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技術 放射線像形成パネル

出願人 リットンシステムズカナダリミテッド
発明者 ヒューアンツォン
出願日 1994年7月27日 (26年5ヶ月経過) 出願番号 1996-505322
公開日 1998年6月16日 (22年6ヶ月経過) 公開番号 1998-506230
状態 特許登録済
技術分野 放射線診断機器 放射線の測定 光信号から電気信号への変換 固体撮像素子
主要キーワード ピクセルアレー ゲート制御パルス 空気放電 像形成センサ リセットプロセス 映像速度 標準設計 出力流
関連する未来課題
重要な関連分野

この項目の情報は公開日時点(1998年6月16日)のものです。
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図面 (12)

課題・解決手段

入射放射線電荷直接変換するための容量性結合放射線検出器と、発生された電荷を蓄積するための蓄積キャパシタと、この蓄積キャパシタに蓄積された電荷を周期的に出力するための読み出しスイッチと、放射線検出器を周期的にリセットするためのリセットスイッチとを備えた放射線像形成システム

概要

背景

概要

入射放射線電荷直接変換するための容量性結合放射線検出器と、発生された電荷を蓄積するための蓄積キャパシタと、この蓄積キャパシタに蓄積された電荷を周期的に出力するための読み出しスイッチと、放射線検出器を周期的にリセットするためのリセットスイッチとを備えた放射線像形成システム

目的

効果

実績

技術文献被引用数
3件
牽制数
8件

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請求項1

a)入射する放射線電荷直接変換するための容量性結合放射線検出手段と、b)上記電荷を蓄積するための蓄積キャパシタ手段と、c)上記蓄積キャパシタ手段に蓄積された上記電荷を周期的に出力するための読み出し手段と、d)上記容量性結合の放射線検出手段を周期的にリセットするためのリセット手段とを備えたことを特徴とする放射線像形成システム

請求項2

上記容量性結合の放射線検出手段は、高電圧DCバイアスされたa−Seフィルムより成る請求項1に記載の像形成システム

請求項3

上記a−Seフィルムは、約300μm厚みである請求項2に記載の像形成システム。

請求項4

上記蓄積キャパシタ手段は、上記a−Seフィルムに隣接する第1の電極と、この第1の電極と反対の第2の電極と、これら第1電極と第2電極との間の誘電体層とを含む請求項2に記載の像形成システム。

請求項5

上記容量性結合の放射線検出手段は、高電圧DCバイアスされたa−Siフィルムより成る請求項1に記載の像形成システム。

請求項6

上記リセット手段は、薄膜トランジスタ(TFT)を含む請求項1に記載の像形成システム。

請求項7

上記のリセット手段は、ダイオードを含む請求項1に記載の像形成システム。

請求項8

上記リセット手段は、金属−絶縁体−金属MIM)トランジスタを含む請求項1に記載の像形成システム。

請求項9

上記リセット手段は、金属−絶縁体−半導体MIS)トランジスタを含む請求項1に記載の像形成システム。

請求項10

上記ダイオードは、アモルファスシリコンp−i−nダイオードである請求項7に記載の像形成システム。

請求項11

上記読み出し手段は、薄膜トランジスタ(TFT)を含む請求項1に記載の像形成システム。

請求項12

上記読み出し手段は、更に、上記第1の電極に接続されたドレイン端子と、データ読み出しラインに接続されたソース端子と、読み出し制御信号源に接続されたゲート端子とを有する第1の薄膜トランジスタ(TFT)を含む請求項4に記載の像形成装置

請求項13

上記リセット手段は、第2の薄膜トランジスタ(TFT)を含む請求項4に記載の像形成装置。

請求項14

上記第2の薄膜トランジスタ(TFT)は、上記第1電極に接続されたドレイン端子と、リセット電位源に接続されたソース端子と、リセット制御信号源に接続されたゲート端子とを有する請求項13に記載の像形成装置。

請求項15

上記リセット手段は、上記第1電極に接続されたアノードと、リセット制御信号源に接続されたカソードとを有するダイオードを含む請求項12に記載の像形成システム。

請求項16

a)入射する放射線を電荷に直接変換するための容量性結合の放射線検出手段と、b)上記容量性結合の放射線検出手段に隣接して、上記電荷を蓄積するためのピクセル電極アレーと、c)上記ピクセル電極のアレーの各行を分離する複数の制御ラインと、d)上記ピクセル電極のアレーの各列を分離する複数のデータラインと、e)次々制御信号を次々の上記制御ラインに発生するスキャナ手段と、f)上記ピクセル電極の各々に接続されたドレイン端子、上記制御ラインの第1の各ラインに接続されたゲート端子、及び上記データラインの各々に接続されたソース端子を有し、上記スキャナ手段が上記制御ラインの各々に上記制御信号を発生するのに応答して上記ピクセル電極から上記データラインへ上記電荷を転送するための複数のTFT読み出しスイッチ手段と、g)上記複数のデータラインに接続され、上記データラインから上記電荷の次々の行を受け取って出力するためのマルチプレクサ手段と、h)上記ピクセル電極の各々に接続された第1の端子、上記制御ラインの上記第1のラインに隣接する上記制御ラインの更に別の各々に接続された制御端子、及びリセット電位源に接続された第2の端子を有し、上記ピクセル電極の各々を上記電荷がそこから転送された後にリセットするための複数のリセットスイッチ手段とを備えたことを特徴とする放射線像形成システム。

請求項17

上記容量性結合の放射線検出手段は、高電圧DCバイアスされたa−Seフィルムより成る請求項16に記載の放射線像形成システム。

請求項18

上記a−Seフィルムは、約300μm厚みである請求項17に記載の像形成システム。

請求項19

上記ピクセル電極手段は、上記a−Seフィルムに隣接する第1の電極と、この第1の電極と反対の第2の電極と、これら第1電極と第2電極との間の誘電体層とを含む請求項17に記載の像形成システム。

請求項20

上記容量性結合の放射線検出手段は、高電圧DCバイアスされたa−Siフィルムより成る請求項16に記載の像形成システム。

請求項21

上記リセット手段の各々は、薄膜トランジスタ(TFT)を含む請求項16に記載の像形成システム。

請求項22

上記のリセット手段の各々は、ダイオードを含む請求項16に記載の像形成システム。

請求項23

上記リセット手段の各々は、金属−絶縁体−金属(MIM)トランジスタを含む請求項16に記載の像形成システム。

請求項24

上記リセット手段の各々は、金属−絶縁体−半導体(MIS)トランジスタを含む請求項16に記載の像形成システム。

請求項25

上記ダイオードは、アモルファスシリコンp−i−nダイオードである請求項22に記載の像形成システム。

請求項26

上記a−Seフィルムの上に横たわるAl層を更に備え、上記a−Seフィルムは、このAl層と上記第1電極との間に印加される高いDC電圧により高電圧DCバイアスされる請求項19に記載の像形成システム。

請求項27

上記Al層と上記a−Seフィルムの中間にCeO2のブロッキング層を更に備えた請求項26に記載の像形成システム。

請求項28

上記TFT読み出しスイッチ手段の各々は、CdS半導体領域で形成される請求項16に記載の像形成手段。

請求項29

上記TFT読み出しスイッチ手段の各々は、a−Si半導体領域で形成される請求項17に記載の像形成手段。

請求項30

上記リセットスイッチ手段の各々は、p+−a−Si半導体で形成されたMISトランジスタを含む請求項29に記載の像形成システム。

請求項31

上記リセットスイッチ手段の各々は、MIMトランジスタを含み、そして上記TFT読み出しスイッチ手段の各々は、A−Si半導体で形成される請求項20に記載の像形成手段。

請求項32

上記ダイオードの各々は、上記ピクセル電極の1つに接続されたp+−a−Siより成るアノードと、上記制御ラインの1つに接続されたn+−a−Siより成るカソードと、これらアノードとカソードとの間のa−Si層とを有する請求項25に記載の像形成システム。

請求項33

上記リセットスイッチ手段の上記第2端子は、上記データラインの各々に並列な各リセットラインを経て上記リセット電位源に接続される請求項16に記載の像形成システム。

請求項34

上記リセットスイッチ手段の上記第2端子は、上記制御ラインの各々に並列な各リセットラインを経て上記リセット電位源に接続される請求項16に記載の像形成システム。

--

0001

発明の分野
本発明は、一般に、像形成システム係り、より詳細には、容量性結合放射
線検出器と、この容量性放射線検出器電位周期的にリセットするためのリセ
ットスイッチとを組み込んだX線像形成パネルに係る。
先行技術の説明

0002

アモルファスセレン(a−Se)は、医療用及び工業用デジタルX線像形成
装置の有望な材料として最近確認されている。このような1つの公知装置が、メ
ディカルイメージングVI:インツルメンテーションSPIE1651の第
134−143ページ(1992年)に掲載された「アモルファスセレンを用い
放射線学のための大面積ソリッドステート検出器(A Large Area Solid-State
Detector for Radiology Using Amorphous Selenium)」と題する論文に述べられ
ている。この論文には、セレン(Se)プレート高電圧印加してX線の高い
変換効率を得るようなデジタルX線像形成装置が説明されている。Seフィルム
の厚みにもよるが、DCバイアス電圧は、数千ボルト以上になる。Seフィルム
に高電圧を使用すると、X線変換プレートに接続された半導体装置に重大な危険
が課せられる。

0003

このような危険を回避する1つの解決策は、読み出し回路とSeフィルムとの
間に絶縁体を挿入することにより信号検出回路から高電圧部分を分離することを
含む。Seフィルム及び絶縁体を含むX線像形成装置(電極/Se/絶縁体/読
み出し回路又は読み出し回路/Se/絶縁体/電極)が、ジャーナルオブ・ア
プライドフォトグラフィック・エンジニアリング、第4巻、第4号、1978
に掲載されたD.M.コーン氏等の「電子写真及び電子放射線写真像を電子
的に読み出す方法(A Method of Electronic Readout of Electrophotographic a
nd Electroradiographic Images)」と題する論文、及びSPIE、第173巻、
アプリケーション・オブ・オプチカル・インスツルメンテーション・アンド・メ
ディスンVII、第81−87ページ(1979年)に掲載されたA.ザーメロ
氏等の「静電像レーザ読み出し(Laser Readout of Electrostatic Images)」
と題する論文に説明されている。更に、ゼロックス社の米国特許第5,017,
989号は、電極/Se/絶縁体/読み出し回路の構成を開示している。この公
知特許においては、像形成信号を増幅及び出力するために絶縁フィルム上に敷設
された薄膜トランジスタ(TFT)の使用に改善が示されている。

0004

上記した全ての公知装置においては、信号電圧が読み出し回路に容量性結合さ
れる。従って、読み出し回路は、Seフィルムの電位を自動的にリセットするこ
とができない(即ち、非破壊読み出し)。読み出しの後に、Seフィルムのバイ
アス電圧反転して、信号の電荷逆転させ、これにより、Seフィルムの電位
をリセットしそしてパネルを次のX線露光に対して準備しなければならない。

0005

上記した公知装置各々の著しい欠点は、X線像のリアルタイム収集を実質的に
行うことができない(即ち、映像速度信号を得るための高速動作(例えば、30
フレーム/秒)を達成することができない)点である。

0006

この欠点は、「好ましい実施形態の詳細な説明及び公知技術の更なる説明」に
おいて詳細に述べる2つの理由で生じる。

発明の要旨

0007

本発明によれば、放射線感知フィルム(例えば、a−Se)と、この放射線感
知フィルムをリセットするためのリセット電位源とにスイッチが接続された高い
読み出し速度のリアルタイム放射線像形成パネルが提供される。従って、本発明
の放射線像形成パネルは、公知技術とは対照的に、高い感度及び高い速度応答
信号読み出しを行う。更に、高電圧及び大電流裕度をもつリセット回路を組み込
むことにより、回路動作信頼性が改善される。

図面の簡単な説明

0008

以下、添付図面を参照し、公知技術及び本発明の好ましい実施形態を詳細に説
明する。

0009

図1は、公知技術で知られたように、Seフィルムに印加されるバイアス電圧
に対して光電流及び暗電流を示したグラフである。

0010

図2は、本発明による像形成アレーの単一ピクセル等価回路図である。

0011

図3は、本発明による多数のピクセルを組み込んだ像形成センサアレーの回路
図である。

0012

図4は、好ましい実施形態による単一ピクセルのレイアウト図である。

0013

図5は、図4のA−B線に沿った断面図である。

0014

図6は、本発明の第1の別の実施形態による単一ピクセルの断面図である。

0015

図7は、本発明の第2の別の実施形態による単一ピクセルの断面図である。

0016

図8は、本発明の第3の別の実施形態による単一ピクセルの断面図である。

0017

図9は、本発明の第4の別の実施形態による単一ピクセルの断面図である。

0018

図10は、更に別の実施形態によるセンサアレーの回路図である。

0019

図11は、図3に示されたセンサアレーのタイミング図である。
好ましい実施形態の詳細な説明及び公知技術の更なる説明

0020

上記のように、公知のデジタルX線像形成装置は、X線像のリアルタイム収集
に対して充分に高い速度を達成し得ないという欠点がある。公知技術のこの欠点
については、2つの原因がある。先ず第1に、Seフィルムにまたがって印加さ
れたバイアス電圧に対し暗電流及び光電流を示した図1のグラフを参照すれば、
これら暗電流及び光電流は、Seフィルムにまたがるバイアス電圧の減少に伴い
急激に低下することが明らかである。これは、Seフィルムを完全に放電するの
に長時間を要するか、又は大きな減衰遅れを生じることを示唆している。このよ
うな特性は、X線透視又はX線テレビジョンの間に経験するような低線量X線の
場合に重大なものとなる。第2に、付加的な電子ノイズ空気放電の問題を招く
ことなく、30Hzの映像周波数において例えば2000Vないし−2000V
の高いバイアス電圧をSeバイアス電圧回路切り換えることは困難である。更
に、高電圧パルスが絶縁体を経て信号読み出し回路へ流れ込む。このため、公知
ステムにおいてSeフィルムと読み出し回路との間に挿入された絶縁体は、静
電界又は電界のDC成分から読み出し回路を絶縁できるだけであって、時間と共
に変化する電界(即ち、電界のAC成分)から読み出し回路を絶縁することはで
きない。それ故、公知装置では、Seフィルムのバイアス電圧をゆっくりと変化
させて、差の電圧を減少しなければならない。公知装置をこのように動作するこ
とは、応答時間を増加させる。

0021

図2は、本発明によるX線像形成アレーにおける単一ピクセルの等価回路を示
している。この回路は、複数の並列制御ライン7の1つに接続された制御端子
と、複数の並列なデータライン6の1つに接続された出力端子と、キャパシタ
スCsを有する蓄積キャパシタ2に接続された入力端子とを有する読み出しスイ
ッチ1を備えている。蓄積キャパシタ2は、放射線検出器4及びリセットスイッ
チ3に接続される。以下に詳細に述べる好ましい実施形態のように、放射線検出
器4がSeの厚膜より成る場合には、キャパシタンスをCseと表す。

0022

動作に際し、放射線検出器4にはバイアス電圧が印加され、放射線(例えば、
X線)に曝されたときに、放射線検出器に電荷(例えば、電子とホール)が発生
してキャパシタ2に蓄積されるようにする。垂直スキャナ図3)は、制御ライ
ン7の次々の1つに制御信号を発生し、ピクセルアレー読み出しスイッチの次
々の行をイネーブルし(例えば、図3)、蓄積キャパシタ2の次々の行を放電す
る。各キャパシタ2からの信号電荷は、図3を参照して以下で詳細に述べるよう
に、その後の読み出しのためにデータライン6に送られる。

0023

信号電荷の収集効率は、キャパシタ2の蓄積キャパシタンスと放射線検出器4
のキャパシタンスとの比に比例する(即ち、放射線検出器4がSeから形成され
る場合には、収集効率は、Cs/(Cs+Cse)により与えられる)。

0024

上記のように、信号電圧は、読み出しスイッチ1に容量性結合されるので、読
み出しスイッチは、放射線検出器4の電位を自動的にリセットすることができな
い。従って、公知システムにおいては、放射線検出器4に印加されるバイアス
圧を逆転して、信号電荷を逆にし、これにより、放射線検出器4(例えば、Se
フィルム)の電位をリセットしている。

0025

しかしながら、本発明によれば、スイッチ3が放射線検出器4及び蓄積キャパ
シタ2に接続されて、放射線検出器4にまたがる電位(即ち、バイアス電圧)を
所定の電圧(例えば、接地又は他の適当なリセット電圧)へ迅速にリセットし、
これにより、センサリアルタイム動作を容易にする。以下に詳細に述べるよう
に、スイッチ3は、TFT、ダイオードMIM(金属−絶縁体−金属)又はM
IS(金属−絶縁体−半導体)として構成されてもよいし、或いは他の適当なス
イッチング技術によって構成されてもよい。

0026

図3を参照すれば、複数のセンサピクセルが示されている(即ち、図3の代表
的なアレーでは、このようなピクセルが4つ示されているが、実際には、典型的
なアレーは、長方形アレーに配列された複数のピクセルを含む)。

0027

図3の実施形態において、リセットスイッチ3は、放射線検出器4の一方の端
子に接続されたTFTとして形成される(他方の端子は、図示されていないが、
図5ないし9を参照して以下に詳細に述べるように、全センサアレーの上に横た
わり、そして高いDCバイアス電圧のソースに接続される)。各リセットスイッ
チ3の他方の端子は、リセット電位VRに接続されたリセットソースライン5に
接続される。

0028

上記のように、制御ライン7の次々のラインが垂直スキャナ8に接続されて、
制御ライン7の次々のラインに制御パルスを発生するが、これについては図11
を参照して以下に詳細に述べる。

0029

マルチプレクサ9の形態の読み出し回路が設けられており、これは、その複数
の入力に接続された複数の電荷積分増幅器14を有している。各増幅器14は、
センサアレーのデータライン6の1つに接続され、データラインにより搬送され
る電荷を良く知られた仕方で積分し、そしてそれを表す出力信号マルチプレ
サ9に付与する。次いで、マルチプレクサ9は、走査されたセンサの次々の行を
その後の処理(例えば、A/D変換、デジタル信号処理、像表示、等)のために
直列出力流へとマルチプレクスする。電荷積分増幅器14、垂直スキャナ8及
びマルチプレクサ9の動作は、当業者に明らかであろう。

0030

図3と共に図11を参照して、センサアレーの動作を簡単に説明する。図11
は、垂直スキャナ8により発生される制御信号と、付加的な制御回路(図示され
ていないが、標準設計の)により発生される読み出し及びリフレッシュ信号とを
示している。キャパシタ2に蓄積された電荷は、スキャナ8がTFT読み出しス
イッチ1の次々の行をイネーブルするのに応答して、行ごとのベースでデータラ
イン6に転送される。従って、図11に示すように、読み出しスイッチ1の第1
の行は、垂直スキャナ8が制御パルス(φyi)を発生するのに応答してイネー
ブルされる。

0031

次いで、各蓄積キャパシタ2からデータライン6に転送された電荷は、電荷積
分増幅器14を経て積分され、そしてマルチプレクサ9へ送られる。

0032

増幅器14の各々によりマルチプレクサ9へ送られた電荷は、複数の次々の付
加的な制御信号φxj、φxj+1、φxj+2等を発生する外部コントローラ
に応答してマルチプレクスされて直列フォーマットでマルチプレクサ9から読み
出され、これにより、各ピクセルセンサに現れる像データが次々に読み出される
(即ち、直列出力)。電荷積分増幅器14の積分キャパシタは、次いで、外部コ
トロール回路が正のリフレッシュパルス信号(φr)を発生するのに応答して
リセットされる。

0033

次いで、垂直スキャナ8がピクセルセンサの第2の行に別の制御パルス(φy
i+1)を発生するのに応答して蓄積キャパシタ2の第2の行が放電され、その
電荷がデータライン6へ転送され、そして増幅器14を経て積分されて、マルチ
プレクサ9へ付与され、その後に読み出される。しかしながら、図3から明らか
なように、制御パルスφyi+1が発生されたときには、TFTリセットスイッ
チ3は、その手前の行においてもイネーブルされ、その手前の行全体の放射線検
出器4の電位をリセットする。

0034

このときのリセット動作は、蓄積キャパシタ2を完全にリフレッシュできない
ことに注意されたい。というのは、手前の行のTFTスイッチ1がオフ切り換
えられており、従って、スイッチ1側のキャパシタ2の端子が電気的に浮いてお
り、その電位が反対の端子の電位と共に変動するからである。キャパシタ2に対
する完全なリセット動作は、像形成パネルの全てのピクセルが読み出された後に
行われる。

0035

この読み出し及びリセットプロセスは、垂直スキャナがセンサアレーの次々の
制御ライン7に次々の付加的な制御パルス(例えば、φyi+2等)を発生する
のに応答してセンサアレーの全てのその後の行に対して続けられる。

0036

垂直スキャナ8が各行のセンサの電荷を読み出すようにすると(即ち、1つの
フレーム像の後に)、垂直スキャナ8は、更に別の高電圧レベル制御パルスを全
制御ライン7に発生し、これにより、一度に全てのピクセルをリセットする。

0037

図4及び5は、各々、本発明の好ましい実施形態による1つのピクセルのレイ
アウト及びピクセルの断面を示す。

0038

図2及び3を参照して上記したように、センサアレーは、制御ライン7(図4
にはゲートバスライン70で示されている)の複数の行と、データライン6の複
数の列とで画成される。これらライン70及び6は、通常の仕方でCrから作ら
れるのが好ましい。ゲートライン70は、個々のゲート73がアクティブなピク
セルエリアへ延びるようにガラス基板10に付着される。ゲート73及び基板
0の上には絶縁体11(例えば、SiO2又はa−SiN)の層が付着される。
絶縁層11の上にはリセットスイッチ3の個々のCrゲート72が付着され、接
経路71を経て制御ライン70に接触する。

0039

絶縁像11の上には、CdS半導体12の層が付着され、読み出しスイッチ
1のゲート73の上に横たわる。絶縁層11の上には、データライン6(これも
Crから作られる)及び下部ピクセル電極21(これもCrから作られる)が、
半導体領域12と接触するよう付着される。リセットスイッチ3のゲート72、
データライン6、半導体領域12、下部ピクセル電極21、及びその下の絶縁層
11の上には、a−SiNの更に別の絶縁層20が付着される。

0040

次いで、この絶縁層20の上には、リセットスイッチ3のソースライン5及び
上部ピクセル電極22が付着され、そして更に別の半導体領域30(好ましくは
CdSe)が付着されて、ソースライン5及び上部ピクセル電極22に接触する
と共に、リセットスイッチ3のゲート72と実質的に整列される。

0041

次いで、全アレーの上にa−Seの層40が付着され、その後、CeO2のブ
ロッキング層41及びAlの上部電極即ち接点72が付着され、これは、上部ピ
クセル電極22と組み合わされて、a−Se層40に高いDCバイアス電圧を印
加するのに使用される。

0042

第2のゲート誘電体フィルム20(好ましくはa−SiNで作られた)は、高
誘電率(例えば、約9)を伴って厚く(例えば、500nmないし1000n
m)作られるので、ピクセル電極22とTFT読み出しスイッチ1との間のブレ
クダウン電圧は、非常に高い。

0043

上記したように、信号電荷の収集効率は、Cs/(Cs+Cse)で与えられ
る。放射線検出のためのSeフィルム40の厚みは、約300μmであるから、
本発明の設計では、98%以上の信号電荷を読み出すことができる。

0044

図4及び5に示されたTFT構造は、本発明を実現するのに適した多数の種々
のTFT構造の1つに過ぎない。

0045

図6、7及び8は、異なる構造のリセットTFT3を示す断面図である。図5
ないし8と共通の参照番号が、共通の特徴を示している。従って、図6に示す別
の実施形態では、TFTリセットスイッチ3がa−Se+As2Se3の半導体層
32を用いて形成される。図7の実施形態では、TFTリセットスイッチ3がp
+−a−Siの半導体領域をもつPチャンネルTFT装置を用いて形成され、そ
して読み出しスイッチ1の半導体材料13は、a−Siを用いて形成される。図
8の実施形態では、リセットスイッチ3がTFT装置として形成され、放射線コ
ンバータ4の半導体フィルムがTFTスイッチ3に対しても使用される。読み出
しスイッチ1の半導体領域13は、放射線検出フィルム44の場合と同様に、a
−Siから形成される。

0046

図9は、リセットスイッチ3としてa−Si p−i−nダイオードスイッチ
を用いた本発明の別の構造を示している。このダイオードは、p+−a−Siの
層35とn+−a−Siの層36との間にサンドイッチされたa−Siの層34
を備えている。このダイオードはCrのリセット制御ライン50に付着される。

0047

図10は、リセットスイッチ3のソースライン5がゲートライン7に並列に配
置された本発明の更に別の実施形態を示している。

0048

この設計では、ゲート制御パルスと同期するが異なる電圧レベルをもつ駆動パ
ルス波をソースライン5に付与して、リセットスイッチ3のオン電流を増加しそ
してオフ電流を減少できるようにする。

0049

本発明の更に別の実施形態及び変更も考えられる。例えば、上記実施形態は、
良く知られたマルチプレクサの読み出しを参照したが、各ピクセルに内蔵TFT
増幅器をもつTFT読み出しアレー、レーザビーム走査読み出し、電気的輝度
ィルムをもつ液晶又はソリッドステート像増強器を用いた空間的光変調読み出し
(即ち、光バルブ)等のような別の読み出し回路及び装置を使用してもよい。こ
のような変更及び修正は、全て、請求の範囲に規定された本発明の精神及び範囲
内に包含されるものとする。

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