光の変調方向を制御するが、コンタクトホ−ル部では正常な変調制御ができず、その分の光が出力側偏光板を透過してしまう。これは黒表示における黒レベルの浮きとなり表示素子の重要な表示性能の一つであるコントラスト(コントラスト=白表示時の明るさ/黒表示時の明るさ)の低下となる。

0012

言い換えるならばコントラストの良い反射型表示素子を得るには、反射電極すべてが平坦である必要がある。

0013

平坦性の要求から反射電極508の材料を一端、平坦化絶縁層507の膜厚以上の厚さを成膜しその表面を機械的に研磨し平坦化した後反射電極を分離する方法も提案されたが、一般に反射電極に高反射率材料であるアルミニウムが用いられるが、アルミニウムは柔らかすぎてキズがつきやすく研磨が困難であり、また段差を埋め込むにも相当な膜厚が必要で、研磨中機械的ストレスによる膜剥がれや研磨むら等があって実用的でなかった。

課題を解決するための手段

0014

この課題を解決するために、本発明は、反射電極下の絶縁層のコンタクトホ−ルをまずコンタクトホ−ルだけを充填する様にコンタクトホ−ル金属を形成し、絶縁層上をコンタクトホ−ル部を含めて平坦化しておき、反射電極を形成する。これによりコンタクトホ−ルを充填する材料と反射電極材料は電気的な接続さえとれれば異なる材料を使用することができる。

発明を実施するための最良の形態

0015

以下、本発明の形態について、図1から図4を用いて説明する。

0016

(実施の形態1)本発明の実施の形態1の反射型液晶表示装置の画像表示部の断面を図1に示す。図1において、101はシリコン基板、102はイオンド−ピング層、103はゲ−ト絶縁層、104はゲ−ト電極、105は信号線、106はソ−ス電極、107は平坦化絶縁層、108はコンタクトホ−ル金属、109は反射電極、110は液晶層、111は配向膜、112は透明電極、113は透明基板である。

0017

ゲ−ト電極とゲ−ト電極直下のゲ−ト絶縁膜と更にその下のシリコン基板とイオンド−ピング層とソ−ス電極と信号線の一部で画素スイッチ素子を形成しており、またゲ−ト電極は走査線を兼ねている。

0018

また本発明の実施の形態1の反射型液晶表示装置の製造方法を図2を用いて説明する。図2(a)から(g)は製造過程の画像表示部の断面図である。

0019

図2において、201はシリコン基板、202はイオンド−ピング層、203はゲ−ト絶縁層、204はゲ−ト電極、205は信号線、206はソ−ス電極、207は平坦化絶縁層、208はコンタクトホ−ル金属、209は反射電極、210は液晶層、211は配向膜、212は透明電極、213は透明基板である。

0020

まずシリコン基板201上のゲ−ト絶縁層203とイオンド−ピング層202とゲ−ト電極204とソ−ス電極206と信号線205を形成する(a)。

0021

その後、絶縁層(例えば酸化シリコン層)を成膜した後、例えばケミカルメカカルポリッシングで絶縁層上部を平坦化する。

0022

次にこの平坦化絶縁層207にフォトリゾグラフィ−とドライエッチングによってソ−ス電極に通じるコンタクトホ−ルを形成する(b)。次にこのコンタクトホ−ルを充填するブランケットタングステンを形成する(c)。これにより表示部の表面は平坦化絶縁層207とブランケットタングステンにより概略平坦化されている。

0023

さらに反射電極209を成膜し所定の大きさ、配置になるようフォトリゾグラフィ−とエッチングによって反射電極209を分離する(d)。これによりソ−ス電極206と反射電極209は電気的に接続されるが、コンタクトホ−ル部に段差は存在しない。この基板上に配向膜211を形成し、所定の配向処理を施す(e)。

0024

さらに別に透明電極212を含む透明基板213を準備し、その透明電極213上に配向膜211を形成し、所定の配向処理を施し、さらに反射電極209を形成した前記基板と対向するように配置し(f)、その間隙に液晶層210を形成する(g)。

0025

(実施の形態2)本発明の実施の形態2の反射型液晶表示装置の画像表示部の断面を図3に示す。図3において、301はシリコン基板、302はイオンド−ピング層、303はゲ−ト絶縁層、304はゲ−ト電極、305は信号線、306はソ−ス電極1、307は中間絶縁層、308はソ−ス電極2、309は遮光層、310は平坦化絶縁層、311はコンタクトホ−ル金属、312は反射電極、313は液晶層、314は配向膜、315は透明電極、316は透明基板である。

0026

ゲ−ト電極とゲ−ト電極直下のゲ−ト絶縁膜と更にその下のシリコン基板とイオンド−ピング層とソ−ス電極1と信号線の一部で画素スイッチ素子を形成しており、またゲ−ト電極は走査線を兼ねている。

0027

また本発明の実施の形態2の反射型液晶表示装置の製造方法を図4を用いて説明する。図4(a)から(g)は製造過程の画像表示部の断面図である。

0028

図中401はシリコン基板、402はイオンド−ピング層、403はゲ−ト絶縁層、404はゲ−ト電極、405は信号線、406はソ−ス電極1、407は中間絶縁層、408はソ−ス電極2、409は遮光層、410は平坦化絶縁層、411はコンタクトホ−ル金属、412は反射電極、413は液晶層、414は配向膜、415は透明電極、416は透明基板である。

0029

まず、シリコン基板401上に、ゲ−ト絶縁層403とイオンド−ピング層402とゲ−ト電極404とソ−ス電極1(496)と信号線405とを形成する(a)。その後、中間絶縁層(例えば酸化シリコン層)407を成膜した後、フォトリゾグラフィ−とドライエッチングによってソ−ス電極1に通じるコンタクトホ−ルを形成する(b)。

0030

次に、導電材料を成膜し所定の形状に分離しソ−ス電極2と遮光層409を形成する(c)。なお、この時ソ−ス電極1とソ−ス電極2は、電気的に接続している。

0031

次に絶縁層(例えば酸化シリコン層)を成膜した後、例えばケミカルメカキカルポリッシングで絶縁層上部を平坦化する。次にこの平坦化絶縁層410にフォトリゾグラフィ−とドライエッチングによってソ−ス電極2に通じるコンタクトホ−ルを形成する(d)。

0032

次に、このコンタクトホ−ルを充填するブランケットタングステンを形成する(e)。これにより表示部の表面は平坦化絶縁層410とブランケットタングステンにより概略平坦化されている。

0033

さらに反射電極412を成膜し所定の大きさ、配置になるようフォトリゾグラフィ−とエッチングによって反射電極412を分離する(f)。これによりソ−ス電極と反射電極412は電気的に接続されるが、コンタクトホ−ル部に段差は存在しない。

0034

この基板上に配向膜414を形成し、所定の配向処理を施す。さらに別に透明電極415を含む透明基板416を準備し、その透明電極415上に配向膜414を形成し、所定の配向処理を施し、さらに反射電極412を形成した前記基板と対向するように配置し、その間隙に液晶層413を形成する(g)。

0035

本実施の形態は、実施の形態1に比べ強力な光を扱う時に用いられる。反射型の液晶表示装置はほとんどの光を反射するが、反射電極と反射電極の間隙に入射した光はそのまま素子内にはいってしまう。この光が強力で画素スイッチ素子の半導体部に光が達した場合、画素スイッチ素子が誤動作を起こしてしまう。そのため、本実施の形態では、絶縁層の中間に遮光層を設けてある。またソ−ス電極2も光の遮蔽となる。

0036

本実施の形態によって、反射電極間の僅かな隙間から内部に進入した光も更に遮光層やソ−ス電極2によって遮光され、半導体層には到達しにくくなる。

0037

実施の形態1の構造の素子では、50万ルクス以上の光を照射した場合、コントラストの低下が観察されたが、実施の形態2の場合では400万ルクスまでコントラストの低下は見られなかった。

0038

以下に、実施の形態1および2に共通する説明を示す。本実施の形態では、平坦化絶縁層を平坦化する必要があるが、平坦化絶縁層は絶縁材料であればなんでもよく、平坦化しやすい材料を選択することができる。

0039

例えば酸化シリコンのケミカルケカニカルポリッシングは、既に高密度半導体の作製の標準工程に取り入られているほど一般的である。特に、シリコン基板上に作製する反射型液晶表示装置の場合、反射電極を作り込むまでの工程はまったくDRAMやLSI等の半導体プロセスと同じであるから、これらの技術の範囲で作製できることは大変都合がよい。また、ブランケットタングステンも同様にDRAMやLSI等の半導体プロセスで層間の電気的接続手段として広く用いられている。

0040

またコンタクトホ−ルを充填する手段は、別に限定する必要はなく、例えばスパッタ法CVD法メッキ法でコンタクトホ−ルだけに選択的に成膜する方法や、一度コンタクトホ−ルを含む絶縁層上部に成膜した後エッチングや研磨でコンタクトホ−ル以外を取り除いても良い。材料もタングステンに限定する物ではなく必要に応じて銅、金、コバルトニッケルクロム又はそれらの合金でもかまわない。

0041

また、平坦化絶縁層は、有機材料(例えば、UV硬化樹脂)でもかまわない。特にUV硬化樹脂の場合、成膜するだけで表面の平坦性が確保できコンタクトホ−ルもフォトマスクを用いたUV露光現像で形成でき大変簡便である。

0042

また、中間絶縁層や平坦化絶縁層は、可視光に対して不透明であってもよい。又、反射電極には、アルミニウムなどの高反射率材料が望ましい。但し、純粋なアルミニウムは熱に大変弱く少しでも熱にさらされると表面があれる。そのため少しチタンシリコン、銅などの不純物を添加すると熱に対して大変強くなる。但し、不純物の添加は、若干の反射率低下を招くので純粋なアルミニウムを用いるか不純物を添加するかはその後の温度工程によって最適に選択する。

0043

また、反射電極表面に保護層や誘電体ミラ−層を設けても良い。純粋なアルミニウムが熱的に弱いことは前述したが、表面に数オングストロ−ムから数千オングストロ−ム程度の酸化アルミニウム層を形成すれば耐熱性が向上する。また酸化アルミニウムは可視光に対してほぼ透明である。

0044

また、アルミニウムの上に酸化シリコンや酸化チタンを適当な膜厚で積層すれば、より反射率が向上する。アルミニウムだけだと反射電極の反射率が90%程度であるがアルミニウム上に酸化シリコンや酸化チタンを適当な膜厚で2〜3層積層すれば95%程度となる。更に反射電極の反射率とは関係なく酸化シリコンや酸化チタンを適当な膜厚で10層程度積層すればこの積層膜だけで誘電体ミラ−を形成することができ、99%といった高反射率も可能である。

0045

また、液晶層の液晶モ−ドも特に限定しない。従来は、TNモ−ドが主流であったが、反射型液晶表示装置にはTNモ−ドが最適であるわけではなく、たとえば負の誘電率異方性を有し、液晶層の液晶の液晶分子無電界状態で基板と概略垂直方向配向している垂直配向モ−ド(VAモ−ド)の方がむしろ反射型液晶表示装置には向いている。例えば、45度ツイストのTNモ−ドの反射型液晶表示装置のコントラストは100程度であるが、VAモ−ドのコントラストは800を越えた。

0046

また、本実施の形態では、液晶を配向させるために配向膜を用いているが、必ずしも必要ではない液晶モ−ドによっては不要である。また液晶層の厚みを得るのにビ−ズを用いても良い。また偏光板や位相差板を反射型液晶表示装置に張り付けていてもよい。

発明の効果

0047

以上のように本発明によれば、高反射率で高コントラストな反射型液晶表示装置が提供できる。

図面の簡単な説明

0048

図1本発明の実施の形態1の反射型液晶表示装置の画像表示部の断面図
図2(a)〜(g)本発明の実施の形態1の反射型液晶表示装置の製造過程の画像表示部の断面図
図3本発明の実施の形態2の反射型液晶表示装置の画像表示部の断面図
図4(a)〜(g)本発明の実施の形態2の反射型液晶表示装置の製造過程の画像表示部の断面図
図5従来の液晶表示装置の画像表示部の断面図

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0049

101シリコン基板
102イオンド−ピング層
103 ゲ−ト絶縁層
104 ゲ−ト電極
105信号線
106 ソ−ス電極
107平坦化絶縁層
108コンタクトホ−ル金属
109反射電極
110液晶層
111配向膜
112透明電極
113 透明基板
201 シリコン基板
202 イオンド−ピング層
203 ゲ−ト絶縁層
204 ゲ−ト電極
205 信号線
206 ソ−ス電極
207 平坦化絶縁層
208 コンタクトホ−ル金属
209 反射電極
210 液晶層
211 配向膜
212 透明電極
213 透明基板
301 シリコン基板
302 イオンド−ピング層
303 ゲ−ト絶縁層
304 ゲ−ト電極
305 信号線
306 ソ−ス電極1
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