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技術 試験用基板及びこれを用いた試験方法

出願人 富士通株式会社
発明者 宮地直己森屋晋丸山茂幸長谷山誠深谷太
出願日 1997年1月31日 (23年0ヶ月経過) 出願番号 1997-019214
公開日 1998年8月21日 (21年6ヶ月経過) 公開番号 1998-221375
状態 特許登録済
技術分野 測定用導線・探針 短絡、断線、漏洩,誤接続の試験 半導体等の試験・測定
主要キーワード 電気的接続面積 接続孔間 絶縁突起 変形発生 内壁形状 被試験用 導通面 粗面形成
関連する未来課題
重要な関連分野

この項目の情報は公開日時点(1998年8月21日)のものです。
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図面 (20)

課題

本発明は突起電極を有する半導体チップ回路基板,或いは半導体装置試験に用いて好適な試験用基板及びこれを利用した試験方法に関し、試験時において突起電極に変形が発生することを防止することを課題とする。

解決手段

半導体装置16(被試験装置)が装着された装着時において、半導体装置16と対向するよう設けられた絶縁部11と、傾斜面を有しており装着時に突起電極17が挿入される構成とされた絶縁部11に形成された接続孔13と、絶縁部11に形成されており突起電極17と接触し電気的に接続される導体部12とを具備し、上記装着時において半導体装置16または突起電極17を絶縁部11で支持する構成とする。

概要

背景

従来より、下面に球状に突出する突起電極を有する被試験装置(例えば、樹脂封止されていないベアチップ,樹脂封止された半導体装置,及び半導体装置等が搭載された回路基板等。尚、以下これらを「半導体装置」と総称する)の試験方法として種々の試験方法が提案されており、また実施されている。

この種の半導体装置の電気的動作試験を行うには試験装置電極バンプに接続させる必要があるが、この際バンプをできるだけ変形及び変質させずに試験装置の電極に接続する必要がある。図28は、従来の試験用基板50に半導体装置51が装着された状態を示している。同図に示されるように、試験用基板50は絶縁部53,導体部54,及びランド部55等により構成されている。絶縁部53は例えば絶縁テープであり、半導体装置51に設けられた突起電極52(バンプ)と対応する位置には孔56が形成されている。

また、絶縁部53の半導体装置51が装着される面と異なる面には導体部54が配設されている。この導体部54は図示しない試験装置に接続されており、よってこの導体部54に所定の突起電極52を接続することにより、試験装置により半導体装置51に対して試験を行なうことが可能となる。

一方、前記した絶縁部53に形成された孔56には導体金属よりなるランド部55が配設されており、その先端部は絶縁部53から突出した形状を有している。このランド部55は導体部54と電気的に接続されており、よって半導体装置51を試験用基板50に装着することにより、突起電極52はランド部55と当接し、導体部54と電気的に接続される。

従って、試験用基板50と接続された試験装置により半導体装置51の試験を行なうことが可能となる。この際、一般に突起電極52はランド部55との電気的接続を確実に行なうため、図示しない押圧機構により半導体装置51は試験用基板50に対し押圧される構成とされている。これにより、突起電極52とランド部55との接圧は増大し確実な接続を実現することができる。

概要

本発明は突起電極を有する半導体チップ,回路基板,或いは半導体装置の試験に用いて好適な試験用基板及びこれを利用した試験方法に関し、試験時において突起電極に変形が発生することを防止することを課題とする。

半導体装置16(被試験装置)が装着された装着時において、半導体装置16と対向するよう設けられた絶縁部11と、傾斜面を有しており装着時に突起電極17が挿入される構成とされた絶縁部11に形成された接続孔13と、絶縁部11に形成されており突起電極17と接触し電気的に接続される導体部12とを具備し、上記装着時において半導体装置16または突起電極17を絶縁部11で支持する構成とする。

目的

本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、試験時において突起電極の変形を防止しうる試験用基板及びこれを用いた試験方法を提供することを目的とする。

効果

実績

技術文献被引用数
2件
牽制数
2件

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請求項1

突起電極を有する被試験装置が装着され、該被試験装置に対し試験を行なう試験用基板であって、装着時に前記被試験装置と対向するよう設けられた絶縁部と、前記絶縁部の前記突起電極の形成位置に対応した位置に形成されており、前記装着時に前記突起電極が挿入される接続孔と、前記絶縁部の前記被試験装置が装着される装着面と異なる位置に形成されており、前記接続孔に挿入される前記突起電極と接触し電気的に接続される導体部とを具備し、かつ、装着時において前記被試験装置または前記突起電極を前記絶縁部で支持する構成としたことを特徴とする試験用基板。

請求項2

請求項1記載の試験用基板において、前記接続孔の内壁を傾斜面としたことを特徴とする試験用基板。

請求項3

請求項1記載の試験用基板において、前記接続孔の内壁形状を前記突起電極に対応した形状としたことを特徴とする試験用基板。

請求項4

請求項1乃至3のいずれかに記載の試験用基板において、前記導体部を前記絶縁部の内部に配設すると共に、前記接続孔の内壁に露出させ、前記導体部の前記内壁から露出した部位において前記突起電極と電気的に接続される構成としたことを特徴とする試験用基板。

請求項5

請求項1乃至4のいずれかに記載の試験用基板において、前記接続孔の内壁に、前記導体部と電気的に接続された導電膜を形成したことを特徴とする試験用基板。

請求項6

請求項1乃至5のいずれかに記載の試験用基板において、前記接続孔の底部位置に、前記導体部と電気的に接続すると共に前記導体部より突出した突出接続部を設けたことを特徴とする試験用基板。

請求項7

請求項6記載の試験用基板において、前記突出接続部は、非濡れ性部材またはスタッドバンプまたは導体ピンまたは粗面形成部材のいずれかであることを特徴とする試験用基板。

請求項8

請求項1乃至7のいずれかに記載の試験用基板において、前記導体部は、試験に用いない突起電極(非試験用突起電極)と接続する非試験用導体部と、試験に用いる突起電極(試験用突起電極)と接続する試験用導体部とを有し、前記非試験用導体部と前記試験用導体部とを電気的に隔離した構成としたことを特徴とする試験用基板。

請求項9

請求項1乃至7のいずれかに記載の試験用基板において、前記突起電極は、試験に用いない突起電極(非試験用突起電極)と、試験に用いる突起電極(試験用突起電極)とを有し、前記試験用突起電極が挿入される接続孔にのみ前記導体部を配設したことを特徴とする試験用基板。

請求項10

請求項6または7記載の試験用基板において、前記突起電極は、試験に用いない突起電極(非試験用突起電極)と、試験に用いる突起電極(試験用突起電極)とを有し、前記絶縁部の前記試験用突起電極と対応する位置にのみ前記接続孔を形成すると共に、前記絶縁部の厚さ寸法を、前記非試験用突起電極が前記絶縁部に当接した状態において、前記試験用突起電極と前記突出接続部とが接続される厚さ寸法に設定したことを特徴とする試験用基板。

請求項11

請求項6または7記載の試験用基板において、前記突起電極は、試験に用いない突起電極(非試験用突起電極)と、試験に用いる突起電極(試験用突起電極)とを有し、前記絶縁部の前記試験用突起電極と対応する位置にのみ前記接続孔を形成すると共に、前記非試験用突起電極と対向する位置に凹部を形成し、かつ、前記凹部の深さ寸法を、前記非試験用突起電極が前記凹部に当接した状態において、前記試験用突起電極と前記突出接続部とが接続される深さ寸法に設定したことを特徴とする試験用基板。

請求項12

請求項1乃至11のいずれかに記載の試験用基板において、前記絶縁部に、前記被試験装置が適正に装着された状態において、前記被試験装置と接触するか、または微細寸法離間した状態となるよう構成された支持部を設けたことを特徴とする試験用基板。

請求項13

請求項12記載の試験用基板において、前記支持部を、隣接する前記接続孔の間位置に設けたことを特徴とする試験用基板。

請求項14

請求項12記載の試験用基板において、前記支持部を、前記接続孔の形成位置に対し外周位置に設けたことを特徴とする試験用基板。

請求項15

請求項12乃至14のいずれかに記載の試験用基板において、前記支持部を前記絶縁部と別体としたことを特徴とする試験用基板。

請求項16

請求項1乃至15のいずれかに記載の試験用基板において、前記被試験装置が装着される装着力により、前記接続孔と対向する位置の前記導体部を前記突起電極に向け付勢する付勢機構を設けたことを特徴とする試験用基板。

請求項17

請求項16記載の試験用基板において、前記付勢機構を、前記導体部の前記突起電極が接続される接続面と異なる側の面に突出形成された絶縁部材よりなる絶縁突起部により構成したことを特徴とする試験用基板。

請求項18

請求項1乃至17のいずれかに記載の試験用基板において、前記絶縁部に、前記突起電極と前記接続孔との位置決めを行なう位置決め機構を設けたことを特徴とする試験用基板。

請求項19

突起電極を有する被試験装置が装着され、該被試験装置に対し試験を行なう試験用基板であって、装着時に前記被試験装置と対向するよう設けられた絶縁部と、前記絶縁部の前記突起電極の形成位置に対応した位置に形成されており、前記装着時に前記突起電極が挿入される接続孔と、前記絶縁部の前記被試験装置が装着される装着面と異なる位置に形成されており、前記接続孔に挿入される前記突起電極と接触し電気的に接続される導体部とを具備し、かつ、前記導体部の前記突起電極が接触する部位にスリットを形成し、該接触位置において前記導体部が変形可能な構成としたことを特徴とする試験用基板。

請求項20

請求項6または7のいずれかに記載の試験用基板に突起電極を有した被試験装置を装着し、該被試験装置に対し試験を行なう試験用基板を用いた試験方法において、先ず、前記突起電極の内、試験に用いる突起電極(試験用突起電極)と対応する位置にのみ開口を有した成形板を用意し、該成形板に前記被試験装置を押圧することにより、前記非試験用突起電極を潰してその高さが低くなるよう成形し、続いて、試験に用いる突起電極(試験用突起電極)を前記請求項6または7のいずれかに記載の試験用基板に形成された接続孔と位置決めした上で、前記試験用突起電極を前記接続孔内に挿入し、続いて、前記被試験装置を前記試験用基板に押圧することにより、前記試験用突起電極を前記導体部に押圧し、前記試験用突起電極と前記導体部との電気的導通を図ることを特徴とする試験用基板を用いた試験方法。

請求項21

突起電極を有する被試験装置を試験用基板に装着し、該被試験装置に対し試験を行なう試験用基板を用いた試験方法であって、前記試験用基板として、装着時に前記被試験装置と対向するよう設けられた絶縁部と、前記絶縁部の前記突起電極の形成位置に対応した位置に形成されており、前記装着時に前記突起電極が挿入される接続孔と、前記絶縁部の前記被試験装置が装着される装着面と異なる位置に形成されており、前記接続孔に挿入される前記突起電極と接触し電気的に接続される導体部とを具備し、かつ、装着時において前記被試験装置または前記突起電極を前記絶縁部で支持する構成とした試験用基板を用いることを特徴とする試験用基板を用いた試験方法。

請求項22

請求項21記載の試験用基板を用いた試験方法において、前記導体部を前記絶縁部の内部に配設すると共に、前記接続孔の内壁に露出させ、前記導体部の前記内壁から露出した部位において前記突起電極と電気的に接続させることを特徴とする試験用基板を用いた試験方法。

請求項23

請求項21または22記載の試験用基板を用いた試験方法において、前記接続孔の内壁に、前記導体部と電気的に接続された導電膜が形成されていることを特徴とする試験用基板を用いた試験方法。

請求項24

請求項21乃至23のいずれかに記載の試験用基板を用いた試験方法において、前記接続孔の底部位置に、前記導体部と電気的に接続すると共に前記導体部より突出した突出接続部が設けられていることを特徴とする試験用基板を用いた試験方法。

請求項25

請求項21乃至24のいずれかに記載の試験用基板を用いた試験方法において、前記導体部は、試験に用いない突起電極(非試験用突起電極)と接続する非試験用導体部と、試験に用いる突起電極(試験用突起電極)と接続する試験用導体部とを有し、前記非試験用導体部と前記試験用導体部とを電気的に隔離してなることを特徴とする試験用基板を用いた試験方法。

請求項26

請求項21乃至24のいずれかに記載の試験用基板を用いた試験方法において、前記突起電極は、試験に用いない突起電極(非試験用突起電極)と、試験に用いる突起電極(試験用突起電極)とを有し、前記試験用突起電極が挿入される接続孔にのみ前記導体部が配設されていることを特徴とする試験用基板を用いた試験方法。

請求項27

請求項21乃至26のいずれかに記載の試験用基板を用いた試験方法において、前記絶縁部に、前記被試験装置が適正に装着された状態において、前記被試験装置と接触するか、または微細寸法離間した状態となるよう構成された支持部が設けられていることを特徴とする試験用基板を用いた試験方法。

請求項28

請求項21乃至27のいずれかに記載の試験用基板を用いた試験方法において、前記被試験装置が装着される装着力により、前記接続孔と対向する位置の前記導体部を前記突起電極に向け付勢する付勢機構が設けられていることを特徴とする試験用基板を用いた試験方法。

請求項29

請求項21乃至28のいずれかに記載の試験用基板を用いた試験方法において、前記絶縁部に、前記突起電極と前記接続孔との位置決めを行なう位置決め機構が設けられていることを特徴とする試験用基板を用いた試験方法。

請求項30

突起電極を有する被試験装置を試験用基板に装着し、該被試験装置に対し試験を行なう試験用基板を用いた試験方法であって、前記試験用基板として、装着時に前記被試験装置と対向するよう設けられた絶縁部と、前記絶縁部の前記突起電極の形成位置に対応した位置に形成されており、前記装着時に前記突起電極が挿入される接続孔と、前記絶縁部の前記被試験装置が装着される装着面と異なる位置に形成されており、前記接続孔に挿入される前記突起電極と接触し電気的に接続される導体部とを具備し、かつ、前記導体部の前記突起電極が接触する部位にスリットを形成し、該接触位置において前記導体部が変形可能な構成とした試験用基板を用いることを特徴とする試験用基板を用いた試験方法。

技術分野

0001

本発明は試験用基板及びこれを利用した試験方法係り、特に突起電極を有する半導体チップ回路基板,或いは半導体装置試験に用いて好適な試験用基板及びこれを利用した試験方法に関する。

0002

近年、半導体装置の高密度化高速化,小型化が要求されており、この要求に対応すべく、パッケージ封止されていない半導体チップ(いわゆるベアチップ)又はBGA(Ball Grid Array)構造の半導体装置を回路基板上に直接複数個搭載する実装方法が多用されるようになってきている。

0003

この実装方法においては、例えば複数個配設されるベアチップ或いは半導体装置の内、一つに異常があれば装置全体不良品となるため、個々のベアチップ或いは半導体装置に高い信頼性が要求される。そこで、個々のベアチップ或いは半導体装置が正常に機能するか否かを調べる試験が重要な課題となってきている。

背景技術

0004

従来より、下面に球状に突出する突起電極を有する被試験装置(例えば、樹脂封止されていないベアチップ,樹脂封止された半導体装置,及び半導体装置等が搭載された回路基板等。尚、以下これらを「半導体装置」と総称する)の試験方法として種々の試験方法が提案されており、また実施されている。

0005

この種の半導体装置の電気的動作試験を行うには試験装置電極バンプに接続させる必要があるが、この際バンプをできるだけ変形及び変質させずに試験装置の電極に接続する必要がある。図28は、従来の試験用基板50に半導体装置51が装着された状態を示している。同図に示されるように、試験用基板50は絶縁部53,導体部54,及びランド部55等により構成されている。絶縁部53は例えば絶縁テープであり、半導体装置51に設けられた突起電極52(バンプ)と対応する位置には孔56が形成されている。

0006

また、絶縁部53の半導体装置51が装着される面と異なる面には導体部54が配設されている。この導体部54は図示しない試験装置に接続されており、よってこの導体部54に所定の突起電極52を接続することにより、試験装置により半導体装置51に対して試験を行なうことが可能となる。

0007

一方、前記した絶縁部53に形成された孔56には導体金属よりなるランド部55が配設されており、その先端部は絶縁部53から突出した形状を有している。このランド部55は導体部54と電気的に接続されており、よって半導体装置51を試験用基板50に装着することにより、突起電極52はランド部55と当接し、導体部54と電気的に接続される。

0008

従って、試験用基板50と接続された試験装置により半導体装置51の試験を行なうことが可能となる。この際、一般に突起電極52はランド部55との電気的接続を確実に行なうため、図示しない押圧機構により半導体装置51は試験用基板50に対し押圧される構成とされている。これにより、突起電極52とランド部55との接圧は増大し確実な接続を実現することができる。

発明が解決しようとする課題

0009

ところで、近年の半導体装置の高密度化及び小型化により、突起電極52の配設ピッチファイン化が進んでおり、これに伴い突起電極52自体も微小化する傾向にある。このように、突起電極52のファイン化及び微小化が進むと突起電極52の強度は低下し、従って最小限の接圧であっても突起電極52に潰れが発生してしまう。

0010

これは、突起電極52がボール状の形状を有しており、かつ突起電極52はその先端部のみで試験用基板50と接続される構成であったため、突起電極52と試験用基板50とは点接触状態となり、よって上記した押圧力はこの接触点に集中して印加されることによる。

0011

上記のように突起電極52に潰れ(変形)が発生した場合、隣接する突起電極52間で短絡が発生したり、また突起電極52の高さにバラツキが発生することにより試験後に半導体装置51を実装基板実装する際に接続されない突起電極が発生する等の不都合が発生するという問題点があった。

0012

本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、試験時において突起電極の変形を防止しうる試験用基板及びこれを用いた試験方法を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段

0013

上記課題を解決するために本発明では、下記の手段を講じた事を特徴とするものである。請求項1記載の発明では、突起電極を有する被試験装置が装着され、この被試験装置に対し試験を行なう試験用基板であって、装着時に前記被試験装置と対向するよう設けられた絶縁部と、前記絶縁部の前記突起電極の形成位置に対応した位置に形成されており、前記装着時に前記突起電極が挿入される接続孔と、前記絶縁部の前記被試験装置が装着される装着面と異なる位置に形成されており、前記接続孔に挿入される前記突起電極と接触し電気的に接続される導体部とを具備し、かつ、装着時において前記被試験装置または前記突起電極を前記絶縁部で支持する構成としたことを特徴とするものである。

0014

また、請求項2記載の発明では、前記請求項1記載の試験用基板において、前記接続孔の内壁を傾斜面としたことを特徴とするものである。また、請求項3記載の発明では、前記請求項1記載の試験用基板において、前記接続孔の内壁形状を前記突起電極に対応した形状としたことを特徴とするものである。

0015

また、請求項4記載の発明では、前記請求項1乃至3のいずれかに記載の試験用基板において、前記導体部を前記絶縁部の内部に配設すると共に、前記接続孔の内壁に露出させ、前記導体部の前記内壁から露出した部位において前記突起電極と電気的に接続される構成としたことを特徴とするものである。

0016

また、請求項5記載の発明では、前記請求項1乃至4のいずれかに記載の試験用基板において、前記接続孔の内壁に、前記導体部と電気的に接続された導電膜を形成したことを特徴とするものである。

0017

また、請求項6記載の発明では、前記請求項1乃至5のいずれかに記載の試験用基板において、前記接続孔の底部位置に、前記導体部と電気的に接続すると共に前記導体部より突出した突出接続部を設けたことを特徴とするものである。

0018

また、請求項7記載の発明では、前記請求項6記載の試験用基板において、前記突出接続部は、非濡れ性部材またはスタッドバンプまたは導体ピンまたは粗面形成部材のいずれかであることを特徴とするものである。

0019

また、請求項8記載の発明では、前記請求項1乃至7のいずれかに記載の試験用基板において、前記導体部は、試験に用いない突起電極(非試験用突起電極)と接続する非試験用導体部と、試験に用いる突起電極(試験用突起電極)と接続する試験用導体部とを有し、前記非試験用導体部と前記試験用導体部とを電気的に隔離した構成としたことを特徴とするものである。

0020

また、請求項9記載の発明では、前記請求項1乃至7のいずれかに記載の試験用基板において、前記突起電極は、試験に用いない突起電極(非試験用突起電極)と、試験に用いる突起電極(試験用突起電極)とを有し、前記試験用突起電極が挿入される接続孔にのみ前記導体部を配設したことを特徴とするものである。

0021

また、請求項10記載の発明では、前記請求項6または7記載の試験用基板において、前記突起電極は、試験に用いない突起電極(非試験用突起電極)と、試験に用いる突起電極(試験用突起電極)とを有し、前記絶縁部の前記試験用突起電極と対応する位置にのみ前記接続孔を形成すると共に、前記絶縁部の厚さ寸法を、前記非試験用突起電極が前記絶縁部に当接した状態において、前記試験用突起電極と前記突出接続部とが接続される厚さ寸法に設定したことを特徴とするものである。

0022

また、請求項11記載の発明では、前記請求項6または7記載の試験用基板において、前記突起電極は、試験に用いない突起電極(非試験用突起電極)と、試験に用いる突起電極(試験用突起電極)とを有し、前記絶縁部の前記試験用突起電極と対応する位置にのみ前記接続孔を形成すると共に、前記非試験用突起電極と対向する位置に凹部を形成し、かつ、前記凹部の深さ寸法を、前記非試験用突起電極が前記凹部に当接した状態において、前記試験用突起電極と前記突出接続部とが接続される深さ寸法に設定したことを特徴とするものである。

0023

また、請求項12記載の発明では、前記請求項1乃至11のいずれかに記載の試験用基板において、前記絶縁部に、前記被試験装置が適正に装着された状態において、前記被試験装置と接触するか、または微細寸法離間した状態となるよう構成された支持部を設けたことを特徴とするものである。

0024

また、請求項13記載の発明では、前記請求項12記載の試験用基板において、前記支持部を、隣接する前記接続孔の間位置に設けたことを特徴とするものである。

0025

また、請求項14記載の発明では、前記請求項12記載の試験用基板において、前記支持部を、前記接続孔の形成位置に対し外周位置に設けたことを特徴とするものである。

0026

また、請求項15記載の発明では、前記請求項12乃至14のいずれかに記載の試験用基板において、前記支持部を前記絶縁部と別体としたことを特徴とするものである。また、請求項16記載の発明では、前記請求項1乃至15のいずれかに記載の試験用基板において、前記被試験装置が装着される装着力により、前記接続孔と対向する位置の前記導体部を前記突起電極に向け付勢する付勢機構を設けたことを特徴とするものである。

0027

また、請求項17記載の発明では、前記請求項16記載の試験用基板において、前記付勢機構を、前記導体部の前記突起電極が接続される接続面と異なる側の面に突出形成された絶縁部材よりなる絶縁突起部により構成したことを特徴とするものである。

0028

また、請求項18記載の発明では、前記請求項1乃至17のいずれかに記載の試験用基板において、前記絶縁部に、前記突起電極と前記接続孔との位置決めを行なう位置決め機構を設けたことを特徴とするものである。

0029

また、請求項19記載の発明では、突起電極を有する被試験装置が装着され、該被試験装置に対し試験を行なう試験用基板であって、装着時に前記被試験装置と対向するよう設けられた絶縁部と、前記絶縁部の前記突起電極の形成位置に対応した位置に形成されており、前記装着時に前記突起電極が挿入される接続孔と、前記絶縁部の前記被試験装置が装着される装着面と異なる位置に形成されており、前記接続孔に挿入される前記突起電極と接触し電気的に接続される導体部とを具備し、かつ、前記導体部の前記突起電極が接触する部位にスリットを形成し、該接触位置において前記導体部が変形可能な構成としたことを特徴とするものである。

0030

また、請求項20記載の発明では、前記請求項6または7のいずれかに記載の試験用基板に突起電極を有した被試験装置を装着し、該被試験装置に対し試験を行なう試験用基板を用いた試験方法において、先ず、前記突起電極の内、試験に用いる突起電極(試験用突起電極)と対応する位置にのみ開口を有した成形板を用意し、この成形板に前記被試験装置を押圧することにより、前記非試験用突起電極を潰してその高さが低くなるよう成形し、続いて、試験に用いる突起電極(試験用突起電極)を前記請求項6または7のいずれかに記載の試験用基板に形成された接続孔と位置決めした上で、前記試験用突起電極を前記接続孔内に挿入し、続いて、前記被試験用装置を前記試験用基板に押圧することにより、前記試験用突起電極を前記導体部に押圧し、前記試験用突起電極と前記導体部との電気的導通を図ることを特徴とするものである。

0031

また、請求項21記載の発明では、突起電極を有する被試験装置を試験用基板に装着し、該被試験装置に対し試験を行なう試験用基板を用いた試験方法であって、前記試験用基板として、装着時に前記被試験装置と対向するよう設けられた絶縁部と、前記絶縁部の前記突起電極の形成位置に対応した位置に形成されており、前記装着時に前記突起電極が挿入される接続孔と、前記絶縁部の前記被試験装置が装着される装着面と異なる位置に形成されており、前記接続孔に挿入される前記突起電極と接触し電気的に接続される導体部とを具備し、かつ、装着時において前記被試験装置または前記突起電極を前記絶縁部で支持する構成とした試験用基板を用いることを特徴とするものである。

0032

また、請求項22記載の発明では、前記請求項21記載の試験用基板を用いた試験方法において、前記導体部を前記絶縁部の内部に配設すると共に、前記接続孔の内壁に露出させ、前記導体部の前記内壁から露出した部位において前記突起電極と電気的に接続させることを特徴とするものである。

0033

また、請求項23記載の発明では、前記請求項21または22記載の試験用基板を用いた試験方法において、前記接続孔の内壁に、前記導体部と電気的に接続された導電膜が形成されていることを特徴とするものである。

0034

また、請求項24記載の発明では、前記請求項21乃至23のいずれかに記載の試験用基板を用いた試験方法において、前記接続孔の底部位置に、前記導体部と電気的に接続すると共に前記導体部より突出した突出接続部が設けられていることを特徴とするものである。

0035

また、請求項25記載の発明では、前記請求項21乃至24のいずれかに記載の試験用基板を用いた試験方法において、前記導体部は、試験に用いない突起電極(非試験用突起電極)と接続する非試験用導体部と、試験に用いる突起電極(試験用突起電極)と接続する試験用導体部とを有し、前記非試験用導体部と前記試験用導体部とを電気的に隔離してなることを特徴とするものである。

0036

また、請求項26記載の発明では、前記請求項21乃至24のいずれかに記載の試験用基板を用いた試験方法において、前記突起電極は、試験に用いない突起電極(非試験用突起電極)と、試験に用いる突起電極(試験用突起電極)とを有し、前記試験用突起電極が挿入される接続孔にのみ前記導体部が配設されていることを特徴とするものである。

0037

また、請求項27記載の発明では、前記請求項21乃至26のいずれかに記載の試験用基板を用いた試験方法において、前記絶縁部に、前記被試験装置が適正に装着された状態において、前記被試験装置と接触するか、または微細寸法離間した状態となるよう構成された支持部が設けられていることを特徴とするものである。

0038

また、請求項28記載の発明では、前記請求項21乃至27のいずれかに記載の試験用基板を用いた試験方法において、前記被試験装置が装着される装着力により、前記接続孔と対向する位置の前記導体部を前記突起電極に向け付勢する付勢機構が設けられていることを特徴とするものである。

0039

また、請求項29記載の発明では、前記請求項21乃至28のいずれかに記載の試験用基板を用いた試験方法において、前記絶縁部に、前記突起電極と前記接続孔との位置決めを行なう位置決め機構が設けられていることを特徴とするものである。

0040

更に、請求項30記載の発明では、突起電極を有する被試験装置を試験用基板に装着し、該被試験装置に対し試験を行なう試験用基板を用いた試験方法であって、前記試験用基板として、装着時に前記被試験装置と対向するよう設けられた絶縁部と、前記絶縁部の前記突起電極の形成位置に対応した位置に形成されており、前記装着時に前記突起電極が挿入される接続孔と、前記絶縁部の前記被試験装置が装着される装着面と異なる位置に形成されており、前記接続孔に挿入される前記突起電極と接触し電気的に接続される導体部とを具備し、かつ、前記導体部の前記突起電極が接触する部位にスリットを形成し、該接触位置において前記導体部が変形可能な構成とした試験用基板を用いることを特徴とするものである。

0041

上記した各手段は、下記のように作用する。請求項1及び請求項21記載の発明によれば、被試験装置が試験用基板に装着された状態において、突起電極は絶縁部に形成された接続孔内に挿入されると共に導体部と電気的に接続する。この装着状態において、被試験装置または突起電極は絶縁部に支持される。

0042

被試験装置が絶縁部に支持された場合には、突起電極に過剰な押圧力が印加されることを防止でき、よって突起電極に変形が発生することを防止することができる。また、突起電極が絶縁部に支持された場合には、絶縁部は突起電極と電気的な接続を行なうものでないため、その配設位置に自由度を有しており、よって突起電極に広い面積で接触することが可能である。

0043

従って、突起電極と試験用基板とを電気的に接続するために被試験装置に押圧力(以下、接続時押圧力という)を印加しても、この接続時押圧力を分散することが可能となり、換言すれば突起電極と導体部との接続位置にのみ接続時押圧力が集中することを防止でき、よって突起電極に変形が発生することを防止することができる。

0044

また、請求項2記載の発明によれば、接続孔の内壁を傾斜面としたことにより、突起電極と接続孔の内壁とは環状に接触し、よって突起電極と内壁との接触状態線接触となる。このため、突起電極と内壁との接触面積は広くなり、接続時押圧力を分散させることができる。よって、突起電極に変形が発生することを防止することができる。

0045

また、請求項3記載の発明によれば、接続孔の内壁形状を突起電極に対応した形状としたことにより、突起電極と接続孔の内壁とは広い面積をもって接触するため、有効に接続時押圧力を分散させることができる。よって、突起電極に変形が発生することを有効に防止することができる。

0046

また、請求項4及び請求項22記載の発明によれば、導体部を絶縁部の内部に配設すると共に接続孔の内壁に露出させ、この露出した部位において突起電極と電気的に接続する構成としたことにより、導体部は突起電極の試験用基板と対向する先端部で接続するのではなく、側部において接続する構成となる。従って、接続時押圧力が突起電極の先端部に集中することを防止することができ、突起電極に変形が発生することを防止することができる。

0047

また、請求項5及び請求項23記載の発明によれば、接続孔の内壁に導体部と電気的に接続された導電膜を形成することにより、実質的に突起電極と導体部との電気的接続面積を増大させることができる。これにより、小さい接続時押圧力であっても、確実に突起電極と導体部とを電気的に接続することができる。

0048

また、請求項6及び請求項7及び請求項24記載の発明によれば、導体部と電気的に接続すると共に導体部より突出した突出接続部を接続孔の底部位置に設けたことにより、被試験装置が試験用基板に装着された状態において、突出接続部を突起電極内部に挿入させたり、或いは導体部と異なる導体と接続させることが可能となる。

0049

突出接続部を突起電極内部に挿入させた場合には、突出接続部と突起電極との接触面積を大きくすることができる。また、突出接続部を導体部と異なる導体とした場合には、金属間に発生する不都合(例えば、共晶現象)を防止することができる。よって、突出接続部を介して突起電極と導体部とを接続することにより、突起電極と導体部との電気的接続をより確実に行なうことができる。

0050

また、請求項8及び請求項25記載の発明によれば、非試験用突起電極と接続する非試験用導体部と、試験用突起電極と接続する試験用導体部とを電気的に隔離したことにより、また試験用突起電極が挿入される接続孔にのみに導体部を配設したことにより、試験精度を向上させることができる。即ち、被試験装置の種類によっては、被試験装置に対し試験を行なう際に配設された全ての突起電極を用いない場合がある(例えば、被試験装置がメモリである場合等)。

0051

このような場合、非試験用突起電極と接続する非試験用導体部を試験用基板に長く配設した構成とすると、この非試験用導体部から外乱侵入するおそれがあり、これに起因して試験精度が低下することが考えられる。しかるに、非試験用導体部と、試験用突起電極と接続する試験用導体部とを電気的に隔離したことにより、また試験用突起電極が挿入される接続孔にのみに導体部を配設したことにより、外乱の侵入を防止することができ試験精度を向上させることができる。

0052

また、請求項9及び請求項26記載の発明によれば、試験用突起電極が挿入される接続孔にのみ導体部を配設したことにより、試験用基板に非試験用突起電極に接続される導体部は存在しない構成となる。このように、外乱の侵入要素となる導体部が存在しないことにより、外乱の侵入を防止することができ、試験精度を向上させることができる。

0053

また、請求項10及び請求項11記載の発明によれば、絶縁部の試験用突起電極と対応する位置にのみ接続孔を形成することにより、被試験装置を試験用基板に装着した状態において、試験用突起電極のみが導体部と接続可能な状態となる。

0054

また、非試験用突起電極が絶縁部または絶縁部に形成された凹部の底部に当接した状態において、試験用突起電極と突出接続部とが接続されるよう絶縁部の厚さ寸法を設定したことにより、被試験装置を試験用基板に装着した状態では、被試験装置は非試験用突起電極が絶縁部に当接することにより支持される。

0055

よって、接続時押圧力が被試験装置に印加されても、被試験装置は非試験用突起電極が絶縁部に当接することにより支持され、試験用突起電極に印加される接続時押圧力は軽減されるため、試験用突起電極に変形が発生するのを防止することができる。

0056

また、非試験用突起電極は通常複数個設けられているため、接続時押圧力は分散されて個々の非試験用突起電極に印加される接続時押圧力も小さくなる。よって、被試験装置を非試験用突起電極により支持する構成としても、非試験用突起電極に変形が発生することを防止することができる。

0057

更に、非試験用突起電極は絶縁部に当接する構成とされているため、試験用基板に非試験用導体部は形成されておらず、よって上記と同様の理由により試験精度を向上させることができる。また、請求項12及び請求項27記載の発明によれば、被試験装置が適正に装着された状態において、被試験装置と接触するか、または微細寸法離間した状態となるよう構成された支持部を絶縁部に設けたことにより、被試験装置は支持部を介して絶縁部により支持された構成となる。よって、被試験装置に接続時押圧力を印加しても、この接続時押圧力は支持部に分散されて突起電極に集中して印加されることを防止できるため、突起電極に変形が発生することを防止することができる。

0058

また、請求項13記載の発明によれば、支持部を隣接する接続孔の間位置に設けたことにより、突起電極の形成位置に近い複数箇所で被試験装置は支持されることになり、より有効に接続時押圧力が突起電極に印加されることを防止することができる。

0059

また、請求項14記載の発明によれば、支持部を接続孔の形成位置に対し外周位置に設けたことにより、隣接する接続孔間ピッチをファイン化することができ、これに伴い被試験装置に設けられる突起電極の配設ピッチをファイン化(高密度化)することができる。

0060

また、請求項15記載の発明によれば、支持部を絶縁部と別体としたことにより、支持部と絶縁部とを夫々独立して形成することができるため、支持部及び絶縁部の成形性を向上させることができ、延いてはファイン化に対応させることが可能となる。

0061

また、請求項16及び請求項28記載の発明によれば、被試験装置が装着される装着力により、接続孔と対向する位置の導体部を突起電極に向け付勢する付勢機構を設けたことにより、装着時において導体部は突起電極に向け付勢されるため、突起電極と導体部とを電気的に接続するために必要とされる最低限の押圧力を維持することができる。よって、突起電極の変形防止と、突起電極と導体部との電気的接続との確保を両立させることができる。

0062

また、請求項17記載の発明によれば、導体部の突起電極が接続される接続面と異なる側の面に突出形成された絶縁部材よりなる絶縁突起部により付勢機構を構成したことにより、簡単な構成で突起電極の変形防止と、突起電極と導体部との電気的接続との確保を両立させることができる。

0063

また、請求項18及び請求項29記載の発明によれば、絶縁部に突起電極と接続孔との位置決めを行なう位置決め機構を設けたことにより、被試験装置を試験用基板に装着する操作時に、同時に突起電極と接続孔との位置決めを行なうことができ、突起電極と接続孔との位置決め処理を容易に行なうことができる。

0064

また、請求項19及び請求項30記載の発明によれば、導体部の突起電極が接触する部位にスリットを形成し、この接触位置において導体部が変形可能な構成としたことにより、導体部は変形することにより突起電極に印加された接続時押圧力を吸収することができ、かつ導体部と突起電極との接触面積を増大させることができる。よって、突起電極の変形防止と、突起電極と導体部との電気的接続性の向上を共に図ることができる。

0065

更に、請求項20記載の発明方法によれば、先ず、非試験用突起電極と対応する位置にのみ開口を有した成形板を用意し、この成形板に被試験装置を押圧することにより、非試験用突起電極は潰されてその高さは低くなる。この際、試験用突起電極は成形板に形成された開口内に位置するため、その高さが変化することはない。

0066

続いて、試験用突起電極が接続孔内に挿入されるよう位置決めした上で、試験用基板を試験用基板に押圧することにより、試験用突起電極は前記導体部と電気的に導通される。この際、試験用突起電極に対し高さが低い形状とされた非試験用突起電極は絶縁部に当接した状態となり、よって被試験装置は非試験用突起電極により絶縁部上に支持された構成となる。

0067

よって、接続時押圧力が被試験装置に印加されても、被試験装置は非試験用突起電極が絶縁部に当接することにより支持され、試験用突起電極に印加される接続時押圧力は軽減されるため、試験用突起電極に変形が発生するのを防止することができる。

0068

また、非試験用突起電極は通常複数個設けられているため、接続時押圧力は分散されて個々の非試験用突起電極に印加される接続時押圧力も小さくなる。よって、被試験装置を非試験用突起電極により支持する構成としても、非試験用突起電極に変形が発生することを防止することができる。

発明を実施するための最良の形態

0069

つぎに本発明の実施例について図面と共に説明する。図1は、本発明の第1実施例である試験用基板10Aの断面を示している。図1(A)は半導体装置16を装着する前の試験用基板10Aを示しており、また図1(B)は半導体装置1を試験用基板10Aに装着した状態を示している。

0070

尚、試験用基板10Aは被試験装置に対して試験を行なう際に用いられるものであるが、以下説明する各実施例においては、被試験装置として突起電極17(バンプ)を有した半導体装置を用いた例について説明する。しかるに、後述する各実施例に係る試験用基板は、樹脂封止されていないベアチップ,樹脂封止された半導体装置,及び半導体装置等が搭載された回路基板等にも適用できるものである(以下、これらを総称して「半導体装置」というものとする)。

0071

図1(A)に示されるように、大略すると試験用基板10Aは絶縁部11と導体部12とにより構成された、極めて簡単な構造を有している。絶縁部11は、例えば絶縁性樹脂であるポリイミド樹脂或いはポリエステル樹脂フィルム状に形成したものである。従って、絶縁部11はある程度の可撓性を有している。

0072

この絶縁部11には、接続孔13が形成されている。この接続孔13は、半導体装置16に設けられた突起電極17の形成位置に対応した位置に形成されており、その形状は円錐台形状とされている。従って、接続孔13の内壁14は傾斜面となっている。

0073

導体部12は、上記構成とされた絶縁部11に配設されている。この導体部12は、例えば銅(Cu),金(Au)等の導電体金属により形成されており、絶縁部11の半導体装置16が装着される表面11a(装着面)と異なる位置(即ち、裏面11b)に形成されている。

0074

導体部12を絶縁部11に配設する方法としては、例えば導体部12を絶縁部11に接着する方法,導体部12を絶縁部11上に蒸着メッキ無電解メッキ)により形成する方法等を用いることができる。また、導体部12を先に形成しておき、この導体部12上に絶縁部11を形成する方法を用いることも可能である。

0075

また、導体部12はその一部が接続孔13の下部に位置するよう形成されており、従って接続孔13の形成位置においては、接続孔13を介して導体部12が露出した状態となっている(以下、導体部12の接続孔13から露出した部分を導通面15という)。従って、後述するように半導体装置16を試験用基板10Aに装着した装着状態において、突起電極17は導通面15と接触し、これにより突起電極と導体部12との電気的接続を図ることができる。

0076

続いて、上記構成とされた試験用基板10Aに半導体装置16を装着する時における、試験用基板10Aの各構成要素の機能について説明する。尚、以下の各実施例の説明で用いる半導体装置16は、半導体チップがモールドされたBGA(Ball Grid Array)構造のICを例に挙げており、その下面には所定の配列で突出する複数の突起電極17を有した構造となっている。この各突起電極17は、例えば半田材質がPb/Sn)により球状に形成されている。

0077

試験用基板10Aに半導体装置16を装着するには、突起電極17と接続孔13とを位置決めした上で、突起電極17が接続孔13に挿入されるよう半導体装置16を試験用基板10Aに装着する。また、半導体装置16が試験用基板10Aに装着された状態において、図示しない押圧機構により半導体装置16は試験用基板10Aに向け押圧される(以下、この押圧力を接続時押圧力という)。

0078

これは、半導体装置16を試験用基板10Aに向け押圧することにより、突起電極17と導通面15との接触位置における接圧を増大させ、突起電極17と導通面15との電気的接続を確実にするためである。しかるに、高密度化されることによりファインピッチ化された突起電極17を有した半導体装置16では、過剰な押圧力を印加した場合に突起電極17が潰れることにより変形し、種々の不都合が発生することは前述した通りである。

0079

図1(B)は、半導体装置16が試験用基板10Aに装着された状態を示している。同図に示されるように、半導体装置16が試験用基板10Aに装着された状態において、突起電極17は絶縁部11に形成された接続孔13内に挿入されると共に、導体部12(導通面15)と電気的に接続する。この装着状態において、突起電極17は接続孔13の内壁14と接触しており、よって突起電極17(半導体装置16)は絶縁部11に支持された状態となる。

0080

また前記したように、接続孔13の内壁14は傾斜面とされている。このように、接続孔13の内壁14を傾斜面としたことにより、突起電極17と接続孔13の内壁14とは環状に接触することとなる(接触位置を図1(B)に矢印Aで示す)。

0081

これにより、突起電極17と内壁14との接触状態は、従来の点接触ではなく線接触となり、突起電極17と内壁14との接触面積を従来構成の試験用基板50(図27参照)に比べて広くすることができる。よって、接続時押圧力を分散され、突起電極17の先端部に接続時押圧力が集中することを防止することができるため、突起電極17に変形が発生することを防止することができる。

0082

また、絶縁部11は突起電極17と電気的な接続を行なうものでないため、その配設位置に自由度を有している。よって、内壁14の傾斜角度を適宜選定することにより効率よく接続時押圧力を分散させたり、また内壁14の形状を適宜選定することにより突起電極17に広い面積で接触させる構成とすることも可能である(この構成については、後に詳述する)。

0083

続いて、本発明の第2実施例乃至第5実施例について説明する。図2乃至図5は、第2実施例乃至第5実施例に係る試験用基板10B〜10Eの要部を拡大して示す断面図である。尚、以下の各実施例の説明及び図面において、図1に示した構成と同一構成については同一符号を付し、その説明を省略する。

0084

第2実施例乃至第5実施例は、前記した接続孔13の底部位置、即ち導体部12の導通面15に突出接続部(18〜21)を形成したことを特徴とするものである。この突出接続部(18〜21)は、導体部12と電気的に接続すると共に導通面15より接続孔13内に向け突出した構成とされている。以下、各実施例について説明する。

0085

図2は、第2実施例である試験用基板10Bを示している。本実施例では、突出接続部として非濡れ性部材18を用いたことを特徴とするものである。いま、突起電極17の材質として半田(Pb/Sn)を用いると共に、導体部12の材質として金(Au)を用いた場合を想定すると、周知のように半田と金は反応してしまう。このため、突起電極17と導体部12とが接合されてしまい、突起電極17と導体部12との電気的接続性が低下したり、また試験終了後において半導体装置16を試験用基板から取り外す作業が面倒となることが考えられる。

0086

そこで、本実施例では導通面15上に突出接続部として非濡れ性部材18を配設し、突起電極17として半田(Pb/Sn)を用い、また導体部12として金(Au)を用いた場合でも、突起電極17と導体部12とが接合されることを防止したことを特徴とするものである。非濡れ性部材18の具体的な材質としては、クロム(Cr)等を用いることが考えられる。

0087

このように、非濡れ性部材18(突出接続部)を導体部12と異なる材質により構成することにより、突起電極17と導体部12との電気的接続をより確実に行なうことができる。図3は、第3実施例である試験用基板10Cを示している。本実施例では、突出接続部としてスタッドバンプ19を用いたことを特徴とするものである。

0088

スタッドバンプ19は、ワイヤボンディング技術を用いて形成されるものであるため、容易に形成することが可能である。また、スタッドバンプ19は、その先端部に尖鋭部が形成されており、よって突起電極17が接続孔13に挿入されることにより、尖鋭部は突起電極17に突き刺さった状態となる。

0089

これにより、突起電極17が導通面15と点接触することにより導通を図る第1実施例の構成に比べ、突起電極17とスタッドバンプ19との接触面積を大きくすることが可能となる。また、スタッドバンプ19は導体部12と電気的に接続されているため、よって本実施例の構成とすることにより導体部12と突起電極17との電気的接続を確実に行なうことができる。尚、尖鋭部はスタッドバンプ19の形成時に自然に形成されるものであり、この尖鋭部を形成するために別個工程を設ける必要はない。

0090

図4は、第4実施例である試験用基板10Dを示している。本実施例では、突出接続部として金属ピン20(導体ピン)を用いたことを特徴とするものである。この金属ピン20は、導体部12の材質と同質材質としも、また異なる材質としてもよい。金属ピン20の材質を適宜選定することにより、第2実施例と同様に、金属ピン20と突起電極17との反応を抑制する構成とすることも可能である。

0091

金属ピン20を導体面15に立設する方法としては、例えば導電性接着剤を用いて接着する方法、及びメッキ方を用いて金属ピン20を析出形成する方法等が考えられる。また、金属ピン20の先端部にも尖鋭部が形成されており、よって突起電極17が接続孔13に挿入されることにより、尖鋭部は突起電極17に突き刺さった状態となる。

0092

これにより、第3実施例と同様に、突起電極17と金属ピン20との接触面積を大きくすることが可能となり、導体部12と突起電極17との電気的接続を確実に行なうことができる。図5は、第5実施例である試験用基板10Eを示している。本実施例では、突出接続部として粗面形成部材21を用いたことを特徴とするものである。この粗面形成部材21も導体部12の材質と同質材質としも、また異なる材質としてもよく、粗面形成部材21の材質を適宜選定することにより、粗面形成部材21と突起電極17との反応を抑制する構成とすることが可能となる。

0093

この粗面形成部材21は、その表面に微細な針状部を形成した構成とされている。この構成とされた粗面形成部材21を導体面15に形成する方法としては、例えば導通面15上に導電性金属メッキ法,蒸着法等により形成し、その後に表面をエッチング法ブラスト法等により粗化させる方法が考えられる。

0094

上記のように、粗面形成部材21の表面には微細な針状部が形成されているため、突起電極17が接続孔13に挿入されることにより、針状部は突起電極17に突き刺さった状態となる。これにより、第3及び第4実施例と同様に、突起電極17と金属ピン20との接触面積を大きくすることが可能となり、導体部12と突起電極17との電気的接続を確実に行なうことができる。

0095

続いて、本発明の第6実施例について説明する。図6は、第6実施例である試験用基板10Fを示している。本実施例に係る試験用基板10Fは、導体部12Aを絶縁部11Aの内部に配設すると共に、接続孔13の内壁14に導体部12Aを露出させたことを特徴とするものである。

0096

従って、導通面15Aは内壁14に覗視した構成となり、導体部12Aと突起電極17は、突起電極17の側部位置において電気的に接続される構成となる。尚、導体部12Aを絶縁部11Aの内部に配設するには、例えば積層フレキシブル基板を形成する技術を用いることにより容易に行なうことができる。

0097

上記のように、導体部12Aを絶縁部11Aの内部に配設すると共に接続孔13の内壁14に露出させることにより導通面15Aを形成し、この導通面15Aにおいて突起電極17と電気的に接続する構成としたことにより、導体部12Aは突起電極17の先端部で接続するのではなく、側部において接続する構成となる。

0098

従って、上記した各実施例と異なり突起電極17の先端部には導体部12Aは存在しないため、接続時押圧力が突起電極17の先端部に集中することはない。また、本実施例では導体部12Aが突起電極17の側部に接触して電気的な導通を図る構成であるため、導体部12Aと突起電極17との接触は環状な接触、即ち線接触となる。このため、導体部12Aと突起電極17との接触面積は従来構成に比べて広くなり接続時押圧力は分散されることとなり、よって導体部12Aとの接触位置において突起電極17が変形することを防止することができる。

0099

続いて、本発明の第7実施例について説明する。図7は、第7実施例である試験用基板10Gを示している。本実施例に係る試験用基板10Gは、接続孔13の内壁に導電膜22を形成したことを特徴とするものである。

0100

この導電膜22は、その下端部において導体部12と電気的に接続された構成とされている。また、導電膜22を接続孔13の内壁に形成する方法とては、例えば無電解メッキ法,蒸着法等を用いることが可能である。上記のように、接続孔13の内壁に導体部12と電気的に接続された導電膜22を形成することにより、実質的に突起電極17と導体部12との電気的接続面積を増大させることができる。即ち、本実施例に係る試験用基板10Gによれば、突起電極17はその先端部において導通面15と電気的に接続すると共に、突起電極17はその側部において導電膜22と電気的に接続された構成となる。

0101

よって、実質的に突起電極17と導体部12との電気的接続面積は増大し、従って接続時押圧力を小さくしても、確実に突起電極17と導体部12とを電気的に接続することが可能となる。これにより、突起電極17の変形発生防止と、突起電極17と導体部12との電気的接続性の向上を共に図ることができる。

0102

続いて、本発明の第8実施例について説明する。図8は、第8実施例である試験用基板10Hを示している。本実施例に係る試験用基板10Hは、接続孔13Aの内壁形状を突起電極17の球形状に対応するよう半球形状に形成したことを特徴とするものである。

0103

このように、絶縁部11に半球形状の接続孔13Aを形成する方法としては、例えば突起電極17の形状に対応した形状を有する熱ツールを用い、これを絶縁部11に押圧処理することにより成形する方法、或いは突起電極17の形状に対応した形状を有する金型を用い、絶縁部11の形成時に一括的に接続孔13Aも形成する方法等が考えられる。

0104

このように、接続孔13Aの内壁形状を突起電極17に対応した形状とすることにより、突起電極17と接続孔13Aの内壁との接触面積を広くすることが可能となる。これにより、接続時押圧力の分散の度合いを向上することができ、よって突起電極17に変形が発生することを更に有効に防止することができる。

0105

また、本実施例においては、前記した第7実施例と同様に、接続孔13Aの内壁に導電膜22が形成された構成とされている。本実施例では、接続孔13Aの内壁形状を突起電極17に対応した形状であるため、突起電極17と導電膜22との接触面積は、第7実施例に比べて更に増大する。

0106

従って、第7実施例に比べて接続時押圧力を小さくしても、確実に突起電極17と導体部12とを電気的に接続することが可能となり、よって突起電極17の変形発生防止と、突起電極17と導体部12との電気的接続性の向上を更に確実に図ることができる。

0107

続いて、本発明の第9実施例について説明する。図9は、第9実施例である試験用基板10Iを示している。前記したように、半導体装置16には多数の突起電極17が設けられているが、半導体装置16に対し試験を実施する場合、これら全ての突起電極17を用いて試験を行なう場合がある。

0108

例えば、半導体装置16がメモリである場合には、試験に使用しない突起電極17が存在する。以下の説明では、試験に用いる突起電極17を特に試験用突起電極17Aといい、試験に用いない突起電極17を特に非試験用突起電極17Bというものとする。

0109

このような場合、非試験用突起電極17Bと接続する導体部12(以下、この導体部12を特に非試験用導体部23という)を試験用基板に長く配設した構成とすると、この非試験用導体部23から外乱が侵入するおそれがあり、これに起因して試験精度が低下することが考えられる。

0110

そこで、本実施例に係る試験用基板10Iは、非試験用突起電極17Bと接続する非試験用導体部23と、試験用突起電極17Aと接続する導体部12(非試験用導体部23と区別する場合には、試験用導体部12という)とを電気的に隔離した構成としたことを特徴とするものである。

0111

具体的な構成としては、本実施例では非試験用導体部23を非試験用突起電極17Bが挿入される接続孔13の下面を覆う最小限の範囲にのみ形成した構成としている。この構成とすることにより、非試験用導体部23と試験用導体部12とは電気的に隔離されると共に非試験用導体部23の長さも最少とされる。よって、非試験用導体部23を介して試験用導体部12に外乱が侵入することを防止することができ、試験精度の向上を図ることができる。

0112

続いて、本発明の第10実施例について説明する。図10は、第10実施例である試験用基板10Jを示している。本実施例は、上記した第9実施例で説明した外乱の侵入を防止するための他の構成を示すものである。

0113

上記した第9実施例に係る試験用基板10Iでは、非試験用突起電極17Bが挿入される接続孔13の下面を覆う最小限の範囲にのみ非試験用導体部23を形成した構成とたが、これに対し本実施例に係る試験用基板10Jは、試験用突起電極17Aが挿入される接続孔13にのみ導体部12を配設したことを特徴とするものである。

0114

即ち、導体部12の非試験用突起電極17Bと対向する位置に非導通孔24を形成し、半導体装置16が試験用基板10Jに装着された状態において、非試験用突起電極17Bと導体部12とが接続されないように構成したものである。この構成とすることにより、外乱の侵入要素となる非試験用導体部は試験用基板10Jに存在しない構成となる。よって、非試験用突起電極17Bの存在に起因して試験用導体部12に外乱が侵入することを防止することができ、試験精度の向上を図ることができる。

0115

続いて、本発明の第11乃至第13実施例について説明する。図11乃至図13は、第11乃至第13実施例である試験用基板10K(10K-1〜10K-3)を示している。本実施例では、絶縁部11の試験用突起電極17Aと対応する位置にのみ接続孔13を形成し、非試験用突起電極17Bと対応する位置には接続孔13を形成しない構成としている。

0116

また、接続孔13の内部には、導体部12と電気的に接続された突出接続部(19〜21)が配設されている。更に、絶縁部11の厚さ寸法(図中、矢印H1で示す)は、非試験用突起電極17Bが絶縁部11に当接した状態において、試験用突起電極17Aと突出接続部(19〜21)とが接続される厚さ寸法に設定されている。

0117

上記構成とすることにより、半導体装置16を試験用基板10K(10K-1〜10K-3)に装着した装着状態において、試験用突起電極17Aと突出接続部(19〜21)とは電気的に接続された構成となる。また、半導体装置16が試験用基板10K(10K-1〜10K-3)に装着された状態において、非試験用突起電極17Bは絶縁部11の上面に当接した状態となる。このように、非試験用突起電極17Bが絶縁部11の上面に当接することにより、半導体装置16は非試験用突起電極17Bにより絶縁部11上に支持された構成となる。

0118

よって、接続時押圧力が半導体装置16に印加されても、半導体装置16は非試験用突起電極17Bが絶縁部11に当接することにより支持されているため、試験用突起電極17Aに印加される接続時押圧力を軽減させることができる。これにより、試験用突起電極17Aに変形が発生するのを防止することができる。

0119

また、非試験用突起電極17Bは通常複数個設けられているため、非試験用突起電極17Bが半導体装置16を支持する際、接続時押圧力は非試験用突起電極17Bの数に応じて分散され、よって個々の非試験用突起電極17Bに印加される接続時押圧力は小さくなる。よって、非試験用突起電極17Bにより半導体装置16を支持する構成としても、非試験用突起電極17Bに変形が発生することを防止することができる。

0120

更に、非試験用突起電極17Bは絶縁部11に当接する構成とされており、この当接位置には前記した非試験用導体部は形成されていない。即ち、非試験用突起電極17Bは試験用導体部12と電気的に隔離された構成となっている。よって、試験用導体部12に外乱が侵入することを有効に防止する事が可能となり、試験精度を向上させることができる。

0121

尚、図11は本発明の第11実施例である試験用基板10K-1を示しており、本実施例では突出接続部としてスタッドバンプ19を用いたことを特徴とするものである。また、図12は本発明の第12実施例である試験用基板10K-2を示しており、本実施例では突出接続部として金属ピン20を用いたことを特徴とするものである。また、図13は本発明の第13実施例である試験用基板10K-3を示しており、本実施例では突出接続部として粗面形成部材21を用いたことを特徴とするものである。

0122

続いて、本発明の第14実施例について説明する。図14は、第14実施例に係る試験用基板10Lを示している。本実施例は、上記した第11乃至第13実施例である試験用基板10K(10K-1〜10K-3)と同等の目的を達成するための他の構成を示すものである。

0123

本実施例に係る試験用基板10Lは、絶縁部11の試験用突起電極17Aと対応する位置にのみ接続孔13を形成すると共に、非試験用突起電極17Bと対向する位置には凹部25を形成したことを特徴とするものである。また、この凹部25の深さ寸法(図中、矢印H2 で示す)は、非試験用突起電極17Bが凹部25の底部に当接した状態において、試験用突起電極17Aと突出接続部(図14では、スタッドバンプ19を用いた例を示している)とが接続される深さ寸法に設定されている。

0124

上記した本実施例に係る構成においても、半導体装置16を試験用基板10Lに装着した装着状態において、試験用突起電極17Aとスタッドバンプ19(突出接続部)とは電気的に接続された構成となり、また非試験用突起電極17Bは絶縁部11に形成された凹部35の底部に当接した状態となる。

0125

このように、非試験用突起電極17Bが絶縁部11に形成された凹部35の底部に当接することにより、半導体装置16は非試験用突起電極17Bにより絶縁部11上に支持された構成となる。よって、接続時押圧力が半導体装置16に印加されても、半導体装置16は非試験用突起電極17Bが絶縁部11に当接することにより支持されているため、試験用突起電極17Aに印加される接続時押圧力を軽減させることができる。これにより、試験用突起電極17Aに変形が発生するのを防止することができる。

0126

また、非試験用突起電極17Bは通常複数個設けられているため、接続時押圧力は非試験用突起電極17Bの数に応じて分散され、個々の非試験用突起電極17Bに印加される接続時押圧力は小さくなる。よって、非試験用突起電極17Bに変形が発生することも防止することができる。

0127

更に、本実施例においても、前記した第11乃至第13実施例と同様に、非試験用突起電極17Bと絶縁部11とが当接する当接位置には非試験用導体部は形成されていないため、試験用導体部12に外乱が侵入することはなく、試験精度を向上させることができる。

0128

続いて、試験用基板10Mを用いた試験方法について説明する。図15は、試験用基板10Mを用いた試験方法を説明するための図である。本実施例による試験方法では、図15(A)に示されるように、先ず試験用突起電極17Bと対応する位置にのみ開口27が形成された成形板26を用意し、この成形板26に半導体装置16を押圧することにより、非試験用突起電極17Bを潰してその高さが低くなるよう成形する(変形させる)。

0129

この際、試験用突起電極17Aは成形板26に形成された開口27内に位置するため、その高さが変化することはない。尚、この成形板26の材質としては、セラミックステンレス等の少なくとも突起電極17の材質(半田)より固い部材であることが必要である。

0130

続いて、試験用突起電極17Aを試験用基板10Mに形成された接続孔13と位置決めした上で、半導体装置16を試験用基板10Mに装着する。この試験用基板10Mは、前記した第3乃至第5実施例で説明した試験用基板10B〜10Eと同様に、接続孔13の内部に突出接続部18〜21(本実施例では、スタッドバンプ19を用いた例を示している)を有した構成とされている。また、接続孔13は、試験用突起電極17Aと対応する位置にのみ形成されている。

0131

続いて、半導体装置16を試験用基板10Mに押圧することにより、試験用突起電極17A内にスタッドバンプ19を差し込んだ状態とし、これにより試験用突起電極17Aと導体部12との電気的導通を図る。この際、試験用突起電極17Aに対し低い高さとされた非試験用突起電極17Bは絶縁部11の上面に接触(当接)した状態となり、よって半導体装置16は絶縁部11上に支持された構成となる。

0132

よって、接続時押圧力が被試験装置に印加されても、半導体装置16は非試験用突起電極17Bが絶縁部11に当接することにより支持され、試験用突起電極17Aに印加される接続時押圧力を軽減することができる。これにより、試験用突起電極17Aに接続時押圧力が集中するこを防止でき、試験用突起電極17Aに変形が発生するのを防止することができる。

0133

また前記したように、非試験用突起電極17Bは通常複数個設けられているため、接続時押圧力は分散されて個々の非試験用突起電極17Bに印加される接続時押圧力も小さくなる。よって、半導体装置16を非試験用突起電極17Bにより支持する構成としても、非試験用突起電極17Bに大きな変形が発生することを防止することができる。

0134

尚、本実施例においては、必然的に非試験用突起電極17Bに変形が発生する。しかるに、本実施例において非試験用突起電極17Bに発生する変形量は、接続時押圧力が集中することにより発生する変形量に比べて僅かである。また、通常の半導体製造構成においては、最終工程に近い段階において突起電極17に対してフォーミング工程(突起電極17の形状を球状に成形する処理)が実施される。

0135

前記したように、本実施例において非試験用突起電極17Bに発生する変形量は僅かであるため、このフォーミング工程を実施することにより、本実施例により発生する変形は確実に修正される。しかるに、接続時押圧力が集中することにより発生する変形は、その変形量が大きいため、フォーミング工程を実施しても、この変形を確実に修正することはできない。よって、本実施例に係る方法を適用することは有益であり、接続時押圧力に起因した突起電極17の変形を防止することができる。

0136

続いて、本発明の第15実施例について説明する。図16及び図17は、第15実施例に係る試験用基板10N(10N-1〜10N-3)を示している。本実施例では、絶縁部11Bに支持部28Aを形成したことを特徴とするものである。

0137

この支持部28Aは絶縁部11Bと一体的に形成されており、前記した他の実施例に比べて絶縁部11Bを上方に延出させた構成とされている。この支持部28Aは、半導体装置16を適正に試験用基板10Nに装着した状態において、その先端部が半導体装置16の底面16aと接触するか、または微細寸法離間した状態となるよう構成されている。

0138

この支持部28Aは、隣接する接続孔13の間位置に位置するよう設けられている。従って、半導体装置16を試験用基板10Nに装着した状態において、突起電極17は支持部28Aの間に位置する構成となる。試験用基板10Nを上記構成とすることにより、半導体装置16を適正に試験用基板10Nに装着された状態において、半導体装置16は支持部28Aを介して絶縁部11に支持された構成となる。よって、半導体装置16に接続時押圧力を印加しても、この接続時押圧力は複数設けられている支持部28Aに分散されて印加されることとなり、突起電極17に接続時押圧力が集中して印加されることを防止することができる。これにより、突起電極17に印加される接続時押圧力は軽減され、突起電極17に変形が発生することを防止することができる。

0139

また、本実施例においては、支持部28Aが隣接する接続孔13の間位置に設けられている。よって、突起電極17の形成位置に近い複数箇所で半導体装置16は支持されることになり、より有効に接続時押圧力が突起電極17に印加されることを防止することができる。

0140

図17は、突出接続部が設けられた試験用基板10N-1〜10N-3に本発明を適用した例を示している。図17(A)は、突出接続部としてスタッドバンプ19を用いた試験用基板10N-1を示しており、図17(B)は突出接続部として金属ピン20を用いた試験用基板10N-2を示しており、更に図17(C)は突出接続部として粗面形成部材21を用いた試験用基板10N-3を示している。

0141

このように、突出接続部19〜21が設けられた試験用基板10N-1〜10N-3においても、半導体装置16を適正に試験用基板10N-1〜10N-3に装着された状態において、この支持部28Aの先端部が半導体装置16の底面16aと接触するか、または微細寸法離間した状態となるよう構成することにより、図16に示した試験用基板10Nと同等の効果を実現することができる。

0142

続いて、本発明の第16実施例について説明する。図18は、第16実施例に係る試験用基板10Pを示している。本実施例は、上記した第15実施例である試験用基板10N(10N-1〜10N-3)と同等の目的を達成するための他の構成を示すものである。

0143

本実施例においても、支持部28Bは絶縁部11Cより上方に一体的に延出させた構成とされており、半導体装置16を適正に試験用基板10Pに装着した状態において、その先端部が半導体装置16の底面16aと接触するか、または微細寸法離間した状態となるよう構成されている。更に、支持部28Bは、隣接する接続孔13の間位置に位置するよう設けられている。

0144

しかるに、本実施例に係る試験用基板10Pでは、支持部28Bの幅寸法を第15実施例である試験用基板10N(10N-1〜10N-3)に比べて狭く形成すると共に、上方から下方に向けて幅狭となるテーパ面28B-1を形成したことを特徴とするものである。

0145

このように、支持部28Bの幅寸法を狭く形成すると共に、上方から下方に向けて幅狭となるテーパ面28B-1を形成することにより、半導体装置16を試験用基板10Pに装着する際に、テーパ面28B-1が突起電極17を案内する機能を奏し、よって半導体装置16を試験用基板10Pに装着する装着操作を容易に行なうことが可能となる。

0146

続いて、本発明の第17実施例について説明する。図19は、第17実施例に係る試験用基板10Qを示している。本実施例も、上記した第15実施例である試験用基板10N(10N-1〜10N-3)と同等の目的を達成するためのものである。

0147

従って、支持部28Cは絶縁部11より上方に延出した構成となっており、半導体装置16を適正に試験用基板10Qに装着した状態において、その先端部が半導体装置16の底面16aと接触するか、または微細寸法離間した状態となるよう構成されている。更に、支持部28Cは、隣接する接続孔13の間位置に位置するよう設けられている。

0148

しかるに、本実施例に係る試験用基板10Qは、支持部28Cと絶縁部11とを別体とした点に特徴を有するものである。この支持部28Cと絶縁部11とは、例えば接着剤等を用いて接合された構成とされている。このように、支持部28Cを絶縁部11と別体としたことにより、支持部28Cと絶縁部11とを夫々独立して形成することが可能となり、よって支持部28C及び絶縁部11の成形性を向上させることができる。即ち、支持部28Cと絶縁部11とを一体化した構成では、その構成が複雑となり成形性が低下してしまう。このように成形性が低下すると微細孔の形成が困難となり、また成形精度も低下してしまう。この場合、微細化,高密度化されることによりフィン化した突起電極17を有する半導体装置16に試験用基板を対応させることができなくなってしまう。

0149

これに対し、本実施例に係る試験用基板10Qは、支持部28Cと絶縁部11とを別体とすることにより、支持部28C及び絶縁部11の形成性を共に向上させることができる。よって、試験用基板10Qを半導体装置16に対応させてファイン化することが可能となる。

0150

続いて、本発明の第18及び第19実施例について説明する。図20は第18実施例に係る試験用基板10Rを示しており、また図21は第19実施例に係る試験用基板10Sを示している。第18及び第19実施例も、上記した第15実施例である試験用基板10N(10N-1〜10N-3)と同等の目的を達成するためのものである。

0151

前記した第15乃至第7実施例では、支持部28A〜28Cを隣接する接続孔13の間位置に位置するよう設けた構成とした。しかるに、接続孔13の間位置に支持部28A〜28Cを形成する構成では、必然的に隣接する接続孔13間のピッチが広くなってしまい、ファインピッチ化された突起電極17を有する半導体装置16に対応することができない。

0152

これに対して本実施例では、支持部28D,28Eを接続孔13の形成位置に対し外周位置に設けたことを特徴とするものである。このように、支持部28D,28Eを接続孔13の形成位置に対し外周位置に設けることにより、接続孔13を支持部28D,28Eに拘わらず近接させることができるため、接続孔13をファインピッチ化することができ、よって試験用基板10R,10Sをファインピッチ化された半導体装置16に対応させることができる。

0153

尚、図20に示す第18実施例に係る試験用基板10Rは、支持部28Dを絶縁部11Dに一体的に形成したものであり、また図21に示す第19実施例に係る試験用基板10Sは、支持部28Eを絶縁部11と別体とした構成のものである。

0154

続いて、本発明の第20及び第21実施例について説明する。図22は第20実施例に係る試験用基板10Tを用いた接続構造を示しており、また図23は第21実施例に係る接続構造を示している。第20及び第21実施例では、半導体装置16が装着される装着力により、接続孔13と対向する位置の導体部12を突起電極17に向け付勢する付勢機構を設けたことを特徴とするものである。

0155

前記したように、絶縁部11に形成された接続孔13の内壁14に突起電極17が当接させ、半導体装置16を絶縁部11に支持させる構成とすることにより、接続時押圧力を分散され突起電極17の変形を防止することができる。しかるに、接続時押圧力は突起電極17を導体部12に押圧し電気的接続性を確保するために付勢される力であるため、接続時押圧力が完全に絶縁部11で支持される構成では、突起電極17と導体部12との電気的接続性が低下してしまう。

0156

即ち、突起電極17の変形防止の面からは接続時押圧力を絶縁部11で完全に支持することが望ましく、一方突起電極17と導体部12との電気的接続性を確保する面からは接続時押圧力が印加された方が良いという、試験用基板は相反する特性が要求される。

0157

そこで第20及び第21実施例では、突起電極17の変形防止は前記した各実施例と同様に絶縁部11により行なうと共に、突起電極17と導体部12との電気的接続性は付勢機構を設けることにより実現する構成としたものである。図22に示す第20実施例では、試験用基板10Tに付勢機構が設けられている。具体的には、導体部12の突起電極17が接続される接続面と異なる側の面(裏面)に、絶縁部材よりなる絶縁突起部29を突出形成し、これを付勢機構としている。

0158

この絶縁突起部29は、絶縁部11と同様に例えば絶縁性樹脂により形成されている。また、絶縁突起部29の形成方法としては、例えば導体部12の下面全面にフィルム状の絶縁性樹脂36(図22に一点鎖線で示す)を配設し、その後に前記した突起電極17が接続される位置と対応する位置を除き、絶縁性樹脂36を除去する方法が考えられる。また除去方法としては、異方性ドライエッチング等の利用が考えられる。よって、絶縁突起部29を容易に形成することができる。

0159

一方、図中30で示すのは受け台であり、試験用基板10Tが装着されるソケット(図示せず)に配設されている。この受け台30の上部には加圧シート31が設けられており、ソケットに装着された状態において試験用基板10Tは加圧シート31上に載置された状態となっている。従って、絶縁突起部29を有する試験用基板10Tを加圧シート31上に載置することにより、絶縁突起部29は加圧シート31と当接した状態となる。尚、加圧シート31は、所定の可撓性を有した材質が選定されている。

0160

続いて、上記構成とされた試験用基板10Tの半導体装置16が装着される時の動作について説明する。前記したように、装着時においては半導体装置16に接続時押圧力が印加される。この本実施例に係る試験用基板10Tでは、接続孔13の内壁14の角度を適宜選定することにより、この接続時押圧力の殆ど全てが絶縁部11で支持されるよう構成されている。従って、突起電極17の変形は確実に防止されている。

0161

また、上記のように接続時押圧力が絶縁部11で支持されることにより、試験用基板10Tには下方に向け付勢される力が作用する。これにより、試験用基板10Tは加圧シート31に向け押圧されるが、前記したように試験用基板10Tには絶縁突起部29が形成されているため、絶縁突起部29が加圧シート31に向け押圧される反力として導体部12には突起電極17に向け変形しようとする力が作用する。これにより、導体部12と突起電極17とを確実に電気的に接続することができる。

0162

よって、本実施例によれば、導体部12の突起電極17との接続位置に絶縁突起部29を設けるだけの簡単な構成で、突起電極17の変形防止と、導体部12と突起電極17の電気的接続性の向上を両立させることができる。尚、上記した導体部12を突起電極17に向け変形しようとする力は、加圧シート31の可撓性(弾性)を可変することにより調整可能である。

0163

一方、図23に示す第21実施例では、加圧シート31Aに突起部32を形成したことを特徴とするものである。この突起部32の形成位置は、導体部12の突起電極17が接続される位置と対向する位置に選定されている。尚、本実施例では、第1実施例で説明した試験用基板10Aを用いている。

0164

本実施例においても、装着時において半導体装置16に接続時押圧力が印加されると、試験用基板10Aは下方に向け付勢される。これにより、試験用基板10Aは加圧シート31Aに向け押圧されるが、加圧シート31Aには突起部32が形成されているため、試験用基板10Aの下動に伴い導体部12は突起部32に押圧される。

0165

これにより、導体部12には突起電極17に向け変形しようとする力が作用し、導体部12と突起電極17とを確実に電気的に接続することができる。よって、本実施例によっても突起電極17の変形防止と、導体部12と突起電極17の電気的接続性の向上を両立させることができる。

0166

続いて、本発明の第22及び第23実施例について説明する。図24は第22実施例に係る試験用基板10Uを示しており、また図25は第23実施例に係る試験用基板10Vを示している。第20及び第21実施例では、絶縁部11に突起電極17と接続孔13との位置決めを行なう位置決め機構を設けたことを特徴とするものである。

0167

図24に示す第22実施例に係る試験用基板10Uでは、絶縁部11Eの接続孔13の外周位置に位置決め面33を立設形成したことを特徴とするものである。この位置決め面33は、半導体装置16の外形に対応するよう構成されており、かつ半導体装置16の装着を容易化するためにテーパを有した構成とされている。従って、単に位置決め面33に沿って半導体装置16を試験用基板10Uに装着するだけの簡単な操作で、突起電極17を接続孔13に挿入させることができ、装着操作性の向上を図ることができる。

0168

また、図25に示す第23実施例に係る試験用基板10Vでは、突起電極17と接続孔13との位置決めを行なう位置決め部材34を絶縁部11と別体とし、絶縁部11の上部に配設したことを特徴とするものである。この位置決め部材34は、半導体装置16の位置決めを行なう位置決め孔37を有しており、単に位置決め孔37に沿って半導体装置16を試験用基板10Vに装着するだけの簡単な操作で、突起電極17を接続孔13に挿入させることができ、装着操作性の向上を図ることができる。

0169

続いて、本発明の第24実施例について説明する。図26(A)は本発明の第24実施例である試験用基板10Wの要部を拡大して示しており、また図26(B)は試験用基板10Wの底面における要部を拡大して示している。

0170

本実施例に係る試験用基板10Wは、導体部12Bの突起電極17が接触する部位にスリット35を形成し、この接触位置において導体部12Bが変形可能となるよう構成したことを特徴とするものである。スリット35は、図26に示されるように、十字状に形成する構成としても、また他の形状に形成する構成としてもよい。このスリット35の形状、及び導体部12Bが有する弾性力により、導体部12Bが変形量を調整することができる。

0171

上記のようにスリット35を形成することにより、半導体装置16を試験用基板10Wに装着した状態において、突起電極17の押圧力に応じて導体部12Bは変形する。このように、導体部12Bが変形することにより、突起電極17に印加された接続時押圧はを吸収され、かつ導体部12Bと突起電極17との接触面積は増大する。よって、突起電極17の変形防止と、突起電極17と導体部12Bとの電気的接続性の向上を共に実現することができる。

発明の効果

0172

上述の如く本発明によれば、下記の種々の効果を実現することができる。請求項1及び請求項21記載の発明によれば、突起電極と試験用基板とを電気的に接続するために被試験装置に接続時押圧力を印加しても、この接続時押圧力を分散することが可能となり、よって突起電極に変形が発生することを防止することができる。 また、請求項2記載の発明によれば、突起電極と内壁との接触面積は広くなり接続時押圧力を分散させることができるため、突起電極に変形が発生することを防止することができる。

0173

また、請求項3記載の発明によれば、突起電極と接続孔の内壁とは広い面積をもって接触するため有効に接続時押圧力を分散させることができ、よって突起電極に変形が発生することを有効に防止することができる。また、請求項4及び請求項22記載の発明によれば、導体部は突起電極の試験用基板と対向する先端部で接続するのではなく、側部において接続する構成となるため、接続時押圧力が突起電極の先端部に集中することを防止することができ、突起電極に変形が発生することを防止することができる。

0174

また、請求項5及び請求項23記載の発明によれば、実質的に突起電極と導体部との電気的接続面積を増大させることができ、これにより小さい接続時押圧力であっても確実に突起電極と導体部とを電気的に接続することができる。また、請求項6及び請求項7及び請求項24記載の発明によれば、突出接続部を介して突起電極と導体部とを接続することにより、突起電極と導体部との電気的接続をより確実に行なうことができる。

0175

また、請求項8,請求項9,請求項25,及び請求項26記載の発明によれば、非試験用導体部と、試験用突起電極と接続する試験用導体部とを電気的に隔離したことにより、また試験用突起電極が挿入される接続孔にのみに導体部を配設したことにより、外乱の侵入を防止することができ試験精度を向上させることができる。

0176

また、請求項10及び請求項11及び請求項20記載の発明によれば、接続時押圧力が被試験装置に印加されても、被試験装置は非試験用突起電極が絶縁部に当接することにより支持され、試験用突起電極に印加される接続時押圧力は軽減されるため、試験用突起電極に変形が発生するのを防止することができる。

0177

また、被試験装置を非試験用突起電極により支持する構成としても、非試験用突起電極に変形が発生することを防止することができる。更に、非試験用突起電極は絶縁部に当接する構成とされているため試験用基板に非試験用導体部は形成されておらず、よって試験精度を向上させることができる。

0178

また、請求項12及び請求項27記載の発明によれば、被試験装置に接続時押圧力を印加しても、この接続時押圧力は支持部に分散されて突起電極に集中して印加されることを防止できるため、突起電極に変形が発生することを防止することができる。

0179

また、請求項13記載の発明によれば、突起電極の形成位置に近い複数箇所で被試験装置は支持されることになり、より有効に接続時押圧力が突起電極に印加されることを防止することができる。また、請求項14記載の発明によれば、隣接する接続孔間のピッチをファイン化することができ、これに伴い被試験装置に設けられる突起電極の配設ピッチをファイン化(高密度化)することができる。

0180

また、請求項15記載の発明によれば、支持部と絶縁部とを夫々独立して形成することができるため、支持部及び絶縁部の成形性を向上させることができ、延いてはファイン化に対応させることが可能となる。また、請求項16及び請求項28記載の発明によれば、突起電極の変形を防止するために接続時押圧力を低減しても付勢機構により導体部を突起電極に向け付勢するため、突起電極と導体部とを電気的に接続するために必要とされる最低限の押圧力を維持することができ、よって突起電極の変形防止と、突起電極と導体部との電気的接続との確保を両立させることができる。

0181

また、請求項17記載の発明によれば、簡単な構成で突起電極の変形防止と、突起電極と導体部との電気的接続との確保を両立させることができる。また、請求項18及び請求項29記載の発明によれば、被試験装置を試験用基板に装着する操作時に、同時に突起電極と接続孔との位置決めを行なうことができ、突起電極と接続孔との位置決め処理を容易に行なうことができる。

0182

更に、請求項19及び請求項30記載の発明によれば、導体部は変形することにより突起電極に印加された接続時押圧力を吸収することができ、かつ導体部と突起電極との接触面積を増大させることができるため、突起電極の変形防止と、突起電極と導体部との電気的接続性の向上を共に図ることができる。

図面の簡単な説明

0183

図1本発明の第1実施例である試験用基板の断面図である。
図2本発明の第2実施例である試験用基板の断面図である。
図3本発明の第3実施例である試験用基板の断面図である。
図4本発明の第4実施例である試験用基板の断面図である。
図5本発明の第5実施例である試験用基板の断面図である。
図6本発明の第6実施例である試験用基板の断面図である。
図7本発明の第7実施例である試験用基板の断面図である。
図8本発明の第8実施例である試験用基板の断面図である。
図9本発明の第9実施例である試験用基板の断面図である。
図10本発明の第10実施例である試験用基板の断面図である。
図11本発明の第11実施例である試験用基板の断面図である。
図12本発明の第12実施例である試験用基板の断面図である。
図13本発明の第13実施例である試験用基板の断面図である。
図14本発明の第14実施例である試験用基板の断面図である。
図15試験基板を用いた試験方法を説明するための図である。
図16本発明の第15実施例である試験用基板の断面図である。
図17本発明の第15実施例の変形例を示す図である。
図18本発明の第16実施例である試験用基板の断面図である。
図19本発明の第17実施例である試験用基板の断面図である。
図20本発明の第18実施例である試験用基板の断面図である。
図21本発明の第19実施例である試験用基板の断面図である。
図22本発明の第20実施例である試験用基板の断面図である。
図23本発明の第21実施例である試験用基板の断面図である。
図24本発明の第22実施例である試験用基板の断面図である。
図25本発明の第23実施例である試験用基板の断面図である。
図26本発明の第24実施例である試験用基板の要部を拡大して示す図である。
図27従来の試験用基板を説明するための図である。

--

0184

10A〜10W試験用基板
11,11A〜11E絶縁部
13,13A接続孔
14,14A内壁
15,15A導通面
16半導体装置
17突起電極
17A試験用突起電極
17B 非試験用突起電極
18非濡れ性部材
19スタッドバンプ
20金属ピン
21粗面形成部材
22導電膜
23被試験用導体部
24 非導通孔
26成形板
28A〜28E 支持部
29絶縁突起部
32突起部
33位置決め面
34位置決め部材
35 スリット

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