図面 (/)

この項目の情報は公開日時点(1998年8月7日)のものです。
また、この項目は機械的に抽出しているため、正しく解析できていない場合があります

図面 (4)

課題

残留した静電吸着力を除去する。

解決手段

ドライエッチング装置2に静電チャックとして組み込まれた静電吸着保持装置30の誘電体から成る静電吸着部31は、下側電極板12に敷設され、静電吸着部31の上面がウエハ1の保持面32を構成している。下側電極板12には静電吸着用直流電源34と除電用交流電源35とが高周波電源13に並列に接続されている。直流電源34の静電吸着解除後に交流電源35の交流電力を静電吸着部31に印加すると、静電吸着部31、ウエハ1の帯電量が強制的に減少されるため、静電吸着部、ウエハの残留静電吸着力が除去される。

効果

静電吸着部、ウエハの残留静電吸着力の除去によりウエハを静電吸着部から無理せずに剥離できるため、ウエハの位置ずれや損傷の発生を未然に防止できる。また、短時間で除電できるため、スループットを向上できる。

概要

背景

例えば、半導体装置の製造工程において使用されるドライエッチング装置では、被処理物であるウエハを電極板静電吸着保持装置によって吸着させることにより、ウエハに効率良く電力を伝えるとともに、熱を効率良く伝導させることが実施されている。

従来のこの種の静電吸着保持装置は、誘電体によって形成されて一主面に被保持物静電吸着する保持面が形成されている静電吸着部と、この静電吸着部の保持面と反対側の主面に形成されている電極部と、この電極部に電気的に接続されている直流電源とを備えており、直流電源によって電極部を介して静電吸着部に直流電力印加することにより、静電吸着部の保持面で被保持物を静電吸着するように構成されている。

このような静電吸着保持装置がドライエッチング装置に組み込まれる場合においては、ウエハを保持する下側電極板に誘電体から成る静電吸着部が敷設されて下側電極板によって電極部が実質的に構成され、下側電極板の電気回路に直流電源が接続される。

なお、静電吸着保持技術を述べてある例としては、株式会社リアライズ社1996年発行半導体プロセスにおけるチャージングダメージ」の第137頁に記載の「11.静電チャックを用いたRIEウエハ帯電ダメージ」がある。

概要

残留した静電吸着力を除去する。

ドライエッチング装置2に静電チャックとして組み込まれた静電吸着保持装置30の誘電体から成る静電吸着部31は、下側電極板12に敷設され、静電吸着部31の上面がウエハ1の保持面32を構成している。下側電極板12には静電吸着用の直流電源34と除電用交流電源35とが高周波電源13に並列に接続されている。直流電源34の静電吸着解除後に交流電源35の交流電力を静電吸着部31に印加すると、静電吸着部31、ウエハ1の帯電量が強制的に減少されるため、静電吸着部、ウエハの残留静電吸着力が除去される。

静電吸着部、ウエハの残留静電吸着力の除去によりウエハを静電吸着部から無理せずに剥離できるため、ウエハの位置ずれや損傷の発生を未然に防止できる。また、短時間で除電できるため、スループットを向上できる。

目的

本発明の目的は、効率良く除電することができる静電吸着保持技術を提供することにある。

効果

実績

技術文献被引用数
2件
牽制数
3件

この技術が所属する分野

(分野番号表示ON)※整理標準化データをもとに当社作成

ライセンス契約や譲渡などの可能性がある特許掲載中! 開放特許随時追加・更新中 詳しくはこちら

請求項1

誘電体によって形成されている静電吸着部に直流電力印加されて発生された静電吸着力によって被保持物が静電吸着保持される静電吸着保持方法において、前記静電吸着保持の解除後に、前記静電吸着保持部に交流電力が印加されて残留静電吸着力が除去されることを特徴とする静電吸着保持方法。

請求項2

前記交流電力の電圧が、50V〜500Vに設定されていることを特徴とする請求項1に記載の静電吸着保持方法。

請求項3

前記交流電力の電圧が、次第に減少されて行くことを特徴とする請求項1または2に記載の静電吸着保持方法。

請求項4

前記交流電力の周波数が、1kHz〜100kHzに設定されていることを特徴とする請求項1、2または3に記載の静電吸着保持方法。

請求項5

誘電体によって形成されている静電吸着部に直流電力が印加されて発生された静電吸着力によって被保持物が静電吸着保持される静電吸着保持装置において、前記静電吸着保持の解除後に前記静電吸着保持部に交流電力を印加する除電用電源を備えていることを特徴とする静電吸着保持装置。

技術分野

0001

本発明は、静電吸着保持装置、特に、残留静電吸着力の除去技術に関し、例えば、半導体製造工程において半導体ウエハ(以下、ウエハという。)を保持するのに利用して有効なものに関する。

背景技術

0002

例えば、半導体装置の製造工程において使用されるドライエッチング装置では、被処理物であるウエハを電極板に静電吸着保持装置によって吸着させることにより、ウエハに効率良く電力を伝えるとともに、熱を効率良く伝導させることが実施されている。

0003

従来のこの種の静電吸着保持装置は、誘電体によって形成されて一主面に被保持物静電吸着する保持面が形成されている静電吸着部と、この静電吸着部の保持面と反対側の主面に形成されている電極部と、この電極部に電気的に接続されている直流電源とを備えており、直流電源によって電極部を介して静電吸着部に直流電力印加することにより、静電吸着部の保持面で被保持物を静電吸着するように構成されている。

0004

このような静電吸着保持装置がドライエッチング装置に組み込まれる場合においては、ウエハを保持する下側電極板に誘電体から成る静電吸着部が敷設されて下側電極板によって電極部が実質的に構成され、下側電極板の電気回路に直流電源が接続される。

0005

なお、静電吸着保持技術を述べてある例としては、株式会社リアライズ社1996年発行半導体プロセスにおけるチャージングダメージ」の第137頁に記載の「11.静電チャックを用いたRIEウエハ帯電ダメージ」がある。

発明が解決しようとする課題

0006

しかしながら、従来の静電吸着保持装置においては、残留静電吸着力の除去について配慮されていないため、静電吸着保持解除後に被保持物としてのウエハを静電吸着保持装置から取り外す際に、残留静電吸着力を外部から除去する必要がある。そこで、静電吸着保持装置が組み込まれたドライエッチング装置においては、エッチング処理後プラズマを弱めに励起させることにより、被保持物としてのウエハおよび静電吸着保持装置の残留静電吸着力を除去すること(以下、除電という。)が一般的に実施されている。しかしながら、このプラズマ励起による除電方法には次のような問題点がある。

0007

プラズマ励起による除電方法では完全に除電することができない場合がある。すなわち、静電吸着時にウエハのシリコン表面や静電吸着部の表面に帯電するのは負の電荷であるのに、プラズマ励起によって発生する電位は負の電位であるため、打ち消す方向と逆方向になってしまう。また、残留静電吸着力を生む残留静電気の電荷は、ウエハの裏面構造、裏面状態、温度、エッチング時間等に依存し、個々のウエハに対応して相違するため、個々のウエハ毎に除電し難さが発生する。ちなみに、除電が不完全なままで、ウエハを搬送しようとすると、位置ずれやウエハの損傷等のトラブルが引き起こされる。

0008

プラズマ励起による除電方法は長時間が必要になるため、ドライエッチング処理全体としてのスループットが低下する。例えば、プラズマ励起による除電方法の実施時間が約30秒、エッチング処理時間が約60秒、その他の処理(搬送、ガス供給ガス引き、圧力の安定化)の時間が約30秒と想定すると、除電方法のスループットに占める時間は、25%にもなってしまう。

0009

今後、ウエハの大口径化SOIウエハの使用等に伴って、除電時の残留静電吸着力の多様性は増加するため、除電の問題は顕在化すると予想される。

0010

本発明の目的は、効率良く除電することができる静電吸着保持技術を提供することにある。

0011

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

課題を解決するための手段

0012

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通りである。

0013

すなわち、誘電体によって形成されている静電吸着部に直流電力が印加されて発生された静電吸着力によって被保持物が静電吸着保持される静電吸着保持方法において、前記静電吸着保持の解除後に、前記静電吸着保持部に交流電力が印加されて残留静電吸着力が除去されることを特徴とする。

0014

前記した手段によれば、静電吸着解除後に、交流電力を静電吸着部に印加することにより、静電吸着部および被保持物の帯電量を強制的に減少させることができるため、静電吸着部および被保持物の残留静電吸着力を短時間で除去することができる。

0015

静電吸着部および被保持物の残留静電吸着力を除去することにより、被保持物を静電吸着部から無理せずに剥離して持ち上げることができるため、被保持物の位置ずれや損傷の発生を未然に防止することができる。

発明を実施するための最良の形態

0016

図1は本発明の一実施形態である静電吸着保持装置が使用されているドライエッチング装置を示しており、(a)は回路図を含む正面断面図、(b)および(c)は各拡大部分断面図である。図2はそのシーケンスを示す各線図である。図3はその作用を説明するための線図である。

0017

本実施形態において、本発明に係る静電吸着保持装置は、半導体装置の製造工場におけるドライエッチング装置2に組み込まれており、その処理室において被処理物としてのウエハ1を下側電極板に密着させる静電チャックとして構成されている。

0018

ドライエッチング装置2は処理室3を形成したチャンバ4を備えており、処理室3は被処理物であるウエハ1よりも大口径の円形中空室に形成されている。チャンバ4の側壁には被処理物であるウエハ1を出し入れするための出し入れ口5が開設されており、出し入れ口5はゲート6によって開閉されるように構成されている。ウエハ1は搬送ロボット(図示せず)によって出し入れ口5から処理室3に出し入れされるようになっている。チャンバ4の側壁の他の場所にはガス供給口7が開設されており、ガス供給口7からはエッチングガス8が処理室3に適時に供給されるようになっている。

0019

処理室3の上部および下部には平行平板電極を構成する上側電極板11および下側電極板12が互いに平行に敷設されて、絶縁体によって構築された上側支持体9および下側支持体10を介してそれぞれ固定されている。平行平板電極である上側電極板11と下側電極板12との間には高周波電力を印加するための高周波電源13が介設されており、高周波電源13と下側電極板12との間には、高周波電力の効率を最大にするためのマッチングボックス14およびブロッキングコンデンサ15がそれぞれ直列に接続されている。

0020

下側電極板12には冷却ガス供給路16が開設されており、冷却ガス供給路16はヘリウム(He)ガス等の冷却ガス(図示せず)17をウエハ1の裏面に供給することにより、ウエハ1を冷却するようになっている。また、下側電極板12には挿通孔18が複数本周方向に等間隔に配されて上下方向に貫通するように開設されており、各挿通孔18には各持ち上げピン19が上下方向に挿通されている。これら持ち上げピン19はウエハ1を水平に持ち上げ得るように構成されている。さらに、下側支持体10には排気口20が開設されており、排気口20には真空ポンプ21が接続されている。

0021

静電吸着保持装置30は静電吸着部、電極部、静電吸着用電源としての直流電源および除電用電源としての交流電源を備えている。ドライエッチング装置2における静電チャックを構成している本実施形態に係る静電吸着保持装置30の静電吸着部31は、三酸化アルミニウム(Al2 O3 )やポリイミド等の誘電体が使用されて形成されており、下側電極板12の上面の上に敷設されている。静電吸着部31の上面によってウエハ1を保持するための保持面32が構成されている。

0022

静電吸着部31が下側電極板12の上面に形成されているため、静電吸着保持装置30の電極部33は下側電極板12の上面によって実質的に構成された状態になっている。電極部33を兼用する下側電極板12には、静電吸着用電源としての直流電源34が高周波電源13と並列に接続されており、直流電源34が直流電力を静電吸着部31に下側電極板12を介して印加することにより、保持面32において被保持物としてのウエハ1を静電吸着するようになっている。直流電源34は印加する直流電力を変更調節し得るように構成されている。

0023

本実施形態において、電極部33を兼用する下側電極板12には、除電用電源としての交流電源35が高周波電源13と並列に接続されており、交流電源35はコントローラ36に制御されて交流電力を静電吸着部31に下側電極板12を介して印加することにより、静電吸着部31やウエハ1の残留静電吸着力を後述する作用によって除去するようになっている。コントローラ36は交流電源35を予め設定されたシーケンスをもって制御することにより、交流電源35に所定の周波数および電圧をもった交流電力を発生させるように構成されている。

0024

次に、前記構成に係るドライエッチング装置2の作用を説明することにより、前記構成に係る静電吸着保持装置30による本発明の一実施形態である静電吸着保持方法を説明する。

0025

ウエハ1が処理室3に出し入れ口5から搬入されて静電吸着保持装置30の上に載置されると、ガス供給口7からエッチングガス8が処理室3に供給されるとともに、処理室3が真空ポンプ21によって所定の圧力に圧力制御される。この間の処理時間は、例えば、図2(a)に示されているように30秒間と仮定する。

0026

次いで、高周波電源13によって高周波電力が図2(a)に示されているように30秒間、上側電極板11と下側電極板12との間に印加される。この高周波電力によって上側電極板11と下側電極板12との間にプラズマ(図示せず)が励起され、エッチングガスの化学反応によって所望のエッチング処理がウエハ1に施される。

0027

このエッチング処理の期間中に、図2(b)に示されているように、直流電源34によって直流電力が下側電極板12に同時に印加される。この下側電極板12への直流電力の印加に伴って、図1(b)に示されているように、誘電体によって形成された静電吸着部31に負の静電気が発生するため、ウエハ1は静電吸着部31の保持面32に静電吸着されて保持された状態になる。

0028

このようにしてウエハ1が静電吸着部31の保持面32に静電吸着されると、ウエハ1は下側電極板12に押接された状態になるため、ウエハ1には下側電極板12の高周波電力が効率良く伝わるとともに、下側電極板12の熱が効率良く伝導する状態になる。その結果、ウエハ1に対するエッチング処理はきわめて効率良く施されることなる。

0029

図2(a)および(b)に示されているように、所定の時間が経過すると、高周波電源13による高周波電力の印加および直流電源34による直流電力の印加は停止される。直流電源34による直流電力の印加が停止されても、誘電体によって形成された静電吸着部31の負の静電気は放電しないため、静電吸着部31は図1(b)に示されているように帯電した状態のままになる。静電吸着部31が帯電した状態のままであると、静電吸着力が残留した状態になるため、ウエハ1は静電吸着部31から持ち上げピン19によって持ち上げることができない。ウエハ1を持ち上げピン19によって静電吸着部31から無理に剥離して持ち上げると、ウエハ1の位置ずれが発生したり、甚だしい場合にはウエハ1が損傷されてしまう。

0030

そこで、図2(c)に示されているように、除電用電源としての交流電源35による交流電力が静電吸着部31に下側電極板12を通じて、5秒間程度の短時間だけ印加される。この際、交流電力の周波数は1kHz〜100kHzの範囲に、交流電力の電圧は50V〜500Vの範囲に設定することが好ましい。特に、交流電力の電圧は図3に示されているように次第に低減させて行くことが好ましい。

0031

例えば、図1(b)に示されている状態に帯電した静電吸着部31に除電のための交流電圧が印加され、図1(c)に示されているように、下側電極板12が正の電位になると、静電吸着部31およびウエハ1の帯電状態図1(b)の状態と逆転した状態になる。この逆転に際して、静電吸着部31およびウエハ1の静電気は揺さぶられて放電する状態になるため、その帯電量は減少する。次いで、下側電極板12が負の電位になると、静電吸着部31およびウエハ1の帯電状態は再逆転するため、その帯電量はさらに減少する。

0032

このようにして静電吸着部31およびウエハ1の帯電量が次第に減少されて行くと、図3に示されているように、静電吸着力は交流電力の印加時間の経過に伴って強制的に次第に減少されて行くことになる。特に、交流電力の電圧が次第に低減されて行くと、交流電力の印加自体によって静電吸着部31およびウエハ1に帯電される帯電量も次第に減少して行くため、静電吸着力は図3に示されているように効果的に低減されることになる。

0033

ちなみに、交流電力の周波数が1kHz未満であると、静電気の分極が起こり難いため効果が少なく、また、周期が長くなることにより、前記した静電気の逆転回数不足して放電量が減少するため、その分、静電吸着力の減少に時間がかかることになる。また、交流電力の周波数が100kHzを超えると、プラズマが励起されてしまうため、静電吸着部31およびウエハ1が再チャージアップしてしまう。したがって、除電のための交流電力の周波数は1kHz以上から100kHz以下の範囲に設定することが好ましい。

0034

また、静電吸着保持装置30の静電吸着時における直流電源34の動作電圧が500V〜1kVであるので、交流電源35による交流電力の電圧が500Vを超えると、静電吸着部31およびウエハ1が再チャージアップしてしまう。そこで、交流電源35による交流電力の電圧は、500V以下に設定することが好ましい。除電のための交流電力の電圧の下限を50Vとしたのは、50Vでの帯電量は微量であるため、ウエハ1を静電吸着部31から持ち上げピン19によって強制的に剥離させても、ウエハ1が位置ずれを起こしたり損傷したりする弊害は発生しないからである。但し、交流電力印加による静電吸着力の除去動作初期から、交流電圧を50Vに設定しても除電効果は低い。500V以下の数百Vから次第に低減させて行き、50Vで終了するように設定することによって、除電時間を最も短縮することができる。

0035

ところで、図2(d)に示されているように、高周波電源13によってエッチング処理時の電圧よりも低い電圧の高周波を上側電極板11と下側電極板12との間に印加してプラズマ雰囲気を形成することによって除電する従来の除電方法においては、除電効果が低いため、除電するのに30秒と長時間が浪費されてしまう。これに対して、本実施形態においては、図2(c)に示されているように、5秒と短時間で除電することができるため、その分、ドライエッチング処理全体としてのスループットが向上されることになる。

0036

以上のようにして静電吸着部31およびウエハ1が完全に除電された後に、持ち上げピン19が上昇されることにより、ウエハ1は静電吸着部31から剥離されて持ち上げられる。この際、真空ポンプ21によって処理室3が真空排気されて清浄化される。静電吸着部31から持ち上げられたウエハ1は、出し入れ口5から挿入されたハンドリング装置(図示せず)に受け取られて、出し入れ口5から処理室3の外部へ搬出される。

0037

なお、図2(a)に示されているように、除電後の真空排気処理に要する時間は15秒、ウエハ搬送に要する時間は15秒である。ちなみに、本実施形態におけるドライエッチング処理全体の処理時間は、30秒+30秒+5秒+30秒で、合計95秒間となる。これに対して、従来例におけるドライエッチング処理全体の処理時間は、30秒+30秒+30秒+30秒で、合計120秒間となる。したがって、本実施形態によるスループットの向上効果は、約20%ということになる。

0038

前記実施形態によれば次の効果が得られる。
直流電源34の静電吸着解除後に、除電用電源としての交流電源35による交流電力を静電吸着部31に印加することにより、静電吸着部31およびウエハ1の帯電量を強制的に減少させることができるため、静電吸着部31およびウエハ1の残留静電吸着力を除去することができる。

0039

静電吸着部31およびウエハ1の残留静電吸着力を除去することにより、ウエハ1を持ち上げピン19によって静電吸着部31から無理にせずに剥離して持ち上げることができるため、ウエハ1の位置ずれや損傷の発生を未然に防止することができる。

0040

静電吸着部31およびウエハ1の残留静電吸着力を短時間で除去することにより、直流電源34の静電吸着解除後に短時間で、ドライエッチング済のウエハ1を処理室3から搬出することができるため、ドライエッチング処理全体としてのスループットを高めることができる。

0041

除電のための交流電力の周波数を1kHz〜100kHzの範囲に、交流電力の電圧を50V〜500Vの範囲に設定するとともに、交流電力の電圧を次第に低減させて行くことにより、静電吸着部31およびウエハ1の帯電量をきわめて効果的に減少させることができるため、静電吸着部31およびウエハ1の残留静電吸着力をより一層短時間で除去することができる。

0042

前記により、除電を気にせずに直流電源34による静電吸着力を強力に設定することができるため、ウエハ1を静電吸着部31すなわち下側電極板12に強力に押接させることができ、その結果、ウエハ1に下側電極板12の高周波電力が効率良く伝わるとともに、下側電極板12の熱が効率良く伝導する状態になり、ウエハ1に対するエッチング処理をきわめて効率良く実行させることができる。

0043

以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

0044

例えば、除電のための交流電力の静電吸着部への印加は、除電用電源である交流電源35を専用的に設けて実行するに限らず、静電吸着保持装置30の直流電源34や、ドライエッチング装置の高周波電源13を兼用することによって印加するように構成してもよい。

0045

静電吸着部は三酸化アルミニウムやポリイミドによって形成するに限らず、炭化珪素セラミック誘電体等の他の誘電体によって形成してもよい。

0046

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明をその背景となった利用分野であるドライエッチング装置の静電吸着保持装置に適用した場合について説明したが、それに限定されるものではなく、静電気によって吸着可能な物品を保持する静電吸着保持装置全般に適用することができる。特に、本発明に係る静電吸着保持装置は、CVD装置PVD装置イオン打ち込み装置等の真空中でウエハを静電吸着して保持したり搬送する静電吸着保持装置に利用して優れた効果を発揮する。

発明の効果

0047

本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りである。

0048

静電吸着解除後に、除電のための交流電力を静電吸着部に印加することにより、静電吸着部および被保持物の帯電量を強制的に減少させることができるため、静電吸着部および被保持物の残留静電吸着力を除去することができる。

0049

静電吸着部および被保持物の残留静電吸着力を除去することにより、被保持物を静電吸着部から無理せずに剥離して持ち上げることができるため、被保持物の位置ずれや損傷の発生を未然に防止することができる。

図面の簡単な説明

0050

図1本発明の一実施形態である静電吸着保持装置が使用されているドライエッチング装置を示しており、(a)は回路図を含む正面断面図、(b)および(c)は各拡大部分断面図である。
図2そのシーケンスを示す各線図である。
図3その作用を説明するための線図である。

--

0051

1…ウエハ(被保持物)、2…ドライエッチング装置、3…処理室、4…チャンバ、5…出し入れ口、6…ゲート、7…ガス供給口、8…エッチングガス、9…上側支持体、10…下側支持体、11…上側電極板、12…下側電極板、13…高周波電源、14…マッチングボックス、15…ブロッキングコンデンサ、16…冷却ガス供給路、17…冷却ガス、18…挿通孔、19…持ち上げピン、20…排気口、21…真空ポンプ、30…静電吸着保持装置、31…静電吸着部、32…保持面、33…電極部、34…直流電源(静電吸着用電源)、35…交流電源(除電用電源)、36…コントローラ。

ページトップへ

この技術を出願した法人

この技術を発明した人物

ページトップへ

関連する挑戦したい社会課題

関連する公募課題

該当するデータがありません

ページトップへ

技術視点だけで見ていませんか?

この技術の活用可能性がある分野

分野別動向を把握したい方- 事業化視点で見る -

(分野番号表示ON)※整理標準化データをもとに当社作成

ページトップへ

おススメ サービス

おススメ astavisionコンテンツ

新着 最近 公開された関連が強い技術

  • 日本特殊陶業株式会社の「 保持装置」が 公開されました。( 2020/04/30)

    【課題】接合部における応力緩和性を確保しつつ、接合部における断熱性を向上させる。【解決手段】保持装置は、板状部材と、ベース部材と、板状部材とベース部材とを接合する接合部と、を備える。接合部は、少なくと... 詳細

  • 株式会社フコクの「 多層静電アクチュエータ」が 公開されました。( 2020/04/30)

    【課題】電極間の短絡を抑制しつつ誘電エラストマーをより薄く構成し発生力の向上を実現することができると共に、各電極への配線接続を容易とすることができる多層静電アクチュエータを提供することを目的とする。【... 詳細

  • サムコ株式会社の「 誘導結合型プラズマ処理装置の防着板」が 公開されました。( 2020/04/30)

    【課題】誘電体窓の表面に形成された導電性パーティクルの加工対象物への落下をできるだけ防止する。【解決手段】金属原子を含む加工対象物が収納される処理室と、該処理室外に配置された高周波電磁界を生成するコイ... 詳細

この 技術と関連性が強い人物

関連性が強い人物一覧

この 技術と関連する社会課題

関連する挑戦したい社会課題一覧

この 技術と関連する公募課題

該当するデータがありません

astavision 新着記事

サイト情報について

本サービスは、国が公開している情報(公開特許公報、特許整理標準化データ等)を元に構成されています。出典元のデータには一部間違いやノイズがあり、情報の正確さについては保証致しかねます。また一時的に、各データの収録範囲や更新周期によって、一部の情報が正しく表示されないことがございます。当サイトの情報を元にした諸問題、不利益等について当方は何ら責任を負いかねることを予めご承知おきのほど宜しくお願い申し上げます。

主たる情報の出典

特許情報…特許整理標準化データ(XML編)、公開特許公報、特許公報、審決公報、Patent Map Guidance System データ