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技術 電界吸収型光変調器の駆動回路及び、これを用いた光送信器

出願人 富士通株式会社
発明者 今井啓祐林明彦
出願日 1997年10月20日 (21年9ヶ月経過) 出願番号 1997-287403
公開日 1999年4月30日 (20年2ヶ月経過) 公開番号 1999-119176
状態 特許登録済
技術分野 光の変調 半導体レーザ 光伝送方式 光通信システム 半導体レーザ
主要キーワード 電流モニター回路 共通リード線 バイアス電流供給回路 自動温度制御回路 光電流特性 電流モニタ回路 ピーク値検出回路 光電流量
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図面 (13)

課題

光電流の温度、経年変化又は、素子特性にばらつきが生じる場合であっても、光変調器バイアス電圧を安定化し、長距離伝送時の波形劣化を防止できる駆動回路及び、これを用いた光送信器を提供する。

解決手段

キャリア光を受け、印加電圧に応じて、該キャリア光を吸収することにより強度変調された信号光を出力する電界吸収型光変調器の駆動回路において、電界吸収型光変調器のアノード側電圧ピーク値を検出するピーク値検出回路と、ピーク値検出回路により検知された値と、所定値との差に応じて、該印加電圧を制御するバイアス電流を供給するバイアス電流供給回路を有する。

概要

背景

伝送損失の低い1.55μm帯で超高速光伝送システムを実現するために、外部変調方式の開発が進められている。

低電力駆動が可能で、小型化に適した外部変調器として、電界吸収型光変調器が提案されている。この電界吸収型光変調器は、印加電圧に応じてキャリア光を吸収することにより、強度変調をされた信号光を生成する。

図7は、かかる電界吸収型光変調器を用いた、光送信器の構成例ブロック図である。自動パワー制御回路11により発光パワーが一定に制御され、自動温度制御回路12により温度が一定に制御される、レーザ光源10により、レーザ駆動回路1が構成される。

レーザ駆動回路1のレーザ光源10から放射されるキャリア光が、電界吸収型光変調器EAで構成される光変調器2に入力される。光変調器駆動回路3により、光変調器2の電界吸収型光変調器EAに入力信号に対応する駆動電圧が、供給される。

電界吸収型光変調器EAは、駆動電圧に対応して、レーザ光源10からのキャリア光を吸収し、したがって、レーザ光源10からのキャリア光を変調する。

ここで、光変調器2とレーザ光源10(LD)は、図8に示す等価回路で表わされる。光変調器2は、電界吸収型光変調器EAと抵抗RLが並列接続されて構成される。抵抗RLに電流を流して電界吸収型光変調器EAのアノード印加電圧Vm を生じさせる。また、レーザ光源10は、レーザダイオードLDで示される。

この印加電圧Vm に対する電界吸収型光変調器EAの光出力特性は、図9に示すように、expで近似された式で表わされる。図9の特性から、印加電圧Vmが0の時、光出力パワーPが最大即ち、電界吸収型光変調器EAでの光吸収が起こらず、レーザ光源10のキャリア光の光パワーが、そのまま出力される。

反対に、印加電圧Vm が大きくなると、光吸収により、expで近似されたカーブで光出力パワーPが減少する。即ち、レーザ光源10からのキャリア光の電界吸収型光変調器EAでの吸収量が大きくなる。

電界吸収型光変調器EAにおいて、レーザ光源10からの発光パワーの吸収は、光電流に変換することで行われる。この光電流は、Iphと呼ばれ、図10に示す印加電圧Vm により変化する特性を有する。

ここで、図11により、光変調器2を構成する電界吸収型光変調器EAと抵抗RLに流れる電流について、考察する。

図11(A)において、変調信号即ち、入力信号により駆動される電流をIPとし、電界吸収型光変調器EAに流れる光電流をIph2 、抵抗RLに流れる電流をIRとする。
(1)図11(B)に示すように、Iph1 =0mAとすると、
Vm =IRxRL=(Ip −Iph2 )xRL ・・・
となる。

例えば、Vm =−3Vにすべき場合で、Iph2 =20mA、RL=50Ωとすると、Vm =60mAx50=(80mA−20mA)x50 となる。

したがって、変調信号により駆動される電流IPは、Iph2 =20mAだけ余分に流す能力が要求される。
(2)Iph1 >0mA である場合、光変調器の特性として、図10のように、Vm =0Vでも、キャリア光を吸収して光電流が流れることが分かる。

例えば、図11(A)の回路において、Vm =0Vの時、IP=0mAである。しかし、IP=0mAを、式に代入して、Vm を求めると、
Vm =(0−Iph1 )xRL=−Iph1 xRL≠0・・・(Vm は負電圧
となり、矛盾する。

実際には、光電流Iph1 は、抵抗RLに流れ、Vm =Iph1 xRL となり、正の電圧となる。

ここで、伝送特性を決定するチャーピングパラメータαは、図11(C)に示すように、電圧Vm に依存し、Vm =0V付近でのチャーピングパラメータαの変動が大きくなる。

したがって、Vm >0Vとなると、チャーピングパラメータαの変動が大きく伝送特性が保証されない。このために、図12に示すような、光電流Iph1 を引き抜く回路が要求される。

この時の、Vm の算出式は、次のように表わされる。

概要

光電流の温度、経年変化又は、素子特性にばらつきが生じる場合であっても、光変調器のバイアス電圧を安定化し、長距離伝送時の波形劣化を防止できる駆動回路及び、これを用いた光送信器を提供する。

キャリア光を受け、印加電圧に応じて、該キャリア光を吸収することにより強度変調された信号光を出力する電界吸収型光変調器の駆動回路において、電界吸収型光変調器のアノード側電圧ピーク値を検出するピーク値検出回路と、ピーク値検出回路により検知された値と、所定値との差に応じて、該印加電圧を制御するバイアス電流を供給するバイアス電流供給回路を有する。

目的

したがって、本発明の目的は、温度変動及び、経年変化により光電流量が変化しても、あるいは光電流特性の異なる電界吸収型光変調器EAを使用する光変調器であっても、無調整で光変調器のバイアス電流IB を一定とする、伝送特性を安定にする電界吸収型光変調器の駆動回路及び、これを用いた光送信器を提供することにある。

効果

実績

技術文献被引用数
1件
牽制数
2件

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請求項1

キャリア光を受け、印加電圧に応じて、該キャリア光を吸収することにより強度変調された信号光を出力する電界吸収型光変調器駆動回路において、該電界吸収型光変調器のアノード側電圧ピーク値を検出するピーク値検出回路と、該ピーク値検出回路により検知された値と、所定値との差に応じて、該印加電圧を制御するバイアス電流を供給するバイアス電流供給回路を有することを特徴とする電界吸収型光変調器の駆動回路。

請求項2

キャリア光を受け、印加電圧に応じて、該キャリア光を吸収することにより強度変調された信号光を出力する電界吸収型光変調器の駆動回路において、該電界吸収型光変調器のカソード電流によって生じる電圧のピーク値を検出するピーク値検出回路と、該ピーク値検出回路により検知された値と、所定値との差に応じて、該印加電圧を制御するバイアス電流を供給するバイアス電流供給回路を有することを特徴とする電界吸収型光変調器の駆動回路。

請求項3

駆動電流を供給され、該駆動電流に応じた強度のキャリア光を生成する光源と、該キャリア光を受け、印加電圧に応じて、該キャリア光を吸収することにより強度変調された信号光を出力する電界吸収型光変調器と、該光源における該キャリア光の生成が安定な領域に該印加電圧が入るように、該電界吸収型光変調器にオフセット電圧を与えるバイアス手段と、該電界吸収型光変調器のカソード電流によって生じる電圧のピーク値を検出するピーク値検出回路と、該ピーク値検出回路により検知された値と、所定値との差に応じて、該印加電圧を制御するバイアス電流を供給するバイアス電流供給回路を有することを特徴とする光送信器

請求項4

駆動電流を供給され、該駆動電流に応じた強度のキャリア光を生成する光源と、該キャリア光を受け、印加電圧に応じて、該キャリア光を吸収することにより強度変調された信号光を出力する電界吸収型光変調器と、該光源における該キャリア光の生成が安定な領域に該印加電圧が入るように、該電界吸収型光変調器にオフセット電圧を与えるバイアス手段と、該電界吸収型光変調器のカソード電流によって生じる電圧のピーク値を検出するピーク値検出回路と、該ピーク値検出回路により検知された値と、所定値との差に応じて、該印加電圧を制御するバイアス電流を供給するバイアス電流供給回路を有することを特徴とする光送信器。

請求項5

請求項3又は、4において、前記光源はレーザダイオードであり、該レーザダイオードと前記電界吸収型光変調器が同一の半導体チップ上に形成されていることを特徴とする光送信器。

請求項6

駆動電流を供給され、該駆動電流に応じた強度のキャリア光を生成するレーザダイオードと、該キャリア光を受け、印加電圧に応じて、該キャリア光を吸収することにより強度変調された信号光を出力する第1の電界吸収型光変調器と、該第1の電界吸収型光変調器と同一の半導体チップ上に形成された第2の電界吸収型光変調器と、該第2の電界吸収型光変調器の光電流を検知する電流モニター回路と、該電流モニター回路により検知される光電流に応じて、該第1の電界吸収型光変調器の該印加電圧を制御するバイアス電流を供給するバイアス電流供給回路を有することを特徴とする電界吸収型光変調器を備えた光送信器。該ピーク値検出回路により検知された値と、所定値との差に応じて、

請求項7

請求項6において、更に、前記駆動電流に応じた強度のキャリア光を生成するレーザダイオードが、前記第1及び、第2の電界吸収型光変調器と一体に、同一の半導体チップ上に形成されていることを特徴とする光送信器。

技術分野

0001

本発明は、電界吸収型光変調器駆動回路及び、これを用いた光送信器に関する。特に、光電流の温度、経年変化又は、素子特性にばらつきが生じる場合であっても、光変調器バイアス電圧を安定化し、長距離伝送時の波形劣化を防止できる駆動回路及び、これを用いた光送信器に関する。

背景技術

0002

伝送損失の低い1.55μm帯で超高速光伝送システムを実現するために、外部変調方式の開発が進められている。

0003

低電力駆動が可能で、小型化に適した外部変調器として、電界吸収型光変調器が提案されている。この電界吸収型光変調器は、印加電圧に応じてキャリア光を吸収することにより、強度変調をされた信号光を生成する。

0004

図7は、かかる電界吸収型光変調器を用いた、光送信器の構成例ブロック図である。自動パワー制御回路11により発光パワーが一定に制御され、自動温度制御回路12により温度が一定に制御される、レーザ光源10により、レーザ駆動回路1が構成される。

0005

レーザ駆動回路1のレーザ光源10から放射されるキャリア光が、電界吸収型光変調器EAで構成される光変調器2に入力される。光変調器駆動回路3により、光変調器2の電界吸収型光変調器EAに入力信号に対応する駆動電圧が、供給される。

0006

電界吸収型光変調器EAは、駆動電圧に対応して、レーザ光源10からのキャリア光を吸収し、したがって、レーザ光源10からのキャリア光を変調する。

0007

ここで、光変調器2とレーザ光源10(LD)は、図8に示す等価回路で表わされる。光変調器2は、電界吸収型光変調器EAと抵抗RLが並列接続されて構成される。抵抗RLに電流を流して電界吸収型光変調器EAのアノード印加電圧Vm を生じさせる。また、レーザ光源10は、レーザダイオードLDで示される。

0008

この印加電圧Vm に対する電界吸収型光変調器EAの光出力特性は、図9に示すように、expで近似された式で表わされる。図9の特性から、印加電圧Vmが0の時、光出力パワーPが最大即ち、電界吸収型光変調器EAでの光吸収が起こらず、レーザ光源10のキャリア光の光パワーが、そのまま出力される。

0009

反対に、印加電圧Vm が大きくなると、光吸収により、expで近似されたカーブで光出力パワーPが減少する。即ち、レーザ光源10からのキャリア光の電界吸収型光変調器EAでの吸収量が大きくなる。

0010

電界吸収型光変調器EAにおいて、レーザ光源10からの発光パワーの吸収は、光電流に変換することで行われる。この光電流は、Iphと呼ばれ、図10に示す印加電圧Vm により変化する特性を有する。

0011

ここで、図11により、光変調器2を構成する電界吸収型光変調器EAと抵抗RLに流れる電流について、考察する。

0012

図11(A)において、変調信号即ち、入力信号により駆動される電流をIPとし、電界吸収型光変調器EAに流れる光電流をIph2 、抵抗RLに流れる電流をIRとする。
(1)図11(B)に示すように、Iph1 =0mAとすると、
Vm =IRxRL=(Ip −Iph2 )xRL ・・・
となる。

0013

例えば、Vm =−3Vにすべき場合で、Iph2 =20mA、RL=50Ωとすると、Vm =60mAx50=(80mA−20mA)x50 となる。

0014

したがって、変調信号により駆動される電流IPは、Iph2 =20mAだけ余分に流す能力が要求される。
(2)Iph1 >0mA である場合、光変調器の特性として、図10のように、Vm =0Vでも、キャリア光を吸収して光電流が流れることが分かる。

0015

例えば、図11(A)の回路において、Vm =0Vの時、IP=0mAである。しかし、IP=0mAを、式に代入して、Vm を求めると、
Vm =(0−Iph1 )xRL=−Iph1 xRL≠0・・・(Vm は負電圧
となり、矛盾する。

0016

実際には、光電流Iph1 は、抵抗RLに流れ、Vm =Iph1 xRL となり、正の電圧となる。

0017

ここで、伝送特性を決定するチャーピングパラメータαは、図11(C)に示すように、電圧Vm に依存し、Vm =0V付近でのチャーピングパラメータαの変動が大きくなる。

0018

したがって、Vm >0Vとなると、チャーピングパラメータαの変動が大きく伝送特性が保証されない。このために、図12に示すような、光電流Iph1 を引き抜く回路が要求される。

0019

この時の、Vm の算出式は、次のように表わされる。

0020

Vm =IRxRL=(Ip +IB −Iph2 )xRL
={(Ip −Iph2 +Iph1 )+(IB −Iph1 )}xRL・・・
式より、IB =Iph1 とすることで、Ip =0mAの時、Vm=0となる。

発明が解決しようとする課題

0021

ここで、図12(A)におけるパルス電流Ip 、バイアス電流IB は、温度変動及び、経年変化に対しても一定となるように、制御をかけるのが一般的である。しかし、図12(B)のように光電流特性がI〜IIIと変動した場合は、IB ≠Iph1 となり、式よりVm が変化する。

0022

結果的に、αパラメータが変化して伝送特性が一定に保証されないことになる。また、同様に光変調器2の電界吸収型光変調器EAの個々の特性にばらつきがある場合は、個々に調整を行なう必要があり、工数がかかるという問題がある。

0023

したがって、本発明の目的は、温度変動及び、経年変化により光電流量が変化しても、あるいは光電流特性の異なる電界吸収型光変調器EAを使用する光変調器であっても、無調整で光変調器のバイアス電流IB を一定とする、伝送特性を安定にする電界吸収型光変調器の駆動回路及び、これを用いた光送信器を提供することにある。

0024

本発明の更なる目的は、以下に説明する本発明の実施の形態からも明らかとなる。

課題を解決するための手段

0025

上記本発明の課題を達成する電界吸収型光変調器の駆動回路は、キャリア光を受け、印加電圧に応じて、このキャリア光を吸収することにより強度変調された信号光を出力する。

0026

そして、特徴として、上記電界吸収型光変調器のアノード側電圧ピーク値を検出するピーク値検出回路と、このピーク値検出回路により検知された値と、所定値との差に応じて、前記印加電圧を制御するバイアス電流を制御するバイアスを供給するバイアス電流供給回路を有する。

0027

また、ピーク値検出回路は、電界吸収型光変調器のカソード電流によって生じる電圧のピーク値を検出する様に構成することも可能である。

0028

さらに、上記本発明の課題を達成する光送信機として、駆動電流を供給され、該駆動電流に応じた強度のキャリア光を生成する光源と、印加電圧に応じて、このキャリア光を吸収することにより強度変調された信号光を出力する電界吸収型光変調器と、光源におけるキャリア光の生成が安定な領域に該印加電圧が入るように該電界吸収型光変調器にオフセット電圧を与えるバイアス手段を有する。

0029

かかる光送信器の構成において、本発明の特徴として、電界吸収型光変調器のカソード電流によって生じる電圧のピーク値を検出するピーク値検出回路と、このピーク値検出回路により検知された値と、所定値との差に応じて、前記印加電圧を制御するバイアス電流を制御するバイアスを供給するバイアス電流供給回路を有する。

0030

さらに、具体的態様として、上記において、前記光源は、アノード端子及びカソード端子を有するレーザダイオードであり、前記電界吸収型光変調器は、アノード端子及びカソード端子を有する電界吸収型レーザダイオードである。

0031

さらにまた、前記構成において、具体的態様として、前記レーザダイオードと、電界吸収型光変調器が同一の半導体チップ上に形成されている。

0032

また、別の態様として、光送信器は、該駆動電流に応じた強度のキャリア光を生成するレーザダイオードと、このキャリア光を受け、印加電圧に応じて、キャリア光を吸収することにより強度変調された信号光を出力する第1の電界吸収型レーザダイオードと、第1の電界吸収型光変調器と同一の半導体チップ上に形成された第2の電界吸収型光変調器と、この第2の電界吸収型光変調器の光電流を検知する電流モニター回路と、電流モニター回路により検知される光電流に応じて、第1の電界吸収型光変調器の印加電圧を制御するバイアス電流の供給回路を有する。

0033

かかる構成において、更に、具体的態様として、前記駆動電流に応じた強度のキャリア光を生成するレーザダイオードが、前記第1及び、第2の電界吸収型光変調器と一体に、同一の半導体チップ上に形成されている。

発明を実施するための最良の形態

0034

以下本発明の実施の形態を図面に従い、説明する。なお、図において、同一又は、類似のものには同一の参照番号又は、参照記号を付して説明する。

0035

図1は、本発明の第1の実施の形態例である。図1の回路の特徴として、光変調器2の電界吸収型光変調器EAのアノード側電圧Vm を検出し、これが常に0Vとなるように構成している。

0036

即ち、図1において、FETJ1,J6で構成される差動対が、入力信号DATAに対応する変調信号として、電界吸収型光変調器EAに駆動電圧を与えるために光変調器2に駆動電流を付与する駆動回路である。

0037

この駆動回路を構成する差動対の共通ソースに、FETJ7で構成される定電流源が付加されている。

0038

このFETJ7による定電流源は、電流モニタ回路1で電流を検知する。この検知電流が一定となるように、電流安定化回路2により、FETJ7のゲート電圧帰還制御される。

0039

さらに図1では、本発明の特徴に従い、電界吸収型光変調器EAのアノード側電圧Vm のピーク値を検出するピーク検出回路3を有する。このピーク検出回路3で検出されたピーク値電圧と、基準電圧、ここでは0Vとの比較を、バイアス安定化回路4で行なう。

0040

バイアス安定化回路4は、かかる比較を行なう機能と、比較の結果の差電圧を出力する機能を有する。バイアス安定化回路4からの差電圧がバイアス電流供給回路5に入力される。バイアス電流供給回路5では、入力される差電圧に対応する電流に変換する機能を有する。

0041

バイアス電流供給回路5は更に、差電圧に対応して変換された電流を、FETJ1,J6の差動対で構成される駆動回路から出力される駆動電流から差し引くように、即ち、差電圧に対応して変換された電流を、駆動回路から出力される駆動電流と逆方向に供給する。

0042

したがって、電界吸収型光変調器EAのアノード側電圧Vm が0となるように、抵抗RLに流れる電流が帰還制御され、これにより伝送特性が安定化される。

0043

なお、図1において、インダクタンスL4は、高周波成分を除去する働きをする。

0044

また、外部光変調器バイアス回路の制御に関する技術が、一例として、特開平4−61390号公報に記載されている。かかる公報に記載された技術では、検出した光電流の平均値を検知して、出力パワーを一定に制御している。

0045

さらに、光変調器2の電界吸収型光変調器EAに対する駆動(印加)電圧と光電流特性の関係が図12(B)のように変化した場合に、駆動電圧が変動するために、伝送特性に重要なαパラメータが変動し、長距離の伝送特性が劣化する。

0046

これに対し、本発明では、駆動電圧が安定であるために、αパラメータが普遍であり、長距離の伝送特性も劣化しない。

0047

図2は、本発明に従う第2の実施例回路である。図2の実施例回路は、図1の実施例回路と比較して、ピーク検出回路3を光変調器の電界吸収型光変調器EAのカソードに接続している点が異なる。なお、FETJ7で構成される定電流源は、簡略して示されているが、原理的な動作は、図1の実施例と同じである。したがって、更なる説明は省略する。

0048

但し、図2では、ピーク検出回路3を光変調器の電界吸収型光変調器EAのカソード側に接続し、光電流に対応する電圧を得るために、抵抗REAを電界吸収型光変調器EAのカソードと直列に接続している。

0049

かかる図2の特徴は、ピーク検出回路3を電界吸収型光変調器EAのカソードに接続しているため、高周波の影響を小さくして光電流のピークを検知することが可能である。

0050

ここで、図11(C)により説明したように、電界吸収型光変調器EAに対する駆動(印加)電圧が0V付近では、チャープの影響が大きい。したがって、チャープの影響を低減すべく、更に印加電圧を負方向にシフトして、αパラメータ変動の少ない領域で使用する回路を本発明者等は、先に提案している(例えば、特開平8−316580号公報図5)。

0051

図3は、本発明に従う、第3の実施例回路であり、かかる先に提案された回路に、本発明を適用した例である。即ち、先に提案された回路では、FETJ6とJ1による駆動回路と電界吸収型光変調器EAのアノードとを、コンデンサC1により直流的に分離している。さらに、電界吸収型光変調器EAのアノードに負電圧(オフセット電圧)を供給している。

0052

図3の本発明に従う実施例では、かかる先に提案して回路において、更に、図1と同様に、ピーク検出回路3、バイアス安定化回路4及びバイアス電流供給回路5により、電界吸収型光変調器EAのアノード電圧Vm を、チャープの影響の少ない、負電圧の一定電位となるように制御する。

0053

なお、図3の実施例において、ピーク検出回路3の接続位置を図2の実施例と同様に、電界吸収型光変調器EAのカソード側に抵抗REAを接続して、光電流により生じた電圧を検知するようにしてもよい。

0054

ここで、本発明に適用可能な、キャリア光の発光のためのレーザダイオードLDと、光変調器用の電界吸収型光変調器EAの構成を考察する。図4は、かかる電界吸収型光変調器EAとレーザダイオードLDを、一体にした光変調器集積化DFBレーザの一構成例を示す図である。

0055

この光変調器集積化DFBレーザは、例えば、GaInAs多重量子井戸MQW)層を含む直接結合導波路を有する半導体チップとして構成される。キャリア光を発光するレーザダイオードLDは、駆動電流を供給するための第1、第2の端子40,41を有する。電界吸収型光変調器EAは、印加電圧を供給されるための第3、第4の端子42,43を有する。

0056

レーザダイオードLD及び電界吸収型光変調器EAは、一体であり、図示される例では、第2及び第4の端子41,43も一体に形成される。第1及び、第2の端子40,42は、それぞれ個別にリード線44,45が接続される。一体の第2及び第4の端子41,43には、共通リード線46が接続される。

0057

図において、矢印47は、レーザダイオードLDから放射され、電界吸収型光変調器EAを透過するフォワード光を示している。

0058

図5は、本発明の第4の実施例回路である。この実施例の特徴は、図6に示すように、光変調用の電界吸収型光変調器EAを2つ同一の半導体チップに形成したものを使用する例である。

0059

第1、第2の電界吸収型光変調器EA1、EA2が、図4において説明したと同様に、一体に半導体チップ50に形成される。図5戻り説明すると、半導体チップ50上の第1の電界吸収型光変調器EA1が、レーザダイオードLDから放射されるキャリア光による光電流をモニタ回路30によりモニタする。

0060

モニタ回路30により検知された光電流により、先の実施例と同様に、バイアス安定化回路4及び、バイアス電流供給回路5により、第2の電界吸収型光変調器EA2のバイアス電流を制御する。

0061

図5の実施例は、他の実施例の制御の方法と比較すると、帰還制御に対して、フィードフォワード制御として考えられる。また、かかる制御が可能な理由は、2つの電界吸収型光変調器EA1、EA2が、同一半導体チップ上に同じプロセスで形成されるので、特性も同じになると考えることが可能であるからである。

0062

また、図5では、キャリア光を出力するレーザダイオードLDを電界吸収型光変調器EA1、EA2のチップ別個にしている。図4で説明したと同様に、レーザダイオードLDを、電界吸収型光変調器EA1、EA2と同一のチップに形成することも可能である。

発明の効果

0063

以上図面に従い、説明したように、本発明は、光変調器の電界吸収型光変調器EAのアノード電圧を検知し、印加電圧が一定となるように制御するバイアス電流を制御している。これにより、温度・経年変化により光電流が変化しても、電界吸収型光変調器EAの印加電圧が一定となるので、伝送特性の劣化を防止することが容易となる。

0064

また、光電流の異なる電界吸収型光変調器を使用した場合、即ち、光変調器の電界吸収型光変調器EAの特性にばらつきが有っても、無調整で光変調器の印加電圧を一定にすることが可能である。

図面の簡単な説明

0065

図1本発明に従う第1の実施例回路である。
図2本発明に従う第2の実施例回路である。
図3本発明に従う第3の実施例回路である。
図4レーザダイオードLDと電界吸収型光変調器EAを一体にした光変調器集積化DFBレーザの一構成例を示す図である。
図5本発明に従う、第4の実施例回路である。
図6光変調用の電界吸収型光変調器EAを2つ同一の半導体チップに形成した例を示す図である。
図7電界吸収型光変調器を用いた、光送信器の構成例ブロックである。
図8電界吸収型光変調器及び、キャリア光放出用レーザダイオードの等価回路である。
図9印加電圧Vm に対する電界吸収型光変調器EAの光出力特性である。
図10光電流の特性例を示す図である。
図11電界吸収型光変調器2を構成する電界吸収型光変調器EAと、抵抗RLに流れる電流について考察する図である。
図12光電流Iph1 を引き抜くバイアス電流供給回路の必要性を説明する図である。

--

0066

LDキャリア光放出用レーザダイオード
EA電界吸収型光変調器
J1,J6,J7FET
1電流モニタ回路
2電流安定化回路
3ピーク検出回路
4バイアス安定化回路
5 バイアス電流供給回路

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