図面 (/)

技術 薄膜トランジスタの製造方法

出願人 セイコーエプソン株式会社
発明者 平岩卓
出願日 1996年2月9日 (24年10ヶ月経過) 出願番号 1996-024521
公開日 1997年8月19日 (23年4ヶ月経過) 公開番号 1997-219526
状態 特許登録済
技術分野 液晶5(電極、アクティブマトリックス) 薄膜トランジスタ
主要キーワード 構成段階 二酸化硅素 導電性材料層 貴金属類 結晶化シリコン薄膜 導電性金属材料 オングストロ 導電性有機化合物
関連する未来課題
重要な関連分野

この項目の情報は公開日時点(1997年8月19日)のものです。
また、この項目は機械的に抽出しているため、正しく解析できていない場合があります

図面 (3)

課題

ドレイン電極部とドレイン領域との電気的接続を安定的に行うことのできる薄膜トランジスタの製造方法を提供すること。

解決手段

半導体膜を形成する第一の工程と、該半導体膜上にゲ−ト絶縁膜を形成する第二の工程と、該ゲ−ト絶縁膜を形成後、ソ−ス領域及びドレイン領域上のゲ−ト絶縁膜に第一のコンタクトホ−ルを開口する第三の工程と、該第一のコンタクトホ−ルを第一の導電性物質で覆う第四の工程と、層間絶縁膜を形成する第五の工程と、ソ−ス領域及びドレイン領域上に形成された該第一の導電性物質上の該層間絶縁膜に第二のコンタクトホ−ルを開口する第六の工程と、を含む。

概要

背景

この種の、従来の薄膜トランジスタの製造方法の典型として、多結晶シリコン薄膜トランジスタの製造方法を例にとって図1の製造工程図を参照して簡単に説明する。まず、光透過性基板として、通常はガラス基板(1)を用いる。このガラス基板の上面に絶縁保護膜(2)を成膜し、さらにその上面にCVD法などの方法によりアモルファスシリコン膜を成膜し、これをレ−ザ−アニ−ルなどの方法により多結晶シリコン膜(3)を成膜した後、パタニングして活性層を形成する。次にこの活性層を含むガラス基板の上面に、ゲ−ト絶縁膜(4)及び、ゲ−ト電極(5)を形成する。さらに、この上からイオンド−ピングなどの手法により、活性層にソース領域(6)及びドレイン領域(7)を発現させる。さらにその上面にCVD法などの方法により層間絶縁膜(8)を形成した後、通常のフォトリソグラフィ−及びエッチング技術を用いて、絶縁層コンタクトホ−ルを開ける。しかる後、適当な金属、例えばアルミニウム蒸着した後、フォトリソグラフィ−及びエッチング技術により、ソ−ス電極(9)、ドレイン電極(10)を形成し、図1に示すような、構造の薄膜トランジスタを得ている。

概要

ドレイン電極部とドレイン領域との電気的接続を安定的に行うことのできる薄膜トランジスタの製造方法を提供すること。

半導体膜を形成する第一の工程と、該半導体膜上にゲ−ト絶縁膜を形成する第二の工程と、該ゲ−ト絶縁膜を形成後、ソ−ス領域及びドレイン領域上のゲ−ト絶縁膜に第一のコンタクトホ−ルを開口する第三の工程と、該第一のコンタクトホ−ルを第一の導電性物質で覆う第四の工程と、層間絶縁膜を形成する第五の工程と、ソ−ス領域及びドレイン領域上に形成された該第一の導電性物質上の該層間絶縁膜に第二のコンタクトホ−ルを開口する第六の工程と、を含む。

目的

そこで本発明は上述の諸課題の解決を目指し、その目的は、薄膜トランジスタの電気的接触のさらなる安定化が図れる製造方法を提供することにある。

効果

実績

技術文献被引用数
0件
牽制数
0件

この技術が所属する分野

(分野番号表示ON)※整理標準化データをもとに当社作成

ライセンス契約や譲渡などの可能性がある特許掲載中! 開放特許随時追加・更新中 詳しくはこちら

請求項1

基板上に形成された薄膜トランジスタの製造方法において、半導体膜を形成する第一の工程と、該半導体膜上にゲ−ト絶縁膜を形成する第二の工程と、該ゲ−ト絶縁膜を形成後、ソ−ス領域及びドレイン領域上のゲ−ト絶縁膜に第一のコンタクトホ−ルを開口する第三の工程と、該第一のコンタクトホ−ルを第一の導電性物質で覆う第四の工程と、層間絶縁膜を形成する第五の工程と、ソ−ス領域及びドレイン領域上に形成された該第一の導電性物質上の該層間絶縁膜に第二のコンタクトホ−ルを開口する第六の工程と、を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

請求項2

請求項1記載の薄膜トランジスタの製造方法において、前記半導体膜が非単結晶シリコン薄膜であることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法

請求項3

請求項1記載の薄膜トランジスタの製造方法において、前記半導体膜が多結晶シリコン薄膜であることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

請求項4

請求項1記載の薄膜トランジスタの製造方法において、前記第一の導電性物質が金属であることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

請求項5

請求項4記載の薄膜トランジスタの製造方法において、前記金属がアルミニウムであることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

請求項6

請求項4記載の薄膜トランジスタの製造方法において、前記金属が銅であることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法

請求項7

請求項4記載の薄膜トランジスタの製造方法において、前記金属がチタンであることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

請求項8

請求項4記載の薄膜トランジスタの製造方法において、前記金属がタンタルであることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

請求項9

請求項4記載の薄膜トランジスタの製造方法において、前記金属が金であることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

請求項10

請求項4記載の薄膜トランジスタの製造方法において、前記金属が銀であることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

請求項11

請求項4記載の薄膜トランジスタの製造方法において、前記金属がジルコニウムであることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

請求項12

請求項1記載の薄膜トランジスタの製造方法において、前記第一の導電性物質が有機化合物であることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

請求項13

請求項12記載の薄膜トランジスタの製造方法において、前記有機化合物がポリアセチレンであることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

請求項14

請求項12記載の薄膜トランジスタの製造方法において、前記有機化合物がポリパラフェニレンビニレンであることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

請求項15

請求項12記載の薄膜トランジスタの製造方法において、前記有機化合物がポリパラフェニレンスルフィドであることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

請求項16

請求項1記載の薄膜トランジスタの製造方法において、前記ゲート絶縁膜二酸化硅素であることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

請求項17

請求項1記載の薄膜トランジスタの製造方法において、前記層間絶縁膜が二酸化硅素であることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

請求項18

請求項1記載の薄膜トランジスタの製造方法において、前記第一のコンタクトホール開口方法湿式エッチングであることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

請求項19

請求項1記載の薄膜トランジスタの製造方法において、前記第一のコンタクトホールの開口方法が反応性イオンエッチングであることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

請求項20

請求項1記載の薄膜トランジスタの製造方法において、前記第二のコンタクトホールの開口方法が湿式エッチングであることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

請求項21

請求項1記載の薄膜トランジスタの製造方法において、前記第二のコンタクトホールの開口方法が反応性イオンエッチングであることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

技術分野

0001

本発明はアクティブマトリックス型液晶表示装置、SRAM等に用いられる薄膜トランジスタの製造方法に関する。

背景技術

0002

この種の、従来の薄膜トランジスタの製造方法の典型として、多結晶シリコン薄膜トランジスタの製造方法を例にとって図1の製造工程図を参照して簡単に説明する。まず、光透過性基板として、通常はガラス基板(1)を用いる。このガラス基板の上面に絶縁保護膜(2)を成膜し、さらにその上面にCVD法などの方法によりアモルファスシリコン膜を成膜し、これをレ−ザ−アニ−ルなどの方法により多結晶シリコン膜(3)を成膜した後、パタニングして活性層を形成する。次にこの活性層を含むガラス基板の上面に、ゲ−ト絶縁膜(4)及び、ゲ−ト電極(5)を形成する。さらに、この上からイオンド−ピングなどの手法により、活性層にソース領域(6)及びドレイン領域(7)を発現させる。さらにその上面にCVD法などの方法により層間絶縁膜(8)を形成した後、通常のフォトリソグラフィ−及びエッチング技術を用いて、絶縁層コンタクトホ−ルを開ける。しかる後、適当な金属、例えばアルミニウム蒸着した後、フォトリソグラフィ−及びエッチング技術により、ソ−ス電極(9)、ドレイン電極(10)を形成し、図1に示すような、構造の薄膜トランジスタを得ている。

発明が解決しようとする課題

0003

しかしながら、この従来方法であると、ソース電極のエッチング工程において、画素電極すなわちドレイン電極部にあらかじめ開けていたコンタクトホ−ルの内部は、例えば反応性イオンエッチング等の高周波プラズマエッチングガスにさらされることになる。

0004

そのエッチングガスによりコンタクトホ−ル底部のドレイン領域を構成する半導体薄膜を貫通してしまう場合が生じる。

0005

その結果、後工程でこのコンタクトホ−ルに接続した画素電極すなわちドレイン電極部とドレイン領域との電気的な接触面積が著しく小さくなり、電気的な接続不良が生じ、歩留まり信頼性が低下するという問題点があった。

0006

そこで本発明は上述の諸課題の解決を目指し、その目的は、薄膜トランジスタの電気的接触のさらなる安定化が図れる製造方法を提供することにある。

課題を解決するための手段

0007

この目的を達成するため、本発明は、薄膜トランジスタの製造方法が基板上に形成された薄膜トランジスタの製造方法において、半導体膜を形成する第一の工程と、該半導体膜上にゲ−ト絶縁膜を形成する第二の工程と、該ゲ−ト絶縁膜形成後、ソ−ス領域及びドレイン領域上のゲ−ト絶縁膜に第一のコンタクトホ−ルを開口する第三の工程と、該第一のコンタクトホ−ルを第一の導電性物質で覆う第四の工程と、層間絶縁膜を形成する第五の工程と、ソ−ス領域及びドレイン領域上に形成された該第一の導電性物質上の該層間絶縁膜に第二のコンタクトホ−ルを開口する第六の工程とを含むことを特徴としている。

0008

また、本発明に用いられる半導体膜としては、非単結晶シリコン薄膜多結晶シリコン薄膜等の種々の半導体膜がある。

0009

さらに、本発明に用いられる第一の導電性物質としては、例えば、アルミニウム、銅、チタンタンタル、金、銀、ジルコニウム等の金属を用いることができる。また、本発明に用いられる第一の導電性物質としては、例えば、ポリアセチレンポリパラフェニレンビニレン、ポリパラフェニレンスルフィド等の有機化合物を用いることができる。

0010

さらに、本発明に用いられるゲート絶縁膜としては二酸化硅素を用いることができる。

0011

さらに、本発明に用いられる記層間絶縁膜としては、二酸化硅素を用いることができる。

0012

さらに、本発明に用いる第一のコンタクトホール開口方法としては、湿式エッチング、反応性イオンエッチング等の開口方法を用いることができる。

0013

さらにまた、本発明に用いる第二のコンタクトホールの開口方法としては、湿式エッチング、反応性イオンエッチング等の開口方法を用いることができる。

0014

そこで、この出願の発明者は、画素電極すなわちドレイン電極部とドレイン領域との接触面積を最大に保つことが、薄膜トランジスタの安定した電気的接触を得るものであるという観点から、この発明を完成したものである。

0015

上述したこの発明の構成によれば、コンタクトホ−ル底部は、コンタクトホ−ル開口時に使用するエッチングガスやエッチング液に侵されることのない導電層で保護されているので、第二のコンタクトホ−ルを開口する際に、開口部においては層間絶縁膜を構成する材料を完全に除去すると共に、過度のエッチングの進行によるソース及びドレイン領域を構成する半導体薄膜の貫通を防止することができる。

0016

また、アルミニウムに代表されるソ−ス線材料のドライエッチングの際には、ドレイン電極部のコンタクトホ−ル部においてはソ−ス線材料を完全に除去すると共に、過度のエッチングの進行による貫通を防止することができる。

0017

以上の結果、画素電極すなわちドレイン電極とドレイン領域との接触面積を最大に保つことが出来、常に安定した電気的接触を得ることが可能である。

発明を実施するための最良の形態

0018

以下、図面を参照して、この発明の実施例につき説明する。なお、図はこの発明が理解できる程度に、各構成成分の形状、寸法、及び配置関係を概略的に示してあるにすぎない。

0019

図2はこの発明の多結晶シリコン薄膜トランジスタの製造方法の基本的な特徴の説明に関する要部工程図である。なお、図2において、図1と共通の構成部分については、同一の番号を付して示してある。また、工程図は主要構成段階で得られる構造体の断面で示してある。

0020

まず、この発明の基本的特徴について説明する。

0021

絶縁性を有する光透過性基板として、通常はガラス基板(1)を用いる。このガラス基板の上面全面に例えば二酸化硅素による絶縁保護膜(2)を成膜する。この膜厚は絶縁保護膜としての目的が達成出来る厚みであればいくらであっても差し支えないが、2000オングストローム程度が最も好ましい。

0022

さらにその上面に半導体膜(3)を成膜した後、パタ−ニングして活性層を形成する。この膜厚は活性層としての目的が達成出来る厚みであればいくらであっても差し支えないが、1000オングストローム程度が最も好ましい。

0023

次にこの活性層を含むガラス基板の上面にゲ−ト絶縁膜(4)及び、ゲ−ト電極(5)を形成する。ゲート絶縁膜の膜厚は絶縁膜としての目的が達成出来る厚みであればいくらであっても差し支えないが、1200オングストローム程度が最も好ましい。また、ゲート電極の厚みは7000オングストローム程度が最も好ましい。

0024

さらに、この上からイオンド−ピングなどの手法により、活性層にソース領域(6)及びドレイン領域(7)を発現させる。その後、通常のフォトリソグラフィ−及びエッチング技術を用いて、ゲ−ト絶縁膜(4)に第一のコンタクトホ−ルを開口する。

0025

なお、第一のコンタクトホ−ルを開口する手段としては湿式エッチングと反応性イオンエッチングの2種類の方法のうち、どちらの方法に依るものであっても差しつかえない。

0026

エッチング条件は、湿式エッチングにはフッ化水素/フッ化アンモニウム酢酸系のエッチング液を使用した。エッチング条件はエッチング後の段差形状や、エッチング速度の兼ね合いにより、液温は40℃、エッチング時間は60秒間が最も好ましい。

0027

また、反応性イオンエッチングにはトリフロロメタンをエッチングガスとして用いた。エッチングは、エッチングガスの流量、反応室内の真空度、電極に印加する高周波放電などの諸条件によりその結果が異なるが、エッチング後の段差形状や、エッチング速度および選択比の兼ね合いにより、20mtorrの真空度において行い、この時エッチングガスとしてトリフロロメタンを流量200sccmで反応室内に導き、電極には13.56MHzの高周波放電を1.5kwのパワーで90秒間印加する条件が最も好ましい。なお、この時の二酸化硅素と非単結晶シリコンとのエッチング選択比はおよそ25であった。さらに、エッチング速度は約800オングストローム/分であった。

0028

次に、コンタクトホ−ルを埋めるべく、導電性金属材料、もしくは導電性有機化合物を成膜する(8)。ここで用いられる導電性金属材料、もしくは導電性有機化合物については、一般のフォトリソグラフィ−及びエッチング技術を用いて所望のパタ−ンの形成が可能な材料であり、且つソ−ス電極として代表的に用いられるアルミニウム系のエッチング条件に耐え得る性質兼備することが必要である。これら条件を満たす材料としては、金属材料としては、アルミニウム、銅、チタン、タンタル、金、銀、ジルコニウムの他、各種金属貴金属類、及びそれらの合金が挙げられる。また、有機化合物としては、ポリアセチレン、ポリパラフェニレンビニレン、ポリパラフェニレンスルフィドが挙げられ、導電性を付与する為にいずれもケミカルド−ピング処理を施したものを使用する。さらに、この上面に層間絶縁膜(9)として二酸化硅素を成膜し、通常のフォトリソグラフィ−及びエッチング技術を用いて、層間絶縁膜(9)に第二のコンタクトホ−ルを開口する。

0029

なお、第二のコンタクトホ−ルを開口する手段としては湿式エッチングと反応性イオンエッチングの2種類の方法のうち、どちらの方法に依るものであっても差しつかえない。

0030

エッチング条件は、湿式エッチングにはフッ化水素/フッ化アンモニウム/酢酸系のエッチング液を使用した。エッチング条件はエッチング後の段差形状や、エッチング速度の兼ね合いにより、液温は40℃、エッチング時間は240秒間が最も好ましい。

0031

また、反応性イオンエッチングにはトリフロロメタンをエッチングガスとして用いた。エッチングは、エッチングガスの流量、反応室内の真空度、電極に印加する高周波放電などの諸条件によりその結果が異なるが、エッチング後の段差形状や、エッチング速度の兼ね合いにより、20mtorrの真空度において行い、この時エッチングガスとしてトリフロロメタンを流量200sccmで反応室内に導き、電極には13.56MHzの高周波放電を1.5kwのパワーで500秒間印加する条件が最も好ましい。なお、この時の二酸化硅素と非単結晶シリコンとのエッチング選択比はおよそ25であった。さらに、エッチング速度は約800オングストローム/分であった。

0032

しかる後、ソース電極として適当な金属、例えばアルミニウムを蒸着した後、通常のフォトリソグラフィ−及びエッチング技術により、ソ−ス電極(10)を形成する。ソース電極の膜厚については、その目的が達成出来る厚みであればいくらであっても差し支えないが、8000オングストローム程度が最も好ましい。

0033

さらにその上面からドレイン電極として適当な金属、例えば酸化インジウム錫を蒸着した後、通常のフォトリソグラフィ−及びエッチング技術により、ドレイン電極(11)を形成する。ドレイン電極の膜厚については、その目的が達成出来る厚みであればいくらであっても差し支えないが、1600オングストローム程度が最も好ましい。

0034

上記の工程により、図2に示すような構造体の、この発明の薄膜トランジスタを得ることが出来る。

0035

次に、この発明の製造工程を図2を参照してさらに具体的に説明する。

0036

まず、絶縁性を有する光透過性基板(1)として、安価な透明ガラス基板を用いた。このガラス基板の一方の上面全面に絶縁保護膜(2)を成膜し、さらにその上面にフォトリソグラフィ−及びエッチング技術により、のちにソース領域、ドレイン領域を発現させるための活性層を設けた。この活性層の成膜にあたり、基板に下地膜として2000オングストローム程度の二酸化硅素の薄膜堆積し、そしてその上面にアモルファスシリコン膜を成膜し、これをレ−ザ−アニ−ルなどの方法により結晶化させた。このアモルファスシリコン層の膜厚については1000オングストロ−ム程度とした。そして、この結晶化シリコン薄膜を通常のフォトリソグラフィー技術によりパタ−ニングして活性層を得た。

0037

次に上面のゲ−ト絶縁膜はCVD法により、例えば二酸化硅素の薄膜を成膜した。この膜厚は1200オングストロ−ム程度とした。そして、タンタルのゲ−ト電極(5)を通常のフォトリソグラフィー技術により形成後、イオンド−ピング法により、活性層にソース領域(6)、ドレイン領域(7)を発現させた。その後、通常のフォトリソグラフィ−及びエッチング技術を用いて、ゲ−ト絶縁膜に第一のコンタクトホ−ルを開けた。なお、ここで第一のコンタクトホ−ルを開口する手段としては、湿式エッチングによるものでも、また反応性イオンエッチングによるもであっても差しつかえない。

0038

エッチング条件は、湿式エッチングはフッ化水素/フッ化アンモニウム/酢酸系のエッチング液を使用し、そのエッチング条件は液温40℃、時間は60秒であった。

0039

また、反応性イオンエッチングは20mtorrの真空度において行い、この時エッチングガスとしてトリフロロメタンを流量200sccmで反応室内に導き、電極には13.56MHzの高周波放電を1.5kwのパワーで90秒間印加した。

0040

次に、上記第一のコンタクトホ−ルを埋めるべく、導電性金属材料、もしくは導電性有機化合物を成膜(8)する。

0041

続いて、その上面に、二酸化硅素で代表される層間絶縁膜(9)を成膜する。この膜厚は5000オングストロ−ム程度とする。さらに、通常のフォトリソグラフィ−及びエッチング技術を用いて、層間絶縁膜(9)に第二のコンタクトホ−ルを開ける。なお、ここで第二のコンタクトホ−ルを開口する手段としては、湿式エッチングによるものでも、また反応性イオンエッチングによるもであっても差しつかえない。

0042

エッチング条件は、湿式エッチングはフッ化水素/フッ化アンモニウム/酢酸系のエッチング液を使用し、そのエッチング条件は液温40℃、時間は240秒であった。

0043

また、反応性イオンエッチングは20mtorrの真空度において行い、この時エッチングガスとしてトリフロロメタンを流量200sccmで反応室内に導き、電極には13.56MHzの高周波放電を1.5kwのパワーで500秒間印加した。

0044

しかる後、適当な金属、例えばソ−ス電極(10)としてはアルミニウム系、また、ドレイン電極(11)としては酸化インジウム錫で代表される各種導電性材料の成膜を行い、フォトリソグラフィ−及びエッチング技術により、ソ−ス電極(10)、画素電極すなわちドレイン電極(11)を形成し、図2に示すような構造体の、この発明の多結晶シリコン薄膜トランジスタを得る。

0045

上述したこの発明の実施例は、単なる好適例にすぎず、従ってこの発明は、上述した実施例のみに限定されるものではなく、多くの変形及び変更を行うことが出来る。例えば、ゲ−ト電極(5)としてタンタル系を用いたが、それ以外の金属であってもよい。また、活性層を非単結晶もしくは多結晶シリコン層で形成すること以外の上述した材料、形状、数値的、その他諸条件は好適例にすぎないため、これになんら限定されるものではない。

発明の効果

0046

上述した説明からも明らかなように、この発明による薄膜トランジスタの製造方法によれば、画素電極すなわちドレイン電極及びソ−ス電極のコンタクトホ−ルの形成の際、ソース領域、ドレイン領域と画素電極すなわちドレイン電極及びソ−ス電極材料との間に、導電性材料層を有するので、エッチングが過度に進行した場合でも、この導電性材料層内でエッチングを停止させることにより、ソース及びドレイン領域を構成する半導体薄膜の貫通を防止することができ、画素電極すなわちドレイン電極とドレイン領域との間で良好な接触状態を得ることができる。さらに、ある厚みを有する導電性材料層内でエッチングを止めた場合、その厚みの範囲内であれば、画素電極すなわちドレイン電極とドレイン領域との間では常に一定で、かつ最大の接触面積を保つことができる。従って、この発明の方法により製造された薄膜トランジスタは、常に安定した表示特性を提供することが可能となり、歩留まり、信頼性の飛躍的な向上に貢献するものである。

図面の簡単な説明

0047

図1従来の薄膜トランジスタの製造工程とその構造を示す図。
図2本発明の実施例における薄膜トランジスタの製造工程とその構造を示す図。

ページトップへ

この技術を出願した法人

この技術を発明した人物

ページトップへ

関連する挑戦したい社会課題

関連する公募課題

該当するデータがありません

ページトップへ

技術視点だけで見ていませんか?

この技術の活用可能性がある分野

分野別動向を把握したい方- 事業化視点で見る -

(分野番号表示ON)※整理標準化データをもとに当社作成

ページトップへ

おススメ サービス

おススメ astavisionコンテンツ

新着 最近 公開された関連が強い技術

  • 株式会社半導体エネルギー研究所の「 表示システム」が 公開されました。( 2020/10/29)

    【課題・解決手段】解像度の高い表示システムを提供する。表示品位の高い表示システムを提供する。処理部及び表示部を有する表示システムである。処理部には、第1の画像信号が供給される。処理部は、第1の画像信号... 詳細

  • 株式会社半導体エネルギー研究所の「 半導体装置」が 公開されました。( 2020/10/29)

    【課題・解決手段】新規な半導体装置の提供。複数のセルアレイと、複数の周辺回路と、を有し、セルアレイは、複数のメモリセルを有し、周辺回路は、第1の駆動回路と、第2の駆動回路と、第1の増幅回路と、第2の増... 詳細

  • 株式会社半導体エネルギー研究所の「 半導体装置、記憶装置、及び電子機器」が 公開されました。( 2020/10/29)

    【課題・解決手段】ビット線寄生容量が低減された記憶装置を提供する。記憶装置は、ビット線に電気的に接続されているセンスアンプと、センスアンプ上に積層されているメモリセルアレイとを有する。メモリセルアレイ... 詳細

この 技術と関連性が強い人物

関連性が強い人物一覧

この 技術と関連する社会課題

関連する挑戦したい社会課題一覧

この 技術と関連する公募課題

該当するデータがありません

astavision 新着記事

サイト情報について

本サービスは、国が公開している情報(公開特許公報、特許整理標準化データ等)を元に構成されています。出典元のデータには一部間違いやノイズがあり、情報の正確さについては保証致しかねます。また一時的に、各データの収録範囲や更新周期によって、一部の情報が正しく表示されないことがございます。当サイトの情報を元にした諸問題、不利益等について当方は何ら責任を負いかねることを予めご承知おきのほど宜しくお願い申し上げます。

主たる情報の出典

特許情報…特許整理標準化データ(XML編)、公開特許公報、特許公報、審決公報、Patent Map Guidance System データ