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課題

放置による現像時間の遅れを最小限に抑える。現像時間を放置時間によって変更することなく安定性の高い感光性ポリマ現像方法を提供する。

解決手段

感光性ポリマの現像工程において、現像液による処理前に該感光性ポリマの貧溶媒で処理することを特徴とする感光性ポリマの現像方法。

概要

背景

感光性ポリイミド前駆体をはじめとする感光性ポリマは、半導体分野において、層間絶縁膜バッファーコート、アルファ線遮蔽膜などの形成に利用される。感光性ポリマの大きな特徴の一つは、化学線照射の後、現像することにより、パタ−ン加工ができることである。露光後の感光性ポリマの現像は、例えばスプレ−現像、パドル現像などの現像方法が使用されている。このような現像方法は基板1枚1枚を順に現像していく枚葉処理であり、感光性ポリマを基板などに塗布、乾燥、露光した後に現像工程となる。このように現像までは、多数の工程があり、工程の問題などで、時により非常に時間がかかることがある。

ここで、感光性ポリマの現像において、塗布後の時間によって現像時間が長くなる問題がある。このため、塗布後の時間が長くなったものは、現像時間を長くする必要があった。

概要

放置による現像時間の遅れを最小限に抑える。現像時間を放置時間によって変更することなく安定性の高い感光性ポリマの現像方法を提供する。

感光性ポリマの現像工程において、現像液による処理前に該感光性ポリマの貧溶媒で処理することを特徴とする感光性ポリマの現像方法。

目的

本発明はかかる従来の諸欠点に鑑み創案されたもので、その目的とするところは、感光性ポリイミド前駆体をはじめとする感光性ポリマの現像において、現像時間の遅れを抑え、現像時間を一定にすることのできる感光性ポリマの現像方法を提供することにある。

効果

実績

技術文献被引用数
1件
牽制数
2件

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請求項1

感光性ポリマ現像方法において、現像液による処理前に該感光性ポリマの貧溶媒で処理することを特徴とする感光性ポリマの現像方法。

請求項2

請求項1において、感光性ポリマの貧溶媒が該感光性ポリマのリンス液であることを特徴とする感光性ポリマの現像方法。

請求項3

請求項1において、感光性ポリマの貧溶媒が炭素数2から10のアルコル類であることを特徴とする感光性ポリマの現像方法。

請求項4

請求項1において、感光性ポリマの貧溶媒が炭素数2から10のケトン類であることを特徴とする感光性ポリマの現像方法。

請求項5

請求項1において、感光性ポリマの貧溶媒が炭素数2から10のエ−テル類であることを特徴とする感光性ポリマの現像方法。

請求項6

請求項1において、感光性ポリマの貧溶媒が炭素数2から10のエステル類であることを特徴とする感光性ポリマの現像方法。

請求項7

請求項1において、感光性ポリマの貧溶媒が炭素数2から10の炭化水素であることを特徴とする感光性ポリマの現像方法。

請求項8

請求項1において、感光性ポリマが感光性ポリイミド前駆体であることを特徴とする感光性ポリマの現像方法。

技術分野

0001

本発明は、放置中に現像時間が長くなるという問題に対して、放置時間の影響が最小限に抑えられる感光性ポリマ現像方法に関するものである。

背景技術

0002

感光性ポリイミド前駆体をはじめとする感光性ポリマは、半導体分野において、層間絶縁膜バッファーコート、アルファ線遮蔽膜などの形成に利用される。感光性ポリマの大きな特徴の一つは、化学線照射の後、現像することにより、パタ−ン加工ができることである。露光後の感光性ポリマの現像は、例えばスプレ−現像、パドル現像などの現像方法が使用されている。このような現像方法は基板1枚1枚を順に現像していく枚葉処理であり、感光性ポリマを基板などに塗布、乾燥、露光した後に現像工程となる。このように現像までは、多数の工程があり、工程の問題などで、時により非常に時間がかかることがある。

0003

ここで、感光性ポリマの現像において、塗布後の時間によって現像時間が長くなる問題がある。このため、塗布後の時間が長くなったものは、現像時間を長くする必要があった。

発明が解決しようとする課題

0004

このように、かかる従来の方法では、現像時間を塗布後の時間によって変えなければならず、生産性が非常に低下するという事態遭遇した。

0005

本発明はかかる従来の諸欠点に鑑み創案されたもので、その目的とするところは、感光性ポリイミド前駆体をはじめとする感光性ポリマの現像において、現像時間の遅れを抑え、現像時間を一定にすることのできる感光性ポリマの現像方法を提供することにある。

課題を解決するための手段

0006

かかる本発明の目的は、感光性ポリマの現像方法において、現像液による処理前に該感光性ポリマの貧溶媒で処理することを特徴とする感光性ポリマの現像方法により達成される。

発明を実施するための最良の形態

0007

本発明では、現像液による処理の前に感光性ポリマの貧溶媒による処理を行うので、該貧溶媒が感光性ポリマ内部に侵入して、放置中に減少した感光性ポリマの自由体積を元の状態に戻すことで現像時間の遅れを抑え、現像時間を一定にすることができるものである。

0008

ここでいう貧溶媒としては、感光性ポリマを実質的に溶解させないものであり、溶解度が1g/1000ml以下であるものが好ましい。

0009

本発明で使用できる貧溶媒としては、エタノ−ル、イソプロピルアルコ−ル、n−プロピルアルコ−ル、n−ブタノ−ル、イソブタノ−ル、t−ブタノ−ル、酢酸エチル酢酸ブチル乳酸エチルプロピレングリコルモノエチルエ−テルアセテ−ト、プロピレングリコ−ルモノエチルエ−テル、アセトンメチルイソブチルケトンなどの炭素数2から10までのアルコ−ル類エステル類エーテル類ケトン類などが挙げられるがこれらに限られることはない。

0010

また、該貧溶媒として感光性ポリマのリンス液を用いることが好ましい。新規に第3のラインを作る必要がないためである。

0011

貧溶媒で処理する方法としては、噴霧シャワー、棒状に噴射する、溶媒蒸気飽和雰囲気中で処理する等が挙げられる。

0012

感光性ポリマとしては、感光性ポリイミド前駆体、感光アクリル感光性ポリエステル、感光性ポリアミド、感光性エポキシなどの公知の感光性樹脂が挙げられるが、感光性ポリイミド前駆体に適用することが有効である。

0013

感光性ポリイミド前駆体としては、ポリアミド酸感光基イオン結合で導入した組成物(例えば特公昭59−52822号公報)、ポリアミド酸にエステル基で感光基を導入した組成物(例えばUSP3957512号明細書,USP4040831号明細書)などを挙げることができるが、これに限定されない。このような感光性ポリイミド前駆体組成物は、東レ(株)“フォトニ−ス”、旭化成(株)“パイメル”、デュポンパイラリン”、日立化成“フォトパル”などの名称で市販されており、本発明はこれらの全てに有効である。

0014

このようにして得られたポリマ被膜は、半導体保護膜、層間絶縁膜、電子部品の保護膜、多層配線の層間絶縁膜等に用いることができる。

0015

合成例1
窒素気流下、1lの4つ口フラスコに4、4´−ジアミノジフェニルエ−テル19.0g(0.095モル)と1、3−ビス(3−アミノプロピルテトラメチルジシロキサン1.2g(0.005モル)をN−メチル−2−ピロリドン100gに入れ溶解させた。ここに無水ピロメリット酸10.8g(0.050モル)と3、3´、4、4´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物15.0g(0.047モル)を加え、室温で6時間反応を行いポリアミド酸(ポリイミド前駆体)を得た。この溶液に、N,N−ジエチルアミノエチルメタクリレ−ト33g(0.18モル)、N−フェニルジエタノ−ルアミン1.25g、N−フェニルグリシン1.25gを加え感光性ポリイミドワニスAを得た。

0016

合成例2
乾燥空気気流下、無水ピロメリット酸10.9g(0.05モル)をガンマブチロラクトン100gに溶解させた。ここに13gの2−ヒドロキシエチルメタクリレ−ト(0.1モル)、ピリジン7gを加えて50度で1時間反応を行った。この溶液に氷冷下10.5gのジシクロヘキシルカルボジイミド(0.05モル)を15分かけてこの溶液に滴下した。さらに4、4´−ジアミノジフェニルエ−テル10g(0.05モル)をガンマブチロラクトン50gに溶解させた溶液を10分かけて滴下した。この溶液を氷冷下3時間反応させ、次いで50度で1時間反応させた。反応終了後析出した尿素化合物濾過で除いた。濾液を3lの水に投入してポリアミドエステルの沈殿を生成した。この沈殿を集めて、水とメタノ−ルで洗浄の後に真空乾燥機で50度で24時間乾燥した。このポリアミドエステルの粉体15gと0.75gの2−メルカプトベンズイミダゾ−ル、1gのトリチロ−ルプロパントリアクリレ−ト、2gのエチレングリコ−ルジメタクリレ−ト、0.03gのp−tert−ブチルカテコ−ル、0.5gのミヒラ−ケトン、0.5gの3−メタクリロキシプロピルジメトキシシラン、0.5gの1−フェニル−プロパンジオン2−(o−ベンゾイルオキシムを加えた感光性ポリイミドワニスBを得た。

0017

合成例3
窒素気流下、1lの4つ口フラスコに3、5−ジアミノ安息香酸−2−ヒドロキシエチルメタクリリレ−トエステル(川崎化研製BEM−S)25.5gと1、3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン1.2gをN−メチル−2−ピロリドン100gに入れ溶解させた。ここに3、3´、4、4´−ビフェニルテトラカルボン酸2無水物29.0gを加え、室温で6時間反応を行いポリアミド酸(ポリイミド前駆体)を得た。この溶液にN−フェニルジエタノ−ルアミン1.25g、N−フェニルグリシン1.25g、エチレングリコ−ルジメタクリレ−ト10gを加え感光性ポリイミドのワニスCを得た。

0018

合成例4
窒素気流下、1lの4つ口フラスコに4、4´−ジアミノジフェニルエ−テル19.0g(0.095モル)と1、3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン1.2g(0.005モル)をN−メチル−2−ピロリドン100gに入れ溶解させた。ここに無水ピロメリット酸10.8g(0.050モル)と3、3´、4、4´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸2無水物15.0g(0.047モル)を加え、室温で6時間反応を行いポリアミド酸(ポリイミド前駆体)を得た。ここにグリシジルメタクリレ−ト13gを加え、室温で12時間反応させた。このワニスにエチレングリコ−ルジメタクリレ−ト5gとN−フェニルグリシン2.5g、0.2gの3、3´−カルボニルビス(7−ジエチルアミノクマリン)を加え、感光性ポリイミドのワニスDを得た。

0019

合成例5
窒素気流下、1lの4つ口フラスコに4、4´−ジアミノジフェニルエ−テル19.0g(0.095モル)と1、3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン1.2g(0.005モル)をN−メチル−2−ピロリドン100gに入れ溶解させた。ここに無水ピロメリット酸10.8g(0.050モル)と3、3´、4、4´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸2無水物15.0g(0.047モル)を加え、室温で6時間反応を行いポリアミド酸(ポリイミド前駆体)を得た。ここに15gのN−メチロ−ルメタクリルアミド、エチレングリコ−ルジメタクリレ−ト5gとN−フェニルグリシン2.5g、0.2gの3、3´−カルボニルビス(7−ジエチルアミノクマリン)を加え、感光性ポリイミドのワニスEを得た。

0020

実施例1
インチシリコンウエハ上に、感光性ポリイミド前駆体のワニスAをプリベ−ク後の膜厚が10μmとなるように塗布し、ついでホットプレ−ト(大日本スクリ−ン製造社製SCW−636)を用いて、100℃で3分プリベ−クすることにより、感光性ポリイミド前駆体膜を得た。ついで、露光機キャノン(株)PLA501F)に、パターンの切られたマスクをセットし、露光量200mJ/cm2 (405nmの強度)で露光を行った。同様の方法により合計3枚の試料を作製した。得られた露光済みウエハを、すぐに現像を行うもの、12時間後に現像を行うもの、2日後に現像を行うものに分けた。

0021

現像は、大日本スクリ−ン製造社製SCW−636の現像装置を用い、まずイソプロピルアルコ−ルを100回転で2秒噴霧し、3秒間静止、次いで1000回転で液を振り切り、100回転で現像液DV−605(東レ製)を3秒間噴霧した。この後、60秒静止し、次いで1000回転で5秒間現像液を噴霧、1000回転で5秒間イソプロピルアルコ−ル(溶解度:0.1g/1000ml以下)を噴霧してリンス処理、3000回転で8秒振り切り乾燥した。放置時間によらず全てのウエハは60秒の静止時間で現像が行え、全てのウエハにおいて解像度も15ミクロンのホ−ルが解像していた。

0022

比較例1
実施例1と全く同様な方法により、感光性ポリイミド前駆体Aの被膜膜を用意した。得られた露光済みウエハを、すぐに現像を行うもの、1日後に現像を行うもの、3日後に現像を行うものに分けた。

0023

現像は現像液をかける前にリンス液をかけないことを除くと実施例1と全く同様である。露光後すぐのものは60秒の静止時間で現像が行え、15ミクロンのホ−ルが解像していたが、12時間後のものは60秒静止時間で現像が行えたものの、30ミクロンまで解像度が低下した。2日後に現像を行ったものは60秒の静止時間では現像が終了していなかった。

0024

実施例2
ワニスBを用いて実施例1と全く同様な方法により、感光性ポリイミド前駆体Bの被膜を用意した。得られた露光済みウエハを、すぐに現像を行うもの、12時間後に現像を行うもの、2日後に現像を行うものに分けた。

0025

現像は、大日本スクリ−ン製造社製SCW−636の現像装置を用い、まず乳酸エチル(溶解度:0.1g/1000ml以下)を100回転で2秒噴霧し、3秒間静止、次いで1000回転で液を振り切り、1000回転でN−メチルピロリドン(NMP)とキシレン体積比7:3)の現像液を30秒間噴霧した。この後、1000回転で5秒間乳酸エチルを噴霧してリンス処理、3000回転で8秒振り切り乾燥した。放置時間によらず全てのウエハは30秒の静止時間で現像が行え、全てのウエハにおいて解像度も20ミクロンのホ−ルが解像していた。

0026

比較例2
ワニスBを用いて実施例1と全く同様な方法により、感光性ポリイミド前駆体Bの被膜を用意した。得られた露光済みウエハを、すぐに現像を行うもの、12時間後に現像を行うもの、2日後に現像を行うものに分けた。

0027

現像は、大日本スクリ−ン製造社製SCW−636の現像装置を用い、1000回転でNMPとキシレン(体積比7:3)の現像液を30秒間噴霧した。この後、1000回転で5秒間乳酸エチルを噴霧してリンス処理、3000回転で8秒振り切り乾燥した。露光後すぐのものは30秒の現像時間で現像が行え、15ミクロンのホ−ルが解像していたが、12時間後のものは30秒の現像時間で現像が行えたものの、50ミクロンまで解像度が低下した。2日後に現像を行ったものは30秒の現像時間では現像が終了していなかった。

0028

実施例3
ワニスCを用いて実施例1と全く同様な方法により、感光性ポリイミド前駆体Cの被膜を用意した。得られた露光済みウエハを、すぐに現像を行うもの、12時間後に現像を行うもの、2日後に現像を行うものに分けた。

0029

現像は、大日本スクリ−ン製造社製SCW−636の現像装置を用い、まずメチルイソブチルケトン(溶解度:0.1g/1000ml)を100回転で2秒処理し、3秒間静止、次いで1000回転で液を振り切り、100回転でNMPとエタノ−ル(体積比8:2)の現像液を3秒間噴霧した。この後、90秒静止し、次いで1000回転で5秒間現像液を噴霧、1000回転で5秒間メチルイソブチルケトン処理してリンス、3000回転で8秒振り切り乾燥した。放置時間によらず全てのウエハは90秒の静止時間で現像が行え、全てのウエハにおいて解像度も20ミクロンのホ−ルが解像していた。

0030

比較例3
ワニスCを用いて実施例1と全く同様な方法により、感光性ポリイミド前駆体Cの被膜を用意した。得られた露光済みウエハを、すぐに現像を行うもの、12時間後に現像を行うもの、2日後に現像を行うものに分けた。

0031

現像は、大日本スクリ−ン製造社製SCW−636の現像装置を用い、100回転でNMPとエタノ−ル(体積比8:2)の現像液を3秒間噴霧した。この後、90秒静止した。1000回転で5秒間乳酸エチルを噴霧してリンス処理、3000回転で8秒振り切り乾燥した。露光後すぐのものは90秒の現像時間で現像が行え、15ミクロンのホ−ルが解像していたが、12時間後のものは90秒の現像時間で現像が行えたものの、50ミクロンまで解像度が低下した。2日後に現像を行ったものは90秒の現像時間では現像が終了していなかった。

0032

実施例4
ワニスDを用いて実施例1と全く同様な方法により、感光性ポリイミド前駆体Dの被膜を用意した。得られた露光済みウエハを、すぐに現像を行うもの、12時間後に現像を行うもの、2日後に現像を行うものに分けた。

0033

現像は、大日本スクリ−ン製造社製SCW−636の現像装置を用い、まずプロピレングリコ−ルモノメチルエ−テルアセテ−ト(溶解度:0.15g/1000ml以下)を100回転で2秒処理し、3秒間静止、次いで1000回転で液を振り切り、100回転でNMPとプロピレングリコ−ルモノメチルエ−テルアセテ−トと水(体積比7:2:1)の現像液を3秒間噴霧した。この後、80秒静止し、次いで1000回転で5秒間現像液を噴霧、1000回転で5秒間プロピレングリコ−ルモノメチルエ−テルアセテ−ト処理してリンス、3000回転で15秒振り切り乾燥した。放置時間によらず全てのウエハは80秒の静止時間で現像が行え、全てのウエハにおいて解像度も20ミクロンのホ−ルが解像していた。

0034

比較例4
ワニスDを用いて実施例1と全く同様な方法により、感光性ポリイミド前駆体Dの被膜を用意した。得られた露光済みウエハを、すぐに現像を行うもの、12時間後に現像を行うもの、2日後に現像を行うものに分けた。

0035

現像は、大日本スクリ−ン製造社製SCW−636の現像装置を用い、100回転でNMPとプロピレングリコ−ルモノメチルエ−テルアセテ−トと水(体積比7:2:1)の現像液を3秒間噴霧した。この後、80秒静止し、次いで1000回転で5秒間現像液を噴霧、1000回転で5秒間プロピレングリコ−ルモノメチルエ−テルアセテ−ト処理してリンス、3000回転で15秒振り切り乾燥した。露光後すぐのものは80秒の現像時間で現像が行え、20ミクロンのホ−ルが解像していたが、12時間後のものは80秒の現像時間で現像が行えたものの、50ミクロンまで解像度が低下した。2日後に現像を行ったものは80秒の現像時間では現像が終了していなかった。

0036

実施例5
ワニスEを用いて実施例1と全く同様な方法により、感光性ポリイミド前駆体Eの被膜を用意した。得られた露光済みウエハを、すぐに現像を行うもの、12時間後に現像を行うもの、2日後に現像を行うものに分けた。

0037

現像は、大日本スクリ−ン製造社製SCW−636の現像装置を用い、まずエタノ−ル(溶解度:0.1g/1000ml以下)を100回転で2秒噴霧し、3秒間静止、次いで1000回転で液を振り切り、50回転でNMPと水(体積比8:2)の現像液を3秒間噴霧した。この後、90秒静止し、次いで1000回転で5秒間エタノ−ルを噴霧してリンス処理、3000回転で8秒振り切り乾燥した。放置時間によらず全てのウエハは90秒の静止時間で現像が行え、全てのウエハにおいて解像度も30ミクロンのホ−ルが解像していた。

0038

比較例5
ワニスEを用いて実施例5と全く同様な方法により、感光性ポリイミド前駆体膜を4インチウエハ上に形成し、全く同様な方法により露光を行った。得られた露光済みウエハを、すぐに現像を行うもの、12時間後に現像を行うもの、2日後に現像を行うものに分けた。

0039

現像は、大日本スクリ−ン製造社製SCW−636の現像装置を用い、50回転でNMPと水(体積比8:2)の現像液を3秒間噴霧した。この後、90秒静止し、次いで1000回転で5秒間エタノ−ルを噴霧してリンス処理、3000回転で8秒振り切り乾燥した。露光後すぐのものは90秒の静止時間で現像が行え、20ミクロンのホ−ルが解像していたが、12時間後のものは90秒の静止時間で現像が行えたものの、50ミクロンまで解像度が低下した。2日後に現像を行ったものは90秒の静止時間では現像が終了していなかった。

0040

実施例6
4インチシリコンウエハ上に、感光性アクリル樹脂として“セイワック”103 (日本メクトロン製)30重量部、ペンタエリスリト−ルトリアクリレ−ト10重量部、メタクリル酸メチル10重量部、イルガキュア−907(チバガイギ−製)5重量部とエチルセロソルブ45重量部を混合した物をプリベ−ク後の膜厚が20μmとなるように塗布し、ついでホットプレ−ト(大日本スクリ−ン製造社製SCW−636)を用いて、60℃で10分プリベ−クすることにより、感光性アクリル樹脂被膜を得た。ついで、露光機(キャノン(株)PLA501F)に、パターンの切られたマスクをセットし、露光量400mJ/cm2 (405nmの強度)で露光を行った。同様の方法により合計3枚の試料を作製した。得られた露光済みウエハを、すぐに現像を行うもの、6時間後に現像を行うもの、24時間後に現像を行うものに分けた。

0041

現像は、大日本スクリ−ン製造社製SCW−636の現像装置を用い、まずヘキサン(溶解度:0.1g/1000ml以下)を100回転で2秒噴霧し、3秒間静止、次いで1000回転で液を振り切り、500回転でイソプロピルアルコ−ルを60秒間噴霧した。次いで1000回転で5秒間ヘキサンを噴霧してリンス処理、3000回転で8秒振り切り乾燥した。放置時間によらず全てのウエハは60秒の現像液のスプレ−時間で現像が行え、全てのウエハにおいて解像度も30ミクロンのホ−ルが解像していた。比較例6
実施例6と全く同様な方法により、感光性アクリル前駆体膜を4インチウエハ上に形成し、全く同様な方法により露光を行った。得られた露光済みウエハを、すぐに現像を行うもの、6時間後に現像を行うもの、24時間後に現像を行うものに分けた。

0042

現像は、大日本スクリ−ン製造社製SCW−636の現像装置を用い、500回転でイソプロピルアルコ−ルを60秒間噴霧した。次いで1000回転で5秒間エタノ−ルを噴霧してリンス処理、3000回転で8秒振り切り乾燥した。露光後すぐのものは40秒の噴霧時間で現像が行え、30ミクロンのホ−ルが解像していたが、6時間後のものは60秒の噴霧時間で現像が行えたものの、50ミクロンまで解像度が低下した。24時間後に現像を行ったものは60秒の噴霧時間では現像が終了していなかった。

0043

実施例7
4インチシリコンウエハ上に、感光性エポキシ樹脂としてN−730(大日本インキ化学製)25重量部、830(大日本インキ化学製)15重量部、720(大日本インキ化学製)10重量部、TAZ−110(みどり化学製)5重量部とジメチルホルムアミド45重量部を混合した物をプリベ−ク後の膜厚が20μmとなるように塗布し、ついでホットプレ−ト(大日本スクリ−ン製造社製SCW−636)を用いて、60℃で10分プリベ−クすることにより、感光性エポキシ樹脂被膜を得た。ついで、露光機(キャノン( 株)PLA501F)に、パターンの切られたマスクをセットし、露光量600mJ/cm2 (405nmの強度)で露光を行ない、その後100度で3分ホットプレ−トで反応させた。同様の方法により合計3枚の試料を作製した。得られた露光済みウエハを、すぐに現像を行うもの、6時間後に現像を行うもの、24時間後に現像を行うものに分けた。 現像は、大日本スクリ−ン製造社製SCW−636の現像装置を用い、まずヘキサン(溶解度:0.1g/1000ml以下)を100回転で2秒噴霧し、3秒間静止、次いで1000回転で液を振り切り、50回転でジメチルホルムアミドを60秒間噴霧した。その後60秒間静止し、次いで1000回転で5秒間ジメチルホルムアミド噴霧、1000回転で5秒間ヘキサンを噴霧してリンス処理、3000回転で8秒振り切り乾燥した。放置時間によらず全てのウエハは60秒の現像時間で現像が行え、全てのウエハにおいて解像度も40ミクロンのホ−ルが解像していた。

0044

比較例7
実施例7と全く同様な方法により、感光性エポキシ被膜を4インチウエハ上に形成し、全く同様な方法により露光、熱処理を行った。得られた露光済みウエハを、すぐに現像を行うもの、6時間後に現像を行うもの、24時間後に現像を行うものに分けた。

0045

現像は、大日本スクリ−ン製造社製SCW−636の現像装置を用い、50回転でジメチルホルムアミドを60秒間噴霧した。その後60秒間静止し、次いで1000回転で5秒間ジメチルホルムアミド噴霧、1000回転で5秒間ヘキサンを噴霧してリンス処理、3000回転で8秒振り切り乾燥した。露光後すぐのものは60秒の現像時間で現像が行え、40ミクロンのホ−ルが解像していたが、6時間後のものは60秒の現像時間で現像が行えたものの、70ミクロンまで解像度が低下した。24時間後に現像を行ったものは60秒の現像時間では現像が終了していなかった。

発明の効果

0046

本発明の感光性ポリマの現像方法は、放置による現像時間の変化を抑え、現像時間を放置時間によらず一定にすることができ、顕著な実用効果を奏するものである。

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